JP7140750B2 - 波長ベースの光フィルタリング - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
この出願は、２０１６年９月２０日に出願された米国特許出願第１５／２７０，０７２号の利益を主張し、同特許は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
開示される対象物は、波長ベースの光フィルタリングに関する。例えば、波長ベースの光フィルタシステムは、光生成モジュールと光増幅器との間の光分離を提供するため、極端紫外線（ＥＵＶ）光源に含めることができる。また、光フィルタシステムは、光生成モジュールと、ターゲット材料と増幅光との間の相互作用によって生成されたプラズマとの間の分離を提供することもできる。
例えば、およそ５０ｎｍ以下の波長を有し（軟Ｘ線と呼ばれる場合もある）、約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射である極端紫外線（「ＥＵＶ」）光は、フォトリソグラフィプロセスにおいて、基板（例えば、シリコンウェーハ）に極めて小さなフィーチャを生成するために使用することができる。
ＥＵＶ光を生成するための方法は、必ずしもこれらに限定されないが、例えば、キセノン、リチウム又はスズなどの元素を有する材料をＥＵＶ範囲の輝線を有するプラズマ状態に変換させることを含む。そのような一方法（レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる場合が多い）では、必要なプラズマは、ドライブレーザと呼ぶことができる増幅光ビームをターゲット材料（例えば、材料の小滴、プレート、テープ、ストリーム又はクラスタの形態）に照射することによって生成することができる。このプロセスの場合、プラズマは、典型的には、密封容器（例えば、真空チャンバ）内で生成され、様々なタイプの計測機器を使用してモニタされる。
一般的な一態様では、極端紫外線（ＥＵＶ）フォトリソグラフィツール用の光源は、光生成モジュールを含む光生成システムと、利得帯域と関連付けられた利得媒体を含む光増幅器であって、利得媒体が、利得帯域の波長を有する光を増幅するように構成された、光増幅器と、光生成モジュールと光増幅器との間のビーム経路上の波長ベースの光フィルタシステムであって、第１の波長セットの波長を有する光をビーム経路上で伝播させることができ、第２の波長セットの波長を有する光をビーム経路から除去するように構成された少なくとも１つの光学素子を含む波長ベースの光フィルタシステムであり、第１の波長セット及び第２の波長セットが、光増幅器の利得帯域の異なる波長を含む、波長ベースの光フィルタシステムとを含む。
実装形態は、以下の特徴のうちの１つ又は複数を含み得る。少なくとも１つの光学素子は、分散光学素子、光フィルタリング素子及び干渉計のうちの１つ又は複数を含み得る。分散光学素子は、プリズム及び格子のうちの１つ又は複数を含み得る。少なくとも１つの光フィルタリング素子は、多層コーティングを含む光学素子、及び第２の波長セットの１つ又は複数の波長を有する光を吸収するように構成された光学素子のうちの１つ又は複数を含み得る。干渉計は、エタロンを含み得る。分散光学素子は、格子を含み得、格子は、第１の波長セットの波長を有する光をビーム経路に向けて反射させ、第２の波長セットの波長を有する光をビーム経路から離れるように反射させるように位置付けられる。また、波長ベースの光フィルタシステムは、少なくとも１つの二色性光学素子も含み得る。少なくとも１つの二色性光学素子は、光生成モジュールと格子との間に位置し得る。
いくつかの実装形態では、波長ベースの光フィルタシステムの少なくとも１つの光学素子は、少なくとも１つの光フィルタリング素子を含み得、光フィルタリング素子は、第１の波長セットの波長を有する光を反射又は透過させるように構成することができ、光フィルタリング素子は、第２の波長セットの波長を有する光を吸収するように構成することができる。光フィルタリング素子は、銅基板及び銅基板上のコーティングを含み得る。少なくとも１つの光学素子は、光フィルタリング素子の一セットを含み得、光フィルタリング素子セットの光フィルタリング素子は、光フィルタシステムのビーム経路の一部分を定義するように配置することができ、光フィルタリング素子セットのすべての光フィルタリング素子は、第１の波長セットの波長を有する光をビーム経路上で伝播させることができ、第２の波長セットの波長を有する光をビーム経路から除去するように構成することができる。少なくとも１つの光学素子は、第１の光フィルタリング素子セット及び第２の光フィルタリング素子セットを含み得る。第１の光フィルタリング素子セットは、光フィルタシステムの第１のビーム経路を定義するように配置することができ、第２の光フィルタリング素子セットは、光フィルタシステムの第２のビーム経路を定義するように配置することができる。第１の光フィルタリング素子セットの光フィルタリング素子は、第１の波長セットの第１の波長を有する光を光フィルタシステムの第１のビーム経路上で伝播させることができるように構成することができ、第２の光フィルタリング素子セットの光フィルタリング素子は、第１の波長セットの第２の波長を有する光を光フィルタシステムの第２のビーム経路上で伝播させることができるように構成することができ、第２の波長は、第１の波長とは異なり、第１の光フィルタリング素子セット及び第２の光フィルタリング素子セットの光フィルタリング素子は、第２の波長セットの波長を有する光を吸収するように構成することができる。
また、光源は、偏光ベースの光分離システムも含み得、偏光ベースの光分離システムは、第１の偏光を有する光を透過させ、第２の偏光を有する光を遮断するように構成され、第２の偏光は、第１の偏光とは異なり、波長ベースの光フィルタシステムは、光生成モジュールと偏光ベースの光分離システムとの間に位置する。
光生成モジュールは、２つ以上の光生成モジュールを含み得、光生成モジュールのうちの１つは、第１の波長を有する第１の光ビームを生成するように構成され、光生成モジュールのうちの別の１つは、第２の波長の波長を有する第２の光ビームを生成するように構成され、第１及び第２の波長は、第１の波長セットのものである。各光生成モジュールは、レーザであり得る。
また、光源の光生成システムは、光生成モジュールから放出された光を受信するように位置付けられた１つ又は複数の光増幅器も含み得る。波長ベースの光フィルタシステムは、光生成システムの光増幅器と光生成モジュールとの間に位置し得る。光生成システムは、２つ以上の光増幅器を含み得、波長ベースの光フィルタシステムは、光生成システムの２つの光増幅器の間に位置し得る。
光増幅器は、複数の光増幅器を含み得、光増幅器の各々は、利得帯域と関連付けられた利得媒体を含み、波長ベースの光フィルタシステムは、２つの光増幅器の間に位置し得る。２つの光増幅器は、光生成システムから分離することができる。
光生成モジュールは、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザであり得る。
また、いくつかの実装形態では、光源は、光生成システムとは別の第２の光生成システムも含み、第２の光生成システムは、光ビームを放出するように構成され、光ビームは、第１の波長セットの波長を有する。
第１の波長セットは、単一の波長のみを含み得る。
第１の波長セットは、複数の波長を含み得る。
第２の波長セットは、第１の波長セットの波長以外の利得帯域のすべての波長を含み得る。
別の一般的な態様では、極端紫外線（ＥＵＶ）光源用の光フィルタシステムは、ＥＵＶ光源の光増幅器と光生成モジュールとの間に配置されるように構成され、光増幅器は、利得帯域内で光を増幅するように構成された利得媒体を含み、光フィルタシステムは、少なくとも１つの光学素子を含み、少なくとも１つの光学素子は、第１の波長帯域の波長を有する光を反射又は透過させ、第２の波長帯域の波長を有する光を拒絶するように構成され、第１及び第２の波長帯域は、増幅器の利得帯域のものであり、第１の波長帯域及び第２の波長帯域は、完全に異なる波長を含む。
実装形態は、以下の特徴のうちの１つ又は複数を含む。第１の波長帯域は、プレパルスビームと関連付けられた第１の波長と、メインビームと関連付けられた第２の波長とを含み得る。また、光フィルタシステムは、少なくとも１つの二色性光学素子も含み得る。
少なくとも１つの光学素子は、光フィルタリング素子、分散光学素子及び干渉計のうちの１つ又は複数を含み得る。分散光学素子は、プリズム及び格子のうちの１つ又は複数であり得る。光フィルタリング素子は、多層コーティングを含む光学素子、及び特定の波長を有する光を吸収するように構成された光学素子のうちの１つ又は複数であり得る。
別の一般的な態様では、光ビームは、光生成モジュールからビーム経路に放出され、ビーム経路は、光生成モジュールとプラズマサイトとの間に位置し、光ビームは、第１の波長を有する。光ビームは、光フィルタシステムを通過する。光フィルタシステムを出た光は、増幅光ビームを生成するために光増幅器の方に誘導され、光増幅器は、利得帯域の光を増幅する利得媒体を含む。増幅光ビームは、プラズマサイトに提供され、プラズマサイトは、プラズマ状態の時にＥＵＶ光を放出するターゲット材料を受け取り、第１の波長は、光増幅器の利得帯域のものであり、光フィルタシステムは、第１の波長を有する光をビーム経路上で伝播させることができ、光フィルタシステムは、光増幅器の利得帯域の第１の波長以外の波長を有する光をビーム経路から除去する。
実装形態は、以下の特徴のうちの１つ又は複数を含み得る。ターゲットは、プラズマサイトに提供することができ、ターゲットは、ターゲット材料を含む。増幅光ビームは、ターゲット材料の少なくとも一部をＥＵＶ光を放出するプラズマ状態に変換させるのに十分なエネルギーを有し得る。
