TW201822717A - 斷層合成影像邊緣假影抑制方法 - Google Patents

斷層合成影像邊緣假影抑制方法 Download PDF

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Abstract

一種斷層合成影像邊緣假影抑制方法，包括以下步驟：進行一投影步驟；進行一反投影運算步驟，以得到一反投影幾何因子矩陣；調整反投影幾何因子矩陣的邊緣區域。

Description

斷層合成影像邊緣假影抑制方法
本發明是有關於一種影像成像方法，且特別是有關於一種用於放射醫學影像之斷層合成影像邊緣假影抑制方法。
早期數位化放射造影(computed radiography，CR)只能批次作業，所述批次作業例如為每小時操作X光片數約為60片，批次作業所耗費的成本雖低，但於過程中需經過讀片器(CR reader)掃描X光片來轉化成數位信號才可進入電腦系統進行圖像處理。近年來無需經過讀片器進行掃描轉化的過程，便能直接取得造影結果之數位放射造影技術(digital radiography，DR)，此DR技術已經成為X光影像設備市場之主要新趨勢，其中數位X光斷層合成攝影儀(tomosynthesis)可將多角度的X射線影像合成為一個三維影像，解決傳統數位X光影像上的病灶或組織重疊問題，且因為該系統造影時不需要完全角度的影像擷取，不但減少造影時間，輻射劑量亦低於完整角度範圍造影的電腦斷層掃描(computed tomography，CT)。
影像重建技術分為直接解法(Direct Method)與迭代解法(Iterative Method)，過去大多成像系統為求快速得到影像結果，而妥協於解 析度尚可之影像，在做法上仍以直接解法為主。舉例而言，市售數位胸腔X光斷層掃描儀GE Discovery XR656採用發展自美國Duke University的VolumeRAD高解析數位胸腔X光斷層掃描技術(MITS)，Shimadzu SONIALVISION safire系列的泛用型X光造影儀使用傳統平移加總(Shift-and-Add)或濾波反投影(FBP)，近幾年迭代解法如ART、MLEM等已陸續應用於tomosynthesis。
在上述的迭代解法中，假設向量P(M×1)為收到之訊號並以離散陣列方式儲存於電腦，其維度為偵檢器大小乘以造影張數，基本的tomosynthesis影像重建數學模型可用下述離散化之矩陣問題表示：GF=p，其中G為系統矩陣(M×N)，所想要求的3D影像為F(N×1)。由於光子在空間中是走直線，在不考慮散射等其他物理因素情況下，假設造影儀器接收到訊號，以一個具體積的光源發出，被某個偵檢器所接收，G可以簡化成描述幾何相關性的矩陣，以gij表示第i個體素(voxel)對於第j個偵檢器的幾何偵測效應。因在不同位置對於各種偵檢器而言，所收到的機率不相同，需要將機率資訊反饋至重建過程，修正空間分佈的差異。
Tomosynthesis之成像原理與CT相同，但Tomosynthesis過程為有限角度範圍取樣，致使G與P的資訊相對不完整，且重建影像切面與CT的方向不同，會在造影與重建過程中產生假影致使影響影像判讀，例如掃描密度不夠的波紋假影(ripple artifact)、與掃描方向相關的鬼影假影(ghost artifact)、因造影物體含有金屬物質所引起的金屬假影等。其中有別於360度完整角度掃描之CT造影樣本數足夠，若為了降低病人造影時的劑量而減少投影取樣數量，將導致偵檢器邊緣在重建過程中出現截斷誤差(truncation error)，此因取樣頻率較低問題會在最後3D影像上形成邊緣假影(boundary artifact)，若影響主要檢查部位(例如拍攝胸腔時的肩胛骨)，則會降低臨床疾病診斷率。
因此，如何對於降低上述邊緣假影的問題，係業界所亟待解決之課題。
