TW201731188A - 雷射加工裝置 - Google Patents

雷射加工裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201731188A
TW201731188A TW105140307A TW105140307A TW201731188A TW 201731188 A TW201731188 A TW 201731188A TW 105140307 A TW105140307 A TW 105140307A TW 105140307 A TW105140307 A TW 105140307A TW 201731188 A TW201731188 A TW 201731188A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dielectric film
laser
processing apparatus
laser processing
substrate
Prior art date
Application number
TW105140307A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI618323B (zh
Inventor
Masaya Suwa
Junki Sakamoto
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Publication of TW201731188A publication Critical patent/TW201731188A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI618323B publication Critical patent/TWI618323B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/142—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

雷射加工裝置包括：介電薄膜12，形成於基板11的表面；藍色半導體雷射器3，波長為400 nm頻帶；半導體雷射器驅動部4，藉由對所述藍色半導體雷射器3進行驅動而使所述藍色半導體雷射器3產生連續波的雷射光；以及照射部21、照射部22，將藉由所述藍色半導體雷射器3而產生的連續波的雷射光照射至所述介電薄膜12的加工對象部位。

Description

雷射加工裝置
本發明是有關於一種藉由雷射來加工用作電子元件的保護膜或太陽電池的抗反射膜的介電薄膜的雷射加工裝置。
在電子元件中，當不存在由介電薄膜形成的保護膜時，動作會變得非常不穩定。因此，將由介電薄膜形成的保護膜塗佈在電子元件上。
又，在太陽電池等中藉由將介電薄膜用作抗反射膜，即使在基板側的折射率高的情況下亦可降低反射率。因此，需要在電子元件或太陽電池中形成介電薄膜。形成於基板的上部或下部的介電薄膜為絕緣體，故而無法將電極與基板加以電性連接。因此，需要對介電薄膜進行加工而加以去除，將基板與電極加以接合。
先前，作為對介電薄膜進行加工的方法，是使用蝕刻（etching）等，但藉由所述方法會耗費時間，無法對介電薄膜進行精密加工。因此，藉由雷射來對介電薄膜進行加工。 [現有技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻1]G.普蘭等人（G. Poulain et al.）/能量能源（Energy Procedia）27（2012）516-521 [非專利文獻2]Prog. Photovolt：Res. Appl/2009；17：127-136
[發明所欲解決的課題] 然而，光纖雷射（fiber laser）或CO2 雷射等的振盪波長為數十微米（μm）的比較長的波長，從而雷射光會透過介電薄膜而抵達至基板。因此，因雷射照射而產生的熱的影響會導致基板出現裂紋，使得基板破裂。
又，在雷射為短波長的紫外光（ultraviolet，UV）雷射，介電薄膜例如為氮化矽的情況下，若波長為300 nm頻帶，則折射率增大，故而反射率升高。因此，需要增大照射功率，或者無法對介電薄膜進行雷射加工。
又，在所述雷射加工中，通常輸入脈衝光（pulse light）。但是，脈衝光的最大輸出大於連續波（continuous wave，CW）光，故而基板容易破裂。因此，業界期望開發出能夠僅對介電薄膜進行雷射加工的雷射加工裝置。
本發明的課題在於提供一種可不使基板破裂，而僅對介電薄膜進行雷射加工的雷射加工裝置。 [解決課題的手段]
