TW201732413A - 圖案化元件及基板 - Google Patents

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Abstract

一種判定一微影裝置之聚焦之方法具有以下步驟。使用微影程序以在基板上產生第一結構及第二結構，該第一結構具有若干特徵，該等特徵之一輪廓具有取決於該聚焦及一曝光擾動(諸如，劑量或像差)之一不對稱性。該第二結構具有若干特徵，該第二結構之該等特徵之一輪廓相比於該第一結構對聚焦有不同敏感度且相比於該第一結構對曝光擾動有不同敏感度。使用散射計信號以判定用以產生該第一結構之一聚焦值。此情形可以如下方式進行：使用第二散射計信號及/或用於該微影程序中之經記錄曝光擾動設定以選擇一校準曲線以用於使用第一散射計信號來判定該聚焦值，或藉由使用具有與該第一散射計信號及該第二散射計信號有關之參數之一模型。

Description

圖案化元件及基板
本發明係關於用於判定可(例如)在藉由微影技術來製造元件時用於光瞳平面偵測或暗場散射量測之微影裝置之聚焦的方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。 在微影程序中，需要頻繁地(例如)出於程序控制及驗證而進行所創製結構之量測。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(元件中之兩個層之對準準確度)及微影裝置之散焦之特殊化工具。近來，已開發各種形式之散射計以供微影領域中使用。此等元件將輻射光束引導至目標結構(例如，光柵)上且量測散射輻射之一或多個屬性——例如，作為波長之函數的在單一反射角下之強度；作為反射角之函數的在一或多個波長下之強度；或作為反射角之函數的偏振——以獲得可供判定目標之所關注屬性的「光譜(spectrum)」。可藉由各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法、庫搜尋及主成份分析之反覆途徑來進行目標結構之重新建構。 由習知散射計使用之目標為相對大(例如，40微米乘40微米)光柵，且量測光束產生小於該光柵之光點(亦即，該光柵填充不足)。此情形簡化目標之數學重新建構，此係因為目標可被視為無限。然而，為了將目標之大小縮減至(例如)10微米乘10微米或更小(例如，因此，目標可定位於產品特徵之中，而非定位於切割道中)，已提議使光柵小於量測光點(亦即，光柵填充過度)的度量衡。通常，使用暗場散射量測來量測此等目標，在該暗場散射量測中，阻擋零繞射階(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。 使用繞射階之暗場偵測的以繞射為基礎之疊對實現對較小目標結構之疊對量測。此等目標可小於照明光點，且可由晶圓上之產品結構環繞。可在一個影像中量測多個目標。 在已知度量衡技術中，藉由在某些條件下量測目標結構(諸如，光柵)達兩次，同時旋轉目標或改變照明模式或成像模式以分離地獲得-1散射計信號及+1散射計信號(在此實例中為繞射階強度)，而獲得疊對量測結果。針對給定光柵比較此等強度會提供該光柵中之不對稱性之量測。 一對堆疊式光柵結構中之不對稱性可用作疊對誤差之指示符。相似地，聚焦敏感光柵中之不對稱性可用作散焦之指示符。由微影裝置產生之聚焦敏感目標結構可具有至少一特徵，該至少一特徵之輪廓具有取決於基板上微影裝置之聚焦之不對稱性。可使用對目標中之不對稱性之與用於獲得疊對量測結果之量測相同的量測來獲得聚焦量測結果。如此獲得之不對稱性係與散焦有關。可藉由實驗來判定測定不對稱性與散焦之間的關係。 然而，散射計光瞳中導致散射計光瞳之不對稱性改變的任何效應將歸因於掃描器散焦。
需要改良聚焦量測之準確度。此外，儘管本發明不限於此情形，但在此情形可應用於可用以暗場影像為基礎之技術予以讀出之小目標結構時將具有極大優點。 根據一第一態樣，提供一種判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的方法，該方法包含如下步驟：收納包含使用該微影程序而產生之一第一結構之一基板；在用輻射來照明該第一結構時偵測散射輻射以獲得一第一散射計信號；基於該第一結構具有至少一特徵且基於對用以產生該第一結構之曝光擾動之認識而使用該第一散射計信號以判定用以產生該第一結構之一聚焦值，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性。 根據一第二態樣，提供一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的檢驗裝置，該檢驗裝置包含：一照明系統，其經組態以用輻射來照明在該基板上使用該微影程序而產生之一第一結構；一偵測系統，其經組態以偵測起因於該第一結構之照明之散射輻射以獲得一第一散射計信號；及一處理器，其經組態以基於該第一結構具有至少一特徵且基於對用以產生該第一結構之曝光擾動之認識而使用該第一散射計信號以判定用以產生該第一結構之一聚焦值，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性。 根據一第三態樣，提供一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的圖案化元件，該圖案化元件包含一目標圖案，該目標圖案包含：一第一子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第一結構，該第一結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性；及一第二子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第二結構，該第二結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及該曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板處該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構對該微影裝置之一曝光擾動有不同敏感度。 根據一第四態樣，提供一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的基板，該基板包含一目標，該目標包含：一第一子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第一結構，該第一結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性；及一第二子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第二結構，該第二結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板上該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度。 根據一第五態樣，提供一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案施加至一系列基板，該方法包括：在使用根據該第一態樣之一方法的情況下使用該等基板中至少一者來判定該微影裝置之聚焦；及根據判定聚焦之該方法之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。 下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。 所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。 本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算元件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體元件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算元件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他元件引起。 然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化元件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。 照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化元件支撐件以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化元件支撐件可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化元件」同義。 本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化元件支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在已橫穿圖案化元件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。在元件特徵之中，小對準標記亦可包括於晶粒內，在該狀況下，需要使該等標記儘可能地小且相比於鄰近特徵無需任何不同成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。 所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中： 1.    在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。 2.    在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 3.    在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb及兩個站(曝光站及量測站)，在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。