TW201813825A - 透過信號路徑傳播之輸入控制信號 - Google Patents

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Abstract

某些範例中，用於一流體噴射裝置之一控制裝置包括多個選擇器，其可由一輸入控制信號控制來產生用以選擇該流體噴射裝置之分別噴嘴的信號，其中一第一選擇器回應透過一第一信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該第一選擇器中之一裝置，而一第二選擇器回應該輸入控制信號來執行一不同的任務。一記憶體編碼器用來選擇該記憶體中之一記憶體位置，該記憶體編碼器回應透過一第二信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該記憶體編碼器中之一裝置，其中該第二信號路徑之信號負載與該第一信號路徑之信號負載隔離。

Description

透過信號路徑傳播之輸入控制信號
本發明係有關於透過信號路徑傳播之輸入控制信號。
發明背景 一種列印系統可包括具有噴嘴來將列印流體分配至一目標之一列印頭。於一二維(2D)列印系統中，該目標為一列印媒體，諸如列印影像可於其上形成之一紙張或其他基體類型。2D列印系統之範例包括能夠分配墨滴之噴墨列印系統。於一三維(3D)列印系統中，該目標可為沉積來形成一3D物件之一層或多層的建立材料。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種用於一流體噴射裝置之控制裝置，其包含：多個選擇器，其可由一輸入控制信號控制來產生信號來選擇該流體噴射裝置之分別的噴嘴，該等多個選擇器之一第一選擇器回應透過一第一信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該第一選擇器中之一裝置，而該等多個選擇器之一第二選擇器回應該輸入控制信號來執行一不同的任務；一記憶體；以及用來選擇該記憶體中之一記憶體位置的一記憶體編碼器，該記憶體編碼器回應透過一第二信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該記憶體編碼器中之一裝置，其中該第二信號路徑之信號負載與該第一信號路徑之信號負載隔離。
較佳實施例之詳細說明 本揭示內容中，除非該脈絡中另外清楚指出，否則該物件“一”、“一個”或“該”可用來參照為一單一元件、或者參照為多個元件。此外，該術語“包括”、“包括”、“包含”、“包含”、“具有”、或“具有”為開放式，且指明該(等)所述元件之存在，但不排除其他元件之存在或加入。
一種用於一列印系統中之列印頭可包括受致動的噴嘴來使列印流體液滴從分別的噴嘴射出。每一噴嘴包括一加熱元件，當其受致動時產生熱來蒸發該噴嘴之一發射室中的一列印流體，其使該列印流體之一液滴從該噴嘴排除。一列印系統可為一二維(2D)或三維(3D)列印系統。一2D列印系統分配列印流體，諸如墨水，來於列印媒體，諸如紙張媒體或其他類型的列印媒體上形成影像。一3D列印系統藉由沉積連續的建立材料層來形成一3D物件。從該3D列印系統分配之列印流體可包括墨水、以及用來混合一建立材料層之粉末、選派一建立材料層(諸如藉由界定該建立材料層之邊緣或外形)、之類的流體。
下列說明中，該術語“列印頭”一般可參照為一列印頭晶粒或包括安裝於一支撐結構上之多個列印頭晶粒的一整體組成。雖然某些範例中參照用於一列印系統中之一列印頭，但應注意本揭示內容之技術或機構可應用在用於非列印的應用、能夠分配流體經過噴嘴之其他類型的流體噴射裝置。該類其他類型的流體噴射裝置之範例包括用於流體偵測系統、醫學系統、車輛、流體流動控制系統、等等中的裝置。
