TW201823874A - 以波長為基礎之光學濾光 - Google Patents

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Abstract

一種用於一極紫外線(EUV)光微影工具之光源包括：一光產生系統，其包括一光產生模組；一光學放大器，其包括與一增益頻帶相關聯之一增益介質，該增益介質經組態以放大具有在該增益頻帶中之一波長的光；及一以波長為基礎之光學濾光器系統，其在處於該光產生模組與該光學放大器之間的一光束路徑上，該以波長為基礎之光學濾光器系統包括至少一個光學元件，該至少一個光學元件經組態以允許具有在一第一波長集合中之一波長的光在該光束路徑上傳播且自該光束路徑移除具有在一第二波長集合中之一波長的光，該第一波長集合及該第二波長集合包括在該光學放大器之該增益頻帶中的不同波長。

Description

以波長為基礎之光學濾光
所揭示之主題係關於以波長為基礎之光學濾光。舉例而言，以波長為基礎之光學濾光器系統可包括於極紫外線(EUV)光源中以提供光產生模組與光學放大器之間的光學隔絕。該光學濾光器系統亦可提供光產生模組與電漿之間的隔絕，該電漿係由目標材料與經放大光之間的相互作用產生。
極紫外線(「EUV」)光(例如，具有大約50 nm或小於50 nm之波長且包括在約13 nm之波長下之光的電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線))可用於光微影製程中以產生基板(例如，矽晶圓)中之極小特徵。 用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之發射譜線而將具有一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大光束來輻照目標材料(例如，呈材料小滴、板、帶、串流或叢集之形式)而產生所需電漿。對於此製程，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡裝備來監視電漿。
在一個一般態樣中，一種用於一極紫外線(EUV)光微影工具之光源包括：一光產生系統，其包括一光產生模組；一光學放大器，其包括與一增益頻帶相關聯之一增益介質，該增益介質經組態以放大具有在該增益頻帶中之一波長的光；及一以波長為基礎之光學濾光器系統，其在處於該光產生模組與該光學放大器之間的一光束路徑上，該以波長為基礎之光學濾光器系統包括至少一個光學元件，該至少一個光學元件經組態以允許具有在一第一波長集合中之一波長的光在該光束路徑上傳播且自該光束路徑移除具有在一第二波長集合中之一波長的光，該第一波長集合及該第二波長集合包括在該光學放大器之該增益頻帶中的不同波長。 實施可包括以下特徵中之一或多者。該至少一個光學元件可包括一色散光學元件、一光學濾光元件及一干涉計中之一或多者。該色散光學元件可包括一稜鏡及一光柵中之一或多者。該至少一個光學濾光元件可包括以下各者中之一或多者：包括一多層塗層的一光學元件；及經組態以吸收具有在該第二波長集合中之一或多個波長的光的一光學元件。該干涉計可包括一標準具。該色散光學元件可包括一光柵，該光柵經定位以將具有在該第一波長集合中之一波長的光反射至該光束路徑上，且將具有在該第二波長集合中之一波長的光反射遠離該光束路徑。該以波長為基礎之光學濾光器系統亦可包括至少一個二向色光學元件。至少一個二向色光學元件可處於該光產生模組與該光柵之間。 在一些實施中，該以波長為基礎之光學濾光器系統之該至少一個光學元件可包括至少一個光學濾光元件，該光學濾光元件可經組態以反射或透射具有在該第一波長集合中之一波長的光，且該光學濾光元件可經組態以吸收具有在該第二波長集合中之一波長的光。該光學濾光元件可包括一銅基板及在該銅基板上之一塗層。該至少一個光學元件可包括光學濾光元件之一集合，該集合之該等光學濾光元件可經配置以界定該光學濾光器系統中之該光束路徑之一部分，且該集合之所有該等光學濾光元件可經組態以允許具有在該第一波長集合中之一波長的光在該光束路徑上傳播且自該光束路徑移除具有在該第二波長集合中之一波長的光。該至少一個光學元件可包括光學濾光元件之一第一集合及光學濾光元件之一第二集合，光學濾光元件之該第一集合可經配置以界定該光學濾光器系統中之一第一光束路徑，且光學濾光元件之該第二集合可經配置以界定該光學濾光器系統中之一第二光束路徑。該第一集合之該等光學濾光元件可經組態以允許具有在該第一波長集合中之一第一波長的光在該光學濾光器系統中之該第一光束路徑上傳播，該第二集合之該等光學濾光元件可經組態以允許具有在該第一波長集合中之一第二波長的光在該光學濾光器系統中之該第二光束路徑上傳播，該第二波長不同於該第一波長，且該第一集合及該第二集合之該等光學濾光元件可經組態以吸收具有在該第二波長集合中之一波長的光。 該光源亦可包括一以偏振為基礎之光學隔絕系統，該以偏振為基礎之光學隔絕系統經組態以透射具有一第一偏振之光且阻擋具有一第二偏振之光，其中該第二偏振不同於該第一偏振，且該以波長為基礎之光學濾光器系統處於該光產生模組與該以偏振為基礎之光學隔絕系統之間。 該光產生模組可包括大於一個光產生模組，該等光產生模組中之一者經組態以產生具有一第一波長之一第一光束，且該等光產生模組中之另一者經組態以產生具有在一第二波長下之一波長的一第二光束，該第一波長及該第二波長在該第一波長集合中。每一光產生模組可為一雷射。 該光源之該光產生系統亦可包括經定位以接收自該光產生模組發射之光的一或多個光學放大器。該以波長為基礎之光學濾光器系統可處於該光產生系統中之一光學放大器與該光產生模組之間。該光產生系統可包括大於一個光學放大器，且該以波長為基礎之光學濾光器系統可處於該光產生系統中之兩個光學放大器之間。 該光學放大器可包括複數個光學放大器，該等光學放大器中之每一者包括與該增益頻帶相關聯之一增益介質，且該以波長為基礎之光學濾光器系統可處於該等光學放大器中之兩者之間。該兩個光學放大器可與該光產生系統分離。 該光產生模組可為一二氧化碳(CO2 )雷射。 在一些實施中，該光源亦包括與該光產生系統分離之一第二光產生系統，該第二光產生系統經組態以發射一光束，該光束具有在該第一波長集合中之一波長。 該第一波長集合可僅包括單一波長。 該第一波長集合可包括複數個波長。 該第二波長集合可包括在該增益頻帶中之除在該第一波長集合中之任何波長外的所有波長。 在另一一般態樣中，一種用於一極紫外線(EUV)光源之光學濾光器系統經組態以用於置放於該EUV光源之一光學放大器與一光產生模組之間，該光學放大器包括經組態以放大一增益頻帶內之光的一增益介質，且該光學濾光器系統包括至少一個光學元件，該至少一個光學元件經組態以反射或透射具有在一第一波長頻帶中之一波長的光且拒絕具有在一第二波長頻帶中之一波長的光，該第一波長頻帶及該第二波長頻帶在該放大器之該增益頻帶中，且該第一波長頻帶及該第二波長頻帶包括完全不同的波長。 實施包括以下特徵中之一或多者。該第一波長頻帶可包括與一預脈衝光束相關聯之一第一波長及與一主光束相關聯之一第二波長。該光學濾光器系統亦可包括至少一個二向色光學元件。 該至少一個光學元件可包括一光學濾光元件、一色散光學元件及一干涉計中之一或多者。該色散光學元件可為一稜鏡及一光柵中之一或多者。該光學濾光元件可為包括一多層塗層之一光學元件及經組態以吸收具有特定波長之光的一光學元件中之一或多者。 在另一一般態樣中，一光束係自一光產生模組發射至一光束路徑上，該光束路徑處於該光產生模組與一電漿位點之間，且該光束具有一第一波長；該光束係傳遞通過一光學濾光器系統；射出該光學濾光器系統之光經導向至一光學放大器以產生一經放大光束，該光學放大器包括放大在一增益頻帶中之光的一增益介質；且該經放大光束經提供至該電漿位點，該電漿位點接收在處於一電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，其中該第一波長在該光學放大器之該增益頻帶中，該光學濾光器系統允許具有該第一波長之光在該光束路徑上傳播，且該光學濾光器系統自該光束路徑移除具有在該光學放大器之該增益頻帶中的除該第一波長外之一波長的光。 