TW201728911A - 半導體結構及其操作方法 - Google Patents

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陳世欣
李仁豪
黃鼎盛
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

本揭露實施例提供一種積體電路(IC)及一種用於操作該IC之方法。該IC包括一受測裝置及一第一加熱器。該第一加熱器定位於該裝置之一第一側處且提供熱量來控制該裝置之一溫度。該第一加熱器包括一半導體裝置，其具有一第一摻雜區域及具有與該第一摻雜區域之導電類型相反之一導電類型之一第二摻雜區域，該第一摻雜區域與該第二摻雜區域界接。

Description

半導體結構及其操作方法
本揭露實施例大體上係關於一種半導體結構，且更特定言之，本揭露實施例係關於一種用於提供熱量之半導體結構。
半導體積體電路(IC)產業經歷了快速增長。IC材料及設計之技術進步已產生多代IC，其中各代具有比前代小且複雜之電路。然而，此等進步增加了處理及製造IC之複雜性且需要同步發展IC處理及製造來實現此等進步。在積體電路演進之過程中，將準確控制在(例如)一可靠性測試期間提供給一受測裝置(DUT)之溫度來實現測試之目的。
在一些實施例中，一熱晶圓卡盤可用於加熱DUT。然而，熱晶圓卡盤無法在一有效時段內加熱DUT。與熱晶圓卡盤相比，可藉由控制施加至FinFET之功率來快速調整FinFET之溫度以依一更有效且更可靠之方式將DUT加熱至一預定溫度。在一些實施例中，一多晶矽加熱器可用於加熱DUT。然而，多晶矽加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度不如本文中所描述之一半導體裝置加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度。流動通過多晶矽加熱器之電流將不可避免地劣化材料結構完整性。然而，在本揭露中，電流流動通過FinFET之一金屬閘極、(例如)一MOS裝置之一通道或一p-n接面，因此，不會對本文中所提出之半導體裝置加熱器造成結構損壞。可預期一較長加熱器壽命。此外，一半導體裝置之自加熱特性及外加功率與由自加熱特性產生之熱量之間之相關性可用於準確控制DUT之溫度。與多晶矽加熱器相比，FinFET歸因於其結構限制而更穩定可靠。另外，使用FinFET作為一加熱器完全匹配FinFET CMOS製程且無額外工作量，其將減少製造成本。 本揭露之一實施例提供一種積體電路(IC)。該IC包括一受測裝置及一第一加熱器。該第一加熱器定位於該裝置之一第一側處且提供熱量來控制該裝置之一溫度。該第一加熱器包括一半導體裝置，其具有一第一摻雜區域及具有與該第一摻雜區域之導電類型相反之一導電類型之一第二摻雜區域，該第一摻雜區域與該第二摻雜區域界接。 本揭露之一實施例提供一種半導體裝置。該半導體裝置包括一受測裝置及一第一組FinFET。該第一組FinFET定位於該裝置之一第一側處來加熱該裝置。藉由施加至各FinFET之一功率來控制由該第一組FinFET產生之熱量。 本揭露之一實施例提供一種用於控制一裝置之一溫度之方法。該方法包括：提供該裝置；及將一第一組FinFET配置於該裝置之一第一側處來加熱該裝置，其中藉由施加至各FinFET之一功率來控制由該第一組FinFET產生之熱量。
以下揭示內容提供用於實施本揭露之不同特徵之諸多不同實施例或實例。下文將描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且不意在限制。例如，在以下描述中，在一第二構件上方或一第二構件上形成一第一構件可包含其中形成直接接觸之該第一構件及該第二構件之實施例，且亦可包含其中可形成介於該第一構件與該第二構件之間之額外構件使得該第一構件與該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係為了簡化及清楚且其本身不指示所討論之各種實施例及/或組態之間之一關係。 