TW201804636A - 發光二極體的封裝結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種發光二極體的封裝結構，其包括發光晶片、色轉換層、導光件及反射件。所述色轉換層包覆所述發光晶片。所述導光件設置在所述發光晶片的上方。所述反射件設置在所述導光件的上方。所述發光晶片用於發出一光線，所述導光件用於調節所述發光晶片發出的光線的照射角度。所述反射件為平面或非平面結構。所述反射件面向所述發光晶片，且設置在所述導光件的上方。所述發光晶片發出的光線經由所述反射件的反射表面結構而改變所述光線的照射範圍。本發明還提供了另一種發光二極體的封裝結構，所述導光件環與所述反射件設于所述發光晶片的周圍，從而所述發光晶片發出的光線能夠集中向封裝結構的外側照射。

Description

發光二極體的封裝結構
本發明是涉及一種發光二極體的封裝結構。
科技日新月異，許許多多的科技產品推層出新。目前，生活上已經可以看到各式各樣的發光二極體商品的應用，例如交通號志、汽機車燈、路燈、指示燈或手電筒等。這些發光二極體商品除了必要的發光晶片制程，通常還需要經過封裝制程。
發光二極體的封裝結構設置主要是為了改善發光晶片的電能提供，並改善發光方式的相關問題。當發光晶片組件長時間暴露在大氣中時，會受到水氣或其他環境中的化學物質影響而老化，進而造成發光二極體的特性衰退。目前，選用高透明度的環氧樹酯包覆發光晶片，從而能夠有效隔絕大氣。因此，選用適合的封裝基材可以為發光晶片元件提供較好的保護，並且使發光二極體元件的使用壽命能大幅提升。然而，使用高透明度的環氧樹脂包覆發光晶片，其發光晶片發出的光線的照射範圍受限制，且其出光效率低。
此外，光學設計也是封裝程式中重要的一環。當前，研究的熱點聚焦在如何有效地把發光晶片所發出的光線匯出，以使發光二極體晶片發出的光線在使用上能夠優化。目前，在傳統的發光二極體封裝完成後，再搭選二次光學透鏡，其可以調控合適的發光角度。然而，採用二次光學透鏡，其不易組裝，對位，且成本較高。
為解決上述問題，本發明提供一種組裝簡易、發光效率較高的發光二極體的封裝結構。所述發光二極體的封裝結構通過應用光學結構設計，使其能夠調控發光二極體所發出的光線角度，進而用以取代成本較高的二次光學透鏡。
一種發光二極體的封裝結構，其包括一發光晶片、一色轉換層、一導光件及一反射件。所述色轉換層包覆所述發光晶片。所述導光件設置在所述發光晶片的上方。所述反射件設置在所述導光件的上方。所述反射件包括一面向所述發光晶片的第一反射表面，所述第一反射表面為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面。
在一實施例中，所述色轉換層設置在所述發光晶片和所述導光件之間。
在一實施例中，所述導光件包覆所述色轉換層或設置在所述色轉換層的上方。
在一實施例中，所述色轉換層設置在所述導光件與所述反射件之間。
在一實施例中，所述色轉換層包覆所述導光件與所述發光晶片。
在一實施例中，所述色轉換層包覆所述導光件，所述導光件包覆所述發光晶片。
在一實施例中，所述發光二極體的封裝結構還包括一基板，所述基板包括一面向所述反射件的第一反射表面的第二發射表面，所述發光晶片設置在所述基板的第二反射表面上。
在一實施例中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料。所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%。所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
在一實施例中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6。所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
在一實施例中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物。所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
本發明還提供另一種發光二極體的封裝結構，其包括一發光晶片、一色轉換層、一導光件及一反射件。所述色轉換層包覆所述發光晶片。所述反射件環設於所述色轉換層的側邊。所述導光件包覆所述色轉換層與所述反射件的周圍。所述反射件與所述發光晶片相對的內側表面為一反射表面。所述反射表面為對稱或非對稱表面。
在一實施例中，所述反射表面為平面、抛物面、多線段面或曲面。
在一實施例中，所述導光件包括與所述發光晶片相對的一出光面。所述出光面為一連續結構面或一不連續結構面。所述連續結構面和所述不連續結構面為圓弧面、圓弧柱面與V形槽面。
在一實施例中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料。所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%。所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
在一實施例中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6。所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
在一實施例中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物。所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
本發明還提供一種發光二極體的封裝結構，其包括一發光晶片，一色轉換層、一導光件、和一反射件。所述色轉換層包覆所述發光晶片。所述導光件設置在所述發光晶片的上方。所述反射件設置在所述導光件的上方。所述反射件包括一面向所述發光晶片的第一反射表面，所述第一反射表面為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面。所述反射件於所述反光晶片的正上方設有一溝槽，所述溝槽自所述反射件的上表面貫穿至所述反射件的下表面。
在一實施例中，所述溝槽呈對稱分佈。
在一實施例中，所述溝槽為十字型溝槽或圓型溝槽。
在一實施例中，所述溝槽的寬度範圍為0.05mm-0.3mm。
在一實施例中，所述溝槽包括遠離所述導光件的一上端部和靠近所述導光件的一下端部，所述上端部的寬度大於或等於所述下端部的寬度。
在一實施例中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料。所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%。所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
在一實施例中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6。所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
