TW201800253A - 電磁波遮蔽膜的製造方法與電磁波遮蔽膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供了一種電磁波遮蔽膜的製造方法，其一實施例包含下列步驟：提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上；塗佈一第一膠材於該金屬箔之一第一面上；固化該第一膠材；以及熱壓貼合一第一保護膜於該固化的第一膠材上。

Description

電磁波遮蔽膜的製造方法與電磁波遮蔽膜

本發明是關於一種遮蔽膜的製造方法與遮蔽膜，尤其是關於一種電磁波遮蔽膜的製造方法與電磁波遮蔽膜。

習知的電磁波遮蔽膜之製造是利用真空濺鍍（sputtering）或真空蒸鍍（evaporation）的方式在一基材膜上鍍上金屬材料，然而，濺鍍與蒸鍍的方式通常會讓金屬材料在基材膜上成型的厚度較薄且不均勻，造成電磁波遮蔽性不佳，間接導致電路散熱不易。此外，真空濺鍍或真空蒸鍍需要使用昂貴的濺鍍機或蒸鍍機，且製程上須要抽真空，因此，相關電費與生產成本所費不貲。

習知電磁波遮蔽膜相關技術文獻如下： (1) 台灣專利：遮蔽電磁干擾結構及具有該結構之軟性印刷電路板（證書號M425512）； (2) 中國專利：一種極高遮罩效能的極薄遮罩膜及其製作方法（專利公開號CN102510712 B）； (3) 日本專利：SHIELDED FLEXIBLE WIRING-BOARD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF（公開號JP1996125380）； (4) 韓國專利：Electrical conductive adhesive film for EMI shielding（登錄號：1009955630000）； (5) 中國專利：電磁波遮罩性粘合薄膜、其製備方法以及被粘合物的電磁波遮罩方法（公開號：CN101120627 A）； (6) 台灣專利：遮蔽膜、遮蔽印刷電路板、遮蔽柔性印刷電路板、製造遮蔽膜的方法與製造遮蔽印刷電路板的方法（證書號：I400015；此專利相對應之美國專利的專利號：US7709750B2）。

另外，現今電子產品多數朝輕、薄方向發展，故此類產品所面臨的電磁波及熱的問題更嚴重，特別是熱的影響更甚於電磁波影響，習知技術之電磁波遮蔽膜的散熱性不佳，往往影響電路基板的效能。

承上所述，本業界期盼新的電磁波遮蔽膜及其製造方法，以解決習知電磁波遮蔽膜之電磁波遮蔽性與散熱性不佳之問題，並降低相關生產成本和設備投資。

本發明的目的之一在於提供一種電磁波遮蔽膜的製造方法與電磁波遮蔽膜，以改善先前技術。

本發明提供了一種電磁波遮蔽膜的製造方法，其一實施例包含下列步驟：提供一金屬箔，用以屏蔽電磁波與散熱，該金屬箔非形成於一非金屬載體上；塗佈一第一膠材於該金屬箔之一第一面上，該第一膠材為一導電暨導熱材或一絕緣材；固化該第一膠材，固化之手段可以是一熱固化手段或一光固化手段；以及熱壓貼合一第一保護膜於該固化的第一膠材上，藉此避免該第一膠材受損。上述實施例可進一步包含下列步驟：塗佈一第二膠材於該金屬箔之一第二面上，當該第一膠材為一導電暨導熱材或一絕緣材的其中之一時，該第二膠材為其中另一；固化該第二膠材，固化之手段可以是一熱固化手段或一光固化手段；以及熱壓貼合一第二保護膜於該第二膠材上，藉此避免該第二膠材受損。

上述電磁波遮蔽膜的製造方法之另一實施例包含下列步驟：提供一第一保護膜；塗佈一第一膠材於該第一保護膜之一表面上；固化該第一膠材；以及將一金屬箔之一第一面熱壓貼合於該第一膠材上。上述實施例可進一步包含下列步驟：塗佈一第二膠材於該金屬箔之一第二面上；固化該第二膠材；以及熱壓貼合一第二保護膜於該第二膠材上。。

