TW201824957A - 高亮度光線的產生方法 - Google Patents

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Abstract

一種高亮度光線的產生方法，包括將氣態材料引入標靶材料。上述方法更包括將標靶材料供應至燃料標靶產生器中。上述方法亦包括藉由推進具有氣態材料的標靶材料離開燃料標靶產生器而產生標靶。另外，上述方法包括將標靶中的氣態材料擴展以轉換標靶為標靶霧。上述方法亦包括將主要脈衝雷射聚焦於標靶霧上以產生放射高亮度光線的電漿。

Description

高亮度光線的產生方法
本發明實施例係有關於一種光線的產生方法，且特別是關於一種高亮度光線的產生方法。
半導體積體電路(IC)產業呈指數成長，在積體電路材料以及設計上的技術進步下產生了多個世代的積體電路，且其中每一世代較前一世代具有更小更複雜的電路。在積體電路發展的過程中，當幾何尺寸(也就是製程中所能產出的最小元件或者線路)縮小時，功能密度(也就是每一晶片區域所具有的互連裝置的數目)通常會增加。一般而言，此種尺寸縮小的製程可增加生產效率以及降低相關成本。此種尺寸縮小的製程也會增加製造與生產積體電路的複雜度。
舉例來說，對於使用較高解析度的微影製程的需求成長。一種微影技術係稱為極紫外光微影技術(extreme ultraviolet lithography,EUVL)，此種技術利用了使用波長範圍約在1-100奈米的極紫外光的掃描器。一些極紫外光掃描器提供了四倍縮小投影印刷(reduction projection printing)，係類似於一些光學掃描器，差異僅在於極紫外光掃描器使用了反射式而非折射式光學系統，也就是使用了反射鏡而非透鏡。
一種極紫外光光源稱為雷射產生電漿 (laser-produced plasma,LPP)。雷射產生電漿技術係藉由將一高功率雷射光束聚焦在微小的燃料液滴標靶(fuel droplet targets)上形成高度離子化電漿來產生極紫外光，前述高度離子化電漿會在波長為13.5奈米時發出具有最大發射量之峰值的極紫外光射線。此種極紫外光接著被收集器所收集，並藉由光學系統反射至要進行微影製程的標的物，例如晶圓。
雖然現有之產生極紫外光的方法及裝置已經可足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，仍需要一種從輸入能量增加能源轉換效率予離子化的解決方案。
本發明實施例包括一種高亮度光線的產生方法。前述方法包括將氣態材料引入標靶材料中；將標靶材料供應至燃料標靶產生器中；藉由推進具有氣態材料的標靶材料離開燃料標靶產生器而產生標靶；擴展標靶中的氣態材料以轉換標靶為標靶霧；以及將主要脈衝雷射聚焦於標靶霧上以產生放射高亮度光線的電漿。
本發明實施例亦包括一種高亮度光線的產生方法。前述方法包括通過燃料標靶產生器投遞標靶；將標靶擴展為標靶霧，其中標靶包括氣態材料；以及將主要脈衝雷射聚焦於標靶霧上以產生放射高亮度光線的電漿。
本發明實施例又包括一種高亮度光源。前述高亮度光源包括一燃料標靶產生器，配置來產生包含氣態材料的複數個標靶；一預脈衝雷射；一主要脈衝雷射，其相較於預脈衝雷射具有更高的能量；以及一控制器，配置來射擊預脈衝雷射 和主要脈衝雷射以依序擊中標靶。
5‧‧‧氣態材料
10‧‧‧微影系統
12、12a、12b、12c、12d‧‧‧高亮度光源
13‧‧‧控制器
14‧‧‧照明器
16‧‧‧光罩平台
18‧‧‧光罩
20‧‧‧投影光學模組(投影光學盒)
22‧‧‧半導體晶圓
24‧‧‧基板平台
26‧‧‧氣體供應模組
30、30a‧‧‧燃料標靶產生器
31‧‧‧貯存器
32‧‧‧蓋體
33‧‧‧管體
34‧‧‧噴嘴
35‧‧‧過濾器
36‧‧‧壓電致動器
37‧‧‧充電電路
38‧‧‧入口
39‧‧‧混合元件
40‧‧‧第一雷射源
42‧‧‧預脈衝雷射
44‧‧‧窗口
46‧‧‧雷射產生電漿收集器(收集器)
50‧‧‧第二雷射源
52‧‧‧主要脈衝雷射
54‧‧‧窗口
60‧‧‧熱量裝置
62‧‧‧熱流
65‧‧‧離子物種噴射器
67‧‧‧帶電離子物種之束(電子束)
70‧‧‧離子束產生器(離子束注入器)
71‧‧‧離子源
72‧‧‧高電壓電源供應器
73‧‧‧離子束
74‧‧‧質量分析器
75‧‧‧離子束
80‧‧‧標靶材料
81‧‧‧激發區
82‧‧‧標靶
83‧‧‧標靶霧
84‧‧‧電漿
85‧‧‧標靶霧
90、90c‧‧‧儲存槽
92、92c‧‧‧管路
93c‧‧‧入口
94c‧‧‧混合元件
100‧‧‧方法
110、120、130、140、150、160‧‧‧操作
141、142、143、144、145、146、147、148‧‧‧圖
200‧‧‧方法
210、220、230、240、250、260、270‧‧‧操作
311‧‧‧側壁
312‧‧‧底部壁面
321‧‧‧氣體入口
322‧‧‧抽取氣體
323‧‧‧氣體排出口
324‧‧‧氣體
371‧‧‧電極
372‧‧‧電源供應器
D‧‧‧軌跡方向
S‧‧‧物質
第1圖係表示根據一些實施例具有高亮度光源之微影系統的示意圖。
第2圖係表示根據一些實施例，第1圖之微影系統中的高亮度光源的示意圖。
第3圖係表示根據一些實施例，連接至離子束注入器之燃料標靶產生器的剖視圖，前述離子束注入器用以將離子注入容納在燃料標靶產生器中的標靶材料中。
第4圖係表示根據一些實施例之燃料標靶產生器的剖視圖。
第5圖係表示根據一些實施例，用於微影製程之方法的流程圖。
第6圖係表示根據一些實施例，藉由連續地照射預脈衝雷射和主要脈衝雷射在包含氣體的標靶上而產生高亮度光線的方法之多個階段的示意圖。