在一實施例中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物。所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
本發明還提供另一種發光二極體的封裝結構，其包括一發光晶片、一色轉換層、一導光件和一反射件。所述色轉換層包覆所述發光晶片。所述導光件設置在所述發光晶片的上方。所述反射件設置在所述導光件的上方。所述反射件包括一面向所述發光晶片的第一反射表面，所述第一反射表面為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面。所述發光二極體的封裝結構於所述反光晶片的正上方設有一溝槽，所述溝槽自所述反射件的上表面貫穿至所述導光件的上表面與下表面之間的預設位置。
在一實施例中，所述溝槽呈對稱分佈。
在一實施例中，所述溝槽為十字型溝槽或圓型溝槽。
在一實施例中，所述溝槽的寬度範圍為0.05mm-0.3mm。
在一實施例中，所述溝槽包括遠離所述色轉換層的一上端部和靠近所述色轉換層的一下端部，所述上端部的寬度大於或等於所述下端部的寬度。
在一實施例中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料。所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%。所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
在一實施例中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6。所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
在一實施例中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物。所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
與先前技術相比，本發明的發光二極體的封裝結構通過對導光件與反射件的結構設計，使其能夠調控發光二極體所發出的光線角度，並取代現有的成本較高的二次光學透鏡。因此，本發明的發光二極體的封裝結構不僅組裝簡易，發光效率較高，且生產成本較低，適合於工業化生產。
為了對本發明的技術特徵、目的和效果有更加清楚的理解，現結合附圖詳細說明本發明的具體實施方式。顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明的保護範圍。
請一併參閱圖1A和圖1B，展示了本發明的第一較佳實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖及光線路徑示意圖。如圖1A所示，本發明提供了一種發光二極體的封裝結構1，其包括一發光晶片20及一固定所述發光晶片20的封裝體10。所述封裝體10包括一色轉換層30、一導光件40與一反射件50。所述色轉換層30包覆所述發光晶片20。所述導光件40包覆所述色轉換層30。所述反射件50設置在所述導光件40的上方。在本實施例中，所述發光二極體的封裝結構1能夠使所述發光晶片20發出的光線達到更廣照射範圍。
所述發光晶片20選自水準式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片中一種。可以理解的，所述發光晶片20的使用可以依使用者的需求進行替換。
所述色轉換層30用於改變所述發光晶片20發出的光線色光。可以理解的，所述色轉換層30可以依據使用者的需要將所述發光晶片20發出的光線顏色改變成所需的色光。
所述導光件40包含矽氧樹脂(即silicon)。本領域技術人員能夠理解，這裡不限於矽氧樹脂，其他可以實現密封所述發光晶片20，且具有高透明度的透光材料也可以用於本發明。所述導光件40可用於引導所述發光晶片20發出的光線的照射範圍，並且能夠引導所述光線到達預設的位置。
為了使所述發光晶片20發出的光線能夠均勻地朝所述發光二極體的封裝結構1的外部照射，所述導光件40還進一步包含一附加材料。所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%。所述附加材料例如是，但是不局限於，有機擴散粒子、無機擴散粒子及其他們之間的組合。
所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6。所述附加材料的折射率為1.5-1.8。優選的，所述矽氧樹脂的折射率與所述附加材料的折射率互不相同。因此，所述附加材料與所述矽氧樹脂混合後，所述發光晶片20發出的光線經由所述導光件40中的附加材料能夠散射出更均勻的光線。
可以理解的，所述有機擴散粒子包括，但是不局限於，有機矽類化合物及丙烯酸類化合物，所述無機擴散粒子包括，但不局限於，二氧化矽（SiO2）、二氧化鈦（TiO2）或碳酸鈣類化合物。所述有機矽類化合物例如是，但是不局限於，矽橡膠、矽樹脂、矽油。所述丙烯酸類化合物例如是，但是不局限於，丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚四氟乙烯（PTFE）。
所述導光件40的厚度優選為0.4mm。
所述反射件50包括一反射表面501。所述反射表面501面向所述發光晶片20。所述反射表面501可為平面或非平面。
所述反射件50的厚度優選為0.4mm。
可以理解的，為了提高所述發光晶片20發出的光線的出光率，所述反射表面501的顏色為淺色系顏色。
優選的，所述反射表面501的顏色為銀色或白色。
如圖1B所示，所述發光晶片20發出一光線100，所述光線100通過所述色轉換層30，使所述光線100能夠改變成所需的色光。所述光線100通過所述色轉換層30後進入所述導光件40。可以理解的，所述導光件40能夠使所述光線100在所述導光件40的內部進行導光，直到所述光線100被照射至所述反射件50。當所述光線100照射所述反射表面501後，大部份所述光線100被反射至所述發光晶片20的周圍。因此，所述發光晶片20發出的光線100進行了第一次反射，並且經由所述反射表面501發出的光線100通過所述導光件40後，能夠使所述光線100向所述封裝體10的外側傳遞更遠的距離。
在本實施例中，所述封裝體10還包括一基板60。所述基板60設有一反射表面61。所述基板60的反射表面61正對所述反射件50的反射表面501。所述發光晶片20、所述色轉換層30及導光件40設置在所述基板60的反射表面61上。所述光線100經由所述反射件50的反射表面501反射後，照射於所述基板60的反射表面61；所述光線100經由所述基板60的反射表面61反射後，所述光線100將朝向所述封裝體10的外側進行照射。因此，所述發光二極體的封裝結構1能使所述發光晶片20發出的光線100進行第二次反射，從而能夠形成較廣的照明範圍。
