TW201807234A - 適用於離子植入以產生含硼離子束電流之硼組成物 - Google Patents
適用於離子植入以產生含硼離子束電流之硼組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201807234A TW201807234A TW106112052A TW106112052A TW201807234A TW 201807234 A TW201807234 A TW 201807234A TW 106112052 A TW106112052 A TW 106112052A TW 106112052 A TW106112052 A TW 106112052A TW 201807234 A TW201807234 A TW 201807234A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- boron
- ion beam
- beam current
- species
- composition
- Prior art date
Links
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 87
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 87
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 abstract description 11
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 95
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 8
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100021164 Vasodilator-stimulated phosphoprotein Human genes 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 108010054220 vasodilator-stimulated phosphoprotein Proteins 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- -1 boron ion Chemical class 0.000 description 1
- 238000007707 calorimetry Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 108010009355 microbial metalloproteinases Proteins 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000011867 re-evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本發明關於一種用於離子植入之經改善組成物，其含有包含BF3之摻雜劑源及包含Si2H6之輔助物種，其中該輔助物種與該摻雜劑氣體組合，產生一含硼離子束電流。選擇該輔助物種之標準係基於以下性質之組合：游離能、總游離截面、鍵解離能對游離能之比值、及一特定組成。
Description
本申請案主張於2016年4月11日提出申請之美國申請案序號第62/321,069號之優先權，其之全部揭示在此被併入以供所有目的。
本發明關於一種組成物，其包含與三氟化硼(BF3，一種硼摻雜劑源)組合之二矽烷(Si2H6，一輔助物種)，以產生含硼之離子束電流。
離子植入被使用於以半導體為基礎之裝置(例如發光二極體(LED)、太陽能電池、及金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET))之製造中。離子植入係用於導入摻雜劑以改變半導體之電子或物理性質。
於習用之離子植入系統中，係將常被稱為摻
雜劑源之氣體物種導入一離子源之電弧室中。該離子源室包含一陰極，其被加熱至其之熱離子產生溫度，以產生電子。電子向電弧室壁加速，及與存在於電弧室中之摻雜劑源氣體分子碰撞以產生電漿。該電漿包含經解離之離子、自由基、及摻雜劑氣體物種之中性原子及分子。離子被由電弧室抽出，及然後被分離以選擇一目標離子物種，其然後被導向靶基質。產生之離子量視電弧室之各種參數而定，包括但不限於每單位時間供應至電弧室能量之量(亦即功率位準)、及摻雜劑源及/或輔助物種進入離子源之流速。
當今一些摻雜劑源，例如包含摻雜劑原子或分子之氟化物、氫化物、及氧化物，正被使用。這些摻雜劑源可被其產生目標離子物種之束電流之能力限制，且有對改進束電流，尤其對高劑量離子植入應用，之持續需求，例如源極汲極/源極汲極延伸區植入物、多晶矽摻雜及臨界電壓調變。於一實例中，BF3通常被使用作為用於B及BF2離子植入之p-型摻雜劑源。半導體之B摻雜具有一些應用，包括井植入物、通道隔離植入物、多晶矽之摻雜、及源極/汲極延伸區植入。現今，經由導入氣體達到增高之束電流，該氣體產生包含目標摻雜劑物種之離子而進入電漿。被使用以增高由游離摻雜劑氣體源產生之束電流之一種已知方法，為添加共同物種至摻雜劑源以產生更多摻雜劑離子。例如，美國專利第7,655,931號揭示添加稀釋劑氣體，其具有與摻雜劑氣體相同之摻雜劑離子。然
而，對於特別離子植入物配方，束電流之增高可能會不夠高。事實上，已有一些例子，其中共同物種之添加實際降低束電流。於此方面，美國專利第8803112號於圖3及比較實施例3與4例示，分別添加稀釋劑SiH4或Si2H6至SiF4之摻雜劑源，在與只由SiF4產生之束電流比較下，有實際降低束電流。
