TW201726960A - 用以處理基板上之材料的設備、用於處理設備之冷卻配置、及用以量測於基板上處理之材料的性質的方法 - Google Patents

用以處理基板上之材料的設備、用於處理設備之冷卻配置、及用以量測於基板上處理之材料的性質的方法 Download PDF

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Abstract

根據本揭露之一方面，提出一種用以處理基板上之材料的設備。此設備包括真空腔室(110)和量測配置(160)，量測配置裝配用以量測基板(15)及/或於基板上處理之材料的一或多個性質，其中量測配置包括具有熱電冷卻器(171)之冷卻裝置(170)，用以冷卻量測配置之至少一發熱元件(161)。根據另一方面，提出一種用於此種設備的冷卻配置(50)。冷卻配置包括冷卻裝置和傳送裝置，冷卻裝置具有熱電冷卻器，用以冷卻配置於真空腔室中之量測配置之至少一發熱元件，傳送裝置係裝配用以使冷卻裝置在真空腔室內移動。

Description

用以處理基板上之材料的設備、用於處理設備之冷卻配置、及用以量測於基板上處理之材料的性質的方法
本揭露之實施例是有關於一種用以處理一基板上之一材料之設備、一種用於處理一基板上之材料之設備的冷卻配置、及一種用以量測於一基板上處理之一材料的一或多個性質之方法。本揭露之實施例特別是有關於一種用於處理一基板及量測於基板上處理之一材料的一或多個性質之設備。
塗層(特別是基板上之光學塗層和其它材料)可以特定之光譜反射率及透射比數值和產生之顏色值來作為特點，基板例如是塑膠膜。塗層之性質(特別是光學性質)可以由一量測配置所量測，量測配置可包括一光源和一光偵測器。在塗層製造期間或塗層製造之後，穿透率(T)與反射率(R)之可靠的串聯式量測可為需要考慮沉積製程之控制與塗佈產品之光學品質控制之一方面。T/R量測之較複雜的部分係反射率之量測。既然膜之平面度的小誤差係導致反射光束到偵測器的路徑之幾何形狀改變，反射率量測可能在移動之塑膠膜上有挑戰性，而產生錯誤的量測結果。在沉積設備中，反射率可在塑膠膜係與設備之導件滾軸物理性接觸之位置處進行量測，以確保塑膠膜與滾軸之表面係平面接觸。
然而，在此情形下，量測係受限於量測裝置的固定位置。對於成本理由來說，在卷對卷(roll-to-roll，R2R)濺射機器中，固定之量測裝置或量測頭的數量可能受限於一個及五個之間。甚至是具有五個量測裝置之系統無法傳送有關於層均勻之足夠的資訊且接受沿著基板寬度之光學規格。因此，有必要提出一種能夠在各個不同位置進行量測的量測配置。
對於串聯式量測來說，量測配置可位在處理設備的真空腔室中，例如在沉積或塗佈裝置的真空腔室中。在真空條件下，量測配置之發熱元件可能難以達成有效的冷卻，特別是當位在不同位置的發熱元件要冷卻時。為了有效冷卻，例如是水的冷卻流體可流經撓性管而至真空腔室內可能需要冷卻的不同位置。然而，真空環境中冷卻流體的缺點在於流體迴路中滲漏的風險。假如發生滲漏，在機器內的數個元件可能會被嚴重影響或毀損。冷卻效果差或無效的冷卻效果可能會對量測品質產生負面影響，且甚至可能導致量測配置的發熱元件產生缺陷。
因此，仍然需要可實現對基板和基板上的塗層具有改善品質檢測的設備。對量測基板及/或於基板上處理之材料的性質之改善方法係亦有需求，此方法特別是適用於具有高輸出能力之處理系統。
有鑑於上述，係提供一種用以處理一基板上之一材料的設備，及一種用於處理一基板上之材料之設備的冷卻配置。再者，係提供量測一基板及/或於基板上處理之一材料之一或多個性質的方法。本揭露之其他方面、優點、及特徵係藉由申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。
根據本揭露之一方面，提出一種用以處理一基板上之一材料的設備。此設備包括一真空腔室和一量測配置，量測配置係裝配用以量測基板及/或於基板上處理之材料的一或多個性質，其中量測配置包括具有一熱電冷卻器之一冷卻裝置，用以冷卻量測配置之至少一發熱元件。
在一些實施例中，量測配置可更包括一傳送裝置，裝配用以使冷卻裝置與至少一發熱元件在真空腔室內一起移動或獨立地移動。
根據本揭露之另一方面，提出一種冷卻配置，用於一種處理一基板上之一材料的設備。此冷卻配置包括一冷卻裝置以及一傳送裝置，冷卻裝置具有一熱電冷卻器，用以冷卻配置於一真空腔室中之一量測配置之至少一發熱元件，傳送裝置係裝配用以使冷卻裝置與至少一發熱元件在真空腔室內分開地移動或一起移動。
根據本揭露之另一方面，提出一種量測在一真空腔室中之一基板及/或於基板上處理之一材料的一或多個性質的方法。此方法包括在量測期間，藉由一冷卻裝置之一熱電冷卻器冷卻一量測配置之至少一發熱元件，其中冷卻裝置和發熱元件係配置於真空腔室內的一量測位置。
在一些實施例中，此方法更包括使至少一發熱元件與冷卻裝置一起移動至真空腔室內的一第二量測位置或一校準位置。
本揭露之其他方面、優點、及特徵係藉由申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
詳細的參照將以各種實施例來達成，實施例的一或多個例子係繪示在各圖式中。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。舉例來說，所說明或敘述而作為一實施例之部分之特徵可用於任何其他實施例或與任何其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本揭露包括此些調整及變化。
在圖式的下方說明中，相同之參考編號係意指相同或相似之元件。一般來說，僅有有關於各別實施例之不同之處係說明。除非有另外說明，於一實施例中之一部分或方面的說明係亦應用於另一實施例中之一對應部分或方面。
第1圖繪示光學塗層之反射率及穿透率量測的示意圖。
在沉積設備中，鏡面反射(specular reflectance)可在例如是塑膠膜之基板和設備之滾軸(例如是導件滾軸)機械接觸之位置中進行量測，以確保塑膠膜與滾軸之表面係平面接觸，如將更詳細參照第1圖說明於下方。