此外，空間相對術語(諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」「上」及其類似者)在本文中可用於使描述一元件或構件與另外元件或構件之關係之描述較容易，如圖中所繪示。空間相對術語除涵蓋圖中所描繪之定向之外，亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。可以其他方式(旋轉90度或依其他定向)定向設備且亦可相應地解譯本文中所使用之空間相對描述詞。 下文將詳細討論實施例之製造及使用。然而，應瞭解，本揭露提供可實施於各種特定情境中之諸多適用發明概念。所討論之特定實施例僅繪示製造及使用本揭露之特定方式，且不限制本揭露之範疇。 參考圖式，圖1A係繪示根據本揭露之一實施例之一積體電路(IC) 1的一示意圖。IC 1包含一受測裝置(DUT) 10、一加熱器11及一導熱襯墊12。 DUT 10整合於IC 1中。在一些實施例中，DUT 10可為任何種類之半導體裝置，諸如一金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、一雙載子接面電晶體(BJT)、一多閘極非平面場效電晶體(例如鰭式場效電晶體(FinFET))、一電容器、一電阻器、一電感器或其等之組合。在不同溫度下測試DUT 10之特性(諸如電流、電壓、可靠性、耐久性、回應時間及其類似者)。 加熱器11定位於DUT 10之一側處。加熱器11用於加熱DUT 10。IC 1可包含用於偵測DUT 10之溫度之一感測器(圖式中未展示)。可藉由控制加熱器11來調整DUT 10之溫度。在一些實施例中，可基於設計要求來將加熱器11定位於DUT 10之更多側處或DUT 10周圍以均勻加熱DUT 10。 加熱器11包含複數個FinFET 11A。如圖1A中所展示，加熱器11包含各具有6個FinFET之3列FinFET組。可基於設計要求來改變FinFET之數目或配置。在一些實施例中，加熱器11可包含二極體、MOSFET、BJT或其等之組合。由FinFET產生之熱量取決於施加至FinFET之功率(諸如電壓或電流)而變動。在一些實施例中，由FinFET提供之熱量實質上與施加至FinFET之功率成比例。施加至FinFET之功率越大，由FinFET產生之熱量將越多。在一些實施例中，對DUT 10之測試操作可包含以下步驟：(i)將一功率施加至FinFET以產生熱量來加熱DUT 10；(ii)由感測器檢查DUT 10是否在一預定溫度下操作；(iii)若DUT 10在一預定溫度下操作，則維持施加至FinFET之功率，否則，調整施加至FinFET之功率以改變DUT 10之溫度，直至DUT 10在預定溫度下操作；(iv)在預定溫度下量測DUT 20之特性；及(v)重複操作(i)至(iv)以在不同預定溫度下量測DUT 20之特性。 在一些實施例中，可由整合於IC 1中之一控制電路(圖式中未展示)控制施加至FinFET之功率。控制電路連接至感測器且接收有關DUT 10之溫度之資訊。接著，控制電路基於自感測器接收之資訊來調整施加至FinFET之功率。在一些實施例中，可由IC 1外部之一控制電路控制施加至FinFET之功率。 導熱襯墊12定位於加熱器11及DUT 10上方。導熱襯墊12用於將由加熱器11產生之熱量傳輸至DUT 10。導熱襯墊12由諸如金屬、合金或其他適合材料之任何導熱材料製成。在一些實施例中，可透過導熱襯墊12來將由加熱器11產生之熱量自加熱器11直接傳遞至DUT 10。由於導熱襯墊12具有比加熱器11與DUT 10之間之介電層或空氣高之傳熱係數，所以導熱襯墊12可促進傳熱，使得可更均勻快速地加熱DUT 10。即使DUT 10遠離加熱器11，但允許藉由使用導熱襯墊12來將由加熱器11產生之熱量更有效地傳遞至DUT 10。 圖1B繪示根據本揭露之一些實施例之圖1A中所展示之FinFET 11A之詳細結構。