另一方法包括使用同位素濃化之摻雜劑源。例如，美國專利第8,883,620號揭示添加天然之摻雜劑氣體，例如BF3，之同位素濃化版本，以試圖導入每單位體積更多莫耳數之摻雜劑離子。然而，使用同位素濃化之氣體可能需要對離子植入物方法之實質改變，其為耗時之方法，可能需要重新評定。此外，同位素濃化版本不必然產生與同位素濃化度成正比地增高量之束電流。再者，同位素濃化之摻雜劑源非為容易由市面上購得。即使當可購得時，此種源可比其之天然版本顯著更昂貴，因為需要一方法以分離摻雜劑源之所需同位素，其高於其之天然充裕含量。此同位素濃化之摻雜劑源之成本增高有時可為不適合的，由於所觀察到束電流增高之故，其對於特定摻雜劑源已只被觀察到產生相對於其之天然版本於束電流之臨界改進。
由於這些缺點，仍有未達到之對於改進含硼離子束電流之需求。
由於這些缺點，本發明關於一種組成物，包含與三氟化硼(BF3，一種硼摻雜劑源)組合之二矽烷(Si2H6，一適合之輔助物種)，以產生含硼離子束之電流，其為目標摻雜劑離子(亦即含硼之目標離子物種)，其中該摻雜劑源亦可與其他隨意的稀釋劑物種混合。選擇作為適合之輔助物種之Si2H6之先決條件為基於以下性質之組合：游離能、總游離化橫截面、鍵解離能對游離能之比值、及一特定組成。應了解的是本發明之其他用途及優點亦為可應用者。
於一方面，一組成物適用於離子注入機中以產生含硼之目標離子物種，以產生含硼離子束電流，該組成物包含：一包含BF3之摻雜劑源，由其衍生出含硼之目標離子物種；及一包含Si2H6之輔助物種；其中該摻雜劑源及輔助物種位於離子注入機內，且於其中交互作用以產生含硼之目標離子物種。
經由以下之詳細敘述，更佳了解本發明之各種元件之關係及功能。該詳細敘述設想以各種排列組合之
各特徵、方面及實施體系為在本揭示之範圍內。本揭示可因此限定為包含、由以下構成或主要由以下構成：這些特定特徵、方面、及實施體系、或選擇自其中之一或多者之任何此種排列組合。
除非有另外指出，應了解所有組成以體積百分比(體積%)表達，以組成物之總體積為基準。
應了解所提及摻雜劑源及輔助物種亦可包括任何同位素濃化之版本。特定地，BF3或輔助物種Si2H6之任何原子可被同位素濃化至高於天然含量。
此處及整個說明書使用之用語"同位素濃化之"及"濃化之"摻雜劑氣體被互換地使用，以意指摻雜劑氣體包含與天然同位素分佈不同之質量同位素分佈，因此該質量同位素之一者具有比存在於天然量中者較高之濃化度。例如，58% 72GeF4係指同位素濃化之或濃化之摻雜劑氣體，其包含呈58%濃化之質量同位素72Ge，至於天然之GeF4包含呈27%天然含量之質量同位素72Ge。此處及各處使用之同位素濃化之11BF3係指同位素濃化之摻雜劑氣體，其包含呈較佳99.8%濃化之質量同位素11B，至於天然之BF3包含呈80.1%天然含量之質量同位素11B。此處及各處使用之濃化度以體積百分比表達，以包含於物質中之質量同位素之總體積分佈為基準。
本揭示關於一種適用於離子植入之組成物，包含一摻雜劑源BF3，及一輔助物種Si2H6，其中該輔助物種與該摻雜劑氣體組合產生含硼離子束電流。此處及各
處使用之用語“含硼之目標離子物種”或“所需之摻雜劑離子”被定義為源自被植入靶基質表面之BF3摻雜劑源之任何含硼之帶正電或帶負電原子或分子片段，該靶基質包括但不限於晶圓。此處及各處使用之用語“BF3”係指呈其之天然形式之摻雜劑源。此處及各處使用之用語“包含硼”包括硼之任何質量同位素。如將解釋的，本發明認定有改進現今摻雜劑源之需求，特別是以高劑量施加(亦即多於1013個原子/cm2)之離子植入，及提供達成此需求之新穎解決方法。
於一方面，本發明關於一包含含硼之目標離子物種之摻雜劑源BF3、及一包含Si2H6之輔助物種，其中該輔助物種具有以下屬性：(i)比該摻雜劑源較低之游離能；(ii)大於2Å2之總游離化橫截面；(iii)大於或等於0.2之鍵解離能對游離能之比值；及(iv)特徵為無該目標離子物種存在之組成物。不被限制至任何特別理論，本案申請人已發現當具有以上先決條件之輔助物種Si2H6與摻雜劑源BF3被共流、依順序流動或混合時，BF3摻雜劑源及Si2H6輔助物種可彼此交互作用以產生含硼之目標離子物種。應了解此處及各處敘述之BF3摻雜劑源及Si2H6輔助物種可包括其他成分(例如不能避免之微量污染物)，因此這些成分之含量為不致負面衝擊Si2H6與BF3之交互作用。
於本發明之另一方面，該BF3摻雜劑源及Si2H6輔助物種可彼此交互作用，以產生比只由該摻雜劑源BF3所產生者較高含硼離子之含硼離子束電流。由於該輔助物
種Si2H6不包含該含硼之目標離子物種，能產生含較高硼之目標離子物種之含硼離子束電流之能力為令人驚訝的，且結果係稀釋BF3摻雜劑源及降低導入至電漿之BF3摻雜劑源分子之數目。該輔助物種Si2H6經由與摻雜劑源BF3加乘性地交互作用，可增強摻雜劑源BF3之游離，而由BF3摻雜劑源形成含硼之目標離子物種，以使含硼之目標離子物種之含硼離子束電流能增高，即使該Si2H6輔助物種不包括該含硼之目標離子物種。
Si2H6輔助物種可與BF3摻雜劑源於單一貯存容器中混合。或者，Si2H6輔助物種及BF3摻雜劑源可由不同之貯存容器共流。再者，Si2H6輔助物種及BF3摻雜劑源可由不同之貯存容器依順序流入離子注入機，以產生所得混合物。當共流或依順序流時，所得組合混合物可在離子室上游或在離子源室內產生。於一實例中，組合混合物被以蒸氣或氣相抽出，及然後流入離子源室，其中氣體混合物被游離以產生電漿。該含硼之目標離子物種然後可被由電漿抽出及植入一基質之表面。
此處使用之游離能係指由經分離氣體物種移除一電子及形成一陽離子所需之能量。游離能之值可由文獻獲得。更特定地，該些文獻源可見於the National Institute of Standards and Technology(NIST)chemistry webbook(P.J.Linstrom and W.G.Mallard,Eds.,NIST Chemistry WebBook,NIST Standard Reference Database Number 69,National Institute of Standards and Technology,
