TW201731760A

TW201731760A - 具有擴散停止通道的微機械構件

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Publication number: TW201731760A
Application number: TW106101099A
Authority: TW
Inventors: 阿奇美布萊林; 法蘭克萊賢巴哈; 猶根蘭穆斯; 尤莉亞雅木托
Original assignee: 羅伯特博斯奇股份有限公司
Priority date: 2016-01-16
Filing date: 2017-01-13
Publication date: 2017-09-16
Also published as: US20170203957A1; US10029911B2; CN106976839B; DE102016200499A1; CN106976839A; TWI715705B

Abstract

本發明提出一種用於產生具有一基板且具有一蓋之一微機械組件之方法，該蓋連接至該基板且與該基板圍封一第一腔體，存在一第一壓力且具有一第一化學成分之一第一氣體混合物被圍封於該第一腔體中，其中該蓋與該基板圍封一第二腔體，存在一第二壓力且具有一第二化學成分之一第二氣體混合物被圍封於該第二腔體中，其中在一第一方法步驟中，將該第一腔體連接至該微機械組件之一周圍空間之一接取開口係形成於該基板或該蓋中，其中在一第二方法步驟中，該第一壓力及/或該第一化學成分設定於該第一腔體中，其中在一第三方法步驟中，藉由一雷射的輔助將能量或熱引入至該基板或該蓋之一吸收性部分中而封閉該接取開口，其中在一第四方法步驟中，形成經配置實質上介於該第一腔體與該第二腔體之間且意欲用於排出至少該第一氣體混合物之一第一類型之粒子及/或排出至少該第二氣體混合物之一第二類型之粒子的一凹部。

Description

具有擴散停止通道的微機械構件

本發明係基於一種根據申請專利範圍第1項之前置項的方法。

此種方法自WO 2015/120939 A1已知。若需要微機械組件之腔體中的特定內壓力，或若具有特定化學成分之氣體混合物將圍封於腔體中，則常常在微機械組件之加蓋期間或在基板晶圓與蓋晶圓之間的黏合操作期間設定內壓力或化學成分。在加蓋期間(例如將蓋連接至基板)，蓋與基板一起圍封腔體。藉由在加蓋期間設定存在於周圍空間中之大氣或壓力及/或氣體混合物的化學成分，可因此設定該腔體中之特定內壓力及/或特定化學成分。

藉由自WO 2015/120939 A1已知之方法，可特定地設定微機械組件之腔體中的內壓力。藉由此方法，尤其有可能產生具有第一腔體之微機械組件，有可能在該第一腔體中設定第一壓力及第一化學成分(其不同於加蓋時的第二壓力及第二化學成分)。

在根據WO 2015/120939 A1之用於特定設定微機械組件的腔體中之內壓力的方法之情況下，在蓋或蓋晶圓或基板或感測器晶圓中產生通至該腔體之狹窄接取通道。隨後，藉助於該接取通道，以所要氣體及所要內壓力充滿該腔體。最後，藉由使用雷射局部加熱接取通道周圍之區，且基板材料局部液化，且當其固化時密閉性地封閉接取通道。

用於設定微機械組件之腔體中之內壓力的另外方法自DE 195 37 814 AL已知。此方法意欲用於旋轉速率感測器及加速感測器之生產。由此在基板上產生大量獨立式較厚多晶功能結構，其中埋入式導體軌道及電極經配置於功能層之下。在另外過程序列中用蓋晶圓封閉以此方式產生之微機械結構。取決於應用，將合適壓力圍封於經封閉體積內。

舉例而言，在旋轉速率感測器之情況下，一極低壓力(例如，1mbar)被圍封。情況即為如此，因為在旋轉速率感測器之情況下，可移動結構中之一些由諧振驅動。在低壓之情況下，振盪可因低制振而藉由相對小電壓極輕易地激發。

