TW201810638A - 發光二極體觸控顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種發光二極體觸控顯示裝置包括一薄膜電晶體基板以及一發光元件。薄膜電晶體基板具有一基板與一薄膜電晶體結構,薄膜電晶體結構設置於基板上,並包含一驅動電晶體。發光元件設置於薄膜電晶體結構上,並具有一第一端點電極、一發光層與一第二端點電極,第一端點電極與驅動電晶體電性連接,發光層夾置於第一端點電極與第二端點電極之間;其中,係以第一端點電極或第二端點電極作為發光二極體觸控顯示裝置的一觸控感測電極。

Description

發光二極體觸控顯示裝置
本揭露係關於一種觸控顯示裝置,特別關於一種發光二極體觸控顯示裝置。
隨著科技不斷的進步,各種資訊設備不斷地推陳出新,例如手機、平板電腦、超輕薄筆電、及衛星導航等。除了一般以鍵盤或滑鼠輸入或操控之外,利用觸控式技術來操控資訊設備是一種相當直覺且受歡迎的操控方式。其中,觸控裝置具有人性化及直覺化的輸入操作介面,使得任何年齡層的使用者都可直接以手指或觸控筆選取或操控資訊設備。
現今觸控技術多為二維(2D)平面之多點觸控(Multi-touch),其係利用例如手指碰觸顯示面來精確判斷手指的觸碰位置,進而產生對應的控制功能。另外,除了二維平面的觸控技術中,為了感測垂直於顯示面(Z軸)方向的按壓力道,一般會利用電容式壓力感測技術來感測Z軸方向的按壓力量,進而產生對應的控制功能。
本揭露提供一種發光二極體觸控顯示裝置,包括一薄膜電晶體基板以及一發光元件。薄膜電晶體基板具有一基板與一薄膜電晶體結構,薄膜電晶體結構設置於基板上,並包含一驅動電晶體。發光元件設置於薄膜電晶體結構上,並具有一第一端點電極、一發光層與一第二端點電極,第一端點電極與驅動電晶體電性連接,發光層夾置於第一端點電極與第二端點電極之間。其中,係以第一端點電極或第二端點電極作為發光二極體觸控顯示裝置的一觸控感測電極。
在一實施例中,發光二極體觸控顯示裝置的驅動模式包含一全時驅動模式與一分時驅動模式。
在一實施例中,於分時驅動模式時,發光二極體觸控顯示裝置的一圖框時間包含一顯示期間與一感測期間。
在一實施例中,第一端點電極連接至一第一電源線,第二端點電極連接至一第二電源線,且於感測期間時,至少一第一脈衝訊號傳送至觸控感測電極,至少一第二脈衝訊傳送至第一電源線或第二電源線。
在一實施例中,於感測期間時,驅動電晶體為截止狀態。
在一實施例中,第一端點電極連接至一第一電源線,第二端點電極連接至一第二電源線,且於感測期間時,施加於第一電源線上的電壓小於施加於第二電源線上的電壓。
在一實施例中,觸控感測電極包含多數個電極墊,各電極墊分別與至少一條走線電性連接。
在一實施例中,發光二極體觸控顯示裝置更包括一參考電極,其與觸控感測電極的該些電極墊對應設置。
在一實施例中,發光二極體觸控顯示裝置更包括一可撓層,其位於參考電極與觸控感測電極之間。
在一實施例中,該些電極墊的一部分用以感測一第一方向與一第二方向的觸控訊號,該些電極墊的另一部分用以感測與第一方向與第二方向分別垂直之一第三方向的觸控訊號。
本發明另提供一種發光二極體觸控顯示裝置,包括一薄膜電晶體基板、一發光元件以及一觸控感測電極。薄膜電晶體基板具有一基板與一薄膜電晶體結構,薄膜電晶體結構設置於基板上,並包含一驅動電晶體。發光元件設置於薄膜電晶體結構上,並具有一第一端點電極、一發光層與一第二端點電極,第一端點電極與驅動電晶體電性連接,發光層夾置於第一端點電極與第二端點電極之間。觸控感測電極設置於第二端點電極之上或設置於第一端點電極與基板之間,並與第一端點電極或第二端點電極對應設置。
本揭露又提供一種發光二極體觸控顯示裝置,包括一薄膜電晶體基板、一發光元件以及一參考電極極。薄膜電晶體基板具有一基板與一薄膜電晶體結構,薄膜電晶體結構設置於基板上,並包含一驅動電晶體。 發光元件設置於薄膜電晶體結構上,並具有一第一端點電極、一發光層與一第二端點電極,第一端點電極與驅動電晶體電性連接,發光層夾置於第一端點電極與第二端點電極之間。參考電極與第一端點電極或第二端點電極對應設置。
在一實施例中,係以第一端點電極或第二端點電極作為發光二極體觸控顯示裝置的一觸控感測電極,觸控感測電極包含多數個電極墊,各電極墊分別與至少一條走線電性連接。
承上所述,於本揭露之發光二極體觸控顯示裝置中,藉由將發光元件的第一端點電極或第二端點電極作為發光二極體觸控顯示裝置的觸控感測電極,或將觸控感測電極設置於第二端點電極之上或設置於第一端點電極與基板之間,並與第一端點電極或第二端點電極對應設置;或再設置一參考電極,並使參考電極與第一端點電極或第二端點電極對應設置。藉由上述的結構,本揭露可將觸控感測電極的製程整合於薄膜電晶體的製程中,並利用自電容觸控方式且將控制觸控功能的電路與控制顯示功能的電路整合於相同的控制積體電路(IC)中,藉此減少外加之觸控面板的製程與控制IC的成本,使得本揭露的發光二極體觸控顯示裝置具有製程簡化及零組件較少的優點。