此情形實現裝置之產出率之實質增加。若位置感測器IF不能夠在基板台處於量測站以及處於曝光站時量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。 如圖2所示，微影裝置LA形成微影製造單元LC(有時亦被稱作叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等元件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 美國專利公開案第US20110249247A號揭示使用來自聚焦敏感不對稱目標設計之測定散射計信號以量測微影裝置之散焦。彼申請案之內容之全文係以引用方式併入本文中。在此方法中，使用如在散射計光瞳中可以-1繞射階強度與+1繞射階強度之間的差之形式得到的不對稱資訊以自測定散射計信號推斷掃描器散焦。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中得知暗場度量衡之實例，該等文件之全文係據此以引用方式併入本文中。已在專利公開案US20110027704A、US20110043791A及US20120123581A中描述技術之進一步開發。所有此等申請案之內容之全文亦係以引用方式併入本文中。 圖3(a)中展示適合供本發明之實施例中使用之暗場度量衡裝置。圖3(b)中更詳細地說明目標光柵T及繞射射線。暗場度量衡裝置可為獨立式元件，或併入於微影裝置LA中(例如，在量測站處)抑或併入於微影製造單元LC中。貫穿該裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由源11(例如，氙氣燈)發射之光係由包含透鏡12、14及接物鏡16之光學系統經由光束分裂器15而引導至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該不同透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上，且同時地允許接取用於空間頻率濾光之中間光瞳平面。因此，可藉由在呈現基板平面之空間光譜的平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中界定空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角程。詳言之，可藉由在為接物鏡光瞳平面之背部投影式影像的平面中將合適形式之孔徑板13插入於透鏡12與透鏡14之間來進行此選擇。在所說明實例中，孔徑板13具有被標註為13N及13S之不同形式，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見而被指明為「北」之方向的離軸。在第二照明模式中，孔徑板13S用以提供相似照明，但提供自被標註為「南」之相對方向的照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為在所要照明模式外之任何不必要光將干涉所要量測信號。 如圖3(b)所示，目標光柵T經置放為基板W垂直於接物鏡16之光軸O。與軸線O成一角度而照射於光柵T上之照明射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。應記住，在具有填充過度之小目標光柵的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標光柵T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如圖所示之單一理想射線。應注意，光柵間距及照明角可經設計或調整成使得進入接物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖3(a)及圖3(b)所說明之射線經展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被更容易地區分。 由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由接物鏡16收集，且被返回引導通過光束分裂器15。返回至圖3(a)，藉由指明被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I係來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來施加第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入接物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來施加第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。 第二光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器19(例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19俘獲之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度量測。根據本發明之實施例，用於填充不足目標之光瞳平面影像可用作針對聚焦度量衡之輸入。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23(例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，孔徑光闌21提供於與光瞳平面共軛之平面中。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上的目標之影像係僅由-1或+1一階光束形成。將由感測器19及23俘獲之影像輸出至影像處理器及控制器PU，影像處理器及控制器PU之功能將取決於所執行量測之特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，若存在-1階及+1階中僅一者，則將不形成光柵線之影像。 圖3所示之孔徑板13及場光闌21之特定形式純粹地為實例。在本發明之另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，二階光束、三階光束及高階光束(圖3中未繪示)亦可用於量測中。 為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞一盤碟而形成之數個孔徑圖案，該盤碟旋轉以使所要圖案達到適當位置。或者或另外，可提供及調換一組板13，以達成相同效應。亦可使用諸如可變形鏡面陣列或透射空間視線調變器之可程式化照明元件。可使用移動鏡面或稜鏡作為用以調整照明模式之另一方式。 如剛才關於孔徑板13所解釋，或者，藉由變更光瞳光闌21，或藉由取代具有不同圖案之光瞳光闌，或藉由用可程式化空間光調變器來替換固定場光闌，可達成用於成像之繞射階之選擇。在彼狀況下，量測光學系統之照明側可保持恆定，而該成像側具有第一模式及第二模式。因此，在本發明中，實際上存在三種類型之量測方法，每一方法具有其自有優點及缺點。在一方法中，改變照明模式以量測不同階。在另一方法中，改變成像模式。在第三方法中，照明模式及成像模式保持不變，但使目標旋轉達180度。在每一狀況下，所要效應相同，即，用以選擇在目標之繞射光譜中彼此對稱地相對的非零階繞射輻射之第一部分及第二部分。原則上，可藉由同時地改變照明模式與改變成像模式之組合而獲得諸階之所要選擇，但此情形很可能由於無優點而帶來缺點，因此，將不對其進行進一步論述。 雖然在本實例中用於成像之光學系統具有受到場光闌21限定之寬入口光瞳，但在其他實施例或應用中，成像系統自身之入口光瞳大小可足夠小以限定至所要階，且因此亦用作場光闌。圖3(c)及圖3(d)中展示不同孔徑板，該等孔徑板可如下文進一步所描述予以使用。 通常，目標光柵將與其向南北或東西延行之光柵線對準。亦即，光柵將在基板W之X方向或Y方向上對準。應注意，孔徑板13N或13S可僅用以量測在一個方向(取決於設置而為X或Y)上定向之光柵。為了量測正交光柵，可能實施達90°及270°之目標旋轉。然而，更方便地，在使用圖3(c)所示之孔徑板13E或13W的情況下，將來自東或西之照明提供於照明光學件中。可分離地形成及互換孔徑板13N至13W，或孔徑板13N至13W可為可旋轉達90度、180度或270度之單一孔徑板。如已經提及，圖3(c)所說明之離軸孔徑可提供於場光闌21中，而非提供於照明孔徑板13中。在彼狀況下，照明將為同軸。 圖3(d)展示可用以組合第一對及第二對之照明模式的第三對孔徑板。孔徑板13NW具有處於北及西之孔徑，而孔徑板13SE具有處於南及東之孔徑。倘若此等不同繞射信號之間的串擾不太大，則可執行X光柵及Y光柵兩者之量測，而不改變照明模式。 圖4描繪根據已知實務形成於基板上之複合目標。該複合目標包含四個光柵32至35，該等光柵被緊密地定位在一起，使得其將皆在由度量衡裝置之照明光束形成之量測光點31內。四個目標因此皆被同時地照明且同時地成像於感測器19及23上。在專用於散焦量測之實例中，光柵32至35自身為藉由在形成於基板W上之半導體元件之層中被圖案化之不對稱光柵形成的聚焦敏感光柵。光柵32至35可在其定向方面不同(如圖所示)，以便使入射輻射在X方向及Y方向上繞射。在一實例中，光柵32及34為X方向光柵。光柵33及35為Y方向光柵。可在由感測器23俘獲之影像中識別此等光柵之分離影像。 圖5展示在使用來自圖3(d)之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之實例。雖然光瞳平面影像感測器19不能解析不同個別光柵32至35，但影像感測器23可解析不同個別光柵32至35。暗矩形表示感測器上之影像之場，在該場內，基板上之經照明光點31被成像至對應圓形區域41中。在此圓形區域內，矩形區域42至45表示小目標光柵32至35之影像。若該等光柵位於產品區域中，則在此影像場之周邊亦可看見產品特徵。影像處理器及控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像以識別光柵32至35之分離影像42至45。