本發明提供的發光二極體的封裝結構1，所述發光二極體的封裝結構1包括所述導光件40，所述反射件50及所述基板60。所述導光件40形成在所述色轉換層30與所述發光晶片20的外側。所述發光晶片20發出的光線100進入所述導光件40，經由所述導光件40導引照射於所述反射件50，且所述光線100經由所述反射件50的反射表面501進行反射。此時，所述光線100發生第一次反射，且經由所述反射表面501反射的光線100將朝向所述發光晶片20的周圍照射。進一步的，當經由所述反射表面501反射的光線100通過所述導光件40時，所述光線100能夠依據所述導光件40的材料性質傳遞得更遠，因此，所述光線100經由所述反射件50的反射表面501反射的角度範圍能夠更大，從而所述發光晶片20發出的光能夠獲得較廣的照明範圍。
此外，為了進一步擴大所述發光晶片20發出的光線的照明範圍，所述發光晶片20設置在所述基板60的反射表面61上。因此，經由所述反射件50的反射表面501反射的光線100，通過所述導光件40後，照射至所述基板60的反射表面61上，此時，所述光線100發生第二次反射，因此，所述光線100的照射範圍相較于現有技術的發光晶片直接發出的光線或經由一次反射的光線的照射範圍更廣。
請一併參閱圖2A至圖2D，展示了本發明第一實施例中的發光二極體的封裝結構的反射件的第一實施方式至第四實施方式的示意圖。所述發光二極體的封裝結構1的反射件50包括一反射表面501，所述反射表面501正對所述發光晶片20。所述反射表面501可為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面。所述反射表面501可為對稱面或非對稱面。
請參閱圖2A，在第一實施方式中，所述反射件50的反射表面501為凹面。所述反射件50設置在所述導光件40的上方。所述導光件40面向所述反射件50的反射表面501的表面具有一凸面結構。所述反射表面501的凹面結構面向所述發光晶片20，因此，所述發光晶片20所發出的光線經由所述反射表面501集中向所述封裝體10的內側反射，從而使得所述光線照射範圍較集中。
請參閱圖2B，在第二實施方式中，所述反射件50的所述反射表面501為凸面。所述反射件50設置在所述導光件40的上方。所述導光件40面向所述反射件50的反射表面501的表面具有一凹面結構。所述反射表面501的凸面結構面向于所述發光晶片20，因此，所述發光晶片20所發出的光線經由所述反射表面501向所述封裝體10的外側反射，從而使得所述光線照射範圍較廣。
請參閱圖2C，在第三實施方式中，所述反射件50的反射表面501為非對稱面。所述反射表面501的左半側為一凸面，所述反射表面501的右半側為一凹面，所述導光件40面向所述反射件50的凹面與凸面。其中，所述導光件40具有與所述反射件50對應的凹面和凸面結構，在此不再贅述。所述反射表面501的凹、凸面面向所述發光晶片20，因此，所述發光晶片20所發出的光線經由所述反射表面501進行反射，且經由所述反射表面501的凸面的光線向所述封裝體10的外側反射，而經由所述反射表面501的凹面的光線集中向所述封裝體10的內側反射，從而使得所述光線的照射範圍在所述反射件50的左半側較廣，而在所述反射件50的右半側較窄，從而增加所述光線的照射亮度。
請參閱圖2D，在第四實施方式中，所述反射件50的所述反射表面501為對稱面。所述反射表面501的左半側為一凸面，所述反射表面501的右半側為與所述左半側的凸面呈鏡向設置的另一凸面。所述導光件40具有對稱結構的雙凹面，所述導光件40的雙凹面正對所述反射件50的雙凸面結構，不再贅述。所述反射件50的雙凸面面向所述發光晶片20，因此，所述發光晶片20所發出的光線經由所述反射表面501進行反射，且經由所述反射表面501的左半側的光線向所述封裝體10的外側反射，經由所述反射表面501的右半側的光線也向所述封裝體10的外側反射，從而所述光線的照射範圍在所述反射件50的左半側與右半側相同。由於本實施例的所述反射表面501的中間處內凹，從而使所述光線的整體照射範圍較窄。
請參閱圖3，展示了本發明的第二實施例中的發光二極體的封裝結構2的示意圖。如圖3所示，本實施例提供的發光二極體的封裝結構2與第一實施例的結構基本一致。不同的是，所述色轉換層30與所述導光件40相反設置，也即所述導光件40包覆所述發光晶片20，所述色轉換層30包覆所述導光件40。
所述發光晶片20選自水準式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片中一種，所述發光晶片20的使用方式皆可依使用者的需求進行替換。所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。
請參閱圖4，展示了本發明的第三實施例中的發光二極體的封裝結構3的示意圖。如圖4所示，本實施例提供的發光二極體的封裝結構3與第一實施例的結構基本一致。不同的是，所述導光件40未包覆所述色轉換層30。
在本實施例中，所述導光件40設置在所述色轉換層30的上方，並面向所述發光晶片20。所述發光晶片20選自水準式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片中一種，所述發光晶片20的使用方式皆可依使用者的需求進行替換。所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。
請參閱圖5，展示了本發明的第四實施例中的發光二極體的封裝結構4的示意圖。如圖5所示，本實施例提供的發光二極體的封裝結構4與第一實施例的結構基本一致。不同的是，所述導光件40設置在所述發光晶片20的上方，再經由所述色轉換層30包覆所述導光件40與所述發光晶片20。
所述發光晶片20選自水準式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片中一種，所述發光晶片20的使用方式皆可依使用者的需求進行替換。所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。
請參閱圖6A至圖6D圖，展示了本發明的第五實施例中的發光二極體的封裝結構5的示意圖及光線路徑示意圖。如圖6A所示，本實施例提供另一種發光二極體的封裝結構5，其包括一發光晶片20A及一固定所述發光晶片20A的封裝體10A。所述封裝體10A包括一色轉換層30A、一導光件40A及一反射件50A。所述色轉換層30A包覆所述發光晶片20A。所述導光件40A環設於所述色轉換層30A的周圍，所述反射件50A設置在所述導光件40A的內側表面。所述反射件50A環繞設置在所述發光晶片20A的周圍。
可以理解的，為了提高出光效率，所述反射件50A的橫截面的寬度自遠離所述發光晶片20A的方向逐漸增加。
所述反射件50A包括面向所述發光晶片20A的一反射表面501A。所述反射表面501A與所述導光件40A的底面形成一夾角α。
優選的，所述夾角α為呈鈍角，因此，經由所述發光晶片20A發出的光線，照射至所述反射表面501A後，會朝著所述封裝體10A的外界發生反射。
所述反射表面501A為平面或非平面。所述反射表面501A的顏色為淺色系。
優選的，所述反射表面501A的顏色為銀色系或白色系。