別の一般的な態様では、フォトリソグラフィツール用の光源は、光ビームを放出するように構成された光生成モジュールと、ビーム経路上の利得媒体を含む光増幅器であって、利得媒体が、利得帯域と関連付けられる、光増幅器であり、利得帯域の波長を有する光を増幅するように構成された光増幅器と、光生成モジュールと光増幅器との間のビーム経路上の波長ベースの光学損失システムであって、利得帯域の１つ又は複数の波長の光をビーム経路から除去するように構成された波長ベースの光学損失システムとを含む。
上記で説明される技法のうちの何れかの実装形態は、ＥＵＶ光源、方法、プロセス、デバイス又は装置を含み得る。１つ又は複数の実装形態の詳細は、添付の図面及び以下の説明において記載する。他の特徴は、説明及び図面から並びに請求項から明らかになるであろう。
例示的な光リソグラフィシステムのブロック図である。 図１Ａの光リソグラフィシステムで使用することができる例示的な光フィルタシステムのブロック図である。 例示的な極端紫外線（ＥＵＶ）光源のブロック図である。 例示的な極端紫外線（ＥＵＶ）光源のブロック図である。 例示的な極端紫外線（ＥＵＶ）光源のブロック図である。 例示的な極端紫外線（ＥＵＶ）光源のブロック図である。 ＥＵＶ光源で使用することができる例示的な光フィルタシステムのブロック図である。 ＥＵＶ光源で使用することができる例示的な光フィルタシステムのブロック図である。 ＥＵＶ光源で使用することができる例示的な光フィルタシステムのブロック図である。 図８Ａの光フィルタシステムで使用することができる例示的な光学素子の側面図である。 ＥＵＶ光源で使用することができる例示的な光フィルタシステムのブロック図である。 図９Ｂの光フィルタシステムで使用することができる例示的な光学素子の側面図である。 例示的な極端紫外線（ＥＵＶ）光源のブロック図である。 例示的な極端紫外線（ＥＵＶ）光源のブロック図である。 極端ＥＵＶ光源用のドライブレーザシステムのブロック図である。 極端ＥＵＶ光源用のドライブレーザシステムのブロック図である。
波長ベースの光フィルタシステムが開示されている。波長ベースの光フィルタシステムは、ＥＵＶ光源の光源における自然放出増幅光（ＡＳＥ）を低減又は排除するために使用することができる。波長ベースの光フィルタシステムは、単独で使用することも、ＡＳＥ以外の外部光を分離又はフィルタリングする光分離デバイス（偏光ベースの光分離デバイス及び／又は音響光学光分離デバイスなど）と共に使用することもできる。
図１Ａを参照すると、例示的な光リソグラフィシステム１００のブロック図が示されている。光学システム１００は、フォトリソグラフィツール１９５で使用するためのＥＵＶ光１９６を生成する極端紫外線（ＥＵＶ）光源１０１を含む。光学システム１００は、光源１０２を含み、光源１０２は、経路１１２に沿ってターゲット領域１１５に向けてｚ方向に伝播する光ビーム１１０を放出する。ターゲット領域１１５は、ターゲット１２０を受け取り、ターゲット１２０は、プラズマに変換されるとＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含む。
光源１０２は、光生成モジュール１０４、波長ベースの光フィルタシステム１３０及び光増幅器１０８を含み、光増幅器１０８は、経路１１２上の利得媒体１０９を含む。光生成モジュール１０４は、光の供給源（例えば、１つ若しくは複数のレーザ、ランプ又はそのような要素の任意の組合せ）である。光増幅器１０８は、経路１１２上のそれぞれの利得媒体を有するように配置された２つ以上の光増幅器を含み得る。光増幅器１０８は、図１２Ｂのドライブレーザシステム１２８０などのドライブレーザシステムのすべて又は一部であり得る。光増幅器１０８は、図２のプリアンプ２０７などのプリアンプであり得る。光生成モジュール１０４は、初期の光ビーム１１１を生成する。初期の光ビーム１１１は、光ビーム１１０を生成するために、光増幅器１０８によって増幅される。初期の光ビーム１１１は、利得媒体１０９の利得帯域の波長を有する。
利得媒体１０９と関連付けられた利得帯域は、波長の範囲、セット又は帯域によって定義される。利得帯域は、離散波長の集合体又は波長の１つ若しくは複数の連続範囲であり得る。利得媒体１０９は、利得帯域の波長を有する光のみを増幅する。利得帯域の波長は、利得媒体１０９の材料プロパティによって決定される。利得媒体１０９は、例えば、閃光電球、別のレーザ源、発熱化学反応又は放電などのエネルギー源によって媒体１０９にエネルギーが供給されると励起するキャリア（電子など）を含む。利得媒体１０９は、媒体１０９にエネルギーが供給されない際にキャリアが存在する最低のエネルギーレベル（例えば、基底状態）を有する放射種を含む材料（例えば、ガス、半導体、非ガス状誘電体又は結晶）である。放射種は、媒体１０９のタイプに依存し、例えば、原子又は分子であり得る。
媒体１０９にエネルギーが供給されると、キャリアは、高エネルギーレベルに励起し、キャリアが励起エネルギーレベルから低エネルギーレベルに遷移すると、媒体１０９によって光が放出される。放出される光の波長は、励起エネルギーレベルと低エネルギーレベルとのエネルギー差によって決定される。利得媒体１０９の量子プロパティは、可能なエネルギー差を決定し、可能なエネルギー差は、媒体１０９の利得帯域の波長を決定する。
初期の光ビーム１１１とエネルギーが供給された媒体１０９との間の相互作用は、利得帯域の波長を有する初期の光ビーム１１１を増幅する。しかし、初期の光ビーム１１１を増幅することに加えて、エネルギーが供給された媒体１０９は、媒体の高い励起エネルギーレベルの何れかから低エネルギーレベルに自然遷移する励起キャリアから生じる光の放出も行う。これらの自然遷移は、光学的に増幅され得、この事例では、自然放出増幅光（ＡＳＥ）と呼ばれる。ＡＳＥは、利得帯域のいかなる波長ででも起こり得、雑音と見なすことができる。
以下でさらに詳細に論じられるように、波長ベースの光フィルタシステム１３０は、経路１１２上のＡＳＥを防止又は低減するために、光生成モジュール１０４と光増幅器１０８との間に配置される。ＡＳＥは、ターゲット領域１１５に達し得る制御されていないエネルギーフローと見なすことができる。ＥＵＶ光を効率的に放出するプラズマを生成するため、光源１０２は、光ビーム１１０とターゲット１２０がターゲット領域１１５の照射場所１２１において空間的及び時間的に一致するように制御される。しかし、ＡＳＥは本質的には制御されていない光又は寄生光であるため、ＡＳＥは、予想外の方法でターゲット領域１１５に達し得る。
ターゲット領域１１５に達したＡＳＥは、プラズマの生成を妨げる場合がある（従って、ＥＵＶ光の生成を妨げる場合がある）。例えば、ＡＳＥは、ターゲット１２０がｙ方向に移動している間、照射場所１２１と比べて－ｙ方向の場所においてターゲット領域１１５に達する場合がある。この例では、ＡＳＥは、ターゲット１２０と相互作用し得、光源１０２に逆戻りする反射を引き起こすこと及び／又は予想外の方法でターゲット１２０を修正することがある。これらの結果は両方とも、プラズマの効率的な生成に有害であり得、生成されるＥＵＶ光の量を低減し得る。例えば、ＡＳＥは利得帯域の波長の光であるため、経路１１２に沿って伝播する－ｚ方向におけるＡＳＥの反射（反射１１３など）は、増幅器１０８の励起キャリアを激減させ得、初期の光ビーム１１１を増幅するためのキャリアは少数しか残らない。それに加えて又はその代替として、反射は、移動ターゲット１２０及び光源１０２の要素によって形成された一時的な空洞における振動を引き起こし得る。そのような振動により、追加のＡＳＥ生成光が予想外の方法でターゲット領域１１５に達することが起こり得る。
光ビーム１１０がターゲット１２０と相互作用する前にターゲット１２０と相互作用するＡＳＥは、予想外の方法でターゲット材料の幾何分布及び／又は配向を変更することによって、ターゲット材料をプラズマに変換する効率に影響を及ぼし得る。これにより、ターゲット１２０がプラズマに変換される際に生成されるＥＵＶ光の量が低減され得る。それに加えて、これらの変動は、リソグラフィツール１９５に経時的に提供されるＥＵＶ光の量の変動をもたらし得る。そのような変動は、ツール１０５によって露光されるウェーハの電子フィーチャの欠陥及び／又はリソグラフィツール１９５の性能の低減をもたらし得る。
波長ベースの光フィルタシステム１３０は、ターゲット領域１１５に達することを意図しない光増幅器１０８の利得帯域の波長をビーム経路１１２から除去することによって、ＡＳＥの影響に対抗する。フィルタシステム１３０は、波長ベースの光学損失システムであると見なすことができ、波長ベースの光学損失システムは、利得帯域の特定の波長の損失の量を選択的に増大し、その結果、これらの波長は、経路１１２上をＡＳＥとして伝播することができないか又は別の方法で軽減される。例えば、フィルタシステム１３０は、初期のビーム１１１にはない波長をビーム経路１１２から除去することができる。初期のビーム１１１にある１つ又は複数の波長は、利得帯域の１つ又は複数の波長の第１のセットと見なすことができ、経路１１２から除去される波長は、利得帯域の１つ又は複数の波長の第２のセットである。第２の波長セットの波長は、第１の波長セットの波長とは異なり、第２の波長セットの波長は、第１の波長セットにはない利得帯域の波長のすべて又は何れかを含み得る。
第１及び第２の波長セットの各々は、離散波長の集合体、波長の１つ若しくは複数の連続帯域、又は、単一の波長を含み得る。第１及び第２の波長セットの波長は、完全に異なる波長を含むという点で異なり得る。例えば、第１の波長セットは、１０．６μｍを中心とする波長帯域及び１０．２６μｍを中心とする波長帯域を含み得、第２の波長セットは、１０．６μｍ、１０．２６μｍ以外の波長及びこれらの波長を中心とする帯域に含まれる波長を含み得る。いくつかの実装形態では、第１及び第２の波長セットの波長は、何らかのスペクトルオーバーラップを有し得る。例えば、波長１０．６μｍ及び１０．２６μｍを中心とする帯域に含まれる波長は、第１及び第２の波長セットに存在し得るが、波長１０．６μｍ及び１０．２６μｍは、第１の波長セットにのみ含まれ、第２の波長セットには含まれない。第２の波長セットは、利得媒体１０９の利得帯域のいかなる波長も含み得る。例えば、第２の波長セットの波長は、第１の波長セットの最小波長未満の波長や、第１の波長セットの最大波長を超える波長を含み得る。