另一方面，在加速感測器之情況下，無需感測器振盪，其在施加外部加速時將具可能性。因此，藉由較高內壓力操作此等感測器。舉例而言，加速感測器之內壓力為500mbar。

本發明之目標為提供一種用於以與先前技術相比簡單且低成本之方式產生與先前技術相比具機械堅固性且具有較長使用壽命之微機械組件的方法。本發明之目標亦為提供與先前技術相比緊密、具機械堅固性且具有較長使用壽命之微機械組件。根據本發明，此尤其適用於具有(第一)腔體的微機械組件。藉由根據本發明之方法及根據本發明之微機械組件，此外亦有可能實現一種其中可在該第一腔體中設定一第一壓力及一第一化學成分且可在一第二腔體中設定一第二壓力及一第二化學成分的微機械組件。此種方法意欲(例如)用於產生微機械組件，若一第一壓力圍封於一第一腔體中且一第二壓力圍封於一第二腔體中(該第一壓力意欲不同於該第二壓力)，則該方法對此有利。舉例而言，只要用於旋轉速率量測之一第一感測器單元與用於加速量測之一第二感測器單元待整合於一微機械組件中，則情況即為如此。

該目標藉由提供以下來達成--在一第四方法步驟中，形成經配置實質上介於該第一腔體與該第二腔體之間且意欲用於排出至少該第一氣體混合物之一第一類型之粒子及/或至少該第二氣體混合物之一第二類型之粒子的一凹部。

此供應提供一種用於產生一微機械組件之方法的簡單且低成本的方式，在使用該方法的情況下，該凹部尤其用於中斷該第一類型之粒子沿該第二腔體之方向自該第一腔體且至該第二腔體中的一第一擴散，及/或該第二類型之粒子沿該第一腔體之方向自該第二腔體且至該第一腔體中的一第二擴散。此有利地使得以下情況成為可能：可相比該先前技術減少或避免第一類型之粒子存在於該第二腔體中及/或第二類型之粒子存在於該第一腔體中。因此，可相比先前技術減小作為該第二類型之粒子的粒子之結果的配置於該第一腔體中之一第一感測器單元的功能性之一限制或一失效的機率，及/或作為該第一類型之粒子的粒子之結果的配置於該第二腔體中之一第二感測器單元的功能性之一限制或一失效的機率。以此方式，在使用本發明之情況下，以相比先前技術較簡單且低成本的方式提供一種用於產生相比先前技術具機械堅固性且具有較長使用壽命之一微機械組件的方法。

在使用根據本發明之方法的情況下，詳言之，有利地避免或顯著減少具有高內壓力之一腔體與具有低內壓力之一腔體之間的輕氣體(例如)自該第二腔體至該第一腔體之擴散過程。

若諸如(例如)氫分子(H2)或光輕惰性氣體(諸如，例如氦(He)及氖(Ne))在本領域中出現的溫度(諸如，例如150℃)下經由(例如)該微機械組件1或MEMS組件之氧化物層及其他層擴散，則根據本發明之該方法亦有利。舉例而言，此等氣體作為化學反應之結果出現於加蓋過程或黏合過程中。然而，此等氣體亦(例如)由於加蓋過程中出現的高溫而自該感測器晶圓或蓋晶圓擴散出。並不經由(例如)氧化物或氧化物層(諸如，例如氮分子(N2))擴散或擴散得較少的氣體被用作實例，以在該加速度感測器之該腔體中或該第二腔體中設定一高內壓力或一高第二壓力。舉例而言，出現在該加蓋過程中，或自該基板或該蓋擴散出，且可經由氧化物或氧化物層良好擴散的額外氣體相比N2僅僅占小比例。若該H2在使用期限中自該加速感測器腔體或第二腔體擴散出，例如，則該加速感測器腔體或該第二腔體中的壓力僅僅稍微發生變化。因為(例如)加速感測器在其對小壓力變化的反應中亦不靈敏，所以此不太成問題。若(例如)該H2之一部分可擴散至該旋轉速率感測器腔體或該第一腔體中，且此處(例如)作為該旋轉速率感測器之該低內壓力及對壓力變化之該高敏感性的結果而導致該旋轉速率感測器發生故障，則愈加關鍵。