以此方式，該等影像不必在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此情形總體上極大地改良量測裝置之產出率。然而，若成像程序經受橫越影像場之非均一性，則仍需要準確對準。在本發明之一實施例中，識別四個位置P1至P4，且使光柵與此等已知位置儘可能地對準。 一旦已識別光柵之分離影像，就可(例如)藉由對經識別區域內之選定像素強度值進行平均化或求和來量測彼等個別影像之強度。可將影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測微影程序之不同參數，諸如，聚焦。 圖6說明在使用(例如)全文以引用方式併入本文中之申請案US20110027704A中描述之方法的情況下如何經由一或多個聚焦敏感光柵之不對稱性(如藉由比較該等光柵在+1階暗場影像及-1階暗場影像中之強度所揭露)而量測散焦。在步驟S1處，經由圖2之微影製造單元而處理基板(例如，半導體晶圓)達一次或多次，以創製包括光柵之結構。在S2處，在使用圖3之度量衡裝置的情況下，使用一階繞射光束中僅一者(比如，-1)來獲得光柵之影像。接著，無論藉由改變照明模式或改變成像模式抑或藉由在度量衡裝置之視場中使基板W旋轉達180°，皆可獲得使用另一個一階繞射光束(+1)的光柵之第二影像(步驟S3)。 應注意，藉由在每一影像中包括一階繞射輻射之僅一半，此處所提及之「影像」不為習知暗場顯微術影像。將不解析個別光柵線。每一光柵將僅僅由具有某一強度位準之區域表示。在步驟S4中，在每一組件光柵之影像內小心地識別所關注區(ROI)，將自該ROI量測強度位準。之所以進行此識別係因為：特別是在個別光柵影像之邊緣周圍，強度值通常可高度地取決於諸如抗蝕劑厚度、組合物、線形狀以及邊緣效應之程序變數。 在已識別針對每一個別光柵之ROI且已量測其強度的情況下，接著可判定光柵結構之不對稱性且因此判定散焦。此判定係由影像處理器及控制器PU在步驟S5中比較針對每一光柵32至35之+1階及-1階所獲得之強度值以識別其強度之任何差且(S6)判定目標T附近之散焦而進行。 雖然上文所描述之目標結構為出於量測之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可在為形成於基板上之元件之功能部件的目標上量測屬性。許多元件具有規則的類光柵結構。如本文所使用之術語「目標光柵」及「目標結構」不要求已針對所執行量測而特定地提供該結構。 與如在基板及圖案化元件上實現的目標之實體光柵結構相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式，該等機器可讀指令描述在基板上產生目標、在基板上量測目標及/或分析量測以獲得關於微影程序之資訊的方法。此電腦程式可執行於(例如)圖3之裝置中之單元PU及/或圖2之控制單元LACU內。亦可提供經儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體，磁碟或光碟)。在屬於(例如)圖3所示之類型的現有度量衡裝置已經在生產中及/或在使用中的情況下，可藉由供應經更新電腦程式產品來實施本發明，該等經更新電腦程式產品用於使處理器執行本文所描述之方法且因此在對曝光劑量之敏感度縮減的情況下演算散焦。該程式可視情況經配置以控制光學系統、基板支撐件及其類似者以執行該等步驟以量測複數個合適目標結構。 圖7說明聚焦敏感不對稱光柵圖案。在圖7中，展示光柵之僅三個週期之有限區段。在完整光柵中，圖案702在垂直方向及水平方向上重複。圖案702可為(例如)光罩上之鉻圖案。當圖7之圖案702用於微影裝置中以在晶圓上產生聚焦敏感光柵結構時，較小水平投影可或可未被解析，但給出一輪廓，其中每一經印刷線之右側與左側之間的差(亦即，不對稱性)取決於聚焦。側壁角差為此不對稱性之一實例。相比於針對不具有投影之左側，對右側之聚焦之此側壁角相依性大得多。因此，圖案702在每一線之左側與右側之間導致不對稱性差，諸如，經印刷側壁角差ΔSWA，其取決於光柵圖案之曝光期間微影裝置之聚焦。劑量擾動 圖8為說明使用圖7之光柵圖案之曝光的微影裝置之側壁角差ΔSWA(以度為單位)對聚焦設定F(以奈米為單位)之相依性的曲線圖。被標註為100%之黑色曲線表示100%曝光劑量。展示SWA聚焦敏感度FS之粗略度量，且其隨著聚焦變化而指示ΔSWA之範圍。針對95%劑量及105%劑量中每一者展示另外兩條曲線。該等不同劑量係自100%劑量曲線分別向下及向上移位。展示此劑量敏感度DS，且其隨著劑量變化而指示ΔSWA之範圍。儘管聚焦敏感度及劑量敏感度具有不同單位且因此必須予以慎重地比較，但對於圖7之光柵圖案，遍及選定聚焦範圍(-75奈米至+75奈米)之聚焦敏感度FS看起來比遍及選定劑量範圍(95%至105%)之劑量敏感度DS大得多。然而，劑量敏感度仍足以造成關於使用不對稱性之聚焦量測之準確度的問題。圖9中說明此問題。 圖9為使用相似於圖7之光柵圖案的光柵圖案之曝光的微影裝置之不對稱性AS(用散射計予以量測)相對於散焦DF(以奈米為單位)的曲線圖。展示五個劑量，其係分別用20 mJ/cm2 至24 mJ/cm2 予以標註。因此，圖9展示依據聚焦及劑量之測定不對稱性曲線。使用來自不對稱聚焦目標之不對稱資訊會遭受劑量串擾效應，其係用黑色箭頭予以指示。在此實例中，若劑量以1 mJ/cm2 (~5%)自21 mJ/cm2 改變至22 mJ/cm2 (如由箭頭所示)，則串擾(聚焦誤差)為~20奈米(如由虛線所示)。本文所描述之實例使用對用以產生聚焦敏感結構之曝光劑量之認識以自使用不對稱聚焦敏感光柵(諸如，圖7所示之不對稱聚焦敏感光柵)而量測之實際微影裝置散焦值解耦劑量串擾項之影響。在本文所描述之實例中，該認識可來自劑量敏感結構之散射量測，如參看圖10至圖19所描述。在其他實例中，該認識可來自微影裝置之經記錄曝光劑量設定，如參看圖20及圖21所描述。儘管該等實例係參看分離圖予以描述，但對曝光劑量之認識可來自劑量敏感結構之散射量測與微影裝置之經記錄曝光劑量設定的組合。或者或另外，亦可使用對用以產生聚焦敏感結構之曝光劑量之認識的其他來源。 圖10說明劑量敏感對稱光柵圖案。在圖10中，與針對圖7一樣，展示光柵之僅三個週期之有限區段。在完整光柵中，圖10之光柵之圖案1002在垂直方向及水平方向上重複。圖案1002可為(例如)光罩上之鉻圖案。 當圖10之圖案用於微影裝置中以在晶圓上產生劑量敏感光柵結構時，該結構具有一輪廓，其中在每一經印刷線之左側及右側兩者處之側壁角同樣地取決於聚焦。圖案1002導致取決於聚焦之線寬或臨界尺寸CD。然而，CD更取決於劑量。此情形係由圖11說明。 圖11為說明使用圖10之光柵圖案之曝光的微影裝置之臨界尺寸CD對聚焦設定F(以奈米為單位)之相依性的曲線圖。被標註為100%之黑色曲線表示100%曝光劑量。展示CD聚焦敏感度FS之粗略度量，且其隨著聚焦變化而指示CD之範圍。針對95%劑量及105%劑量中每一者展示另外兩條曲線。該等不同劑量係自100%劑量曲線分別向上及向下移位。展示此劑量敏感度DS，且其隨著劑量變化而指示CD之範圍。相比於由圖7之圖案702引起之經印刷光柵，由圖10之圖案1002引起之經印刷光柵具有對微影裝置之聚焦有不同敏感度(在此實例中，較少敏感度)但對微影裝置之曝光劑量有不同敏感度(在此實例中，較多敏感度)的形式。其他實例可不同地具有對聚焦較不敏感且對曝光劑量較敏感之敏感度。舉例而言，可用兩個(或兩個以上)不同散射計波長來量測兩個(或兩個以上)不同目標光柵。所獲得之散射計信號並不直接地可比較(例如，因為「敏感度」取決於用以產生目標光柵之材料堆疊之屬性)，然而，有可能僅僅使用兩個(或兩個以上)散射計信號之組合以得知最佳解。此外，對於對稱光柵與不對稱光柵之組合，該等信號之起源不同。因而，敏感度值再次不能被直接地比較，但再次有可能僅僅使用信號之組合以得知最佳解。 圖12說明劑量敏感不對稱光柵圖案。在圖12中，展示光柵之僅三個週期之有限區段。在完整光柵中，圖12之光柵之圖案1202在垂直方向及水平方向上重複。圖案1202可為(例如)光罩上之鉻圖案。當圖12之圖案用於微影裝置中以在晶圓上產生劑量敏感光柵結構時，較小水平投影未被解析，但給出一輪廓，其中在每一經印刷線之右側處之側壁角取決於聚焦。相比於針對不具有投影之左側，對右側之聚焦之此側壁角相依性較大。圖案1202在每一線之左側與右側之間導致經印刷光柵側壁角差ΔSWA，其取決於光柵圖案之曝光期間微影裝置之聚焦，但相比於針對由圖7之圖案702印刷之光柵對聚焦較不敏感。在比圖7之圖案702更劑量敏感且具有更接近圖10之圖案1002之劑量敏感度的情況下，圖案1202導致形式相比於由圖案702引起之光柵對微影裝置之曝光劑量更敏感的經印刷光柵。此情形係由圖13說明。 圖13為說明使用圖12之光柵圖案之曝光的微影裝置之側壁角差ΔSWA(以度為單位)對聚焦設定F(以奈米為單位)之相依性的曲線圖。被標註為100%之黑色曲線表示100%曝光劑量。展示SWA聚焦敏感度FS之粗略度量，且其隨著聚焦變化而指示ΔSWA之範圍。針對95%劑量及105%劑量中每一者展示另外兩條曲線。該等不同劑量係自100%劑量曲線分別向下及向上移位。展示此劑量敏感度DS，且其隨著劑量變化而指示ΔSWA之範圍。與針對圖10及圖11一樣，相比於由圖7之圖案702引起之經印刷光柵，由圖12之圖案1202引起之經印刷光柵具有對微影裝置之聚焦較不敏感但對微影裝置之曝光劑量較敏感的形式。 圖14示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感及劑量敏感目標1402。組合式目標具有縮減度量衡擾動之效應之優點。儘管展示每一光柵之僅三個週期，但此情形僅用以表示光柵類型。圖案未按比例且實務上將較小，且在垂直方向及水平方向上重複。被標註為FSH及FSV之光柵為聚焦敏感不對稱光柵(如參看圖7所描述)，其中線分別在水平方向及垂直方向上。被標註為DSH及DSV之光柵為劑量敏感光柵(如參看圖10所描述)，其中線分別在水平方向及垂直方向上。 圖15示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感及劑量敏感目標1502。如針對圖14一樣，儘管展示每一光柵之僅三個週期，但此情形僅用以表示光柵類型。被標註為FSH及FSV之光柵再次為聚焦敏感不對稱光柵(如參看圖7所描述)，其中線分別在水平方向及垂直方向上。