一列印頭可包括用來選擇受致動噴嘴之選擇器。一受致動噴嘴能夠噴出一列印流體。某些實施態樣中，該等選擇器包括產生指定哪些噴嘴受致動之位址的位址產生器。該產生的位址未選擇之噴嘴保持不活動，而因此不噴射列印流體。其他範例中，選擇器可產生用以選擇受致動噴嘴之其他信號。
某些例示列印頭亦包括記憶體。一列印頭中之一記憶體可用來儲存某些資訊，諸如與一列印頭相關聯之一識別符、一序號、安全性資訊、等等。該列印頭可進一步包括可用來選擇該記憶體之一記憶體位置的一記憶體編碼器，其中該選擇的記憶體位置可被讀取或寫入。某些範例中，該記憶體編碼器包括移位暫存器，其接收一串列輸入並提供用來選擇該列印頭中之記憶體的一記憶體位置(或多個記憶體位置)之多個信號的一並列輸出。該記憶體編碼器之一移位暫存器的輸入可包括用來存取一記憶體之一記憶體位置的一記憶體存取信號。
輸入控制信號可提供至該列印頭來執行各種不同任務。於較高操作頻率時，一輸入控制信號可對該輸入控制信號之信號負載相當靈敏。信號負載係基於該輸入控制信號可連接之若干裝置，諸如電晶體。例如，若該輸入控制信號用來導通大量電晶體，則該輸入控制信號經歷之信號負載會增加。增加的信號負載可造成該輸入控制信號之低至高準位或高至低準位的變遷遺漏，特別是於一較高頻率時該輸入控制信號的變遷。該輸入控制信號之遺漏變遷會導致該列印頭之某些電路的操作錯誤，諸如針對一記憶體之位址產生器與記憶體編碼器。例如，該輸入控制信號之重信號負載可造成某些噴嘴應受致動時不受致動，其導致次佳的列印影像(諸如列印影像中有空白區的形式)。
根據本揭示內容之某些實施態樣，信號路徑隔離係用來隔離一輸入控制信號於其上傳播至一第一選擇器(例如，用來選擇受致動噴嘴之一第一位址產生器)之一第一信號路徑、與該輸入控制信號於其上傳播至用來選擇一記憶體之記憶體位置的一記憶體編碼器之一第二信號路徑。該輸入控制信號亦提供至用於選擇受致動噴嘴之一第二選擇器(例如，一第二位址產生器)。因為該輸入控制信號可使不同任務於該等第一與第二選擇器上執行，故該第一選擇器比該第二選擇器對該輸入控制信號之信號負載更靈敏。應注意該第一選擇器與該第二選擇器可用來選擇不同的受致動噴嘴子集合。例如，該第一選擇器可用來選擇於一流體噴射裝置(例如，一列印頭或其他類型的流體噴射裝置)之一第一區域上的噴嘴，而該第二選擇器可用來選擇於該流體噴射裝置之一第二區域上的噴嘴，其中該第二區域與該第一區域有所區別。該等不同區域可為該流體噴射裝置之分開的實體區域、或分開的邏輯區域。
雖然參照第一與第二選擇器來選擇受致動噴嘴，但應注意其他範例中，於一流體噴射裝置中可設置超過兩個選擇器。
圖1繪示一流體噴射裝置100之一範例，其可為用於一列印系統(例如，一2D或3D列印系統)中之一列印頭、或用於一非列印系統中之一流體噴射裝置。一流體噴射裝置可作為一積體電路(IC)晶粒來予以執行，其包括設置噴嘴與控制電路於其上來由該等噴嘴控制一流體的噴射之一基體。針對一列印系統，該晶粒可為一列印頭晶粒，其可安裝或附接於該列印系統之一匣、或者其可安裝或附接於一列印流體匣。
該流體噴射裝置100包括噴嘴102與控制該等噴嘴102之致動的一控制器104。如本文使用，該術語“控制器”可參照下列元件之任何或某些組合：一微處理器、一多核心微處理器之一核心、一微控制器、一可規劃閘體陣列、一可規劃積體電路裝置、或任何其他硬體處理電路。其他範例中，一“控制器”可參照一硬體處理電路與於該硬體處理電路上執行之機器可讀指令的一組合。
該控制器104包括一第一位址產生器106-1與一第二位址產生器106-2。每一位址產生器106-1或106-2用來產生用於選擇一受致動噴嘴(或多個噴嘴)之一位址。該第一位址產生器106-1用來控制一第一群噴嘴108-1中之噴嘴102的致動，而該第二位址產生器106-2用來控制一第二群噴嘴108-2中之噴嘴102的致動。雖然兩個位址產生器與兩個分別的噴嘴群顯示於圖1，但應注意其他範例中，該控制器104可包括用以控制超過兩個噴嘴群之超過兩個的位址產生器。此外，更一般而言，該等位址產生器106-1與106-2可參照為選擇器。