實施可包括以下特徵中之一或多者。一目標可經提供至該電漿位點，該目標包括該目標材料。該經放大光束可具有足以將該目標材料中之至少一些轉換至發射EUV光之該電漿狀態的一能量。 在另一一般態樣中，一種用於一光微影工具之光源包括：一光產生模組，其經組態以發射一光束；一光學放大器，其包括在一光束路徑上之一增益介質，該增益介質與一增益頻帶相關聯，該光學放大器經組態以放大具有在該增益頻帶中之一波長的光；及一以波長為基礎之光損失系統，其在處於該光產生模組與該光學放大器之間的該光束路徑上，該以波長為基礎之光損失系統經組態以自該光束路徑移除在該增益頻帶中之一或多個波長下的光。 上文所描述之技術中之任一者的實施可包括EUV光源、方法、程序、裝置或設備。一或多個實施之細節闡述於以下隨附圖式及描述中。其他特徵將自描述及圖式以及自申請專利範圍而顯而易見。
揭示一種以波長為基礎之光學濾光器系統。該以波長為基礎之光學濾光器系統可用以減少或消除EUV光源之光源中的經放大自發發射(ASE)。該以波長為基礎之光學濾光器系統可單獨地使用或與光學隔絕裝置(諸如，以偏振為基礎之光學隔絕裝置及/或聲光光學隔絕裝置)一起使用，該等光學隔絕裝置可隔絕或濾出除ASE外之額外光。 參看圖1A，展示例示性光學微影系統100之方塊圖。光學系統100包括極紫外線(EUV)光源101，該光源產生供用於光微影工具195中之EUV光196。光學系統100包括發射光束110之光源102，該光束在方向z上沿著路徑112朝向目標區115傳播。目標區115收納目標120，該目標包括在轉換成電漿時發射EUV光之目標材料。 光源102包括光產生模組104、以波長為基礎之光學濾光器系統130及光學放大器108，該光學放大器包括在路徑112上之增益介質109。光產生模組104為光之來源(例如，一或多個雷射、燈或此等元件之任何組合)。光學放大器108可包括經配置成具有在路徑112上之各別增益介質之大於一個光學放大器。光學放大器108可為驅動雷射系統(諸如，圖12B之驅動雷射系統1280)之全部或部分。光學放大器108可為前置放大器，諸如圖2之前置放大器207。光產生模組104產生初始光束111。初始光束111藉由光學放大器108放大以產生光束110。初始光束111具有在增益介質109之增益頻帶中的波長。 與增益介質109相關聯之增益頻帶係藉由波長之範圍、集合或頻帶界定。該增益頻帶可為離散波長之集合或波長之一或多個連續範圍。增益介質109僅放大具有在增益頻帶中之波長的光。增益頻帶中之波長係藉由增益介質109之材料屬性判定。增益介質109包括在介質109藉由諸如閃光燈之能量源、另一雷射源、放熱化學反應或放電泵激時被激發的載流子(諸如，電子)。增益介質109為包括具有最低能量位準(例如，基態)之輻射物種的材料(例如，氣體、半導體、非氣態介電質或晶體)，其中載流子在介質109未受泵激時駐留。輻射物種取決於介質109之類型，且可為(例如)原子或分子。 當介質109經泵激時，載流子被激發至較高能量位準，且在載流子自經激發能量位準轉變至較低能量位準時藉由介質109發射光。所發射光之波長藉由經激發能量位準與較低能量位準之間的能量差判定。增益介質109之量子屬性判定可能的能量差，且可能的能量差判定在介質109之增益頻帶中的波長。 初始光束111與經泵激介質109之間的相互作用放大初始光束111，該初始光束具有在增益頻帶中之波長。然而，除放大初始光束111外，經泵激介質109亦可發射由自發地自介質之經激發較高能量位準中之任一者轉變至較低能量位準之經激發載流子引起的光。此等自發轉變可經光學放大，且在此狀況下，其被稱作經放大自發發射(ASE)。ASE可在增益頻帶中之任何波長下發生且可被視為雜訊。 如下文更詳細地論述，將以波長為基礎之光學濾光器系統130置放於光產生模組104與光學放大器108之間以防止或減少路徑112上之ASE。ASE可被視為能夠到達目標區115之不受控能量流。為產生高效地發射EUV光之電漿，控制光源102使得光束110與目標120在目標區115中之輻照部位121處在空間及時間上重合。然而，因為ASE基本上不受控制或為雜光(parasitic light)，所以ASE可按非預期方式到達目標區115。 到達目標區115之ASE可干擾電漿產生(且因此可干擾EUV光產生)。舉例而言，在目標120正在y方向上行進時，ASE可到達目標區115之相較於輻照部位121在-y方向上的部位處。在此實例中，ASE可與目標120相互作用，從而引起傳播回至源102中之反射及/或以非預期方式修改目標120。兩個此等結果可能對電漿之高效產生有害，且可減少所產生的EUV光之量。舉例而言，因為ASE係具有在增益頻帶中之波長的光，所以ASE之沿著路徑112在-z方向上傳播的反射(諸如，反射113)可使放大器108中之經激發載流子空乏，從而留下較少載流子來放大初始光束111。另外或替代地，該等反射可起始藉由行進目標120及在光源102中之元件形成的暫時性空腔中之振盪。此等振盪可導致額外ASE產生光非預期地到達目標區115。 在光束110與目標120相互作用之前與目標120相互作用的ASE可由於以非預期方式改變目標材料之幾何分佈及/或定向而影響將目標材料轉換成電漿之效率。此情形可導致在目標120轉換成電漿時產生之EUV光的量減少。另外，此等變化可導致經提供至微影工具195之EUV光的量隨時間推移而變化。此等變化可導致由工具105曝露之晶圓中的電子特徵中之缺陷及/或微影工具195之降低的效能。 以波長為基礎之光學濾光器系統130藉由自光束路徑112移除在光學放大器108之增益頻帶中但並不意欲到達目標區115的波長來抵消ASE之效應。濾光器系統130可被視為以波長為基礎之光損失系統，該以波長為基礎之光損失系統選擇性地增加在增益頻帶中之特定波長的損失之量使得此等波長不能作為ASE在路徑112上傳播或以其他方式減輕此等波長。舉例而言，濾光器系統130可自光束路徑112移除不在初始光束111中之波長。在初始光束111中之一或多個波長可被視為在增益頻帶中之一或多個波長的第一集合，且自路徑112移除之波長為在增益頻帶中之一或多個波長的第二集合。第二集合中之波長不同於第一集合中之波長，且第二集合中之波長可包括在增益頻帶中之不在第一集合中的波長中的全部或任一者。 第一及第二集合中之每一者可包括離散波長之集合、一或多個連續波長頻帶或單一波長。第一及第二集合中之波長可藉由包括完全不同之波長而不同。舉例而言，第一波長集合可包括以10.6 µm為中心之波長頻帶及以10.26 µm為中心之波長頻帶，且第二集合可包括除10.6 µm、10.26 µm外之波長及包括於該等頻帶中之以此等波長為中心的波長。在一些實施中，第一及第二波長集合中之波長可具有一些光譜重疊。舉例而言，包括於以10.6 µm及10.26 µm為中心之頻帶中的波長可存在於第一及第二集合中，但波長10.6 µm及10.26 µm僅包括於第一波長集合中且不在第二波長集合中。第二波長集合可包括在增益介質109之增益頻帶中的任何波長。舉例而言，第二波長集合中之波長可包括小於第一波長集合中之最小波長的波長及大於第一波長集合中之最大波長的波長。 參看圖1B，展示例示性以波長為基礎之光學濾光器系統130的方塊圖。光學濾光器系統130在路徑112上且在輸入131處接收初始光束111。光學濾光器系統130包括光學系統132。