如第1圖中所示，基板15係藉由真空腔室(未繪示)內的塗佈鼓11、第一滾軸12及/或第二滾軸13載運及運送。第一滾軸12及第二滾軸13可為導件滾軸。在第一滾軸12和第二滾軸13之間的一位置中，係提供穿透率量測裝置16。在第一滾軸12和第二滾軸13之間的位置或區域可亦意指為「未支撐間距(free span)」或「未支撐間距位置」。再者，在例如是塑膠膜之基板15與第二滾軸13機械式接觸之另一位置處，係提供反射率量測裝置14。
然而，入射光束不僅在基板15之前及背面反射，且亦在第二滾軸13的表面上反射。既然金屬的滾軸之反射率R係相當的高(例如是R＞50%)，具有低或減少之反射率的滾軸表面係有利的。第二滾軸13可具有黑或黑化表面，使得第二滾軸13之表面具有低或減少之反射率。然而，此些黑或黑化表面之反射率係面臨不足夠之低與不均勻的反射率。絕對反射率之量測的可靠度係相當低。
此處使用之名稱「基板(substrate)」應特別是包含可撓性基板，例如是塑膠膜、網狀結構或箔。然而，本揭露並不以此為限，且名稱「基板」可亦包含非可撓性基板，例如是晶圓、透明結晶片、或玻璃板材，透明結晶片例如是藍寶石或類似物。根據一些實施例，基板可為透明基板。此處使用之名稱「透明(transparent)」應特別是包括一結構以相對低散射之方式傳送光的能力，使得例如是穿透此結構之光可以實質上清楚的方式看見。一般來說，基板包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)。
一種用以處理一基板上之一材料的設備(亦指此處的「處理設備」)可為用以沉積一薄材料層於一基板上之一塗佈或沉積設備，薄材料層例如是透明、半透明及/或不透明層。處理設備可包括一處理腔室，被塗佈之基板係在處理腔室中從一第一塗佈區域被傳送至一第二塗佈區域，或從一塗佈區域被傳送至一固化或儲存區域。一般來說，當一或多個層沉積在一基板上之後，係量測所述層的反射率及/或穿透率性質，以便描述所述層之特性，例如是層均勻性。穿透率及/或反射率可經由在被塗佈基板不同位置處的一量測配置所量測，例如是在沿著基板寬度方向的不同位置處。寬度方向可垂直於傳送方向，其中基板係沿著傳送方向而經過真空腔室移動。
一般來說，量測配置(特別是光學量測配置)包括發熱元件，發熱元件在真空腔室內產生熱，例如是光源、光偵測器、電子晶片、感測器晶片、CCD晶片、光柵及/或其他光學、電及/或光電元件。由於沒有熱對流經過真空傳遞，發熱元件往往在真空中更快速地加熱，且在真空腔室中可能難以進行有效的冷卻。真空腔室中的冷卻可藉由輻射及/或發熱元件與冷卻裝置的直接熱接觸來實現。典型的冷卻裝置可包括具有與發熱元件直接熱接觸的循環冷卻流體(例如水)的熱交換器。
真空環境中具有冷卻流體的冷卻缺點在於流體迴路中滲漏的風險。若此情形發生，腔室內的數個元件(幫浦、真空計、沉積源)可能會受到嚴重的電性影響或毀損，例如是因短路或快速的壓力變化。
根據此處所述之實施例，遠離至少一發熱元件(亦指此處之「熱源」)之熱傳遞的效率係透過使用熱電冷卻器形式之熱幫浦而增加。熱電冷卻器有著許多不同的變形。藉由透過向熱電冷卻器施加一直流(DC)電壓，元件之一側可冷卻下來(冷卻側)，而另一側(加熱側)可加熱。所述熱可從加熱側朝向散熱器散失。在一些實施例中，熱電冷卻器可包括交替配置的數個p型和n型半導體顆粒。此些半導體顆粒可配置於設置在支撐結構上(例如是在陶瓷基板上)的數個導片之間。
第2圖繪示根據此處所述實施例之用以處理基板上之材料的設備100的示意圖。處理設備100包括一真空腔室110和一量測配置160，量測配置160係裝配用以量測基板15及/或在基板上處理之材料17的一或多個性質，例如沉積在基板上的塗佈層的光學性質。量測配置160包括一或多個發熱元件，例如用於訊號傳輸及/或訊號分析的電子晶片、光學感測器晶片(例如是CCD晶片)、光學元件(例如是光柵)。數個發熱元件的至少一者係經由冷卻裝置170所冷卻，冷卻裝置包括一熱電冷卻器171。
熱電冷卻器171也可以用來控制發熱元件161的溫度。在一些實施例中，可提供用以控制冷卻量的控制裝置，其中冷卻係由熱電冷卻器171依據發熱元件的溫度，及/或依據冷卻裝置的溫度而提供。舉例來說，可控制熱電冷卻器之冷卻側的溫度維持實質上恆定(+/- 5°C)，在由發熱元件提供變化的熱負載的情況下亦然。
熱電冷卻器可裝配以在數秒內提供溫度變化。舉例來說，熱電冷卻器可裝配以在10秒或更短的時間內降低5°C的溫度。在包括敏感電子元件的發熱元件的情形下，快速冷卻可能是有益的，敏感電子元件例如是一感測器晶片。在一些實施方式中，控制裝置可裝配來保持熱電冷卻器之冷卻側的溫度維持實質上恆定。
在一些可與此處所述之其他實施例結合之實施例中，熱電冷卻器171可與發熱元件161直接熱接觸。舉例來說，熱電冷卻器171之冷卻側可與發熱元件161之熱表面直接機械式的接觸。在一些實施例中，一熱電偶可配置在發熱元件161和熱電冷卻器171之間。熱電偶可包括具有良好導熱性的材料，且可與發熱元件之熱表面和熱電冷卻器之冷卻表面進行平面式的接觸。
熱電冷卻器171可包括至少一帕耳帖(Peltier)元件。應注意的是，帕耳帖元件本身也可產生一些熱，此些熱需要被傳遞到散熱器。因此，當使用帕耳帖元件時，要被散熱至散熱器的總熱能可能會增加。舉例來說，在一些實施例中，當使用帕耳帖元件時，需要被散熱的總熱能可高達10倍。出乎意料地，即使考慮到帕耳帖元件所產生的額外熱能，仍然具有更有效的將熱帶離發熱元件161之熱傳遞，使發熱元件的冷卻可根據此處所述實施例而得到改善。尤其，可以更快速地補償溫度變化，從而可降低損壞的風險。
在一些實施方式中，藉由在熱電冷卻器和發熱元件之間配置一高導熱性箔，例如一石墨箔，熱電冷卻器和發熱元件之間的熱接觸可進一步改善。舉例來說，藉由配置使一熱電偶與發熱元件進行熱接觸，可提供良好的熱接觸，其中，一石墨箔係配置在熱電冷卻器之冷卻側和熱電偶之間。石墨箔適於提供優異的熱接觸。
沉積在基板15上之材料17的光學性質可由一量測配置160所量測，量測配置160包括一偵測裝置162，例如一光學偵測器，諸如光譜儀及/或照相機。偵測裝置可包括下述至少一者：一光譜儀、一CCD晶片、一CCD照相機、一感測器晶片、用於分析訊號的一電性晶片、連接至一感測器晶片的一PCB、一或多個光柵、及其它電性、光學和電光元件。尤其，敏感電子元件可能需要保持在一實質上恆定的溫度，其在真空條件下可能有困難。所提到的元件之至少一者可以構成此處所述一些實施例中由熱電冷卻器171冷卻的發熱元件。