雖然圖中未顯示，但該控制器104可進一步包括點火電路來控制分別噴嘴的致動。某些範例中，每一噴嘴有一點火電路。不同範例中，針對多個噴嘴可有一個點火電路。一點火電路亦可參照為一點火胞元。該點火電路包括一加熱元件，諸如一點火電阻器，當其受致動時可產生熱來從一噴嘴之一點火室來噴射流體。一位址產生器106-1與106-2產生之該位址可提供至該點火電路。該位址控制哪些點火電路受選擇，其相對地控制哪些噴嘴102受致動。
該流體噴射裝置100更包括一記憶體110與控制該記憶體110中之記憶體位置的一選擇來存取(作為執行一讀取或一寫入的一部分)之一記憶體編碼器112。該記憶體編碼器112與該記憶體110可作為一記憶體裝置之一部分來予以執行，諸如一記憶體晶粒，或者，該記憶體編碼器112與該記憶體110可作為分開的構件來予以執行。
該記憶體110可為一非依電性記憶體，諸如一可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM)、一快取記憶體、或任何其他類型的非依電性記憶體。其他範例中，該記憶體110可為一依電性記憶體，諸如一動態隨機存取記憶體(DRAM)、一靜態隨機存取記憶體(SDRAM)、或任何其他類型的依電性記憶體。
該記憶體編碼器112接收輸入信號、並基於該等輸入信號，該記憶體編碼器112產生用以選擇該記憶體110中之一記憶體位置(或多個記憶體位置)來存取的記憶體選擇信號。同樣地，該等位址產生器106-1與106-2用以響應輸入信號而產生位址。
該記憶體編碼器112與該等位址產生器106-1與106-2共享之輸入信號的其中之一為一輸入控制信號114。雖然參照一輸入控制信號來作為由該記憶體編碼器112與該等位址產生器106-1與106-2共享，但應注意其他範例中，多個輸入控制信號可由該記憶體編碼器112與該等位址產生器106-1與106-2共享。
於一流體噴射裝置中之一輸入控制信號的重負載會造成該流體噴射裝置之操作錯誤，特別是於較高操作頻率時。根據本揭示內容之某些實施態樣，該輸入控制信號114於其上提供至分別不同的控制電路之信號路徑彼此隔離，以降低或消除信號負載效應。根據圖1之範例中，該輸入控制信號114透過一第一信號路徑116-1提供至該第一位址產生器106-1。該輸入控制信號114透過一第二信號路徑116-2提供至該記憶體編碼器112。該第一信號路徑116-1之信號負載與該第二信號路徑116-2之信號負載隔離。若用來於該等第一與第二信號路徑上驅動一信號之一信號變遷(低至高準位或高至低準位)的一來源不同時，則第一與第二信號路徑之信號負載彼此隔離。
該記憶體編碼器112回應透過該第二信號路徑116-2傳播之該輸入控制信號114來導通該記憶體編碼器112中之裝置(諸如電晶體)。本揭示內容中，導通一裝置(例如，一電晶體)參照為將該裝置從一關閉狀態切換至一導通狀態。同樣地，該第一位址產生器106-1回應透過該第一信號路徑106-1傳播之該輸入控制信號114來導通該第一位址產生器106-1中之裝置(諸如電晶體)。因為有相當大量的裝置於該第一位址產生器106-1與該記憶體編碼器112中導通，故若不設置該等分開的信號路徑116-1與116-2來提供信號負載隔離，則該輸入控制信號114可接受重負載。
然而，該輸入控制信號114用來於實質相同的時間導通該第一位址產生器106-1與該記憶體編碼器112中之裝置，這會更惡化該輸入控制信號114之重負載的效應。“於實質相同的時間”導通裝置可參照為同時或者彼此於一特定時間範圍內導通。