前述電磁波遮蔽膜的製造方法之又一實施例包含下列步驟：提供一聚醯亞胺（polyimide; PI）膜；於該PI膜上形成一金屬膜；塗佈一導電膠材於該金屬膜上；固化該導電膠材；以及熱壓貼合一保護膜於該導電膠材上。上述實施例中，形成該金屬膜之步驟可透過一濺鍍製程或一蒸鍍製程來實現。上述實施例中，提供該PI膜與形成該金屬膜之替代步驟包含：提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上；以及塗佈一PI料於該金屬箔之一第一面上。另外，上述實施例所製造的電磁波遮蔽膜包含：一PI膜；一金屬膜形成於該PI膜上；一導電膠材形成於該金屬膜上；以及一保護膜透過熱壓貼合之方式形成於該導電膠材上。

前述電磁波遮蔽膜的製造方法之再一實施例包含下列步驟：提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上；塗佈一熱可塑性聚醯亞胺（thermoplastic polyimide; TPI）料於該金屬箔之一第一面上；塗佈一聚醯亞胺（polyimide; PI）料於該TPI料上，其中一雙流道塗佈頭可選擇性地被使用，以大約地同時進行TPI/PI雙膠料的雙層塗佈；以及加熱該TPI料以結合該PI料與該金屬箔的該第一面。上述實施例可進一步包含下列步驟：塗佈一導電膠材於該金屬箔之一第二面上；固化該導電膠材；以及熱壓貼合一第二保護膜於該導電膠材上。

與先前技術相比，本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法可以增進電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽性與散熱性，並降低相關生產成本和設備投資。

有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。

以下說明內容之用語是參照本技術領域之習慣用語，如本說明書對部分用語有加以說明或定義，該部分用語之解釋是以本說明書之說明或定義為準。另外，在實施為可能的前提下，本說明書所描述之物件或事件間的相對關係，涵義可包含直接或間接的關係，所謂「間接」是指物件間尚有中間物或物理空間之存在，或指事件間尚有中間事件或時間間隔之存在。再者，以下內容是關於電磁波遮蔽技術，對於本領域習見的技術或原理，若不涉及本發明之技術特徵，將不予贅述。此外，圖示中元件之形狀、尺寸、比例以及流程之步驟順序等僅為示意，是供本技術領域具有通常知識者瞭解本發明之用，而非對本發明之實施範圍加以限制。

以下說明內容之各實施例分別具有一或多個技術特徵，然此並不意味使用本發明者必需同時實施任一實施例中的所有技術特徵，或僅能分開實施不同實施例中的一部或全部技術特徵。換句話說，只要不影響實施可能性，本技術領域具有通常知識者可依據本發明之揭露內容，並視自身的需求或設計規範，選擇性地實施任一實施例中部分或全部的技術特徵，或者選擇性地實施複數個實施例中部分或全部的技術特徵之組合，藉此增加本發明實施時的彈性。

請參閱圖1，其是本發明之具散熱性的電磁波遮蔽膜100之一實施例的示意圖。圖面左方為具散熱性的電磁波遮蔽膜100的爆炸圖；圖面右方為具散熱性的電磁波遮蔽膜100堆疊在一起之疊構圖。具散熱性的電磁波遮蔽膜100包含一金屬膜101、一散熱性導電膠膜102、一絕緣膠膜103、第一基材膜104、以及第二基材膜105。上述第一基材膜104為一離型膜，第二基材膜105為一保護膜，其實施範例之細節說明於後。