被標註為DSH及DSV之光柵為劑量敏感光柵(如參看圖12所描述)，其中線分別在水平方向及垂直方向上。 圖16為在使用暗場散射量測的情況下使用根據本發明之一實施例的曝光擾動敏感目標之量測之方法的流程圖。圖16之以下描述將劑量作為曝光擾動且使用如圖15所說明之目標。微影裝置之曝光擾動之其他實例為像差條件及照明條件，針對該等條件可使用其他目標，諸如，圖24及圖25所說明之目標。對於圖16及圖17，將僅提及水平光柵，但亦可使用垂直光柵，以便分離地量測X聚焦行為及Y聚焦行為。該等步驟為： 在步驟1600中：依據聚焦及劑量而量測光柵不對稱性。圖9之曲線圖中展示此等量測之結果。 在步驟1602中：使用微影裝置來處理晶圓以在晶圓上產生聚焦敏感光柵FSH及劑量敏感光柵DSH。 在步驟1604中：使用第一照明模式來量測-1階散射量測影像。 在步驟1606中：使用第二照明模式來量測+1階散射量測影像。 在步驟1608中：自每一影像辨識及提取每一光柵所關注區(ROI)。 在步驟1610中：演算每一光柵之差(-1階量測與+1階量測之間)影像以判定不對稱性。 在步驟1612中：使用劑量敏感光柵DSH不對稱性以判定針對聚焦敏感光柵FSH選擇哪一校準曲線(諸如圖9所示)。 在步驟1614中：使用經判定校準曲線及聚焦敏感光柵FSH不對稱性以判定散焦。 圖17為使用暗場散射量測的根據本發明之另一實施例之方法的流程圖。圖17之以下描述將劑量作為曝光擾動且使用如圖15所說明之目標，但不同地使用光柵不對稱性以判定聚焦。微影裝置之曝光擾動之其他實例為像差條件及照明條件，針對該等條件可使用其他目標，諸如，圖24及圖25所說明之目標。微影裝置之曝光擾動之其他實例為一般掃描器對比項。微影裝置之曝光擾動之其他實例為移動標準偏差(moving standard deviation)。已針對如下所描述之動態誤差採用術語「移動標準偏差」或MSD。 在將圖案曝光於或印刷於基板上期間不可避免地發生的微影裝置之各種伺服系統及組件之誤差引起經施加圖案相對於理想圖案之品質誤差。此等品質縮減通常係經由其對對準(基板平面中之位置)之影響及/或以產品圖案中之臨界尺寸(CD)及CD均一性(CDU)予以表達。誤差源可為相對靜態，或其可為動態——例如，相對於所要路徑之振動或擺動。因為其他誤差源隨著每一節點及新微影平台而縮減，所以此等動態誤差變化之相對影響正變成顯著效能限制因素。又，增加裝置之產出率的努力常常隱含組件較快地移動及加速/減速，同時其較輕且因此其建構較不硬。此等措施傾向於增加動態誤差(若未由小心設計減輕)。此等MSD誤差為影響聚焦量測之串擾項。 步驟1600至1610係與參看圖16(針對劑量曝光擾動實例)所描述之步驟相同，繼之以如下步驟： 在步驟1702中：在多維模型中使用劑量敏感光柵不對稱性DSH及聚焦敏感光柵FSH不對稱性以判定散焦。 因此，在本發明之一些實施例中，提議使用另一散射計目標之資訊以自如在原始目標上量測之實際掃描器散焦值解耦串擾項之影響。此情形可以如下方式而進行： 1.    使用來自(例如)使用圖10中之圖案1002而產生之劑量敏感對稱目標的對稱資訊作為輸入以用於設定用於(例如)使用圖7中之圖案702而產生之聚焦敏感不對稱目標之推斷曲線的正確劑量值。舉例而言，對稱資訊可為自使用藉由光瞳平面偵測散射量測而量測之填充不足目標之重新建構而獲得的CD。舉例而言，對稱資訊可為遍及藉由使用較小填充過度晶粒內目標之暗場偵測散射量測而獲得之所關注區的平均強度。 2.    使用來自(例如)使用圖12中之圖案1202而產生之劑量敏感不對稱目標的不對稱資訊(例如，散射計不對稱性)作為輸入以用於設定用於(例如)使用圖7中之圖案702而產生之聚焦敏感不對稱目標之推斷曲線的正確劑量值。 可以如下方式使用來自不對稱劑量敏感目標及對稱劑量敏感目標兩者之資訊： a)   在前饋類型應用中，使用來自劑量敏感目標之資訊以饋入為輸入以用於選擇聚焦目標之正確校準曲線(如參看圖16所描述)，且在需要時反覆地重複此操作。 b)   在聯合最佳化方案中，使用(例如)使用圖7中之圖案702而產生及(例如)使用圖12中之圖案1202或圖10中之圖案1002而產生的兩個目標之信號以創製多維模型以推斷聚焦及劑量資訊。 如參看圖14及圖15所描述，聚焦敏感光柵及劑量敏感光柵不必實體地隔開。其可為一個實體目標。諸如參看圖16所描述之偵測方法允許隨著檢驗裝置之一個遍次而使劑量敏感資訊與聚焦敏感資訊分離。亦可(例如)藉由兩個目標結構類型之正交置放(劑量敏感目標在水平方向上；聚焦敏感目標在垂直方向上)而將此等目標組合於晶圓上之單一部位上。此情形適於光瞳平面偵測散射量測模式。 對於以上項目2(使用來自劑量敏感不對稱目標之不對稱資訊)，可使用不對稱散射計信號偵測之原理以自光柵資訊解耦堆疊資訊，此亦為針對不對稱聚焦目標之主要優點。對於項目1(使用來自劑量敏感對稱目標之對稱資訊)，並非此狀況，且為了首先自散射量測信號演算CD，可需要完整重新建構循環，或在自測定目標推論劑量資訊之前，用諸如CD-SEM(掃描電子顯微術)之另一度量衡方法對劑量敏感對稱或不對稱目標進行CD量測。 亦可使用光瞳平面偵測散射量測(如由圖18及圖19所說明)單獨地作為暗場影像偵測散射量測(如針對圖6、圖16及圖17所描述)之替代例或將該光瞳平面偵測散射量測與該暗場影像偵測散射量測進行組合，以獲得根據本發明之實施例而使用之散射量測信號。 圖18為使用光瞳平面偵測散射量測的根據本發明之一實施例之方法的流程圖。圖18之以下描述將劑量作為曝光擾動且可使用如圖7及圖12所說明之填充不足目標。圖18中之步驟1600、1602、1612及1614係與參看圖16所描述之步驟相同。然而，步驟1604至1610係用光瞳平面偵測步驟予以替換： 在步驟1804中：量測光瞳平面中之-1階強度及+1階強度，例如，使用圖3a中之感測器19。 在步驟1806中：演算-1階強度與+1階強度之間的差以判定不對稱性，例如，使用圖3a中之處理單元PU。 圖19為使用光瞳平面偵測散射量測的根據本發明之另一實施例之方法的流程圖。與針對圖18(針對劑量曝光擾動實例)一樣，圖19之以下描述將劑量作為曝光擾動且可使用如圖7及圖12所說明之填充不足目標。圖19中之步驟1600、1602及1702係與參看圖17所描述之步驟相同。然而，相比於圖17，步驟1604至1610係用參看圖18所描述之光瞳平面偵測步驟1804及1806予以替換。 可對已由微影裝置使用由配方定義之曝光條件而曝光之基板執行聚焦量測，該等配方使橫越基板之曝光劑量變化以便最佳化CD均一性。此等CD均一性最佳化子配方通常可應用劑量指紋(亦即，橫越晶圓之圖案)校正以將在蝕刻之後的CD效能最佳化至高達5%。結果，來自劑量串擾之顯著影響顯而易見，其起因於典型微影裝置及微影製造單元或叢集(包括烘烤板)有效劑量變化。通常，預期1.5%至2%變化。此外，至少某一劑量變化可不為隨機分量，且因此可將其自身表明為系統化劑量至聚焦串擾項，從而在散焦指紋判定中導致誤差。 因為自此CD均一性最佳化應用之劑量校正為吾人所知，所以此等劑量校正可用以縮減對測定聚焦之劑量串擾效應。 在初始校準期間，依據聚焦及劑量而記錄不對稱聚焦目標結構之目標不對稱性回應(例如，不對稱側壁角(SWA)回應)，其相似於圖9之曲線圖所示之資料。 在不對稱聚焦敏感目標之量測期間，針對晶圓上之不對稱目標位置演算預期劑量(來自關於用以產生聚焦敏感目標之曝光劑量之經記錄資訊)。 接著使用此演算以得知對於用以最小化劑量串擾最佳之對應校準曲線。 因此針對已知劑量偏移而校正最終經報告聚焦值，且因此增加聚焦量測準確度。 存在在曝光期間聚焦變化之另一來源。可使用微影裝置聚焦(位階量測)系統以量測基板表面高度，以便應用聚焦調整。不同微影裝置可具有不同聚焦偏移，其係藉由校準予以判定。在初始聚焦模型校準期間，模型中之聚焦設定可由微影裝置設定聚焦誤差補償。因此改良校準準確度。然而，可未完全地補償局域散焦。在後續生產晶圓量測期間，可報告經演算聚焦連同經先前記錄設定聚焦誤差。取決於應用(監視器或回饋)，可使用經記錄設定聚焦以改良整體準確度。在本文所描述之實例中，可記錄用於每一微影裝置之此等聚焦偏差，且可使用此等聚焦偏差以校正設定聚焦誤差。亦可考量位階量測資料(測定基板表面高度，對應於聚焦偏差)之移動平均記錄以改良聚焦判定準確度。亦可考量來自任何其他位階量測或聚焦判定感測器或裝置之資訊以改良聚焦判定準確度。亦可考量掃描器伺服資訊以改良聚焦判定準確度。 可參看圖20而如下執行此方法，其中劑量作為曝光擾動且其中步驟1600、1604、1606及1614係與圖16(針對劑量曝光擾動實例)之步驟一樣： 在步驟1600中：依據聚焦及劑量而量測光柵不對稱性。此等量測之結果相似於圖9之曲線圖所示之結果。 在步驟2002中：使用微影裝置來處理晶圓以在晶圓上產生聚焦敏感結構(在此實例中為聚焦敏感光柵)且記錄關於用以產生聚焦敏感光柵之劑量及聚焦校正之資訊。 在步驟1604中：使用第一照明模式來量測-1階散射量測影像。 在步驟1606中：使用第二照明模式來量測+1階散射量測影像。 在步驟2008中：自每一影像辨識及提取每一所關注區(ROI)。 在步驟2010中：演算差(-1階量測與+1階量測之間)影像以判定不對稱性。 在步驟2012中：接收關於用以產生第一結構之曝光劑量之資訊。在此實例中，該資訊呈在使用微影程序來產生聚焦敏感結構時應用之劑量校正的形式，其在步驟2002中被記錄。使用針對各別聚焦敏感光柵之經記錄劑量校正(例如，考量其基板部位)以判定針對彼聚焦敏感光柵選擇哪一校準曲線。 在步驟1614中：使用經判定校準曲線及經判定聚焦敏感光柵不對稱性以判定散焦。 在步驟2016中：使用針對光柵之經記錄聚焦校正以校正經判定散焦。 可使用如由圖21所示之光瞳平面偵測散射量測來執行相似於參看圖20所描述之方法的此方法，其中劑量作為曝光擾動且其中所有步驟係與圖16、圖18及圖20(針對劑量曝光擾動實例)之步驟一樣。像差擾動 對於用於聚焦判定之不對稱聚焦敏感目標，本發明之發明人已發現，聚焦敏感目標之非想要像差敏感度導致聚焦量測誤差之非想要增加。 此外，在已知疊對目標設計中，作出特殊努力以在疊對目標之印刷中最小化像差敏感度。此情形係經由龐大的疊對目標類型(計算)評估而進行，其中評估及排名目標像差敏感度。 針對疊對目標之像差敏感度最小化為需要在疊對目標最佳化期間最小化之成本函數中僅一者。實務上，需要作出所有最佳化成本函數之間的折衷以獲得最佳疊對目標設計。