為了解決所述課題，本發明的雷射加工裝置包括：介電薄膜，形成於基板的表面；藍色半導體雷射器（blue semiconductor laser），波長為400 nm頻帶；半導體雷射器驅動部，藉由對所述藍色半導體雷射器進行驅動而使所述藍色半導體雷射器產生連續波的雷射光；以及照射部，將藉由所述藍色半導體雷射器而產生的連續波的雷射光照射至所述介電薄膜的加工對象部位。 [發明的效果]
根據本發明，當使用波長為400 nm頻帶的藍色半導體雷射器，半導體雷射器驅動部對藍色半導體雷射器進行驅動時，藍色半導體雷射器產生連續波的雷射光，照射部將連續波的雷射光照射至介電薄膜的加工對象部位。於是，連續波的雷射光在介電薄膜中進行多重反射，將高能量的雷射光封閉在介電薄膜內。
由此，在介電薄膜中產生高能量的雷射光的吸收，從而可去除介電薄膜。因此，可不使基板破裂，而藉由雷射對介電薄膜進行加工。
實施例1
以下，一面參照圖式，一面對本發明的實施形態的雷射加工裝置進行詳細說明。圖1是本發明的實施例1的雷射加工裝置的構成方塊圖。
雷射加工裝置包括照射雷射的對象部1、對對象部1照射雷射的雷射照射部2、藍色半導體雷射二極體（laser diode）（以下稱作藍色LD）3、雷射二極體驅動器（以下稱作LD驅動器）4、個人電腦（personal computer）（以下稱作PC）6、XYZ馬達控制器（motor controller）7、X馬達驅動器8a、Y馬達驅動器8b、Z馬達驅動器8c及惰性氣體9。
在對象部1中，設置有基板11、形成於所述基板11的上部的表面上的介電薄膜12、以及與基板11接觸或配置在基板11的附近而對基板11進行加熱的加熱器（heater）13。作為介電薄膜12，可使用氮化矽、二氧化矽、二氧化鈦等。
圖2（a）～圖2（c）是表示本發明的實施例1的雷射加工裝置中的介電薄膜的藉由雷射加工的去除處理的圖。圖2（a）表示基板11及介電薄膜12。圖2（b）表示藉由圖1所示的雷射照射部2，對介電薄膜12進行雷射加工，而在介電薄膜12上形成有溝槽14的狀態。圖2（c）表示在形成於介電薄膜12上的溝槽14內埋入有電極15的狀態。
圖3是表示本發明的實施例1的雷射加工裝置中的介電薄膜12中所使用的氮化矽的對波長的折射率的圖。如圖3所示，隨著波長變短，氮化矽等的介電薄膜12的折射率增大，相對於透過，反射及吸收的比例增大。
在波長為300 nm頻帶的UV雷射中，如在現有技術中所說明，折射率增大，反射率升高，從而需要增大照射功率。因此，在本申請案發明中，藉由使用波長大於300 nm頻帶的波長為400 nm頻帶的藍色LD 3，來進一步減小反射率而進一步增大吸收。藍色LD 3輸出波長為400 nm頻帶且10 W左右的連續波（CW）的高亮度的藍色光。作為藍色LD 3的波長，例如可使用405 nm、450 nm，芯徑（core diameter）例如為100 μm。
藍色LD 3的輸出光經未圖示的聚光透鏡聚光，而輸出至光纖21。
LD驅動器4對應於本發明的半導體雷射器驅動部，藉由對藍色LD 3進行驅動而使藍色LD 3產生CW的雷射光。
雷射照射部2包括光纖21、光學系統22、噴嘴23、電荷耦合元件（Charge Coupled Device，CCD）相機24及XYZ平台（stage）25。
光纖21將來自藍色LD 3的CW的雷射光導入至光學系統22。光學系統22包含聚光透鏡等，使來自光纖21的CW的雷射光聚集，照射至介電薄膜12的加工對象部位而對介電薄膜12進行加工。光纖21、光學系統22對應於本發明的照射部。
惰性氣體9包括氬氣、氮氣等。噴嘴23對應於本發明的氣體噴射部，在雷射照射時，對介電薄膜12噴射惰性氣體9。
PC 6包括未圖示的鍵盤或鼠標等輸入操作部、中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）及記憶體，藉由對輸入操作部進行操作，而輸入用以使XYZ平台25以規定的速度移動的速度資訊、以及XYZ平台25的XYZ方向移動指令，並輸出至XYZ馬達控制器7。
XYZ馬達控制器7將來自PC 6的速度資訊、XYZ方向移動指令輸出至X馬達驅動器8a、Y馬達驅動器8b、Z馬達驅動器8c。XYZ平台25載置光纖21、光學系統22、噴嘴23及CCD相機24。
X馬達驅動器8a根據來自XYZ馬達控制器7的速度資訊及XYZ方向移動指令，使XYZ平台25沿X方向以規定的速度移動。Y馬達驅動器8b根據來自XYZ馬達控制器7的速度資訊及XYZ方向移動指令，使XYZ平台25沿Y方向以規定的速度移動。Z馬達驅動器8c根據來自XYZ馬達控制器7的速度資訊及XYZ方向移動指令使XYZ平台25以規定的速度沿Z方向移動。此處，所謂規定的速度，是指例如3000 mm/min以下的速度。
即，搭載有光纖21、光學系統22、噴嘴23及CCD相機24的XYZ平台25沿XYZ方向以規定的速度移動，藉此自光纖21對介電薄膜12掃描藍色LD 3的雷射光，從而對介電薄膜12的照射對象部位進行雷射加工。