金屬膜101之一實施例為一事先產製的片狀之超薄金屬箔，此片狀金屬箔非形成於某一載體（例如一非金屬載體，像是一絕緣膠膜或一基材膜）上，可單獨存在，用以屏蔽電磁波及散熱。金屬膜101之材料可為金、銀、銅、鋁…等其中之一或其混合，端視實施者之需求而定。金屬膜101具有一預設厚度，該預設厚度在0.05~10微米（μm）之間，然此並非本發明之限制。金屬膜101之一第一面用以與導電膠結合，從而形成散熱性導電膠膜102，該第一面之一實施例為粗糙面包含有複數個金屬芽Me，如圖2所示，於含銅線路之電路基板201通電並有電流I流通後，此流通電流I產生電磁波EMW（如圖2之虛線所示），電磁波EMW進入散熱性導電膠膜102後，會在散熱性導電膠膜102與金屬芽Me間的環境進行震盪，震盪時電磁波的能量將以熱傳導的方式做衰減，並經由箭頭H方向傳導，因此，上述方式可提高電磁波遮蔽膜100的散熱效果。值得注意的是，金屬芽Me所造成的粗糙度可增加散熱性導電膠膜102與電路基板201之間的結合強度。

金屬膜101之一第二面用以結合絕緣膠，從而形成絕緣膠膜103，該第二面之一實施例為光滑面。請注意，於本發明之其它實施例中，金屬膜101之第一面與第二面的每一面可為粗糙面與光滑面的其中之一，或該第一面與第二面之至少一面包含有部分粗糙面與部分光滑面。

先前技術利用真空濺鍍或真空蒸鍍所形成的金屬遮蔽層厚度較薄約0.3微米（μm）且厚度不均勻，從而造成金屬遮蔽層不平整或是有空隙，金屬遮蔽層厚度較薄代表可造成電磁波能量損耗的體積減少，且金屬遮蔽層厚度不均勻或是產生空隙，皆會造成金屬遮蔽層在不同位置有不同遮蔽效果，從而使電磁波遮蔽性不佳。相較於先前技術，本發明之具散熱性的電磁波遮蔽膜100之金屬膜101可以是事先產製的片狀之超薄金屬箔，其預設之厚度與粗糙度的控制皆高於先前技術，因此藉由適當地選擇預設厚度與預設粗糙度（例如南亞極低粗糙度銅箔（Very Low Profile, VLP）類型銅箔，其最小厚度約 12μm，其粗糙度（Rz）最小值約 2.0 μm），可讓電磁波遮蔽膜100擁有較習知金屬遮蔽層多的電磁波能量損耗體積，從而達到較佳的電磁波遮蔽效果。本領域具有通常知識者依上述說明可以理解到，電磁波遮蔽主要是使電磁波在導電膠膜與各金屬芽間透過吸收、折射、反射方式將其能量以”熱”的形式做損耗，從而電磁波所具有的能量可被轉換為熱能並被發散出去，達成電磁波遮蔽與散熱的雙重功效。

請注意，於本發明其它實施例中，金屬膜101之材質不限於上述金屬材料，亦可為其他現有或自行發展的金屬材料或是金屬複合材料。

金屬膜101之一實施例是由一種整卷的金屬箔加工而成，該加工方式本身為習知技術，其細節在此不予贅述；金屬膜101之另一實施例是利用習知各種鍍膜方式藉由卷對卷（roll-to-roll）之方式成型，該成型方式本身亦為習知技術，其細節同樣不予贅述；金屬膜101之再一實施例為形成於一聚醯亞胺（polyimide; PI）膜上的金屬膜，此部分說明於後。

散熱性導電膠膜102可利用一塗佈機（未圖示）或適當的已知技術塗佈於金屬膜101之第一面（於圖1中為下方面），散熱性導電膠膜102包含導電與導熱材料，此導電與導熱材料可為單一材料或是複合材料，提供電磁波遮蔽膜100一散熱能力。

於一實施例中，散熱性導電膠膜102包含有石墨烯，石墨烯是近年才被證實可單獨存在的材料，未見於先前技術之導電膠膜，是目前世上最薄而堅硬的奈米材料，石墨烯的導熱係數高達5,300 W/m·K，高於碳奈米管和金剛石之導熱係數，常溫下石墨烯的電子遷移率超過15,000 cm² /V·s，比奈米碳管或矽晶體（monocrystalline silicon）的電子遷移率高，而石墨烯的電阻率約為10^-6 Ω·cm，比銅或銀的電阻率低，為目前世上電阻率最小的材料；此外，根據理論推導，石墨烯會吸收πα≈2.3%的白光（α指精細結構場數）。另外，石墨烯亦可作為電磁干擾吸波材料。而相關研究表明，石墨烯所具的片貌相對於棒狀狀形或球狀對材料的吸波性更加有利。因此本案之散熱性導電膠膜102可利用石墨烯達成具散熱性的電磁波遮蔽膜100之高導電與高散熱及吸波之功效，解決現今電子產品因電磁波化所產生的高熱問題。