図１Ｂを参照すると、例示的な波長ベースの光フィルタシステム１３０のブロック図が示されている。光フィルタシステム１３０は、経路１１２上にあり、入力１３１において初期の光ビーム１１１を受信する。光フィルタシステム１３０は、光学システム１３２を含む。光学システム１３２は、１つ若しくは複数の光学素子又はコンポーネントを含み、１つ若しくは複数の光学素子又はコンポーネントは、第１の波長セットの波長を有する光を経路１１２上で伝播させることができ、第２の波長セットの波長を有する光を経路１１２から除去する。光学システム１３２は、例えば、第２の波長セットの波長を有する光を吸収、透過及び／又は偏向させることによって、それらの波長を有する光を経路１１２から除去することができる。
１つ又は複数の光学素子は、光との相互作用が可能ないかなるデバイス又はコンポーネントも含み得る。１つ又は複数の光学素子は、例えば、レンズ、ミラー、プリズム、二色性素子又はそのような要素の組合せを含み得る。光学素子は、分散光学素子（プリズム若しくは格子など）、光フィルタリング素子及び／又は干渉計（エタロンなど）を含み得る。光フィルタリング素子は、光の波長に基づいて光を反射、透過及び／又は吸収するいかなる要素でもあり得る。例えば、光フィルタリング素子は、材料の１つ又は複数の層を基板又は光学素子上に堆積させた光学素子（レンズ若しくはミラーなど）又は基板（銅基板など）であり得、材料の層の存在は、透過、反射及び／又は吸収される波長を変更する。ある特定の波長を吸収するように構成された光学素子の例は、流体セルであり、ある特定の波長を有する光を吸収する光学的に透明な気体又は液体を含む。また、光フィルタシステム１３０は、例えば、光フィルタシステムにおいて伝播する光のステアリング、誘導及び／又は集束を行うために使用されるミラー及び／又はレンズなどの他の光学素子も含み得る。
光フィルタシステム１３０は、出力１３３において光ビーム１１７を放出する。光ビーム１１７は、第１の波長セットの波長を含むが、第２の波長セットの波長の光はほとんど又は全く含まない。
光フィルタシステム１３０の追加の例示的な実装形態は、図６～９に示されている。光フィルタシステム１３０の様々な実装形態の詳細について論じる前に、光フィルタシステム１３０の実装形態を使用することができる光学システムのさらなる例について論じる。
図２を参照すると、例示的な光源２０２を含むＥＵＶ光源２０１のブロック図が示されている。光源２０２は、光学システム１００の光源１０２（図１）として使用することができる。ＥＵＶ光源２０１は、第１の光ビーム２１０ａ（図２では実線として示されている）を使用して初期のターゲット２２０ａを調節し、第２の光ビーム２１０ｂ（図２では破線として示されている）を使用して、調節されたターゲットをＥＵＶ光を放出するプラズマに変換する。光源２０１では、第１及び第２の光ビーム２１０ａは経路１１２上を伝播し、光ビーム２１０ａ、２１０ｂは両方とも増幅器１０８に入射する。図２の例では、光フィルタシステム１３０は、光増幅器１０８と光生成システム２０５との間の経路１１２上にある。
光源２０２は、２つの光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂを含む光生成システム２０５を含む。図２の例では、光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂはそれぞれ、第１及び第２の光ビーム２１０ａ、２１０ｂを生成する。光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂは、例えば、２つのレーザであり得る。例えば、光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂの各々は、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザであり得る。いくつかの実装形態では、光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂの各々は、異なるタイプのレーザである。例えば、光生成モジュール２０４ａは、ソリッドステートレーザ（例えば、ネオジム（Ｎｄ）：ＹＡＧレーザ又はエルビウムドープファイバレーザなど）であり得、光生成モジュール２０４ｂは、ＣＯ２レーザであり得る。
第１及び第２の光ビーム２１０ａ、２１０ｂは、利得媒体１０９の利得帯域内の異なる波長を有する。例えば、光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂが２つのＣＯ２レーザを含む実装形態では、光ビーム２１０ａ、２１０ｂは、両方のビームが同じタイプのレーザ源から生成された場合であっても、ＣＯ２レーザの異なるラインから生成され、異なる波長を有する光ビーム２１０ａ、２１０ｂをもたらす。例えば、第１の光ビーム２１０ａの波長は、約１０．２６マイクロメートル（μｍ）であり得る。第２の光ビーム２１０ｂの波長は、約１０．１８μｍ～１０．２６μｍであり得るか、又は、第２の光ビーム２１０ｂの波長は、約１０．５９μｍであり得る。第１の発光モジュール２０４ａがソリッドステートレーザである実装形態では、第１の光ビーム２１０ａの波長は、例えば、１．０６μｍであり得る。光ビーム２１０ａ、２１０ｂは、異なる強度を有し得る。
また、光生成システム２０５は、第１及び第２のビーム２１０ａ、２１０ｂをビーム経路１１２上に誘導するビームコンバイナ２０９も含む。ビームコンバイナ２０９は、第１及び第２のビーム２１０ａ、２１０ｂをビーム経路１１２上に誘導するために、第１のビーム２１０ａ及び／又は第２のビーム２１０ｂとの相互作用が可能ないかなる光学素子又は光学素子の集合体でもあり得る。例えば、ビームコンバイナ２０９は、ミラーの集合体であり得、ミラーのいくつかは、第１のビーム２１０ａをビーム経路１１２上に誘導するように位置付けられ、他のミラーは、第２のビーム２１０ｂをビーム経路１１２上に誘導するように位置付けられる。
また、光生成システム２０５は、１つ又は複数のプリアンプ（図２ではプリアンプ２０７で表されている）も含み得る。プリアンプ２０７は、光生成モジュール２０４内で第１及び第２のビーム２１０ａ、２１０ｂを受信し、増幅する。プリアンプ２０７もまた利得媒体を含み、また、プリアンプがＡＳＥを生成することもあり得る。
第１及び第２のビーム２１０ａ、２１０ｂは、異なる時刻に経路１１２上を伝播することができるが、ビーム２１０ａ、２１０ｂは両方とも、光源２０２を通じて実質的に同じ空間領域を横断し、両方とも、光増幅器１０８の利得媒体１０９を通過する。図６及び８に関して論じられるものなどのいくつかの実装形態では、第１及び第２のビーム２１０ａ、２１０ｂは、光フィルタシステム１３０内で分離され、経路１１２上を伝播するために再結合されて光増幅器１０８に入る。
図２の実装形態では、第１及び第２のビーム２１０ａ、２１０ｂは、ビームデリバリシステム２２５によって角度分散され、その結果、第１のビーム２１０ａは、初期のターゲット領域２１５ａに向けて誘導され、第２のビーム２１０ｂは、初期のターゲット領域２１５ａに対して－ｙ方向に移動させた修正ターゲット領域２１５ｂに向けて誘導される。いくつかの実装形態では、ビームデリバリシステム２２５は、初期の及び修正ターゲット領域２１５ａ、２１５ｂ内又はその近くの場所への第１及び第２のビーム２１０ａ、２１０ｂのそれぞれの集束も行う。
初期のターゲット領域２１５ａは、初期のターゲット２２０ａを受け取り、第１のビーム２１０ａを受信する。第１のビーム２１０ａは、初期のターゲット２２０ａのターゲット材料の幾何分布を修正ターゲット領域２１５ｂで受け取られる修正ターゲットに修正するのに十分なエネルギーを有する（例えば、エネルギーは、ターゲット材料の空間再構成を開始するのに十分であり得る）。また、第２のビーム２１０ｂは、修正ターゲット領域２１５ｂで受信される。第２のビーム２１０ｂは、修正ターゲット２２０ｂのターゲット材料の少なくとも一部をＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するのに十分なエネルギーを有する。この例では、第１のビーム２１０ａは、「プレパルス」と呼ぶことができ、第２のビーム２１０ｂは、「メインパルス」と呼ぶことができる。
第１のビーム２１０ａ及び第２のビーム２１０ｂに加えて、ＡＳＥから生じる寄生光は、増幅器１０８及び／又はプリアンプ２０７によって生成され得る。光フィルタシステム１３０は、第１のビーム２１０ａ又は第２のビーム２１０ｂの波長ではないが増幅器１０８及び／又はプリアンプ２０７の利得帯域の波長を有する光を経路１１２から除去することによって、経路１１２上を伝播するＡＳＥの量を低減する。
図２に示される例では、光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７と増幅器１０８との間に位置する。しかし、いくつかの実装形態では、光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７と光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂとの間に位置し得る。さらに、光生成システム２０５は、２つ以上のプリアンプ２０７を含み得る。これらの実装形態では、光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７の何れか２つの間、又は、光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂとモジュール２０４ａ、２０４ｂに最も近いプリアンプ２０７との間に位置し得る。図１１は、光フィルタシステム１３０の配置の例を示す。