光學系統132包括一或多個光學元件或組件，該一或多個光學元件或組件允許具有在第一波長集合中之波長的光在路徑112上傳播且自路徑112移除具有在第二波長集合中之波長的光。光學系統132可藉由(例如)吸收、透射及/或偏轉具有在第二集合中之波長的光而自路徑112移除具有彼等波長的光。 一或多個光學元件可包括能夠與光相互作用之任何裝置或組件。一或多個光學元件可包括(例如)透鏡、鏡面、稜鏡、二向色元件或此等元件之組合。該等光學元件可包括色散光學元件(諸如，稜鏡或光柵)、光學濾光元件及/或干涉計(諸如，標準具)。光學濾光元件可為基於光之波長而反射、透射及/或吸收光的任何元件。舉例而言，光學濾光元件可為光學元件(諸如，透鏡或鏡面)或基板(諸如，銅基板)，其中一或多個材料層沈積於該基板或該光學元件上，其中材料層之存在更改被透射、反射及/或吸收之波長。經組態以吸收某些波長的光學元件之實例為流體電池，該流體電池包括吸收具有某些波長之光的光學透明氣體或液體。光學濾光器系統130亦可包括用以操縱、導向及/或聚焦在光學濾光器系統中傳播之光的其他光學元件，諸如鏡面及/或透鏡。 光學濾光器系統130在輸出133處發射光束117。光束117包括在第一波長集合中之波長，但包括極少或不包括在處於第二波長集合中之波長下的光。 光學濾光器系統130之額外實例實施展示於圖6至圖9中。在論述光學濾光器系統130之各種實施的細節之前，論述可使用光學濾光器系統130之實施的光學系統之其他實例。 參看圖2，展示包括例示性光源202之EUV光源201之方塊圖。光源202可用作光學系統100 (圖1)中之光源102。EUV光源201使用第一光束210a (在圖2中展示為實線)以調節初始目標220a，且使用第二光束210b (在圖2中展示為虛線)以將經調節目標轉換成發射EUV光之電漿。在源201中，第一及第二光束210a在路徑112上傳播，且兩個光束210a、210b入射於放大器108上。在圖2之實例中，光學濾光器系統130在處於光學放大器108與光產生系統205之間的路徑112上。 光源202包括光產生系統205，該光產生系統包括兩個光產生模組204a、204b。在圖2之實例中，光產生模組204a、204b分別產生第一光束210a及第二光束210b。光產生模組204a、204b可為(例如)兩個雷射。舉例而言，光產生模組204a、204b中之每一者可為二氧化碳(CO2 )雷射。在一些實施中，光產生模組204a、204b中之每一者為不同類型之雷射。舉例而言，光產生模組204a可為固態雷射(諸如，釹(Nd):YAG雷射或鉺摻雜纖維雷射)，且光產生模組204b可為CO2 雷射。 第一光束210a及第二光束210b具有在增益介質109之增益頻帶內的不同波長。舉例而言，在光產生模組204a、204b包括兩個CO2 雷射之實施中，自CO2 雷射之不同譜線產生光束210a、210b，從而導致即使光束210a、210b係自同一類型之雷射源產生，該兩個光束亦具有不同波長。舉例而言，第一光束210a之波長可為約10.26微米(µm)。第二光束210b之波長可介於約10.18 µm與10.26 µm之間，或第二光束210b之波長可為約10.59 µm。在第一發光模組204a為固態雷射之實施中，第一光束210a之波長可為(例如) 1.06 µm。光束210a、210b可具有不同強度。 光產生系統205亦包括光束組合器209，該光束組合器將第一光束210a及第二光束210b導向至光束路徑112上。光束組合器209可為能夠與第一光束210a及/或第二光束210b相互作用以將第一光束210a及第二光束210b導向至光束路徑112上的任何光學元件或光學元件之集合。舉例而言，光束組合器209可為鏡面之集合，鏡面中之一些經定位以將第一光束210a導向至光束路徑112上，且鏡面中之其他者經定位以將第二光束210b導向至光束路徑112上。 光產生系統205亦可包括一或多個前置放大器(由圖2中之前置放大器207表示)。前置放大器207接收及放大光產生模組204內之第一光束210a及第二光束210b。前置放大器207亦包括增益介質，且前置放大器亦可產生ASE。 第一光束210a及第二光束210b可在不同時間在路徑112上傳播，但兩個光束210a、210b橫越實質上相同空間區而通過光源202且皆傳遞通過光學放大器108之增益介質109。在諸如關於圖6及圖8所論述之一些實施中，第一光束210a及第二光束210b在光學濾光器系統130內係分離的，且經重新接合以在路徑112上傳播至光學放大器108。 在圖2之實施中，第一光束210a及第二光束210b藉由光束遞送系統225成角度地分散，使得第一光束210a係導向朝向初始目標區215a，且第二光束210b係導向朝向經修改目標區215b，該經修改目標區相對於初始目標區215a在-y方向上移位。在一些實施中，光束遞送系統225亦將第一光束210a及第二光束210b分別聚焦至初始目標區215a及經修改目標區215b內或附近的部位。 初始目標區215a收納初始目標220a且接收第一光束210a。第一光束210a具有足以將初始目標220a中之目標材料之幾何分佈修改成收納於經修改目標區215b中之經修改目標的能量(例如，該能量可足以起始目標材料之空間重組態)。亦在經修改目標區215b中接收第二光束210b。第二光束210b具有足以將經修改目標220b中之目標材料中的至少一些轉換成發射EUV光之電漿的能量。在此實例中，第一光束210a可被稱作「預脈衝」，且第二光束210b可被稱作「主脈衝」。 除第一光束210a及第二光束210b外，由ASE引起之雜光亦可藉由放大器108及/或前置放大器207產生。光學濾光器系統130藉由自路徑112移除具有並非第一光束210a或第二光束210b之波長但在放大器108及/或前置放大器207之增益頻帶中之波長的光來減少在路徑112上傳播之ASE的量。 在圖2中所展示之實例中，光學濾光器系統130處於前置放大器207與放大器108之間。然而，在一些實施中，光學濾光器系統130可處於前置放大器207與光產生模組204a、204b之間。另外，光產生系統205可包括大於一個前置放大器207。在此等實施中，光學濾光器系統130可處於任何兩個前置放大器207之間，或處於光產生模組204a、204b與最接近模組204a、204b之前置放大器207之間。圖11展示光學濾光器系統130之置放的實例。 參看圖3，展示包括另一例示性光源302之EUV光源301之方塊圖。光源302可用作光學系統100 (圖1A)中之光源102。光源302類似於光源202，但光源302使用單一光產生模組304以產生第一光束310a (在圖3中以實線展示)及第二光束310b (在圖3中以虛線展示)。EUV光源301使用第一光束310a調節初始目標220a，且使用第二光束310b將經調節目標轉換成發射EUV光之電漿。在EUV光源301中，第一及第二光束310a在路徑112上傳播，且兩個光束310a、310b傳遞通過放大器108。 光源302包括光產生系統305。光產生系統305包括光產生模組304及前置放大器207，該前置放大器接收第一光束310a及第二光束310b。光源302可包括串聯地配置於路徑112上之大於一個前置放大器207。因為第一光束310a及第二光束310b係由同一光產生模組304產生，所以光產生系統305並不包括諸如光束組合器209 (圖2)之光束組合器。 第一光束310a及第二光束310b具有在增益介質109之增益頻帶內的不同波長。光產生模組304可為能夠產生具有不同波長之光的雷射。舉例而言，光產生模組304可為CO2 雷射。在此等實施中，自CO2 雷射之不同譜線產生光束310a、310b，從而導致即使光束310a、310b係自同一雷射源產生，該兩個光束亦具有不同波長。