1、1a~1h‧‧‧發光二極體觸控顯示裝置
11‧‧‧薄膜電晶體基板
111‧‧‧基板
112‧‧‧薄膜電晶體結構
12‧‧‧發光元件
121‧‧‧第一端點電極
122‧‧‧第二端點電極
123‧‧‧發光層
13‧‧‧觸控感測電極
14‧‧‧參考電極
A‧‧‧通道層
B‧‧‧緩衝層
BP、BP1、BP2‧‧‧保護層
C‧‧‧走線
C1‧‧‧第一電源線
C2‧‧‧第二電源線
Cf、Cf1、Cfb、Cp、Cp1、Ctp‧‧‧電容
CS‧‧‧儲存電容
CM‧‧‧保護基材
CT‧‧‧觸控電容
DL‧‧‧資料線(資料訊號)
DN‧‧‧資料訊號
DT‧‧‧顯示期間
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
FL‧‧‧可撓層
FT‧‧‧圖框時間
G‧‧‧閘極
GI‧‧‧閘極絕緣層
H、H1、H2‧‧‧穿孔
ILD1‧‧‧第一介電層
ILD2‧‧‧第二介電層
P、P1、P2‧‧‧電極墊
PDL‧‧‧畫素定義層
PL1‧‧‧第一脈衝訊號
PL2‧‧‧第二脈衝訊號
PLN‧‧‧平坦化層
Rtp‧‧‧電阻
S1、S2‧‧‧開關
SL‧‧‧掃描線(掃描訊號)
SN‧‧‧掃描訊號
ST‧‧‧感測期間
t1、t2、T‧‧‧時間
T1‧‧‧控制電晶體
T2‧‧‧驅動電晶體
TP‧‧‧驅動訊號
Vdd、Vss‧‧‧電源
VDD‧‧‧第一電源
Vref‧‧‧參考電源
VSS‧‧‧第二電源
Vout‧‧‧觸控訊號
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Z‧‧‧第三方向
圖1A為本揭露一實施例之發光二極體觸控顯示裝置的部分剖視示意圖。
圖1B為本揭露一實施例之發光二極體觸控顯示裝置的一個畫素結構的等效電路圖。
圖1C為本揭露一實施例之發光二極體觸控顯示裝置的分時驅動模式的時序示意圖。
圖1D為本揭露一實施例之觸控感測電極的俯視示意圖。
圖2A至圖2C分別為本揭露不同實施例之發光二極體觸控顯示裝置的部分剖視示意圖。
圖3為本揭露另一實施例之發光二極體觸控顯示裝置的部分剖視示意圖。
圖4A至圖4C分別為本揭露不同實施態樣之參考電極的示意圖。
圖5A與圖5B分別為不同實施態樣之觸控感測電極與參考電極的俯視示意圖。
圖6A為發光二極體觸控顯示裝置於無觸控時的控制電路示意圖。
圖6B為發光二極體觸控顯示裝置有第一方向與第二方向之觸控時的控制電路示意圖。
圖6C為發光二極體觸控顯示裝置同時具有三個方向之觸控時的控制電路示意圖。
圖6D為輸出之觸控訊號的波形示意圖。
圖7A、圖7C、圖7D與圖7E分別為本揭露不同實施例之發光二極體觸控顯示裝置的部分剖視示意圖。
圖7B為圖7A之發光二極體觸控顯示裝置的一個畫素結構的等效電路圖。
以下將參照相關圖式,說明依本揭露一些實施例之發光二極體觸控顯示裝置,其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。本揭露所有實施態樣的圖示只是示意,不代表真實尺寸與比例。另外,以下實施例的內容中所稱的方位「上」及「下」只是用來表示相對的位置關係。再者,一個元件形成在另一個元件「上」、「之上」、「下」或「之下」可包括實施例中的一個元件與另一個元件直接接觸,或也可包括一個元件與另一個元件之間還有其他額外元件使一個元件與另一個元件無直接接觸。
請參照圖1A至圖1D所示,其中,圖1A為本揭露一實施例之發光二極體觸控顯示裝置1的部分剖視示意圖,圖1B為本揭露一實施例之發光二極體觸控顯示裝置1的一個畫素結構的等效電路圖,圖1C為本揭露一實施例之發光二極體觸控顯示裝置1的分時驅動模式的時序示意圖,而圖1D為本揭露一實施例之觸控感測電極的俯視示意圖。
發光二極體觸控顯示裝置1為一主動矩陣式發光二極體(AMLED)觸控顯示裝置,例如可為智慧型手機、平板電腦、超輕薄筆電或穿戴式裝置,或其他具有觸控功能的顯示器,並不限定。
如圖1A所示,發光二極體觸控顯示裝置1包括一薄膜電晶體基板11與至少一發光元件12。另外,本實施例之發光二極體觸控顯示裝置1更包括一畫素定義層PDL、一保護層BP、一走線C、一可撓層FL、與一保護基材CM。
薄膜電晶體基板11具有一基板111與一薄膜電晶體結構112,薄膜電晶體結構112設置於基板111上。基板111可為硬板或軟板,並為可透光或不透光。其中,硬板例如為玻璃,而軟板例如為具有可撓性的軟性基板,其材料例如但不限於為聚亞醯胺(Polyimide,PI)。另外,薄膜電晶體結構112具有分別對應於多數個發光元件12之多數個電晶體結構,該些電晶體結構分別與該些發光元件12組成多數個畫素結構,並排列成二維陣列的矩陣狀。