在一些實施例中，量測配置160可包括用以產生一光線以進行反射率及/或穿透率量測之一光源163，例如雷射光源。對於被裝配用於穿透率量測的量測配置160，光源163可以配置在基板15的第一主側，且發熱元件與冷卻裝置可以一起配置在基板的第二主側。對於被裝配用於反射率量測的量測配置，與發熱元件和冷卻裝置相比，光源可以配置在基板15的相同主側。
根據本揭露的一些實施例，量測配置160更包括一傳送裝置180，傳送裝置180裝配用於使冷卻裝置170和至少一發熱元件161在真空腔室110內一同移動。如此，量測配置160可裝配用以在被塗佈基板的不同位置處進行量測。舉例來說，傳送裝置180可裝配用於使冷卻裝置170和發熱元件161一同在基板15的寬度方向上移動，寬度方向相對於傳送方向係垂直或橫向的，其中基板係沿著傳送方向通過真空腔室110。在一些實施例中，傳送裝置可裝配以使冷卻裝置170和發熱元件一同在至少二方向上移動，例如是寬度方向和傳送方向。在一些可與此處所述之其它實施方式結合之實施方式中，傳送裝置180可裝置以在真空腔室110內移動整個量測配置160(包括光源163、偵測裝置162及冷卻裝置170)，例如是沿著基板15的寬度方向移動。
在一些實施方式中，傳送裝置180可包括一線性定位平台(linear positioning stage)。在一些實施方式中，傳送裝置可包括裝配用於量測配置之二維或三維移動之一X-Y平台或一X-Y-Z平台。根據一些可與此處所述其它實施例結合之實施例，傳送裝置180可包括一致動器。致動器可裝配以沿著一軌跡執行量測配置160之移動，軌跡例如是線性軌跡。
轉換能量成動作之致動器可藉由為電流、液體壓力或氣體壓力的形式的能源來操作。根據一些實施例，致動器可為電性馬達、線性馬達、氣壓致動器、液壓致動器或壓電致動器。
在一些實施例中，傳送裝置180可裝配以在真空腔室內移動冷卻裝置，使其與發熱元件分開，例如是從一第一發熱元件移動至一第二發熱元件。
因此，根據此處所揭露之實施例，一個量測配置可從一第一量測位置移動至一第二量測位置及/或至一校準位置，而無需灌流(flood)真空腔室。再者，於第一和第二量測位置處的量測期間，此至少一發熱元件可被冷卻。再者，有需要的話，當量測配置係配置在校準位置時，發熱元件也可在校準期間冷卻，使得可以在各種量測及/或校準位置處提供相等的溫度條件。在一些實施例中，可在發熱元件的移動期間提供冷卻。如此增加量測精度並增加量測速度，因為不需要灌流真空腔室以改變冷卻裝置的位置。再者，移動熱電冷卻器可以比移動用於流體冷卻之管或通道更為容易，且沒有在真空腔室中洩漏流體的風險，因為熱電冷卻器並不需要可移動的水軟管或管。因此，可簡化並加速量測過程，同時增加量測的精度。
根據一些可與此處所述其它實施例結合之實施例，傳送裝置180包括一致動器，用以使發熱元件161和冷卻裝置170一同移動至量測位置、反射率校準位置和穿透率校準位置中之至少一者。
在一些實施方式中，傳送裝置180之致動器可包括電性馬達、線性馬達、氣壓致動器、液壓致動器和壓電致動器中之至少一者。
第3圖繪示根據此處所述實施例之處理設備200的示意圖。處理設備200部分對應於第2圖所示之處理設備100，因此可參考上述說明，以下內容將僅解釋其中的不同處。
處理設備200包括一真空腔室110和一量測配置160，量測配置160用以量測沉積於基板15上之一塗佈層的光學性質，例如穿透或反射性質。量測配置160包括一發熱元件161，其產生的熱將由一冷卻裝置270所帶走，其中冷卻裝置270係以直接或間接的方式與發熱元件161進行熱接觸。
類似於第1圖所示的實施例，發熱元件161可為偵測裝置的一部分，例如是感測器晶片、光柵或另一電子及/或光學元件中的至少一者。
冷卻裝置270包括一熱電冷卻器171和一熱交換模組271，其中熱交換模組271係與熱電冷卻器171熱接觸。換句話說，熱電冷卻器171可耦接於至少一發熱元件161和熱交換模組271之間。
在一些可與此處所述其他實施力結合之實施例中，熱交換模組271包括用於循環冷卻介質的冷卻通道272及/或冷卻管，並裝配用以將熱從熱電冷卻器171之發熱側傳遞至冷卻介質。
藉由使熱電冷卻器171介於發熱元件161和熱交換模組271之間，可以增加從發熱元件161傳遞至熱交換模組271的熱傳遞效率。換句話說，透過使用熱電冷卻器形式之熱幫浦，可達成至熱交換模組的改善的熱交換，其中熱交換模組可被設置為冷卻板。熱電冷卻器可被設置為帕耳帖元件，其中從帕耳帖元件之發熱側生成的熱可耗散至熱交換模組。
為了進一步改善熱電冷卻器和發熱元件之間的熱接觸，可於其間配置一熱電偶275。或者或另外，可將一或多個石墨箔插置於熱電冷卻器之發熱側和熱交換模組之間，及/或插置於熱電冷卻器之冷卻側和熱電偶275之間。
為了防止洩漏之情況造成損壞的風險，可配置熱交換模組271，使氣態冷卻介質在熱交換模組之冷卻通道272內循環。舉例來說，冷卻介質可為大氣、空氣或另一種冷卻氣體。在一些實施方式中，熱交換模組可耦接至一幫浦裝置277，幫浦裝置277用以將氣態冷卻介質供給至熱交換模組。幫浦裝置277並不一定要配置在真空腔室110內。舉例來說，可提供一饋通(feed-through)，用以穿過真空腔室110的壁提供冷卻介質，其中熱交換模組271配置於真空腔室110。
在一些實施例中，可提供一饋通，用以提供電源纜線，以提供電壓(例如DC電壓)至熱電冷卻器171。
在一些實施例中，具有熱交換模組271和熱電冷卻器171的冷卻裝置270可固定至傳送裝置180，以一同移動真空腔室內的冷卻裝置與發熱元件161。當冷卻裝置係可移動地配置在真空腔室110內時，可提供撓性管278或軟管，以使冷卻介質從幫浦裝置277傳送至熱交換裝置271，反之亦然。
倘若在氣體冷卻迴路中有洩漏產生，真空腔室內的壓力可以升高，直到真空幫浦的電力關閉。因此降低損壞的風險。待修好洩漏之後，可再次重啟真空幫浦。相較於流體(像是水)，氣體(像是空氣)之熱傳遞係數較低。因此，取決於待被耗散之熱的量，高的氣流可以是合理的，以使熱從熱電冷卻器之發熱側耗散。舉例來說，幫浦裝置277可裝配用於提供多於1公升/秒的氣體產量。