舉例而言，第一光束310a之波長可為約10.26微米(µm)，且第二光束310b之波長可介於約10.18 µm與10.26 µm之間或第二光束之波長可為約10.59 µm。 在圖3中所展示之實例中，光學濾光器系統130處於前置放大器207與放大器108之間。然而，一些實施，光學濾光器系統130可處於前置放大器207與光產生模組304之間。另外，光產生系統205可包括大於一個前置放大器207。在此等實施中，光學濾光器系統130可處於任何兩個前置放大器207之間，或處於光產生模組204與最接近模組304之前置放大器207之間。 參看圖4，展示包括另一例示性光源402之EUV光源401之方塊圖。光源402可用作光源102 (圖1)。光源402包括光產生系統405。光產生系統405包括產生第一光束410a之第一光產生模組404a及產生第二光束410b之第二光產生模組404b。第一光束410a及第二光束410b分別在不同路徑112、414上傳播。在圖4之實例中，第一光束410a係以實線展示且第二光束410b係以虛線表示。第一光束410a用以調節初始目標220a，且第二光束410b用以將經調節目標轉換成發射EUV光之電漿。 第一光產生模組404a及第二光產生模組404b為單獨光源。第一光產生模組404a可為(例如)固態雷射，且第二光產生模組404b可為CO2 雷射。第一光產生模組404a將第一光束410a發射至路徑414上。光束410a、410b係在單獨放大器鏈中放大。在圖4中所展示之實例中，第一光束410a藉由包括增益介質409a之放大器408a放大。第二光束410b藉由包括增益介質409a之放大器408b放大。放大器408a、408b為單獨放大器，但其可具有相同屬性。因此，在光源402中，第一光束410a及第二光束410b彼此分離地且在不同路徑中放大。第一光束410a及第二光束410b中之任一者或兩者可在分別藉由放大器408a、408b放大之前藉由前置放大器407放大。 EUV光源401亦包括光束組合器409。光束組合器409接收第一光束410a及第二光束410b，且將光束410a、410b導向至光束路徑112上且導向光束遞送系統225。光束組合器409可為能夠與第一光束410a及/或第二光束410b相互作用以將第一光束410a及第二光束410b導向至光束路徑112上的任何光學元件或光學元件之集合。舉例而言，光束組合器409可為鏡面之集合，該等鏡面中之一些經定位以將第一光束410a導向至光束路徑112上且該等鏡面中之其他者經定位以導向第二光束410b使得第二光束保留在光束路徑112上。 光源402亦包括光學濾光器系統430a及430b。光學濾光器系統430a係在路徑414上，且光學濾光器系統430b係在路徑112上。光學濾光器系統430a、430b可類似於光學濾光器系統130 (圖1)。 光源402之組件的其他組態係可能的。舉例而言，可在無前置放大器407及/或光學濾光器系統130之情況下使用光產生模組404a。光學濾光器系統130可定位於沿著路徑112及/或路徑414之其他部位處。光產生模組404a可相對於目標區215a置放於另一部位中。 參看圖5，展示另一例示性EUV源501之方塊圖。EUV源501包括光源502。光源502包括光產生系統505、光學濾光器系統130及放大器108。光產生系統505包括將光束510發射至路徑112上之光產生模組504及放大光束510之一或多個前置放大器。光產生模組504可為(例如) CO2 雷射或半導體雷射。一或多個前置放大器在圖5中表示為元件207。光束510用以將目標120轉換成發射EUV光之電漿。光束510包括在增益介質109之增益頻帶中的較多波長中之一者。 光源502亦包括光學濾光器系統130。在展示之實例中，光學濾光器系統130藉由處於前置放大器207與放大器108之間而處於光產生模組504與放大器108之間。然而，光學濾光器系統130可定位於沿著路徑112之任何部位處。 圖6、圖7、圖8A及圖9A展示例示性光學濾波器。參看圖6，展示例示性光學濾光器系統630之方塊圖。光學濾光器系統630可用於具有不同波長之兩個或大於兩個初始光束在路徑112上傳播的光源中。初始光束之波長在增益介質109之增益頻帶內。舉例而言，光學濾光器系統630可用作光源202 (圖2)或光源302 (圖3)中之光學濾光器系統130。當用於光源202或302中時，光學濾光器系統130在處於光產生模組與放大器108之間的路徑112上，其中相比出口側633，光產生模組204a、204b或304分別較接近於光學濾光器系統630之入口側631。 光束610a具有在增益頻帶中之第一波長，且光束610b具有在增益頻帶中之第二波長。光束610a可為(例如)光束210a (圖2)或光束310a (圖3)。光束610b可為(例如)光束210b (圖2)或光束310b (圖3)。第一及第二波長在增益介質109之增益頻帶內，且第一及第二波長形成第一波長集合。 在路徑112上傳播之包括第一光束610a及第二光束610b的光在入口631處進入光學濾光器系統630。光學濾光器系統630包括將光束610a反射至光束路徑412a上且使光束610b透射至光束路徑412b上之二向色元件635。二向色元件635可為基於波長而分離入射光之任何光學元件。舉例而言，二向色元件635可為二向色光束分光器或二向色鏡面。光束610a透射穿過二向色元件635至光束路徑412a上，該光束路徑處於二向色元件635與色散光學元件632之間。光束路徑412a之形狀係由處於二向色元件635與色散光學元件632之間的操縱光學元件636之定位判定。 光束610a在光束路徑412a上傳播且由操縱光學元件636反射。操縱光學元件636可為能夠反射光束610a之任何光學元件。舉例而言，操縱光學元件636可為鏡面。操縱光學元件636經定位以將光束610a導向色散光學元件632。色散光學元件632可為以取決於入射光之波長的角度使入射光偏轉的任何元件。舉例而言，色散光學元件632可為光柵或稜鏡。色散光學元件632將光束610a反射至光束路徑112上。 光束610b係自二向色元件635反射至不同於光束路徑412a之光束路徑412b上。光束610b入射於色散光學元件632上，該色散光學元件使光束610b偏轉至光束路徑112上。如上所提到，色散光學元件632可按取決於入射光之波長的角度使入射光偏轉。色散光學元件632相對於光束610a、610b在路徑412a、412b上之傳播方向而定向，使得光束610a中具有第一波長之光及光束610b中具有第二波長之光經導向至光束路徑112上。色散光學元件632亦使光束610a、610b中具有除第一及第二波長外之波長的光偏轉遠離路徑112。以此方式，色散光學元件632重新組合光束610a、610b使得光束610a、610b中具有第一及第二波長的光在光束路徑112上朝向光學濾光器系統630之出口633傳播。 除光束610a、610b外，由ASE產生之光亦可在光束路徑112上傳播。光學濾光器系統630自路徑112移除由ASE產生之雜散光。由ASE產生之光不可預測。因此，由ASE產生之光可在任何時間、與光束610a、610b中之任一者或兩者同時地或在光束610a、610b兩者中無一者正在傳播期間在路徑112上傳播。由ASE產生之光可具有在增益頻帶中之任何波長，包括不同於第一及第二波長之其他波長637。其他波長637形成在增益介質109之增益頻帶中的波長之第二集合。色散光學元件632使具有其他波長637之光偏轉出路徑112。因此，色散光學元件632自路徑112移除其他波長637。 光學濾光器系統630可用以移除在路徑112上在z方向上傳播之ASE光及ASE光之在路徑112上在-z方向上傳播之反射。色散光學元件632之定向及光學屬性使得不管ASE光之傳播方向，自光束路徑112移除第二波長集合中之波長(在此實例中，藉由偏轉)。