図３を参照すると、別の例示的な光源３０２を含むＥＵＶ光源３０１のブロック図が示されている。光源３０２は、光学システム１００の光源１０２（図１Ａ）として使用することができる。光源３０２は、光源２０２と同様であるが、光源３０２は、単一の光生成モジュール３０４を使用して、第１の光ビーム３１０ａ（図３では実線で示されている）及び第２の光ビーム３１０ｂ（図３では破線で示されている）生成する。ＥＵＶ光源３０１は、第１の光ビーム３１０ａを使用して初期のターゲット２２０ａを調節し、第２の光ビーム３１０ｂを使用して、調節されたターゲットをＥＵＶ光を放出するプラズマに変換する。ＥＵＶ光源３０１では、第１及び第２の光ビーム３１０ａは経路１１２上を伝播し、光ビーム３１０ａ、３１０ｂは両方とも増幅器１０８を通過する。
光源３０２は、光生成システム３０５を含む。光生成システム３０５は、光生成モジュール３０４及びプリアンプ２０７を含み、プリアンプ２０７は、第１及び第２の光ビーム３１０ａ、３１０ｂを受信する。光源３０２は、経路１１２上に直列に配置された２つ以上のプリアンプ２０７を含み得る。第１及び第２の光ビーム３１０ａ、３１０ｂは同じ光生成モジュール３０４によって生成されるため、光生成システム３０５は、ビームコンバイナ２０９（図２）などのビームコンバイナを含まない。
第１及び第２の光ビーム３１０ａ、３１０ｂは、媒体１０９の利得帯域内の異なる波長を有する。光生成モジュール３０４は、異なる波長の光の生成が可能なレーザであり得る。例えば、光生成モジュール３０４は、ＣＯ２レーザであり得る。これらの実装形態では、光ビーム３１０ａ、３１０ｂは、両方のビームが同じレーザ源から生成された場合であっても、ＣＯ２レーザの異なるラインから生成され、異なる波長を有する光ビーム３１０ａ、３１０ｂをもたらす。例えば、第１の光ビーム３１０ａの波長は、約１０．２６マイクロメートル（μｍ）であり得、第２の光ビーム３１０ｂの波長は、約１０．１８μｍ～１０．２６μｍであり得るか、又は、第２の光ビームの波長は、約１０．５９μｍであり得る。
図３に示される例では、光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７と増幅器１０８との間に位置する。しかし、いくつかの実装形態は、光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７と光生成モジュール３０４との間に位置し得る。さらに、光生成システム２０５は、２つ以上のプリアンプ２０７を含み得る。これらの実装形態では、光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７の何れか２つの間、又は、光生成モジュール２０４とモジュール３０４に最も近いプリアンプ２０７との間に位置し得る。
図４を参照すると、別の例示的な光源４０２を含むＥＵＶ光源４０１のブロック図が示されている。光源４０２は、光源１０２（図１）として使用することができる。光源４０２は、光生成システム４０５を含む。光生成システム４０５は、第１の光ビーム４１０ａを生成する第１の光生成モジュール４０４ａと、第２の光ビーム４１０ｂを生成する第２の光生成モジュール４０４ｂとを含む。第１の光ビーム４１０ａ及び第２の光ビーム４１０ｂはそれぞれ、異なる経路１１２、４１４上を伝播する。図４の例では、第１の光ビーム４１０ａは、実線で示されており、第２の光ビーム４１０ｂは、破線で示されている。第１の光ビーム４１０ａは、初期のターゲット２２０ａを調節するために使用され、第２の光ビーム４１０ｂは、調節されたターゲットをＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するために使用される。
第１の光生成モジュール４０４ａ及び第２の光生成モジュール４０４ｂは、別個の光源である。第１の光生成モジュール４０４ａは、例えば、ソリッドステートレーザであり得、第２の光生成モジュール４０４ｂは、ＣＯ２レーザであり得る。第１の光生成モジュール４０４ａは、第１の光ビーム４１０ａを経路４１４に放出する。光ビーム４１０ａ、４１０ｂは、別個の増幅器チェーンにおいて増幅される。図４に示される例では、第１の光ビーム４１０ａは、利得媒体４０９ａを含む増幅器４０８ａによって増幅される。第２の光ビーム４１０ｂは、利得媒体４０９ａを含む増幅器４０８ｂによって増幅される。増幅器４０８ａ、４０８ｂは別個の増幅器であるが、同じプロパティを有し得る。従って、光源４０２では、第１の光ビーム４１０ａ及び第２の光ビーム４１０ｂは、互いに別々に異なる経路において増幅される。第１の光ビーム４１０ａ及び第２の光ビーム４１０ｂの何れか又は両方は、増幅器４０８ａ、４０８ｂのそれぞれによって増幅される前に、プリアンプ４０７によって増幅することができる。
また、ＥＵＶ光源４０１は、ビームコンバイナ４０９も含む。ビームコンバイナ４０９は、第１の光ビーム４１０ａ及び第２の光ビーム４１０ｂを受信し、ビーム４１０ａ、４１０ｂをビーム経路１１２上にビームデリバリシステム２２５に向けて誘導する。ビームコンバイナ４０９は、第１及び第２のビーム４１０ａ、４１０ｂをビーム経路１１２上に誘導するために、第１のビーム４１０ａ及び／又は第２のビーム４１０ｂとの相互作用が可能ないかなる光学素子又は光学素子の集合体でもあり得る。例えば、ビームコンバイナ４０９は、ミラーの集合体であり得、ミラーのいくつかは、第１のビーム４１０ａをビーム経路１１２上に誘導するように位置付けられ、他のミラーは、第２のビームがビーム経路１１２上にとどまるように第２のビーム４１０ｂを誘導するように位置付けられる。
また、光源４０２は、光フィルタシステム４３０ａ、４３０ｂも含む。光フィルタシステム４３０ａは経路４１４上にあり、光フィルタシステム４３０ｂは経路１１２上にある。光フィルタシステム４３０ａ、４３０ｂは、光フィルタシステム１３０（図１）と同様であり得る。
光源４０２のコンポーネントの他の構成が可能である。例えば、光生成モジュール４０４ａは、プリアンプ４０７及び／又は光フィルタシステム１３０無しで使用することができる。光フィルタシステム１３０は、経路１１２及び／又は経路４１４に沿った他の場所に位置付けることができる。光生成モジュール４０４ａは、ターゲット領域２１５ａに対して別の場所に配置することができる。
図５を参照すると、別の例示的なＥＵＶ光源５０１のブロック図が示されている。ＥＵＶ光源５０１は、光源５０２を含む。光源５０２は、光生成システム５０５、光フィルタシステム１３０及び増幅器１０８を含む。光生成システム５０５は、経路１１２に光ビーム５１０を放出する光生成モジュール５０４と、光ビーム５１０を増幅する１つ又は複数のプリアンプとを含む。光生成モジュール５０４は、例えば、ＣＯ２レーザ又は半導体レーザであり得る。１つ又は複数のプリアンプは、図５では、要素２０７として表されている。光ビーム５１０は、ターゲット１２０をＥＵＶ光を放出するプラズマに変換するために使用される。光ビーム５１０は、利得媒体１０９の利得帯域のより多くの波長のうちの１つを含む。
また、光源５０２は、光フィルタシステム１３０も含む。示される例では、光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７と増幅器１０８との間に位置することによって、光生成モジュール５０４と増幅器１０８との間に位置する。しかし、光フィルタシステム１３０は、経路１１２に沿ったいかなる場所にも位置付けることができる。
図６、７、８Ａ及び９Ａは、例示的な光フィルタを示す。図６を参照すると、例示的な光フィルタシステム６３０のブロック図が示されている。光フィルタシステム６３０は、異なる波長を有する２つ以上の初期の光ビームが経路１１２上を伝播する光源において使用することができる。初期の光ビームの波長は、利得媒体１０９の利得帯域内のものである。例えば、光フィルタシステム６３０は、光源２０２（図２）又は光源３０２（図３）の光フィルタシステム１３０として使用することができる。光源２０２又は３０２において使用される際は、光フィルタシステム１３０は、光生成モジュールと増幅器１０８との間の経路１１２上にあり、光生成モジュール２０４ａ、２０４ｂ又は３０４はそれぞれ、光フィルタシステム６３０の出口側６３３よりも入口側６３１に近い。
光ビーム６１０ａは利得帯域の第１の波長を有し、光ビーム６１０ｂは利得帯域の第２の波長を有する。光ビーム６１０ａは、例えば、光ビーム２１０ａ（図２）又は光ビーム３１０ａ（図３）であり得る。光ビーム６１０ｂは、例えば、光ビーム２１０ｂ（図２）又は光ビーム３１０ｂ（図３）であり得る。第１及び第２の波長は、利得媒体１０９の利得帯域内のものであり、第１及び第２の波長は、第１の波長セットを形成する。
第１の光ビーム６１０ａ及び第２の光ビーム６１０ｂを含む経路１１２上を伝播する光は、入口６３１において光フィルタシステム６３０に入る。光フィルタシステム６３０は、二色性素子６３５を含み、二色性素子６３５は、光ビーム６１０ａをビーム経路４１２ａに向けて反射させ、光ビーム６１０ｂをビーム経路４１２ｂに向けて透過させる。二色性素子６３５は、波長に基づいて入射光を分離するいかなる光学素子でもあり得る。例えば、二色性素子６３５は、ダイクロイックビームスプリッタ又はダイクロイックミラーであり得る。光ビーム６１０ａは、二色性素子６３５と分散光学素子６３２との間に位置するビーム経路４１２ａに向けて二色性素子６３５を通じて透過する。ビーム経路４１２ａの形状は、二色性素子６３５と分散光学素子６３２との間に位置するステアリング光学素子６３６の位置付けによって決定される。
ビーム６１０ａは、ビーム経路４１２ａ上を伝播し、ステアリング光学素子６３６に反射する。ステアリング光学素子６３６は、光ビーム６１０ａの反射が可能ないかなる光学素子でもあり得る。例えば、ステアリング光学素子６３６は、ミラーであり得る。ステアリング光学素子６３６は、分散光学素子６３２に向けて光ビーム６１０ａを誘導するように位置付けられる。分散光学素子６３２は、入射光の波長に応じた角度で入射光を偏向させるいかなる要素でもあり得る。例えば、分散光学素子６３２は、格子又はプリズムであり得る。分散光学素子６３２は、ビーム経路１１２に向けて光ビーム６１０ａを反射する。