該第二位址產生器106-2回應透過一信號路徑116-X傳播之輸入控制信號114來於該第二位址產生器106-2中執行一任務，其與該第一位址產生器106-1與該記憶體編碼器112中回應該輸入控制信號114之任務不同。該信號路徑116-X可與該信號路徑116-2相同，或者，該信號路徑116-X可與該信號路徑116-2不同，使得該信號路徑116-X之信號負載與該信號路徑116-2之信號負載隔離。因為該輸入控制信號114連接之該第二位址產生器106-2與該記憶體編碼器112中的裝置數量不會造成過載，故提供至該第二位址產生器106-2與該記憶體編碼器112之輸入控制信號114可共享一共同的信號路徑。
某些範例中，該第二位址產生器106-2中用以響應該輸入控制信號114執行之任務可包括對該第二位址產生器106-2之節點預充電。對一節點預充電可參照將該節點充電至一指定電壓。一般而言，對一節點預充電針對信號負載效應，會比依靠高頻時的高速操作之一裝置的導通還不靈敏。
其他範例中，該第二位址產生器106-2中用以響應該輸入控制信號114執行之任務包括於一不同時間導通該第二位址產生器106-2中之裝置(諸如電晶體)，而非導通該第一位址產生器106-1或該記憶體編碼器112中之裝置。根據一信號時序來導通一裝置可參照為基於在指定時間變遷(低至高準位以及高至低準位的變遷)之一信號來導通該裝置。更一般而言，該第二位址產生器106-2可根據與該第一位址產生器106-1執行之一任務不同的時序，用以響應該輸入控制信號114而執行一任務。
圖2為用於一2D列印系統或一3D列印系統中之一例示列印流體匣200(諸如一墨水匣)的一方塊圖。雖然圖中顯示一個列印流體匣，但應注意圖2中描繪之構件可加以修改來包括在非列印的應用中。
一欄標頭總成202可附接於該列印流體匣200之一表面(或多個表面)。該欄標頭總成202包括一列印頭204(根據圖2之範例為一列印頭晶粒)可設置其上之一彈性纜線203、導電襯墊206、以及其他構件(未顯示)。其他範例中，多個列印頭晶粒可提供來作為該欄標頭總成202之一部分。圖2中，該列印頭204為圖1所示之流體噴射裝置100的一範例。該彈性纜線203包括電氣連接該欄標頭總成202之構件的導電體，包括該列印頭204、該導電襯墊206、與其他構件。
圖2顯示該列印流體匣200之一部分的一整合列印頭之一範例。由於一整合列印頭，一列印頭晶粒附接於該列印流體匣200。該列印流體匣200可移除地安裝於一列印系統；例如，該列印流體匣可從該列印系統移除並以一新的列印流體匣替代。當該列印流體匣200安裝於一列印系統之一匣中的一支架或其他容器時，該導電襯墊206與該托架之對應電氣結構作電氣接觸，使得該列印系統可與該列印流體匣200，包括該列印頭204之操作通訊並將其控制。
該列印頭204包括一控制器210，其包括多個選擇器212-1至212-N(N2)。該等選擇器212-1至212-N用來選擇該列印頭204之分別的噴嘴102來受致動。某些範例中，該等選擇器212-1至212-N可為位址產生器，諸如圖1描繪之位址產生器106-1與106-2。
如上文所述，該控制器210亦包括一記憶體110與一記憶體編碼器112。此外，一輸入控制信號220之信號負載隔離可藉由提供該輸入控制信號220於其上傳播至該等選擇器212-1至212-N與該記憶體編碼器112之分開的信號路徑222來達到。該分開的信號路徑222可類似圖1之信號路徑116-1、116-X、與116-2。
其他範例中，該列印頭204可安裝至一列印系統，諸如一2D或3D列印系統之一拖架。
