TW201819662A - 連續鍍膜設備 - Google Patents
連續鍍膜設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201819662A TW201819662A TW105137809A TW105137809A TW201819662A TW 201819662 A TW201819662 A TW 201819662A TW 105137809 A TW105137809 A TW 105137809A TW 105137809 A TW105137809 A TW 105137809A TW 201819662 A TW201819662 A TW 201819662A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- item
- continuous coating
- patent application
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000007747 plating Methods 0.000 title abstract 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 abstract description 5
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 241001311547 Patina Species 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009960 carding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
一種連續鍍膜設備，包含有依序設置的一載入腔室、一電漿清潔腔室以及一鍍膜腔室，用以對一基板進行清潔，其特徵在於該電漿清潔腔室包含有一承載件、一電極、複數輔助電極以及一電源供應件，該承載件用以承載該基板，該電極設置於該基板遠離該承載件之一側，該些輔助電極設置於該電極相鄰於該承載件之一側且各具有一放電端，該些放電端分別對應於該基板之一側邊，該電源供應件電性連接於該電極與該些輔助電極，藉由使該些放電端對應於該基板之該側邊，可以對該側邊進行電漿清潔，以去除銅綠、氧化銅等氧化物，進而提升該側邊的附著力並降低阻抗。
Description
本發明為有關一種鍍膜設備，尤指一種連續鍍膜設備。
在半導體、顯示器、太陽能電池等電子裝置進行製程時，基材於搬運或進行其他步驟時，難免會暴露於空氣中，而空氣中的氧氣與水氣會與基材產生反應而生成氧化物於基材的表面上，並造成後續製程的困難，因此，在進行製程前，通常會先清洗基材以去除氧化物。
常見的清洗方式如中華民國專利公告第428045號之「利用非全球暖化化合物的電漿清潔和蝕刻方法」，其包含有一處理室、一電源、一上電極以及一下電極，該上電極與該下電極相對置於該處理室中，該電源電性連接於該上電極，並將一基板置於該下電極相鄰於該上電極之一側，而後，該電源供給電力，會於該上電極與該下電極之間產生電漿，以清洗該基板。
然而，產生的該電漿通常僅會存在於該上電極與該基板之間，雖然該電漿可以對該基板的上表面進行清潔，但卻無法有效的清潔該基板的側邊，而側邊同樣會具有銅綠、氧化銅等氧化物產生，進而導致側邊的附著力降低並會進一步提升阻抗，影響製程，因此，如何有效的清潔該基板的側邊，實為一大課題。
本發明的主要目的，在於解決電漿無法有效的清潔該基板側邊的問題。
為達上述目的，本發明提供一種連續鍍膜設備，包含有依序設置的一載入腔室、一電漿清潔腔室以及一鍍膜腔室，用以對一基板進行清潔，其特徵在於該電漿清潔腔室包含有一用以承載該基板的承載件、一電極、複數輔助電極以及一電源供應件，該電極設置於該基板遠離該承載件之一側，該些輔助電極設置於該電極相鄰於該承載件之一側且各具有一放電端，該些放電端分別對應於該基板之一側邊，該電源供應件電性連接於該電極與該些輔助電極。
綜上所述，該電源供應件供給電力後，該電極與該些輔助電極會解離中性氣體原子而產生電漿，並透過該些放電端對應於該基板之該側邊，而可以對該側邊進行電漿清潔，以去除銅綠、氧化銅等氧化物，進而提升該側邊的附著力並降低阻抗。
有關本發明的詳細說明及技術內容，現就配合圖式說明如下：
請參閱「圖1」及「圖2」所示，本發明為一種連續鍍膜設備，包含有依序設置的一載入腔室10、一電漿清潔腔室20以及一鍍膜腔室30，用以對一基板40進行清潔，該電漿清潔腔室20包含有一承載件21、一電極22、複數輔助電極23以及一電源供應件24，該承載件21用以承載該基板40，該電極22設置於該基板40遠離該承載件21之一側，該些輔助電極23設置於該電極22相鄰於該承載件21之一側且各具有一放電端231，該些放電端231分別對應於該基板40之一側邊41，該電源供應件24電性連接於該電極22與該輔助電極23，於本實施例中，該電極22與該輔助電極23作為正端，該承載件21作為負端，屬於接地端，而該電源供應件24供給電源後，會於該電極22、該些輔助電極23與該承載件21之間產生一電漿1，而由於該些輔助電極23與該電極22相鄰於該承載件21之一側具有一高低差，且使該些放電端231分別對應於該基板40之該側邊41，而可以對該側邊41進行電漿清潔，以去除銅綠、氧化銅等氧化物，進而提升該側邊41的附著力並降低阻抗。
該基板40由該載入腔室10進入後，再進入該電漿清潔腔室20進行清潔，最後送入該鍍膜腔室30進行鍍膜，其中，該載入腔室10與該電漿清潔腔室20之間具有一第一閘門81，該電漿清潔腔室20與該鍍膜腔室30之間具有一第二閘門82，該第一閘門81與該第二閘門82僅會於傳送該基板40時打開，其他時候則會緊閉，以確保製程的精準度以及操作安全性，而連續鍍膜設備的腔室的種類與數目則可以依據製程的不同而做增減。