於此,如圖1B所示,一個畫素結構的等效電路是以2T1C的電路為例,並包含一控制電晶體T1、一驅動電晶體T2、一儲存電容CS與一發光元件12。其中,控制電晶體T1的閘極連接一條掃描線SL,控制電晶體T1的第一端連接一資料線DL,控制電晶體T1的第二端連接驅動電晶體T2的閘極。驅動電晶體T2的第一端透過一第一電源線C1連接至一第一電源VDD,而儲存電容CS的兩端分別連接於驅動電晶體T2的閘極與驅動電晶體T2的第一端,而驅動電晶體T2的第二端連接發光元件12的陽極,且發光元件12的陰極透過一第二電源線C2連接至第二電源VSS。在本實施例中,觸控電容CT即為使用者碰觸發光二極體觸控顯示裝置1時,觸控感測電極所產生的自電容(Self Capacitance)變化。在本實施例中,控制電晶體T1與驅動電晶體T2是分別以PMOS電晶體為例,當然,在不同的實施例中,控制電晶體T1與驅動電晶體T2亦可分別為NMOS電晶體,並不限定。此外,在不同的實施例中,畫素結構的等效電路亦可例如為4T2C、或5T1C、6T1C、7T2C、或其他,亦不限定。
另外,於圖1A中顯示了一個書素結構中,薄膜電晶體結構 112之驅動電晶體T2與發光元件12的結構,圖1A並未顯示控制電晶體T1與儲存電容CS。其中,發光元件12設置於薄膜電晶體結構112上,並具有一第一端點電極121、一第二端點電極122與一發光層123。第一端點電極121與驅動電晶體T2的第二端電性連接,且發光層123夾置於第一端點電極121與第二端點電極122之間。於此,發光元件12為一有機發光二極體(OLED)或一發光二極體(LED),且當其順向偏壓時,發光元件12可發出光線。
另外,除了驅動電晶體T2之外,薄膜電晶體結構112更包括一緩衝層B、一第一介電層ILD1、一第二介電層ILD2及一平坦化層PLN。
緩衝層B設置於基板111上,而驅動電晶體T2設置於緩衝層B之上。其中,驅動電晶體T2包含一閘極G、一閘極絕緣層GI、一通道層A、一第一電極E1及一第二電極E2。於此,驅動電晶體T2是以上閘極(Top-gate)型薄膜電晶體為例。在不同的實施例中,驅動電晶體T2亦可為下閘極(Bottom-gate)型薄膜電晶體,並不限制。
閘極絕緣層GI設置於緩衝層B上,而通道層A相對閘極G位置設置於閘極絕緣層GI上。本實施例的閘極絕緣層GI設置並包覆通道層A。閘極絕緣層GI的材質例如為矽氧化合物,或無機材質例如為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質之多層結構。另外,在實施上,通道層A例如可包含一低溫多晶矽(low temperature poly-silicon,LTPS)、非晶矽、或金屬氧化物。其中,前述之金屬氧化物,例如但不限於氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。
第一電極E1與第二電極E2分別設置於通道層A上,且第一電極E1和第二電極E2的一端分別與通道層A接觸。於驅動電晶體T2之通道層A未導通時,第一電極E1和第二電極E2電性分離。第一電極E1與第二電極E2之材質可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。第一電極E1與第二電極E2亦可為透明導電層(例如ITO、IZO、或ITZO、…)。此外,部分用以傳輸驅動訊號之導線,可以使用與第一電極E1與第二電極E2同層且同一製程之結構,例如資料線(圖1A未顯示)。
閘極G設置於閘極絕緣層GI上,並與通道層A相對而設。於此,閘極G係位於通道層A之上。閘極G之材質可為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。閘極G亦可為透明電極層(例如ITO、IZO、或ITZO、…)。部分用以傳輸驅動訊號之導線,可以使用與閘極G同層且同一製程之結構,彼此電性相連,例如掃描線(圖1A未顯示)。另外,第一介電層ILD1覆蓋閘極絕緣層GI與閘極G,且第二介電層ILD2覆蓋於第一介電層ILD1上。
另外,本實施例之第一電極E1與第二電極E2是分別通過閘極絕緣層GI、第一介電層ILD1與第二介電層ILD2之一穿孔(未標示)而與通道層A接觸。在不同的實施例中,第一電極E1與第二電極E2的一端也可分別自一蝕刻阻擋(etch stop)層之開口而與通道層A接觸,並不限定。
平坦化層PLN設置並覆蓋於第二介電層ILD2上,而第一端點電極121設置於平坦化層PLN上,且透過平坦化層PLN之一穿孔(圖未標示)而與第二電極E2連接。另外,畫素定義層PDL設置於第一端點電極121上,並填入平坦化層PLN的穿孔,而發光層123與第二端點電極122依序疊設於第一端點電極121上,且第二端點電極122覆蓋於畫素定義層PDL上。在本實施例中,第一端點電極121例如為發光元件12之陽極,而第二端點電極122例如為發光元件12之陰極。不過,在不同的實施例中,第一端點電極121亦可為陰極,且第二端點電極122可為陽極,本揭露並不限定。