Gaithersburg MD,20899.http：//webbook.nist.gov/chemistry/)中。游離能之值可使用電子撞擊游離法、光電子光譜學、或光游離質譜法依實驗測定。游離能之理論值可由使用密度泛函理論(DFT)及建模軟體，例如市售之Dacapo、VASP、及Gaussian，而獲得。雖然供應至電漿之能量為個別之值，於電漿中之物種以不同能量之廣分佈存在。依照本發明之原則，當具有比該摻雜劑源較低游離能之輔助物種與該摻雜劑源一起被添加之或導入時，該輔助物種可於電漿中於較大之能量分佈游離。結果，於電漿中離子之整體總數可增高。此種離子總數之增高可導致摻雜劑物種之“經輔助物種離子輔助之游離”，此因該輔助物種之離子於有電場存在下加速及與該摻雜劑源碰撞，以進一步將其分裂成更多片段。最終結果可為對於含硼之目標離子物種之含硼離子束電流之增高。相反地，若具有比該摻雜劑源較高游離能之物種被導入該摻雜劑源，添加之物種可形成在與由該摻雜劑源產生之離子比較下為較低百分比之離子，其可降低電漿中之整體離子百分比，且可降低含硼之目標離子物種之含硼離子束電流。依照本發明之原則，所選擇輔助物種Si2H6具有9.9eV之游離能，而所選擇摻雜劑源BF3之游離能為15.8eV。
雖然使一輔助物種具有比該摻雜劑源較低之游離能為所需的，本發明認定較低之游離能本身可能不增高含硼離子束電流。其他適用之先決條件須與本發明之原則相符合。特定地，該輔助物種須具有最小總游離化橫截
面。此處使用之分子或原子之總游離化橫截面(TICS)被定義為分子或原子於電子及/或離子撞擊游離下形成離子之可能性，以面積單位(例如cm2、A2、m2)與單位為eV之電子能量之函數代表。應了解此處及各處使用之TICS係指於一特別電子能量之最大值。於文獻中可得實驗數據及BEB估計值，及經由the National Institute of Standards and Technology(NIST)資料庫(Kim,Y.K.等人,Electron-Impact Cross Sections for Ionization and Excitation-Database 107,National Institute of Standards and Technology,Gaithersburg MD,20899,http：//physics.nist.gov/PhysRefData/Ionization/molTable.html.)，亦可使用電子撞擊游離或電子游離解離及以實驗測定TICS值。使用兩體碰撞Bethe(BEB)模型可理論地估計TICS。經由the National Institute of Standards and Technology(NIST)可得實驗數據及BEB估計值。當電漿中碰撞發生之數目增高，鍵斷裂之數目增高及離子片段之數目增高。因此，除了較低之游離能，本發明已發現對於該輔助物種一充分之總游離化截面亦為所需之性質，以輔助摻雜劑物種之游離化。於一較佳實施體系中，該輔助物種具有大於2Å2之TICS。本案申請人已發現大於2Å2之游離截面提供使所需之碰撞可發生之充分可能性。該輔助物種Si2H6具有8.13Å2之TICS。相反地，若游離橫截面為小於2Å2，本案申請人已觀察到電漿中碰撞發生之數目被預期會減低，及結果是含硼離子束電流亦可減低。一實例為H2具有小於2Å2之總游離化橫截面，及當添加至一摻雜劑源例
如BF3時，含硼離子束電流被觀察到相對於只由BF3產生者有減低。
除了需要的游離能及TICS，所選擇之該輔助物種亦須具有一特定鍵解離能(BDE)，以使此種輔助物種之最弱鍵之BDE對該輔助物種之游離能之比值為0.2或更高。BDE之值於文獻中，及更特定地由the National Bureau of Standards(Darwent,B.deB.,“Bond Dissociation Energies in Simple Molecules”，National Bureau of Standards,(1970))、或由教科書(Speigh,J.G.,Lange,N.A.,Lange’s Handbook of Chemistry,16th ed.,McGraw-Hill,2005)，可容易得到。BDE值亦可經由技術，例如熱解、熱量測定法、或質譜法而實驗地測定，及亦可由使用密度泛函理論(DFT)及建模軟體，例如市售之Dacapo、VASP、及Gaussian，而理論地測定。該比值為電漿中可產生之離子相對於未帶電物種之比例之指標。BDE可被定義為斷裂一化學鍵所需要之能量。具有最弱BDE之鍵將最可能最初於電漿中斷裂。因此，使用分子中最弱鍵之解離能量計算此度量，因為每一分子可有能量不同之多個鍵。
一般而言，於電漿中化學鍵經由碰撞而斷裂以產生分子片段。例如，BF3可斷裂分開成B、BF、BF2、及F片段。若該目標離子物種為B，則三個B-F鍵須斷裂以產生該目標離子物種。一般看法指出相對較低BDE之分子為較佳的，因為更容易形成該目標離子物種，因為化學
鍵可更容易斷裂。然而，本案申請人已發現其實並非如此。本案申請人已發現具有相對較高BDE之分子傾向於產生在與游離基及/或中性體比較下較高比例之離子。當一化學鍵於電漿中被特定地斷裂時，所得物種將形成離子、游離基、或中性物種。該輔助物種之最弱鍵之BDE對該輔助物種之游離能之比值被依照本發明之原則選擇為0.2或較高，以增高電漿中離子之比例而同時降低游離基及中性物種之比例，因為游離基及中性物種皆無帶電，故不被電場或磁場影響。再者，這些物種於電漿中為鈍性及無法被抽出以形成離子束。因此，該輔助物種之最弱鍵之BDE對該輔助物種之游離能之比值，為於電漿中形成之離子相對於游離基及中性物種之分數之指標。該輔助物種Si2H6具有0.31之Si-H鍵之最弱鍵解離能對游離能之比值。結果，因為Si2H6具有高於0.2之最弱鍵之鍵解離能對游離能之比值，添加Si2H6至BF3摻雜劑源可增大在與游離基及中性物種比較下較高比例之離子被於電漿中產生之可能性。較高比例之離子可增高該目標離子物種之含硼離子束電流。相反地，若最弱鍵之解離能對游離能之比值為低於0.2，供應至電漿能量被偶合以形成較高比例之中性物種及/或游離基，其可充滿電漿及減低所產生目標離子物種之數目。因此，本發明之此無單位度量，使得在這些物種相對於電漿中游離基及/或中性物種在產生較高比例離子能力之間有較佳比較。