圖3A-3D描繪可使用之分開的信號路徑之範例。圖3A、3C、與3D的每一圖中，其假設兩個輸入控制信號，S2與S4，於該選擇器212-1、該選擇器212-N、與該記憶體編碼器112之間共享。其他範例中，多個輸入控制信號可由該選擇器212-1、該選擇器212-N、與該記憶體編碼器112共享。
圖3A中，兩個分開的信號路徑包括含有一第一分壓器電路302之一第一信號路徑、以及含有一第二分壓器電路304之一第二信號路徑。每一分壓器電路302或304包括用於該輸入控制信號S2之一分壓器、以及用於該輸入控制信號S4之另一分壓器。
一分壓器之一範例顯示於圖3B，其中該分壓器包括串聯安排於一輸入控制信號S(例如，S2或S4)與一參考電壓(例如，接地)間之電阻器306與308。該等電阻器306與308間之一節點提供該輸入控制信號S之一較低電壓樣式，SLV。該SLV之電壓準位係基於該S之電壓準位乘上該電阻器306之電阻與該電阻器308之電阻的比例。
圖3A之每一分壓器電路302或304中，可提供圖3B所示之兩個分壓器，一個用於S2而一個用於S4。該分壓器電路302從S2產生S2LV-1(其中S2LV-1為一較低電壓樣式S2)、以及從S4產生S4LV-1(其中S4LV-1為一較低電壓樣式S4)。該分壓器電路304從S2產生S2LV-N(其中S2LV-N為一較低電壓樣式S2)、以及從S4產生S4LV-N(其中S4LV-N為一較低電壓樣式S4)。
圖3A中，每一輸入控制信號S2與S4透過一第一信號路徑(其包括該分壓器電路302)提供至該選擇器212-1。來自該分壓器電路302之該等輸出信號S2LV-1與S4LV-1提供至該選擇器212-1。
每一輸入控制信號S2與S4透過一第二信號路徑(其包括該分壓器電路304)提供至該選擇器212-N與該記憶體解碼器112。來自該分壓器電路302之該等輸出信號S2LV-N與S4LV-N提供至該選擇器212-N與該記憶體解碼器112。某些範例中，該信號S2LV-1用來導通該選擇器212-1中之電晶體，而該信號S2LV-N用來導通該記憶體解碼器112中之電晶體。該信號S2LV-N用來使該選擇器212-N執行與該選擇器212-1用以響應該信號S2LV-1而執行之任務不同的一任務。
圖3C顯示圖3A所示之安排的一變化型態。圖3C中，該輸入控制信號S2透過該第一信號路徑(包括該分壓器電路302)傳播至該選擇器212-1，以及透過該第二信號路徑(包括該分壓器電路304)傳播至該選擇器212-N與該記憶體編碼器112。該輸入控制信號S4透過該第一信號路徑(包括該分壓器電路302)傳播至該選擇器212-1與該記憶體解碼器112，而該輸入控制信號S4透過該第二信號路徑(包括該分壓器電路304)傳播至該選擇器212-N。
圖3D描繪另一例示安排，除了該等分壓器電路302與304之外，其包括另一分壓器電路306。圖3D中，該等輸入控制信號S2與S4分別透過三個信號路徑(分別包括分壓器電路302、304、與306)提供至該選擇器212-1、212-N、與記憶體解碼器112。換言之，圖3D中，每一信號S2或S4透過一分別分開的信號路徑傳播至該選擇器212-1、該選擇器212-N與該記憶體解碼器112的每一個。
其他範例中，不使用不同的分壓器來提供分開的信號路徑，而是可使用其他電路。例如，可使用多個信號驅動器，其中每一信號驅動器輸出一輸入控制信號之一不同實例。如尚有另一範例中，可使用多個焊墊來提供一輸入控制信號之不同實例。
圖4為可用於上文討論之該控制器104或該控制器210中之一特定例示安排的一方塊圖。圖4中，該等選擇器212-1與212-N以及該記憶體解碼器112的每一個包括用來將輸入信號移位至輸出信號之一移位暫存器。該選擇器212-1包括一移位暫存器402-1，該選擇器212-N包括一移位暫存器402-N，而該記憶體編碼器112包括移位暫存器404-1、404-2、與404-3。雖然特定數量的移位暫存器顯示為包括在該選擇器212-1、212-N、與該記憶體編碼器112的每一個中，但其他範例中，可使用不同數量的移位暫存器。亦應注意該選擇器212-1、212-N、與該記憶體編碼器112的每一個除了該分別的移位暫存器外亦可包括其他電路。