若感測器之表面或感測器核心具備有機塗層，則根據本發明之該方法亦係有利的，其中該等有機塗層防止可移動結構彼此黏著，且此等有機塗層在高溫下(例如，在該黏合過程中)降級且不再完全有效。可藉由根據本發明之該方法以一簡單且低成本的方式抵消該等有機層至該腔體中之至少部分脫模，及在該MEMS元件或該微機械組件之封閉之後的因而增大之內壓力。

根據本發明，一粒子較佳地意欲被理解為意謂一原子或一組原子，諸如(例如)一分子或數個分子。結合本發明，該粒子處於聚合物的氣態、液態或固態，或為氣相、液相或固相之部分，且包含至少一個相位邊界表面，其關係為該相位邊界表面由空間圍繞。詳言之，根據本發明，一粒子意欲被理解為意謂按該微機械組件之比例很小的一主體，亦即，具有至多該微機械組件之一最大程度的一1/10程度的一主體。

根據本發明，一類型之粒子意欲被理解為意謂一粒子之一特定類型。舉例而言，得知根據本發明，該第一類型之粒子實質上對應於該第二類型之粒子。替代地，然而，舉例而言亦得知，該第一類型之粒子不同於該第二類型之粒子。根據本發明，然而得知該第一類型之粒子及該第二類型之粒子每一者不同於一第三類型之粒子。根據本發明，舉例而言得知，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子包含H2及/或一輕惰性氣體，諸如(例如)He及Ne。舉例而言，亦得知該第三類型之粒子包含N2。

根據本發明，經配置實質上介於該第一腔體與該第二腔體之間的一凹部意欲被理解為意謂該凹部按以下方式進行配置：該凹部至少部分包含一平面，該平面實質上垂直地交叉連接該第一腔體及該第二腔體之一直線。

結合本發明，術語「微機械組件」意欲被理解為意謂該術語包含微機械組件及微機電組件兩者。

本發明較佳地意欲用於一種具有兩個腔體之微機械組件的產生，且用於一種具有兩個腔體之微機械組件。然而，本發明(例如)亦意欲用於一種具有三個腔體或具有多於三個腔體(亦即，四個、五個、六個或多於六個腔體)之微機械組件。

較佳地，藉由使用一雷射將能量或熱引入至該基板或該蓋之吸收此能量或此熱的一部分而將該接取開口封閉。較佳地，此處連續地將能量或熱引入至例如一起產生於一晶圓上之數個微機械組件的該基板或該蓋之該各別吸收性部分中。然而，亦或能(例如)藉由使用數個雷射束或雷射裝置同時將能量或熱引入至數個微機械組件之該基板或該蓋的該各別吸收性部分中。

可自附屬項及參考圖式之說明得出對本發明之有利改進及發展。

根據一較佳的發展，得知該凹部至少部分形成於經配置成介於該基板與該蓋之間的一黏合層中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該黏合過程中特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該黏合層擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至該周圍空間中。

根據一較佳的發展，得知該凹部至少部分形成於經配置成介於該基板與該蓋之間的一層中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該層之構造期間特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該層擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至該周圍空間中。

根據一較佳的發展，得知該凹部至少部分形成於經配置成介於該基板與該蓋之間的另外層中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該另外層之構造期間特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該另外層擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至周圍空間中。

根據一較佳發展，得知該凹部至少部分形成於該基板及/或該蓋中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該基板及/或該蓋之構造期間特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該基板及/或該蓋擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至該周圍空間中。