如圖6B所示，所述發光晶片20A所發出的一光線100A通過所述色轉換層30A，使所述光線100A能改變成所需的色光。一部分所述光線100A直接地向所述封裝體10A的外界照射，另一部分所述光線100A照射於所述反射件50A的反射表面501A並發生反射，且所述光線100A能夠間接地朝所述封裝體10A的外界發生照射，從而使得所述光線100A照射範圍較廣。
請一併參閱圖6C與圖6D，展示了本發明的第五實施例中的發光二極體的封裝結構5的反射件角度的第一實施方式與第二實施方式的俯視圖。在所述導光件40A與所述反射件50A的組合結構中，所述導光件40A環設於所述色轉換層30A的側邊。所述反射件50A設置在所述導光件40A的內側表面。
如圖6C所示，在第一實施方式中，所述反射件50A包括前板51A、後板52A、第一側板53A及第二側板54A。所述前板51A、所述後板52A、所述第一側板53A及所述第二側板54A可呈梯形結構。所述前板51A與後板52A，及所述第一側板53A與所述第二側板54A均可為對稱結構或非對稱結構。在本實施例中，所述前板51A與後板52A呈對稱分佈，且所述第一側板53A與所述第二側板54A也呈對稱分佈。所述前板51A或後板52A的大小不同於第一側板53A或第二側板54A。所述反射件50的底部和/或頂部呈一矩形結構。每一梯形結構具有一較寬的頂端部55A和一較窄的底端部56A，以促使所述發光晶片20A發出的光更多照射至所述反射件50A的反射表面501A上，從而照射至所述反射表面501A的光大部分朝所述封裝體10A的外部反射。所述後板52A、所述第一側板53A及所述第二側板54A的內側表面共同圍成所述反射件50A的反射表面501A。所述反射表面501A是封閉的且連續的結構面，以促進所述發光晶片20A所照射的光大部分朝所述封裝體10A的外部照射。
可以理解的，在其他實施例中，所述後板52A、所述第一側板53A及所述第二側板54A的結構也可設置為任意的形狀，只要所述發光晶片20A所發出的光能夠更多的朝所述封裝體10A的外部照射即可。
如圖6D所示，在第二實施方式中，所述反射件50A的結構與圖6C中反射件50A的結構大致一樣。不同的是，所述前板51A、所述後板52A、所述第一側板53A及所述第二側板54A的大小一致。所述反射件50A的所述反射件50的底部和/或頂部呈一正方形結構。在實施例中，每一梯形都是等腰梯形結構。每一梯形於靠近所述發光晶片20A處具有一底角β。所述底角β的角度設置可以隨使用者的需求進行調整，當所述發光晶片20A發出光線後，所述光線會形成不同的出光角度與光型。
可以理解的，本發明的所述發光晶片20A選自水準式發光二極體晶片、垂直式發光二極體晶片或覆晶式發光二極體晶片中一種。所述發光晶片20的使用方式皆可依使用者的需求進行替換，且上述使用方式皆可依使用者的需求進行替換，而其結構方式在此不再贅述。
請一併參閱圖7A至圖7C，本發明的第五實施例中的發光二極體的封裝結構5的反射件的第一實施方式到第三實施方式的示意圖。所述反射件50A包括一反射表面501A。所述反射表面501A環設于所述發光晶片20A的周圍，所述反射表面501A可為非平面。所述反射表面501A還可為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面。進一步的，所述反射表面501A可為對稱面或非對稱面。
可以理解的，在其他實施例中，所述反射表面501A的結構形狀可以依據使用者的需求進行改變，因此，所述反射表面501A的結構不局限於上述實施例所示結構為固定形式。此外，在其他實施例中，所述導光件40A與所述反射件50A的組合結構不局限於上述實施例所示結構為固定形式，所述反射件50A的左、右、前及後側的梯形面的底角角度能夠根據使用者的需求進行調整。
請參閱圖7A，在第一實施方式中，所述反射件50A的反射表面501A為凸面。所述發光晶片20A朝所述反射件50A照射的光線（圖中未示）經由所述反射件50A的反射表面501A進行反射。所述反射表面501A的凸面結構能夠使所述發光晶片20A發出的光線朝所述封裝體10A的外界方向照射，從而使所述發光晶片20A能夠發射較廣的光線照射範圍。
請參閱圖7B，在第二實施方式中，所述反射件50A的反射表面501A為凹面。所述發光晶片20A朝所述反射件50A照射的光線經由所述反射件50A的反射表面501A進行反射。所述反射表面501A的凹面結構能夠使使所述發光晶片20A發出的光線朝所述封裝體10A的內側方向集中照射，從而使得所述發光晶片20A能夠發射較亮的光線亮度，但所述發光晶片20A發射較窄的光線照射範圍。
請參閱圖7C，在第三實施方式中，所述反射件50A的反射表面501A為一平面。所述反射表面501A與所述發光晶片20A所在平面形成面向所述發光晶片20A的一夾角α。優選的，所述夾角α為鈍角。所述發光晶片20A向周圍照射的光線經由所述反射件50A的反射表面501A進行反射。可以理解的，當所述反射表面501A與所述發光晶片20A所在平面形成的夾角α的角度較小時，所述光線的照射方向朝所述封裝體10A的內側集中照射，因此，所述發光晶片20A能夠發射較亮的光線亮度，但所述發光晶片20A發射較窄的光線照射範圍。當所述反射表面501A與所述發光晶片20A所在平面形成的夾角α的角度較大時，所述光線的照射方向朝所述封裝體10A的外界照射，因此，所述發光晶片20A能夠發射較廣的光線照射範圍。
請一併參閱圖8A至圖8F，本發明的第五實施例中的發光二極體的封裝結構5的導光件的第一實施方式到第六實施方式的示意圖。所述色轉換層30A包覆所述發光晶片20A，所述反射件50A環設於所述色轉換層30A的側邊。所述導光件40A包覆所述色轉換層30A與所述反射件50A的周圍。所述導光件40A包括一出光面401A。所述出光面401A面向所述發光晶片20A。所述出光面401A為一連續結構面或一不連續結構面。所述連續結構面與所述不連續結構面均可為平面、圓弧面、圓弧柱面與V形槽面。
如圖8A所示，在第一實施方式，所述導光件40A的出光面401A為平面。如圖8B所示，在第二實施方式，所述導光件40A的出光面401A為圓弧面。如圖8C所示，在第三實施方式，所述導光件40A的出光面401A為不連續V形槽面。如圖8D所示，在第四實施方式，所述導光件40A的出光面401A為不連續圓弧面。如圖8E所示，在第五實施方式，所述導光件40A的出光面401A為不連續圓弧柱面。如圖8F所示，在第六實施方式，所述導光件40A的出光面401A為連續V形槽面。所述出光面401A設有圓弧面或圓弧柱面結構，能夠改變所述發光晶片20A發出光線的導光路徑及光型。
請一併參閱圖9A和圖9B，展示了本發明的第六實施例中的發光二極體的封裝結構6的第一實施方式到第二實施方式的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構6與第一實施例的結構基本一致。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一接觸所述導光件40的下表面52。不同的是，所述反射件50於所述反光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70貫穿所述反射件50的上表面51和下表面52。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述反射件50的下表面52。