此外，針對疊對目標之像差敏感度之最小化具有其極限，且不存在完全不敏感疊對目標。因而，歸因於殘餘像差敏感度而將總是存在殘餘疊對損失。 不對稱聚焦敏感目標僅被知道用於場間(橫越晶圓)量測。考慮將此能力延伸朝向場內(橫越掃描器曝光場中之隙縫)能力之熟習此項技術者將預料與用於疊對目標之途徑相似的途徑：最小化聚焦敏感目標之像差敏感度之影響。然而，聚焦敏感目標已經必須實現一組龐大的成本函數(聚焦敏感度、劑量不敏感度、寫入誤差不敏感度、最佳聚焦處之小不對稱性值，等等)。在最佳化期間添加又一成本函數將使最佳化更複雜，且最可能地不能找到經足夠良好最佳化之目標。簡言之：聚焦敏感目標之像差敏感度將應用能力限於場間量測能力，且場內量測能力先前尚未被足夠準確地滿足。 本發明之發明人已發現，在此等聚焦敏感目標最佳化中，此等聚焦敏感目標可展現對像差之強敏感度。此等敏感度為朝向偶數(通常為聚焦相關)任尼克項及奇數(通常為疊對或圖案移位相關)任尼克項兩者之敏感度。圖22及圖23中說明此情形，其中呈現經最佳化聚焦敏感目標之像差敏感度。 圖22為針對最低任尼克項(ZT)之選擇的典型聚焦敏感目標之經演算像差敏感度AS(以奈米為單位)的曲線圖。對應「向右指狀物(right-fingered)」聚焦敏感目標2202被展示為插入物。 圖23為針對最低任尼克項(ZT)之選擇的相對於圖22之聚焦敏感目標成鏡像的聚焦敏感目標之經演算像差敏感度的曲線圖。對應「向左指狀物(left-fingered)」聚焦敏感目標2302被展示為插入物。 自該曲線圖中之長條可看出，相比於圖22之目標2202，圖23之鏡像式目標設計2302給出針對所示奇數像差ZT = Z7、Z10、Z14(且亦針對(但圖中未繪示)Z19、Z23、Z26、Z34)之不同(相似量值，但相反正負號)像差敏感度，及針對偶數像差ZT = Z4、Z5、Z9、Z12(且亦針對(但圖中未繪示)Z16、Z17、Z25、Z28、Z32、Z36)相同(相同正負號)像差敏感度。 有可能使用此兩個不對稱性信號之減去以揭露總奇數像差位準。兩個目標2202或2302中僅一者之不對稱性信號之評估提供總(奇數及偶數)像差位準。應注意，在此實例中，因為有可能將兩個目標極接近地置放在一起，所以預期到兩個目標遭受微影裝置(掃描器)之相同像差位準。因此，結果，經由目標不對稱性之量測而實現像差量測(奇數及總數)能力。 圖24示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感及像差敏感目標2402。儘管展示每一光柵之僅三個週期，但此情形僅用以表示光柵類型。圖案未按比例且實務上將較小，且在垂直方向及水平方向上重複。被標註為FSV及FSH之光柵為聚焦敏感不對稱光柵(如參看圖7所描述)，其中線分別在水平方向及垂直方向上。被標註為FSVM及FSHM之光柵分別為FSV及FSH之鏡像式版本，其中線分別在水平方向及垂直方向上。 如上文所論述，對於劑量作為曝光擾動之實例，圖16為在使用暗場散射量測的情況下使用根據本發明之一實施例的曝光擾動敏感目標之量測之方法的流程圖。圖16之以下描述將像差(而非劑量)作為曝光擾動且使用如圖24所說明之目標。對於參看圖16及圖17之以下描述，將僅提及垂直光柵，但亦可使用水平光柵，以便分離地量測Y聚焦行為及X聚焦行為。該等步驟為： 在步驟1600中：依據聚焦及像差而量測或模擬光柵不對稱性。可在諸如掃描器之微影裝置中調整聚焦及像差兩者，以促進此量測。通常，聚焦(比如，劑量)可易於調整，且常常用來自已製造晶圓之回饋予以控制。像差亦可被調整，但其通常在設置期間被最佳化以便縮減像差，而非被規則地調整以控制掃描器。因此，儘管較不準確(因為必須在模型中作出假定)，但相比於改變掃描器像差設定以便進行實體量測，依據像差之不對稱性模擬變得更合理。上文所論述的圖22及圖23之曲線圖中展示此等模擬之一些結果。 在步驟1602中：使用微影裝置來處理晶圓以在晶圓上產生聚焦敏感光柵FSV及不同聚焦敏感且不同像差敏感之光柵FSVM。 在步驟1604中：使用第一照明模式來量測-1階散射量測影像。 在步驟1606中：使用第二照明模式來量測+1階散射量測影像。 在步驟1608中：自每一影像辨識及提取每一光柵所關注區(ROI)。 在步驟1610中：演算每一光柵之差(-1階量測與+1階量測之間)影像以判定不對稱性。 在步驟1612中：使用像差敏感光柵FSVM不對稱性以判定聚焦敏感光柵FSV之校準曲線。可藉由首先減去兩個光柵之經判定不對稱性以揭露總奇數像差位準來執行此判定。一旦用以產生聚焦敏感光柵FSV及FSVM之像差位準(亦即，曝光擾動)為吾人所知，其就可用以建構校準曲線或選擇經模型化校準曲線(在步驟1600中所獲得)以用來自FSV(或者，FSVM)之不對稱性判定聚焦。 在步驟1614中：使用經判定校準曲線及聚焦敏感光柵FSV(或者，FSVM)不對稱性以判定散焦。 圖17為使用暗場散射量測的根據本發明之另一實施例之方法的流程圖。圖17之以下描述將像差作為曝光擾動且使用如圖24所說明之目標，但不同地使用光柵不對稱性以判定聚焦。步驟1600至1610係與參看圖16(針對像差曝光擾動實例)所描述之步驟相同，繼之以如下步驟： 在步驟1702中：在多維模型中使用像差敏感光柵FSVM不對稱性及聚焦敏感光柵FSV不對稱性以判定散焦。可自模擬獲得多維模型，如關於步驟1600(針對像差曝光擾動實例)所描述。 因此，在本發明之一些實施例中，提議使用一散射計目標對之資訊以自如在原始目標上量測之實際掃描器散焦值解耦像差串擾項之影響。 可以如下方式使用來自不對稱像差敏感目標對之資訊： a) 在前饋類型應用中，使用來自像差敏感目標對之資訊以饋入為輸入以用於選擇聚焦目標之正確校準曲線(如參看圖16(針對像差曝光擾動實例)所描述)，且在需要時反覆地重複此操作。 b)     在聯合最佳化方案中，使用係使用圖7中之圖案702及其鏡面影像而產生之像差敏感目標對(例如，圖24中之FSV及FSVM)的信號與來自該對中之一者的信號，以創製多維模型以推斷聚焦及像差資訊。 圖25示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標2502。如針對圖24一樣，儘管展示每一光柵之僅三個週期，但此情形僅用以表示光柵類型。被標註為FSV及FSVM之光柵再次為聚焦敏感不對稱光柵(如參看圖7所描述)，但相對於彼此成鏡像。被標註為DSV之光柵為如參看圖12及圖15所描述之劑量敏感光柵。被標註為DSVM之光柵相對於被標註為DSV之光柵成鏡像。 來自不對稱像差敏感目標對及劑量敏感目標之資訊可用以推斷聚焦、像差及劑量資訊。舉例而言，參看圖25，使用圖7中之圖案702及其鏡面影像而產生之經模型化像差敏感目標對(例如，圖25中之FSV及FSVM)的像差信號與來自使用圖12中之圖案1202或圖10中之1002而產生之經模型化劑量敏感目標(例如，圖25中之DSV)的信號用以依據像差及劑量而模擬一組聚焦校準曲線，或用以創製多維模型以推斷聚焦、像差及劑量資訊。 如參看圖24及圖25所描述，像差敏感對及劑量敏感光柵不必實體地隔開。其可為一個實體目標。諸如參看圖16所描述之偵測方法允許隨著檢驗裝置之一個遍次而使像差敏感資訊、聚焦敏感資訊及劑量敏感資訊分離。亦可(例如)藉由兩個目標結構類型之正交置放(像差敏感目標在水平方向上；聚焦敏感目標在垂直方向上)而將此等目標組合於晶圓上之單一部位上。此情形適於光瞳平面偵測散射量測模式。 亦可使用光瞳平面偵測散射量測(其中像差作為曝光擾動，如由圖18及圖19所說明)單獨地作為暗場影像偵測散射量測(如針對圖6、圖16及圖17所描述)之替代例或將該光瞳平面偵測散射量測與該暗場影像偵測散射量測進行組合，以獲得根據本發明之實施例而使用之散射量測信號。 圖18為使用光瞳平面偵測散射量測的根據本發明之一實施例之方法的流程圖。圖18之以下描述將像差作為曝光擾動，且可使用如圖7所說明之填充不足目標與對應鏡像式目標。圖18中之步驟1600、1602、1612及1614係與參看圖16(針對像差曝光擾動實例)所描述之步驟相同。然而，步驟1604至1610係用光瞳平面偵測步驟予以替換： 在步驟1804中：量測光瞳平面中之-1階強度及+1階強度，例如，使用圖3a中之感測器19。 在步驟1806中：演算-1階強度與+1階強度之間的差以判定不對稱性，例如，使用圖3a中之處理單元PU。 圖19為使用光瞳平面偵測散射量測的根據本發明之另一實施例之方法的流程圖。與針對圖18(針對像差曝光擾動實例)一樣，圖19之以下描述亦將像差作為曝光擾動，且可使用如圖7所說明之填充不足目標與對應鏡像式目標。圖19中之步驟1600、1602及1702係與參看圖17(針對像差曝光擾動實例)所描述之步驟相同。然而，相比於圖17(針對像差曝光擾動實例)，步驟1604至1610係用參看圖18(針對像差曝光擾動實例)所描述之光瞳平面偵測步驟1804及1806予以替換。 可對由微影裝置使用具有藉由透鏡致動器設定定義之經最佳化像差設定(諸如，用以最小化橫越掃描器隙縫之像差之經最佳化像差設定)之曝光條件而曝光的基板執行聚焦量測。結果，像差串擾可顯而易見，其起因於典型像差變化。此外，至少某一像差變化可不為隨機分量，且因此可將其自身表明為系統化像差至聚焦串擾項，從而在場內散焦判定中導致誤差。 因為自此CD均一性最佳化應用之像差校正為吾人所知，所以此等像差校正可用以縮減對測定聚焦之像差串擾效應。 在初始校準期間，依據聚焦及劑量而模擬不對稱聚焦目標結構之目標不對稱性回應，例如，不對稱側壁角(SWA)回應，其相似於圖9之曲線圖所示之資料，但針對不同像差設定而非劑量。 在不對稱聚焦敏感目標之量測期間，針對晶圓上之曝光場中之不對稱目標位置來演算預期像差(來自關於用以產生聚焦敏感目標之曝光像差之經記錄資訊)。 接著使用此演算以得知對於用以最小化像差串擾最佳之對應校準曲線。 因此針對已知像差偏移而校正最終經報告聚焦值，且因此增加聚焦量測準確度。 可參看圖20而如下執行此方法，其中像差作為曝光擾動且其中步驟1600、1604、1606及1614係與圖16(針對像差曝光擾動實例)之步驟一樣： 在步驟1600中：依據聚焦及像差而量測光柵不對稱性。此等量測之結果相似於圖9之曲線圖所示之結果，但針對不同像差設定而非劑量。 在步驟2002中：使用微影裝置來處理晶圓以在晶圓上產生聚焦敏感結構(在此實例中為聚焦敏感光柵)且記錄關於用以產生聚焦敏感光柵之像差及聚焦校正之資訊。 