而於本實施例中，更包含有一壓力控制單元50、一氣體供應單元70以及一吸附件60，該壓力控制單元50與該氣體供應單元70皆與該電漿清潔腔室20連接，該壓力控制單元50用以控制該電漿清潔腔室20中的壓力，以確保符合製程所需，此外，該載入腔室10與該鍍膜腔室30亦可以與該壓力控制單元50連接，以控制整條製程的壓力，而該氣體供應單元70則會供應中性氣體進入該電漿清潔腔室20中，如氧氣、氬氣等等，以利於幫助產生該電漿1，而該吸附件60則會透過該承載件21上之複數吸附孔211而使該基板40吸附固定於該承載件21上，防止該基板40產生位移，以提高製程的精準度。
此外，續搭配參閱「圖2」至「圖4」所示，其不同之處在於該些放電端231的形狀，不同形狀知該些放電端231可以配合進行不同的製程，如於「圖2」中，該些放電端231為平面，於「圖3」中，該些放電端231為呈三角形狀，而於「圖4」中，該些放電端231為呈梯形狀，但不以此為限。
續搭配參閱「圖5」至「圖7」所示，該些輔助電極23可以為直接固定於該電極22上，或是設置成可改變位置的，「圖5」中的該些輔助電極23為直接固定於該電極22之上；而於「圖6」中，該電極22具有一滑軌221，該些輔助電極23各具有一滑移件232，該些滑移件232卡設於該滑軌221內而可進行滑移，以調整該些輔助電極23的位置；於「圖7」中，該電極22具有複數第一卡固部222，該些輔助電極23具有一第二卡固部233，該些第一卡固部222會配合該第二卡固部233而進行固定，故可依據製程之需求而設置於不同之位置，本實施例是以一個輔助電極23具有四個第二卡固部233進行示意說明，但該第二卡固部233的設置數量係可以依據該些輔助電極23的大小而做調整，不以此例子為限。
此外，該些輔助電極23可以為長條狀或塊狀，長條狀僅可對該基板40的兩個側邊41進行清潔，若需要對四個側邊41皆進行清潔，需要進行兩次清潔，而若為塊狀，則可對應該基板40的側邊41進行設置，故可依不同的製程需求而做變動。
綜上所述，本發明具有以下特點：
一、 藉由該些放電端分別對應於該基板之該側邊，而可以對該側邊進行電漿清潔，以去除銅綠、氧化銅等氧化物，進而提升該側邊的附著力並降低阻抗。
二、 藉由該第一閘門與該第二閘門的設置，可以確保製程的精準度以及操作安全性。
三、 藉由該壓力控制單元的設置，可以控制該電漿清潔腔室中的壓力，以確保符合製程所需。
四、 該氣體供應單元會供應中性氣體，以利於幫助產生該電漿。
五、 藉由該吸附件的設置，可以防止該基板產生位移，以提高製程的精準度。
六、 藉由該滑軌、該滑移件、該些第一卡固部與該些第二卡固部的設置，可以配合不同製程的需求，而調整該些輔助電極的位置。
因此本發明極具進步性及符合申請發明專利的要件，爰依法提出申請，祈 鈞局早日賜准專利，實感德便。
以上已將本發明做一詳細說明，惟以上所述者，僅爲本發明的一較佳實施例而已，當不能限定本發明實施的範圍。即凡依本發明申請範圍所作的均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明的專利涵蓋範圍內。
1‧‧‧電漿
10‧‧‧載入腔室
20‧‧‧電漿清潔腔室
21‧‧‧承載件
211‧‧‧吸附孔
22‧‧‧電極
221‧‧‧滑軌
222‧‧‧第一卡固部
23‧‧‧輔助電極
231‧‧‧放電端
232‧‧‧滑移件
233‧‧‧第二卡固部
24‧‧‧電源供應件
30‧‧‧鍍膜腔室
40‧‧‧基板
41‧‧‧側邊
50‧‧‧壓力控制單元
60‧‧‧吸附件
70‧‧‧氣體供應單元
81‧‧‧第一閘門
82‧‧‧第二閘門
圖1，為本發明的設備結構示意圖。 圖2，為本發明第一實施例的局部剖面示意圖。 圖3，為本發明第二實施例的局部剖面示意圖。 圖4，為本發明第三實施例的局部剖面示意圖。 圖5，為本發明電極結構之示意圖一。 圖6，為本發明電極結構之示意圖二。 圖7，為本發明電極結構之示意圖三。
Claims (10)
- 一種連續鍍膜設備，包含有依序設置的一載入腔室、一電漿清潔腔室以及一鍍膜腔室，用以對一基板進行清潔，其特徵在於該電漿清潔腔室包含有： 一用以承載該基板的承載件； 一設置於該基板遠離該承載件之一側的電極； 複數個輔助電極，該些輔助電極設置於該電極相鄰於該承載件之一側且各具有一放電端，該些放電端分別對應於該基板之一側邊；以及 一電性連接於該電極與該些輔助電極的電源供應件。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中更包含有一與該電漿清潔腔室連接的壓力控制單元。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中該些放電端為平面。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中該些放電端為呈三角形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中該些放電端為呈梯形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中更包含有一吸附件，該吸附件透過該承載件之複數吸附孔而使該基板吸附固定於該承載件上。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中該電極具有一滑軌，該些輔助電極各具有一滑移件，該些滑移件卡設於該滑軌內。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中該電極具有複數第一卡固部，該些輔助電極各具有一與該些第一卡固部配合的第二卡固部。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中更包含有一與該電漿清潔腔室連接的氣體供應單元。