光ビーム６１０ｂは、二色性素子６３５からビーム経路４１２ｂに向けて反射し、ビーム経路４１２ｂは、ビーム経路４１２ａとは異なる。光ビーム６１０ｂは、分散光学素子６３２に入射し、分散光学素子６３２は、ビーム経路１１２に向けて光ビーム６１０ｂを偏向させる。上記で述べられるように、分散光学素子６３２は、入射光の波長に応じた角度で入射光を偏向させる。分散光学素子６３２は、経路４１２ａ、４１２ｂ上の光ビーム６１０ａ、６１０ｂの伝播の方向に対して、光ビーム６１０ａの第１の波長を有する光及び光ビーム６１０ｂの第２の波長を有する光をビーム経路１１２上に誘導するように配向される。また、分散光学素子６３２は、第１及び第２の波長以外の波長を有する光ビーム６１０ａ、６１０ｂの光を経路１１２から離れるようにも偏向させる。このように、分散光学素子６３２は、光ビーム６１０ａ、６１０ｂの第１及び第２の波長を有する光が光フィルタシステム６３０の出口６３３に向けてビーム経路１１２上を伝播するように、光ビーム６１０ａ、６１０ｂを再結合させる。
光ビーム６１０ａ、６１０ｂに加えて、ＡＳＥによって生成された光もビーム経路１１２上を伝播し得る。光フィルタシステム６３０は、ＡＳＥによって生成されたスプリアス光を経路１１２から除去する。ＡＳＥによって生成される光は予測不可能なものである。従って、ＡＳＥによって生成された光は、光ビーム６１０ａ、６１０ｂの何れか若しくは両方と同時に、又は、光ビーム６１０ａも光ビーム６１０ｂも伝播していない時間の間に、いかなる時でも経路１１２上を伝播し得る。ＡＳＥによって生成される光は、第１及び第２の波長とは異なる他の波長６３７を含めて、利得帯域のいかなる波長も有し得る。他の波長６３７は、利得媒体１０９の利得帯域の第２の波長セットを形成する。分散光学素子６３２は、他の波長６３７を有する光を経路１１２外に偏向させる。従って、分散光学素子６３２は、他の波長６３７を経路１１２から除去する。
光フィルタシステム６３０は、経路１１２上をｚ方向に伝播するＡＳＥ光及び経路１１２上を－ｚ方向に伝播するＡＳＥ光の反射を除去するために使用することができる。分散光学素子６３２の配向及び光学プロパティは、ＡＳＥ光が伝播する方向にかかわらず、第２の波長セットの波長がビーム経路１１２から除去される（この例では、偏向によって）ようなものである。例えば、分散光学素子６３２は、入射光を異なる波長の複数のビームに回析する周期構造を有する回折格子であり得る。入射ビームが格子の周期表面と相互作用した後、複数のビームの各々は、異なる方向に格子から離れるように伝播し、伝播の方向は、特定のビームの波長及び格子の周期によって決定される。従って、経路１１２に対する周期表面の配向は、様々な波長の光の伝播の方向を決定する。
図７を参照すると、別の例示的な光フィルタシステム７３０のブロック図が示されている。光フィルタシステム７３０は、１つの波長の光又は波長の１つの帯域の光が経路１１２上を伝播できるようにすることが望ましいいかなる光学システムにおいても使用することができる。例えば、光フィルタシステム７３０は、光源４０２（図４）又は光源５０２（図５）の経路４１４、１１２の何れか又は両方上で使用することができる。光フィルタシステム７３０は、入口７３１及び出口７３３を有する。ｚ方向に伝播する光は、入口７３１において光フィルタシステム７３０に入り、出口７３３において光フィルタシステム７３０を出る。しかし、－ｚ方向に伝播する光もまた、光フィルタシステム７３０によってフィルタリングすることができる。－ｚ方向に伝播する光は、出口７３３において光フィルタシステム７３０に入射し、入口７３１において光フィルタシステム７３０を出る（経路１１２から除去されない場合）。光源４０２又は光源５０２で使用される際は、光フィルタシステム７３０は、光生成モジュールと増幅器との間の経路（例えば、経路４１２又は経路１１２）上に位置付けられ、入口７３１は、出口７３３よりも光生成モジュールに近い。
図７の例では、ビーム７１０（長い破線）は、光フィルタシステム７３０を通じて伝播する。ビーム７１０は、例えば、ビーム４１０ａ、４１０ｂ、５１０の何れかであり得る。例えば、光フィルタシステム７３０は、光源４０２（図４）の経路４１２ａ、４１２ｂの何れか又は両方に配置することができる。光フィルタシステム７３０は、除去光学素子７３２を含み、除去光学素子７３２は、ビーム７１０の波長以外の第２の波長セットの波長を有する光を光学経路から除去する。第２の波長セットの波長は、利得帯域の波長であり、第２の波長セットは、光ビーム７１０にはない利得帯域の波長の何れか又はすべてを含み得る。
除去光学素子７３２は、入射光の波長に応じた角度で入射光を偏向させるプリズム又は格子などの分散光学素子であり得る。光フィルタシステム７３０は、ビーム７１０を除去光学素子７３２の方に誘導するステアリング光学素子７３６を含み得る。除去光学素子７３２は、ビーム７１０が経路１１２に向けて反射するように配向され、また、そのような光学プロパティを有する。しかし、第２の波長セットの波長を有する光７３７（例えば、ＡＳＥによって生成された光）は、経路１１２から離れるように反射させる。このように、除去光学素子７３２は、第２の波長セットの波長を有する光を経路１１２から除去するか、又は、経路１１２上を伝播する第２の波長セットの波長を有する光の量を実質的に低減する。
他の実装形態では、除去光学素子７３２は、分散光学素子以外の要素であり得る。例えば、除去光学素子７３２は、フィルタリング及び吸収素子であり得、フィルタリング及び吸収素子は、第２の波長セットの波長を有する光を吸収し、第１の波長セットの波長を有する光を透過させる。その特定の実装形態にかかわらず、光フィルタシステム７３０は、ビーム７１０を経路１１２上にとどめる一方で、第２の波長セットの波長を有する光（ＡＳＥなど）を拒絶することを可能にする。
図８Ａを参照すると、別の例示的な光フィルタシステム８３０のブロック図が示されている。光フィルタシステム８３０は、初期の光ビーム８１０ａが通過できるようにする一方で、他の波長の光（ＡＳＥから生じる光など）を遮断できるようにする。光フィルタシステム８３０は、利得媒体１０９の利得帯域の異なる波長を有する２つ以上の初期の光ビームを使用する光源において使用することができる。例えば、光フィルタシステム８３０は、光源２０２（図２）又は光源３０２（図３）の光フィルタシステム１３０として使用することができる。光源２０２又は３０２において使用される際は、光フィルタシステム８３０は、光生成モジュールと増幅器１０８との間の経路１１２上にあり、光生成モジュールは、システム８３０の出口側８３３よりも入口側８３１に近い。光生成モジュールから経路１１２上を移動する光は、入口側８３１において光フィルタシステム１３０に入り、出口側８３３において光フィルタシステム１３０を出る。
光ビーム８１０ａ（実線によって表されている）は、第１の波長を有し、光ビーム８１０ｂ（破線によって表されている）は、第２の波長を有する。光ビーム８１０ａは、例えば、光ビーム２１０ａ（図２）又は光ビーム３１０ａ（図３）であり得る。光ビーム８１０ｂは、例えば、光ビーム２１０ｂ（図２）又は光ビーム３１０ｂ（図３）であり得る。第１及び第２の波長は、利得媒体１０９の利得帯域内のものであり、第１及び第２の波長は、第１の波長セットを形成する。
光ビーム８１０ａ、８１０ｂは、入口側８３１において光フィルタシステム８３０に入る。光フィルタシステム８３０は、二色性光学素子８３５を含み、二色性光学素子８３５は、入射光の波長に基づいて入射光の分離が可能ないかなる光学素子でもあり得る。例えば、二色性光学素子８３５は、ダイクロイックビームスプリッタ、ダイクロイックミラー又はそのような要素の組合せであり得る。二色性光学素子８３５のうちの１つは、経路８１２ａに向けて光ビーム８１０ａを透過させ、経路８１２ｂに向けて光ビーム８１０ｂを反射させる。
経路８１２ａ、８１２ｂは、それぞれの光フィルタリング素子セット８３２ａ、８３２ｂによって定義される。光フィルタリング素子８３２ａ、８３２ｂは、光の波長に基づいて入射光を反射、透過又は吸収する光学素子である。光フィルタリング素子８３２ａは、光ビーム８１０ａを経路８１２ａ上に誘導するように第１の波長（光ビーム８１０ａの波長）を有する光を反射させる。光フィルタリング素子８３２ａは、第１の波長以外の波長の光を吸収及び／又は透過させる。光フィルタリング素子８３２ｂは、光ビーム８１０ｂを経路８１２ｂ上に誘導するように第２の波長（光ビーム８１０ｂの波長）を有する光を反射させる。光フィルタリング素子８３２ｂは、第２の波長以外の波長の光を吸収及び／又は透過させる。光フィルタリング素子８３２ａ、８３２ｂは、反射されない光の一部又はすべてを吸収するビームダンプ、ビームトラップ又はビームブロックを含み得る。このように、光フィルタリング素子８３２ａ、８３２ｂは、第１の波長セットの波長を有する光のみを反射する。
光フィルタリング素子８３２ａ、８３２ｂによって反射された後、光ビーム８１０ａ、８１０ｂは、他方の二色性光学素子８３５（出口側８３３に最も近い二色性光学素子）によって経路１１２上に誘導される。このように、光フィルタリング素子８３２ａのセット及び光フィルタリング素子８３２ｂのセットは、第１の波長セットの波長を有する光を経路１１２上にとどめる一方で、媒体１０９の利得帯域の他の波長を有する光を経路１１２から除去することを可能にする。
図８Ａの例では、光フィルタリング素子８３２ａは、第１のビーム８１０ａの波長を中心とする光の狭帯域のみを反射させるノッチフィルタであり、光フィルタリング素子８３２ｂは、第２のビーム８１０ｂの波長を中心とする光の狭帯域のみを反射させるノッチフィルタである。光フィルタリング素子８３２ａ、８３２ｂによって反射されるもの以外の波長（ＡＳＥなど）は、吸収及び／又は透過され、従って、経路８１２ａ、８１２ｂ上には誘導されない。