該輔助物種較佳具有一組成，其特徵為無含
硼之目標離子物種存在。使用此種輔助物種之能力為不被預期的，因為每單位體積較少莫耳數之摻雜劑源被導入電漿，及因此具有於電漿中稀釋該摻雜劑源之效應。然而，當該輔助物種符合前述先決條件時，該輔助物種當被添加至BF3摻雜劑源或反向時，在與只由BF3摻雜劑源產生之含硼離子束電流比較下，可增高含硼之目標離子物種之含硼離子束電流。該目標離子物種含有硼且衍生自該摻雜劑源BF3。該輔助物種Si2H6增強由BF3摻雜劑源形成含硼之目標離子物種，以增高含硼離子束電流。相對於只由BF3產生者之含硼離子束電流之增高，可為1%或更高；4%或更高；10%或更高；20%或更高；25%或更高；或30%或更高。含硼離子束電流被增高之準確百分比可為所選擇之操作條件的結果，例如，離子注入機之功率位準及/或BF3摻雜劑源與Si2H6輔助物種氣體導入離子注入機之流速。
較佳輔助物種以增強來自該摻雜劑源之含硼之目標離子物種之含硼離子束電流，係具有比該摻雜劑源較低之游離能；大於2Å2之總游離化截面；及0.2或較高之最弱鍵解離能對游離能之比值。該輔助物種不包含含硼之目標離子物種，因為該輔助物種之目的為以增強由BF3摻雜劑源形成含硼之目標離子物種。選擇Si2H6作為輔助物種符合此處所述之先決條件。Si2H6輔助物種與BF3摻雜劑源之組合較佳產生一離子束，其能夠摻雜來自該摻雜劑源之至少1011個原子/cm2含硼之目標離子物種。
於本發明之另一方面，離子源之操作條件可被調整，以使該BF3摻雜劑源與Si2H6輔助物種之組成物經建構而產生一含硼離子束電流，其為與只由具有或無隨意稀釋劑之BF3摻雜劑源所產生含硼離子束電流相同或較小。於這些束電流位準下操作可產生其他操作利益。例如，一些操作利益包括但不限於降低之束干擾脈衝、增高之束均勻性、限制之空間帶電效應及束擴大、限制之粒子形成作用、及增高之離子源之源使用期限，其中所有此種操作利益係與只使用BF3作為摻雜劑源者比較。可被操控之操作條件包括但不限於電弧電壓、電弧電流、流速、抽出電壓、抽出電流及其之任何組合。此外，該離子源可包括一或更多種隨意的稀釋劑之使用，其可包括H2、N2、He、Ne、Ar、Kr、及/或Xe。
應了解由該輔助物種之游離產生之離子可被選擇以植入該靶基質。
各種操作條件可被使用以實施本發明。例如，電弧電壓可於50-150V之範圍中；對摻雜劑氣體及該輔助物種之每一者可使用0.1-100sccm之流速；及抽出電壓可於500V-50kV之範圍中。較佳，這些操作條件之每一者被選擇以達成至少50小時之源使用期限，以產生在10微安培與100毫安培間之含硼離子束電流。
本發明設想此處所述組成物之各種使用領域。例如，一些方法包括但不限於專利US 9,165,773中提及之束線離子植入法及電漿浸沒離子植入法，其之全部
在此被併入作為參考。再者，應了解此處揭示之組成物可具有除了離子植入以外之其他應用上之用途，其中主要源包含目標物種，且該輔助物種不包含該目標物種，及其進一步之特徵為符合於此處先前提及之先決條件(i)、(ii)及(iii)。例如，該組成物可具有對各種沉積方法，包括但不限於化學蒸氣沉積法或原子層沉積法，之適用性。
本發明之組成物亦可被由具有真空促動止回閥之容器貯存及輸送，其可被用於低於大氣壓之輸送，如敘述於美國專利申請案第14057-US-P1號案卷中者，其於此處以其各別之整體被併入作為參考。可使用任何適合之輸送套組，包括敘述於美國專利第5,937,895；6,045,115；6,007,609；7,708,028；7,905,247號；及美國序號第14/638,397號(美國專利公開案第2016-0258537號)中者，其之每一者全部在此被併入作為參考。當本發明之組成物被以混合物貯存時，於貯存及輸送容器中之該混合物亦可以如以下存在：氣相；與氣相平衡之液化相，其中蒸氣壓力足夠高以使得能由排出口流出；或在固體介質上之被吸收態，其之每一者被敘述於美國專利申請案第14057-US-P1號案卷中。較佳，該輔助物種及摻雜劑源之組成物將能夠產生一束該目標離子物種以植入1011個原子/cm2或較高。或者，摻雜劑源及/或該輔助物種以被吸收態、游離源態或液化源態被裝在貯存及分配裝置組中。
本案申請人已使用11BF3作為一摻雜劑源及Si2H6作為一輔助物種，進行一些實驗作為概念之證明。
於每一實驗中，使用所產生11B離子束電流測量離子束性能。使用圓柱形離子源室以產生電漿。該離子源室由螺旋狀鎢絲、鎢壁、及垂直於螺旋狀絲之軸之鎢陽極所構成。一基質板被置於陽極前面，以使陽極在游離方法期間保持靜止。一於陽極中心之小孔及置於陽極前面之一系列鏡片被使用，以由電漿產生離子束，且使用濾速器以由離子束分離出特定離子物種。使用法拉第杯以由離子束測量電流，及所有試驗於120V之電弧電壓下進行。每一實驗有相同值之抽出電壓。整個系統被包含於能夠達到小於1e-7托之壓力之真空室中。圖1示出相對於只由11BF3產生之11B離子之束電流，所試驗每一氣體混合物之11B離子之束電流之條形圖
圖1為對於11BF3氣體混合物之相對的11B離子束電流之條形圖。
進行試驗以測定作為摻雜劑氣體之同位素濃化之11BF3之離子束性能。11BF3由單一瓶被導入離子源室。施加電流至絲以產生電子，且施加電壓至陽極以游離混合物及產生離子。調整離子源之設定以最大化11B離子之束電流。11B離子之束電流被標準化(如圖1中所示出者)，以成為與來自比較實施例2及實施例1之其他氣體混合物之11B離子之束電流作比較之基準。
進行另一試驗以測定與同位素濃化之11BF3混合之Xe/H2摻雜劑氣體組成物之離子束性能。使用與比較實施例1者相同之離子源室供11BF3之用。由分別之貯存容器導入之一瓶純11BF3及一瓶Xe/H2，及於進入離子源室之前混合，以產生Xe/H2與11BF3之混合物。施加電流至絲以產生電子，及施加電壓至陽極以游離氣體混合物及產生11B離子。離調整子源之設定以最大化11B離子之束電流。11BF3與Xe/H2之混合物產生11B離子之最大束電流，當與比較實施例1中只由11BF3產生之11B離子之束電流比較，為較低20%。