於另一實施例中，散熱性導電膠膜102之導電與導熱材料亦可包含有金屬（微）粉、碳粉、奈米碳球、奈米碳管與石墨烯的其中之一或任意組合，用以提供該電磁波遮蔽膜導電與導熱能力。另外，散熱性導電膠膜102使用的膠可採用熱塑性或熱固性樹脂像是環氧樹脂（Epoxy）、壓克力樹脂（Acrylic）…等等、或採用可經紫外光（UV）/電子束固化之樹脂。於一非限制性的實施例中，散熱性導電膠膜102之厚度可為介於1~20微米（μm）之間。

絕緣膠膜103可利用一塗佈機（未圖示）塗佈於金屬膜101之第二面（於圖1中為上方面），用以提供絕緣能力；絕緣膠膜103亦可以是供金屬膜101形成的PI膜。絕緣膠膜103之一實施例採用貼覆軟板專用之覆蓋材料，可包含有硬層聚醯亞胺（polyimide, PI），與軟層環氧樹脂等；絕緣膠膜103之另一實施例採用絕緣膠，如熱塑性或熱固性樹脂像是環氧樹脂、壓克力樹脂…等等，或如可經紫外光（UV）/電子束固化之樹脂。於一非限制性的實施例中，絕緣膠膜103之厚度可為1~50微米（μm）之間。

前述第一基材膜（離型膜）104用以包覆絕緣膠膜103非與金屬膜101結合之一面，然而當絕緣膠膜103採用適當材質像是聚醯亞胺（polyimide, PI）時，絕緣膠膜103本身即可在電磁波遮蔽膜被使用前提供足夠保護，此時第一基材膜104即非必要。前述第二基材膜（保護膜）105用以包覆散熱性導電膠膜105非與金屬膜101結合之一面。於一實施例中，此二基材膜的材料可採用相同材料，如工程塑膠、聚丙烯（PP）、（交鏈）聚乙烯（PE）、聚碳酸酯（PC）、聚酯（PET）、環氧樹脂、壓克力樹脂等高分子材料的其中之一或其任意組合。於另一實施例中，該二基材膜的材料亦可採用離型紙或含有離型劑之工程塑膠薄膜。需注意本發明得採用的基材膜材料不限於上述範例，可採用目前現有或自行發展之材料或複合材料。於一非限制性的實施例中，基材膜之厚度可為7.5~100微米（μm）之間。

經由實際測試，前述實施例之具散熱性的電磁波遮蔽膜100在電子產品或機器運轉時能有效屏蔽雜訊、電磁波之吸收、反射、多重反射之干擾，遮蔽效果高達99.9999%~99.9999999%，遮蔽下之雜訊分貝值於1.0GHz下為80 dB，具有平均值之上的遮蔽效果；遠優於習知技術之遮蔽效果（於1GHz下約為60 dB），其遮蔽效果僅達99%~99.9999%。

綜合上述，前述實施例之具散熱性的電磁波遮蔽膜100在製作時可以只使用塗佈機雙面地對金屬箔進行塗佈，製程簡單且可大量節省生產成本及設備投資成本；電磁波遮蔽膜100另可利用片狀金屬箔之預設厚度與粗糙度，以提供較佳的電磁波震盪環境，從而提高電磁波屏蔽與散熱之雙重效果；電磁波遮蔽膜100進一步藉由散熱性導電膠膜所提供之高導熱能力以更加提升整體電磁波遮蔽膜之散熱能力，並解決習知技術之問題。