本發明之另一標的物為具有一基板且具有一蓋之一微機械組件，該蓋連接至該基板且用該基板圍封一第一腔體，存在一第一壓力且具有一第一化學成分之一第一氣體混合物被圍封於該第一腔體中，其中該蓋用該基板圍封一第二腔體，存在一第二壓力且具有一第二化學成分之一第二氣體混合物被圍封於該第二腔體中，其中該基板或該蓋包含一封閉式接取開口，其中該微機械組件包含經配置實質上介於該第一腔體與該第二腔體之間且意欲用於排出至少該第一氣體混合物之一第一類型之粒子及/或至少該第二氣體混合物之一第二類型之粒子的一凹部。以此方式，有利地提供具有一經設定第一壓力及第二壓力的一緊密、具機械堅固性及低成本的微機械組件。根據本發明之方法的所陳述優點亦對應地適用於根據本發明之微機械組件。

根據一較佳的發展，得知該凹部經配置至少部分位於經配置成介於該基板與該蓋之間的一黏合層中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該黏合過程中特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該黏合層擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至該周圍空間中。

根據一較佳的發展，得知該凹部經配置至少部分位於經配置成介於該基板與該蓋之間的一層中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該層之構造期間特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該層擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至該周圍空間中。

根據一較佳的發展，得知該凹部經配置至少部分位於經配置成介於該基板與該蓋之間的另外層中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該另外層之構造期間特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該另外層擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至該周圍空間中。

根據一較佳發展，得知該凹部經配置至少部分位於該基板及/或該蓋中。此有利地使得以下情況成為可能：可在該基板及/或該蓋之構造期間特別簡單且低成本地形成該凹部。此外，以此方式有利地使得以下情況成為可能：在經由該基板及/或該蓋擴散期間，該第一類型之粒子及/或該第二類型之粒子尤其可特別簡單且有利地排出至該周圍空間中。

根據一較佳發展，得知該第一壓力比該第二壓力低，用於旋轉速率量測之一第一感測器單元配置於該第一腔體中且用於加速量測之一第二感測器單元配置於該第二腔體中。以此方式，有利地提供具有用於該第一感測器單元及用於該第二感測器單元兩者的最優操作條件之用於旋轉速率量測及加速量測的一具機械堅固性之微機械組件。

1‧‧‧微機械組件

3‧‧‧基板

5‧‧‧第一腔體

7‧‧‧蓋

9‧‧‧周圍空間/周圍區域

11‧‧‧接取開口

13‧‧‧材料區

15‧‧‧橫向區

101‧‧‧第一方法步驟

102‧‧‧第二方法步驟

103‧‧‧第三方法步驟

104‧‧‧第四方法步驟

1501‧‧‧凹部

1503‧‧‧黏合層

1505‧‧‧層

1507‧‧‧另外層

1509‧‧‧停止結構

1511‧‧‧第一感測器單元

1513‧‧‧第二感測器單元

1515‧‧‧接取孔

A‧‧‧第一類型之粒子

B‧‧‧第二類型之粒子

圖1以示意性表示展示根據本發明之作為實例給出的一具體實例之具有開放式接取開口的微機械組件。

圖2以示意性表示展示根據圖1之具有封閉式接取開口的微機械組件。

圖3以示意性表示展示用於產生根據本發明之作為實例給出的一具體實例之微機械組件的方法。

圖4以示意性表示展示自先前技術已知之微機械組件。

圖5、圖6及圖7以示意性表示展示根據本發明之藉助於作為實例給出的具體實例之微機械組件的細節。

在各種圖式中，相同部分始終具備相同標示，且因此通常在每一情況下亦僅參考或提及一次。

在圖1及圖2中，展示根據本發明之作為實例給出的一具體實例之在圖1中具有一開放式接取開口11且在圖2中具有一封閉式接取開口11的微機械組件1的示意性表示。此處，微機械組件1包含基板3及蓋7。基板3及蓋7較佳密閉性地彼此連接，且一起圍封第一腔體5。舉例而言，微機械組件1以一定方式形成，使得基板3與蓋7額外一起圍封一第二腔體。然而，該第二腔體並未在圖1或在圖2中表示。