可以理解的，所述溝槽70設置在所述發光晶片20的正上方，以使所述發光晶片20發出的光線透過所述溝槽70，從而解決當所述出光面全為反射表面時造成所述發光晶片20的上方過暗的問題。
為了保證所述發光晶片20發出的光能夠均勻地發散，所述溝槽70呈對稱分佈。所述溝槽70例如是，但不局限於，十字型溝槽、圓型溝槽。
所述溝槽的寬度約為0.05mm-0.3mm。
所述反射件50的上表面51為一平面，所述反射件50的下表面52為所述反射表面501。所述反射件50的上表面51正對所述反射件50的下表面52。
所述溝槽70包括兩相對的側壁701。所述側壁701與所述反射件50的上表面形成背向所述溝槽70的一夾角γ。所述夾角γ的角度範圍為大於或等於90度且小於180度。當所述反射件50的反射表面501為一平面時，所述側壁701垂直所述反射表面501。
所述溝槽70包括一上端部702和一下端部703。所述上端部702為遠離所述導光件40的一端，所述下端部703靠近所述導光件40。所述上端部702的寬度大於或等於所述下端部703的寬度。
可以理解的，為了提高所述發光晶片20的光照範圍，所述溝槽70的橫截面的寬度自遠離所述發光晶片20A的方向逐漸增加。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。
如圖9A所示，在本實例中，所述側壁701與所述反射件50的上表面形成的夾角γ為90度，也即所述側壁701垂直於所述反射件50的反射表面501。所述上端部702的寬度等於所述下端部703的寬度。所述溝槽70的橫截面積為一矩形結構。
如圖9B所示，在本實施例中，所述側壁701與所述反射件50的上表面形成的夾角γ大於90度，也即所述上端部702的寬度大於所述下端部703的寬度。在本實施例中。所述溝槽70的橫截面積為一倒梯形結構。
可以理解的，所述倒梯形結構可以為等腰梯形結構，也可以為非等腰梯形結構。
請一併參閱圖10A和圖10B，展示了本發明的第六實施例中的溝槽的第一實施方式到第二實施方式的俯視圖。
如圖10A所示，所述溝槽70為十字型溝槽。所述十字型溝槽將所述反射件50分割成尺寸相同且呈對稱分佈的四個反射區503，因此所述發光晶片20發出的光經由所述反射區503發射的光線能夠均勻地向四周照射。所述十字型溝槽的連接處面向所述發光晶片20的中心。因此，經由所述發光晶片20發出的光部分地經由所述溝槽70照射至所述封裝體10的外界，以進一步提高發光亮度。
如圖10B所示，在本實施例中，所述溝槽70為圓型溝槽。所述圓型溝槽設置在所述發光晶片20的正上方。所述圓型溝槽將所述反射件50分割成一反射區503。所述圓型溝槽的半徑範圍為0.1nm-0.3nm，以使得所述發光晶片20發出的光部分地經由所述溝槽70照射至所述封裝體10的外界，以進一步提高發光亮度。
請參閱圖11A和圖11B，展示了本發明的第七實施例中的發光二極體的封裝結構7的第一實施方式和第二實施方式的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構7與第一實施例的結構基本一致。所述發光晶片20包括一與所述色轉換層30接觸且與所述反射件50的反射表面501相對的上表面21。所述色轉換層30包括一與所述導光件40接觸且與所述發光晶片20的上表面21相對的上表面31。所述色轉換層30的上表面31背離所述發光晶片20且與所述反射件50的反射表面501相對。所述導光件40包括一與所述反射件50接觸的上表面41和一與所述色轉換層30的上表面31接觸的下表面42。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一與所述導光件40接觸的下表面52。不同的是，所述發光二極體的封裝結構7於所述反光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70分別貫穿所述導光件40的上表面41和下表面42及所述反射件50的上表面51和下表面52。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的下表面42。
所述反射件50的上表面為一平面，所述反射件50的下表面為所述反射表面501。所述反射件50的上表面51正對所述反射件50的下表面52。
所述溝槽70包括兩相對的側壁701。所述側壁701與所述反射件50的上表面形成一背向所述溝槽70的夾角γ。所述夾角γ的角度範圍為大於等於90度且小於180度。
所述溝槽70包括一上端部702和一下端部703。所述上端部702為遠離所述色轉換層30的一端，所述下端部703靠近所述色轉換層30。所述上端部702的寬度大於或等於所述下端部703的寬度。
如圖11A所示，在第一實施方式中，所述側壁701與所述反射件50的上表面形成的夾角γ為90度，也即所述側壁701垂直於所述反射件50的上表面。所述上端部702的寬度等於所述下端部703的寬度。所述溝槽70的橫截面積為一矩形結構。
如圖11B所示，在第二實方式中，所述側壁701與所述反射件50的上表面形成的夾角γ大於90度。
可以理解的，為了提高出光效率，所述溝槽70的橫截面的寬度自遠離所述發光晶片20A的方向逐漸增加，也即所述上端部702的寬度大於所述下端部703的寬度。在本實施例中，所述溝槽70的橫截面積為一倒梯形結構。
可以理解的，所述倒梯形結構可以為等腰梯形結構，也可以為非等腰梯形結構。
所述溝槽70適用於第六實施例中的第一實施方式和第二實施方式或其組合變化。所述溝槽70為十字型凹槽或圓型凹槽，所述溝槽70的特徵在此不再贅述。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。
請參閱圖12，展示了本發明的第八實施例中的發光二極體的封裝結構8的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構8與第七實施例的結構基本一致。所述發光晶片20包括一與所述色轉換層30接觸且與所述反射件50的反射表面501相對的上表面21。所述色轉換層30包括一與所述導光件40接觸且與所述發光晶片20的上表面21相對的上表面31。所述色轉換層30的上表面31背離所述發光晶片20且與所述反射件50的反射表面501相對。所述導光件40包括一接觸所述反射件50的上表面41和一接觸所述色轉換層30的上表面31的下表面42。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一接觸所述導光件40的下表面52。不同的是，所述發光二極體的封裝結構7於所述反光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70分別貫穿所述反射件50的上表面和下表面及所述導光件40的上表面。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的上表面41。