第4圖繪示根據此處所述其他實施例之處理設備300。處理設備300之量測配置20包括位在真空腔室(未繪示)中的至少一球結構21，特別是一積分球(integrating sphere)。球結構21可用來同時做反射率量測和穿透率量測，特別是在相同位置做量測，相同位置舉例為在兩個滾軸之間的基板15或塑膠膜之未支撐間距位置。甚至如果膜之表面並非平面時，反射光係幾乎完全地收集在球結構中。
球結構21提供在球結構中均勻的光散射(scattering)及漫射(diffusing)。入射在球結構之內表面上的光係平均地分佈在球中。入射光之方向效應(Directional effects)係縮小。此係讓量測入射光(例如是從基板及/或於基板上處理之材料反射的光或穿透基板及/或於基板上處理之材料的光)具有高度之正確性及可靠度。
根據一些實施例，球結構21係為積分球或包括積分球。積分球(或烏布里喜球(Ulbricht sphere))係為一光學裝置，光學裝置包括中空球腔，中空球腔具有至少一埠(port)，例如是至少一入口埠及/或至少一出口埠。中空球腔之內部體積可以反射塗層(例如是擴散白色反射塗層)覆蓋。積分球提供在球中之均勻的光散射或漫射。入射在內表面之光係平均地分佈在球中。入射光之方向效應係縮小。積分球可當作一擴散體，擴散體保存功率但破壞空間資訊。
量測配置20係配置在真空腔室內。真空腔室可為處理腔室或包括處理腔室，待塗佈之基板15係位於處理腔室。根據此處所述實施例之設備可為沉積設備，且特別是濺射設備、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)設備、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)設備、電漿輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)設備等。
如第4圖示意性地繪示，根據此處所述實施例之量測配置20係裝配以用以量測基板15及/或於基板15上處理之材料之一或多個光學性質，此一或多個光學性質特別是反射率及/或穿透率。本申請通篇所使用之名稱「反射率(reflectance)」係意指入射於一表面上之全部輻射通量所反射之比例。表面可包括於基板上處理之材料的一表面、基板之一前表面及基板之一後表面之至少一者。值得注意的是，名稱「反射率(reflectance)」和「反射比(reflectivity)」可同時使用。本申請通篇所使用之名稱「穿透率(transmission)」係意指通過例如是具有於基板上處理之材料或層之基板的入射光(電磁輻射)的比例。名稱「穿透率(transmission)」和「透射比(transmittance)」可同時使用。
球結構21可具有腔22。根據一些實施例，腔22可為中空球腔。於典型實施方式中，腔22之一表面係至少部分地以反射塗層(例如是白色反射塗層)覆蓋。球結構21提供在球結構21內均勻的光散射或漫射。入射在腔22之表面上的光係在腔22中均勻地分散。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，球結構21且特別是球結構21之腔22係具有150 mm或更少之內直徑，特別是100 mm或更少之內直徑，更特別是75 mm或更少之內直徑。
為了量測此一或多個光學性質，量測配置20可包括一配置，具有至少一個光源23和至少一個偵測器。此至少一個光源和此至少一個偵測器的可能配置係說明於下。然而，其他配置係可行的。
在典型實施例中，量測配置20包括光源23。光源23係裝配以用以發光至球結構21之腔22中。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，光源23係裝配以用以發出在380-780 nm之可見輻射範圍中之光及/或780 nm至3000 nm之紅外線輻射範圍中之光及/或200 nm至380 nm之紫外光輻射範圍中之光。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，光源23係配置，使得光可發出至腔22中。光源23可配置在腔22中，或貼附於腔22之內牆或表面。根據數個實施例，光源23可配置在球結構21外，其中球結構21之牆可包括一開孔，此開孔係裝配，使得從光源23發出之光可照射至球結構21之內部體積中，且特別是照射到腔22中。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，光源23可裝配成例如是燈絲燈泡(filament bulb)、鹵鎢燈(tungsten halogen bulb)、發光二極體(LEDs)、高功率LEDs或氙弧燈(Xe-Arc-Lamps)。光源23可裝配，使得光源23可短時間開啟或關閉。為了達到切換之目的，光源23可連接於控制單元(未繪示)。
於典型實施例中，球結構21具有至少一埠26。埠26可裝配成入口埠及/或出口埠。作為一例子來說，自基板15及/或於基板15上處理之反射之光或穿透基板15及/或於基板15上處理之光可經由埠26進入球結構21。於另一例子中，藉由光源23提供之光可經由埠26離開，例如是對反射率量測來說。埠26可以覆蓋元件覆蓋，覆蓋元件舉例為防護玻璃。於其他例子中，埠26可為不覆蓋或開放的。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，埠26可具有25 mm或更少之直徑，特別是15 mm或更少之直徑，更特別是10 mm或更少之直徑。藉由增加埠26之直徑，基板15之較大部分可照亮，用以執行基板15及/或於基板15上處理之材料的此至少一光學性質的量測。
於典型之應用中，從球結構21通過埠26所發出之漫射光可照射在基板15上，用以量測基板15及/或於基板15上處理之材料的此至少一光學性質。藉由利用漫射光照亮基板15，照射在基板15上之光係具有與基板15之照亮部分相同的強度。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，發出之漫射光可以在數個角度發出之光作為特點，特別是具有均勻的角度分布之光強度。舉例來說，此可藉由在球結構中漫射反射來產生，球結構例如是積分球或烏布里喜球，在球中之材料係選擇以用於提供漫射反射。