本發明的目的在於，提出一種斷層合成影像邊緣假影抑制方法，透過調整重建過程中幾何因子矩陣，以大幅改善因少量角度造影所產生之邊緣假影的問題。
本發明的提出一種斷層合成影像邊緣假影抑制方法，包括以下步驟：進行一投影步驟，投影步驟包含以下步驟，一光源在一有限角度範圍內產生一放射線場至一偵檢模組，放射線場於每隔一預定角度之位置投射至該偵檢模組而得到不同方向之相對應的一投影資料，偵檢模組具有複數個排列成陣列的偵檢器，定義每一個感測到放射線場之偵檢器與光源之間具有一子放射線場。形成一三維度空間陣列，所述三維度空間陣列係由將各方向的所述投影資料建立成一三維度空間陣列，三維度空間陣列包含一第一維度陣列、一第二維度陣列與一第三維度陣列，且三維度空間陣列係由複數個空間單元堆疊形成。依據每一個偵檢器於該子放射線場中所對應之每一空間單元來進行一運算，以得到一子幾何因子。將每一個偵檢器於子放射線場中所對應之每一個空間單元所具有之子幾何因子組合形成一幾何因子矩陣。進行一反投影運算步驟，以得到一反投影幾何因子矩陣， 反投影幾何因子矩陣係依據幾何因子矩陣而得到。調整反投影幾何因子矩陣的邊緣區域。
在本發明的一實施例中，上述調整反投影幾何因子矩陣的邊緣區域的步驟包含以下步驟。選定反投影幾何因矩陣中的三維度空間陣列之第一維度陣列與第二維度陣列。每一個偵檢器分別與第一維度陣列及第二維度陣列產生相對應之一反投影幾何因子函數變量。修正反投影幾何因子函數變量的邊緣位置。
在本發明的一實施例中，上述修正反投影幾何因子函數變量的邊緣位置係藉由內插法而得。
在本發明的一實施例中，上述修正反投影幾何因子函數變量的邊緣位置為藉由一修正因子調整反投影幾何因子函數變量。
在本發明的一實施例中，上述調整反投影幾何因子矩陣的邊緣區域的步驟後，包含以下步驟。進行一正規化運算步驟，以得到一正規化幾何因子矩陣，正規化幾何因子矩陣係將反投影幾何因子矩陣乘以一均一化參數而得到。調整正規化幾何因子矩陣的邊緣區域。
在本發明的一實施例中，上述調整正規化幾何因子矩陣的邊緣區域的步驟包含以下步驟。選定正規化幾何因子矩陣中的三維度空間陣列之第一維度陣列與第二維度陣列。每一個偵檢器分別與第一維度陣列及第二維度陣列產生相對應之一正規化幾何因子函數變量。修正正規化幾何因子函數變量的邊緣位置。
在本發明的一實施例中，上述修正正規化幾何因子函數變量的邊緣位置係藉由內插法而得。
在本發明的一實施例中，上述修正正規化幾何因子函數變量的邊緣位置為藉由一修正因子調整正規化幾何因子函數變量。
在本發明的一實施例中，上述偵檢模組係為一數位X光斷層合成攝影之偵檢模組。
基於上述，在本發明的斷層合成影像邊緣假影抑制方法中，透過調整影像重建過程中幾何因子矩陣，藉此避免影像重建運算過程中少量造影張數所導致的截斷誤差，以大幅改善因少量角度造影所產生之邊緣假影的問題。
20‧‧‧光源
210‧‧‧放射線場
212‧‧‧子放射線場
30‧‧‧三維度空間陣列
40‧‧‧偵檢模組
L、L1‧‧‧切面線
f1‧‧‧邊緣
f2‧‧‧另一邊緣
gij‧‧‧子幾何因子
Gij‧‧‧幾何因子矩陣
G1ij‧‧‧反投影幾何因子矩陣
G2ij‧‧‧正規化幾何因子矩陣
S100‧‧‧斷層合成影像邊緣假影抑制方法
S110~S150‧‧‧步驟
S112~S118‧‧‧步驟
S132~S136‧‧‧步驟
S152~S156‧‧‧步驟
a‧‧‧第一邊緣點
a1‧‧‧修正第一邊緣點
b‧‧‧第二邊緣點
b1‧‧‧修正第二邊緣點
e‧‧‧第一中點
Ia‧‧‧數值
Ia1‧‧‧數值
Ie‧‧‧數值
i‧‧‧空間單元
j‧‧‧偵檢器
x‧‧‧第一軸
y‧‧‧第二軸
z‧‧‧第三軸
Pr1‧‧‧第一反投影幾何因子函數變量
Pr2‧‧‧第二反投影幾何因子函數變量
Pr3‧‧‧正規化幾何因子函數變量
Pr4‧‧‧修正後正規化幾何因子函數變量
第1圖為本發明之斷層合成影像邊緣假影抑制方法的流程示意圖。
