TW201826492A - 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供一種可得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有：晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層；第1透明基板貼附步驟，將第1透明基板的正面貼附到晶圓的背面以形成第1一體化晶圓；第2透明基板貼附步驟，已實施該第1透明基板貼附步驟之後，將第2透明基板的正面貼附到該第1透明基板的背面以形成第2一體化晶圓；及分割步驟，沿著該分割預定線將該晶圓和該第1及第2透明基板一起切斷，以將該第2一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
Description
發明領域 本發明是有關於一種發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。
發明背景 在藍寶石基板、GaN基板、SiC基板等的結晶成長用基板的正面上形成有將n型半導體層、發光層、p型半導體層積層複數層而成的積層體層，並且在此積層體層上藉由交叉的複數條分割預定線所區劃出的區域中形成有複數個LED(發光二極體(Light Emitting Diode))等之發光元件的晶圓，是沿著分割預定線切斷而分割成一個個的發光元件晶片，已分割的發光元件晶片可廣泛地應用在手機、個人電腦、照明機器等的各種電氣機器上。
由於從發光元件晶片的發光層射出的光具有各向同性，所以即使被照射到結晶成長用基板的內部也會使光從基板的背面及側面射出。然而，由於已被照射到基板之內部的光之中在與空氣層之間的界面上的入射角為臨界角以上的光會在界面上進行全反射而被封閉在基板內部，並不會有從基板射出到外部之情形，所以會有導致發光元件晶片的亮度降低的問題。
為了解決此問題，在日本專利特開2014-175354號公報中已記載有下述之發光二極體(LED)：為了抑制從發光層射出的光被封閉在基板的內部，而形成為在基板的背面貼附透明構件來謀求亮度的提升。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-175354號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，在專利文獻1所揭示的發光二極體中，雖然可藉由在基板的背面貼附透明構件而使亮度稍微提升，但是仍有無法得到充分的亮度的問題。
本發明是有鑒於像這樣的點而作成的發明，其目的在於提供一種能夠得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 用以解決課題之手段
依據請求項1記載的發明，可提供一種發光二極體晶片的製造方法，該發光二極體晶片的製造方法之特徵在於具備有： 晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層； 第1透明基板貼附步驟，將第1透明基板的正面貼附到晶圓的背面以形成第1一體化晶圓； 第2透明基板貼附步驟，已實施該第1透明基板貼附步驟之後，將第2透明基板的正面貼附到該第1透明基板的背面以形成第2一體化晶圓；及 分割步驟，沿著該分割預定線將該晶圓和該第1及第2透明基板一起切斷，以將該第2一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
較理想的是，該第1及第2透明基板是以透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石、透明樹脂的任一種所形成，並且該第1及該第2透明基板貼附步驟是使用透明接著劑來實施。
依據請求項4記載的發明，可提供一種發光二極體晶片，該發光二極體晶片的特徵在於具備有：於正面形成有LED電路的發光二極體、將正面貼附在該發光二極體之背面的第1透明構件、及將正面貼附在該第1透明構件的背面的第2透明構件。 發明效果
由於本發明的發光二極體晶片是將第1透明構件的正面貼附在LED的背面，且將第2透明構件的正面貼附在第1透明構件的背面，所以會使光在第1及第2透明構件內複雜地折射而使被封閉在第1及第2透明構件內的光減少，且讓從第1及第2透明構件射出之光的量增大並使發光二極體晶片的亮度提升。