進行另一試驗以測定與同位素濃化之11BF3混合之Si2H6摻雜劑氣體組成物之離子束性能。使用與比較實施例1者相同之離子源室供11BF3之用。Si2H6與11BF3之混合物由一瓶11BF3與Si2H6於11BF3中之混合物產生，彼等由分別之貯存容器導入及於進入離子源室之前混合。施加電流至絲以產生電子，及施加電壓至陽極以游離氣體混合物及產生11B離子。離調整子源之設定以最大化11B離子，及測量此二混合物之11B離子之束電流。與11BF3平衡之Si2H6混合物產生11B離子束電流，其比比較實施例1中只由11BF3產生之離子束電流高4%。
Si2H6於11BF3中之結果為不被預期的，因為添加至11BF3之Si2H6稀釋氣體混合物中硼之濃度，且Si2H6
不包含硼原子，其有助於由混合物顯出之束電流增高。這些試驗之結果示出雖然Si2H6之添加稀釋11BF3之體積，其在與只由11BF3(比較實施例1)產生之束電流、及由11BF3與Xe/H2(比較實施例2)產生之束電流比較下，改進11B離子之束電流。添加Xe/H2不具有與Si2H6，相同之效應，且反而稀釋11BF3至一程度，其中在與只由11BF3產生之11B離子束電流比較下，11B離子之束電流被降低。
雖然被認為本發明之特定實施體系者已被示出及敘述，將被了解當然可容易作各種於形式或細節方面之修正及改變，而無悖離本發明之精神及範圍。因此意欲本發明不被限制至此處示出及敘述之準確形式及細節，亦不被限制至小於此處所揭示及以下所申請專利之本發明之全部範圍。
Claims (18)
- 一種組成物，其適用於離子植入機中以使產生含硼之目標離子物種以產生含硼離子束電流，該組成物包含：一包含BF3之摻雜劑源，由其衍生出該含硼之目標離子物種；及一包含Si2H6之輔助物種；其中該摻雜劑源及該輔助物種充滿該離子注入機，且於其中交互作用以產生該含硼之目標離子物種。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼之目標離子物種產生之該含硼離子束電流位準比只由該摻雜劑源所產生者較高。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼之目標離子物種產生之該含硼離子束電流位準等於只由該摻雜劑源產生者。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該BF3或該輔助物種Si2H6之任何原子係經同位素濃化至高於天然含量。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該摻雜劑源及/或該輔助物種係以經吸收態、游離源態或液化源態盛裝於貯存與分配組合件中。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該摻雜劑源之該含硼之目標離子物種包含含硼之帶正電或帶負電原子或分子片段，該原子或分子片段係源自被植入靶基質表面之BF3摻雜劑源。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼離子束電流係在一功率位準及一流速下產生，從而與在該功率位準及該流速下只由該摻雜劑源產生之含硼離子束電流相比，該含硼離子束電流增高1%或更高。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼離子束電流係在一功率位準及一流速下產生，從而與在該功率位準及該流速下只由該摻雜劑源產生之含硼離子束電流相比，該含硼離子束電流增高4%或更高。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼離子束電流係在一功率位準及一流速下產生，從而與在該功率位準及該流速下只由該摻雜劑源產生之含硼離子束電流相比，該含硼離子束電流增高10%或更高。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼離子束電流係在一功率位準及一流速下產生，從而與在該功率位準及該流速下只由該摻雜劑源產生之含硼離子束電流相 比，該含硼離子束電流增高20%或更高。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼離子束電流係在一功率位準及一流速下產生，從而與在該功率位準及該流速下只由該摻雜劑源產生之含硼離子束電流相比，該含硼離子束電流增高25%或更高。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼離子束電流係在一功率位準及一流速下產生，從而與在該功率位準及該流速下只由該摻雜劑源產生之含硼離子束電流相比，該含硼離子束電流增高30%或更高。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該含硼之目標離子物種產生之該含硼離子束電流位準比只由該摻雜劑源產生者較低。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該摻雜劑源及該輔助物種係在一輸送源中預先混合。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該摻雜劑源及該輔助物種係共流進入該離子注入機中。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該摻雜劑源及該輔助物種係相繼流入一離子室。
- 如申請專利範圍第1項之組成物，其中該組成物還包含一隨意的稀釋劑物種。
- 如申請專利範圍第17項之組成物，其中該隨意的稀釋劑物種係選自下列所組成之群組：H2、N2、He、Ne、Ar、Kr及Xe中。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662321069P | 2016-04-11 | 2016-04-11 | |
| US62/321,069 | 2016-04-11 | ||
| US15/483,479 US20170294289A1 (en) | 2016-04-11 | 2017-04-10 | Boron compositions suitable for ion implantation to produce a boron-containing ion beam current |
| US15/483,479 | 2017-04-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201807234A true TW201807234A (zh) | 2018-03-01 |
| TWI724152B TWI724152B (zh) | 2021-04-11 |
Family
ID=59998279
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106112054A TWI743105B (zh) | 2016-04-11 | 2017-04-11 | 用於離子植入之摻雜劑組成物 |
| TW106112052A TWI724152B (zh) | 2016-04-11 | 2017-04-11 | 適用於離子植入以產生含硼離子束電流之硼組成物 |
| TW106112055A TWI826349B (zh) | 2016-04-11 | 2017-04-11 | 適於離子植入以產生含鍺之離子束電流的鍺組成物 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106112054A TWI743105B (zh) | 2016-04-11 | 2017-04-11 | 用於離子植入之摻雜劑組成物 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106112055A TWI826349B (zh) | 2016-04-11 | 2017-04-11 | 適於離子植入以產生含鍺之離子束電流的鍺組成物 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20170292186A1 (zh) |
| EP (1) | EP3443137A1 (zh) |
| JP (1) | JP6990691B2 (zh) |
| KR (2) | KR102443564B1 (zh) |
| CN (1) | CN109362231B (zh) |
| SG (2) | SG10202010058QA (zh) |
| TW (3) | TWI743105B (zh) |
| WO (1) | WO2017180562A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI788551B (zh) * | 2018-05-17 | 2023-01-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 用於離子植入系統之四氟化鍺與氫之混合物及使用彼等之離子植入方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11098402B2 (en) * | 2017-08-22 | 2021-08-24 | Praxair Technology, Inc. | Storage and delivery of antimony-containing materials to an ion implanter |
| US10892137B2 (en) * | 2018-09-12 | 2021-01-12 | Entegris, Inc. | Ion implantation processes and apparatus using gallium |
| US10923309B2 (en) * | 2018-11-01 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | GeH4/Ar plasma chemistry for ion implant productivity enhancement |
| US11232925B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | System and method for improved beam current from an ion source |
| US11120966B2 (en) * | 2019-09-03 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | System and method for improved beam current from an ion source |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1305350C (en) * | 1986-04-08 | 1992-07-21 | Hiroshi Amada | Light receiving member |
| US4891330A (en) * | 1987-07-27 | 1990-01-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of fabricating n-type and p-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements |
| US6007609A (en) | 1997-12-18 | 1999-12-28 | Uop Llc | Pressurized container with restrictor tube having multiple capillary passages |
| US6045115A (en) | 1998-04-17 | 2000-04-04 | Uop Llc | Fail-safe delivery arrangement for pressurized containers |
| US5937895A (en) | 1998-04-17 | 1999-08-17 | Uop Llc | Fail-safe delivery valve for pressurized tanks |
| US6756600B2 (en) * | 1999-02-19 | 2004-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ion implantation with improved ion source life expectancy |
| US7396381B2 (en) * | 2004-07-08 | 2008-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Storage and delivery systems for gases held in liquid medium |
| JP2008124111A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ法によるシリコン系薄膜の形成方法 |
| US7708028B2 (en) | 2006-12-08 | 2010-05-04 | Praxair Technology, Inc. | Fail-safe vacuum actuated valve for high pressure delivery systems |
| US7732309B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersed ion implantation process |
| US7655931B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas mixing |
| US7905247B2 (en) | 2008-06-20 | 2011-03-15 | Praxair Technology, Inc. | Vacuum actuated valve for high capacity storage and delivery systems |
| CN108565198A (zh) * | 2012-02-14 | 2018-09-21 | 恩特格里斯公司 | 用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流 |
| KR101603482B1 (ko) | 2012-08-28 | 2016-03-14 | 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드 | 규소 이온 주입 동안에 이온 빔 전류 및 성능을 개선하기 위한 규소-함유 도펀트 조성물, 시스템 및 그의 사용 방법 |
| US9831063B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-11-28 | Entegris, Inc. | Ion implantation compositions, systems, and methods |
| US8883620B1 (en) * | 2013-04-24 | 2014-11-11 | Praxair Technology, Inc. | Methods for using isotopically enriched levels of dopant gas compositions in an ion implantation process |
| JP2016524793A (ja) * | 2013-05-21 | 2016-08-18 | インテグリス・インコーポレーテッド | 濃縮されたケイ素前駆体組成物およびこれを利用するための装置および方法 |
| US9165773B2 (en) | 2013-05-28 | 2015-10-20 | Praxair Technology, Inc. | Aluminum dopant compositions, delivery package and method of use |
| KR102306410B1 (ko) * | 2013-08-16 | 2021-09-28 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기재내 규소 주입 및 이를 위한 규소 전구체 조성물의 제공 |
| US9209033B2 (en) * | 2013-08-21 | 2015-12-08 | Tel Epion Inc. | GCIB etching method for adjusting fin height of finFET devices |
| US20170122496A1 (en) * | 2014-06-13 | 2017-05-04 | Entegris, Inc. | Adsorbent-based pressure stabilization of pressure-regulated fluid storage and dispensing vessels |
| US9909670B2 (en) | 2015-03-04 | 2018-03-06 | Praxair Technology, Inc. | Modified vacuum actuated valve assembly and sealing mechanism for improved flow stability for fluids sub-atmospherically dispensed from storage and delivery systems |
-
2017
- 2017-04-10 US US15/483,522 patent/US20170292186A1/en not_active Abandoned
- 2017-04-10 US US15/483,479 patent/US20170294289A1/en not_active Abandoned
- 2017-04-10 US US15/483,448 patent/US20170294314A1/en not_active Abandoned
- 2017-04-11 CN CN201780029981.4A patent/CN109362231B/zh active Active
- 2017-04-11 KR KR1020187032524A patent/KR102443564B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-11 TW TW106112054A patent/TWI743105B/zh active
- 2017-04-11 WO PCT/US2017/026913 patent/WO2017180562A1/en active Application Filing
- 2017-04-11 KR KR1020227031380A patent/KR20220129108A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-04-11 TW TW106112052A patent/TWI724152B/zh active
- 2017-04-11 SG SG10202010058QA patent/SG10202010058QA/en unknown
- 2017-04-11 TW TW106112055A patent/TWI826349B/zh active
- 2017-04-11 SG SG11201808852YA patent/SG11201808852YA/en unknown
- 2017-04-11 JP JP2019503647A patent/JP6990691B2/ja active Active
- 2017-04-11 EP EP17719778.7A patent/EP3443137A1/en not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-07-23 US US16/519,180 patent/US20200013621A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI788551B (zh) * | 2018-05-17 | 2023-01-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 用於離子植入系統之四氟化鍺與氫之混合物及使用彼等之離子植入方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220129108A (ko) | 2022-09-22 |
| TW201807235A (zh) | 2018-03-01 |
| TWI743105B (zh) | 2021-10-21 |
| KR102443564B1 (ko) | 2022-09-16 |
| US20200013621A1 (en) | 2020-01-09 |
| SG11201808852YA (en) | 2018-11-29 |
| JP2019517158A (ja) | 2019-06-20 |
| KR20180132133A (ko) | 2018-12-11 |
| US20170292186A1 (en) | 2017-10-12 |
| WO2017180562A1 (en) | 2017-10-19 |
| SG10202010058QA (en) | 2020-11-27 |
| TWI826349B (zh) | 2023-12-21 |
| TW201807236A (zh) | 2018-03-01 |
| JP6990691B2 (ja) | 2022-02-15 |
| US20170294314A1 (en) | 2017-10-12 |
| TWI724152B (zh) | 2021-04-11 |
| US20170294289A1 (en) | 2017-10-12 |
| CN109362231B (zh) | 2022-12-27 |
| EP3443137A1 (en) | 2019-02-20 |
| CN109362231A (zh) | 2019-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI724152B (zh) | 適用於離子植入以產生含硼離子束電流之硼組成物 | |
| US9570271B2 (en) | Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation | |
| KR101536832B1 (ko) | 동위원소-농축된 붕소-함유 화합물, 및 이의 제조 및 사용 방법 | |
| JP6250677B2 (ja) | シリコン含有ドーパント組成、シリコン・イオン注入中にイオン・ビーム電流及び性能を改善するために同組成を用いるシステム及び方法 | |
| US10825653B2 (en) | Method of improving ion beam quality in an implant system | |
| US9034743B2 (en) | Method for implant productivity enhancement | |
| EP3188214A1 (en) | Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation | |
| KR102272833B1 (ko) | 작업물을 프로세싱하는 방법 |