第7圖係表示根據一些實施例，藉由連續地照射預脈衝雷射、熱流和主要脈衝雷射在包含氣體的標靶上而產生高亮度光線之方法的多個階段示意圖。
第8圖係表示根據一些實施例，連接至儲存槽之燃料標靶產生器的剖視圖。
第9圖係表示根據一些實施例，連接至儲存槽之燃料標靶產生器的剖視圖。
第10圖係表示根據一些實施例，用於微影製程之方法的流程圖。
第11圖係表示根據一些實施例，一高亮度光源的示意圖。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
再者，為了方便描述圖式中一元件或特徵部件與另一(複數)元件或(複數)特徵的關係，可使用空間相關用語，例如「下面」、「下方」、「之下」、「上方」、「之上」及類似的用語等。除了圖式所繪示的方位之外，空間相關用語涵蓋裝置在使用或操作中的不同方位。所述裝置也可被另外定位(旋轉90度或在其他方位上)，並對應地解讀所使用的空間相關用語的描述。可以理解的是，在所述方法之前、期間及之後，可提供額外的操作步驟，且在某些方法實施例中，所述的某些操作步驟可被替代或省略。
當前揭露內容中所描述的先進微影製程、方法、和材料可被使用於包括鰭式場效電晶體(fin-type field effect transistors,FinFETs)的各種應用中。舉例而言，鰭結構可以被圖案化以在結構之間產生相對較小的間隔，而所述揭露內容係適合應用於此。再者，所述揭露內容可以應用在用來形成鰭式場效電晶體之鰭結構的間隙壁(spacers)的製程。
第1圖係表示根據一些實施例之微影系統10的示意圖。一般而言，微影系統10也可為可執行微影曝光製程的一掃描器，且此微影曝光製程具有個別的放射源以及曝光模式。
根據一些實施例，微影系統10包括一高亮度光源12、一照明器14、一光罩平台16、一光罩18、一投影光學模組(或投影光學盒(projection optics box,POB))20、以及一基板平台24。微影系統10的元件可被添加或省略，本發明實施例不被所述實施例所限制。
高亮度光源12是配置來產生波長範圍約在1奈米與100奈米之間的放射線(radians)。在一個特定的例子中，高亮度光源12產生一波長集中在約13.5奈米的極紫外光光線。相應地，高亮度光源12也稱為極紫外光光源。然而，應當理解的是，高亮度光源12並不限定於發出極紫外光光線。高亮度光源12可以被利用來從激發靶材施行任何高強度光子的放射(high-intensity photon emission)。
在各種實施例中，照明器14包含各種折射式光學元件，例如單一透鏡或具有多重透鏡(波域片)的透鏡系統，或可替代地為包含各種反射式光學元件(符合極紫外光微影系統 使用)，例如單一反射鏡或具有多重反射鏡的反射鏡系統，藉以將光線由高亮度光源12導向一光罩平台16上，特別是導向一固定於光罩平台16上的光罩18。於本實施例中，反射式光學系統被使用於高亮度光源12產生極紫外光波長範圍中之光線的位置。
光罩平台16是配置來固定光罩18。在一些實施例中，光罩平台16包含了一靜電吸盤(e-chuck)來固定光罩18。這是因為氣體分子吸收了極紫外光光線，且用於極紫外光微影圖案化(EUV lithography patterning)的微影系統係維持在一個真空的環境下以避免極紫外光的強度損失。於本發明實施例中，光罩、光掩模、以及光盤等用語可互換使用。
於本實施例中，光罩18為一反射式光罩。光罩18的一種示範性結構包含具有合適材料的一基板，前述合適材料例如一低熱膨脹材料(low thermal expansion material,LTEM)或熔凝石英(fused quartz)。在各種例子中，低熱膨脹材料包含摻雜有二氧化矽的二氧化鈦，或者其他低熱膨脹的合適材料。光罩18包含有多個沉積在基板上的反射多層(reflective multiple layers(ML))。此種多層包含複數薄膜對，如鉬-矽薄膜對(例如是每一個薄膜對中具有一鉬層在一矽層的上面或下面)。另外，此種多層可包含鉬-鈹薄膜對，或者是其餘可配置來高度反射極紫外光的合適材料。
光罩18更可包含一用以保護之覆蓋層，如釕(Ru)，其係設置在前述多層上。光罩18更包含一吸收層，如氮化鉭硼(tantalum boron nitride,TaBN)層，其係沉積在前述多層上。吸 收層係被圖案化以定義出一積體電路之層。或者，另一反射層可沉積在前述多層上，並被圖案化以定義出一積體電路之層，從而形成一極紫外光相位偏移遮罩(EUV phase shift mask)。
投影光學模組(或投影光學盒)20是配置來將光罩18的圖案映像(imaging)至一半導體晶圓22上，其中前述半導體晶圓22係固定於微影系統10的基板平台24上。在一些實施例中，投影光學盒20具有折射式光學系統(例如給紫外線微影系統使用的)、或者替代地在各種實施例中具有反射式光學系統(例如給極紫外光微影系統使用的)。從光罩18導引來的光線被投影光學盒20所收集，且前述光線帶有定義在光罩上之圖案的映像(image)。照明器14與投影光學盒20兩者合稱為微影系統10的光學模組。