除前述電磁波遮蔽膜外，本發明亦揭露數種電磁波遮蔽膜之製造方法如後所述，該些製造方法可製造前述電磁波遮蔽膜或其均等。如圖3所示，本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之一實施例包含下列步驟： 步驟S310：提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上。舉例而言，該金屬箔是事先產製的片狀金屬箔，可不依附於某一載體（例如一絕緣體）上而單獨地存在。 步驟S320：塗佈一第一膠材於該金屬箔之一第一面上。舉例而言，該金屬箔可藉由一輸送機具之輸送以經過一塗佈頭（例如一狹縫式（slot-die）塗佈機的塗佈頭，或其它已知或自行開發的塗佈機的塗佈頭），從而被該塗佈頭塗佈上該第一膠材。該第一膠材是一導電膠材或一絕緣膠材。 步驟S330：固化（solidify）該第一膠材。舉例而言，當該第一膠材為熱固性膠材時，該金屬箔及塗佈於其上的第一膠材被送至烘箱或其它加熱設備以進行固化；另舉例而言，當第該第一膠材為光固性膠材時，該金屬箔及塗佈於其上的第一膠材被送至光照設備以進行固化。 步驟S340：熱壓貼合一第一保護膜於該第一膠材上。舉例而言，該金屬箔及塗佈於其上的第一膠材被輸送至一熱壓貼合機具（例如一包含貼合及加熱滾筒的機具），以與該第一保護膜結合在一起。該第一保護膜例如是一PET（Polyester）膜，然亦可以是其它適當材質的保護膜，端視實施者的需求而定。

相較於圖3之本發明的製造方法，習知技術如前所述般是提供一絕緣層（例如一壓克力層與一軟性環氧樹脂層）、濺鍍或蒸鍍一金屬膜於該絕緣層上、形成一導電層於該金屬膜上、於該導電層之外表覆上一基材膜（保護膜）、以及於該絕緣層之外表覆上另一基材膜（保護膜）。由上述可知，因習知技術採用濺鍍或蒸鍍製程來形成金屬膜，故金屬膜必須形成於一載體（例如絕緣層或導電層）上，且不會在形成前單獨存在。

如圖4所示，圖3之電磁波遮蔽膜的製造方法可進一步包含下列步驟： 步驟S410：塗佈一第二膠材於該金屬箔之一第二面上。本步驟之塗佈處理可藉由一狹縫式塗佈機（或其它已知或自行開發的塗佈機）的塗佈頭來執行。另外，當前述第一膠材是一導電膠材與一絕緣膠材的其中之一時，該第二膠材是該導電膠材與該絕緣膠材的其中另一。 步驟S420：固化該第二膠材。舉例而言，視該第二膠材之材質，本步驟可採用加熱或照光等方式來固化該第二膠材。 步驟S430：熱壓貼合一第二保護膜於該第二膠材上。舉例而言，固化後的第二膠材以及與該第二膠材結合的各層被輸送至一熱壓貼合機具（例如一包含貼合及加熱滾筒的機具），以令第二膠材與該第二保護膜結合在一起。該第二保護膜例如是一PET膜，然亦可以是其它適當材質的保護膜，端視實施者的需求而定。

相較於圖3之製造方法所製造的是電磁波遮蔽膜的半成品，圖4之製造方法可製造電磁波遮蔽膜的成品。視市場的需求，實施本發明者可依本發明之揭露製造半成品或成品。

圖5為本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之另一實施例，其可大略地被視為圖3之方法的反向做法。圖5之實施例包含下列步驟： 步驟S510：提供一第一保護膜。該第一保護膜例如是前述步驟S340所述之第一保護膜。 步驟S520：塗佈一第一膠材於該第一保護膜之一表面上。該第一膠材例如是前述步驟S320所述之第一膠材。該塗佈手段可由前述步驟S320之說明推衍得知。 步驟S530：固化該第一膠材。該固化手段例如是前述步驟S330所採用的固化手段。 步驟S540：將一金屬箔之一第一面熱壓貼合於該第一膠材上。該金屬箔例如是前述步驟S310所述之金屬箔。該熱壓貼合手段可由前述步驟S340之說明推衍得知。