可以理解的，所述溝槽70能夠自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的上表面41與下表面42之間的一預設位置。
優選的，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的上表面41與下表面42的中間位置。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。所述溝槽70適用於第六實施例中的第一實施方式和第二實施方式或其組合變化。所述溝槽70為十字型凹槽或圓型凹槽，所述溝槽70的特徵在此不再贅述。
請參閱圖13，展示了本發明的第九實施例中的發光二極體的封裝結構9的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構9與第二實施例的結構基本一致。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一接觸所述導光件40的下表面52。不同的是，所述反射件50於所述反光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70貫穿所述反射件50的上表面51和下表面52。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述反射件50的下表面52。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。所述溝槽70適用於第六實施例中的第一實施方式和第二實施方式或其組合變化。所述溝槽70為十字型凹槽或圓型凹槽，所述溝槽70的特徵在此不再贅述。
請參閱圖14，展示了本發明的第十實施例中的發光二極體的封裝結構10的第一實施方式的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構10與第三實施例的結構基本一致。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一接觸所述導光件40的下表面52。不同的是，所述反射件50於所述反光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70貫穿所述反射件50的上表面51和下表面52。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述反射件50的下表面52。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。所述溝槽70適用於第六實施例中的第一實施方式和第二實施方式或其組合變化。所述溝槽70為十字型凹槽或圓型凹槽，所述溝槽70的特徵在此不再贅述。
請參閱圖15，展示了本發明的第十一實施例中的發光二極體的封裝結構11的第二實施方式的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構11與第三實施例的結構基本一致。所述發光晶片20包括一與所述色轉換層30接觸且與所述反射件50的反射表面501相對的上表面21。所述色轉換層30包括一與所述導光件40接觸且與所述發光晶片20的上表面21相對的上表面31。所述色轉換層30的上表面31背離所述發光晶片20且與所述反射件50的反射表面501相對。所述導光件40包括一接觸所述反射件50的上表面41和一接觸所述色轉換層30的下表面42。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一接觸所述導光件40的下表面52。不同的是，所述發光二極體的封裝結構11於所述反光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70分別貫穿所述導光件40的上表面41和下表面42及所述反射件50的上表面51和下表面52。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的下表面42。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。所述溝槽70適用於第六實施例中的第一實施方式和第二實施方式或其組合變化。所述溝槽70為十字型凹槽或圓型凹槽，所述溝槽70的特徵在此不再贅述。
請參閱圖16，展示了本發明的第十二實施例中的發光二極體的封裝結構12的第二實施方式的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構12與第三實施例的結構基本一致。所述發光晶片20包括一與所述色轉換層30接觸且與所述反射件50的反射表面501相對的上表面21。所述色轉換層30包括一與所述導光件40接觸且與所述發光晶片20的上表面21相對的上表面31。所述色轉換層30的上表面31背離所述發光晶片20且與所述反射件50的反射表面501相對。所述導光件40包括一接觸所述反射件50的上表面41和一接觸所述色轉換層30的下表面42。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一接觸所述導光件40的下表面52。不同的是，所述發光二極體的封裝結構12於所述反光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70分別貫穿所述導光件40的上表面41和下表面42及所述反射件50的上表面51。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的上表面43。
可以理解的，所述溝槽70能夠自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的上表面41與下表面42之間的一預設位置。
優選的，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述導光件40的上表面41與下表面42的中間位置。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。所述溝槽70適用於第六實施例中的第一實施方式和第二實施方式或其組合變化。所述溝槽70為十字型凹槽或圓型凹槽，所述溝槽70的特徵在此不再贅述。
請參閱圖17，展示了本發明的第十三實施例中的發光二極體的封裝結構13的示意圖。本實施例提供的發光二極體的封裝結構13與第四實施例的結構基本一致。所述反射件50包括一遠離所述導光件40的上表面51和一接觸所述導光件40的下表面52。不同的是，所述反射件50于所述發光晶片20的正上方設有一溝槽70，所述溝槽70貫穿所述反射件50的上表面51和下表面52。具體地，所述溝槽70自所述反射件50的上表面51貫穿至所述反射件50的下表面52。