如第4圖中之範例性繪示，在光束離開埠26之前，光束可在球結構21之內部表面上具有原點位置P，光束係以具有箭頭之實線繪示，箭頭係表示光的方向。光束可從基板15及/或於基板15上處理之材料反射且在反射之情況中，以具有一反射角進入埠26，如第4圖中之範例性繪示。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，量測配置20包括一第一偵測器24和一第二偵測器27，第一偵測器24和第二偵測器27位在球結構，裝配以用以量測基板15及/或於基板15上處理之材料的反射率。
第一偵測裝置24可裝配以用以接收經由埠26進入之光(如以具有箭頭之實線表示，箭頭係表示光的方向)，且特別是從基板15及/或於基板15上處理之材料反射的光。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，第一偵測裝置24係裝配且配置，使得沒有從球結構21之內側反射的光線係被第一偵測裝置24所偵測。舉例來說，第一偵測裝置24可配置，使得僅有經由球結構21之埠26的光可由第一偵測裝置24偵測，僅有通過球結構21之埠26的光例如是從基板15及/或於基板15上處理之材料上所反射的光。
第二偵測裝置27可裝配以用以接收從腔22之內部牆散射或反射的光。作為一例子來說，第二偵測裝置27可提供參考量測。於典型之應用中，反射率係基於由第一偵測裝置24所接收或量測之第一光強度和由第二偵測裝置27所接收或量測之第二光強度決定。第一光強度可包括直接從基板15及/或於基板15上處理之材料反射之光，此光係直接到達第一偵測裝置24且沒有在球結構21之內部體積中反射。第二光強度可為參考光強度，參考光強度實質上沒有包括此種直接從基板15及/或於基板15上處理之材料反射之光。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，第一光偵測裝置24及/或第二光偵測裝置27係裝配且配置，使得沒有直接來自光源23之光係由第一光偵測裝置及/或第二光偵測裝置所偵測。舉例來說，屏蔽件(screening means)(未繪示)可提供於球結構21中，屏蔽件係避免由光源23所發出之光直接地射至第一光偵測裝置及/或第二光偵測裝置。此種屏蔽件可例如是由遮罩物、孔(apertures)或透鏡實現，遮罩物、孔或透鏡係裝配及配置，使得沒有由光源23發出之光可直接射入第一光偵測裝置及/或第二光偵測裝置。
根據數個實施例，第一偵測裝置24包括第一資料處理或第一資料分析單元25，且第二偵測裝置27包括第二資料處理或第二資料分析單元28。資料處理或資料分析單元25及28可適用於分別檢視及分析第一偵測裝置24及第二偵測裝置27之訊號。根據一些實施例，如果量測到定義為基板15及/或於基板15上處理之材料之非常態的任何特性時，資料處理或資料分析單元25及28可偵測到改變且觸發(trigger)一反應，此反應例如是停止處理基板15。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，量測配置20包括第三偵測器29，用以基板15及/或於基板15上處理之材料之穿透率量測。第三偵測器29可裝配以用以量測穿透率，特別是基板15及/或於基板15上處理之材料之穿透率。在典型之應用中，第三偵測器29包括第三資料處理或資料分析單元，如上述有關於第一及第二偵測器之說明。
第三偵測器29可裝配以用以接收經由埠26離開之光，且特別是穿透基板15及/或於基板15上處理之材料的光。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，第三偵測器29係以具有一縫隙之方式配置於球結構21之外側或對面，此縫隙係位於第三偵測器29與球結構21之間。基板15可位於此縫隙中，用以量測穿透率，例如是穿透基板15及/或於基板15上處理之材料的光。
在上述例子中，係以具有光源23、第一偵測裝置24、第二偵測裝置27和第三偵測裝置29之量測配置20的裝配進行說明。然而，其他裝配係可行的。作為一例子來說，可提供兩個球結構，其中第一球結構可裝配以用以反射率量測，且第二球結構可裝配以用以穿透率量測。第一光源和第一偵測器可提供在第一球結構，用以反射率量測。第二偵測器可提供在第二球結構，第二偵測器裝配以用以接收經由球結構之一埠進入之光，且特別是穿透基板及/或於基板上處理之材料的光，且第二光源可以具有一縫隙之方式提供於第二球結構之外側或對面，此縫隙係位於第二光源和第二球結構之間。基板可位於此縫隙中，用以量測穿透率，例如是穿透基板及/或於基板上處理之材料的光。
量測配置20係藉由使用球結構來改善反射率及/或穿透率之量測。作為一例子來說，可撓性基板之反射率及/或穿透率可例如是在未支撐間距位置中進行量測，可撓性基板例如是塑膠膜。量測配置亦在可撓式基板並非平面時作用，舉例為可撓式基板具有皺摺處之情況中。
量測配置20包括至少一發熱元件，其中一或多個發熱元件係利用一冷卻裝置所冷卻，冷卻裝置包括熱電冷卻器。在第4圖所示的實施例中，第一偵測裝置24之第一資料分析單元25之電性晶片係利用第一冷卻裝置42所冷卻，第二偵測裝置27之第二資料分析單元28之電性晶片係利用第二冷卻裝置44所冷卻，且第三偵測裝置29之資料分析單元之電性晶片係利用第三冷卻裝置46所冷卻。第一、第二和第三冷卻裝置中的每一個包括至少一熱電冷卻器。在一些實施例中，第一、第二和第三冷卻裝置中的至少一者可包括一熱交換模組。熱電冷卻器可介於構成發熱元件之電性晶片和熱交換模組之間，如第3圖所示。在一些實施例中，可提供多於或少於三個的冷卻裝置。在一些實施例中，或者或另外，第一、第二和第三偵測器裝置之感測器晶片、光柵及另一電及/或光學元件中的至少一者可利用一冷卻裝置所冷卻，冷卻裝置包括一熱電冷卻器。
在一些實施例中，球結構21可利用一冷卻裝置所冷卻，冷卻裝置包括一熱電冷卻器。