FinFET 11A包含一基板101、一鰭片結構102、一閘極結構103、一高介電係數介電層104、介電側壁105a及105b、一層間介電(ILD)層106及隔離構件107。 基板101係對半導體結構100提供支撐之一下伏層。基板101可為一塊矽基板、磊晶矽基板、矽鍺基板、碳化矽基板或其他III-V族複合基板。 鰭片結構102經形成為自基板101突出之一薄平面結構且沿一第一方向(圖1B中之x方向)延伸且可由相同於基板101之材料形成。鰭片結構102可包含一源極區域、一汲極區域及一通道區域(圖中未展示)。源極區域及汲極區域由被閘極結構103環繞之通道區域分離。閘極結構103之寬度(沿圖1B中之x方向量測)判定半導體結構100之有效通道長度。環繞式閘極結構103提供一較佳電控制且因此有助於減小洩漏電流及克服其他短通道效應。 安置於鰭片結構102之兩側上之隔離構件107可為可防止相鄰鰭片結構102 (或相鄰半導體結構100)之間之電流洩漏之淺溝槽隔離(STI)構件。可藉由以下步驟來形成隔離構件107：蝕刻基板101中之溝槽之一圖案；沉積一或多個介電材料(諸如二氧化矽)來填充溝槽；及移除過量介電質以藉此暴露鰭片結構102之頂部。可藉由濕式或乾式熱氧化、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、高密度電漿CVD (HDPCVD)、其他適合方法及/或其等之組合來形成隔離構件107。在一實施例中，隔離構件107可由二氧化矽形成。隔離構件107可具有一多層結構，例如一熱氧化物襯層及形成於該襯層上方之氧化矽或氮化矽。 閘極結構(閘極電極) 103經配置於隔離構件107上以跨立於鰭片結構102上且沿實質上垂直於第一方向(鰭片結構102沿其延伸)(圖1B中之x方向)之一第二方向(圖1B中之y方向)延續。閘極結構103可由任何適合閘極電極材料形成。在一例示性實施例中，閘極結構103可為由諸如(但不限於)銅、釕、鈀、鉑、鈷、鎳、氧化釕、鎢、鋁、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、鉿、鋯、金屬碳化物或導電金屬氧化物形成之一金屬閘極電極。亦應瞭解，閘極結構103無需為一單一材料，而是可包含薄膜之一複合堆疊。 高介電係數介電層104安置於鰭片結構102與閘極結構103之間且安置於隔離構件107與閘極結構103之間。高介電係數介電層104可由任何閘極介電材料形成。在一實施例中，高介電係數介電層104包含二氧化矽、氮氧化矽或氮化矽介電層。高介電係數介電層104之厚度可為約5 Å至約20 Å之間。高介電係數介電層104可具有大於約7.0之一介電係數值，且可包含Hf、Al、Zr、La、Mg、Ba、Ti、Pb及其等之組合之氧化物或矽酸鹽。高介電係數介電層104之例示性材料包含MgOx 、BaTix Oy 、BaSrx Tiy Oz 、PbTix Oy 、PbZrx Tiy Oz 及其類似者，其中X、Y及Z值介於0至1之間。可藉由分子束沉積(MBD)、原子層沉積(ALD)、物理氣相沉積(PVD)及其類似者來形成高介電係數介電層104。 ILD層106用於電分離且特徵化低介電係數k以使電容性耦合最小化。可藉由化學氣相沉積(CVD)、高密度電漿CVD (HDP-CVD)、旋塗沉積、物理氣相沉積(PVD或濺鍍)或其他適合方法來形成ILD層106。ILD層106可包含氧化矽、氮氧化矽、低介電係數材料及/或其他適合介電質。ILD層106可形成於閘極結構103及鰭片結構102上及閘極結構103及鰭片結構102周圍。 根據本揭露之一實施例，閘極結構103包含一第一分段103a及一第二分段103b。第二分段103b位於第一分段103a上方且藉由第一分段103a來與下伏鰭片結構102及隔離構件107分離。可使用相同材料或製程來形成閘極結構103之第一分段103a及第二分段103b。在一實施例中，第一分段103a夾置於介電側壁105a之間且第二分段103b夾置於介電側壁105b之間。