可以理解的，在本實施例中，所述反射件50適用於第一實施例中的反射件50的第一實施方式至第四實施方式或其組合變化。所述反射件50的反射表面501為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面、曲面。所述反射件50的反射表面501為對稱面或非對稱面。所述溝槽70適用於第六實施例中的第一實施方式和第二實施方式或其組合變化。所述溝槽70為十字型凹槽或圓型凹槽，所述溝槽70的特徵在此不再贅述。
本發明提供一種發光二極體的封裝結構，通過所述導光件與所述反射件的組合結構而使所述發光晶片的光線照射範圍更廣。所述導光件包覆所述色轉換層與所述發光晶片的外側。所述發光晶片的光線通過所述色轉換層入射於所述導光件，所述光線受到所述導光件引導而照射於所述反射件，所述反射件將所述光線反射回所述導光件，此為第一次光線反射。所述導光件的材料性質將所述光線傳遞的更遠，且所述光線被反射的角度能夠更大。進一步的，所述發光二極體的封裝結構還可以設置在所述基板的反射表面上，經由所述反射件反射的光線會照射於所述基板的反射表面，此次為第二次光線反射，因此所述光線照射範圍相較于習知技術的發光二極體的直接出光或一次反射出光的照射範圍更廣。本發明還可通過改變反射件的結構改變光線照射範圍與光線路徑。
本發明還提供另一種發光二極體的封裝結構，其差異在於將所述導光件與所述反射件環設于所述發光晶片的周圍，如此所述發光晶片所發出的光線由所述反射件進行向所述封裝體的外側反射出光，或是可以通過改變反射件的結構改變光線照射範圍與光線路徑。
本發明還提供另一種發光二極體的封裝結構，其差異在於在所述反射件設溝槽或是在所述反射件和所述導光件設溝槽，以使所述發光晶片發出的光可以部分從所述溝槽照射至所述發光二極體的封裝體的外界，從而改善了當出光面全部為反射層時，所述發光晶片的正上方過暗的問題。
如上面所顯示和描述的實施例僅為舉例。因此，許多這樣的細節既未示出也未描述。儘管在前面的描述中已經闡述了本發明的許多特徵和優點，連同本發明的結構和功能的細節，但是本發明僅是說明性的，並且可以在細節上進行改變，包括形狀和元件排列，在本公開的原理範圍內，並且包括通過在權利要求中使用的術語的廣義含義建立的全部範圍。因此，可以理解，上述實施例可以在權利要求書的範圍內進行修改。
1,2,3 10,10A‧‧‧發光二極體的封裝結構 封裝體
20,20A‧‧‧發光晶片
21，31，41，51‧‧‧上表面
30，30A‧‧‧色轉換層
40，40A‧‧‧導光件
42，52‧‧‧下表面
401A‧‧‧出光面
50，50A‧‧‧反射件
503‧‧‧反射區
51A‧‧‧前板
52A‧‧‧後板
53A‧‧‧第一側板
54A‧‧‧第二側板
55A‧‧‧頂端部
56A‧‧‧底端部
α，γ‧‧‧夾角
β‧‧‧底角
100，100A‧‧‧光線
60‧‧‧基板
70‧‧‧溝槽
701‧‧‧側壁
702‧‧‧上端部
703‧‧‧下端部
本發明將可由以下之敘述配合附圖被更佳地理解，其中： 圖1A是本發明第一實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖，其中，所述發光二極體的封裝結構包括一反射件及一導光件。 圖1B是本發明第一實施例中的發光二極體的封裝結構的光線路徑示意圖。 圖2A是本發明第一實施例中的反射件的第一種實施方式的示意圖。 圖2B是本發明第一實施例中的反射件的第二種實施方式的示意圖。 圖2C是本發明第一實施例中的反射件的第三種實施方式的示意圖。 圖2D是本發明第一實施例中的反射件的第四種實施方式的示意圖。 圖3是本發明第二實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖4是本發明第三實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖5是本發明第四實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖6A是本發明第五實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖，其中，所述發光二極體的封裝結構包括一反射件及一導光件。 圖6B是本發明第五實施例中的發光二極體的封裝結構的光線路徑示意圖。 圖6C是本發明第五實施例中的反射件角度的第一種實施方式的俯視圖。 圖6D是本發明第五實施例中的反射件角度的第二種實施方式的俯視圖。 圖7A是本發明第五實施例中的反射件的第一實施方式的示意圖。 圖7B是本發明第五實施例中的反射件的第二實施方式的示意圖。 圖7C是本發明第五實施例中的反射件的第三實施方式的示意圖。 圖8A是本發明第五實施例中的導光件的第一實施方式的示意圖。 圖8B是本發明第五實施例中的導光件的第二實施方式的示意圖。 圖8C是本發明第五實施例中的導光件的第三實施方式的示意圖。 圖8D是本發明第五實施例中的導光件的第四實施方式的示意圖。 圖8E是本發明第五實施例中的導光件的第五實施方式的示意圖。 圖8F是本發明第五實施例中的導光件的第六實施方式的示意圖。 圖9A是本發明第六實施例中的發光二極體的封裝結構的第一實施方式的示意圖，其中，所述發光二極體的封裝結構包括一反射件，所述發光二極體的封裝結構設有貫穿所述反射件的一溝槽。 圖9B是本發明第六實施例中的發光二極體的封裝結構的第二實施方式的示意圖。 圖10A是本發明第六實施例中的發光二極體的封裝結構的一實施方式的俯視圖。 圖10B是本發明第六實施例中的發光二極體的封裝結構的另一實施方式的俯視圖。 圖11A是本發明第七實施例中的發光二極體的封裝結構的第一實施方式的示意圖，其中，所述發光二極體的封裝結構包括一反射件及一導光件，所述發光二極體的封裝結構設有貫穿所述反射件與所述導光件的一溝槽。 圖11B是本發明第七實施例中的發光二極體的封裝結構的第二實施方式的示意圖。 圖12是本發明第八實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖13是本發明第九實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖14是本發明第十實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖15是本發明第十一實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖16是本發明第十二實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。 圖17是本發明第十三實施例中的發光二極體的封裝結構的示意圖。
無
10‧‧‧封裝體
20‧‧‧發光晶片
30‧‧‧色轉換層
40‧‧‧導光件
50‧‧‧反射件

Claims (32)