舉例而言，色散光學元件632可為具有將入射光繞射成具有不同波長之複數個光束之週期性結構的繞射光柵。在入射光束與光柵之週期性表面相互作用之後，複數個光束中之每一者在不同方向上傳播遠離光柵，其中傳播方向由特定光束之波長及光柵之週期判定。因此，週期性表面相對於路徑112之定向判定具有各種波長之光的傳播方向。 參看圖7，展示另一例示性光學濾光器系統730之方塊圖。光學濾光器系統730可用於可能需要允許具有一個波長或一個波長頻帶之光在路徑112上傳播的任何光學系統中。舉例而言，光學濾光器系統730可用於源402 (圖4)或光源502 (圖5)中之路徑414及112中之任一者或兩者中。光學濾光器系統730具有入口731及出口733。在z方向上傳播之光在入口731處進入光學濾光器系統730且在出口733處離開。然而，在-z方向上傳播之光亦可藉由光學濾光器系統730濾光。在-z方向上傳播之光在出口733處入射於光學濾光器系統730上且(若並未自路徑112移除)，在入口731處離開光學濾光器系統730。當用於光源402或光源502中時，光學濾光器系統730定位於處於光產生模組與放大器之間的路徑(例如，路徑412或路徑112)上，其中相比出口733，入口731較接近於光產生模組。 在圖7之實例中，光束710 (較長虛線)傳播通過光學濾光器系統730。光束710可為(例如)光束410a、410b及510中之任一者。舉例而言，光學濾光器系統730可置放於光源402 (圖4)之路徑412a、412b中之任一者或兩者上。光學濾光器系統730包括移除光學元件732，該移除光學元件自光學路徑移除具有在第二波長集合中除光束710中之波長外之波長的光。第二波長集合之波長係在增益頻帶中之波長，且第二波長集合可包括在增益頻帶中之並不在光束710中的任何或所有波長。 移除光學元件732可為以取決於入射光之波長的角度使入射光偏轉的色散光學元件，諸如稜鏡或光柵。光學濾光器系統730可包括將光束710導向至移除光學元件732之操縱光學元件736。移除光學元件732經定向且具有光學屬性使得光束710被反射至路徑112上。然而，具有在第二波長集合中之波長的光737 (例如，由ASE產生之光)被反射遠離路徑112。以此方式，移除光學元件732自路徑112移除具有在第二波長集合中之波長的光，或實質上減少在路徑112上傳播之具有在第二波長集合中之波長的光之量。 在其他實施中，移除光學元件732可為除色散光學元件外之元件。舉例而言，移除光學元件732可為吸收具有在第二波長集合中之波長之光且透射具有在第一波長集合中之波長之光的濾光及吸收元件。不管其特定實施，光學濾光器系統730允許光束710保留在路徑112上，而拒絕具有在第二波長集合中之波長的光(諸如，ASE)。 參看圖8A，展示另一例示性光學濾光器系統830之方塊圖。光學濾光器系統830允許初始光束810a、810b通過，而阻擋具有其他波長之光(諸如，由ASE引起之光)。光學濾光器系統830可用於使用具有在增益介質109之增益頻帶中之不同波長的兩個或大於兩個初始光束的光源中。舉例而言，光學濾光器系統830可用作光源202 (圖2)或光源302 (圖3)中之光學濾光器系統130。當用於光源202或302中時，光學濾光器系統830在處於光產生模組與放大器108之間的路徑112上，其中相比出口側833，光產生模組較接近於系統830之入口側831。來自光產生模組之在路徑112上行進的光在入口側831處進入光學濾光器系統130且在出口側833處離開光學濾光器系統130。 光束810a (由實線表示)具有第一波長，且光束810b (由虛線表示)具有第二波長。光束810a可為(例如)光束210a (圖2)或光束310a (圖3)。光束810b可為(例如)光束210b (圖2)或光束310b (圖3)。第一及第二波長在增益介質109之增益頻帶內，且第一及第二波長形成第一波長集合。 光束810a及810b在入口側831處進入光學濾光器系統830。光學濾光器系統830包括二向色光學元件835，該二向色光學元件可為能夠基於入射光之波長而分離入射光的任何光學元件。舉例而言，二向色光學元件835可為二向色光束分光器、二向色鏡面或此等元件之組合。二向色光學元件835中之一者使光束810a透射至路徑812a上且將光束810b反射至路徑812b上。 路徑812a、812b係由光學濾光元件832a、832b之各別集合界定。光學濾光元件832a及832b為基於光之波長而反射、透射或吸收入射光的光學元件。光學濾光元件832a反射具有第一波長(光束810a之波長)之光以將光束810a導向於路徑812a上。光學濾光元件832a吸收及/或透射具有除第一波長外之波長的光。光學濾光元件832b反射具有第二波長(光束810b之波長)之光以將光束810b導向於路徑812b上。光學濾光元件832b吸收及/或透射具有除第二波長外之波長的光。光學濾光元件832a、832b可包括吸收未被反射之光中之一些或全部的光束集堆、光束收集器或光束區塊。以此方式，光學濾光元件832a、832b僅反射具有在第一波長集合中之波長的光。 在由光學濾光元件832a、832b反射之後，光束810a、810b藉由二向色光學元件835中之另一者(最接近出口側833之二向色光學元件)導向至路徑112上。以此方式，光學濾光元件832a之集合及光學濾光元件832b之集合允許具有在第一波長集合中之波長的光保留在路徑112上，而自路徑112移除具有在介質109之增益頻帶中之其他波長的光。 在圖8A之實例中，光學濾光元件832a為僅反射以第一光束810a之波長為中心的光之窄頻帶的凹口濾光器，且光學濾光元件832b為僅反射以第二光束810b之波長為中心的光之窄頻帶的凹口濾光器。除由光學濾光元件832a、832b反射之彼等波長外的波長(諸如，ASE)經吸收及/或透射且因此未導向至路徑812a、812b上。 亦參看為例示性光學濾光元件832之側視方塊圖的圖8B，光學濾光元件832a、832b中之每一者可包括(例如)基板838及在基板上之塗層839。基板838可為(例如)銅。光學濾光元件832a、832b之反射率屬性可由塗層839之屬性判定。舉例而言，由塗層反射之波長係由塗層之材料及厚度中之一或多者判定。塗層839可為(例如)硒化鋅(ZnSe)。塗層839可為(例如)經選擇以反射波長之窄頻帶的介電材料之層化堆疊。該層化堆疊可包括(例如)各自具有不同折射率之兩種介電材料。 對於第一光束810a之波長為10.26 µm的實施，光學濾光元件832a中之每一者可包括各自具有ZnSe塗層839之兩個光學濾光元件。塗層之厚度沿著平行於表面838之法線的方向841可為(例如) 70至80 µm。兩個光學濾光元件沿著方向841可具有不同厚度。兩個濾光元件一起形成反射在10.26 µm下之入射光之約95%且反射極少具有其他波長之光的凹口濾光器。對於第二光束810b之波長為10.6 µm的實施，光學濾光元件832b中之每一者可包括兩個光學濾光元件，一者具有厚度t為約76 µm厚之ZnSe塗層839且另一者具有厚度t為約82 µm之ZnSe塗層839。兩個濾光元件一起形成反射在10.6 µm下之入射光之約95%但反射極少具有其他波長之光的凹口濾光器。 參看圖9A，展示另一例示性光學濾光器系統930。光學濾光器系統930允許初始光束910a、910b通過，而阻擋具有其他波長之光(諸如，由ASE引起之光)。光學濾光器系統930可用於使用具有在增益介質109之增益頻帶中之不同波長的兩個或大於兩個初始光束的光源中。舉例而言，光學濾光器系統930可用作光源202 (圖2)或光源302 (圖3)中之光學濾光器系統130。