第一端點電極121與第二端點電極122的材質例如可為ITO、IZO、AZO、CTO、SnO2、ZnO、ITO/Ag/ITO、或鎂合金等,並不限定。在一些實施例中,當發光二極體觸控顯示裝置1為向上發光時,則第一端點電極121可為不透光的金屬材質,且第二端點電極122可為透光材質;當發光二極體觸控顯示裝置1為向下發光時,則第一端點電極121可為透光材質,且第二端點電極122可為不透光的金屬材質。
另外,保護基材CM與基板111相對而設,且薄膜電晶體結構112與發光元件12夾置於保護基材CM與基板111之間。其中,保護基 材CM可為硬板或軟板,硬板例如為玻璃,而軟板例如為可撓性的軟性基板。另外,保護層BP為一絕緣層,並設置且覆蓋於第二端點電極122上,且走線C是設置於保護層BP上,並穿過保護層BP的一穿孔H,而與第二端點電極122連接。於此,走線C是位於第二端點電極122的上側,在不同的實施例中,走線C亦可位於第二端點電極122的下側,或位於第一端點電極121的上側或下側,並不限定。此外,一框膠(未顯示)將可撓層FL封閉於保護基材CM與保護層BP之間。框膠例如為UV膠、玻璃膠(frit),而可撓層FL例如為一空氣層,例如包含氮氣或惰性氣體、一可撓性材料層,例如但不限於光學膠(OCA/LOCA)、光學透明樹脂(OCR)、光學彈性樹脂(SVR)、矽膠、或聚亞醯胺(Polyimide,PI),或為一無機複合層(inorganic/organic/inorganic)。於本揭露中,可撓層FL可因按壓而形變並具回復力即可,亦不限定。
因此,當發光二極體觸控顯示裝置1之該些掃描線SL分別接收掃描訊號而分別導通控制電晶體T1時,對應的該些資料線DL可分別接收資料訊號以對儲存電容CS充電,使儲存電容CS的儲存電壓可控制驅動電晶體T2導電,使得第一電源VDD(例如+5V)與第二電源VSS(例如0V)使各畫素結構之發光元件12為正向偏壓而發光,使發光二極體觸控顯示裝置1可顯示影像畫面。
為了節省觸控面板的製程,並使用較少的零組件,可以將第一端點電極121或第二端點電極122作為發光二極體觸控顯示裝置1的一觸控感測電極。本實施例是以第二端點電極122作為發光二極體觸控顯示裝置1的觸控感測電極為例,以感測使用者的碰觸動作,使發光二極體觸控顯示裝置1為一內嵌式(In-cell)發光二極體觸控顯示裝置,並利用自電容變化的觸控控制方式。因此,在本實施例中,可使控制觸控功能的電路與控制顯示功能的電路整合於相同的控制積體電路(IC)中,藉此減少觸控面板的製程與材料,以及控制IC的成本。其中,上述的觸控感測電極(即第二端點電極122)可感測二個方向(第一方向X與第二方向Y,X-Y平面)的觸控功能。
請先參照圖1D所示,是以發光元件12的第二端點電極122 (陰極)為觸控感測電極。於此,可將第二端點電極122製作成圖案化的電極圖案,以成為感測用的電極墊。在本實施例中,發光二極體觸控顯示裝置1的觸控感測電極包含多數個電極墊P,各個電極墊P分別與至少一條走線C電性連接。本實施例的走線C可分別在顯示期間提供第二電源VSS,並在(觸控)感測期間分別提供驅動(感測)訊號給觸控感測電極的該些電極墊P。其中,該些電極墊P可配置成二維陣列的排列,且每一個電極墊P可對應一個或多個畫素結構(對應一個或多個發光元件12),並不限定。在不同的實施例中,若將發光元件12的第一端點電極121(陽極)當成觸控感測電極時,每個發光元件12的第二端點電極122本身即為圖案化,因此,一個電極墊P可對應於一個畫素結構。
在圖1D中,每一個電極墊P透過3個穿孔H(對應於圖1A的穿孔H)而與走線C電性連接(亦即走線C透過3個穿孔H與觸控感測電極(第二端點電極122)的電極墊P電性連接)。因此,當手指碰觸到保護基材CM而使電極墊P感應到的電容值改變時,可透過走線C將電訊號傳輸至控制IC,以得知碰觸的位置而產生對應的控制動作。
另外,在本實施例中,驅動發光二極體觸控顯示裝置1的模式可包含一全時驅動模式與一分時驅動模式。於全時驅動模式時,觸控感測電極(第二端點電極122)可於圖框時間FT內給予多個例如脈衝(Pulse)的驅動訊號TP,藉此取得觸控電容CT的電容變化之觸控訊號。另外,在分時驅動的模式中,如圖1C所示,發光二極體觸控顯示裝置1的每一圖框時間FT可包含一顯示期間DT與一感測期間ST。其中,顯示期間DT即為傳送掃描訊號SN給掃描線SL,並傳送資料訊號DN給資料線DL,以顯示畫面的時間。感測期間ST即為傳送驅動訊號TP(本實施例的驅動訊號TP就是第二電源VSS的訊號)給觸控感測電極,以感測使用者觸控的時間。