舉例而言，第一壓力存在於第一腔體5中(詳言之，在接取開口11封閉之情況下)，如圖2中所表示。此外，具有第一化學成分之第一氣體混合物圍封於第一腔體5中。又，舉例而言，第二壓力存在於第二腔體中，且具有第二化學成分之第二氣體混合物圍封於該第二腔體中。較佳地，接取開口11配置於基板3中或蓋7中。在此處涉及之例示性具體實例的情況下，接取開口11作為實例配置於蓋7中。然而，作為對此之替代方案，亦可根據本發明得知接取開口11配置於基板3中。

舉例而言，得知第一腔體5中之第一壓力低於第二腔體中之第二壓力。舉例而言，亦得知圖1或圖2中並未表示之用於旋轉速率量測之第一微機械感測器單元配置於第一腔體5中，且圖1或圖2中並未表示之用於加速量測的第二微機械感測器單元配置於第二腔體中。

在圖3中，以示意性表示展示用於產生根據本發明之作為實例給出的一具體實例之微機械組件1的方法。此處，--在第一方法步驟101中，將第一腔體5連接至微機械組件1之周圍空間9且特定言之狹窄的接取開口11形成於基板3中或蓋7中。圖1作為實例展示第一方法步驟101之後的微機械組件1。此外，--在第二方法步驟102中，在第一腔體5中設定第一壓力及/或第一化學成分，且藉助於接取通道使第一腔體5充滿所要氣體及所要內壓力。此外，例如，--在第三方法步驟103中，藉由雷射的輔助將能量或熱引入至基板3或蓋7之一吸收性部分中而封閉接取開口11。舉例而言，亦或得知 --在第三方法步驟103中，接取通道周圍之區藉由雷射較佳地僅局部加熱，且該接取通道被密閉性地封閉。以此方式，有利地亦有可能藉由除雷射之外用於封閉接取開口11的能源來提供根據本發明之方法。圖2作為實例展示第三方法步驟103之後的微機械組件1。

在第三方法步驟103之後的時間，機械應力可發生於圖2中作為實例表示的在蓋7之背對腔體5的一表面上之橫向區15中，且發生於垂直於橫向區15在表面上之投影的深度中，即沿著微機械組件1之接取開口11且在第一腔體5之方向上。此等機械應力(特定言之，局域機械應力)尤其存在於蓋7之材料區13(其在第三方法步驟103中轉變成液態聚合且在第三方法步驟103之後轉變成固態聚合，且封閉接取開口11)與蓋7的其餘區(其在第三方法步驟103期間仍為固態聚合)之間的邊界表面之處及附近。應將蓋7之封閉接取開口11的材料區13在圖2中視為僅具示意性或經示意性地表示，尤其相對於其橫向範圍或定形(特定言之，平行於表面延伸)，且尤其相對於其垂直於該橫向範圍(特定言之，垂直於表面)延伸之範圍或組態。

在圖3中，作為實例展示第四方法步驟104，其中--在一第四方法步驟104中，形成經配置實質上介於第一腔體5與第二腔體之間且意欲用於排出至少第一氣體混合物之第一類型之粒子A及/或排出至少第二氣體混合物之一第二類型之粒子B的一凹部1501。換言之，在第四方法步驟104中，在兩個MEMS腔體之間產生通道或中空空間。此處，舉例而言，得知凹部1501至少部分形成於經配置成介於基板3與蓋7之間的黏合層1503中。此外，舉例而言，另外或替代地得知凹部1501至少部分形成於經配置成介於基板3與蓋7之間的層1505中。此外，舉例而言，另外或替代地得知凹部1501至少部分形成於經配置成介於基板3與蓋7之間的另外層1507中。最終，舉例而言，另外或替代地得知凹部1501至少部分形成於基板3及/或蓋7中。