於本實施例中，半導體晶圓22可由矽或其他半導體材料製成。可選的或附加的，半導體晶圓22可包含其他元素半導體材料，例如鍺。在一些實施例中，半導體晶圓22由複合半導體製成，例如碳化矽(silicon carbide,SiC)、砷化鉀(gallium arsenic,GaAs)、砷化銦(indium arsenide,InAs)、或磷化銦(indium phosphide,InP)。在一些實施例中，半導體晶圓22由合金半導體製成，例如矽鍺(silicon germanium,SiGe)、矽鍺碳(silicon germanium carbide,SiGeC)、砷磷化鎵(gallium arsenic phosphide,GaAsP)、或磷化銦鎵(gallium indium phosphide,GaInP)。在一些實施例中，半導體晶圓22可為絕緣層上覆矽(silicon-on-insulator,SOI)或絕緣層上覆鍺(germanium-on-insulator,GOI)基板。
此外，半導體晶圓22可具有各種裝置元件。所述裝置元件舉例來說是形成於半導體晶圓22中，包括電晶體(例如金屬氧化物半導體場校電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistors,MOSFET)、互補式金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)電晶體、雙極性接面型電晶體(bipolar junction transistors,BJT)、高壓電晶體(high voltage transistors)、高頻電晶體(high-frequency transistors)、P通道及/或N通道場效電晶體(p-channel and/or n-channel field-effect transistors,PFETs/NFETs)等)、二極體、及/或其他合適的元件。可執行各種製程來形成裝置元件，例如沉積、蝕刻、植入、光刻、退火、及/或其他合適的製程。
在一些實施例中，半導體晶圓22上塗有感光於本實施例的極紫外光光線之一光阻層。包含前述元件的各種元件係被整合在一起且可操作來執行微影曝光製程。
微影系統10可進一步包含其他模組、或者是整合於(或耦合於)其他模組。於本實施例中，微影系統10包含一氣體供應模組26，其係設計來提供氫氣給高亮度光源12。氫氣可幫助降低在高亮度光源12的汙染。
第2圖係表示根據一些實施例之高亮度光源12的示意圖。高亮度光源12使用了一雙脈衝雷射產生電漿(laser produced plasma,LPP)機構來生成電漿，且進一步地由電漿生成極紫外光光線。
在一些實施例中，高亮度光源12包括一控制器13、一燃料標靶產生器30、一第一雷射源40、一第二雷射源50、 以及一雷射產生電漿收集器46。高亮度光源12的前述元件可被置於真空中。應當理解的是，高亮度光源12的元件可增加或省略，本發明實施例不被所述實施例所限制。
燃料標靶產生器30配置來產生複數個標靶82。於一實施例中，標靶82為摻錫液滴(tin(Sn)droplets)。於一實施例中，每一標靶82的直徑大約為30微米。於一實施例中，標靶82係以50kHz的頻率產生，且以每秒70公尺的速度引進到高亮度光源12內的一激發區81。其他材料亦可用於標靶82，舉例而言，含錫的液體材料如包含錫、鋰以及氙的共熔合金(eutectic alloy)。標靶82可為固相或液相。
第一雷射源40是配置來產生預脈衝雷射42。第二雷射源40是配置來產生主要脈衝雷射52。在本實施例中，預脈衝雷射42相較於主要脈衝雷射52具有較低強度且較小的光點大小。預脈衝雷射42係用來加熱(或預熱)標靶82，以產生一低密度的標靶霧，此低密度的標靶霧接著再被主要脈衝雷射52照射，產生更多的極紫外光光線放射。
於一實施例中，第一雷射源40為一二氧化碳雷射源。於另一實施例中，第一雷射源40為一摻釹的釔鋁石榴石(neodymium-doped yttrium aluminum garnet(Nd：YAG))雷射源。於一實施例中，第二雷射源50為一二氧化碳雷射源。
在各種實施例中，預脈衝雷射42具有約為100微米或小於100微米的光點尺寸，且主要脈衝雷射52具有約為200至300微米的光點尺寸，例如225微米。預脈衝雷射42和主要脈衝雷射52被生成為具有一定的驅動功率以滿足晶圓的批量生產 (volume production)，例如每小時125片晶圓的生產量。
舉例而言，預脈衝雷射42配備了約2千瓦的驅動功率，且主要脈衝雷射52配備了約19千瓦的驅動功率。於各種實施例中，預脈衝雷射42與主要脈衝雷射52的總驅動功率至少為20千瓦，例如為27千瓦。然而，應當理解的是，許多變動和修改可以在本揭露的實施例中進行。
預脈衝雷射42和主要脈衝雷射52被分別地導向穿過窗口(或透鏡)44和54後進入激發區81。窗口44和54採用了可讓個別雷射光束穿透的合適材質。由燃料標靶產生器30提供之標靶82的激發方法於後描述。
於一實施例中，一液滴捉捕器(未圖示)相對於燃料標靶產生器30被安裝。液滴捉捕器被用於捉捕過多的標靶82。舉例而言，預脈衝雷射42和主要脈衝雷射52可能刻意地未擊中一些標靶82。
在一些實施例中，高亮度光源12亦包括一熱量裝置60來在標靶82上產生一熱流(thermal current)62。如第2圖所示，熱量裝置60在標靶82的軌跡方向D上位於預脈衝雷射42和主要脈衝雷射52之間。換言之，熱量裝置60是配置於預脈衝雷射42的下游。熱量裝置60可為一紅外線加熱管(IR heating tube)。
控制器13是配置來控制一或多個高亮度光源12的元件。在一些實施例中，控制器13是配置來驅動燃料標靶產生器30產生標靶82。另外，控制器13是配置來驅動第一雷射源40和第二雷射源50射出預脈衝雷射42和主要脈衝雷射52。在一些 實施例中，預脈衝雷射42和主要脈衝雷射52被控制器13控制為與標靶82的產生相關聯，以使預脈衝雷射42和主要脈衝雷射52依序擊中各個標靶82。