在一實施例中，介電側壁105a可為摻雜有III族或V族元素之氧化矽側壁(III族元素/摻雜物可包含砷(As)、磷(P)或銻(Sb)，而III族摻雜物可包含硼(B))。介電側壁105a中之III族或V族元素之濃度在每立方厘米約1E19個原子至每立方厘米約1E22個原子之範圍內。在一實施例中，介電側壁105b可為摻雜有碳或氮之氧化矽側壁，碳或氮具有在每立方厘米約5E18個原子至每立方厘米約1E21個原子之範圍內之一濃度。 在一些實施例中，在對圖1A中之DUT 10之測試操作期間，將一第一電壓施加至FinFET 11A之源極區域，將一第二電壓施加至FinFET 11A之基板。換言之，FinFET之閘極區域係打開的。替代地，在對圖1A中之DUT 10之測試操作期間，將一第一電壓施加至FinFET 11A之汲極區域且將一第二電壓施加至FinFET 11A之閘極區域。電流將自汲極區域透過通道區域而流動至源極區域來產生熱量。另外，可藉由FinFET 11A之p-n接面(諸如源極/汲極區域與基板之間之接面)之間之電壓差來產生熱量。 在一些實施例中，一熱晶圓卡盤可用於加熱DUT。然而，熱晶圓卡盤無法在一有效時段內加熱DUT。與熱晶圓卡盤相比，可藉由控制施加至FinFET之功率來快速調整FinFET之溫度以依一更有效且更可靠之方式將DUT加熱至一預定溫度。在一些實施例中，一多晶矽加熱器可用於加熱DUT。然而，多晶矽加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度不如本文中所描述之一半導體裝置加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度。流動通過多晶矽加熱器之電流將不可避免地劣化材料結構完整性。然而，在本揭露中，電流流動通過FinFET之一金屬閘極、(例如)一MOS裝置之一通道或一p-n接面，因此，不會對本文中所提出之半導體裝置加熱器造成結構損壞。可預期一較長加熱器壽命。此外，一半導體裝置之自加熱特性及外加功率與由自加熱特性產生之熱量之間之相關性可用於準確控制DUT之溫度。與多晶矽加熱器相比，FinFET歸因於其結構限制而更穩定可靠。另外，使用FinFET作為一加熱器完全匹配FinFET CMOS製程且無額外工作量，其將減少製造成本。 參考圖式，圖2係繪示根據本揭露之一實施例之一IC 2的一示意圖。IC 2包含一DUT 20及加熱器21、22、23、24。 DUT 20整合於IC 2中。在一些實施例中，DUT 20可為任何種類之半導體裝置，諸如一MOSFET、一BJT、一FinFET、一電容器、一電阻器、一電感器或其等之組合。在不同溫度下測試DUT 20之特性(諸如電流、電壓、可靠性、耐久性、回應時間及其類似者)。IC 2可包含用於偵測DUT 20之溫度之一感測器(圖式中未展示)。 加熱器21、22、23及24定位於DUT 20之四側處以包圍DUT 20。加熱器21、22、23及24用於加熱DUT 20。可藉由控制加熱器21、22、23、24來調整DUT 20之溫度。可藉由將加熱器21、22、23及24配置成包圍DUT 20來均勻加熱DUT 20。 各加熱器21、22、23、24包含複數個FinFET 21A。如圖2中所展示，各加熱器21、22、23、24包含各具有6個FinFET之3列FinFET組。可基於設計要求來改變FinFET之數目或配置。在一些實施例中，加熱器21、22、23、24可包含二極體、MOSFET、BJT或其等之組合。由FinFET產生之熱量取決於施加至FinFET之功率(諸如電壓或電流)而變動。在一些實施例中，由FinFET提供之熱量實質上與施加至FinFET之功率成比例。施加至FinFET之功率越大，由FinFET產生之熱量將越多。