在步驟1604中：使用第一照明模式來量測-1階散射量測影像。 在步驟1606中：使用第二照明模式來量測+1階散射量測影像。 在步驟2008中：自每一影像辨識及提取每一所關注區(ROI)。 在步驟2010中：演算差(-1階量測與+1階量測之間)影像以判定不對稱性。 在步驟2012中：接收關於用以產生第一結構之曝光像差之資訊。在此實例中，該資訊呈在使用微影程序來產生聚焦敏感結構時應用之像差校正的形式，其在步驟2002中被記錄。使用針對各別聚焦敏感光柵之經記錄像差校正(例如，考量其在曝光場中之部位)以判定針對彼聚焦敏感光柵選擇哪一校準曲線。 在步驟1614中：使用經判定校準曲線及經判定聚焦敏感光柵不對稱性以判定散焦。 在步驟2016中：使用針對光柵之經記錄聚焦校正以校正經判定散焦。 可使用如由圖21所示之光瞳平面偵測散射量測來執行相似於參看圖20(針對像差曝光擾動實例)所描述之方法的此方法，其中像差作為曝光擾動且其中所有步驟係與圖16、圖18及圖20(針對像差曝光擾動實例)之步驟一樣。 本文所描述之像差敏感目標在聚焦量測方面具有其他應用。在使用像差敏感目標的情況下，場間程序變化(諸如，抗蝕劑烘烤板變化、橫越晶圓劑量變化、抗蝕劑損耗，等等)之監視亦變得可能。下文參看圖27及圖28來論述此情形。但首先，有用的是詳細地考慮回應於聚焦改變而起因於像差敏感目標對之抗蝕劑曝光。 圖26示意性地說明依據聚焦F的鏡像式不對稱目標之抗蝕劑輪廓行為。在聚焦敏感目標圖案FSV及FSVM之曝光期間引起之空中影像係由分別由外部輪廓2602及2604圍封之虛線輪廓描繪。在顯影步驟之後的所得抗蝕劑輪廓2608及2610分別起因於抗蝕劑之曝光，其中空中影像與抗蝕劑相交。在+與-之間的聚焦F之中心處，抗蝕劑輪廓2612及2614之未移位重心被展示為通過每一抗蝕劑輪廓之中心的垂直點線。對於為正抑或負之聚焦移位，空中影像係由抗蝕劑層相交於不同位置處，從而引起依據聚焦之不同抗蝕劑輪廓形狀。小水平箭頭指示抗蝕劑輪廓之各別重心相比於聚焦中心的移位方向。可看出，聚焦敏感目標及聚焦敏感鏡像式目標具有相對於彼此反向之聚焦敏感度。 圖27示意性地說明由起因於場內像差變化之奇數任尼克項引起的對鏡像式不對稱目標之抗蝕劑圖案之影響。在此實例中，由任尼克多項式2702描繪之奇數θ像差造成向抗蝕劑輪廓2704及2706之重心左側的移位。因此，此類型之像差影響相對於其他下伏或上覆經圖案化層之疊對。應注意，該移位針對起因於FSV及FSVM之抗蝕劑圖案處於相同方向，而不管鏡像。 圖28示意性地說明由場間程序誘發性變化引起的對鏡像式不對稱目標之抗蝕劑圖案之影響。由在曝光後烘烤及/或顯影時之處理非均一性引起之不對稱抗蝕劑損耗可導致如圖28所示之抗蝕劑輪廓2802至2808。應注意，在此實例中，向抗蝕劑輪廓之重心右側的移位針對起因於FSV及FSVM之抗蝕劑圖案處於相同方向，而不管鏡像。 因此，可看出，疊對影響類型像差及程序誘發性不對稱性兩者引起在相同方向上之移位，而不管目標(FSV或FSVM)是否成鏡像。因此，在使用鏡像式目標的情況下，可監視疊對影響類型像差(場內)以及程序均一性(場間)。此後者(場間)能力之潛在應用係作為用以伴隨聚焦敏感目標之量測之程序旗標(偵測程序離群值)。 圖29示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感、像差敏感及疊對敏感目標。此目標具有在校正針對像差之疊對量測方面之應用。參看圖29，疊對目標OV經置放成極近接於包含FSV及FSVM之像差敏感對(像差監視器)目標，其具有相似經印刷特性(CD及間距)。OV及像差敏感對FSV及FSVM的在掃描器光瞳中繞射階之位置必須實質上相同以確保針對掃描器像差之相似敏感度。此實際上意謂疊對敏感目標及像差敏感對目標兩者必須具有相等間距。在此組態中，預期到可縮減歸因於疊對目標之像差敏感度的像差誘發性(場內)疊對損失。此縮減係藉由掃描器之測定(奇數)像差位準經由像差敏感對目標而前饋校正至使用疊對目標之疊對量測而達成。 圖30示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標。可藉由比較自光柵FSV(聚焦敏感，垂直線)及DSVM(劑量敏感，垂直線，鏡像式)判定之不對稱性來判定像差位準。因此，對於垂直線，使用組合式目標中之四個位點之中的僅兩個目標。在晶圓上面積之此有效率使用意謂另外兩個位點可用於具有水平線之組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標FSH及DSHM。當使用此目標時，參看圖16至圖19所論述之方法仍適用，但曝光擾動係與像差及劑量兩者有關。 使用自具有不同聚焦敏感度但具有相似像差敏感度之兩個目標獲得之信號的組合將會進一步幫助縮減歸因於像差之聚焦量測誤差。下文參看圖31至圖33來論述此實例。可在像差敏感目標對經由前饋校正機制而用於改良型聚焦量測準確度及改良型疊對量測準確度兩者的情況下使用此構思。 圖31及圖32中說明不同目標設計之像差敏感度可相似之第一指示。 圖31及圖32為針對兩個不同目標設計的像差誘發性不對稱性誤差(針對所有像差而求和；奇數及偶數)依據橫越掃描器隙縫之距離X(以毫米為單位)的曲線圖。此處，像差誘發性不對稱性誤差係經由不對稱性/聚焦校準曲線而轉譯成聚焦誤差FE(以奈米為單位)。對於圖31，在參看圖7所說明之參數w1、w2及w3方面之目標尺寸分別為320奈米、20奈米及110奈米。對於圖32，在彼等參數w1、w2及w3方面之目標尺寸分別為290奈米、24奈米及110奈米。 此兩個目標(參看圖31及圖32所提及)之典型目標特性(諸如，經印刷CD)不同，但其間距相同。自圖31及圖32中之曲線圖，可清楚地看出，經由隙縫之像差誘發性誤差針對兩個目標相似。此相似性係由圖33進一步說明，圖33為圖31及圖32所示之像差誘發性不對稱性誤差(針對所有像差而求和；奇數及偶數)之間的差之曲線圖。圖34為針對對應於圖31、圖32及圖33之目標之不對稱性相對於聚焦的曲線圖，其分別具有三角形標記、菱形標記及正方形標記。使用像差誘發性不對稱性誤差之間的差(正方形標記)會引起像差信號對聚焦之較少敏感度，但具有極大地縮減像差敏感度之益處。 上文已揭示之實例實施例係關於曝光擾動校正之以繞射為基礎之聚焦量測，其使用具有對曝光擾動之認識的聚焦敏感目標以演算聚焦值。 在實例實施例中，可藉由具有不同聚焦敏感度及不同擾動敏感度之擾動敏感目標的量測來提供對曝光擾動之認識。 實施例包括(其中FS=聚焦敏感目標，DS=劑量敏感目標，OV=疊對敏感目標，且FS+FS_mirrored=像差敏感目標對)： (A)用於劑量校正之以繞射為基礎之聚焦量測的FS+DS(不同聚焦敏感度及不同劑量敏感度)，如參看圖14及圖15之目標以及圖16至圖19之流程圖所說明。 (B)用於劑量校正之以繞射為基礎之聚焦量測的FS+掃描器劑量設定，如參看圖7之目標及圖20至圖21之流程圖所說明。 (C)用於像差校正之以繞射為基礎之聚焦量測的FS+FS_mirrored(反向聚焦敏感度及不同像差敏感度)，其允許場內以繞射為基礎之聚焦量測，如參看圖24之目標及圖16至圖19之流程圖所說明。 (D)用於像差校正及劑量校正之以繞射為基礎之聚焦量測的DS+FS+FS_mirrored(反向聚焦敏感度及不同像差敏感度)，如參看圖25之目標及圖16至圖19之流程圖所說明。 (E)用於像差校正及劑量校正之以繞射為基礎之聚焦量測的FS+DS_mirrored(不同聚焦敏感度及不同像差敏感度)，如參看圖30之目標所說明。 (F)用於像差校正之以繞射為基礎之聚焦量測的FS+掃描器像差(透鏡致動器)設定，如參看圖7之目標及圖20至圖21之流程圖所說明。 (G)用於產品上像差監視之FS+FS_mirrored(反向聚焦敏感度及不同像差敏感度)，如參看圖24之目標所說明。 (H)用於像差校正之以繞射為基礎之疊對量測的OV+FS+FS_mirrored(反向聚焦敏感度及不同像差敏感度)，如參看圖29之目標所說明。 (I)用於監視場間程序變化(且作為用於以繞射為基礎之聚焦量測之程序旗標)之FS+FS_mirrored(反向聚焦敏感度及不同「類像差程序誘發性不對稱性」敏感度)，如參看圖24之目標所說明。 (J)用於改良型(像差不敏感)以繞射為基礎之聚焦量測的FS+FS_mirrored(反向聚焦敏感度及相似像差敏感度)，如參看圖31至圖34所說明。 若干實施例係描述於下列條款： 1.  一種判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的方法，該方法包含如下步驟： (a)  收納包含使用該微影程序而產生之一第一結構之一基板； (b)  在用輻射來照明該第一結構時偵測散射輻射以獲得一第一散射計信號； (c)  基於該第一結構具有至少一特徵且基於對用以產生該第一結構之曝光擾動之認識而使用該第一散射計信號以判定用以產生該第一結構之一聚焦值，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性。 2.  如條款1之方法，其中該曝光擾動包含曝光劑量。 3.  如條款1之方法，其中該曝光擾動包含像差。 4.  如前述條款中任一項之方法，其中該基板進一步包含使用該微影程序而產生之一第二結構，且該方法進一步包含在用輻射來照明該第二結構時偵測散射輻射以獲得一第二散射計信號之步驟；且其中該方法進一步包含基於該第二結構具有至少一特徵而使用該第二散射計信號以判定用以產生該第一結構之該聚焦值，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板處該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度。 5.  如條款4之方法，其中該第一結構及該第二結構成鏡像，且其中該第二結構相比於該第一結構藉由具有敏感度之相似量值但具有相反正負號而對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度，且其中使用該第二散射計信號以判定用以產生該第一結構之該聚焦值的該步驟包括使用該第一散射計信號與該第二散射計信號之間的一差。 6.  