舉例而言，得知--在第五方法步驟中，用填充材料填充凹部1501。換言之，舉例而言，得知凹部1501包含填充材料。此處，舉例而言，得知填充材料敞開以供第一類型之粒子A及/或第二類型之粒子B擴散。換言之，舉例而言，得知若通道或凹部1501得以填充，則該通道或凹部敞開以供輕氣體向外或關於周圍空間9擴散。舉例而言，得知該填充材料包含一種塑膠灌注化合物或數種塑膠灌注化合物。舉例而言，亦得知該填充材料包含一種合成樹脂，特別是，澆鑄樹脂(catsing resin)。然而，根據本發明提供對一填充材料之使用，該填充材料對有關於第一類型之粒子A及/或第二類型之粒子B的擴散開放。

在圖4中，自先前技術已知的微機械組件1以示意性表示進行展示。此處，基板3、第一腔體5、蓋7、封閉式接取開口11、固化材料區13及周圍區域9作為實例而展示。在圖4中作為實例展示之微機械組件1包含配置於第一腔體5中之第一感測器單元1511及配置於第二腔體中之第二感測器單元1513。此外，圖4作為實例展示配置於第二腔體中之第二類型之粒子B，沿第一腔體5之方向自第二腔體擴散的第二類型之粒子B，及已經擴散至第一腔體5且配置於第一腔體5中的第二類型之粒子B。另外配置於圖4中的為第三類型之粒子C，其並不沿第一腔體5之方向擴散。

在圖4中放大之表示展示基板3及蓋7。此外，圖4作為實例展示黏合層1503、層1505及另外層1507，該等黏合層1503、層1505及另外層1507經配置成介於基板3與蓋7之間，且實質上介於第一腔體5與第二腔體之間。

此外，在圖5、圖6及圖7中，根據作為本發明之實例給出的具體實例之微機械組件之細節以示意性表示進行展示。此處，在圖5、圖6及圖7中作為實例展示，微機械組件1包含經配置實質上位於第一腔體5與第二腔體之間且意欲用於排出至少第一氣體混合物之第一類型之粒子及/或至少第二氣體混合物之第二類型之粒子的凹部1501。

圖5在此處作為實例展示凹部1501經配置至少部分位於經配置成介於基板3與蓋7之間的黏合層1503中。在圖5中作為實例展示的為保護MEMS結構或第一感測器單元1511及第二感測器單元1513的蓋7或蓋晶圓。舉例而言，在第六方法步驟中，蓋7或蓋晶圓使用密封玻璃、或諸如(例如)鋁鍺(AlGe)合金或銅錫(CuSn)合金之共晶黏合連接，或藉由諸如金金(AuAu)之直接黏合過程應用於基板3。舉例而言，此處得知，凹部1503形成於黏合連接中作為槽狀中斷，其將第一腔體5與第二腔體分離，或將加速感測器與旋轉速率感測器分離，且至少在一側上延行達至晶片邊緣或實質上垂直於圖5之影像的平面，在微機械組件1之至少一側上與周圍空間9連接，或以某一其他方式與周圍空間9斷開或連接。此可例如藉由接觸表面之曝露(詳言之，蓋7之第一表面及層1505之第二表面)而發生，其伴隨著通道或凹部1501同樣被曝露。以此方式，有利地使得以下情況成為可能：可在晶片之單粒化之前已在過程中極早地形成通道或凹部1501。

舉例而言，得知，根據本發明，停止結構1509經配置於基板3與蓋7之間，且實質上位於第一腔體5與第二腔體之間。替代地，亦得知，舉例而言，兩個或三個或四個或五個或六個或超過六個停止結構1509經配置於基板3與蓋7之間，且實質上位於第一腔體5與第二腔體之間。舉例而言，得知一或多個停止結構1509經配置於基板3及/或蓋7上，或接觸基板3及/或蓋7。此在圖5中作為實例予以展示。此停止結構1509有利於(例如)變為液體或塗片或被擠出的黏合連接，此係由於可以此方式實現可靠開放式通道或可靠開放式凹部1501。此外，藉由使用一或多個停止結構1509，可實現尤其狹窄之凹部1501。