CCD相機24對包含照射雷射的介電薄膜12的對象部1進行拍攝。
在雷射加工中，藉由利用雷射照射部2對介電薄膜12的照射對象部位施加由雷射產生的熱，來對介電薄膜12進行加工。但是，當介電薄膜12的溫度與基板11的溫度的溫差大時，介電薄膜12會破裂。
因此，配置在基板11的下部的加熱器13將基板11加熱至300℃以下左右，藉此減小介電薄膜12的溫度與基板11的溫度的溫差，從而防止介電薄膜12的破裂。
又，藉由自噴嘴23噴射（噴出）惰性氣體9，能夠緩和對介電薄膜12的急遽加熱，可防止介電薄膜12的破裂或基板11的破裂，且可吹走殘渣。
其次，一邊參照圖4，一邊對介電薄膜12的去除處理進行說明。此處，將所入射的雷射光的波長設為λ，將介電薄膜12的折射率設為n1 ，將厚度設為d。由於基板11的折射率n2 大於介電薄膜12的折射率n1 ，故而雷射光的透過量少的藍色光在基板11的表面上產生反射。
但是，當介電薄膜12的厚度d與入射光的波長λ滿足d＝mλ/2（m為模數（mode number））的條件時，產生入射光與反射光的電場的重合。因此，光在介電薄膜12內進行多重反射。可認為藍色光對介電薄膜12的厚度d滿足所述條件。
藉由將高能量的雷射光封閉於介電薄膜12內，而在介電薄膜12中產生高能量的雷射光的吸收，從而可去除介電薄膜12。
又，如圖4所示，當雷射光自空氣16垂直入射至介電薄膜12時，此時的表面反射率Rref由式（1）得出。 Rref＝｛（nair －n1 ）/（nair ＋n1 ）｝2 …（1） 此處，nair 為空氣16的折射率，n1 為介電薄膜12的折射率。
nair 為1，故而上式變為以下的式（2）。 Rref＝｛（1－n1 ）/（1＋n1 ）｝2 …（2） 如由式（2）亦可知，表面反射率Rref成為折射率n1 的函數。因此，若折射率n1 大，則表面反射增大。
如上所述，根據實施例1的雷射加工裝置，當使用波長為400 nm頻帶的藍色LD 3，LD驅動器4對藍色LD 3進行驅動時，藍色LD 3產生CW的雷射光，光纖21及光學系統（透鏡）22將CW的雷射光照射至介電薄膜12的加工對象部位。
於是，連續波的雷射光在介電薄膜12中進行多重反射，將高能量的雷射光封閉於介電薄膜12內。
由此，在介電薄膜12中產生高能量的雷射光的吸收，從而可去除介電薄膜12。因此，可不使基板11破裂，而藉由雷射對介電薄膜12進行加工。
又，藉由XYZ平台25沿XYZ方向以規定的速度移動，而自光纖21對介電薄膜12掃描藍色LD 3的雷射光，從而進行介電薄膜12的雷射加工。由此，如圖2（b）所示，可在介電薄膜12上形成溝槽14。
再者，本發明並不限定於實施例1的雷射加工裝置。在實施例1的雷射加工裝置中，藉由使XYZ平台25相對於對象部1以規定的速度移動，來對介電薄膜12進行雷射加工。
例如，即便使對象部1相對於XYZ平台25以規定的速度移動，亦可對介電薄膜12進行雷射加工。在此情況下，只要在對象部1側設置PC 6、XYZ馬達控制器7、X馬達驅動器8a、Y馬達驅動器8b、Z馬達驅動器8c即可。 [產業上的可利用性]
本發明的雷射加工裝置可應用於電子元件或太陽電池等。
1‧‧‧對象部 2‧‧‧雷射照射部 3‧‧‧藍色半導體雷射二極體（藍色LD） 4‧‧‧雷射二極體驅動器（LD驅動器） 6‧‧‧個人電腦（PC） 7‧‧‧XYZ馬達控制器 8a‧‧‧X馬達驅動器 8b‧‧‧Y馬達驅動器 8c‧‧‧Z馬達驅動器 9‧‧‧惰性氣體 11‧‧‧基板 12‧‧‧介電薄膜 13‧‧‧加熱器 14‧‧‧溝槽 15‧‧‧電極 16‧‧‧空氣 21‧‧‧光纖 22‧‧‧光學系統（光學系統透鏡） 23‧‧‧噴嘴 24‧‧‧CCD相機 25‧‧‧XYZ平台 d‧‧‧介電薄膜的厚度 n1‧‧‧介電薄膜的折射率 n2‧‧‧基板的折射率 nair‧‧‧空氣的折射率
圖1是本發明的實施例1的雷射加工裝置的構成方塊圖。 圖2（a）～圖2（c）是表示本發明的實施例1的雷射加工裝置中的介電薄膜的藉由雷射加工的去除處理的圖。 圖3是表示本發明的實施例1的雷射加工裝置中的介電薄膜中所使用的氮化矽的對波長的折射率的圖。 圖4是用以說明本發明的實施例1的雷射加工裝置中的介電薄膜的去除的圖。
1‧‧‧對象部
2‧‧‧雷射照射部
3‧‧‧藍色半導體雷射二極體(藍色LD)
4‧‧‧雷射二極體驅動器(LD驅動器)
6‧‧‧個人電腦(PC)
7‧‧‧XYZ馬達控制器
8a‧‧‧X馬達驅動器
8b‧‧‧Y馬達驅動器
8c‧‧‧Z馬達驅動器
9‧‧‧惰性氣體
11‧‧‧基板
12‧‧‧介電薄膜
13‧‧‧加熱器
21‧‧‧光纖
22‧‧‧光學系統(光學系統透鏡)
23‧‧‧噴嘴
24‧‧‧CCD相機
25‧‧‧XYZ平台