於分時驅動模式的感測期間ST時,較佳的情況下是,至少一個第一脈衝訊號PL1(即驅動訊號TP)傳送至觸控感測電極,至少一個第二脈衝訊PL2傳送至第一電源線C1或第二電源線C2,而且第一脈衝訊號PL1與第二脈衝訊號PL2對應相同。於此,「對應相同」是表示,第一脈衝訊號PL1與第二脈衝訊號PL2於同一個時間傳送,且其脈衝大小(電壓 差)也相同。本實施例是以傳送至觸控感測電極的第一脈衝訊號PL1(即驅動訊號TP)與透過第一電源線C1傳送之第一電源VDD的第二脈衝訊號PL2對應相同。
換言之,即第一電源VDD的訊號跟隨傳送給觸控感測電極之驅動訊號TP的變化。其原因在於,若只對觸控感測電極傳送驅動訊號TP(第一脈衝訊號PL1),則會改變流過發光元件12的電流,進而影響其發光效果。因此,必須使第一電源VDD的第二脈衝訊號PL2與傳送至觸控感測電極的第一脈衝訊號PL1的波形對應相同,藉此降低流過發光元件12的電流改變所造成的後果,使傳送至觸控感測電極的驅動訊號TP不會影響發光元件12的發光效果;更佳者,於感測期間ST時,傳送至掃描線SL的掃描訊號SN的訊號波形與傳送至資料線DL的資料訊號DN的訊號波形更與驅動訊號TP(第二電源VSS)、第一電源VDD的訊號波形對應相同,以更進一步避免觸控感測電極的負載過大而影響發光二極體觸控顯示裝置的觸控品質。
另外,在一些實施例中,也可於感測期間ST時,控制驅動電晶體T2為截止狀態,使發光元件12不發光,這樣做,在感測期間ST傳送的驅動訊號TP就不會影響發光元件12的發光。具體來說,可於感測期間ST時,施加於第一電源線C1上的電壓(即第一電源VDD)小於施加於第二電源線C2上的電壓(即第二電源VSS)。例如使第一電源線C1直接接地,使第一電源VDD的電壓為0伏特,進而使發光元件12非正向偏壓,或進一步為逆向偏壓而不發光,以避免影響發光元件12的發光效果。或者,將第一電源線C1浮接(Floating)亦可,本揭露均不限制。在一些實施例中,亦可於驅動電晶體T2的第二端串聯一開關電晶體,來控制發光元件12的發光。
不過,為了補償發光元件12於感測期間ST不發光,在一些實施例中,可於顯示期間DT時以過驅動(Overdrive)方式驅動發光元件12發光(提高其跨壓),使發光元件12的亮度較高,藉由過驅動方式來補償發光元件12於感測期間ST不發光的情況,使一個圖框時間FT的亮度平均值與一整個圖框全部點亮時的亮度平均值相同,進而不影響到整體的顯 示效果。
此外,再說明的是,不管是全時驅動模式或分時驅動模式,在習知技術中,應用於製作主動式發光二極體觸控顯示裝置1之薄膜電晶體中,因驅動電晶體可能因為製程、材料…或元件特性不同等因素而可能造成電晶體的臨界電壓(threshold voltage,Vth)之偏移(shift),間接使得相同的資料電壓驅動下,每一個畫素結構之發光二極體的驅動電流會有些微差異而造成發光二極體觸控顯示裝置1之顯示畫面亮度不均勻的現象(例如產生Mura)。為了改善上述現象,在一些實施例中,亦可透過一畫素補償電路,以補償驅動電晶體之臨界電壓(Vth)的偏移所造成的畫面亮度不均的現象。
請分別參照圖2A至圖2C所示,其分別為本揭露不同實施例之發光二極體觸控顯示裝置1a~1c的部分剖視示意圖。
如圖2A所示,與圖1A主要的不同在於,在圖2A的發光二極體觸控顯示裝置1a中不具有保護層BP,而走線C與第一端點電極121使用相同的製程與材料,且穿孔H是位於畫素定義層PDL,使得第二端點電極122的材料可填入穿孔H而與位於第二端點電極122下側的走線C電性連接。
另外,如圖2B所示,與圖1A主要的不同在於,在圖2B的發光二極體觸控顯示裝置1b中也不具有保護層BP,而走線C與第一電極E1或第二電極E2使用相同的製程與材料而設置於第二介電層ILD2上,且穿孔H是位於畫素定義層PDL與平坦化層PLN上,使得第二端點電極122的材料可填入穿孔H而與位於第二介電層ILD2上的走線C電性連接。
另外,如圖2C所示,與圖2B主要的不同在於,在圖2C的發光二極體觸控顯示裝置1c中,利用與第一端點電極121相同的材料填入平坦化層PLN的穿孔H1,且利用第二端點電極122的材料填入畫素定義層PDL的穿孔H2並電性連接穿孔H1內的材料,使得第二端點電極122透過穿孔H1、H2而連接走線C。在一些實施例中,穿孔H1與H2可錯位而不重疊。
此外,發光二極體觸控顯示裝置1a~1c的其他技術特徵與 驅動、控制方式可參照發光二極體觸控顯示裝置1的相同元件,不再贅述。
請參照圖3所示,其為本揭露另一實施例之發光二極體觸控顯示裝置1d的部分剖視示意圖。
與圖1A的發光二極體觸控顯示裝置1主要的不同在於,本實施例的發光二極體觸控顯示裝置1d除了具有發光二極體觸控顯示裝置1的所有元件、結構、驅動控制方式之外,更包括一參考電極14,參考電極14與觸控感測電極(即第二端點電極122)的該些電極墊對應設置。