此外，舉例而言，替代地或另外亦得知，凹部1501至少部分形成於層1505中。為此目的，舉例而言，得知，為達成黏合連接中之通道或凹部1501，在最上部MEMS層或感測器晶圓上的層1505上蝕刻一溝渠。此處得知，詳言之，以黏合材料並不進入凹部1501且並不將其封閉的方式形成凹部1501。換言之，槽或凹部1501選為足夠狹窄，使得黏合材料不會穿透至槽中。

此外，舉例而言，亦得知，在層1505下部或在MEMS層之下或在層1505的面向基板3之一側上產生或形成一凹口。舉例而言，得知凹口此處(例如)形成於基板3中或另外層1507中。此處(例如)藉助於蝕刻步驟而形成該凹口。此外，舉例而言，得知在於層1505上沈積或成長之前的時間下形成該凹口。以此方式，有利地使得以下情況成為可能：取決於生產方法，凹口被描繪為在表面形貌上向上超出MEMS層或超出層 1505或沿蓋7之方向，且凹部1501因此形成於層1505的面向蓋7之一側上。此處提供，舉例而言，使用黏合過程，而用於黏合過程中之黏合材料並不能夠使表面形貌均勻，且因此凹部1501在黏合操作之後的時間保持形成為均勻的。

舉例而言，得知MEMS功能層或層1505接合至基板3上。此處，舉例而言，得知執行一直接黏合過程。舉例而言，得知層1505在蓋晶圓或蓋7應用於層1505之前的時間接合至基板3上。此處提供，舉例而言，凹部1501或通道經產生或配置於功能層或層1505下。此處得知，舉例而言，凹部形成於層1505中。換言之，舉例而言，溝渠位於基板中，及/或溝渠經蝕刻至MEMS功能層之下側中或至層1505的面向基板3之一側中。舉例而言，亦得知，基板3中之溝渠為表面形貌中(尤其直接黏合中)之最小差異。最終，舉例而言，亦得知，尤其在直接黏合中，有待黏合之兩個部件中之至少一者的預處理(尤其至少層或基板3)在介於第一腔體5與第二腔體之間或加速感測器腔體與旋轉速率感測器腔體之間的條帶中受到局部干擾，以便以此方式在不存在可同樣用作通道或執行凹部1501之功能或形成為凹部1501之連接的情況下產生條帶。

此外，圖6作為實例展示凹部1501經配置至少部分位於經配置成介於基板3與蓋7之間的黏合層1505中。此外，圖6另外作為實例展示凹部1501經配置至少部分位於經配置成介於基板3與蓋7之間的另外層1507中。此處得知，舉例而言，藉助於層1505中之接取孔1515及各向同性蝕刻步驟形成凹部1501。換言之，通道或凹部1501產生於最上部MEMS功能層之下或層1505的面向基板3之一側上。此處得知，舉例而言，首先，就時間而言，一系列或大量接取孔1515產生於最上部MEMS層中或層1505中，且此後，就時間而言，藉由各向同性蝕刻步驟(例如，藉由氟化氫(HF)氣相蝕刻)對其下的層或另外層1507、(例如)包含氧化物層之層1507進行蝕刻，直至位於MEMS層之下或另外層1507中的材料中存在連續通道或凹部1501為止。舉例而言，得知微機械組件包含一系列或大量接取孔1515。此有利地使得以下情況成為可能：MEMS層或層1505之機械穩定性僅稍微減弱，且其具有足夠的機械穩定性用於微機械組件1之功能性。替代地，舉例而言，亦得知MEMS層中產生連續通道(詳言之，在正好穿過而實質上垂直於圖6中之影像之平面行進的連續通道)。此尤其在需要特別節省重量及材料之設計，且機械穩定性足以用於微機械組件1之功能性時係有利的，不管通道正好穿過其行進。以此方式，有利地使得以下情況成為可能：可在根據本發明的用於形成通道或凹部1501之方法中使用MEMS過程之標準生產步驟。