如條款4或5之方法，其進一步包含如下步驟：使用該微影程序以在該基板上產生該第一結構，該第一結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性；及使用該微影程序以在該基板上產生該第二結構，該第二結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板上該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度。 7.  如條款6之方法，其中同時地執行使用該微影程序以產生該第一結構及該第二結構之該等步驟。 8.  如條款4至7中任一項之方法，其中使用影像平面偵測散射量測來執行在照明該第一結構及該第二結構時偵測散射輻射之該等步驟。 9.  如條款4至7中任一項之方法，其中使用光瞳平面偵測散射量測來執行在照明該第一結構及該第二結構時偵測散射輻射之該等步驟。 10. 如條款4至9中任一項之方法，其中同時地執行在照明該第一結構及該第二結構時偵測散射輻射之該等步驟。 11. 如條款4至10中任一項之方法，其中該第一散射計信號及該第二散射計信號用以基於該第二結構之至少一特徵具有一輪廓而判定用以產生該第一結構之一聚焦值，該輪廓具有取決於該微影裝置之曝光擾動之一不對稱性且在用以判定該聚焦值之該第二散射計信號中引起不對稱性資訊。 12. 如條款4至11中任一項之方法，其中使用該第一散射計信號及該第二散射計信號以判定一聚焦值之該步驟包含：使用該第二散射計信號以選擇一校準曲線以用於使用該第一散射計信號來判定該聚焦值。 13. 如條款4至12中任一項之方法，其中使用該第一散射計信號及該第二散射計信號以判定一聚焦值之該步驟包含：使用具有與該第一散射計信號及該第二散射計信號有關之參數之一模型。 14. 如條款4至13中任一項之方法，其進一步包含判定用以產生該第一結構之一曝光擾動值。 15. 如前述條款中任一項之方法，其進一步包含接收關於用以產生該第一結構之曝光擾動之資訊的步驟。 16. 如條款15之方法，其中關於用以產生該第一結構之曝光擾動之該資訊包含在使用該微影程序來產生該第一結構時應用之曝光擾動校正。 17. 如條款15或16之方法，其中使用該第一散射計信號以判定用以產生該第一結構之一聚焦值的該步驟包含：使用關於曝光擾動之該經接收資訊以選擇一校準曲線以用於使用該第一散射計信號來判定該聚焦值。 18. 如條款15至17中任一項之方法，其進一步包含如下步驟：接收關於用以產生該第一結構之聚焦之資訊，且使用關於聚焦之該經接收資訊來判定用以產生該第一結構之該聚焦值。 19.    如條款18之方法，其中關於用以產生該第一結構之聚焦之該資訊包含在使用該微影程序來產生該第一結構時應用之聚焦校正。 20. 一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的檢驗裝置，該檢驗裝置包含： 一照明系統，其經組態以用輻射來照明在該基板上使用該微影程序而產生之一第一結構； 一偵測系統，其經組態以偵測起因於該第一結構之照明之散射輻射以獲得一第一散射計信號；及 一處理器，其經組態以基於該第一結構具有至少一特徵且基於對用以產生該第一結構之曝光擾動之認識而使用該第一散射計信號以判定用以產生該第一結構之一聚焦值，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性。 21. 如條款20之檢驗裝置，其中該曝光擾動包含曝光劑量。 22. 如條款20之檢驗裝置，其中該曝光擾動包含像差。 23. 如條款20至22中任一項之檢驗裝置，其中該照明系統經組態以用輻射來照明在該基板上使用該微影程序而產生之一第二結構，該偵測系統經進一步組態以偵測起因於該第二結構之照明之散射輻射以獲得一第二散射計信號，且該處理器經進一步組態以基於該第二結構具有至少一特徵而使用該第一散射計信號及該第二散射計信號以判定用以產生該第一結構之一聚焦值，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板處該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板處該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度。 24. 如條款23之檢驗裝置，其中該第一結構及該第二結構成鏡像，且其中該第二結構相比於該第一結構藉由具有敏感度之相似量值但具有相反正負號而對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度，且其中該處理器經組態以藉由使用該第一散射計信號與該第二散射計信號之間的一差而使用該第一散射計信號及該第二散射計信號以判定用以產生該第一結構之該聚焦值。 25. 如條款23或24之檢驗裝置，其中該處理器經組態以藉由使用該第二散射計信號以選擇一校準曲線以用於使用該第一散射計信號來判定一聚焦值而使用該第一散射計信號及該第二散射計信號以判定該聚焦值。 26. 如條款25之檢驗裝置，其中該處理器經組態以藉由使用具有與該第一散射計信號及該第二散射計信號有關之參數之一模型而使用該第一散射計信號及該第二散射計信號以判定一聚焦值。 27. 如條款23至26中任一項之檢驗裝置，其中該處理器經進一步組態以判定用以產生該第一結構之一曝光擾動值。 28. 如條款20至27中任一項之檢驗裝置，其中該處理器經進一步組態以接收關於用以產生該第一結構之曝光擾動之資訊。 29. 如條款28之檢驗裝置，其中該處理器經進一步組態以接收包含在使用該微影程序來產生該第一結構時應用之曝光擾動校正之資訊。 30. 如條款28或29之檢驗裝置，其中該處理器經進一步組態以藉由使用關於曝光擾動之該經接收資訊以選擇一校準曲線以用於使用該第一散射計信號來判定用以產生該第一結構之一聚焦值而使用該第一散射計信號以判定該聚焦值。 31. 如條款28至30中任一項之檢驗裝置，其中該處理器經進一步組態以接收關於用以產生該第一結構之聚焦之資訊，且使用關於聚焦之該經接收資訊以判定用以產生該第一結構之該聚焦值。 32. 如條款31之檢驗裝置，其中該處理器經進一步組態以接收包含在使用該微影程序來產生該第一結構時應用之聚焦校正之資訊。 33. 一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的圖案化元件，該圖案化元件包含一目標圖案，該目標圖案包含： 一第一子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第一結構，該第一結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性；及 一第二子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第二結構，該第二結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板上該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度。 34. 如條款33之圖案化元件，其中該第二子圖案經組態以產生該第二結構之至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該微影裝置之該曝光擾動之一不對稱性。 35. 一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的基板，該基板包含一目標，該目標包含： 一第一子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第一結構，該第一結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性；及 一第二子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第二結構，該第二結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板上該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構對該微影裝置之曝光擾動有不同敏感度。 36. 如條款35之基板，其中該第二子圖案經組態以產生該第二結構之至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該微影裝置之曝光擾動之一不對稱性。 37. 一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案施加至一系列基板，該方法包括：在使用一如條款1至19中任一項之方法的情況下使用該等基板中至少一者來判定該微影裝置之聚焦；及根據判定聚焦之該方法之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。 儘管一階繞射階強度信號差用於上文所描述之實施例中以判定不對稱性，但不對稱性資訊存在於高階繞射階中。給出聚焦與不對稱性之間的清楚關係之任何散射計信號產生及處理將合適。因此，本發明之實施例不限於使用一階散射量測信號差。 實例實施例改良聚焦量測準確度且縮減對目標設計之約束(放寬對最小化用於劑量串擾之成本函數之要求)。此外，在實施例中，可判定掃描器劑量及/或像差，而同時地改良掃描器聚焦準確度。實務上，可在晶圓上之僅幾個點處量測此等劑量及像差敏感目標。 使用像差敏感目標之實例實施例導致： OV量測在用角解析散射計執行時之改良型準確度； 針對疊對目標之像差不敏感度之成本函數要求的放寬； 掃描器之總像差位準之掃描器監視能力(產品上)，因此促進故障偵測； 經由像差敏感目標之監視進行的關於聚焦量測準確度之程序改變(場間)之監視； 間接地經由像差敏感目標進行的經印刷疊對目標(印刷於抗蝕劑中之第二層)之不對稱性之監視； 一般而言：經由專用像差敏感量測進行的抗蝕劑中之經印刷結構之不對稱性(變化、漂移)之監視。不對稱性可來自諸如像差、程序變化等等之各種來源；及 聚焦量測準確度之改良，其將能力延伸朝向場內聚焦量測。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之認識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。 本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