在一些實施例中,參考電極14可如圖4A至圖4C的圖案化電極,或者,參考電極14亦可不是圖案化,而是一整面的電極,並不限定。參考電極14可設置於保護基材CM的上側表面或下側表面;或者利用顯示裝置本身的金屬框(Metal frame)或金屬膜(Metal film)當成參考電極14,其材料可為透光(例如ITO)或不透光(金屬、金屬膜層),並不限定。在本實施例中,參考電極14是設置於保護基材CM的下側表面,且其材料是以透明導電材料為例。透過可撓層FL夾置於參考電極14與觸控感測電極(即第二端點電極122)之間可形成一感測電容,以感測一第三方向Z的按壓。其中,第三方向Z分別垂直第一方向X與第二方向Y(XY平面)。
因此,於上述中,觸控感測電極(即第二端點電極122)可感測二個方向(XY平面)的觸控動作,而參考電極14可分別與該些電極墊P形成感測第三方向Z的多個感測電容。
請分別參照圖5A與圖5B所示,其分別為不同實施態樣之觸控感測電極與參考電極的俯視示意圖。
在一些實施例中,如圖5A所示,是利用如圖1D的該些電極墊P來感測三個方向的觸控訊號。換言之,感測三個方向的觸控訊號同樣透過該些電極墊P來實現,亦即透過控制IC將感測第三方向Z的觸控功能與感測第一方向X、第二方向Y的觸控功能整合在一起。
或者,在一些實施例中,如圖5B所示,一部分的電極墊P1用以感測第一方向X與第二方向Y(XY平面)的觸控訊號,而另一部分的電極墊P2用以感測第三方向Z的觸控訊號。於此,用以感測XY平面的觸控訊號的電極墊P1大致呈矩形,而用以感測第三方向Z的觸控訊號的電極 墊P2則呈長條形,然電極墊的形狀可依照設計需求做變化,並不以實施例所揭露的形狀為限。電極墊P1、P2亦透過至少一條走線C連接至控制用的IC,使得圖5B的走線C的數量較圖5A的多。換言之,感測XY平面的觸控訊號透過大致呈矩形的該些電極墊P1來實現,但感測第三方向Z的觸控訊號是透過其他大致呈長條形的另一些電極墊P2來實現,亦即透過控制IC將感測第三方向Z的觸控功能與感測第一方向X、第二方向Y的觸控功能分開。另外,呈長條形的電極墊P2是位於兩個相鄰電極墊P1之間。
此外,發光二極體觸控顯示裝置1d的其他技術特徵與驅動、控制方式可參照上述的發光二極體觸控顯示裝置1,不再贅述。
以下,請分別參照圖6A至圖6D所示,其中,圖6A為發光二極體觸控顯示裝置1d於無觸控時的控制電路示意圖,圖6B為發光二極體觸控顯示裝置1d於有第一方向X與第二方向Y(XY平面)之觸控時的控制電路示意圖,圖6C為發光二極體觸控顯示裝置1d同時具有三個方向(方向XYZ)之觸控時的控制電路示意圖,而圖6D為輸出之觸控訊號(Vout)的波形示意圖。
如圖6A所示,在無觸控下之電容訊號可如下:
另外,如圖6B所示,在XY平面(二維)有觸控下之電容訊號如下:
另外,如圖6C所示,在XY平面與Z方向上(三維)同時有觸控下之電容訊號如下:
其中,Ctp為感測二維觸控之感測電極的自有電容,Cp為感測三維觸控之感測電極的自有電容,Cf為例如手指接觸後所產生的(觸控)電容。
另外,如圖6D所示,例如,100單位為XY平面觸控的觸摸門檻值(Touch threshold),250單位為同時有XYZ方向(三維)觸控的觸摸門檻值,這兩個觸摸門檻值皆大於無觸控時的背景值(60)。由圖6D中可得知,在時間t1偵測到有XY平面的碰觸,而在時間t2時更偵測到有第三方向Z的碰觸,而且三維方向碰觸時輸出之觸控訊號(Vout)值大於只有XY平面的觸控訊號值。藉由觸控訊號(Vout)的值,控制電路可區別是XY平面的碰觸或是XYZ方向的碰觸,藉此產生對應的控制動作。
在此再補充說明的是,在一些實施例中,保護基材CM的厚度一般較厚,例如為0.5mm,而可撓層FL的厚度相對較薄,例如為100微米或以下,由於保護基材CM的厚度遠大於可撓層FL的厚度,因此,於第三方向Z的碰觸、按壓中,參考電極14與該些電極墊P之間的電容變化量遠大於手指與電極墊P之間的電容變化量,因此可忽略手指所造成的電容變化。
另外,請分別參照圖7A至圖7E所示,其中,圖7A、圖7C、圖7D與圖7E分別為本揭露不同實施例之發光二極體觸控顯示裝置1e~1h的部分剖視示意圖,而圖7B為圖7A之發光二極體觸控顯示裝置1e的一個畫素結構的等效電路圖。
如圖7A所示,發光二極體觸控顯示裝置1e與圖2A的發光二極體觸控顯示裝置1a主要的不同在於,發光二極體觸控顯示裝置1e並不將第二端點電極122作為觸控感測電極,而是另外再設置一層觸控感測電極13在薄膜電晶體結構112內。其中,觸控感測電極13可設置於第二端點電極122之上或設置於第一端點電極121與基板111之間,並與第一端點電極121或第二端點電極122對應設置。本實施例的觸控感測電極13是設置於基板111上,並位於緩衝層B與基板111之間,以與第二端點電極122對應設置。另外,一保護層BP1覆蓋在觸控感測電極13上,而走線C則設置於保護層BP1上,並填入保護層BP1上的穿孔而與觸控感測電極13連接。另外,另一保護層BP2覆蓋於走線C及保護層BP1上,並位於緩衝層B與保護層BP1之間。