在一些實施例中，對DUT 20之測試操作可包含以下步驟：(i)將一功率施加至FinFET以產生熱量來加熱DUT 20；(ii)由感測器檢查DUT 20是否在一預定溫度下操作；(iii)若DUT 20在一預定溫度下操作，則維持施加至FinFET之功率，否則，調整施加至FinFET之功率以改變DUT 20之溫度，直至DUT 20在預定溫度下操作；(iv)在預定溫度下量測DUT 20之特性；及(v)重複操作(i)至(iv)以在不同預定溫度下量測DUT 20之特性。 在一些實施例中，可由整合於IC 2中之一控制電路(圖式中未展示)控制施加至FinFET之功率。控制電路連接至感測器且接收有關DUT 20之溫度之資訊。接著，控制電路基於自感測器接收之資訊來調整施加至FinFET之功率。在一些實施例中，可由IC 2外部之一控制電路控制施加至FinFET之功率。 由於圖2中所展示之IC 2不包含位於加熱器21、22、23、24上方之導熱襯墊，所以透過加熱器21、22、23、24與DUT 20之間之介電層或空氣來將熱量自加熱器21、22、23、24傳遞至DUT 20。由於未使用導熱襯墊，所以IC 2之佈線比圖1中所展示之IC 1之佈線簡單且因此可減小IC 2之總面積。 在一些實施例中，在對圖2中之DUT 20之測試操作期間，將一第一電壓施加至FinFET 21A之源極區域，將一第二電壓施加至FinFET 21A之基板。換言之，FinFET之閘極區域係打開的。替代地，在對圖2中之DUT 20之測試操作期間，將一第一電壓施加至FinFET 21A之汲極區域且將一第二電壓施加至FinFET 21A之閘極區域。電流將自汲極區域透過通道區域而流動至源極區域來產生熱量。另外，可藉由FinFET 21A之p-n接面(諸如源極/汲極區域與基板之間之接面)之間之電壓差來產生熱量。 在一些實施例中，一熱晶圓卡盤可用於加熱DUT。然而，熱晶圓卡盤無法在一有效時段內加熱DUT。與熱晶圓卡盤相比，可藉由控制施加至FinFET之功率來快速調整FinFET之溫度以依一更有效且更可靠之方式將DUT加熱至一預定溫度。在一些實施例中，一多晶矽加熱器可用於加熱DUT。然而，多晶矽加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度不如本文中所描述之一半導體裝置加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度。流動通過多晶矽加熱器之電流將不可避免地劣化材料結構完整性。然而，在本揭露中，電流流動通過FinFET之一金屬閘極、(例如)一MOS裝置之一通道或一p-n接面，因此，不會對本文中所提出之半導體裝置加熱器造成結構損壞。可預期一較長加熱器壽命。此外，一半導體裝置之自加熱特性及外加功率與由自加熱特性產生之熱量之間之相關性可用於準確控制DUT之溫度。與多晶矽加熱器相比，FinFET歸因於其結構限制而更穩定可靠。另外，使用FinFET作為一加熱器完全匹配FinFET CMOS製程且無額外工作量，其將減少製造成本。 參考圖式，圖3係繪示根據本揭露之一實施例之一IC 3的一示意圖。IC 3包含一DUT 30、加熱器31、32、33、34及導熱襯墊31B、31C、32B、32C、33B、33C、34B、34C。 DUT 30整合於IC 3中。在一些實施例中，DUT 30可為任何種類之半導體裝置，諸如一MOSFET、一BJT、一FinFET、一電容器、一電阻器、一電感器或其等之組合。在不同溫度下測試DUT 30之特性(諸如電流、電壓、可靠性、耐久性、回應時間及其類似者)。IC 3可包含用於偵測DUT 30之溫度之一感測器(圖式中未展示)。 加熱器31、32、33及34定位於DUT 30之四側處以包圍DUT 30。加熱器31、32、33及34用於加熱DUT 30。可藉由控制加熱器31、32、33、34來調整DUT 30之溫度。可藉由將加熱器31、32、33及34配置成包圍DUT 30來均勻加熱DUT 30。 各加熱器31、32、33、34包含複數個FinFET 31A。如圖3中所展示，各加熱器31、32、33、34包含各具有6個FinFET之3列FinFET組。可基於設計要求來改變FinFET之數目或配置。