11‧‧‧源
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13E‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
13W‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧光束分裂器
16‧‧‧接物鏡
17‧‧‧第二光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器/光瞳平面影像感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌/場光闌/光瞳光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧影像感測器
31‧‧‧量測光點/經照明光點
32‧‧‧目標光柵
33‧‧‧目標光柵
34‧‧‧目標光柵
35‧‧‧目標光柵
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
702‧‧‧圖案
1002‧‧‧圖案
1202‧‧‧圖案
1402‧‧‧組合式聚焦敏感及劑量敏感目標
1502‧‧‧組合式聚焦敏感及劑量敏感目標
2202‧‧‧向右指狀物聚焦敏感目標
2302‧‧‧向左指狀物聚焦敏感目標/鏡像式目標設計
2402‧‧‧組合式聚焦敏感及像差敏感目標
2502‧‧‧聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標
2602‧‧‧空中影像
2604‧‧‧空中影像
2608‧‧‧抗蝕劑輪廓
2610‧‧‧抗蝕劑輪廓
2612‧‧‧抗蝕劑輪廓
2614‧‧‧抗蝕劑輪廓
2702‧‧‧任尼克多項式
2704‧‧‧抗蝕劑輪廓
2706‧‧‧抗蝕劑輪廓
2802‧‧‧抗蝕劑輪廓
2804‧‧‧抗蝕劑輪廓
2806‧‧‧抗蝕劑輪廓
2808‧‧‧抗蝕劑輪廓
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
DS‧‧‧劑量敏感目標
DSH‧‧‧劑量敏感光柵
DSHM‧‧‧組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標
DSV‧‧‧劑量敏感光柵
DSVM‧‧‧光柵
FS‧‧‧聚焦敏感目標
FSH‧‧‧聚焦敏感不對稱光柵/組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標
FSHM‧‧‧光柵
FSV‧‧‧聚焦敏感不對稱光柵/聚焦敏感目標圖案
FSVM‧‧‧不同聚焦敏感且不同像差敏感之光柵/聚焦敏感不對稱光柵/聚焦敏感目標圖案
I‧‧‧照明射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧圖案化元件支撐件/支撐結構/光罩台
O‧‧‧光軸
OV‧‧‧疊對目標
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
P1‧‧‧位置
P2‧‧‧位置
P3‧‧‧位置
P4‧‧‧位置
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧影像處理器及控制器
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器/機器人
ROI‧‧‧所關注區
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧度量衡目標光柵
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。 圖1描繪根據本發明之一實例之微影裝置。 圖2描繪根據本發明之一實例之微影製造單元或叢集。 圖3(a)至圖3(d)包含(a)用於使用第一對照明孔徑來量測根據本發明之實例之目標的暗場散射計之示意圖、(b)針對給定照明方向之目標光柵之繞射光譜的細節、(c)在針對以繞射為基礎之疊對量測使用該散射計時提供另外照明模式之第二對照明孔徑，及(d)組合第一對孔徑與第二對孔徑之第三對照明孔徑。 圖4描繪基板上的已知形式之多重光柵目標及量測光點之外形。 圖5描繪在圖3之散射計中獲得的圖4之目標之影像。 圖6為展示使用圖3之散射計且可經調適以形成本發明之一實例的散焦量測方法之步驟的流程圖。 圖7說明聚焦敏感不對稱光柵圖案。 圖8為說明用於圖7之光柵圖案之曝光的側壁角差對聚焦設定之相依性的曲線圖。 圖9為用於相似於圖7之光柵圖案的光柵圖案之曝光的微影裝置之不對稱性(用散射計予以量測)相對於散焦的曲線圖。 圖10說明劑量敏感對稱光柵圖案。 圖11為說明用於圖10之光柵圖案之曝光的微影裝置之臨界尺寸對聚焦設定之相依性的曲線圖。 圖12說明劑量敏感不對稱光柵圖案。 圖13為說明用於圖12之光柵圖案之曝光的微影裝置之側壁角差對聚焦設定之相依性的曲線圖。 圖14及圖15示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感及劑量敏感目標。 圖16為使用曝光擾動敏感目標之量測且使用暗場散射量測之方法的流程圖。 圖17為使用曝光擾動敏感目標之量測且使用暗場散射量測之另一方法的流程圖。 圖18為使用曝光擾動敏感目標之量測且使用光瞳平面偵測散射量測之方法的流程圖。 圖19為使用曝光擾動敏感目標之量測且使用光瞳平面偵測散射量測之另一方法的流程圖。 圖20為使用經記錄曝光擾動設定且使用暗場散射量測之方法的流程圖。 圖21為使用經記錄曝光擾動設定且使用光瞳平面偵測散射量測之方法的流程圖。 圖22為針對任尼克(Zernike)項之選擇的典型聚焦敏感目標之經演算像差敏感度的曲線圖。 圖23為針對任尼克項之選擇的相對於圖22之聚焦敏感目標成鏡像的聚焦敏感目標之經演算像差敏感度的曲線圖。 圖24示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感及像差敏感目標。 圖25示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標。 圖26示意性地說明依據聚焦的鏡像式不對稱目標之抗蝕劑輪廓行為。 圖27示意性地說明由起因於場內像差變化之奇數任尼克項引起的對鏡像式不對稱目標之抗蝕劑圖案之影響。 圖28示意性地說明由場間程序誘發性變化引起的對鏡像式不對稱目標之抗蝕劑圖案之影響。 圖29示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之組合式聚焦敏感、像差敏感及疊對敏感目標。 圖30示意性地說明適於暗場影像偵測散射量測之另一組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標。 圖31及圖32為針對兩個不同目標設計之像差誘發性不對稱性誤差(針對所有像差而求和；奇數及偶數)的曲線圖。 圖33為圖31及圖32所示之像差誘發性不對稱性誤差(針對所有像差而求和；奇數及偶數)之間的差之曲線圖。 圖34為針對對應於圖31、圖32及圖33之目標之不對稱性相對於聚焦的曲線圖。 本發明之特徵及優點將自下文在結合圖式時闡述之[實施方式]變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之器件。一器件第一次出現時之圖式係在對應元件符號中由最左側數位指示。
1402‧‧‧組合式聚焦敏感及劑量敏感目標
DSH‧‧‧劑量敏感光柵
DSV‧‧‧劑量敏感光柵
FSH‧‧‧聚焦敏感不對稱光柵/組合式聚焦敏感、像差敏感及劑量敏感目標
FSV‧‧‧聚焦敏感不對稱光柵/聚焦敏感目標圖案

Claims (4)

  1. 一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的圖案化元件，該圖案化元件包含一目標圖案，該目標圖案包含： 一第一子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第一結構，該第一結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性；及 一第二子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第二結構，該第二結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及該曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板上該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構藉由具有敏感度之一相似量值但具有相反正負號而對該微影裝置之該曝光擾動有不同敏感度。
  2. 如請求項1之圖案化元件，其中該第二子圖案經組態以產生該第二結構之至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該微影裝置之該曝光擾動之一不對稱性。
  3. 一種用於判定一基板上用於一微影程序中之一微影裝置之聚焦的基板，該基板包含一目標，該目標包含： 一第一子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第一結構，該第一結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及曝光擾動之一不對稱性；及 一第二子圖案，其經組態以使用該微影程序來產生一第二結構，該第二結構具有至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該基板上該微影裝置之該聚焦及該曝光擾動之一形式，但該第二結構相比於該第一結構對該基板上該微影裝置之該聚焦有不同敏感度，且該第二結構相比於該第一結構藉由具有敏感度之一相似量值但具有相反正負號而對該微影裝置之該曝光擾動有不同敏感度。
  4. 如請求項3之基板，其中該第二子圖案經組態以產生該第二結構之至少一特徵，該至少一特徵之一輪廓具有取決於該微影裝置之曝光擾動之一不對稱性。
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