當用於光源202或302中時，光學濾光器系統930在處於光產生模組與放大器108之間的路徑112上，其中相比出口側933，光產生模組較接近於系統930之入口側931。來自光產生模組104之在路徑112上行進的光在入口側931處進入光學濾光器系統130且在出口側933處離開光學濾光器系統130。 光束910a (由實線表示)具有第一波長，且光束910b (由虛線表示)具有第二波長。光束910a可為(例如)光束210a (圖2)或光束310a (圖3)。光束910b可為(例如)光束210b (圖2)或光束310b (圖3)。第一及第二波長在增益介質109之增益頻帶內，且第一及第二波長形成第一波長集合。 光束910a及910b在入口側931處進入光學濾光器系統930。光學濾光器系統930包括在路徑112上之光學濾光元件932之集合。光學濾光元件932反射光束910a、910b之波長，且可反射具有在光束910a、910b之波長之間的波長的光。光學濾光元件932可透射及/或吸收具有其他波長之光(諸如，由ASE引起之光)。以此方式，光學濾光元件932允許光束910a、910b保留在路徑112上，而自路徑112移除其他波長。光學濾光元件932之集合中之每一者可為包括基板938及在基板上之塗層939的帶通濾光器。塗層939可為介電材料層之堆疊或諸如ZnSe之材料之塗層。 圖10及圖11展示包括光學濾光器系統130 (或光學濾光器系統630至930中之任一者)之額外例示性EUV光源。圖10為另一例示性EUV光源1001之方塊圖。EUV光源1001說明光學濾光器系統130 (或光學濾光器系統630至930中之任一者)可在任何光源中與額外光學隔絕裝置1050一起使用。圖11說明可供置放光學濾光器系統130 (或光學濾光器系統630至930中之任一者)之各種可能的部位。 EUV光源1001包括產生路徑112上之光束1010的光源1002。光源1002包括光產生模組1004、前置放大器207、光學濾光器系統130及放大器108。在此實例中，光學濾光器系統130在處於前置放大器207與放大器108之間的路徑112上。光學隔絕裝置1050係置放於處於光產生模組1004與目標區115之間的路徑112上。在圖10之實例中，光學隔絕裝置1050處於光學濾光器系統130與放大器108之間。在其他實施中，光學濾光器系統130及/或光學隔絕裝置1050可處於沿著路徑112之其他部位中。 光學隔絕裝置1050用以阻擋來自目標區115之反射，包括由光產生模組1004產生之一或多個光束的反射。光學隔絕裝置1050係基於除波長選擇外之機制。因此，光學隔絕裝置1050及光學濾光器系統130可互補，且使用光學隔絕裝置1050與光學濾光器系統130可引起目標區115與光源1002 (包括光產生模組1004)之組件之間的改良光學分離。 光學隔絕裝置1050可為(例如)以偏振為基礎之隔絕裝置。以偏振為基礎之光學隔絕裝置透射具有第一偏振之光(允許此光保留在路徑112上)且阻擋具有第二偏振之光(使得具有彼偏振之光不能夠在路徑112上傳播)。光學隔絕裝置1050可為(例如)空間濾光器，諸如針孔或其他孔隙。 圖11為另一例示性EUV光源1100之方塊圖。EUV光源1100包括產生路徑112上之光束1110的光源1102。光源1102包括光產生模組1104、複數個前置放大器207、光學濾光器系統130及複數個放大器108。光源1102亦包括光學濾光器系統130。光學濾光器系統130未展示於圖11中。實情為，路徑112上之X標記說明路徑112上可供置放光學濾光器系統130的各種部位。光學濾光器系統130可直接置放於光產生模組1104之下游(在此實例中，在z方向上)。光學濾光器系統130可置放於任何兩個前置放大器207之間、任何兩個放大器108之間及/或最終前置放大器207與第一放大器108之間。 將光學濾光器系統130置放於標示為1189之部位中可有助於防止包括不合需要之波長(諸如，在第二波長集合中之波長)且在z方向上行進的光到達一或多個放大器108。另外，將光學濾光器系統130置放於標示為1189之部位中可有助於防止在-z方向上行進且由至少一個放大器108放大的反射到達光產生系統205。因為放大器108可具有高於前置放大器207之增益，所以將光學濾光器系統130置放於標示為1189之部位中可有助於防止大的反射進入光產生系統205，且亦可有助於防止具有不合需要之波長的光在光源1100之高增益部分中放大。 參看圖12A，展示LPP EUV光源1200。光源202至502、1002及1102可為諸如源1200之EUV光源之部分。藉由運用經放大光束1210輻照目標部位1205處之目標混合物1214而形成LPP EUV光源1200，該經放大光束沿著朝向目標混合物1214之光束路徑行進。目標120、220a及220b之目標材料可為或包括目標混合物1214。亦被稱作輻照位點之目標部位1205係在真空腔室1230之內部1207內。當經放大光束1210照射在目標混合物1214上時，目標混合物1214內之目標材料轉換成具有在EUV範圍內之發射譜線之元素的電漿狀態。所產生電漿具有取決於目標混合物1214內之目標材料之組合物的某些特性。此等特性可包括由電漿產生之EUV光之波長以及自電漿釋放之碎屑之類型及量。 光源1200亦包括目標材料遞送系統1225，該目標材料遞送系統遞送、控制及導向呈液體小滴、液體串流、固體粒子或叢集、液體小滴內所含之固體粒子或液體串流內所含之固體粒子之形式的目標混合物1214。目標混合物1214包括目標材料，諸如水、錫、鋰、氙或在經轉換成電漿狀態時具有在EUV範圍內之發射譜線的任何材料。舉例而言，元素錫可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr4 、SnBr2 、SnH4 ；用作錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或此等合金之任何組合。目標混合物1214亦可包括諸如非目標粒子之雜質。因此，在不存在雜質之情形下，目標混合物1214係僅由目標材料製成。目標混合物1214係由目標材料遞送系統1225遞送至腔室1230之內部1207中且遞送至目標部位1205。 光源1200包括驅動雷射系統1215，該驅動雷射系統歸因於雷射系統1215之一或多個增益介質內之粒子數反轉而產生經放大光束1210。光源1200包括處於雷射系統1215與目標部位1205之間的光束遞送系統，該光束遞送系統包括光束傳送系統1220及聚焦總成1222。光束傳送系統1220自雷射系統1215接收經放大光束1210，且視需要操縱及修改經放大光束1210且將經放大光束1210輸出至聚焦總成1222。聚焦總成1222接收經放大光束1210且將光束1210聚焦至目標部位1205。 在一些實施中，雷射系統1215可包括用於提供一或多個主脈衝且在一些狀況下提供一或多個預脈衝之一或多個光學放大器、雷射及/或燈。每一光學放大器包括能夠以高增益光學地放大所要波長之增益介質；激發源；及內部光學件。光學放大器可具有或可不具有形成雷射空腔之雷射鏡面或其他回饋裝置。因此，雷射系統1215即使在不存在雷射空腔的情況下歸因於雷射放大器之增益介質中之粒子數反轉亦會產生經放大光束1210。此外，雷射系統1215可在存在雷射空腔以將足夠回饋提供至雷射系統1215的情況下產生為相干雷射光束之經放大光束1210。術語「經放大光束」涵蓋以下各者中之一或多者：來自雷射系統1215之僅經放大但未必為相干雷射振盪的光，及來自雷射系統1215之經放大且亦為相干雷射振盪的光。 雷射系統1215中之光學放大器可包括填充氣體(包括CO2 )作為增益介質，且可按大於或等於800之增益放大在介於約9100與約11000 nm之間的波長下，且特定而言在約10600 nm下的光。