第2圖為本發明之光源與偵檢器關係的示意圖。
第3圖為第1圖中的投影步驟的細部流程示意圖。
第4圖為第1圖中調整反投影幾何因子矩陣的邊緣區域的細部流程圖。
第5A圖為第4圖中一步驟的示意圖。
第5B圖為對第5A圖中的一切面擷取的示意圖。
第6A圖為第4圖中一步驟的示意圖。
第6B圖為對第6A圖中的一切面擷取的示意圖。
第7圖為第6B圖的局部放大的示意圖。
第8圖為第1圖中調整正規化幾何因子矩陣的邊緣區域的細部流程圖。
第9A圖為不同角度造影的示意圖。
第9B圖為對第9A圖中的一切面擷取的示意圖。
第9C圖為調整正規化幾何因子後對第9A圖中的一切面擷取的示意圖。
以下結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用於更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此限制本發明的保護範圍。
本發明提供一種斷層合成影像邊緣假影抑制方法以供影像重建(image reconstruction)使用，可應用於數位X光斷層合成攝影(tomosynthesis)之迭代重建問題
第1圖為本發明之斷層合成影像邊緣假影抑制方法的流程示意圖。第2圖為本發明之光源與偵檢器關係的示意圖。第3圖為第1圖中的投影步驟的細部流程示意圖。請先參閱第1圖。
在本實施例中，斷層合成影像邊緣假影抑制方法S100包括下列步驟S110~S150。
首先，進行步驟S110，進行一投影步驟。具體而言，在此所述投影步驟係為迭代影像重建過程中的一正投影(forward projection)運算步驟，請參閱第2圖與第3圖，投影步驟包含以下步驟S112~S118。
進行步驟S112，一光源20在一有限角度範圍內產生一放射線場210至一偵檢模組40。
如第2圖所示，在三維空間中，光源20在一有限角度範圍內產生放射線場210，放射線場210於每隔一預定角度之位置投射至偵檢模組 40而得到不同方向之相對應的一投影資料，偵檢模組40具有複數個排列成陣列的偵檢器j，定義每一個感測到放射線場210之偵檢模組40與光源20之間具有一子放射線場212，子放射線場212屬於放射線場210之一部分。
在本實施例中，光源20例如係為可以產生X射線之光源，而偵檢模組40用以偵測光源20所產生之X射線，實際上，光源的種類並無特定之限制，端視實際使用時之需求而定。另外，本實施例之偵檢模組40為一數位X光斷層合成攝影(tomosynthesis)之偵檢模組。
接著，進行步驟S114，形成一三維度空間陣列30，其中所述三維度空間陣列30係由將各方向的所述投影資料建立成一三維度空間陣列。
具體來說，如第2圖所示，於光源20與偵檢模組40之間具有一三維度空間陣列30，而所述三維度空間陣列30係由複數個空間單元i堆疊形成。此外，本實施例在光源20與上述複數個排列成陣列的偵檢器j定義出由一第一軸x、一第二軸y以及一第三軸z所構成之三維空間，三維度空間陣列30包含一第一維度陣列、一第二維度陣列與一第三維度陣列，其中第一維度陣列係為三維度空間陣列30在第一軸x方向的陣列，第二維度陣列係為三維度空間陣列30在第二軸y方向的陣列，第三維度陣列係為三維度空間陣列30在第三軸z方向的陣列。另外，要說明的是，所述光源20擺設的位置並無特定之限制，在本實施例中，該光源係擺設於三維空間的原點。並以此作為基準中心點，藉以降低計算上的繁雜性。
接著，進行步驟S116，依據每一偵檢器j於子放射線場212中所對應之每一空間單元i來進行一運算，以得到一子幾何因子gij。
接著，進行步驟S118，將每一個偵檢器j於子放射線場212中所對應之每一個空間單元i所具有之子幾何因子gij組合形成一幾何因子矩陣Gij，而所述投影資料透過幾何因子矩陣Gij與三維度空間陣列30兩者迭代運算而來。