觸控感測電極13可包含上述實施例的觸控感測電極的多數 個電極墊P,具體技術內容已於上述中詳述,不再多作說明。另外,本實施例之發光二極體觸控顯示裝置1e亦包含上述的全時驅動模式與分時驅動模式,具體技術內容亦請參照上述,不再多作說明。
另外,如圖7B所示,其為發光二極體觸控顯示裝置1e的一個畫素結構的等效電路圖。於此,發光元件12的陰極連接至第二電源VSS,且觸控電容CT的一端連接至發光元件12的陽極。不過,在不同的實施例中,若將觸控感測電極13設置於第二端點電極122之上,則發光元件12的陰極可連接至第二電源VSS,且觸控電容CT的一端連接至發光元件12的陰極,並不限制。
在圖7B中,於分時驅動模式的感測期間ST時,觸控感測電極13可於圖框時間FT內給予多個例如脈衝(Pulse)的驅動訊號TP。較佳者,於感測期間ST時,傳送至掃描線SL與資料線DL的訊號波形、第二電源VSS、第一電源VDD的訊號波形可與驅動訊號TP的訊號波形對應相同,避免流經發光元件12的電流改變而影響發光二極體觸控顯示裝置1e的顯示效果。
此外,發光二極體觸控顯示裝置1e的其他技術特徵與驅動、控制方式可參照上述的發光二極體觸控顯示裝置1,不再贅述。
另外,如圖7C所示,與圖7A的發光二極體觸控顯示裝置1e主要的不同在於,發光二極體觸控顯示裝置1f只有一層保護層BP。本實施例的走線C設置於基板111上,而保護層BP覆蓋於走線C上,且觸控感測電極13設置於緩衝層B與保護層BP之間,並透過保護層BP上的穿孔而與走線C電性連接。
另外,如圖7D所示,與發光二極體觸控顯示裝置1f主要的不同在於,發光二極體觸控顯示裝置1g的觸控感測電極13是設置於第二介電層ILD2之上。其中,係先將走線C設置於第二介電層ILD2上,再將保護層BP覆蓋在走線C上,之後,再將觸控感測電極13設置於保護層BP上,並透過保護層BP的穿孔與走線C電性連接。此外,平坦化層PLN完全覆蓋觸控感測電極13與保護層BP。
另外,如圖7E所示,與圖7A之發光二極體觸控顯示裝置 1e主要的不同在於,發光二極體觸控顯示裝置1h更包括一參考電極14,參考電極14與觸控感測電極13的該些電極墊P對應設置。在本實施例中,參考電極14是設置於保護基材CM的下側表面,且其材料是以透明導電材料為例。透過可撓層FL位於於參考電極14與觸控感測電極13之間來形成感測電容,以感測第三方向Z的按壓。其中,參考電極14的技術特徵,及與觸控感測電極13的相對關係已於上述圖3至圖6D及對應內容中詳述,不再多作說明。
此外,發光二極體觸控顯示裝置1e~1h的其他技術特徵與驅動、控制方式亦可參照上述發光二極體觸控顯示裝置1的說明,於此不再贅述。
綜上所述,於本揭露之發光二極體觸控顯示裝置中,藉由將發光元件的第一端點電極或第二端點電極作為發光二極體觸控顯示裝置的觸控感測電極,或將觸控感測電極設置於第二端點電極之上或設置於第一端點電極與基板之間,並與第一端點電極或第二端點電極對應設置;或再設置一參考電極,並使參考電極與第一端點電極或第二端點電極對應設置。藉由上述的結構,本揭露可將觸控感測電極的製程整合於薄膜電晶體的製程中,並利用自電容觸控方式且將控制觸控功能的電路與控制顯示功能的電路整合於相同的控制積體電路(IC)中,藉此減少外加之觸控面板的製程與控制IC的成本,使得本揭露的發光二極體觸控顯示裝置具有製程簡化及零組件較少的優點。
以上所述僅為舉例性,而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇,而對其進行之等效修改或變更,均應包含於後附之申請專利範圍中。

Claims (20)

  1. 一種發光二極體觸控顯示裝置,包括:一薄膜電晶體基板,具有一基板與一薄膜電晶體結構,該薄膜電晶體結構設置於該基板上,並包含一驅動電晶體;以及一發光元件,設置於該薄膜電晶體結構上,並具有一第一端點電極、一發光層與一第二端點電極,該第一端點電極與該驅動電晶體電性連接,該發光層夾置於該第一端點電極與該第二端點電極之間;其中,係以該第一端點電極或該第二端點電極作為該發光二極體觸控顯示裝置的一觸控感測電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該發光二極體觸控顯示裝置的驅動模式包含一全時驅動模式與一分時驅動模式。