根據本揭露的一些實施例，處理設備300包括一移送裝置129，傳送裝置129係配置用以在真空腔室中移動量測配置20。作為一個例子來說，傳送裝置129係配置用以在真空腔室110內移動至少球結構21、第一偵測裝置24、第二偵測裝置27和第三偵測裝置29。在一些實施方式中，傳送裝置可包括一線性定位平台。作為一個例子來說，傳送裝置129可配置用以在至少三個位置30、31和32之間移動球結構21和第一、第二及第三偵測裝置，如第5圖所繪示。第一個位置30可為穿透率校準位置，第二個位置31可為量測位置，且第三個位置32可為反射率校準位置。此至少三個位置30、31及32可為未支撐間距位置。作為一例子來說，穿透率校準位置為可為一開放位置。量測位置可為未支撐間距位置，特別是在兩個導件滾軸之間。一般來說，係提供多於一個量測位置，舉例為至少五個，且特別是6、7、8、9或10個。根據一些實施例，反射率參考元件33可提供在反射率校準位置。反射率參考元件33可提供一已知反射標準。作為一例子來說，反射率參考元件33可包括或可為矽(Si)。
可提供具有一致動器之單一傳送裝置用以在真空腔室內移動量測配置20(包括球結構和所有的偵測裝置)。在一些實施例中，係提供多於一個的傳送裝置，例如用以移動球結構(在一些情況中還一起移動第一和第二偵測裝置)的第一傳送裝置，以及用以移動第三偵測裝置29的第二傳送裝置。傳送裝置可配置用以分別使冷卻裝置和偵測裝置及/或球結構一起移動。
第5圖和第6圖繪示根據此處所述實施例之用以處理基板15上之材料的設備之示意圖。待處理之基板15係放置在真空腔室110中。根據此處所述實施例之一或多個量測配置係提供在真空腔室110中。量測配置係裝配以於真空腔室110中係可移動的，特別是在至少三個位置30、31及32之間。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空腔室110可具有凸緣，用以連接真空系統，真空系統例如是真空幫浦或類似物，用以真空腔室110之排氣。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空腔室可為一腔室，選自由緩衝腔室、加熱腔室、移送腔室、循環時間調整腔室、沉積腔室、處理腔室或類似腔室所組成之群組。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，真空腔室可為處理腔室。根據本揭露，「處理腔室(processing chamber)」可理解為一腔室，用以處理基板之處理裝置係配置於此腔室中。處理裝置可理解為任何使用來處理基板之裝置。舉例來說，處理裝置可包括沉積源，用以沉積一層於基板上。因此，包括沉積源之真空腔室或處理腔室可亦意指為沉積腔室。沉積腔室可為化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)腔室或物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)腔室。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此設備可裝配以用以沉積材料，材料係選自由例如是SiO2 、MgF之低折射率材料、例如是SiN、Al2 O3 、AlN、ITO、IZO、SiOx Ny 、AlOx Ny 之中折射率材料及例如是Nb2 O5 、TiO2 、TaO2 之高折射率材料、或其他高折射率材料所組成之群組。
根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，處理設備包括至少一裝載鎖定腔室，用以導引基板15進入及/或離開處理設備，且特別是進入及/或離開真空腔室110。此至少一裝載鎖定腔室可裝配以用以改變內部壓力，從大氣壓力至真空，或反之亦然，真空例如是10 mbar或以下之壓力。根據數個實施例，包括入口埠之進入裝載鎖定腔室與包括出口埠之離開裝載鎖定腔室係提供(未繪示)。
作為一例子來說，穿透率量測及反射率量測之校準可在未支撐間距位置中執行。球結構、第一偵測器(反射率感測器)及第二偵測器(穿透率感測器)可固定於可移動之線性定位平台上，用以同步移動。對於穿透率校準來說，偵測器(感測器)連同裝配用以冷卻相應偵測器之冷卻裝置係移動至穿透率校準位置，以100%校準。穿透率校準位置可為開放位置。對於反射率校準來說，偵測器(感測器)連同裝配用以冷卻相應偵測器之冷卻裝置係移動至反射率校準位置，已知反射標準(例如是矽)係提供。一般來說，偵測器可移動至具有傳送裝置之校準位置，傳送裝置可亦意指為驅動機構。於一些實施例中，量測位置可例如是在生產流程期間改變。
如上所說明，根據一些實施例，處理設備可利用在基板之外側的兩個參考位置。於一位置中，反射率可由已知參考來校準，舉例為校準之鋁鏡(Al-mirror)或拋光之矽表面，且透射比可在球結構21及第三偵測器29之間沒有任何物品之情況中於另一位置校準。反射率及穿透率校準可在基板15之外側的校準位置週期性重覆，以例如是補償偏移(drift)。此可為持續例如是數小時之長塗佈流程中的一方面。
第7圖繪示根據此處所述實施例之處理設備之冷卻配置50之示意圖。冷卻配置50包括一冷卻裝置52和一傳送裝置54。冷卻裝置52包括一熱電冷卻器55，舉例為帕耳帖模組，且冷卻裝置52係裝配用以冷卻量測配置之至少一發熱元件56，量測配置係配置於真空腔室中。
傳送裝置54係裝配用以使真空腔室內之冷卻裝置連同發熱元件56一起移動。在一些實施例中，傳送裝置可裝配用以使真空腔室內的冷卻裝置獨立地從發熱元件56移動，例如從第一發熱元件移動至第二發熱元件。
發熱元件56可為量測配置之電子、光學或光電元件，用以量測於基板上處理之材料的光學性質。在一些實施例中，發熱元件56係偵測裝置、球結構之偵測裝置之資料分析單元的至少一部分，例如是用於分析感測器訊號之感測器晶片或電性晶片。
量測配置可包括另外於本揭露所述的特徵，於此不再贅述。冷卻裝置52可包括另外於本揭露所述的特徵，於此不再贅述。傳送裝置54可包括另外於本揭露所述的特徵，於此不再贅述。真空腔室(未繪示)可包括本揭露的另外特徵，於此不再贅述。
第8圖繪示根據此處所述實施例之處理設備的冷卻配置60。冷卻配置60包括冷卻裝置和傳送裝置54。冷卻裝置包括熱電冷卻器55，例如帕耳帖模組，且冷卻裝置係裝配用以冷卻量測配置之至少一發熱元件56，量測配置係配置在真空腔室中，其中發熱元件56也可為冷卻配置60的一部件。冷卻裝置更包括熱交換模組62，用以從熱電冷卻器55之一發熱側傳遞熱至一冷卻介質，特別是傳遞至一氣態冷卻介質。