每一移位暫存器402-1、402-N、404-1、404-2、404-3包括一序列移位暫存器胞元，其可作為正反器或可保持其數值直到下次選擇儲存元件為止的其他儲存元件來予以執行。該串列中之一移位暫存器胞元的該輸出可提供至下一個移位暫存器胞元的該輸入來透過該移位暫存器執行資料移位。
輸入控制信號406透過信號路徑408-1、408-X、與408-2提供來控制該等移位暫存器402-1、402-N、與404-1、404-2、404-3中之資料位元的移位。該等信號路徑408-1、408-X、與408-2可類似上文相關圖1、2、與3A-3D討論之電路來提供信號負載隔離。
圖5顯示可用於圖4之移位暫存器的一移位暫存器胞元500之一範例。若干該等移位暫存器胞元500可串聯來形成一移位暫存器。該移位暫存器胞元500包括一第一階段與一第二階段。該第一階段中，一PRE-1信號用來用以響應該PRE-1信號產生高脈衝而透過一電晶體502來對一內部節點N1預充電。此外，該內部節點N1已由該PRE-1信號預充電後，一選擇SEL-1信號產生高脈衝來導通一電晶體504，根據至該移位暫存器胞元500之額外電路506的一輸入信號SI之狀態，其可使該節點N1維持充電或變為放電。
該第二階段中，一PRE-2信號用來用以響應該PRE-2信號產生高脈衝而透過一電晶體508來對一輸出節點SO預充電。該移位暫存器輸出SO已預充電後，一選擇SEL-2信號可用來導通一電晶體510，而根據控制一電晶體512之該節點N1的狀態，該移位暫存器輸出為放電或維持充電。
該等信號PRE-1、SEL-1、PRE-2、與SEL-2為圖4所示之輸入控制信號406的範例。此外，某些範例中，圖1之輸入控制信號114或圖2之輸入控制信號220可為該SEL-1信號或SEL-2信號。
圖6為包括一控制電路600之一例示安排的一方塊圖。該控制電路600可為圖1所示之該控制器104、圖2所示之該控制器210、或另一控制電路的一部分。類似圖2之該控制器210的選擇器，該控制電路600包括選擇器212-1至212-N。此外，類似圖1描繪之該記憶體編碼器112中的該記憶體110，該控制電路600包括一記憶體110與一記憶體編碼器112。
該等選擇器212-1至212-N可由一輸入控制信號114控制來產生用以選擇一流體噴射裝置之分別噴嘴的信號。該第一選擇器212-1回應透過一第一信號路徑116-1傳播之該輸入控制信號114來導通該第一選擇器212-1中之一裝置，而該第二選擇器212-N回應透過一信號路徑116-X傳播之該輸入控制信號114來執行與導通該第一選擇器212-1中之一裝置不同的一任務。
該記憶體編碼器112回應透過一第二信號路徑116-2傳播之該輸入控制信號114來導通該記憶體編碼器112中之一裝置，其中該第二信號路徑116-2之信號負載與該第一信號路徑116-1之信號負載隔離。
圖7為控制一流體噴射裝置之一例示程序的一流程圖。該程序包括使用一輸入控制信號控制(702中)多個選擇器來產生用以選擇該流體噴射裝置之分別噴嘴的信號，其中一第一選擇器回應透過一第一信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該第一選擇器中之一電晶體，而一第二選擇器回應該輸入控制信號來執行與導通該電晶體不同的一任務。
該程序更包括，回應透過一第二信號路徑傳播之輸入控制信號來導通一移位暫存器中之一電晶體，由該移位暫存器輸出(704中)一信號來選擇該記憶體中之一記憶體位置，其中該第二信號路徑之信號負載與該第一信號路徑之信號負載隔離。