図８Ｂを参照すると、図８Ｂは、例示的な光フィルタリング素子８３２の側面ブロック図であり、光フィルタリング素子８３２ａ、８３２ｂの各々は、例えば、基板８３８と、基板上のコーティング８３９を含み得る。基板８３８は、例えば、銅であり得る。光フィルタリング素子８３２ａ、８３２ｂの反射率プロパティは、コーティング８３９のプロパティによって決定することができる。例えば、コーティングによって反射される波長は、コーティングの材料及び厚さのうちの１つ又は複数によって決定される。コーティング８３９は、例えば、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）であり得る。コーティング８３９は、例えば、波長の狭帯域を反射するように選択された誘電性材料の積層スタックであり得る。積層スタックは、例えば、各々が異なる屈折率を有する２つの誘電性材料を含み得る。
第１のビーム８１０ａの波長が１０．２６μｍである実装形態の場合、光フィルタリング素子８３２ａの各々は、２つの光フィルタリング素子を含み得、２つの光フィルタリング素子の各々は、ＺｎＳｅコーティング８３９を有する。コーティングの厚さは、例えば、方向８４１に沿って７０～８０μｍであり得、方向８４１は、表面８３８の法線に平行である。２つの光フィルタリング素子は、方向８４１に沿って異なる厚さを有し得る。２つのフィルタリング素子は、共に、ノッチフィルタを形成し、ノッチフィルタは、１０．２６μｍの入射光の約９５％を反射し、他の波長のごくわずかな光を反射する。第２のビーム８１０ｂの波長が１０．６μｍである実装形態の場合、光フィルタリング素子８３２ｂの各々は、２つの光フィルタリング素子を含み得、２つの光フィルタリング素子の一方は、約７６μｍの厚さの厚さｔを有するＺｎＳｅコーティング８３９を有し、他方は、約８２μｍの厚さｔを有するＺｎＳｅコーティング８３９を有する。２つのフィルタリング素子は、共に、ノッチフィルタを形成し、ノッチフィルタは、１０．６μｍの入射光の約９５％を反射し、他の波長のごくわずかな光は反射しない。
図９Ａを参照すると、別の例示的な光フィルタシステム９３０が示されている。光フィルタシステム９３０は、初期の光ビーム９１０ａ、９１０ｂが通過できるようにする一方で、他の波長の光（ＡＳＥから生じる光など）を遮断できるようにする。光フィルタシステム９３０は、利得媒体１０９の利得帯域の異なる波長を有する２つ以上の初期の光ビームを使用する光源において使用することができる。例えば、光フィルタシステム９３０は、光源２０２（図２）又は光源３０２（図３）の光フィルタシステム１３０として使用することができる。光源２０２又は３０２において使用される際は、光フィルタシステム９３０は、光生成モジュールと増幅器１０８との間の経路１１２上にあり、光生成モジュールは、システム９３０の出口側９３３よりも入口側９３１に近い。光生成モジュール１０４から経路１１２上を移動する光は、入口側９３１において光フィルタシステム１３０に入り、出口側９３３において光フィルタシステム１３０を出る。
光ビーム９１０ａ（実線によって表されている）は、第１の波長を有し、光ビーム９１０ｂ（破線によって表されている）は、第２の波長を有する。光ビーム９１０ａは、例えば、光ビーム２１０ａ（図２）又は光ビーム３１０ａ（図３）であり得る。光ビーム９１０ｂは、例えば、光ビーム２１０ｂ（図２）又は光ビーム３１０ｂ（図３）であり得る。第１及び第２の波長は、利得媒体１０９の利得帯域内のものであり、第１及び第２の波長は、第１の波長セットを形成する。
光ビーム９１０ａ、９１０ｂは、入口側９３１において光フィルタシステム９３０に入る。光フィルタシステム９３０は、経路１１２上の光フィルタリング素子９３２の一セットを含む。光フィルタリング素子９３２は、光ビーム９１０ａ、９１０ｂの波長を反射させ、光ビーム９１０ａ、９１０ｂの波長間の波長を有する光を反射させることができる。光フィルタリング素子９３２は、他の波長を有する光（ＡＳＥから生じる光など）を透過及び／又は吸収することができる。このように、光フィルタリング素子９３２は、光ビーム９１０ａ、９１０ｂを経路１１２上にとどめる一方で、他の波長を経路１１２から除去することを可能にする。光フィルタリング素子９３２のセットの各々は、基板９３８と基板上のコーティング９３９とを含むバンドパスフィルタであり得る。コーティング９３９は、誘電性材料の層のスタックでも、例えばＺｎＳｅなどの材料のコーティングでもあり得る。
図１０及び１１は、光フィルタシステム１３０（又は光フィルタシステム６３０～９３０の何れか）を含む追加の例示的なＥＵＶ光源を示す。図１０は、別の例示的なＥＵＶ光源１００１のブロック図である。ＥＵＶ光源１００１は、任意の光源において光フィルタシステム１３０（又は光フィルタシステム６３０～９３０の何れか）を追加の光分離デバイス１０５０と共に使用できることを示す。図１１は、光フィルタシステム１３０（又は光フィルタシステム６３０～９３０の何れか）を配置することができる想定される様々な場所を示す。
ＥＵＶ光源１００１は、経路１１２上の光ビーム１０１０を生成する光源１００２を含む。光源１００２は、光生成モジュール１００４、プリアンプ２０７、光フィルタシステム１３０及び増幅器１０８を含む。この例では、光フィルタシステム１３０はプリアンプ２０７と増幅器１０８との間の経路１１２上にある。光分離デバイス１０５０は、光生成モジュール１００４とターゲット領域１１５との間の経路１１２上に配置される。図１０の例では、光分離デバイス１０５０は、光フィルタシステム１３０と増幅器１０８との間に位置する。他の実装形態では、光フィルタシステム１３０及び／又は光分離デバイス１０５０は、経路１１２に沿った他の場所に位置し得る。
光分離デバイス１０５０は、光生成モジュール１００４によって生成された１つ又は複数の光ビームの反射を含む、ターゲット領域１１５からの反射を遮断するために使用される。光分離デバイス１０５０は、波長選択以外の機構に基づく。従って、光分離デバイス１０５０と光フィルタシステム１３０は、相補的なものであり得、光フィルタシステム１３０と共に光分離デバイス１０５０を使用することにより、ターゲット領域１１５と光源１００２のコンポーネント（光生成モジュール１００４を含む）との間の光分離を改善することができる。
光分離デバイス１０５０は、例えば、偏光ベースの分離デバイスであり得る。偏光ベースの光分離デバイスは、第１の偏光の光を透過させ（そのような光を経路１１２上にとどめることができる）、第２の偏光の光を遮断する（その結果、その偏光を有する光は経路１１２上を伝播することができない）。光分離デバイス１０５０は、例えば、ピンホール又は他のアパーチャなどの空間フィルタであり得る。
図１１は、別の例示的なＥＵＶ光源１１００のブロック図である。ＥＵＶ光源１１００は、経路１１２上の光ビーム１１１０を生成する光源１１０２を含む。光源１１０２は、光生成モジュール１１０４、複数のプリアンプ２０７、光フィルタシステム１３０及び複数の増幅器１０８を含む。また、光源１１０２は、光フィルタシステム１３０も含む。光フィルタシステム１３０は、図１１には示されていない。代わりに、経路１１２上のＸマークは、光フィルタシステム１３０を配置することができる経路１１２上の様々な場所を示す。光フィルタシステム１３０は、光生成モジュール１１０４の直下流（この例では、ｚ方向における）に配置することができる。光フィルタシステム１３０は、プリアンプ２０７の何れか２つの間、増幅器１０８の何れか２つの間及び／又は最後のプリアンプ２０７と最初の増幅器１０８との間に配置することができる。
ラベル付けされた場所１１８９に光フィルタシステム１３０を配置することにより、望まない波長（第２の波長セットの波長など）を含み且つｚ方向に移動する光が、１つ又は複数の増幅器１０８に達しないようにする上で役立てることができる。それに加えて、ラベル付けされた場所１１８９に光フィルタシステム１３０を配置することにより、－ｚ方向に移動し且つ少なくとも１つの増幅器１０８によって増幅された反射が、光生成システム２０５に達しないようにする上で役立てることができる。増幅器１０８はプリアンプ２０７より高い利得を有し得るため、ラベル付けされた場所１１８９に光フィルタシステム１３０を配置することにより、多くの反射が光生成システム２０５に入らないようにする上で役立てることができ、また、望まない波長を有する光が光源１１００の高利得部分で増幅されないようにする上で役立てることもできる。
図１２Ａを参照すると、ＬＰＰ ＥＵＶ光源１２００が示されている。光源２０２～５０２、１００２、１１０２は、光源１２００などのＥＵＶ光源の一部であり得る。ＬＰＰ ＥＵＶ光源１２００は、ターゲット場所１２０５において、ビーム経路に沿ってターゲット混合物１２１４に向けて移動する増幅光ビーム１２１０をターゲット混合物１２１４に照射することによって形成される。ターゲット１２０、２２０ａ、２２０ｂのターゲット材料は、ターゲット混合物１２１４であっても、ターゲット混合物１２１４を含むものでもよい。照射サイトとも呼ばれるターゲット場所１２０５は、真空チャンバ１２３０の内側１２０７の中にある。増幅光ビーム１２１０がターゲット混合物１２１４に当たると、ターゲット混合物１２１４内のターゲット材料は、ＥＵＶ範囲の輝線の元素を有するプラズマ状態に変換される。生み出されたプラズマは、ターゲット混合物１２１４内のターゲット材料の組成に依存するある特定の特性を有する。これらの特性は、プラズマによって生成されたＥＵＶ光の波長、並びに、プラズマから解放されたデブリのタイプ及び量を含み得る。