用以實施發明之形態 以下，參照圖式詳細地說明本發明的實施形態。參照圖1，所示為光元件晶圓(以下，有時會簡稱為晶圓)11的正面側立體圖。
光元件晶圓11是在藍寶石基板13上積層氮化鎵(GaN)等的晶膜層(epitaxial layer)(積層體層)15而構成的。光元件晶圓11具有積層有晶膜層15的正面11a、及露出了藍寶石基板13的背面11b。
在此，在本實施形態的光元件晶圓11中，雖然是採用藍寶石基板13作為結晶成長用基板，但是也可以採用GaN基板或SiC基板等來替代藍寶石基板13。
積層體層(晶膜層)15是藉由依序使電子成為多數載子(carrier)的n型半導體層(例如n型GaN層)、成為發光層的半導體層(例如InGaN層)、電洞成為多數載子的p型半導體層(例如p型GaN層)進行晶膜生長而形成。
藍寶石基板13具有例如100μm的厚度，且積層體層15具有例如5μm的厚度。於積層體層15上以形成為格子狀的複數條分割預定線17來區劃而形成有複數個LED電路19。晶圓11具有形成有LED電路19的正面11a、和露出了藍寶石基板13的背面11b。
依據本發明實施形態的發光二極體晶片的製造方法，首先會實施準備如圖1所示的光元件晶圓11的晶圓準備步驟。此外，還實施準備第1及第2透明基板的透明基板準備步驟。
實施透明基板準備步驟之後，實施第1透明基板貼附步驟，該第1透明基板貼附步驟是如圖2(A)所示，將第1透明基板21的正面21a貼附到晶圓11的背面11b。圖2(B)是第1一體化晶圓25的立體圖。
第1透明基板21是由透明樹脂、光學玻璃、藍寶石、透明陶瓷的任一種所形成。在本實施形態中，是由比光學玻璃更有耐久性之聚碳酸酯、丙烯酸樹脂等之透明樹脂來形成第1及第2透明基板。
已實施第1透明基板貼附步驟之後，如圖3(A)所示，將第2透明基板21A的正面21a貼附到第1一體化晶圓25的第1透明基板21的背面(第2透明基板貼附步驟)，以形成如圖3(B)所示的第2一體化晶圓25A。第2透明基板21A的材質也是與上述之第1透明基板21的材質同樣。
取代上述之第1透明基板貼附步驟及第2透明基板貼附步驟，而設成：於將第2透明基板21A的正面貼附到第1透明基板21的背面來形成一體化後，再將晶圓11的背面11b貼附到第1透明基板21的正面21a亦可。
已實施第2透明基板貼附步驟後，實施支撐步驟，該支撐步驟是如圖4所示，將第2一體化晶圓25A的第2透明基板21A貼附到外周部已貼附於環狀框架F上之切割膠帶T來形成框架單元，並透過切割膠帶T以環狀框架F支撐第2一體化晶圓25A。
已實施支撐步驟之後，實施分割步驟，該分割步驟是將框架單元投入切削裝置，並且利用切削裝置來將第2一體化晶圓25A切削以分割成一個個的發光二極體晶片。參照圖5來說明此分割步驟。
此分割步驟是使用例如已廣為周知的切削裝置來實施。如圖5所示，切削裝置的切削單元10包含有主軸殼體12、可旋轉地插入主軸殼體12中的圖未示的主軸、和裝設在主軸的前端的切削刀14。
切削刀14的切割刃是以例如用鍍鎳方式來將鑽石磨粒固定而成的電鑄磨石所形成，且其前端形狀是做成三角形、四角形、或半圓形。
切削刀14的大致上半部分是被刀片罩(blade cover)(輪罩(wheel cover))16所覆蓋，在刀片罩16上配設有於切削刀14的裏側及近前側水平地伸長的一對(圖中僅顯示1支)冷卻噴嘴18。
在分割步驟中，是隔著框架單元的切割膠帶T而在切削裝置的工作夾台20上吸引保持第2一體化晶圓25A，且環狀框架F是以圖未示的夾具夾持來固定。
然後，使切削刀14一邊朝箭頭R方向高速旋轉一邊切入晶圓11的分割預定線17直到切削刀14的前端到達切割膠帶T為止，並且一邊從冷卻噴嘴18朝向切削刀14及晶圓11的加工點供給切削液一邊將第2一體化晶圓25A朝箭頭X1方向加工進給，藉此形成沿著晶圓11的分割預定線17切斷晶圓11以及第1及第2透明基板21、21A的切斷溝27。
將切削單元10在Y軸方向上分度進給，並且沿著朝第1方向伸長的分割預定線17逐次地形成同樣的切斷溝27。其次，將工作夾台20旋轉90°之後，沿著於與第1方向正交的第2方向上伸長之全部的分割預定線17形成同樣的切斷溝27，以形成圖6所示之狀態，藉此將第2一體化晶圓25A分割成如圖7所示的發光二極體晶片31。