供用於雷射系統1215中之合適放大器及雷射可包括脈衝式雷射裝置，例如脈衝式氣體放電CO2 雷射裝置，該脈衝式氣體放電CO2 雷射裝置(例如)運用以相對較高功率(例如，10 kW或高於10 kW)及高脈衝重複率(例如，40 kHz或大於40 kHz)操作之DC或RF激勵產生在約9300 nm或約10600 nm下之輻射。雷射系統1215中之光學放大器亦可包括可在以較高功率操作雷射系統1215時可使用的冷卻系統，諸如水。 圖12B展示例示性驅動雷射系統1280之方塊圖。驅動雷射系統1280可用作源1200中之驅動雷射系統1215之部分。驅動雷射系統1280包括三個功率放大器1281、1282及1283。功率放大器1281、1282及1283中之任一者或全部可包括內部光學元件(未圖示)。 光1284經由輸出窗口1285自功率放大器1281射出且自彎曲鏡面1286反射。在反射之後，光1284傳遞通過空間濾光器1287、自彎曲鏡面1288反射，且經由輸入窗口1289進入功率放大器1282。光1284在功率放大器1282中經放大且作為光1291經由輸出窗口1290而重新導向出功率放大器1282。光1291係藉由摺疊鏡面1292而導向放大器1283且經由輸入窗口1293進入放大器1283。放大器1283放大光1291且經由輸出窗口1294將光1291作為輸出光束1295而導向出放大器1283。摺疊鏡面1296將輸出光束1295向上(向頁面外)且朝向光束傳送系統1220 (圖12A)導向。 再次參看圖12B，空間濾光器1287界定孔隙1297，該孔隙可為(例如)具有介於約2.2 mm與3 mm之間的直徑的環。彎曲鏡面1286及1288可為(例如)焦距分別為約1.7 m及2.3 m的離軸拋物線鏡面。空間濾光器1287可經定位使得孔隙1297與驅動雷射系統1280之焦點重合。 再次參看圖12A，光源1200包括收集器鏡面1235，該收集器鏡面具有用以允許經放大光束1210穿過且到達目標部位1205之孔隙1240。收集器鏡面1235可為(例如)具有在目標部位1205處之主焦點及在中間部位1245處之次級焦點(亦被稱為中間焦點)之橢球形鏡面，其中EUV光可自光源1200輸出且可經輸入至(例如)積體電路微影工具(未圖示)。光源1200亦可包括開端式中空圓錐形護罩1250 (例如，氣體錐體)，該圓錐形護罩自收集器鏡面1235朝向目標部位1205漸狹以減少進入聚焦總成1222及/或光束傳送系統1220的電漿產生碎屑之量，同時允許經放大光束1210到達目標部位1205。出於此目的，可將氣流提供於護罩中，該氣流經導向目標部位1205。 光源1200亦可包括連接至小滴位置偵測回饋系統1256、雷射控制系統1257及光束控制系統1258之主控控制器1255。光源1200可包括一或多個目標或小滴成像器1260，該一或多個目標或小滴成像器提供指示小滴(例如)相對於目標部位1205之位置的輸出且將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統1256，該小滴位置偵測回饋系統可(例如)計算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可在逐小滴基礎上或平均地計算出小滴位置誤差。因此，小滴位置偵測回饋系統1256將小滴位置誤差作為輸入提供至主控控制器1255。因此，主控控制器1255可將雷射位置、方向及時序校正信號提供至(例如)可用以(例如)控制雷射時序電路之雷射控制系統1257及/或提供至光束控制系統1258，該光束控制系統用以控制經放大光束位置及光束傳送系統1220之塑形以改變光束聚焦光點在腔室1230內之部位及/或焦度。 目標材料遞送系統1225包括目標材料遞送控制系統1226，該目標材料遞送控制系統可操作以回應於(例如)來自主控控制器1255之信號而修改如由目標材料供應設備1227釋放之小滴之釋放點，以校正到達所要目標部位1205之小滴中的誤差。 另外，光源1200可包括量測一或多個EUV光參數之光源偵測器1265及1270，該一或多個EUV光參數包括但不限於脈衝能量、依據波長而變化之能量分佈、波長之特定頻帶內之能量、在波長之特定頻帶外的能量，及EUV強度及/或平均功率之角度分佈。光源偵測器1265產生供主控控制器1255使用之回饋信號。回饋信號可(例如)指示為了有效及高效EUV光產生而在適當地點及時間恰當地攔截小滴的雷射脈衝之參數(諸如，時序及焦點)之誤差。 光源1200亦可包括可用以對準光源1200之各種區段或輔助將經放大光束1210操縱至目標部位1205的導引雷射1275。結合導引雷射1275，光源1200包括度量衡系統1224，該度量衡系統係置放於聚焦總成1222內以對來自導引雷射1275之光之一部分及經放大光束1210進行取樣。在其他實施中，度量衡系統1224係置放於光束傳送系統1220內。度量衡系統1224可包括對光之子集進行取樣或重新導向光之子集的光學元件，此光學元件係由可耐受導引雷射光束及經放大光束1210之功率之任何材料製造。光束分析系統係由度量衡系統1224及主控控制器1255形成，此係因為主控控制器1255分析自導引雷射1275取樣之光且使用此資訊以經由光束控制系統1258調整聚焦總成1222內之組件。 因此，概言之，光源1200產生經放大光束1210，該經放大光束沿著光束路徑經導向以輻照目標部位1205處之目標混合物1214以將混合物1214內之目標材料轉換成發射在EUV範圍內之光的電漿。經放大光束1210在基於雷射系統1215之設計及屬性而判定之特定波長(其亦被稱作驅動雷射波長)下操作。另外，經放大光束1210在目標材料將足夠回饋提供回至雷射系統1215中以產生相干雷射光時或在驅動雷射系統1215包括合適光學回饋以形成雷射空腔的情況下可為雷射光束。 其他實施係在申請專利範圍之範疇內。舉例而言，光學濾光器系統130、630、730、830及930中之任一者可包括比所展示多或少之元件，且該等元件可按除上文所展示之例示性組態外的組態來配置。光學濾光器系統130、630、730、830及930中之任一者可彼此一起使用，且光源可包括大於一個特定光學濾光器系統。
100‧‧‧光學微影系統
101‧‧‧極紫外線(EUV)光源
102‧‧‧光源
104‧‧‧光產生模組
108‧‧‧光學放大器
109‧‧‧增益介質
110‧‧‧光束
111‧‧‧初始光束
112‧‧‧光束路徑
113‧‧‧反射
115‧‧‧目標區
117‧‧‧光束
120‧‧‧目標
121‧‧‧輻照部位
130‧‧‧以波長為基礎之光學濾光器系統
131‧‧‧輸入
132‧‧‧光學系統
133‧‧‧輸出
195‧‧‧光微影工具
196‧‧‧EUV光
201‧‧‧EUV光源
202‧‧‧光源
204a‧‧‧光產生模組/第一發光模組
204b‧‧‧光產生模組
205‧‧‧光產生系統
207‧‧‧前置放大器/元件
209‧‧‧光束組合器
210a‧‧‧第一光束
210b‧‧‧第二光束
215a‧‧‧初始目標區
215b‧‧‧經修改目標區
220a‧‧‧初始目標
220b‧‧‧經修改目標
225‧‧‧光束遞送系統
301‧‧‧EUV光源
302‧‧‧光源
304‧‧‧光產生模組
305‧‧‧光產生系統
310a‧‧‧第一光束
310b‧‧‧第二光束
401‧‧‧EUV光源
402‧‧‧光源
404a‧‧‧第一光產生模組
404b‧‧‧第二光產生模組
405‧‧‧光產生系統
407‧‧‧前置放大器
408a‧‧‧放大器
408b‧‧‧放大器
409‧‧‧光束組合器
409a‧‧‧增益介質
410a‧‧‧第一光束
410b‧‧‧第二光束
412a‧‧‧光束路徑
412b‧‧‧光束路徑
414‧‧‧路徑