- 如申請專利範圍第1項所述之連續鍍膜設備，其中該載入腔室與該電漿清潔腔室之間具有一第一閘門，該電漿清潔腔室與該鍍膜腔室之間具有一第二閘門。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105137809A TWI592507B (zh) | 2016-11-18 | 2016-11-18 | Continuous coating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105137809A TWI592507B (zh) | 2016-11-18 | 2016-11-18 | Continuous coating equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI592507B TWI592507B (zh) | 2017-07-21 |
| TW201819662A true TW201819662A (zh) | 2018-06-01 |
Family
ID=60048398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105137809A TWI592507B (zh) | 2016-11-18 | 2016-11-18 | Continuous coating equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI592507B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI788227B (zh) * | 2022-02-16 | 2022-12-21 | 友威科技股份有限公司 | 金屬表面鍍膜製造機台及其製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113088918B (zh) * | 2021-04-19 | 2022-11-25 | 辽宁分子流科技有限公司 | 一种智能蒸发镀膜机 |
-
2016
- 2016-11-18 TW TW105137809A patent/TWI592507B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI788227B (zh) * | 2022-02-16 | 2022-12-21 | 友威科技股份有限公司 | 金屬表面鍍膜製造機台及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI592507B (zh) | 2017-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI453849B (zh) | Shower head and substrate processing device | |
| TWI414035B (zh) | A cleaning method of a transfer arm, a cleaning method of a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus | |
| KR101219054B1 (ko) | 정전 흡착 전극 및 그 제조 방법, 그리고 기판 처리 장치 | |
| JP2008041993A (ja) | 静電チャック | |
| CN107180753A (zh) | 元件芯片的制造方法 | |
| TW200837874A (en) | Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| TWI686515B (zh) | 在基材上形成鈷互連 | |
| KR102035584B1 (ko) | 정전 척 및 반도체 제조 장치 | |
| TW201819662A (zh) | 連續鍍膜設備 | |
| US10056235B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| TW200929356A (en) | Processing device | |
| CN101207061B (zh) | 基板载置台及其制造方法、基板处理装置、流体供给机构 | |
| CN103187348A (zh) | 晶片固定装置、半导体设备和晶片固定方法 | |
| JPWO2016017510A1 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN103972080A (zh) | Ono结构及ono电容的制作方法 | |
| KR20180018411A (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 시스템 | |
| CN100341120C (zh) | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | |
| TWI419259B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| CN109643651A (zh) | 蚀刻停止层及半导体器件的制造方法 | |
| KR102033826B1 (ko) | 플라스마 에칭 방법 | |
| JP6348321B2 (ja) | エッチング装置 | |
| KR20110025686A (ko) | 정전척 및 그 제조방법 | |
| TWI808439B (zh) | 層積構造體及層積構造體之製造方法 | |
| CN106856187A (zh) | 托盘组件 | |
| KR20200045872A (ko) | 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |