TW201806201A - 封裝支架結構及其製造方法 - Google Patents

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陳詠傑
劉建男
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億光電子工業股份有限公司
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Abstract

本發明係提供一種封裝支架結構,其包含框架部及至少二殼體,其中,框架部包括複數個封裝單元,封裝單元各包括至少二支撐部、至少二引腳部及至少一空乏區,支撐部從框架部延伸出;殼體設置於封裝單元中,並局部地包覆支撐部及引腳部;空乏區設置於支撐部與引腳部之間而使之相互分離。本發明另提供一種封裝結構之製造方法,其可製造上述的封裝支架結構。藉此,可提高封裝單元的密度,進而提升發光裝置之產能。

Description

封裝支架結構及其製造方法
本發明係關於一種封裝支架結構及其製造方法,特別關於一種用於容置發光裝置的封裝支架結構及其製造方法。
發光二極體具有反應時間短、使用壽命長、體積小、高抗震性及低功率消耗等優點,因此被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。為提高發光二極體之使用壽命、改變發光角度,發光二極體多會經過一封裝製程以形成發光裝置。
在封裝製程中,發光裝置通常係於一支架上進行固晶、焊線、封膠及下料(單粒化)等步驟後所形成。然而,在習知的支架設計上,每相鄰的兩個殼體之間至少包含一個繫桿(tie bar),致使支架的空間利用率過低,進而造成封裝單元的密度過低,最終影響到發光裝置之生產速度並降低材料利用率。
有鑒於此,如何提供一封裝支架結構及其製造方法,以改善上述的缺失,為業界待解決的問題。
鑑於上述問題,本發明係提供一種封裝支架結構及其製造方法,其可提高封裝支架中封裝單元的密度,藉此增加發光裝置之生產數量, 並同時減少封裝支架之材料使用(移除)量,以提高利用率。
為達上述目的,本發明所揭露的封裝支架結構係包含一框架部及至少二殼體。該框架部包括複數個封裝單元,該等封裝單元各包括至少二支撐部、至少二引腳部及至少一空乏區,該二支撐部係從該框架部延伸出;該二殼體設置於該等封裝單元之其中之一中,該二殼體之其中之一係局部地包覆該二支撐部及該二引腳部;其中,該空乏區設置於該二支撐部與該二引腳部之間而使之相互分離。
較佳地,該封裝支架結構之中,該支撐部將設置於殼體的相對外側邊,為參考用,(X、Y)係表示矩陣排列之平面座標,X為列軸,Y為行軸,於同一殼體中的支撐部將設置於同一列軸或行軸上。
較佳地,該封裝支架結構之中,該等封裝單元以陣列狀的方式設置於該框架部上。
較佳地,該封裝支架結構之中,各該支撐部及各該引腳部的延伸出的方向為相互垂直。
較佳地,該封裝支架結構之中,各該引腳部包含一電極子部及一彎折子部,該彎折子部從該電極子部延伸出。
較佳地,該封裝支架結構之中,各該殼體局部地包覆該電極子部、且局部地包覆該彎折子部。
較佳地,該封裝支架結構之中,該二殼體為一第一殼體及一第二殼體。
較佳地,該封裝支架結構之中,該第二殼體將設置於第一殼體的行軸方向。
較佳地,該封裝支架結構之中,該第一殼體與該第二殼體位於同一外側邊的支撐部之間定義有一第一距離,該第一殼體所包覆之該二引腳部或該第二殼體所包覆之該二引腳部之間定義有一第二距離,該第一距離小於或等於該第二距離。
較佳地,該封裝支架結構之中,該空乏區包含一第一空乏區、一第二空乏區及一第三空乏區。
為較佳地,該封裝支架結構之中,該第二空乏區設置於該第一空乏區及該第三空乏區之間。
較佳地,該封裝支架結構之中,該第一空乏區的面積小於或等於該第二空乏區或該第三空乏區。
較佳地,該封裝支架結構之中,該第一空乏區、該第二空乏區及該第三空乏區將設置於同一行軸上。
較佳地,該封裝支架結構之中,該第一殼體設置於該第一空乏區與該第二空乏區之間,而該第二殼體設置於該第二空乏區及該第三空乏區之間。
較佳地,該封裝支架結構之中,該第一殼體所包覆之該彎折子部設置於該第二空乏區中,該第二殼體所包覆之該彎折子部設置於該第三空乏區中,且該第一殼體及該第二殼體所包覆的該等彎折子部之延伸方向為相同。
較佳地,該封裝支架結構之中,該第一殼體所包覆之該彎折子部設置於該第一空乏區中,而該第二殼體所包覆之該彎折子部設置於該第三空乏區中,且該第一殼體及該第二殼體所包覆之該等彎折子部之延伸 方向為相反。
為達上述目的,本發明另揭露的封裝支架結構之製造方法係包含:提供一框架部,其中,該框架部包括複數個封裝單元設置於該框架部中,該等封裝單元各包括至少二支撐部、至少二引腳部及至少一空乏區,該二支撐部及該二引腳部係從該框架部延伸出,該空乏區設置於該二支撐部與該二引腳部之間而使之相互分離;以及在該等封裝單元之其中一者中,設置一第一殼體及一第二殼體,該第一殼體及該第二殼體之其中之一係局部地包覆該二支撐部及該二引腳部。
較佳地,該封裝支架結構之製造方法之中,該空乏區包含一第一空乏區、一第二空乏區及一第三空乏區,而該第二空乏區設置於該第一空乏區及該第三空乏區之間。
較佳地,該封裝支架結構之製造方法之中,該二殼體為一第一殼體及一第二殼體,該第一殼體設置於該第一空乏區與該第二空乏區之間,而該第二殼體設置於該第二空乏區及該第三空乏區之間。
較佳地,該封裝支架結構之製造方法之中,該等封裝單元各包含一連結桿,該連結桿係設置於該第二空乏區中,並與該第一殼體所包覆之該二引腳部相互連結。
較佳地,該封裝支架結構之製造方法更包含:移除該連接桿,以分離該第一殼體所包覆之該二引腳部於該第二空乏區中,以及同時分離該第二殼體所包覆之該二引腳部於該第三空乏區中。
較佳地,該封裝支架結構之製造方法之中,該第一殼體及該第二殼體所包覆之該二引腳部則各別與該框架部連接。
較佳地,該封裝支架結構之製造方法之中,於該第一殼體及該第二殼體設置完成之後,同時將該框架部與該第一殼體及該第二殼體所包覆之該二引腳部分離。
藉此,本發明之封裝支架結構及其製造方法至少可提供以下有益效果:1. 封裝支架結構之框架部可不具有額外的連結桿,因此可節省設置連結桿所需的材料用量及體積,以提高框架部的材料利用率;2. 不同殼體的支撐部之間的第一距離可小於或等於引腳部之間的第二距離,以使各封裝單元之尺寸更為縮減,進而使框架部能設置較多封裝單元;以及3. 各封裝單元之中可供至少二殼體設置,且殼體之間可較密集地排列,使得封裝支架結構可包含更多殼體,提高空間利用率。藉此,藉由該封裝支架結構可製造出更多發光裝置,增加發光裝置的產量。
為讓上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂,下文係以較佳之實施例配合所附圖式進行詳細說明。
1、2‧‧‧封裝支架結構
10、10’、20’‧‧‧框架部
20‧‧‧殼體
100‧‧‧封裝單元
110‧‧‧支撐部
120‧‧‧引腳部
121‧‧‧電極子部
122‧‧‧彎折子部
130‧‧‧空乏區
131‧‧‧第一空乏區
132‧‧‧第二空乏區
133‧‧‧第三空乏區
210‧‧‧第一殼體
220‧‧‧第二殼體
211、221‧‧‧底部
212、222‧‧‧側部
213、223‧‧‧凹槽
300‧‧‧連結桿
400‧‧‧發光二極體晶片
410‧‧‧頂面
420‧‧‧導線
500‧‧‧密封元件
600‧‧‧發光裝置
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
X‧‧‧行軸
Y‧‧‧列軸
第1A圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構的示意圖;第1B圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構的另一示意圖(殼體未顯示);第2A圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構製造時,其框架 部的示意圖(連結桿尚未移除);第2B圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構製造時,其框架部被填充塑料體的示意圖(連結桿尚未移除);第2C圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構製造時,其框架部之連結桿被移除的示意圖;第2D圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構製造時,其引腳部被彎折的示意圖;第2E圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構製造時,進行固晶步驟的示意圖;第2F圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構製造時,進行密封步驟的示意圖;第2G圖為依據本發明之第1較佳實施例之封裝支架結構所製成的發光裝置的示意圖;第3A圖為依據本發明之第2較佳實施例之封裝支架結構之框架部的示意圖;第3B圖為依據本發明之第2較佳實施例之封裝支架結構,其框架部被填充塑料體的示意圖;第3C圖為依據本發明之第2較佳實施例之封裝支架結構的示意圖;以及第3D圖為依據本發明之第2較佳實施例之封裝支架結構的另一示意圖。
請參閱第1A圖所示,其為依據本發明之第1較佳實施例之封 裝支架結構1的局部示意圖(俯視圖)。封裝支架結構1包含一框架部10及二殼體20,各元件之技術內容說明如下。
配合參閱第1B圖(其顯示第1A圖之框架部10,而殼體20未有顯示),框架部10可為一金屬板(如純金屬、合金及金屬複合層板等)經沖壓或沖切等方式而形成,框架部10包含複數個封裝單元100,該些封裝單元100是以陣列狀的方式設置,也就是,至少沿著列軸(例如圖所示的X方向)或行軸方向(例如圖所示的Y方向)相鄰地排列於框架部10中。如第1A圖所示者,其中兩個封裝單元100沿著列軸方向相鄰排列。
於本實施例中,每一個封裝單元100包含至少二支撐部110、至少二引腳部120及至少一空乏區130。本實施例係以一個封裝單元100包含四支撐部110及四引腳部120為例,且其中較上方的二支撐部110及二引腳部120可為第一組,而較下方的另二支撐部110及另二引腳部120可為第二組。在每一組中,二支撐部110係沿著列軸方向、以彼此相對方式、從框架部10朝著後述的殼體20延伸出,故支撐部110大致成一突片狀;二引腳部120設置於二支撐部110之間,且各包含一電極子部121及一彎折子部122,彎折子部122從電極子部121延伸出,且大致成一L形狀,也就是,先沿著行軸方向延伸、再沿著列軸方向延伸。因此,支撐部110的延伸方向與引腳部120的彎折子部122的延伸方向部分地相互垂直。
空乏區130則設置於每一組的二支撐部110與二引腳部120之間,以使支撐部110與引腳部120相互分離,進而電性隔離。空乏區130又包含一第一空乏區131、一第二空乏區132及一第三空乏區133,沿著行軸方向依序設置(第二空乏區132設置於該第一空乏區131及第三空乏區133之 間)。第1B圖中之兩條一點鍊線可作為第一空乏區131、第二空乏區132及第三空乏區133的範圍參考。第一條一點鍊線之上的空間可為第一空乏區131,易言之,第一組的二支撐部110與二電極子部121設置於第一空乏區131中;兩條一點鍊線之間的空間,可為第二空乏區132,易言之,第一組的二彎折子部122以及第二組的二支撐部110與二電極子部121皆設置於第二空乏區132中;第二條一點鍊線之下的空間可為第三空乏區133,易言之,第二組的二彎折子部122設置於第三空乏區133中。
第一組之引腳部120的彎折子部122是朝著第二空乏區132延伸,以設置於第二空乏區132之中,而第二組之引腳部120的彎折子部122是朝著第三空乏區133延伸,以設置於第三空乏區133之中。因此外觀上,第一組之彎折子部122與第二組之彎折子部122的延伸之方向為相同,可稱為順向排列。
此外,由於第一空乏區131之中並未設置有彎折子部122,第一空乏區131之面積較佳地小於或等於(即不大於)第二、第三空乏區132、133之面積,以減小封裝單元100之面積;也就是,沿著行軸方向,第一空乏區131之尺寸不大於第二、第三空乏區132、133之尺寸。第三空乏區133的面積(尺寸)亦可小於或等於第二空乏區132的面積(尺寸)。
關於殼體20之技術內容,該二殼體20可為第一殼體210及第二殼體220,且第一殼體210設置於第一空乏區131及第二空乏區132之間,而第二殼體220設置於第二空乏區132及第三空乏區133之間。此外,第一殼體210局部地包覆第一組的二支撐部110及二引腳部120,而第二殼體220局部地包覆第二組的二支撐部110及二引腳部120。
具體而言,以第一殼體210為例,二支撐部110的末端嵌入第一殼體210的相對兩外側邊而被第一殼體210包覆,使得第一殼體210固定於框架部10上而不脫落;引腳部120的電極子部121及彎折子部122則局部地被第一殼體210包覆,第一殼體210具有一凹槽213,以使電極子部121之表面局部地暴露出,作為後續發光半導體晶片固定所需之工作表面。第二殼體220亦具有上述第一殼體210的配置。
另一方面,位於第一殼體210與第二殼體220的同一外側邊的二個支撐部110之間定義有一第一(最短)距離D1,而第一殼體210或第二殼體220所包覆的二個引腳部120之間定義有一第二(最短)距離D2,第一距離D1較佳地小於或等於第二距離D2,而不大於第二距離D2,以使封裝單元100之尺寸更為縮減。
藉此,封裝支架結構1之每一個封裝單元100可具有較小之尺寸,使得封裝支架結構1可包含更多封裝單元100。此外,第一殼體210及第二殼體220可經由第二空乏區132而直接地鄰接,不被框架部10原具有的連結桿300(詳如後述)阻隔。如此,第一殼體210及第二殼體220可較密集地排列,使得封裝支架結構1可包含更多殼體20。與習知相比,封裝支架結構1所包含的殼體20的排列密度可提高60%~70%。
接著說明該封裝支架結構1之製造方法(其技術內容可作為封裝支架結構1的進一步揭露),該製造方法可包含三個步驟:如第2A圖所示的第一步驟中,提供一框架部10’;接著,如第2B圖所示的第二步驟中,形成殼體20於框架部10’中;爾後,如第2C圖所示的第三步驟中,移除框架部10’之特定部分,以形成封裝支架結構1。
詳言之,如第2A圖所示,一框架部10’被提供,其相似於第1B圖所示的框架部10,包含已預形成的複數個封裝單元100,而每個封裝單元100除了包含支撐部110、引腳部120及空乏區130外,尚包含一連結桿300。該連結桿300設置於第二空乏區132中(第二空乏區132因此被分隔成兩部分),並與第一組的二引腳部120之末端相互連結;連結桿300的兩端還連結至框架部10’;第二組的二引腳部120之末端則連結框架部10’。易言之,在此步驟中,框架部10’、支撐部110及引腳部120尚未分離,亦尚未電性隔離。
接著,如第2B圖所示,對框架部10’進行塑料體的填充,以形成(即設置)第一殼體210及第二殼體220。所形成的第一殼體210及第二殼體220局部地包覆支撐部110及引腳部120,但不會包覆到連結桿300。
塑料體的填充可透過射出模塑(Injection Molding)或傳遞模塑(Transfer Molding)等方式來達成。該塑料體可選用熱固性塑料或熱塑性塑料,而熱固性塑料可例如為環氧樹脂系組合物、矽酮系組合物或前述樹脂組合物之任意組合等;熱塑性塑料可例如為聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide,PPA)系組合物、聚對苯二甲酸環已二甲醇酯(Polycyclohexylenedimethylene terephthalate,PCT)系組合物、不飽和聚酯樹脂(Unsatuated Polyester,UP)系組合物或前述樹脂組合物之任意組合等。塑料體中還可混合反射填料,例如為二氧化鈦(TiO2)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氮化硼(BN)或前述之任意混合等。較佳地,塑料體在填充、固化而形成殼體20後,可對後述之發光二極體晶片400的射出光具有大於70%的折射率,或更佳的大於90%折射率。
爾後,如第2C圖所示,透過例如沖壓等方式,將連結桿300完全地移除(虛線示意移除的部分),使得第一殼體210所包覆的二彎折子部122在第二空乏區132中相互分離;並同時移除位於第二殼體220所包覆的二彎折子部122的末端、與二彎折子部122連結之框架部10’之部分,使得第二殼體220所包覆的二彎折子部122在第三空乏區133中相互分離。如此,第一殼體210與第二殼體220經由第二空乏區132而直接地鄰接(即沒有連結桿300的阻隔),密集地排列,以形成如第1A圖所示的封裝支架結構1。
除了上述步驟外,該製造方法尚可包含一彎折步驟。具體而言,如第2D圖所示,將第一殼體210所包覆之彎折子部122朝向第一殼體210之底部211或側部212彎折,並將第二殼體220所包覆之彎折子部122朝向第二殼體220之底部221或側部222彎折,以完成另一種型態的封裝支架結構1,以作為側射型(side-view)的發光裝置使用。
在完成封裝支架結構1後,接著,可利用該封裝支架結構1以形成至少一發光裝置600。具體而言,如第2E圖所示,首先,進行固晶及電性連接步驟,可使用具導電或不具導電性之固晶材料將一發光二極體晶片400固定於電極子部121之表面,該電極子部121係經由凹槽213、223所暴露出,並藉由至少兩條導線420將發光二極體晶片400由其頂面410與電極子部121電性連接。
該發光二極體晶片400係以水平式晶片為例,但亦可採用垂直式晶片或倒覆式晶片(圖未示)。在使用垂直式晶片之情況下,具導電性之固晶材料可將發光二極體晶片400固定於電極子部121上並與其中之一電極子部121電性連接,並藉由至少另一條導線420由發光二極體晶片400之頂 面410與另一電極子部121電性連接;而在使用倒覆式晶片之情況下,具導電性之電性材料可將發光二極體晶片400底部之電極與電極子部121電性連接,亦可完成固晶及電性連接步驟。
隨後進行密封步驟,如第2F圖所示,藉由填入一密封元件500至殼體20之凹槽213、223中,覆蓋發光二極體晶片400及電極子部121之暴露表面,然後烘烤密封元件500,使密封元件500固化以保護發光二極體晶片400、導線420及電極子部121,以形成發光裝置600。
密封元件500可由高透明度之樹脂組合物來製成,例如較佳係採用環氧系樹脂組合物或矽氧烷系樹脂組合物。密封元件500可包含螢光體混合於樹脂組合物中,該螢光體之材料種類,可選自由下述所構成之群組中之一或多者:Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、(Sr,Ba)MgAl10O17:Eu2+、(Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+、SrBaSiO4:Eu2+、CdS:In、CaS:Ce3+、Y3(Al,Gd)5O12:Ce2+、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+、SrSiON:Eu2+、ZnS:Al3+,Cu+、CaS:Sn2+、CaS:Sn2+,F、CaSO4:Ce3+,Mn2+、LiAlO2:Mn2+、BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+、ZnS:Cu+,Cl-、Ca3WO6:U、Ca3SiO4C12:Eu2+、SrxBayClzAl2O4-z/2:Ce3+,Mn2+(X:0.2、Y:0.7、Z:1.1)、Ba2MgSi2O7:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+、Ba2Li2Si2O7:Eu2+、ZnO:S、ZnO:Zn、Ca2Ba3(PO4)3Cl:Eu2+、BaAl2O4:Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、ZnS:Eu2+、Ba5(PO4)3Cl:U、Sr3WO6:U、CaGa2S4:Eu2+、SrSO4:Eu2+,Mn2+、ZnS:P、ZnS:P3-,Cl-、ZnS:Mn2+、CaS:Yb2+,Cl、Gd3Ga4O12:Cr3+、CaGa2S4:Mn2+、Na(Mg,Mn)2LiSi4O10F2:Mn、ZnS:Sn2+、Y3Al5O12:Cr3+、SrB8O13:Sm2+、MgSr3Si2O8:Eu2+,Mn2+α-SrO‧3B2O3:Sm2+、ZnS-CdS、ZnSe:Cu+,Cl、ZnGa2S4:Mn2+、ZnO:Bi3+、BaS:Au,K、ZnS:Pb2+、 ZnS:Sn2+,Li+、ZnS:Pb,Cu、CaTiO3:Pr3+、CaTiO3:Eu3+、Y2O3:Eu3+、(Y,Gd)2O3:Eu3+、CaS:Pb2+,Mn2+、YPO4:Eu3+、Ca2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+、Y(P,V)O4:Eu3+、Y2O2S:Eu3+、SrAl4O7:Eu3+、CaYAlO4:Eu3+、LaO2S:Eu3+、LiW2O8:Eu3+,Sm3+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+,Mn2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+、ZnS:Mn2+,Te2+、Mg2TiO4:Mn4+、K2SiF6:Mn4+、SrS:Eu2+、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi4O11、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13:Eu3+、CdS:In,Te、CaAlSiN3:Eu2+、CaSiN3:Eu2+、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu2+、以及Eu2W2O7。另外,密封元件500亦可包含其他種添加物,例如光擴散劑、增稠劑、抗氧化劑等。
於密封步驟完成後,可選擇地對發光裝置600進行電性檢測,藉由將檢測儀器之探針與彎折子部122相接觸並提供電子訊號,點亮發光二極體晶片400進行亮度及色溫測試,可排除不良品或未達標準之發光裝置600。此外,電性檢測亦可於密封步驟前進行,不以此為限。
隨後進行使發光裝置600之單粒化步驟,如第2G圖所示,也就是藉由施加外力使發光裝置600從支撐部110上脫離成可單獨使用者。此外,亦可採用切割之方式將支撐部110截斷來進行發光裝置600之單粒化,切割之手段並無限制,可採用刀具沖壓或雷射切割之方式進行。
以上是封裝支架結構1的技術內容的說明,接著將說明依據本發明另一實施例之封裝支架結構的技術內容,而各實施例之封裝支架結構的技術內容(包含製造方法)應可互相參考,故相同部分將省略或簡化描述。
請參閱第3A圖所示,其為依據本發明之第2較佳實施例之封裝支架結構之框架部20’的示意圖。框架部20’與前述框架部10’不同處主要 在於:框架部20’之引腳部120是對向排列,故框架部20’於第二空乏區132中不需設有連結桿。
詳言之,框架部20’之第一組(較上方者)之引腳部120的彎折子部122是朝著與第二空乏區132相反之方向延伸(也就是朝著第3C圖所示之第一空乏區131之方向延伸),第二組(較下方者)之引腳部120的彎折子部122亦是朝著與第二空乏區132相反之方向延伸(也就是朝著第3C圖所示之第三空乏區133之方向延伸),而第一組之電極子部121與第二組之電極子部121將經由第二空乏區132而直接地鄰接。因此外觀上,第一組之彎折子部122與第二組之彎折子部122的延伸之方向為相對(相反),可稱為對向或反向排列。如此,第二空乏區132並不需要連結桿來連結彎折子部122,可使每一個封裝單元100之尺寸更為縮減;換言之,整體上框架部20’可包含更多封裝單元100。
接著,如第3B圖所示,對框架部20’進行塑料體的填充,以形成第一殼體210及第二殼體220。所形成的第一殼體210及第二殼體220局部地包覆支撐部110及引腳部120。
另一方面,位於第一殼體210與第二殼體220的同一外側邊的支撐部110之間定義有一第一(最短)距離D1,而第一殼體210或第二殼體220所包覆的引腳部120之間定義有一第二(最短)距離D2,第一距離D1較佳地小於或等於第二距離D2,而不大於第二距離D2,以使封裝單元之尺寸更為縮減。
爾後,如第3C圖所示,透過例如沖壓等方式,移除位於第一殼體210所包覆之二彎折子部122的上端、與二彎折子部122連接之框架部 20’的部分,使得第一殼體210所包覆之二彎折子部122在第一空乏區131中相互分離;並同時移除位於第二殼體220所包覆的二彎折子部122的下端、與二彎折子部122連接之框架部20’之部分,使得第二殼體220所包覆的二彎折子部122在第三空乏區133中相互分離。如此,第一殼體210所包覆之二彎折子部122將會設置於第一空乏區131中,第二殼體220所包覆的二彎折子部122將會設置於第三空乏區133中,以形成本發明另一實施例之封裝支架結構2。
與習知相比,封裝支架結構2所包含的第一殼體210及第二殼體220可排列更為相近,使得殼體之排列密度可提高50%~100%。
此外,封裝支架結構2之彎折子部122尚可被彎折。詳言之,如第3D圖所示,將第一殼體210所包覆之彎折子部122朝向第一殼體210之底部211或者側部212彎折,並將第二殼體220所包覆之彎折子部122朝向第二殼體220之底部221或者側部222彎折,以完成另一種型態的封裝支架結構2,作為側射型的發光裝置使用。
在完成封裝支架結構2後,接著,可進一步利用該封裝支架結構2以形成至少一發光裝置(圖未示),其形成步驟(如固晶、密封、單粒化等)可參考第2E圖~第2G圖之說明,於此不再贅述。
綜合上述,本發明所提供之封裝支架結構可縮減封裝單元的面積(尺寸)、提高殼體的排列密度,進而增加發光裝置的總產量。
上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣,以及闡釋本發明之技術特徵,並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍,本發明之權利 保護範圍應以申請專利範圍為準。
1‧‧‧封裝支架結構
10‧‧‧框架部
20‧‧‧殼體
100‧‧‧封裝單元
110‧‧‧支撐部
120‧‧‧引腳部
122‧‧‧彎折子部
130‧‧‧空乏區
131‧‧‧第一空乏區
132‧‧‧第二空乏區
133‧‧‧第三空乏區
210‧‧‧第一殼體
220‧‧‧第二殼體
213、223‧‧‧凹槽
D1‧‧‧第一距離
D2‧‧‧第二距離
X‧‧‧行軸
Y‧‧‧列軸

Claims (20)

  1. 一種封裝支架結構,包含:一框架部,包括複數個封裝單元,該等封裝單元各包括至少二支撐部、至少二引腳部及至少一空乏區,該二支撐部係從該框架部延伸出;以及至少二殼體,設置於該等封裝單元之其中之一中,該二殼體之其中之一係局部地包覆該二支撐部及該二引腳部;其中,該空乏區設置於該二支撐部與該二引腳部之間而使之相互分離。
  2. 如請求項1所述的封裝支架結構,其中,該等封裝單元以陣列狀的方式設置。
  3. 如請求項1所述的封裝支架結構,其中,各該支撐部及各該引腳部的延伸方向為相互垂直。
  4. 如請求項1所述的封裝支架結構,其中,各該引腳部包含一電極子部及一彎折子部,該彎折子部從該電極子部延伸出。
  5. 如請求項4所述的封裝支架結構,其中,各該殼體局部地包覆該電極子部、且局部地包覆該彎折子部。
  6. 如請求項5所述的封裝支架結構,其中,該二殼體為一第一殼體及一第二殼體。
  7. 如請求項6所述的封裝支架結構,其中,位於該第一殼體與該第二殼體的同一外側邊的該二支撐部之間定義有一第一距離,該第一殼體所包覆之該二引腳部或該第二殼體所包覆之該二引腳部之間定義有一第二距 離,該第一距離小於或等於該第二距離。
  8. 如請求項7所述的封裝支架結構,其中,該空乏區包含一第一空乏區、一第二空乏區及一第三空乏區。
  9. 如請求項8所述的封裝支架結構,其中,該第二空乏區設置於該第一空乏區及該第三空乏區之間。
  10. 如請求項9所述的封裝支架結構,其中,該第一空乏區的面積小於或等於該第二空乏區或該第三空乏區。
  11. 如請求項10所述的封裝支架結構,其中,該第一殼體設置於該第一空乏區與該第二空乏區之間,而該第二殼體設置於該第二空乏區及該第三空乏區之間。
  12. 如請求項11所述的封裝支架結構,其中,該第一殼體所包覆之該彎折子部設置於該第二空乏區中,該第二殼體所包覆之該彎折子部設置於該第三空乏區中,且該第一殼體及該第二殼體所包覆的該等彎折子部之延伸方向為相同。
  13. 如請求項11所述的封裝支架結構,其中,該第一殼體所包覆之該彎折子部設置於該第一空乏區中,而該第二殼體所包覆之該彎折子部設置於該第三空乏區中,且該第一殼體及該第二殼體所包覆之該等彎折子部之延伸方向為相反。
  14. 一種封裝支架結構之製造方法,包含:提供一框架部,其中,該框架部包括複數個封裝單元,該等封裝單元各包括至少二支撐部、至少二引腳部及一空乏區,該二支撐部及該二引腳部係從該框架部延伸出,該空乏區設置於該二支撐部與該二引腳部 之間而使之相互分離;以及設置一第一殼體及一第二殼體於該等封裝單元之其中之一中,該第一殼體及該第二殼體之其中之一係局部地包覆該二支撐部及該二引腳部。
  15. 如請求項14所述的封裝支架結構之製造方法,其中,該空乏區包含一第一空乏區、一第二空乏區及一第三空乏區,而該第二空乏區設置於該第一空乏區及該第三空乏區之間。
  16. 如請求項15所述的封裝支架結構之製造方法,其中,該二殼體為一第一殼體及一第二殼體,該第一殼體設置於該第一空乏區與該第二空乏區之間,而該第二殼體設置於該第二空乏區及該第三空乏區之間。
  17. 如請求項16所述的封裝支架結構之製造方法,其中,該等封裝單元各包含一連結桿,該連結桿係設置於該第二空乏區中,並與該第一殼體所包覆之該二引腳部相互連結。
  18. 如請求項17所述的封裝支架結構之製造方法,更包含:移除該連接桿,以分離該第一殼體所包覆之該二引腳部於該第二空乏區中,以及同時分離該第二殼體所包覆之該二引腳部於該第三空乏區中。
  19. 如請求項17所述的封裝支架結構之製造方法,其中,該第一殼體及該第二殼體所包覆之該二引腳部則各別與該框架部連接。
  20. 如請求項18所述的封裝支架結構之製造方法,其中,於該第一殼體及該第二殼體設置完成後,同時將該框架部與該第一殼體及該第二殼體所包覆的該二引腳部分離。
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