請復參閱第1圖。進行上述步驟S110之後，接著，進行步驟S120，進行一反投影(back projection)運算步驟，以得到一反投影幾何因子矩陣G1ij，反投影幾何因子矩陣G1ijv係依據幾何因子矩陣Gij而得到。
接著，進行步驟S130，調整反投影幾何因子矩陣G1ij的邊緣區域。
具體而言，第4圖為第1圖中調整反投影幾何因子矩陣的邊緣區域的細部流程圖。第5A圖為第4圖中一步驟的示意圖。第5B圖為對第5A圖中的一切面擷取的示意圖。請先參閱第4圖及第5A圖，在本實施例中，調整反投影幾何因子矩陣G1ij的邊緣區域的步驟S130包含以下步驟S132~S136。
進行步驟S132，選定反投影幾何因子矩陣G1ij中的三維度空間陣列30之第一維度陣列與第二維度陣列。接著，進行步驟S134，每一個偵檢模組40分別與第一維度陣列及第二維度陣列產生相對應之一反投影幾何因子函數變量。
舉例而言，選定前述反投影幾何因子矩陣G1ij中第一維度陣列來進行調整。以第5A圖來說，光源20在某個特定角度的造影，並針對空間中某個切面(slice)擷取出一切面線L，可得到如第5B圖，於第5B圖中表示偵檢模組40中複數個偵檢器j與第一維度陣列產生相對應之一反投影幾何因 子函數變量之示意圖，橫軸表示偵檢器位置，縱軸代表反投影幾何因子矩陣G1ij的數值，意即第5A圖中的切面線L穿過複數個空間單元i對於偵檢模組40中所有偵檢器j發出的射束的幾何偵測效應，以形成一第一反投影幾何因子函數變量Pr1之輪廓，第一邊緣點a與第二邊緣點b是偵檢模組40邊緣經由放大倍率作用後在切面線L的邊緣位置。並且，可由第5B看出，第一反投影幾何因子函數變量Pr1之輪廓在第一邊緣點a與第二邊緣點b為呈現不連續的狀態。
接著，進行步驟S136，修正反投影幾何因子函數變量的邊緣位置。
詳細而言，請參閱第6A圖及第6B圖，第6A圖為第4圖中一步驟的示意圖。第6B圖為對第6A圖中的一切面擷取的示意圖。從第6A圖中的切面線L的邊緣位置上的第一邊緣點a與第二邊緣點b分別往內縮至修正第一邊緣點a1與修正第二邊緣點b1，以對邊緣進行柔化調整，以形成如第6B圖中第二反投影幾何因子函數變量Pr2之輪廓。透過上述的修正反投影幾何因子矩陣G1ij的邊緣區域，使得反投影運算步驟過程中的反投影幾何因子矩陣G1ij能呈現連續分佈。需說明的是，上述對於修正第一邊緣點a1與修正第二邊緣點b1之位置選取係與造影取樣的角度有關，而調整的區域會隨著第一反投影幾何因子函數變量Pr1之輪廓的位置與造影取樣的角度而修正，一般而言，修正第一邊緣點a1的位置為下一個造影的角度邊緣所在位置。在本實施例中，以第6A圖來說，修正第一邊緣點a1與修正第二邊緣點b1之位置分別為第一邊緣點a與第二邊緣點b往光源20射束中心位置所接觸到的投影邊緣。
在本實施例中，步驟S136中，修正反投影幾何因子函數變量的邊緣位置係藉由內插法而得，換言之，在修正第一邊緣點a1與第一邊緣點a這段範圍以內插方式來調整反投影幾何因子，以達到邊緣柔化的目的。於本實施例調整係以線性內插為例，但不以此為限制，而計算反投影幾何因子過程可以得到不同角度投影邊緣射束的位置，藉此得到不同切面的邊緣射束。具體而言，請參閱第7圖。第7圖為第6B圖的局部放大的示意圖。如第7圖所示，第一中點e係為在該切面的邊緣射束的中點位置，而第一邊緣點a之座標位置、修正第一邊緣點a1之座標位置與第一中點e之座標位置分別可經由光源20位置與偵檢模組40的位置計算可得到。第一邊緣點a位置對應到的反投影幾何因子矩陣的數值為Ia，修正第一邊緣點a1位置對應到的反投影幾何因子矩陣的數值為Ia1，第一中點e位置對應到的反投影幾何因子矩陣的數值為Ie，藉此依此下述修正因子的數學式(1)來計算Ie： 上述修正因子的數學式(1)中，透過第一邊緣點a之座標位置、修正第一邊緣點a1之座標位置與第一中點e之座標位置而可得到相對距離，進而進行內插法而得到Ie。運用此方式，修正反投影幾何因子函數變量的邊緣位置的步驟為藉由上述修正因子調整反投影幾何因子函數變量，以來計算出在某特定角度投影與切面下第一邊緣點a至修正第一邊緣點a1之間空間單元i調整後的幾何因子。