上述說明中，其提出若干細節來提供對本文揭示之主題的一了解。然而，某些實施態樣在無某些該等細節的情況下仍可加以實作。其他實施態樣可包括來自上文討論之細節的修改與變化型態。該等後附請求項意欲涵蓋該類修改與變化型態。
100‧‧‧流體噴射裝置
102‧‧‧噴嘴
104、210‧‧‧控制器
106-1‧‧‧第一位址產生器
106-2‧‧‧第二位址產生器
108-1‧‧‧第一群噴嘴
108-2‧‧‧第二群噴嘴
110‧‧‧記憶體
112‧‧‧記憶體編碼器、記憶體解碼器
114、220、406、S2、S4‧‧‧輸入控制信號
116-1‧‧‧第一信號路徑
116-2‧‧‧第二信號路徑
116-X、222、408-1、408-2、408-X‧‧‧信號路徑
200‧‧‧列印流體匣
202‧‧‧欄標頭總成
203‧‧‧彈性纜線
204‧‧‧列印頭
206‧‧‧導電襯墊
212-1至212-N‧‧‧選擇器
302‧‧‧第一分壓器電路
304‧‧‧第二分壓器電路
306‧‧‧電阻器、分壓器電路
308‧‧‧電阻器
402-1、402-N、404-1、404-2、404-3‧‧‧移位暫存器
500‧‧‧移位暫存器胞元
502、504、508、510、512‧‧‧電晶體
506‧‧‧額外電路
600‧‧‧控制電路
702、704‧‧‧方塊
PRE-1、PRE-2‧‧‧信號
N1‧‧‧內部節點
SEL-1、SEL-2‧‧‧選擇信號
SI‧‧‧輸入信號
SO‧‧‧輸出節點
S‧‧‧輸入控制信號、電壓準位
S2LV-1、S2LV-N、S4LV-1、S4LV-N‧‧‧輸出信號
SLV‧‧‧電壓樣式
S2、S4‧‧‧較低電壓樣式
本揭示內容之某些實施態樣係相關下列圖形來說明。
圖1為一根據某些範例之一流體噴射裝置的方塊圖。
圖2為一根據某些範例，包括一列印頭之一列印流體匣的方塊圖。
圖3A-3D為根據某些範例，使用分壓器來提供分開的信號路徑之安排的方塊圖。
圖4為一根據某些範例，包括選擇器與包括移位暫存器之一記憶體編碼器的一安排之方塊圖。
圖5為一根據某些範例之移位暫存器胞元的電路圖。
圖6為一根據某些範例，用於一流體噴射裝置之一控制電路的方塊圖。
圖7為一根據某些範例之一程序的流程圖。

Claims (15)

  1. 一種用於一流體噴射裝置之控制設備，其包含： 多個選擇器，其可由一輸入控制信號控制來產生用以選擇該流體噴射裝置之分別噴嘴的信號，該等多個選擇器之一第一選擇器回應透過一第一信號路徑傳播之輸入控制信號來導通該第一選擇器中之一裝置，而該等多個選擇器之一第二選擇器回應該輸入控制信號來執行一不同的任務； 一記憶體；以及 用來選擇該記憶體中之一記憶體位置的一記憶體編碼器，該記憶體編碼器回應透過一第二信號路徑傳播之輸入控制信號來導通該記憶體編碼器中之一裝置，其中該第二信號路徑之信號負載與該第一信號路徑之信號負載隔離。
  2. 如請求項1之控制設備，其中該等多個選擇器包含多個位址產生器來產生用以選擇該等分別的噴嘴之位址。
  3. 如請求項1之控制設備，其中由該第二選擇器回應該輸入控制信號而執行之該任務包含該第二選擇器中之一節點的預充電。
  4. 如請求項1之控制設備，其中回應該輸入控制信號而導通之該第一選擇器中的該裝置包含一電晶體，而其中回應該輸入控制信號而導通之該記憶體編碼器中的該裝置包含一電晶體。
  5. 如請求項1之控制設備，其中該第一信號路徑包含一第一分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該第一選擇器，而該第二信號路徑包含一第二分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該第二選擇器與該記憶體編碼器。