在一些實施例中，加熱器31、32、33、34可包含二極體、MOSFET、BJT或其等之組合。由FinFET產生之熱量取決於施加至FinFET之功率(諸如電壓或電流)而變動。在一些實施例中，由FinFET提供之熱量實質上與施加至FinFET之功率成比例。施加至FinFET之功率越大，由FinFET產生之熱量將越多。在一些實施例中，對DUT 30之測試操作可包含以下步驟：(i)將一功率施加至FinFET以產生熱量來加熱DUT 30；(ii)由感測器檢查DUT 30是否在一預定溫度下操作；(iii)若DUT 30在一預定溫度下操作，則維持施加至FinFET之功率，否則，調整施加至FinFET之功率以改變DUT 30之溫度，直至DUT 30在預定溫度下操作；(iv)在預定溫度下量測DUT 30之特性；及(v)重複操作(i)至(iv)以在不同預定溫度下量測DUT 30之特性。 在一些實施例中，可由整合於IC 3中之一控制電路(圖式中未展示)控制施加至FinFET之功率。控制電路連接至感測器且接收有關DUT 30之溫度之資訊。接著，控制電路基於自感測器接收之資訊來調整施加至FinFET之功率。在一些實施例中，可由IC 3外部之一控制電路控制施加至FinFET之功率。 導熱襯墊31B、32B、33B、34B分別定位於加熱器31、32、33、34上方。導熱襯墊31C、32C、33C、34C分別定位於DUT 30與加熱器31、32、33、34之間且包圍DUT 30。導熱襯墊31C、32C、33C、34C分別與導熱襯墊31B、32B、33B、34B連接。導熱襯墊31B、31C、32B、32C、33B、33C、34B、34C用於將由加熱器31、32、33、34產生之熱量傳輸至DUT 30。在一些實施例中，可透過介電層或空氣且透過導熱襯墊31B、32B、33B、34B來將由加熱器31、32、33、34產生之熱量自加熱器31、32、33、34傳遞至導熱襯墊31C、32C、33C、34C。導熱襯墊31B、31C、32B、32C、33B、33C、34B、34C由諸如金屬、合金或其他適合材料之任何導熱材料製成。在一些實施例中，導熱襯墊31C、32C、33C、34C之材料可相同於導熱襯墊31B、32B、33B、34B之材料。替代地，導熱襯墊31C、32C、33C、34C之材料不同於導熱襯墊31B、32B、33B、34B之材料。由於導熱襯墊具有比加熱器31、32、33、34與DUT 30之間之介電層或空氣高之傳熱係數，所以導熱襯墊可促進傳熱，使得可更均勻快速地加熱DUT 30。 在一些實施例中，在對圖3中之DUT 30之測試操作期間，將一第一電壓施加至FinFET 31A之源極區域，將一第二電壓施加至FinFET 31A之基板。換言之，FinFET之閘極區域係打開的。替代地，在對圖3中之DUT 30之測試操作期間，將一第一電壓施加至FinFET 31A之汲極區域且將一第二電壓施加至FinFET 31A之閘極區域。電流將自汲極區域透過通道區域而流動至源極區域來產生熱量。另外，可藉由FinFET 31A之p-n接面(諸如源極/汲極區域與基板之間之接面)之間之電壓差來產生熱量。 在一些實施例中，一熱晶圓卡盤可用於加熱DUT。然而，熱晶圓卡盤無法在一有效時段內加熱DUT。與熱晶圓卡盤相比，可藉由控制施加至FinFET之功率來快速調整FinFET之溫度以依一更有效且更可靠之方式將DUT加熱至一預定溫度。在一些實施例中，一多晶矽加熱器可用於加熱DUT。然而，多晶矽加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度不如本文中所描述之一半導體裝置加熱器之壽命、發熱穩定性及溫度控制靈敏度。流動通過多晶矽加熱器之電流將不可避免地劣化材料結構完整性。然而，在本揭露中，電流流動通過FinFET之一金屬閘極、(例如)一MOS裝置之一通道或一p-n接面，因此，不會對本文中所提出之半導體裝置加熱器造成結構損壞。可預期一較長加熱器壽命。