430a‧‧‧光學濾光器系統
430b‧‧‧光學濾光器系統
501‧‧‧EUV源
502‧‧‧光源
504‧‧‧光產生模組
505‧‧‧光產生系統
510‧‧‧光束
610a‧‧‧第一光束
610b‧‧‧第二光束
630‧‧‧光學濾光器系統
631‧‧‧入口側/入口
632‧‧‧色散光學元件
633‧‧‧出口側/出口
635‧‧‧二向色元件
636‧‧‧操縱光學元件
637‧‧‧波長
710‧‧‧光束
730‧‧‧光學濾光器系統
731‧‧‧入口
732‧‧‧移除光學元件
733‧‧‧出口
736‧‧‧操縱光學元件
737‧‧‧光
810a‧‧‧初始光束/第一光束
810b‧‧‧初始光束/第二光束
812a‧‧‧路徑
812b‧‧‧路徑
830‧‧‧光學濾光器系統
831‧‧‧入口側
832‧‧‧光學濾光元件
832a‧‧‧光學濾光元件
832b‧‧‧光學濾光元件
833‧‧‧出口側
835‧‧‧二向色光學元件
838‧‧‧基板
839‧‧‧塗層
841‧‧‧方向
910a‧‧‧初始光束
910b‧‧‧初始光束
930‧‧‧光學濾光器系統
931‧‧‧入口側
932‧‧‧光學濾光元件
933‧‧‧出口側
938‧‧‧基板
939‧‧‧塗層
1001‧‧‧EUV光源
1002‧‧‧光源
1004‧‧‧光產生模組
1010‧‧‧光束
1050‧‧‧光學隔絕裝置
1100‧‧‧EUV光源
1102‧‧‧光源
1104‧‧‧光產生模組
1110‧‧‧光束
1189‧‧‧部位
1200‧‧‧LPP EUV光源
1205‧‧‧目標部位
1207‧‧‧內部
1210‧‧‧經放大光束
1214‧‧‧目標混合物
1215‧‧‧驅動雷射系統
1220‧‧‧光束傳送系統
1222‧‧‧聚焦總成
1224‧‧‧度量衡系統
1225‧‧‧目標材料遞送系統
1226‧‧‧目標材料遞送控制系統
1227‧‧‧目標材料供應設備
1230‧‧‧真空腔室
1235‧‧‧收集器鏡面
1240‧‧‧孔隙
1245‧‧‧中間部位
1250‧‧‧開端式中空圓錐形護罩
1255‧‧‧主控控制器
1256‧‧‧小滴位置偵測回饋系統
1257‧‧‧雷射控制系統
1258‧‧‧光束控制系統
1260‧‧‧目標或小滴成像器
1265‧‧‧光源偵測器
1270‧‧‧光源偵測器
1275‧‧‧導引雷射
1280‧‧‧驅動雷射系統
1281‧‧‧功率放大器
1282‧‧‧功率放大器
1283‧‧‧功率放大器
1284‧‧‧光
1285‧‧‧輸出窗口
1286‧‧‧彎曲鏡面
1287‧‧‧空間濾光器
1288‧‧‧彎曲鏡面
1289‧‧‧輸入窗口
1290‧‧‧輸出窗口
1291‧‧‧光
1292‧‧‧摺疊鏡面
1293‧‧‧輸入窗口
1294‧‧‧輸出窗口
1295‧‧‧輸出光束
1296‧‧‧摺疊鏡面
1297‧‧‧孔隙
X‧‧‧標記
圖1A為例示性光學微影系統之方塊圖。 圖1B為可用於圖1A之光學微影系統中的例示性光學濾光器系統之方塊圖。 圖2至圖5、圖10及圖11為例示性極紫外線(EUV)光源之方塊圖。 圖6、圖7、圖8A及圖9A為可用於EUV光源中之例示性光學濾光器系統之方塊圖。 圖8B及圖9B為可分別用於圖8A及圖9B之光學濾光器系統中的例示性光學元件之側視圖。 圖12A及圖12B為用於極EUV光源之驅動雷射系統之方塊圖。

Claims (17)

  1. 一種用於一極紫外線(EUV)光微影工具之光源，該光源包含： 一光產生系統，其包含一光產生模組； 一光學放大器，其包含與一增益頻帶相關聯之一增益介質，該增益介質經組態以放大具有在該增益頻帶中之一波長的光；及 一以波長為基礎之光學濾光器系統，其在處於該光產生模組與該光學放大器之間的一光束路徑上，該以波長為基礎之光學濾光器系統包含至少一個光學元件，該至少一個光學元件經組態以允許具有在一第一波長集合中之一波長的光在該光束路徑上傳播且自該光束路徑移除具有在一第二波長集合中之一波長的光，該第一波長集合及該第二波長集合包含在該光學放大器之該增益頻帶中的不同波長。
  2. 如請求項1之光源，其中該至少一個光學元件包含一色散光學元件、一光學濾光元件及一干涉計中之一或多者。
  3. 如請求項2之光源，其中該色散光學元件包含一稜鏡及一光柵中之一或多者。
  4. 如請求項2之光源，其中該至少一個光學濾光元件包含以下各者中之一或多者：包含一多層塗層的一光學元件；及經組態以吸收具有在該第二波長集合中之一或多個波長的光的一光學元件。
  5. 如請求項2之光源，其中該干涉計包含一標準具。
  6. 如請求項3之光源，其中該色散光學元件可包含一光柵，該光柵經定位以將具有在該第一波長集合中之一波長的光反射至該光束路徑上，且將具有在該第二波長集合中之一波長的光反射遠離該光束路徑。
  7. 如請求項6之光源，其中該以波長為基礎之光學濾光器系統進一步包含至少一個二向色光學元件。
  8. 如請求項7之光源，其中至少一個二向色光學元件處於該光產生模組與該光柵之間。
  9. 一種用於一極紫外線(EUV)光源之光學濾光器系統，該光學濾光器系統經組態以用於置放於該EUV光源之一光學放大器與一光產生模組之間，該光學放大器包含經組態以放大一增益頻帶內之光的一增益介質，該光學濾光器系統包含： 至少一個光學元件，該至少一個光學元件經組態以反射或透射具有在一第一波長頻帶中之一波長的光且拒絕具有在一第二波長頻帶中之一波長的光，該第一波長頻帶及該第二波長頻帶在該放大器之該增益頻帶中，且該第一波長頻帶及該第二波長頻帶包含完全不同的波長。
  10. 如請求項9之光學濾光器系統，其中該第一波長頻帶包括與一預脈衝光束相關聯之一第一波長及與一主光束相關聯之一第二波長。
  11. 如請求項10之光學濾光器系統，其進一步包含至少一個二向色光學元件。
  12. 如請求項9之光學濾光器系統，其中該至少一個光學元件包含一光學濾光元件、一色散光學元件及一干涉計中之一或多者。
  13. 如請求項12之光學濾光器系統，其中該色散光學元件為一稜鏡及一光柵中之一或多者。
  14. 如請求項12之光學濾光器系統，其中該光學濾光元件包含以下各者中之一或多者：包含一多層塗層的一光學元件；及經組態以吸收具有特定波長之光的一光學元件。
  15. 一種方法，其包含： 自一光產生模組發射一光束至一光束路徑上，該光束路徑處於該光產生模組與一電漿位點之間，且該光束具有一第一波長； 使該光束傳遞通過一光學濾光器系統； 將射出該光學濾光器系統之光導向至一光學放大器以產生一經放大光束，該光學放大器包含放大在一增益頻帶中之光的一增益介質；及 將該經放大光束提供至該電漿位點，該電漿位點接收在處於一電漿狀態中時發射EUV光之目標材料，其中 該第一波長在該光學放大器之該增益頻帶中， 該光學濾光器系統允許具有該第一波長之光在該光束路徑上傳播，且 該光學濾光器系統自該光束路徑移除具有在該光學放大器之該增益頻帶中的除該第一波長外之一波長的光。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包含將一目標提供至該電漿位點，該目標包含該目標材料，且其中該經放大光束具有足以將該目標材料中之至少一些轉換至發射EUV光之該電漿狀態的一能量。
  17. 一種用於一光微影工具之光源，該光源包含： 一光產生模組，其經組態以發射一光束； 一光學放大器，其包含在一光束路徑上之一增益介質，該增益介質與一增益頻帶相關聯，該光學放大器經組態以放大具有在該增益頻帶中之一波長的光；及 一以波長為基礎之光損失系統，其在處於該光產生模組與該光學放大器之間的該光束路徑上，該以波長為基礎之光損失系統經組態以自該光束路徑移除在該增益頻帶中之一或多個波長下的光。
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