第3圖係表示根據一些實施例，連接至一離子束產生器70之燃料標靶產生器30的示意圖。在一些實施例中，燃料標靶產生器30包括一貯存器31、一蓋體32、一中空管體33、一噴嘴34、一過濾器35、一壓電致動器36、以及一充電電路37。燃料標靶產生器30的元件可增加或省略，本發明實施例不被所述實施例所限制。
貯存器31是配置來保存標靶材料80。貯存器31可包括一側壁311和一底部壁面312。側壁311圍繞底部壁面312的外側邊緣，並延伸遠離前述底部壁面312。
蓋體32連接至側壁311的頂端。蓋體32為可從貯存器31拆卸的。於一些實施例中，一氣體入口321和一氣體排出口323形成於蓋體32上。氣體入口321連接至一氣體管線來將抽取氣體322引入貯存器31中，例如氬氣。氣體排出口323連接至一氣體管線和一幫浦(未圖示)，以抽出貯存器31中的氣體324。
藉由連接至氣體入口321和氣體排出口323之氣體管線中的氣流，貯存器31中的壓力可以被操控。舉例來說，當氣體322被連續地經由氣體入口321提供至貯存器31，且當氣體排出口323被封閉且不排出氣體時，貯存器31中的壓力增加。所以，貯存器31中的標靶材料80可被逼出貯存器31。
中空管體33和噴嘴34定義出一流孔(orifice)，使標靶材料80流出以形成標靶材料80之標靶82。標靶82的輸出可藉 由致動器控制，例如壓電致動器36。過濾器35可被設置在標靶材料80之流動路徑中(例如管體33)以移除雜質，例如從標靶材料80移除非標靶粒子。
充電電路37是配置來將離子填充至燃料標靶產生器30中。充電電路37可包括位於貯存器31之底部壁面的一電極371。電極371連接至地面或連接至一電源供應器372。
然而，應當理解的是，許多變動和修改可以在本揭露的實施例中進行。在一些其他的實施例中，電極371被省略，貯存器31的底部壁面312及/或側壁311是由導電材料製成且電性連接至地面或連接至電源供應器372。
在一些實施例中，如第3圖所示，高亮度光源12亦包括一離子束產生器70。離子束產生器70是配置來將離子注入容納於貯存器31中的標靶材料80，以在標靶材料80中產生氣態材料5。
在一些實施例中，離子束產生器70包括一離子源71、一高電壓電源供應器72、以及一質量分析器74。離子源71耦合至高電壓電源供應器72以離子化摻雜(dopant)元件(例如摻雜氣體元件)，從而形成一離子束73。質量分析器74位於離子源71的下游來分析離子束73中的離子。
如此一來，包括具有合適電荷質量比(charge-to-mass ratio)之離子的離子束75可被允許通過質量分析器74的解析孔(resolving aperture)，且接著被注入容納於貯存器31中的標靶材料80。在一些實施例中，注入標靶材料80的離子與從充電電路37來的離子相互作用，以在標靶材料80中產 生氣態材料5。
應注意的是，用於提供氣態材料5至標靶材料80之元件的配置並不限定於前述實施例，且可以依據預計用途或設計參數變更。一些示例性的實施例將提供如下。
第4圖係表示根據一些實施例之一燃料標靶產生器30a的剖視圖。在第4圖的實施例中，元件相似於第3圖之實施例的元件會以相同的參考符號提出，且為了簡潔起見，其特徵不再重述。
燃料標靶產生器30a和燃料標靶產生器30的差異包括燃料標靶產生器30a更包括一入口38和一混合元件39。入口38是配置來讓物質S可投遞至貯存器31的內部。入口38可連接至貯存器31的側壁311。或者，入口38可連接至與氣體入口321連接的蓋體32。
在一些實施例中，入口38連接至一氣體管線。從氣體管線供給的物質S包括氣體。從入口38供給的氣體不同於從氣體入口321來的抽取氣體322。從入口38來的氣體的一個例子為可包括一氣體元素，例如氦、氖、氬或其組合。或者，從入口38來的氣體可以包括氣體分子，例如氮。或者，從入口38來的氣體可以包括氣體化合物，例如甲錫烷(stannane,SnH4)和六氟化氙(Xenon hexafluoride,XeF6)。
在一些其他的實施例中，入口38連接至供給固相或液相物質S的一管體。從入口38供給之固相或液相物質S可包括六氟化氙或四氟化氙(Xenon tetrafluoride,XeF4)。在一些實施例中，入口38被省略。固相或液相的物質S經由貯存器31的 上方開口被引入燃料標靶產生器30a。
在一些實施例中，燃料標靶產生器30a亦包括混合元件39來促進物質S及標靶元件80的混合，以引入氣態材料5作為標靶材料80。混合元件39可包括設置於貯存器31中的一轉子葉片。然而，應當理解的是，許多變動和修改可以在本揭露的實施例中進行。
第5圖係表示根據一些實施例，用於極紫外光微影製程之方法100的流程圖。為了說明，流程圖會伴隨著第1圖至第4圖的圖式來敘述，前述第1圖至第4圖的圖式表示了微影系統10的示意圖。在不同的實施例中，一些所述的步驟可以被替換或去除。
方法100由操作110開始，其中一極紫外光光罩被裝載至可操作來執行一極紫外光微影曝光製程的微影系統10，其中前述極紫外光光罩例如光罩18。光罩18可包括要轉移至一半導體基板上之一積體電路圖案(IC pattern)，前述半導體基板例如為半導體晶圓22。操作110可更包括各種步驟，例如將光罩18固定在光罩平台16上以及執行對準。
方法100由操作120繼續，其中半導體晶圓22被裝載至微影系統10。半導體晶圓22塗布有一光阻層(resist layer)。在本實施例中，光阻層感光於由微影系統10的高亮度光源12來的極紫外光射線。