請復參閱第1圖，上述進行步驟S130後，在反投影運算步驟上針對反投影幾何因子矩陣的邊緣區域來進行調整，以達到邊緣柔化的目 的，進而降低因少量角度造影產生之邊緣假影的問題。
請復參閱第1圖，進行步驟S130後，接著，進行步驟S140，進行一正規化(normalization)運算步驟，以得到一正規化幾何因子矩陣G2ij，其中正規化幾何因子矩陣G2ij係將反投影幾何因子矩陣G1ij乘以一均一化參數而得到。所述均一化參數例如為1與複數個網格的數目之比值，所述網格的數目係視三維度空間陣列30中的第一維度陣列、第二維度陣列與第三維度陣列而擇定。以第一軸x為例，網格的數目即為第一維度陣列中空間單元i的數目。
進行正規化運算步驟後，接著，進行步驟S150，調整正規化幾何因子矩陣G2ij的邊緣區域。詳細而言，如第8圖所示，第8圖為第1圖中調整正規化幾何因子矩陣的邊緣區域的細部流程圖。在本實施例中，調整正規化幾何因子矩陣G2ij的邊緣區域的步驟S150包含以下步驟S152~S156。首先，進行步驟S152，選定正規化幾何因子矩陣G2ij中的三維度空間陣列30之第一維度陣列與第二維度陣列。接著，進行步驟S154，每一個偵檢模組40分別與第一維度陣列及第二維度陣列產生相對應之一正規化幾何因子函數變量。接著，進行步驟S156，修正正規化幾何因子函數變量的邊緣位置，其中修正正規化幾何因子函數變量的邊緣位置係藉由內插法而得。換言之，在此步驟S152~S156的作法類同於前述步驟S132~S136對於反投影幾何因子矩陣的邊緣區域進行調整的作法，因此，修正正規化幾何因子函數變量的邊緣位置例如為藉由一修正因子調整正規化幾何因子函數變量，修正因子的式子可參考前述數學式(1)。
第9A圖為不同角度造影的示意圖。第9B圖為對第9A圖中的 一切面擷取的示意圖。第9C圖為調整正規化幾何因子後對第9A圖中的一切面擷取的示意圖。請先參閱第9A圖。光源20在一方向進行造影後，光源20在另一方向進行造影，並針對空間中某個切面(slice)擷取出一切面線L1，得出光源20於一方向造影的一邊緣f1以及光源20於另一方向造影的另一邊緣f2。由於此時造影角度數量較少，若未進行步驟S150調整正規化幾何因子矩陣G2ij時，正規化幾何因子函數變量Pr3之局部部分輪廓如第9B圖所示，於第9B可看出，一邊緣f1位置與另一邊緣f2位置的加總並非連續。
因此，如第9C圖所示，將正規化幾何因子函數變量Pr3進行步驟S150後，可以得到修正後正規化幾何因子函數變量Pr4。正規化幾何因子函數變量Pr3以虛線表示，而修正後正規化幾何因子函數變量Pr4以實線表實，相較之下，進行步驟S150，確實可以使得正規化運算步驟過程中的正規化幾何因子矩陣G2ij能呈現連續分佈。
綜上所述，本發明的斷層合成影像邊緣假影抑制方法可供迭代影像演算法適用，應用於造影張數較少之數位X光斷層合成攝影儀(tomosynthesis)系統。
再者，在本發明的斷層合成影像邊緣假影抑制方法中，透過調整影像重建過程中幾何因子矩陣，藉此避免影像重建運算過程中少量造影張數所導致的截斷誤差，使用此斷層合成影像邊緣假影抑制方法可有效減少造影張數並能維持影像品質，故在能維持影像品質的狀況下，使被拍攝者(如病人)拍攝tomosynthesis接受到的曝露量更低，進而能達到低劑量造影的目的。
此外，在迭代影像重建過程中，係針對反投影運算與正規化 運算步驟進行相對應的幾何因子矩陣作調整，藉此柔化於反投影運算與正規化運算中的邊緣區域，並能降低於邊緣區域中幾何因子的幅度，更能使整體輪廓呈現連續化的曲線，以大幅改善因少量角度造影所產生之邊緣假影的問題。