在上述之實施形態中，雖然在將第2一體化晶圓25A分割成一個個的發光二極體晶片31上是使用切削裝置，但是也可以設成：將對晶圓11及透明基板21、21A具有穿透性之波長的雷射光束沿著分割預定線13朝晶圓11照射，並且在晶圓11以及第1透明基板21及第2透明基板21A的內部於厚度方向上形成複數層的改質層，接著，對第2一體化晶圓25A賦與外力，來以改質層為分割起點將第2一體化晶圓25A分割成一個個的發光二極體晶片31。
圖7所示的發光二極體晶片31是在正面具有LED電路19之LED13A的背面貼附有第1透明構件21'。此外，在第1透明構件21'的背面貼附有第2透明構件21A'。
從而，在圖7所示之發光二極體晶片31上，除了第1及第2透明構件21'、21A'的表面積增大之外，也使光在第1及第2透明構件內21'、21A'複雜地折射，以使被封閉在透明構件內之光減少，而使從透明構件21'、21A'射出之光的量增大，並使發光二極體晶片31的亮度提升。
10‧‧‧切削單元
11‧‧‧光元件晶圓(晶圓)
11a、21a‧‧‧正面
11b‧‧‧背面
12‧‧‧主軸殼體
13‧‧‧藍寶石基板
13A‧‧‧LED
14‧‧‧切削刀
15‧‧‧積層體層
16‧‧‧刀片罩
17‧‧‧分割預定線
18‧‧‧冷卻噴嘴
19‧‧‧LED電路
20‧‧‧工作夾台
21‧‧‧第1透明基板
21A‧‧‧第2透明基板
21'‧‧‧第1透明構件
21A'‧‧‧第2透明構件
25‧‧‧第1一體化晶圓
25A‧‧‧第2一體化晶圓
27‧‧‧切斷溝
31‧‧‧發光二極體晶片
R、X1‧‧‧箭頭
T‧‧‧切割膠帶
F‧‧‧環狀框架
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是光元件晶圓的正面側立體圖。 圖2(A)是顯示將第1透明基板的正面貼附到晶圓的背面而進行一體化之第1透明基板貼附步驟的立體圖，圖2(B)是第1一體化晶圓的立體圖。 圖3(A)是顯示將第2透明基板的正面貼附到第1一體化晶圓之第1透明基板的背面而進行一體化之第2透明基板貼附步驟的立體圖，圖3(B)是第2一體化晶圓的立體圖。 圖4是顯示透過切割膠帶而以環狀框架支撐第2一體化晶圓的支撐步驟的立體圖。 圖5是顯示將第2一體化晶圓分割成發光二極體晶片的分割步驟的立體圖。 圖6是分割步驟結束後之第2一體化晶圓的立體圖。 圖7是本發明實施形態之發光二極體晶片的立體圖。
Claims (4)
- 一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有： 晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層； 第1透明基板貼附步驟，將第1透明基板的正面貼附到晶圓的背面以形成第1一體化晶圓； 第2透明基板貼附步驟，已實施該第1透明基板貼附步驟之後，將第2透明基板的正面貼附到該第1透明基板的背面以形成第2一體化晶圓；及 分割步驟，沿著該分割預定線將該晶圓和該第1及第2透明基板一起切斷，以將該第2一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
- 如請求項1之發光二極體晶片的製造方法，其中，取代該第1透明基板貼附步驟及該第2透明基板貼附步驟，是於將該第2透明基板的正面貼附到該第1透明基板的背面後，再將晶圓的背面貼附到該第1透明基板的正面。
- 如請求項1之發光二極體晶片的製造方法，其中，該第1及第2透明基板是以透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石、透明樹脂的任一種所形成，並且該第1及該第2透明基板貼附步驟是使用透明接著劑來實施。
- 一種發光二極體晶片，其特徵在於具備有： 於正面形成有LED電路的發光二極體、將正面貼附在該發光二極體之背面的第1透明構件、及將正面貼附在該第1透明構件的背面的第2透明構件。
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