方法100由操作130繼續，其中標靶82藉由推進具有氣態材料5的標靶材料80離開燃料標靶產生器30或燃料標靶產生器30a中而產生。在一些實施例中，第3圖所示的燃料標靶 產生器30或第4圖所示的燃料標靶產生器30a被配置來產生標靶82。燃料標靶產生器30或燃料標靶產生器30a被控制來產生具有合適材料、合適尺寸、合適比例、以及合適移動速度和方向的標靶82。
在一些實施例中，由燃料標靶產生器30或燃料標靶產生器30a產生的標靶82包含氣態材料5，以優化能量轉換效率。用於準備包含氣體的標靶82之製程的操作131和132將描述如下，根據一些實施例，將描述如下。
在操作131中，標靶材料800被供給至燃料標靶產生器30或燃料標靶產生器30a中。標靶材料80可由一儲存槽(未圖示)供給。標靶材料80可包括錫或含錫的液體材料，例如含有錫、鋰和氙的共晶合金(eutectic alloy)。
在操作132中，氣態材料5被引入燃料標靶產生器30或燃料標靶產生器30a中的標靶材料80中。
在一些實施例中，氣態材料5藉由離子束注入器70的使用而被引入容納於燃料標靶產生器30中的標靶材料80中。離子束注入器70產生具有摻雜氣體物質之離子的離子束75，並將離子束75投射至容納於燃料標靶產生器30中的標靶材料80。然後，摻雜氣體物質的離子與從充電電路37來的相反離子相互作用以轉變為氣態材料5。摻雜氣體物質的離子可包括一氣體元素的離子，前述氣體元素例如氦、氬或氖。或者，摻雜氣體物質的離子可包括氣體分子，例如氮、惰性氣體，前述惰性氣體例如氦、氬、氖、或其化合物。
在一些實施例中，氣態材料5藉由混合元件39的使 用而被引入容納於燃料標靶產生器30a中的標靶材料80中。氣體及/或可被轉換為氣體的物質S經由入口38被引入燃料標靶產生器30a。然後，混合元件39在燃料標靶產生器30a中將氣體及/或物質混合進標靶材料80以形成氣態材料5。引入的氣體可包括惰性氣體，例如氦、氬、氖、氙或其組合。或者，引入的氣體可包括一氣體分子，例如氮或氫。或者，引入的氣體可包括一氣體化合物，例如甲錫烷。
在一些實施例中，被混入標靶材料80中的氣體因為高溫而被分解。在這個實施例中，氣態材料5可包括分解的氣相產物。舉例而言，甲錫烷在熔融金屬中被分解以產生氫(亦即氣相產物)及錫。因此，在甲錫烷於高溫(例如攝氏250度)被混入標靶材料80後，甲錫烷會在標靶材料80中被分解，且標靶材料80中的氣態材料5包括氫和甲錫烷，如果甲錫烷未完全消耗的話。
在一些實施例中，配置來壓迫標靶材料80以形成標靶霧的抽取氣體322同樣被混入標靶材料80中。如此一來，氣態材料5包含抽取氣體322。在一些實施例中，沒有氣體是經由入口38供給至貯存器。氣態材料5是由抽取氣體322構成。
方法100由操作140繼續，其中標靶82中的氣態材料5被擴展。在一些實施例中，第一雷射源40被用來產生預脈衝雷射42以在主要脈衝雷射52照射鏢靶82之前擴展標靶82中的氣態材料5。
具體而言，如第6圖的圖141所示，在被預脈衝雷射42照射之前，標靶82具有一圓形形狀。然後，當標靶82被預 脈衝雷射42照射時，預脈衝雷射42之部分會轉變為動能以將標靶82轉換為鬆餅形狀的標靶霧83，如第6圖的圖142所示。同時，預脈衝雷射42之部分會轉變為熱能並造成標靶82中之氣態材料5的延伸。因此，相較於標靶82，標靶霧83具有較低的密度。
在一些實施例中，第一雷射源40是配置來產生與標靶82同步的預脈衝雷射42。然而，預脈衝雷射42在時間上可以被控制為延遲或提前，因此它們可以在不同的激發位置加熱分別的標靶82。
方法100由操作150繼續，其中主要脈衝雷射52聚焦於標靶霧83上以產生極紫外光射線。在一些實施例中，第二雷射源50被用來產生主要脈衝雷射52以激發標靶82中的標靶材料80。具體而言，主要脈衝雷射52加熱標靶82中的標靶材料80至一臨界溫度。在前述臨界溫度，標靶82中的標靶材料80放出其電子並成為具有離子的電漿84。
應注意的是，由於標靶霧83相較於使用於習知方法的標靶霧(亦即沒有在其內部擴展的氣態材料)具有較低的密度，故標靶霧83中的大多數標靶材料80會被主要脈衝雷射52照射。
如此一來，如第6圖中的圖143所示，即便是位於標靶霧83的後側(亦即主要脈衝雷射52投射之側的相反側)的標靶材料80，也可被主要脈衝雷射52充分地照射。因此，如圖144所示，標靶霧83中幾乎所有的材料都被激發為電漿84並發出極紫外光光線。
另外，由於標靶霧83中幾乎所有的材料都被激發為電漿84，收集器46的汙染可避免或減輕，因為在收集器46上未轉換成電漿之標靶霧83材料的沉積減少。
方法100由操作160繼續，其中微影曝光製程施行在位於微影系統10中的半導體晶圓22上。於操作160中，藉由高亮度光源12或高亮度光源12a產生的極紫外光射線照射在光罩18上(藉由照明器14)，且更投射於塗佈在半導體晶圓22上之光阻層上(藉由投影光學盒20)，從而在光阻層上形成一潛像(latent image)。在一些實施例中，微影曝光製程以掃描模式(scan mode)實施。
在一些實施例中，藉由在標靶霧被激發之前投射熱流於其上，標靶霧83的擴展將更被熱力地引起。舉例而言，如第7圖中的圖145所示，熱流62投射於被預脈衝雷射42照射過的標靶霧83。熱流62使得標靶霧83中的氣態材料5更為擴展，並使標靶霧83變換為標靶霧85(圖146)。
由於標靶霧85相較於標靶霧83具有較低的密度，當主要脈衝雷射52照射標靶霧85時，標靶霧85中更多的標靶材料80被激發成電漿86(圖148)。因此，可達成更高的能量轉換效率，且可避免收集器46的污染。