最終，圖7作為實例展示凹部1501經配置至少部分位於基板3中。此外，舉例而言，替代或另外地亦得知，凹部1501經配置至少部分位於蓋7中。另外，舉例而言，替代或另外地亦得知，凹部1501經配置至少部分位於埋入基板3中之導體軌道中。此外，舉例而言，亦得知凹部1501經配置至少部分位於第三層中。

此外，舉例而言，亦得知根據本發明，窄溝槽在基板3或在埋入基板3中之導體軌道中，或在另外層1507或在埋入另外層1507中之導體軌道中，或在第三層或埋入第三層中之導體軌道中進行蝕刻，以此方式使得，儘管溝渠就時間而言在沈積方法步驟或遵循蝕刻步驟之生長方法步驟中生長，但作為溝渠之剖面的結果形成中空空間或凹部1501。根據本發明，舉例而言，亦得知此凹部1501藉助於數個經組合之蝕刻及沈積過程而產生或形成。

根據本發明，舉例而言，亦得知，在第四方法步驟中，形成經配置實質上位於第一腔體5與第二腔體之間且意欲用於排出至少第一氣體混合物之第一類型之粒子A及/或至少第二氣體混合物之第二類型之粒子B的其他凹部1501(詳言之，一個其他凹部或兩個其他凹部或三個其他凹部或四個其他凹部或五個其他凹部或六個其他凹部或大於六個其他凹部1501)。在圖7中，作為實例展示三個凹部1501。舉例而言，亦得知，在圖5、圖6及圖7中作為實例展示之凹部1501可以所要的任何方式彼此組合。

舉例而言，得知第二類型之粒子B包含氫分子(H2)。以此方式，將以有利的方式提供防止或可相比先前技術減少H2自MEMS腔體或自第二腔體擴散至另一MEMS腔體或至第一腔體5的方法。替代地或另外，亦(例如)得知第二類型之粒子B包含其他輕氣體。以此方式，有利地使得以下情況成為可能：例如，防止或可相比先前技術減少輕氣體自MEMS腔體或自第二腔體擴散至另一MEMS腔體或至第一腔體5。舉例而言，得知第一類型之粒子A為第一輕氣體之粒子，且第二類型之粒子B為第二輕氣體之粒子。舉例而言，得知第一輕氣體對應於第二輕氣體。亦替代地得知，第一輕氣體不同於第二輕氣體。

此外，舉例而言，得知微機械組件1包含第二接取開口，其連接凹部1501與周圍空間9。舉例而言，另外得知，微機械組件1包含第三接取開口，其連接凹部1501與周圍空間9。舉例而言，得知第二接取開口及/或第三接取開口形成為實質上垂直於圖5、圖6及圖7之影像的平面。在凹部1501與周圍空間9之間的連接中，以下情況係有利的：諸如(例如)H2、He及Ne之輕氣體對空氣的分壓極低，且因此(例如)自加速感測器腔體或第二腔體擴散出而進入通道或凹部1501中的氣體朝外或沿周圍空間9之方向排出。以此方式，有利地達成氣體並不更進一步擴散至旋轉速率感測器腔體或第一腔體5中。

最終，舉例而言，得知，在第四方法步驟104中，經配置實質上介於第一腔體5與第二腔體之間的凹部在晶圓之數個微機械組件1彼此分隔開之前分別形成於微機械組件1中。然而，亦得知(例如)晶圓之數個微機械組件1首先彼此分隔開，且隨後在第四方法步驟104中，經配置實質上介於第一腔體5與第二腔體之間的凹部分別形成於數個微機械組件1中。