如圖6所示，圖5之電磁波遮蔽膜的製造方法可進一步包含下列步驟： 步驟S610：塗佈一第二膠材於該金屬箔之一第二面上。本步驟可由前述步驟S410之說明推衍得知。 步驟S620：固化該第二膠材。本步驟可由前述步驟S420之說明推衍得知。 步驟S630：熱壓貼合一第二保護膜於該第二膠材上。本步驟可由前述步驟S430之說明推衍得知。

類似地，相較於圖5之製造方法所製造的是電磁波遮蔽膜的半成品，圖6之製造方法可製造電磁波遮蔽膜的成品。

圖7a為本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之又一實施例，包含下列步驟： 步驟S710：提供一聚醯亞胺（polyimide; PI）膜。本領域具有通常知識者可以瞭解PI膜具有極佳的耐熱特性與保護特性，因此本步驟之PI膜適用於製造過程中的高溫製程以及應用於電路基板使用時所產生的高溫環境，且無需一保護膜來提供防損傷的保護，從而省去形成該保護膜所需的製程步驟與費用。 步驟S720：於該PI膜上形成一金屬膜。舉例而言，本步驟包含藉由一濺鍍製程或一蒸鍍製程來形成該金屬膜於該PI膜上；當然，其它可形成該金屬膜於該PI膜上的已知或自行開發的製程亦得為本步驟所採用。 步驟S730：塗佈一導電膠材於該金屬膜上。該導電膠材例如是前述步驟S320所述之第一膠材。該塗佈手段可由前述步驟S320之說明推衍得知。 步驟S740：固化該導電膠材。該固化手段例如是前述步驟S330所採用的固化手段。 步驟S750：熱壓貼合一保護膜於該導電膠材上。該保護膜例如是前述步驟S340所述之第一保護膜。該熱壓貼合手段可由前述步驟S340之說明推衍得知。

由於圖7a之製造方法採用PI膜，故該PI膜外露的這一面（亦即未與金屬膜結合的這一面）無需額外的保護膜，因此圖7a之製造方法可製造電磁波遮蔽膜的成品。詳言之，圖7a之製造方法所製造的電磁波遮蔽膜之一實施例如圖7b所示，包含一PI膜710、一金屬膜720形成於該PI膜710上、一導電膠材730形成於該金屬膜720上、以及一保護膜740形成於該導電膠材730上。

圖8為本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之再一實施例，包含下列步驟： 步驟S810：提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上。該金屬箔例如是前述步驟S310所述之金屬箔。 步驟S820：塗佈一熱可塑性聚醯亞胺（thermoplastic polyimide; TPI）料於該金屬箔之一第一面上。該塗佈手段可由前述步驟S320之說明推衍得知。 步驟S830：塗佈一聚醯亞胺（polyimide; PI）料於該TPI料上。該塗佈手段可由前述步驟S320之說明推衍得知；舉例而言，藉由一具有雙流道塗佈頭之塗佈機（例如一具有狹縫式含雙流道塗佈頭之塗佈機）以及該雙塗佈頭之位置的適當安排（例如相較之下，以垂直方向來說，TPI之塗佈流道設於較低的位置以早一步進行流出，PI之塗佈流道在較高的位置以晚一步進行流出），步驟S820與步驟S830是可大略地同步進行而完成塗佈。 步驟S840：加熱該TPI料以結合該PI料與該金屬箔的該第一面。由於PI料不易直接與該金屬箔結合，故本實施例以該TPI料為媒介來結合該PI料與該金屬箔。

如圖9所示，圖8之實施例可進一步包含下列步驟： 步驟S910：塗佈一導電膠材於該金屬箔之一第二面上。該塗佈手段可由前述步驟S410之說明推衍得知。 步驟S920：固化該導電膠材。該固化手段例如是前述步驟S420所採用的固化手段。 步驟S930：熱壓貼合一保護膜於該導電膠材上。該保護膜例如是前述步驟S430所述之第二保護膜。該熱壓貼合手段可由前述步驟S430之說明推衍得知。