傳送裝置54係裝配用以使真空腔室內的冷卻裝置連同發熱元件56一起移動。在一些實施例中，傳送裝置可裝配用以使真空腔室內的冷卻裝置獨立地從發熱元件56移動，例如從第一發熱元件移動至第二發熱元件。
在一些可與此處所述其他實施例結合的實施例中，熱交換模組62包括用以循環冷卻介質之冷卻通道272，且熱交換模組62係裝配用以從熱電冷卻器55之一發熱側傳遞熱至冷卻介質。藉由使熱電冷卻器55介於發熱元件56和熱交換模組62之間，可增加從發熱元件56至熱交換模組62之熱傳遞效率。熱電冷卻器55可提供作為一帕耳帖元件，其中從帕耳帖元件之發熱側產生之熱可耗散至熱交換模組62。
在一些實施例中，熱電偶275可配置於發熱元件56和熱電冷卻器55之間。或者或另外，一或多個石墨箔63可置於熱電冷卻器55之發熱側和熱交換模組62之間，及/或置於熱電冷卻器55之冷卻側和熱電偶275之間。
熱交換模組62可裝配用於使氣態冷卻介質在冷卻通道272內循環。舉例來說，冷卻介質可為大氣、空氣或另一種冷卻氣體。在一些實施方式中，熱交換模組62可耦接至一幫浦裝置277，幫浦裝置277用以將氣態冷卻介質供給至熱交換模組。在一些實施例中，可提供一饋通，用以提供電源纜線，以提供電壓(例如DC電壓)至熱電冷卻器171。可提供撓性連接(例如撓性管278或軟管)，以使冷卻介質從幫浦裝置277供給至可移動配置之熱交換模組62。
量測配置可包括於本揭露所述之另外的特徵，於此不再贅述。冷卻裝置可包括於本揭露所述之另外的特徵，特別是參考第3圖所示之實施例，於此不再贅述。傳送裝置54可包括於本揭露所述之另外的特徵，於此不再贅述。
第9圖繪示根據此處所述實施例之用以在真空腔室中量測基板及/或於基板上處理之材料的一或多個性質的方法1000之流程圖。
在方塊1010中，此方法包括於量測期間冷卻量測配置之至少一發熱元件，量測配置具有冷卻裝置之熱電冷卻器，其中冷卻裝置和發熱元件係配置在真空腔室內的一量測位置。
在一些實施例中，方法更包括方塊1020中，使至少一發熱元件連同冷卻裝置一同移動至真空腔室內的一第二量測位置或至一校準位置。
方法1000可使用此處所述之任一實施例的處理設備來執行，處理設備包括真空腔室和位於真空腔室中的量測配置。量測配置包括發熱元件，發熱元件係藉由一冷卻裝置所冷卻，冷卻裝置包括一熱電冷卻器。
量測可包括量測沉積於基板上之塗層的一或多個光學性質，例如穿透率及/或反射率。量測配置可包括位於真空腔室中的至少一球結構。
在一些實施例中，方法1000可包括使量測配置和冷卻裝置移動至真空腔室中的一第一校準位置(特別是至一反射率校準位置)以及校準量測配置。在典型的實施方式中，方法1000可包括使量測配置和冷卻裝置移動至真空腔室中的一第二校準位置(特別是至一穿透率校準位置)以及校準量測配置。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，於第一校準位置之校準和於第二校準位置之校準的至少一者係週期性或週期性重覆。作為一例子來說，在處理週期之後、在處理週期期間、及類似之期間，校準可在預定之時間區段中重覆。反射率及穿透率校準可在校準位置中週期性重覆，例如是以補償偏移。此可為持續例如是數小時之長塗佈流程中的一方面。
根據此處所述之實施例，用以量測基板及/或於基板上處理之材料的一或多個光學性質之方法可利用電腦程式、軟體、電腦軟體產品及有互相關係之控制器來執行。有互相關係之控制器可具有中央處理器(CPU)、記憶體、使用者介面、及與用以處理大面積基板之設備的對應元件通訊之輸入和輸出元件。
本揭露係使用在真空腔室中之球結構來例如是在兩個滾軸之間的基板之未支撐間距位置中量測反射率及/或穿透率，基板例如是塑膠膜。根據一些實施例，反射率和穿透率量測可在相同位置執行。甚至如果膜之表面不是平面時，反射之光係幾乎完全地收集在球結構中。根據一些實施例，為了讓量測係沿著基板寬度之任何選定的位置上，此設備之量測配置可裝設在線性定位平台上，線性定位平台例如是由馬達驅動。與用以透射比之偵測器結合，根據此處所述實施例的設備係提供於基板上處理之材料的預定位置之反射率和折射率量測，於基板上處理之材料例如是已塗佈之膜。特別是，反射率量測係對基板平面(例如是+/-5 mm)之改變(皺褶)沒有那麼敏感。
在實施例中，穿透率及反射率可在相同位置執行，例如是只利用具有舉例為兩個耦接軸之一個線性定位平台。使用球結構係提供改善之反射率量測正確性。此設備可例如是使用來檢視光學層系統，例如是抗反射率(antireflection)、不顯眼之ITO、窗膜(window film)、及類似物。對於客戶來說，整個軟質基材(web)寬度的光學品質控制係可行的。根據一些實施例，設備且特別是量測配置具有電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)相容性，且可容忍例如是因濺射沉積源(直流(DC)、中頻(MF)、射頻(RF))所感應之強大電場。
在一些實施例中，至少於量測期間，係控制至少一發熱元件的溫度維持實質上恆定，例如是在目標溫度的+/- 5°C的範圍內。為此，可提供用以控制一或多個熱電冷卻器的控制器，其中一或多個熱電冷卻器係熱耦接至一或多個發熱元件。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
11‧‧‧塗佈鼓
12‧‧‧第一滾軸
13‧‧‧第二滾軸
14‧‧‧反射率量測裝置
15‧‧‧基板
16‧‧‧穿透率量測裝置
17‧‧‧材料
20、160‧‧‧量測配置
21‧‧‧球結構
22‧‧‧腔
23、163‧‧‧光源
24‧‧‧第一偵測器
25‧‧‧第一資料處理或第一資料分析單元
26‧‧‧埠
27‧‧‧第二偵測裝置
28‧‧‧第二資料處理或第二資料分析單元
29‧‧‧第三偵測器
30、31、32‧‧‧位置
33‧‧‧反射率參考元件
42‧‧‧第一冷卻裝置
44‧‧‧第二冷卻裝置
46‧‧‧第三冷卻裝置
50、60‧‧‧冷卻配置
52、170、270‧‧‧冷卻裝置
54、129、180‧‧‧傳送裝置
55、171‧‧‧熱電冷卻器
56、161‧‧‧發熱元件
62、271‧‧‧熱交換模組