此外，一半導體裝置之自加熱特性及外加功率與由自加熱特性產生之熱量之間之相關性可用於準確控制DUT之溫度。與多晶矽加熱器相比，FinFET歸因於其結構限制而更穩定可靠。另外，使用FinFET作為一加熱器完全匹配FinFET CMOS製程且無額外工作量，其將減少製造成本。 鑑於上文，本揭露提供一穩定可靠熱源來加熱一待受測裝置以在不同溫度處準確量測裝置之特性。 本揭露之一實施例提供一種積體電路(IC)。該IC包括一待受測裝置及一第一加熱器。該第一加熱器定位於該裝置之一第一側處且提供熱量來控制該裝置之一溫度。該第一加熱器包括一半導體裝置，其具有一第一摻雜區域及具有與該第一摻雜區域之導電類型相反之一導電類型之一第二摻雜區域，該第一摻雜區域與該第二摻雜區域界接。 本揭露之一實施例提供一種半導體裝置。該半導體裝置包括一待受測裝置及一第一組FinFET。該第一組FinFET定位於該裝置之一第一側處來加熱該裝置。藉由施加至各FinFET之一功率來控制由該第一組FinFET產生之熱量。 本揭露之一實施例提供一種用於控制一裝置之一溫度之方法。該方法包括：提供該裝置；及將一第一組FinFET配置於該裝置之一第一側處來加熱該裝置，其中藉由施加至各FinFET之一功率來控制由該第一組FinFET產生之熱量。 此外，本揭露之範疇不意欲受限於本說明書中所描述之製程、機器、製造及物質之組合物、方式、方法及步驟之特定實施例。熟悉技術者將易於自本揭露之揭示內容瞭解，可根據本揭露來利用目前既有或待後來開發之製程、機器、製造、物質之組合物、方式、方法或步驟，其等執行實質上相同於本文中所描述之對應實施例之功能或達成實質上相同於本文中所描述之對應實施例之結果。相應地，隨附申請專利範圍意欲在其範疇內包含諸如製程、機器、製造、物質之組合物、方式、方法或步驟/操作。另外，各請求項構成一單獨實施例，且各種請求項及實施例之組合係在本揭露之範疇內。
1‧‧‧積體電路(IC)
2‧‧‧積體電路(IC)
3‧‧‧積體電路(IC)
10‧‧‧受測裝置(DUT)
11‧‧‧加熱器
11A‧‧‧鰭式場效電晶體(FinFET)
12‧‧‧導熱襯墊
20‧‧‧受測裝置(DUT)
21‧‧‧加熱器
21A‧‧‧鰭式場效電晶體(FinFET)
22‧‧‧加熱器
23‧‧‧加熱器
24‧‧‧加熱器
30‧‧‧受測裝置(DUT)
31‧‧‧加熱器
31A‧‧‧鰭式場效電晶體(FinFET)
31B‧‧‧導熱襯墊
31C‧‧‧導熱襯墊
32‧‧‧加熱器
32B‧‧‧導熱襯墊
32C‧‧‧導熱襯墊
33‧‧‧加熱器
33B‧‧‧導熱襯墊
33C‧‧‧導熱襯墊
34‧‧‧加熱器
34B‧‧‧導熱襯墊
34C‧‧‧導熱襯墊
101‧‧‧基板
102‧‧‧鰭片結構
103‧‧‧閘極結構
103a‧‧‧第一分段
103b‧‧‧第二分段
104‧‧‧高介電係數介電層
105a‧‧‧介電側壁
105b‧‧‧介電側壁
106‧‧‧層間介電(ILD)層
107‧‧‧隔離構件
將自結合附圖來解讀之以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1A係繪示根據本揭露之一實施例之一積體電路的一示意圖。 圖1B繪示根據本揭露之一實施例之圖1A中之半導體結構之一詳細結構。 圖2係繪示根據本揭露之一實施例之一積體電路的一示意圖。 圖3係繪示根據本揭露之一實施例之一積體電路的一示意圖。
1‧‧‧積體電路(IC)
10‧‧‧受測裝置(DUT)
11‧‧‧加熱器
11A‧‧‧鰭式場效電晶體(FinFET)
12‧‧‧導熱襯墊

Claims (1)

  1. 一種積體電路，其包括： 一受測裝置；及 一第一加熱器，其定位於該裝置之一第一側處且提供熱量來控制該裝置之一溫度，其中該第一加熱器包括一半導體裝置，該半導體裝置具有一第一摻雜區域及具有與該第一摻雜區域之導電類型相反之一導電類型之一第二摻雜區域，該第一摻雜區域與該第二摻雜區域界接。
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