方法100可更包括其他的作業以完成微影製程。舉例來說，方法100可包括顯影曝光的光阻層之作業，以形成具有複數個界定在其上之開口的光阻圖案。特別的是，在操作160中的微影曝光製程之後，半導體晶圓22被轉移至微影系統10外的顯影單元，以對光阻層執行顯影製程。方法100可更包括其 他作業，例如各種烘烤步驟。如在一個例子中，方法100包括在操作160和顯影製程之間之一曝光後烘烤(post-exposure baking,PEB)步驟。
方法100可更包括其他作業，例如通過光阻圖案的開口對半導體晶圓22實施加工製程的作業。在一個例子中，加工製程包括利用光阻圖案作為蝕刻光罩來對半導體晶圓22進行蝕刻製程。在另一例子中，加工製程包括利用光阻圖案作為佈植光罩來對半導體晶圓22進行佈植製程。
第8圖係表示根據一些實施例，一高亮度光源12b之部分元件的剖視圖。在第8圖所示的實施例中，元件相似於第1圖至第3圖之實施例的元件會以相同的參考符號提出，且為了簡潔起見，其特徵不再重述。
高亮度光源12b和高亮度光源12之差異包括高亮度光源12b將氣態材料5供給至在燃料標靶產生器30之外的標靶材料80中，以及嵌入氣態材料5的燃料標靶80接著被傳遞至燃料標靶產生器30。
在一些實施例中，高亮度光源12b包括一儲存槽90。儲存槽90是配置來容納標靶材料80。標靶材料80經由管路92被供給至燃料標靶產生器30。一幫浦或一閥門(未圖示於第8圖中)可連接至管路92以控制標靶材料80的流量。
離子束產生器70連接儲存槽90。離子束產生器70產生具有摻雜氣體物質之離子的離子束75，且投射前述離子束75至容納於儲存槽90中的標靶材料80中。儲存槽90可更包括相似於第3圖中之充電電路37的充電電路，以提供相反電荷的離 子。
第9圖係表示根據一些實施例，一高亮度光源12c之部分元件的剖視圖。在第9圖的實施例中，元件相似於第1圖至第3圖之實施例的元件會以相同的參考符號提出，且為了簡潔起見，其特徵不再重述。
高亮度光源12c和高亮度光源12之差異包括高亮度光源12c將氣態材料5供給至在燃料標靶產生器30之外的標靶材料80中，以及嵌入氣態材料5的燃料標靶80接著被傳遞至燃料標靶產生器30。
在一些實施例中，高亮度光源12c包括一儲存槽90c。儲存槽90c是配置來容納標靶材料80。標靶材料80經由管路92c被供給至燃料標靶產生器30。一幫浦或一閥門(未圖示於第9圖中)可連接至管路92c以控制標靶材料80的流量。
儲存槽90c也包括一入口90c和一混合元件94c。入口93c是配置來將氣體及/或可轉換為氣體的物質S傳遞至儲存槽90c。混合元件94c是配置來促進物質S和標靶材料80的混合。混合元件94c可包括設置於儲存槽90c中的一轉子葉片。
第10圖係表示根據一些實施例，用於極紫外光微影製程之方法200的流程圖。為了說明，流程圖會伴隨著第1圖至第1、2、9、10圖的圖式來敘述，前述第1、2、9、10圖的圖式表示了微影系統10的示意圖。在不同的實施例中，一些所述的操作可以被替換或去除。
方法200由操作210開始，其中一極紫外光光罩被裝載至可操作來執行一極紫外光微影曝光製程的微影系統 10，其中前述極紫外光光罩例如光罩18。光罩18可包括要轉移至一半導體基板上之一積體電路圖案，前述半導體基板例如為半導體晶圓22。操作210可更包括各種步驟，例如將光罩18固定在光罩平台16上以及執行對準。
方法200由操作220繼續，其中半導體晶圓22被裝載至微影系統10。半導體晶圓22塗布有一光阻層。在本實施例中，光阻層對於由微影系統10的高亮度光源12來的極紫外光射線感光。
方法200由操作230繼續，其中具有氣態材料5的標靶材料80被供給至燃料標靶產生器30。
在一些實施例中，具有氣態材料5的標靶材料80是由第8圖所示的儲存槽90供給。為了準備包含氣體的標靶材料80，離子束注入器70產生具有摻雜氣體物質之離子的離子束75至容納於儲存槽90的標靶材料80中。然後，摻雜氣體物質之離子與從充電電路37來的相反離子相互作用以轉換為氣態材料5。摻雜氣體物質之離子可包括氣體元素之離子，前述氣體元素例如氦、氬或氖。或者，摻雜氣體物質之離子可包括氣體分子，例如氮、惰性氣體，前述惰性氣體例如氦、氬、氖、或其化合物。
於一些實施例中，具有氣態材料5的標靶材料80是由第9圖所示的儲存槽90c供給。氣體及/或可轉換為氣體的物質S經由入口93c被引入儲存槽90c中。然後，混合元件94c在儲存槽90c中將氣體及/或物質混合進標靶材料80，以形成氣態材料5。引入的氣體可包括惰性氣體，例如氦、氬、氖、氙或其 組合。或者，引入的氣體可包括一氣體分子，例如氮或氫。或者，引入的氣體可包括一氣體化合物，例如甲錫烷。
方法200由操作240繼續，其中標靶82被產生。在一些實施例中，第8圖或第9圖所示之燃料標靶產生器30是配置來產生標靶82。燃料標靶產生器30可被控制來產生具有合適材料、合適尺寸、合適比例、以及合適移動速度和方向的標靶82。
方法200由操作250繼續，其中標靶82中的氣態材料5被擴展。在一些實施例中，第一雷射源40被用來產生預脈衝雷射42以在主要脈衝雷射52照射鏢靶82之前擴展標靶82中的氣態材料5。在一些實施例中，藉由在標靶被激發之前投射熱流於其上，標靶82的擴展將更被熱力地引起。
方法由操作260繼續，其中主要脈衝雷射52聚焦於標靶82上以產生極紫外光射線。在一些實施例中，第二雷射源50被用來產生主要脈衝雷射52以激發標靶82中的標靶材料80。第二雷射源50可與第一雷射源40同步。
方法200由操作260繼續，其中微影曝光製程施行在位於微影系統10中的半導體晶圓22上。於操作260中，藉由高亮度光源12b或高亮度光源12c產生的極紫外光射線照射在光罩18上(藉由照明器14)，且更投射於塗布在半導體晶圓22上之光阻層上(藉由投影光學盒20)，從而在光阻層上形成一潛像。在一些實施例中，微影曝光製程以掃描模式實施。