Claims (7)

  1. 一種雷射加工裝置，包括： 介電薄膜，形成於基板的表面； 藍色半導體雷射器，波長為400 nm頻帶； 半導體雷射器驅動部，藉由對所述藍色半導體雷射器進行驅動而使所述藍色半導體雷射器產生連續波的雷射光；以及 照射部，將藉由所述藍色半導體雷射器而產生的連續波的雷射光照射至所述介電薄膜的加工對象部位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射加工裝置，其包括：移動機構部，使所述照射部相對於所述介電薄膜以規定的速度移動，或使所述介電薄膜相對於所述照射部以規定的速度移動。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的雷射加工裝置，其包括：氣體噴射部，在雷射照射時，對所述介電薄膜噴射惰性氣體。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的雷射加工裝置，其包括：加熱部，與所述基板接觸或配置在所述基板的附近，對所述基板進行加熱。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的雷射加工裝置，其中所述介電薄膜包含氮化矽。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的雷射加工裝置，其中所述介電薄膜包含二氧化矽。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的雷射加工裝置，其中所述介電薄膜包含二氧化鈦。
TW105140307A 2016-02-25 2016-12-07 Laser processing device TWI618323B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/055642 WO2017145330A1 (ja) 2016-02-25 2016-02-25 レーザ加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201731188A true TW201731188A (zh) 2017-09-01
TWI618323B TWI618323B (zh) 2018-03-11