類似地，相較於圖8之製造方法所製造的是電磁波遮蔽膜的半成品，圖9之製造方法可製造電磁波遮蔽膜的成品。

圖10為圖7b之電磁波遮蔽膜的製造方法之另一實施例，包含下列步驟： 步驟S1010：提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上。該金屬箔例如是前述步驟S310所述之金屬箔。 步驟S1020：塗佈一聚醯亞胺（polyimide; PI）料於該金屬箔之一第一面上。該塗佈手段可由前述步驟S320之說明推衍得知。

如圖11所示，圖10之實施例可進一步包含下列步驟： 步驟S1110：塗佈一導電膠材於該金屬箔之一第二面上。該塗佈手段可由前述步驟S410之說明推衍得知。 步驟S1120：固化該導電膠材。該固化手段例如是前述步驟S420所採用的固化手段。 步驟S1130：熱壓貼合一保護膜於該導電膠材上。該保護膜例如是前述步驟S430所述之第二保護膜。該熱壓貼合手段可由前述步驟S430之說明推衍得知。

類似地，相較於圖10之製造方法所製造的是電磁波遮蔽膜的半成品，圖11之製造方法可製造電磁波遮蔽膜的成品。

由於本領域具有通常知識者能夠藉由前述各實施例的揭露來推知某一實施例的細節與變化，亦即前述各實施例的技術特徵均可合理地應用於其它實施例中，因此，在不影響揭露要求與可實施性的前提下，重複及冗餘之說明在此予以節略。

綜上所述，本發明之電磁波遮蔽膜及其製造方法能夠增進電磁波遮蔽膜的電磁波遮蔽性與散熱性，並降低相關生產成本和設備投資。

雖然本發明之實施例如上所述，然而該些實施例並非用來限定本發明，本技術領域具有通常知識者可依據本發明之明示或隱含之內容對本發明之技術特徵施以變化，凡此種種變化均可能屬於本發明所尋求之專利保護範疇，換言之，本發明之專利保護範圍須視本說明書之請求項所界定者為準。

100‧‧‧具散熱性的電磁波遮蔽膜
101‧‧‧金屬箔
102‧‧‧散熱性導電膠膜
103‧‧‧絕緣膠膜
104‧‧‧離型膜
105‧‧‧保護膜
201‧‧‧電路基板
EMW‧‧‧電磁波
I‧‧‧電流
Me‧‧‧金屬芽
H‧‧‧部分電磁波之傳遞方向
710‧‧‧PI膜
720‧‧‧金屬膜
730‧‧‧導電膠材
740‧‧‧保護膜
S310~S340‧‧‧步驟
S410~S430‧‧‧步驟
S510~S540‧‧‧步驟
S610~S630‧‧‧步驟
S710~S750‧‧‧步驟
S810~S840‧‧‧步驟
S910~S930‧‧‧步驟
S1010~S1020‧‧‧步驟
S1110~S1130‧‧‧步驟

〔圖1〕顯示本發明之具散熱性的電磁波遮蔽膜之一實施例的示意圖； 〔圖2〕顯示本發明之具散熱性的電磁波遮蔽膜之運作示意圖； 〔圖3〕為本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之一實施例的流程圖； 〔圖4〕為承襲圖3之一實施例的流程圖； 〔圖5〕為本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之另一實施例的流程圖； 〔圖6〕為承襲圖5之一實施例的流程圖； 〔圖7a〕為本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之又一實施例的流程圖； 〔圖7b〕為依據圖7a之方法所製造的電磁波遮蔽膜之一實施例的示意圖； 〔圖8〕為本發明之電磁波遮蔽膜的製造方法之再一實施例的流程圖； 〔圖9〕承襲圖8之一實施例的流程圖； 〔圖10〕為圖7b之電磁波遮蔽膜的製造方法之另一實施例的流程圖；以及 〔圖11〕承襲圖10之一實施例的流程圖。

S310~S340‧‧‧步驟

Claims (19)