方法200可更包括其他的作業以完成微影製程。舉例來說，方法200可包括顯影曝光的光阻層之作業，以形成具有複數個界定在其上之開口的光阻圖案。特別的是，在操作260 中的微影曝光製程之後，半導體晶圓22被轉移至微影系統10外的顯影單元，以對光阻層執行顯影製程。方法200可更包括其他作業，例如各種烘烤步驟。如在一個例子中，方法200包括在操作260和顯影製程之間之一曝光後烘烤步驟。
方法200可更包括其他作業，例如通過光阻圖案的開口對半導體晶圓22實施加工製程的作業。在一個例子中，加工製程包括利用光阻圖案作為蝕刻光罩來對半導體晶圓22進行蝕刻製程。在另一例子中，加工製程包括利用光阻圖案作為佈植光罩來對半導體晶圓22進行佈植製程。
第11圖係表示根據一些實施例，一高亮度光源12d的示意圖。在第11圖的實施例中，元件相似於第2圖之實施例的元件會以相同的參考符號提出，且為了簡潔起見，其特徵不再重述。高亮度光源12d和高亮度光源12之差異包括高亮度光源12d更具有一離子物種噴射器65(ion species injector)。
離子物種噴射器65是配置來產生帶電離子物種之束67。在一些實施例中，離子物種噴射器65可包括一或多個電子槍，分別配置來產生電子束67。在一些實施例中，電子槍可操作以每秒約五萬或更多個電子的頻率產生電子。在其他實施例中，電子槍可操作以每秒少於五萬個電子的頻率產生電子。離子物種噴射器65將電子束67導向與從燃料標靶產生器30來的不帶電標靶82之相交位置。從電子束來的電子附著在不帶電的標靶82上以產生帶電的標靶82。
在一些實施例中，標靶82藉由電子束67加熱以產生用於光線放射之完全離子化的低密度標靶霧。電子束67可在 比預脈衝雷射42照射區域接近燃料標靶產生器30的區域投射至標靶82。然而，應當理解的是，許多變動和修改可以在本揭露的實施例中進行。電子束67可在比預脈衝雷射42照射區域離燃料標靶產生器30更遠的區域投射至標靶82。於一些實施例中，第一雷射源40被省略。
多個實施例提供一種高亮度光線的產生方法。藉由將氣態材料引入標靶以及在激發之前擴展包含氣體的標靶霧，標靶和射線之間的互動區域將增加。因此，光線放射轉換效率將提升，且由殘材導致之光線放射系統的汙染將減少。
根據一些實施例，提供一種高亮度產生光線的方法。前述方法包括將氣態材料引入標靶材料。前述方法更包括將標靶材料供應至燃料標靶產生器中。前述方法亦包括藉由推進具有氣態材料的標靶材料離開燃料標靶產生器而產生標靶。另外，前述方法包括將標靶中的氣態材料擴展以轉換標靶為標靶霧。前述方法亦包括將主要脈衝雷射聚焦於標靶霧上以產生放射高亮度光線的電漿。
根據一些實施例，提供一種高亮度光線的產生方法。前述方法包括通過燃料標靶產生器投遞標靶。前述方法更包括將標靶擴展為標靶霧。標靶包括氣態材料。前述方法亦包括將主要脈衝雷射聚焦於標靶霧上以產生放射高亮度光線的電漿。
根據一些實施例，提供一種高亮度光源。前述高亮度光源包括一燃料標靶產生器。燃料標靶產生器是配置來產生包含氣態材料的標靶。高亮度光源更包括一預脈衝雷射。高 亮度光源亦包括一主要脈衝雷射，其相較於預脈衝雷射具有更高的能量。另外，高亮度光源亦包括一控制器。控制器是配置來射擊預脈衝雷射和主要脈衝雷射以依序擊中標靶。
雖然本發明實施例的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明實施例之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本發明實施例之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本發明實施例揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本發明實施例使用。因此，本發明實施例之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本發明實施例之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

Claims (1)

  1. 一種高亮度光線的產生方法，包括：將一氣態材料引入一標靶材料中；將該標靶材料供給至一燃料標靶產生器中；藉由推進具有該氣態材料之該標靶材料離開該燃料標靶產生器而產生標靶；擴展該些標靶中的該氣態材料以轉換標靶為標靶霧；以及將一主要脈衝雷射聚焦於標靶霧上以產生放射高亮度光線的電漿。
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Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003513418A (ja) 1999-10-27 2003-04-08 ジェイ エム エー アール リサーチ、インク マイクロターゲットを用いた方法及びラジエーション生成システム
FR2823949A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
US7928416B2 (en) * 2006-12-22 2011-04-19 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8530871B2 (en) 2007-07-13 2013-09-10 Cymer, Llc Laser produced plasma EUV light source