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中於該分時驅動模式時,該發光二極體觸控顯示裝置的一圖框時間包含一顯示期間與一感測期間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該第一端點電極連接至一第一電源線,該第二端點電極連接至一第二電源線,且於該感測期間時,至少一第一脈衝訊號傳送至該觸控感測電極,至少一第二脈衝訊傳送至該第一電源線或該第二電源線。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中於該感測期間時,該驅動電晶體為截止狀態。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該第一端點電極連接至一第一電源線,該第二端點電極連接至一第二電源線,且於該感測期間時,施加於該第一電源線上的電壓小於施加於該第二電源線上的電壓。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該觸控感測電極包含多數個電極墊,各該電極墊分別與至少一條走線電性連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體觸控顯示裝置,更包括:一參考電極,與該觸控感測電極的該些電極墊對應設置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體觸控顯示裝置,更包括:一可撓層,位於該參考電極與該觸控感測電極之間。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該些電極墊的一部分用以感測一第一方向與一第二方向的觸控訊號,該些電極墊的另一部分用以感測與該第一方向與該第二方向分別垂直之一第三方向的觸控訊號。
  11. 一種發光二極體觸控顯示裝置,包括:一薄膜電晶體基板,具有一基板與一薄膜電晶體結構,該薄膜電晶體結構設置於該基板上,並包含一驅動電晶體;一發光元件,設置於該薄膜電晶體結構上,並具有一第一端點電極、一發光層與一第二端點電極,該第一端點電極與該驅動電晶體電性連接,該發光層夾置於該第一端點電極與該第二端點電極之間;以及一觸控感測電極,設置於該第二端點電極之上或設置於該第一端點電極與該基板之間,並與該第一端點電極或該第二端點電極對應設置。
  12. 如申請專利範圍第11所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該發光二極體觸控顯示裝置的驅動模式包含一全時驅動模式與一分時驅動模式。
  13. 如申請專利範圍第12所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該觸控感測電極包含多數個電極墊,各該電極墊分別與至少一條走線電性連接。
  14. 如申請專利範圍第13所述之發光二極體觸控顯示裝置,更包括:一參考電極,與該觸控感測電極的該些電極墊對應設置。
  15. 如申請專利範圍第14所述之發光二極體觸控顯示裝置,更包括:一可撓層,位於該參考電極與該觸控感測電極之間。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該些電極墊的一部分用以感測一第一方向與一第二方向的觸控訊號,該些電極墊的另一部分用以感測與該第一方向與該第二方向分別垂直之一第三方向的觸控訊號。
  17. 一種發光二極體觸控顯示裝置,包括: 一薄膜電晶體基板,具有一基板與一薄膜電晶體結構,該薄膜電晶體結構設置於該基板上,並包含一驅動電晶體;一發光元件,設置於該薄膜電晶體結構上,並具有一第一端點電極、一發光層與一第二端點電極,該第一端點電極與該驅動電晶體電性連接,該發光層夾置於該第一端點電極與該第二端點電極之間;以及一參考電極,與該第一端點電極或該第二端點電極對應設置。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中係以該第一端點電極或該第二端點電極作為該發光二極體觸控顯示裝置的一觸控感測電極,該觸控感測電極包含多數個電極墊,各該電極墊分別與至少一條走線電性連接。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體觸控顯示裝置,更包括:一可撓層,位於該參考電極與該觸控感測電極之間。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體觸控顯示裝置,其中該些電極墊的一部分用以感測一第一方向與一第二方向的觸控訊號,該些電極墊的另一部分用以感測與該第一方向與該第二方向分別垂直之一第三方向的觸控訊號。
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