  6. 如請求項1之控制設備，其中該第一信號路徑包含一第一分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該第一選擇器，而該第二信號路徑包含一第二分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該記憶體編碼器。
  7. 如請求項1之控制設備，其中該第一信號路徑包含一第一分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該第一選擇器，而該第二信號路徑包含一第二分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該記憶體編碼器，該控制設備更包含： 一第三信號路徑，其包含一第三分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該第二選擇器。
  8. 如請求項1之控制設備，其中該記憶體編碼器包含一移位暫存器來透過該移位暫存器之多個胞元來將一記憶體存取信號移位，以輸出一信號來選擇該記憶體中之該記憶體位置。
  9. 如請求項8之控制設備，其中該移位暫存器回應透過該第二信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該移位暫存器中之多個裝置。
  10. 如請求項9之控制設備，其中該移位暫存器中之該等多個裝置包含回應該輸入控制信號而導通之多個電晶體。
  11. 一種流體噴射裝置，其包含： 用以於一系統之一操作期間遞送一流體之多個噴嘴；以及 一控制器，其包含： 多個位址產生器，其可由一輸入控制信號控制來產生用以選擇該等多個噴嘴之分別噴嘴的位址，該等多個位址產生器之一第一位址產生器回應透過一第一信號路徑傳播之該輸入控制信號來根據一第一時序導通該第一位址產生器中之一裝置，而該等多個位址產生器之一第二位址產生器回應該輸入控制信號來根據一第二、不同的時序於該第一位址產生器中執行一任務； 一記憶體；以及 用來選擇該記憶體中之一記憶體位置的一記憶體編碼器，該記憶體編碼器回應透過一第二信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該記憶體編碼器中之一裝置，其中該第二信號路徑之信號負載與該第一信號路徑之信號負載隔離。
  12. 如請求項11之流體噴射裝置，其中該第一信號路徑包含一第一分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該第一位址選擇器，而該第二信號路徑包含一第二分壓器來將對應該輸入控制信號之一信號輸出至該位址產生器。
  13. 如請求項11之流體噴射裝置，包含含有該等多個噴嘴與該控制器之一列印頭晶粒。
  14. 一種方法，其包含： 使用一輸入控制信號控制多個選擇器來產生用以選擇一流體噴射裝置之分別噴嘴的信號，該等多個選擇器之一第一選擇器回應透過一第一信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通該第一選擇器中之一電晶體，而該等多個選擇器之一第二選擇器回應該輸入控制信號來執行與該導通該電晶體不同的一任務；以及 回應透過一第二信號路徑傳播之該輸入控制信號來導通一移位暫存器中之一電晶體，由該移位暫存器輸出一信號來選擇該記憶體中之一記憶體位置，其中該第二信號路徑之信號負載與該第一信號路徑之信號負載隔離。
  15. 如請求項14之方法，其中藉由使用分開的分壓器，該第二信號路徑與該第一信號路徑之信號負載隔離。
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