JP5001055B2 (ja) * 2007-04-20 2012-08-15 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
JP5386799B2 (ja) * 2007-07-06 2014-01-15 株式会社ニコン Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、ｅｕｖ光放射方法、ｅｕｖ露光方法および電子デバイスの製造方法
JP2009099390A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Tokyo Institute Of Technology 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法
CN102119365B (zh) * 2008-08-14 2013-06-05 Asml荷兰有限公司 辐射源、光刻设备和器件制造方法
US8368039B2 (en) * 2010-04-05 2013-02-05 Cymer, Inc. EUV light source glint reduction system
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP5901210B2 (ja) * 2011-10-06 2016-04-06 浜松ホトニクス株式会社 放射線発生装置及び放射線発生方法
US8841047B2 (en) 2012-04-02 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8877409B2 (en) 2012-04-20 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective mask and method of making same
US8828625B2 (en) 2012-08-06 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same
US9715174B2 (en) 2012-11-30 2017-07-25 Asml Netherlands B.V. Droplet generator, EUV radiation source, lithographic apparatus, method for generating droplets and device manufacturing method
US9093530B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
CN103217869B (zh) * 2013-03-28 2015-04-15 华中科技大学 一种用于激光等离子体极紫外光源的液体锡靶发生器
US8796666B1 (en) 2013-04-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same
US9338870B2 (en) * 2013-12-30 2016-05-10 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
US9548303B2 (en) 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof
US9529268B2 (en) 2014-04-03 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for improving pattern transfer
US9256123B2 (en) 2014-04-23 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making an extreme ultraviolet pellicle
US9184054B1 (en) 2014-04-25 2015-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit patterning
US9363877B2 (en) 2014-08-07 2016-06-07 Asml Netherlands B.V. System and method to reduce oscillations in extreme ultraviolet light generation
US9625824B2 (en) * 2015-04-30 2017-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Extreme ultraviolet lithography collector contamination reduction
US9538628B1 (en) 2015-06-11 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for EUV power improvement with fuel droplet trajectory stabilization

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