  1. 一種發光二極體的封裝結構，其包括： 一發光晶片； 一色轉換層，所述色轉換層包覆所述發光晶片； 一導光件，設置在所述發光晶片的上方； 一反射件，設置在所述導光件的上方，所述反射件包括一面向所述發光晶片的第一反射表面，所述第一反射表面為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體的封裝結構，其中所述色轉換層設置在所述發光晶片和所述導光件之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述導光件包覆所述色轉換層或設置在所述色轉換層的上方。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述色轉換層設置在所述導光件與所述反射件之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述色轉換層包覆所述導光件與所述發光晶片。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述色轉換層包覆所述導光件，所述導光件包覆所述發光晶片。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述發光二極體的封裝結構還包括一基板，所述基板包括一正對所述反射件的第一反射表面的第二反射表面，所述發光晶片設置在所述基板的第二反射表面上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料，所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%，所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6，所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物，所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
  11. 一種發光二極體的封裝結構，其包括： 一發光晶片； 一色轉換層，包覆所述發光晶片； 一反射件，環設所述色轉換層的側邊；以及 一導光件，包覆所述色轉換層與所述反射件的周圍； 所述反射件與所述發光晶片相對的內側表面為一反射表面，所述反射表面為對稱或非對稱表面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述反射表面為平面、抛物面、多線段面或曲面。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述導光件包括與所述發光晶片相對的一出光面，所述出光面為一連續結構面或一不連續結構面，所述連續結構面和所述不連續結構面為圓弧面、圓弧柱面或V形槽面。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料，所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%，所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6，所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物，所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
  17. 一種發光二極體的封裝結構，其包括： 一發光晶片； 一色轉換層，所述色轉換層包覆所述發光晶片； 一導光件，設置在所述發光晶片的上方；及 一反射件，設置在所述導光件的上方， 所述反射件包括一面向所述發光晶片的第一反射表面，所述第一反射表面為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面，所述反射件於所述反光晶片的正上方設有一溝槽，所述溝槽自所述反射件的上表面貫穿至所述反射件下表面。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽呈對稱分佈。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽為十字型溝槽或圓型溝槽。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽的寬度範圍為0.05mm-0.3mm。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽包括遠離所述導光件的一上端部和靠近所述導光件的一下端部，所述上端部的寬度大於或等於所述下端部的寬度。
  22. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料，所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%，所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6，所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物，所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
  25. 一種發光二極體的封裝結構，其包括： 一發光晶片； 一色轉換層，所述色轉換層包覆所述發光晶片； 一導光件，設置在所述發光晶片的上方；及 一反射件，設置在所述導光件的上方， 所述反射件包括一面向所述發光晶片的第一反射表面，所述第一反射表面為平面、凹面、凸面、抛物面、多線段面或曲面，所述發光二極體的封裝結構於所述反光晶片的正上方設有一溝槽，所述溝槽自所述反射件的上表面貫穿至所述導光件的上表面與下表面之間的一預設位置。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽呈對稱分佈。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽為十字型溝槽或圓型溝槽。
  28. 如申請專利範圍第25項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽的寬度範圍為0.05mm-0.3mm。
  29. 如申請專利範圍第25項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述溝槽包括遠離所述色轉換層的一上端部和靠近所述色轉換層的一下端部，所述上端部的寬度大於或等於所述下端部的寬度。
  30. 如申請專利範圍第25項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述導光件包含矽氧樹脂和附加材料，所述附加材料為所述矽氧樹脂重量的5%~15%，所述附加材料選自有機擴散粒子、無機擴散粒子中的一種或其組合。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述矽氧樹脂的折射率為1.4-1.6，所述附加材料的折射率為1.5-1.8。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之發光二極體的封裝結構，其中，所述有機擴散粒子包括有機矽類化合物及丙烯酸類化合物，所述無機擴散粒子包括二氧化矽或碳酸鈣類化合物。
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