また、光源１２００は、液滴、液体流、固体粒子若しくはクラスタ、又は、液滴中に含まれる固体粒子若しくは液体流中に含まれる固体粒子の形態のターゲット混合物１２１４を搬送、制御及び誘導するターゲット材料デリバリシステム１２２５も含む。ターゲット混合物１２１４は、例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換されるとＥＵＶ範囲の輝線を有する任意の材料などのターゲット材料を含む。例えば、スズ元素は、純錫（Ｓｎ）として、スズ化合物（例えば、ＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４）として、スズ合金（例えば、スズガリウム合金、スズインジウム合金、スズインジウムガリウム合金又はこれらの合金の任意の組合せ）として使用することができる。また、ターゲット混合物１２１４は、非ターゲット粒子などの不純物も含み得る。従って、不純物が存在しない状況では、ターゲット混合物１２１４は、ターゲット材料のみで構成される。ターゲット混合物１２１４は、ターゲット材料デリバリシステム１２２５によってチャンバ１２３０の内側１２０７に搬送され、そして、ターゲット場所１２０５に搬送される。
光源１２００は、レーザシステム１２１５の１つ又は複数の利得媒体内の反転分布により増幅光ビーム１２１０を生成するドライブレーザシステム１２１５を含む。光源１２００は、レーザシステム１２１５とターゲット場所１２０５との間にビームデリバリシステムを含み、ビームデリバリシステムは、ビーム輸送システム１２２０及びフォーカスアセンブリ１２２２を含む。ビーム輸送システム１２２０は、レーザシステム１２１５から増幅光ビーム１２１０を受信し、必要に応じて増幅光ビーム１２１０のステアリング及び修正を行い、増幅光ビーム１２１０をフォーカスアセンブリ１２２２に出力する。フォーカスアセンブリ１２２２は、増幅光ビーム１２１０を受信し、ターゲット場所１２０５にビーム１２１０を集束させる。
いくつかの実装形態では、レーザシステム１２１５は、１つ又は複数のメインパルス、及びいくつかの事例では、１つ又は複数のプレパルスを提供するための１つ又は複数の光増幅器、レーザ及び／又はランプを含み得る。各光増幅器は、高利得での所望の波長の光増幅が可能な利得媒体、励起源及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザ空洞を形成するレーザミラー又は他のフィードバックデバイスを有しても有さなくともよい。従って、レーザシステム１２１５は、レーザ空洞が存在しない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒体における反転分布により増幅光ビーム１２１０を生成する。その上、レーザシステム１２１５は、レーザ空洞が存在する場合は、レーザシステム１２１５に十分なフィードバックを提供するために、コヒーレントレーザビームである増幅光ビーム１２１０を生成することができる。「増幅光ビーム」という用語は、単に増幅されているだけで必ずしもコヒーレントレーザ発振ではないレーザシステム１２１５からの光、及び増幅され且つコヒーレントレーザ発振でもあるレーザシステム１２１５からの光のうちの１つ又は複数を包含する。
レーザシステム１２１５の光増幅器は、ＣＯ２を含む充填ガスを利得媒体として含み得、８００以上の利得で約９１００～約１１０００ｎｍ（特に、約１０６００ｎｍ）の波長の光を増幅することができる。レーザシステム１２１５での使用のための適切な増幅器及びレーザは、比較的高い電力（例えば、１０ｋＷ以上）及び高いパルス繰り返し率（例えば、４０ｋＨｚ以上）で動作する、例えば、ＤＣ又はＲＦ励起で、例えば、約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍの放射を生成するパルスガス放電ＣＯ２レーザデバイスなど、パルスレーザデバイスを含み得る。また、レーザシステム１２１５の光増幅器は、より高い電力でレーザシステム１２１５を動作する際に使用することができる水などの冷却システムも含み得る。
図１２Ｂは、例示的なドライブレーザシステム１２８０のブロック図を示す。ドライブレーザシステム１２８０は、光源１２００のドライブレーザシステム１２１５の一部として使用することができる。ドライブレーザシステム１２８０は、３つのパワー増幅器１２８１、１２８２、１２８３を含む。パワー増幅器１２８１、１２８２、１２８３の何れか又はすべては、内部光学素子（図示せず）を含み得る。
光１２８４は、出力ウィンドウ１２８５を通じてパワー増幅器１２８１を出て、曲面ミラー１２８６に反射する。反射後、光１２８４は、空間フィルタ１２８７を通過し、曲面ミラー１２８８に反射し、入力ウィンドウ１２８９を通じてパワー増幅器１２８２に入る。光１２８４は、パワー増幅器１２８２において増幅され、光１２９１として出力ウィンドウ１２９０を通じてパワー増幅器１２８２から抜け出るように方向転換される。光１２９１は、折り畳みミラー１２９２によって増幅器１２８３に向けて誘導され、入力ウィンドウ１２９３を通じて増幅器１２８３に入る。増幅器１２８３は、光１２９１を増幅し、光１２９１が出力ビーム１２９５として出力ウィンドウ１２９４を通じて増幅器１２８３から抜け出るように誘導する。折り畳みミラー１２９６は、上方（ページ外）に、ビーム輸送システム１２２０（図１２Ａ）に向けて、出力ビーム１２９５を誘導する。
再び図１２Ｂを参照すると、空間フィルタ１２８７は、アパーチャ１２９７を定義し、アパーチャ１２９７は、例えば、約２．２ｍｍ～３ｍｍの直径を有する円であり得る。曲面ミラー１２８６、１２８８は、例えば、約１．７ｍ及び２．３ｍのそれぞれの焦点距離を有する軸外パラボラミラーであり得る。空間フィルタ１２８７は、アパーチャ１２９７がドライブレーザシステム１２８０の焦点と一致するように位置付けることができる。
再び図１２Ａを参照すると、光源１２００は、集光ミラー１２３５を含み、集光ミラー１２３５は、増幅光ビーム１２１０が通過してターゲット場所１２０５に達することができるようにするためのアパーチャ１２４０を有する。集光ミラー１２３５は、例えば、ターゲット場所１２０５における一次焦点と、光源１２００からのＥＵＶ光の出力及び例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）へのＥＵＶ光の入力を行うことができる中間場所１２４５（中間焦点とも呼ばれる）における二次焦点とを有する楕円面ミラーであり得る。また、光源１２００は、端部が開口した中空円錐シュラウド１２５０（例えば、ガス円錐）も含み得、端部が開口した中空円錐シュラウド１２５０は、集光ミラー１２３５からターゲット場所１２０５に向かって細くなっており、フォーカスアセンブリ１２２２及び／又はビーム輸送システム１２２０に入るプラズマ生成デブリの量を低減する一方で、増幅光ビーム１２１０がターゲット場所１２０５に達することができるようにする。この目的のため、ターゲット場所１２０５に向けて誘導されるガス流をシュラウドにおいて提供することができる
また、光源１２００は、小滴位置検出フィードバックシステム１２５６、レーザ制御システム１２５７及びビーム制御システム１２５８に接続されたマスタコントローラ１２５５も含み得る。光源１２００は、１つ又は複数のターゲット又は小滴イメージャ１２６０を含み得、１つ又は複数のターゲット又は小滴イメージャ１２６０は、例えば、ターゲット場所１２０５に対する小滴の位置を示す出力を提供し、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム１２５６に提供し、小滴位置検出フィードバックシステム１２５６は、例えば、小滴ごとに又は平均して小滴位置エラーを演算するための小滴位置及び軌跡を演算することができる。従って、小滴位置検出フィードバックシステム１２５６は、マスタコントローラ１２５５への入力として小滴位置エラーを提供する。従って、マスタコントローラ１２５５は、例えば、レーザタイミング回路を制御するために使用することができる、例えば、レーザ制御システム１２５７に、及び／又はチャンバ１２３０内のビーム焦点の場所及び／又は集光力を変更するようにビーム輸送システム１２２０の増幅光ビーム位置及び形状を制御するために、ビーム制御システム１２５８に、レーザ位置、方向及びタイミング補正信号を提供することができる。
ターゲット材料デリバリシステム１２２５は、ターゲット材料デリバリ制御システム１２２６を含み、ターゲット材料デリバリ制御システム１２２６は、マスタコントローラ１２５５からの信号に応答して、例えば、所望のターゲット場所１２０５に達する小滴のエラーを補正するために、ターゲット材料供給装置１２２７によって解放される際に小滴の解放ポイントを修正するように動作可能である。
それに加えて、光源１２００は、これらに限定されないが、パルスエネルギー、波長の関数としてのエネルギー分布、波長の特定の帯域内のエネルギー、波長の特定の帯域外のエネルギー、並びに、ＥＵＶ強度及び／又は平均出力の角度分布を含む、１つ又は複数のＥＵＶ光パラメータを測定する光源検出器１２６５、１２７０を含み得る。光源検出器１２６５は、マスタコントローラ１２５５が使用するためのフィードバック信号を生成する。フィードバック信号は、効果的且つ効率的なＥＵＶ光生成のために正しい場所及び時間に小滴を正しくインターセプトするために、例えば、レーザパルスのタイミング及びフォーカスなどのパラメータのエラーを示し得る。
また、光源１２００は、光源１２００の様々なセクションを位置合わせするか又はターゲット場所１２０５への増幅光ビーム１２１０のステアリングを補助するために使用することができる誘導レーザ１２７５も含み得る。誘導レーザ１２７５と関係して、光源１２００は、誘導レーザ１２７５及び増幅光ビーム１２１０からの光の一部分をサンプリングするためにフォーカスアセンブリ１２２２内に配置された計測システム１２２４を含む。他の実装形態では、計測システム１２２４は、ビーム輸送システム１２２０内に配置される。計測システム１２２４は、光のサブセットをサンプリングするか又は方向転換する光学素子を含み得、そのような光学素子は、誘導レーザビーム及び増幅光ビーム１２１０の出力に耐えることができる任意の材料から作られている。マスタコントローラ１２５５は、誘導レーザ１２７５からサンプリングされた光を分析し、この情報を使用して、ビーム制御システム１２５８を通じてフォーカスアセンブリ１２２２内のコンポーネントを調整するため、ビーム分析システムは、計測システム１２２４及びマスタコントローラ１２５５から形成される。