1. 一種電磁波遮蔽膜的製造方法，包含下列步驟： 提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上； 塗佈一第一膠材於該金屬箔之一第一面上； 固化（solidify）該第一膠材；以及 熱壓貼合一第一保護膜於該第一膠材上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，進一步包含下列步驟： 塗佈一第二膠材於該金屬箔之一第二面上； 固化該第二膠材；以及 熱壓貼合一第二保護膜於該第二膠材上。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之製造方法，其中該第一膠材是一導電膠材或一絕緣膠材。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之製造方法，其中塗佈該第一膠材之步驟包含：利用包含有一狹縫式（slot-die）塗佈頭之一塗佈機塗佈該第一膠材。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之製造方法，其中固化該第一膠材之步驟包含：加熱該第一膠材或以特定波長範圍之光照射該第一膠材。
6. 如申請專利範圍第2項所述之製造方法，其中該第一膠材是一導電膠材與一絕緣膠材的其中之一時，該第二膠材是該導電膠材與該絕緣膠材的其中另一。
7. 一種電磁波遮蔽膜的製造方法，包含下列步驟： 提供一第一保護膜； 塗佈一第一膠材於該第一保護膜之一表面上； 固化該第一膠材；以及 將一金屬箔之一第一面熱壓貼合於該第一膠材上。
8. 如申請專利範圍第7項所述之製造方法，進一步包含下列步驟： 塗佈一第二膠材於該金屬箔之一第二面上； 固化該第二膠材；以及 熱壓貼合一第二保護膜於該第二膠材上。
9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之製造方法，其中該第一膠材是一導電膠材或一絕緣膠材。
10. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之製造方法，其中塗佈該第一膠材之步驟包含：利用包含有一狹縫式塗佈頭之一塗佈機塗佈該第一膠材。
11. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之製造方法，其中固化該第一膠材之步驟包含：加熱該第一膠材或以特定波長範圍之光照射該第一膠材。
12. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中該第一膠材是一導電膠材與一絕緣膠材的其中之一時，該第二膠材是該導電膠材與該絕緣膠材的其中另一。
13. 一種電磁波遮蔽膜的製造方法，包含下列步驟： 提供一聚醯亞胺（polyimide; PI）膜； 於該PI膜上形成一金屬膜； 塗佈一導電膠材於該金屬膜上； 固化該導電膠材；以及 熱壓貼合一保護膜於該導電膠材上。
14. 如申請專利範圍第13項所述之製造方法，其中形成該金屬膜之步驟包含： 藉由一濺鍍（sputtering）製程或一蒸鍍（evaporation）製程來形成該金屬膜於該PI膜上。
15. 一種電磁波遮蔽膜的製造方法，包含下列步驟： 提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上； 塗佈一熱可塑性聚醯亞胺（thermoplastic polyimide; TPI）料於該金屬箔之一第一面上； 塗佈一聚醯亞胺（polyimide; PI）料於該TPI料上；以及 加熱該TPI料以結合該PI料與該金屬箔的該第一面。
16. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中塗佈該TPI料與PI料之步驟是藉由含有一雙流道之塗佈頭之一塗佈機來執行。
17. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，進一步包含下列步驟： 塗佈一導電膠材於該金屬箔之一第二面上； 固化該導電膠材；以及 熱壓貼合一第二保護膜於該導電膠材上。
18. 一種電磁波遮蔽膜的製造方法，包含下列步驟： 提供一金屬箔，該金屬箔非形成於一非金屬載體上； 塗佈一聚醯亞胺（polyimide; PI）料於該金屬箔之一第一面上； 塗佈一導電膠材於該金屬箔之一第二面上； 固化該導電膠材；以及 熱壓貼合一保護膜於該導電膠材上。
19. 一種由申請專利範圍第13項或第18項所述之製造方法所製造之電磁波遮蔽膜，包含：一聚醯亞胺（polyimide; PI）膜；一金屬膜形成於該PI膜上；一導電膠材形成於該金屬膜上；以及一保護膜形成於該導電膠材上。