Family

ID=59684951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105140307A TWI618323B (zh) 2016-02-25 2016-12-07 Laser processing device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190047090A1 (zh)
JP (1) JPWO2017145330A1 (zh)
CN (1) CN108698171A (zh)
TW (1) TWI618323B (zh)
WO (1) WO2017145330A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7157450B2 (ja) * 2019-03-14 2022-10-20 マイクロエッヂプロセス株式会社 レーザ加工装置
JP7398650B2 (ja) * 2020-01-28 2023-12-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザー加工装置、及びレーザー加工装置の出力制御装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6020247A (en) * 1996-08-05 2000-02-01 Texas Instruments Incorporated Method for thin film deposition on single-crystal semiconductor substrates
JPH10323779A (ja) * 1997-03-25 1998-12-08 Hitachi Cable Ltd Ｓｉ基板の切断方法
JP4613373B2 (ja) * 1999-07-19 2011-01-19 ソニー株式会社 Ｉｉｉ族ナイトライド化合物半導体薄膜の形成方法および半導体素子の製造方法
JP4595207B2 (ja) * 2001-01-29 2010-12-08 パナソニック株式会社 窒化物半導体基板の製造方法
JP2003088982A (ja) * 2002-03-29 2003-03-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2005043770A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Sun Tec Kk 空間光変調器、光記録方法および光記録装置
CN100463102C (zh) * 2004-11-23 2009-02-18 北京大学 GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法
US7695985B2 (en) * 2004-12-24 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light exposure apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the same
DE102007021820A1 (de) * 2007-05-07 2008-11-13 Chemische Fabrik Budenheim Kg Laserpigmente für Keramiken
EP2086014B1 (en) * 2008-02-01 2012-12-26 Ricoh Company, Ltd. Method for producing conductive oxide-deposited substrate and MIS laminated structure
CN105023973A (zh) * 2009-04-21 2015-11-04 泰特拉桑有限公司 形成太阳能电池中的结构的方法
CN101882578B (zh) * 2009-05-08 2014-03-12 东莞市中镓半导体科技有限公司 固体激光剥离和切割一体化设备
CN103003928A (zh) * 2011-06-02 2013-03-27 松下电器产业株式会社 薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置
JP2013233556A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Product Support:Kk レーザー加工装置
US9183971B1 (en) * 2014-04-28 2015-11-10 National Tsing Hua University Layer by layer removal of graphene layers

Also Published As

Publication number Publication date
TWI618323B (zh) 2018-03-11
CN108698171A (zh) 2018-10-23
JPWO2017145330A1 (ja) 2019-01-31
WO2017145330A1 (ja) 2017-08-31
US20190047090A1 (en) 2019-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210316400A1 (en) Laser processing apparatus, methods of laser-processing workpieces and related arrangements
JP5894205B2 (ja) レーザベースの材料加工方法及びシステム
JP6585120B2 (ja) 透明材料の内部でレーザーフィラメンテーションを実行するシステム
US8847104B2 (en) Wafer cutting method and a system thereof
CN108431949B (zh) 用于半导体模具的处理器粘合与剥离
US8658937B2 (en) Method and apparatus for processing substrate edges
JP5967405B2 (ja) レーザによる割断方法、及びレーザ割断装置
TW201244861A (en) Methods and systems for laser processing a workpiece using a plurality of tailored laser pulse shapes
US8735772B2 (en) Method and apparatus for improved laser scribing of opto-electric devices
US20110147350A1 (en) Modular apparatus for wafer edge processing
JP2015511572A (ja) 強化ガラスの分離のための方法及び装置並びにこれにより生成された製品
TW201531361A (zh) 藉由叢發超快雷射脈衝之絲化雷射加工矽之方法及裝置
JP2010082645A (ja) レーザスクライブ方法及びレーザスクライブ装置
TWI618323B (zh) Laser processing device
KR20120116948A (ko) 일련의 레이저 펄스를 사용하여 박막에 라인을 스크라이빙하는 방법 및 장치
US20170100801A1 (en) Laser surface preparation of coated substrate
JP2010274328A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR20190025721A (ko) 작업물을 레이저 가공하는 레이저 가공 장치 및 방법
WO2012092184A2 (en) Methods and systems for link processing using laser pulses with optimized temporal power profiles and polarizations
JP5584560B2 (ja) レーザスクライブ方法
JP5361916B2 (ja) レーザスクライブ方法
JP5560096B2 (ja) レーザ加工方法
TW201244137A (en) Method and apparatus to scribe thin film layers of cadmium telluride solar cells
US10672603B2 (en) System and method for removing dielectric material
KR20100013624A (ko) 보조 가스를 이용한 레이저 가공 방법