従って、要約すると、光源１２００は、混合物１２１４内のターゲット材料をＥＵＶ範囲の光を放出するプラズマに変換するため、ターゲット場所１２０５においてターゲット混合物１２１４に照射するためにビーム経路に沿って誘導される増幅光ビーム１２１０を生成する。増幅光ビーム１２１０は、レーザシステム１２１５の設計及びプロパティに基づいて決定される特定の波長（ドライブレーザ波長とも呼ばれる）で動作する。それに加えて、増幅光ビーム１２１０は、ターゲット材料がコヒーレントレーザ光を生成するのに十分なフィードバックをレーザシステム１２１５に返す際、又は、ドライブレーザシステム１２１５がレーザ空洞を形成するために適切な光フィードバックを含む場合は、レーザビームであり得る。
他の実装形態は、請求項の範囲内にある。例えば、光フィルタシステム１３０、６３０、７３０、８３０、９３０は何れも、示されるより多くの又はより少ない要素を含むことができ、要素は、上記で示される例示的な構成以外の構成で配置することができる。光フィルタシステム１３０、６３０、７３０、８３０、９３０は何れも、互いに利用し合うことができ、光源は、２つ以上の特定の光フィルタシステムを含むことができる。

Claims (21)

  1. 極端紫外線（ＥＵＶ）フォトリソグラフィツール用の光源であって、
    光生成モジュールを含む光生成システムと、
    利得帯域と関連付けられた利得媒体を含む光増幅器であって、前記利得媒体が、前記利得帯域の波長を有する光を増幅するように構成された、光増幅器と、
    前記光生成モジュールと前記光増幅器との間のビーム経路上の波長ベースの光フィルタシステムであって、第１の波長セットの波長を有する光を前記ビーム経路上でターゲット領域へと伝播させることができ、第２の波長セットの波長を有する光を前記ビーム経路から除去する少なくとも１つの光学素子を含み、前記第１の波長セット及び前記第２の波長セットが、前記光増幅器の前記利得帯域の異なる波長を含む、波長ベースの光フィルタシステムと
    を含む、
    前記波長ベース光学フィルタシステムが、少なくとも部分的に空間的に異なる第１のビーム経路及び第２のビーム経路を備え、
    動作時の使用において、前記第１の波長セット内の第１の波長を有する第１の光ビームが、前記第１のビーム経路上を伝搬し、前記第１の波長セットに含まれるが、前記第１の波長とは異なる、第２の波長を有する第２の光ビームが、前記第２のビーム経路上を伝搬する、光源。
  2. 前記少なくとも１つの光学素子が、分散光学素子、光フィルタリング素子及び干渉計のうちの１つ又は複数を含む、請求項１に記載の光源。
  3. 前記分散光学素子が、プリズム及び格子のうちの１つ又は複数を含む、請求項２に記載の光源。
  4. 前記少なくとも１つの光フィルタリング素子が、多層コーティングを含む光学素子、及び前記第２の波長セットの１つ又は複数の波長を有する光を吸収する光学素子のうちの１つ又は複数を含む、請求項２に記載の光源。
  5. 前記干渉計が、エタロンを含む、請求項２に記載の光源。
  6. 前記分散光学素子が、格子を含み、前記格子が、前記第１の波長セットの波長を有する光を前記ビーム経路に向けて反射させ、前記第２の波長セットの波長を有する光を前記ビーム経路から離れるように反射させるように位置付けられる、請求項３に記載の光源。
  7. 前記波長ベースの光フィルタシステムが、少なくとも１つの二色性光学素子をさらに含む、請求項６に記載の光源。
  8. 少なくとも１つの二色性光学素子が、前記光生成モジュールと前記格子との間に位置する、請求項７に記載の光源。
  9. 第１の偏光を有する光を透過させ、第２の偏光を有する光を遮断する偏光ベースの光分離システムをさらに含み、
    前記第２の偏光が、前記第１の偏光とは異なり、
    前記波長ベースの光フィルタシステムが、前記光生成モジュールと前記偏光ベースの光分離システムとの間に位置する、請求項１に記載の光源。
  10. 前記光生成モジュールが、２つ以上の光生成モジュールを含み、前記光生成モジュールのうちの１つが、第１の波長を有する第１の光ビームを生成し、前記光生成モジュールのうちの別の１つが、第２の波長の波長を有する第２の光ビームを生成し、前記第１及び第２の波長が、前記第１の波長セットのものである、請求項１に記載の光源。
  11. 前記光生成システムが、前記光生成モジュールから放出された光を受信するように位置付けられた１つ又は複数の光増幅器をさらに含む、請求項１に記載の光源。
  12. 前記光増幅器が、複数の光増幅器を含み、前記光増幅器の各々が、前記利得帯域と関連付けられた利得媒体を含み、前記波長ベースの光フィルタシステムが、２つの前記光増幅器の間に位置する、請求項１に記載の光源。
  13. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源用の光フィルタシステムであって、前記光フィルタシステムが、前記ＥＵＶ光源の光増幅器と光生成モジュールとの間に配置され、前記光増幅器が、利得帯域内で光を増幅する利得媒体を含み、
    前記光フィルタシステムが、少なくとも１つの光学素子を含み、前記少なくとも１つの光学素子が、第１の波長帯域の波長を有する光を反射又は透過させ、第２の波長帯域の波長を有する光を拒絶し、前記第１の波長帯域及び前記第２の波長帯域が、前記増幅器の前記利得帯域のものであり、前記第１の波長帯域及び前記第２の波長帯域が、完全に異なる波長を含む、
    前記光フィルタシステムが、少なくとも部分的に空間的に異なる第１のビーム経路及び第２のビーム経路を備え、
    動作時の使用において、前記第１の波長帯域内の第１の波長を有する第１の光ビームが、前記第１のビーム経路上を伝搬し、前記第１の波長帯域に含まれるが、前記第１の波長とは異なる、第２の波長を有する第２の光ビームが、前記第２のビーム経路上を伝搬する、
    光フィルタシステム。
  14. 前記第１の波長帯域が、プレパルスビームと関連付けられた第１の波長と、メインビームと関連付けられた第２の波長とを含む、請求項１３に記載の光フィルタシステム。
  15. 少なくとも１つの二色性光学素子をさらに含む、請求項１４に記載の光フィルタシステム。
  16. 前記少なくとも１つの光学素子が、光フィルタリング素子、分散光学素子及び干渉計のうちの１つ又は複数を含む、請求項１３に記載の光フィルタシステム。
  17. 前記分散光学素子が、プリズム及び格子のうちの１つ又は複数である、請求項１６に記載の光フィルタシステム。
  18. 前記光フィルタリング素子が、多層コーティングを含む光学素子、及び特定の波長を有する光を吸収する光学素子のうちの１つ又は複数を含む、請求項１６に記載の光フィルタシステム。
  19. 方法であって、
    ビーム経路に光ビームを誘導することであって、前記ビーム経路が、光生成モジュールとプラズマサイトとの間に位置し、前記光ビームが、第１の波長帯域内の第１の波長を有する、誘導することと、
    前記光ビームを光フィルタシステムに通すことと、
    増幅光ビームを生成するために前記光フィルタシステムを出た光を光増幅器の方に誘導することであって、前記光増幅器が、利得帯域のものである光を増幅する利得媒体を含む、誘導することと、
    前記増幅光ビームを前記プラズマサイトに提供することであって、前記プラズマサイトが、プラズマ状態の時にＥＵＶ光を放出するターゲット材料を受け取る、提供することと、
    を含み、
    前記第１の波長が、前記光増幅器の前記利得帯域のものであり、
    前記光フィルタシステムが、前記第１の波長を有する光を前記ビーム経路上で伝播させることができ、
    前記光フィルタシステムが、前記光増幅器の前記利得帯域のものである前記第１の波長以外の波長を有する光を前記ビーム経路から除去し、
    前記光フィルタシステムが、少なくとも部分的に空間的に異なる第１のビーム経路及び第２のビーム経路を備え、
    前記方法は、
    動作時の使用において、前記第１の波長帯域内の第１の波長を有する第１の光ビームを、前記第１のビーム経路上を伝搬させることと、
    前記第１の波長帯域に含まれるが、前記第１の波長とは異なる、第２の波長を有する第２の光ビームを、前記第２のビーム経路上を伝搬させることとをさらに含む、
    方法。
  20. ターゲットを前記プラズマサイトに提供することをさらに含み、前記ターゲットが、前記ターゲット材料を含み、前記増幅光ビームが、前記ターゲット材料の少なくとも一部をＥＵＶ光を放出する前記プラズマ状態に変換させるのに十分なエネルギーを有する、請求項１９に記載の方法。
  21. フォトリソグラフィツール用の光源であって、
    光ビームを放出する光生成モジュールと、
    ビーム経路上の利得媒体を含む光増幅器であって、前記利得媒体が、利得帯域と関連付けられ、前記光増幅器が、前記利得帯域の波長を有する光を増幅する光増幅器と、
    前記光生成モジュールと前記光増幅器との間の前記ビーム経路上の波長ベースの光学損失システムであって、前記利得帯域の１つ又は複数の波長の光を前記ビーム経路から除去する波長ベースの光学損失システムと
    を含む、
    前記光学損失システムが、少なくとも部分的に空間的に異なる第１のビーム経路及び第２のビーム経路を備え、
    動作時の使用において、前記ビーム経路から除去された光の波長とは異なる、第１の波長帯域内の第１の波長を有する第１の光ビームが、前記第１のビーム経路上を伝搬し、前記第１の波長帯域に含まれるが、前記第１の波長とは異なる、第２の波長を有する第２の光ビームが、前記第２のビーム経路上を伝搬する、光源。
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