以上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段的較佳實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施的範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。

Claims (9)

  1. 一種斷層合成影像邊緣假影抑制方法，包括以下步驟：進行一投影步驟，其中該投影步驟包含以下步驟：一光源在一有限角度範圍內產生一放射線場至一偵檢模組，其中該放射線場於每隔一預定角度之位置投射至該偵檢模組而得到不同方向之相對應的一投影資料，該偵檢模組具有複數個排列成陣列的偵檢器，定義每一個感測到該放射線場之該偵檢器與該光源之間具有一子放射線場；形成一三維度空間陣列，其中該三維度空間陣列係由將各方向的所述投影資料建立成一三維度空間陣列，該三維度空間陣列包含一第一維度陣列、一第二維度陣列與一第三維度陣列，且該三維度空間陣列係由複數個空間單元堆疊形成；依據該每一個偵檢器於該子放射線場中所對應之該每一空間單元來進行一運算，以得到一子幾何因子；及將該每一個偵檢器於該子放射線場中所對應之該每一個空間單元所具有之該子幾何因子組合形成一幾何因子矩陣；進行一反投影運算步驟，以得到一反投影幾何因子矩陣，其中該反投影幾何因子矩陣係依據該幾何因子矩陣而得到；以及調整該反投影幾何因子矩陣的邊緣區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中調整該反投影幾何因子矩陣的邊緣區域的步驟包含以下步驟：選定該反投影幾何因子矩陣中的該三維度空間陣列之該第一維度陣列與該第二維度陣列；該每一個偵檢器分別與該第一維度陣列及該第二維度陣列產生相對 應之一反投影幾何因子函數變量；以及修正該反投影幾何因子函數變量的邊緣位置。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中修正該反投影幾何因子函數變量的邊緣位置係藉由內插法而得。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中修正該反投影幾何因子函數變量的邊緣位置為藉由一修正因子調整該反投影幾何因子函數變量。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中調整該反投影幾何因子矩陣的邊緣區域的步驟後，包含以下步驟：進行一正規化運算步驟，以得到一正規化幾何因子矩陣，其中該正規化幾何因子矩陣係將該反投影幾何因子矩陣乘以一均一化參數而得到；以及調整該正規化幾何因子矩陣的邊緣區域。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中調整該正規化幾何因子矩陣的邊緣區域的步驟包含以下步驟：選定該正規化幾何因子矩陣中的該三維度空間陣列之該第一維度陣列與該第二維度陣列；每一個偵檢器分別與該第一維度陣列及該第二維度陣列產生相對應之一正規化幾何因子函數變量；以及修正該正規化幾何因子函數變量的邊緣位置。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中修正該正規化幾何因子函數變量的邊緣位置係藉由內插法而得。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中修正該正規化幾何因子函數變量的邊緣位置為藉由一修正因子調整該正規 化幾何因子函數變量。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之斷層合成影像邊緣假影抑制方法，其中該偵檢模組係為一數位X光斷層合成攝影之偵檢模組。
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