63‧‧‧石墨箔
100、200、300‧‧‧設備
110‧‧‧真空腔室
162‧‧‧偵測裝置
272‧‧‧冷卻通道
275‧‧‧熱電偶
277‧‧‧幫浦裝置
278‧‧‧撓性管
1000‧‧‧方法
1010、1020‧‧‧方塊
P‧‧‧原點位置
為了可詳細地了解本揭露上述之特徵，簡要摘錄於上之本揭露更特有的說明可參照實施例。所附之圖式係有關於本揭露之實施例且說明於下方。典型之實施例係繪示於圖式中且詳細說明於下方。於圖式中： 第1圖繪示光學塗層之反射率及穿透率量測的示意圖； 第2圖繪示根據此處所述實施例之處理設備的示意圖； 第3圖繪示根據此處所述實施例之處理設備的示意圖； 第4圖繪示根據此處所述實施例之處理設備的示意圖； 第5圖繪示根據此處所述實施例之處理設備的示意圖； 第6圖繪示第5圖之用以處理基板上之材料的設備之另一示意圖，其位在真空腔室中之量測位置和兩個校準位置； 第7圖繪示根據此處所述實施例之冷卻配置； 第8圖繪示根據此處所述實施例之冷卻配置； 第9圖繪示根據此處所述實施例之用以藉由處理設備，量測基板及/或於基板上處理之材料之一或多個光學性質的方法的流程圖。
15‧‧‧基板
17‧‧‧材料
100‧‧‧設備
110‧‧‧真空腔室
160‧‧‧量測配置
161‧‧‧發熱元件
162‧‧‧偵測裝置
163‧‧‧光源
170‧‧‧冷卻裝置
171‧‧‧熱電冷卻器
180‧‧‧傳送裝置

Claims (20)

  1. 一種用以處理一基板上之一材料的設備，包括： 一真空腔室(110)；以及 一量測配置(20、160)，裝配用以量測該基板(15)及/或於該基板上處理之該材料的一或多個性質，其中該量測配置包括具有一熱電冷卻器(55、171)之一冷卻裝置(52、170、270)，用以冷卻該量測配置之至少一發熱元件(56、161)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該量測配置(20、160)更包括一傳送裝置(54、129、180)，該傳送裝置係裝配用以使該冷卻裝置與該至少一發熱元件在該真空腔室(110)內分開地移動或一起移動。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該傳送裝置包括一致動器，該致動器係裝配用以使該發熱元件和該冷卻裝置一起移動至一量測位置(31)、一反射率校準位置(32)和一穿透率校準位置(30)中之至少一者。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該致動器包括一電性馬達、一線性馬達、一氣壓致動器、一液壓致動器及一壓電致動器中之至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之設備，其中該量測配置包括一偵測裝置(24、27、29、162)，且該發熱元件係該偵測裝置的一部件。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該發熱元件包括一光譜儀裝置、一照相機裝置、一CCD照相機、一電性晶片、一感測器晶片及一光柵中之至少一者。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之設備，其中該熱電冷卻器(55、171)包括一帕耳帖模組，該帕耳帖模組係熱耦接於該至少一發熱元件。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之設備，其中該熱電冷卻器(55、171)包括一帕耳帖模組，該帕耳帖模組係熱耦接於該至少一發熱元件。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之設備，其中該冷卻裝置包括一熱交換模組(62、271)，其中該熱電冷卻器係耦接於該至少一發熱元件和該熱交換模組之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該熱交換模組(62、271)包括複數個用於一循環冷卻介質的冷卻通道(272)及/或冷卻管，且該熱交換模組係裝配用以將熱從該熱電冷卻器之一發熱側傳遞至該冷卻介質。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之設備，其中該熱交換模組(62、271)係耦接至一幫浦裝置(277)，該幫浦裝置係裝配用以通過該熱交換模組供給一氣態冷卻介質。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該幫浦裝置(277)係裝配用以通過該熱交換模組供給冷卻空氣。
  13. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之設備，其中該量測配置係裝配用以量測該基板及/或於該基板上處理之該材料的一光學性質。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之設備，其中該光學性質係該基板及/或於該基板上處理之該材料的一反射率和一穿透率中之至少一者。
  15. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之設備，其中該量測配置包括位在該真空腔室(110)中的至少一球結構(21)。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之設備，其中該球結構(21)係為一積分球。
  17. 一種冷卻配置(50、60)，用於如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之設備，包括： 一冷卻裝置，包括一熱電冷卻器(55)，該冷卻裝置用以冷卻一量測配置之至少一發熱元件(56)，該量測配置係配置於一真空腔室中；以及 一傳送裝置(54)，裝配用以使該冷卻裝置與該至少一發熱元件(56)在該真空腔室內分開地移動或一起移動。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之冷卻配置，其中該冷卻裝置更包括一熱交換模組(62)，用以將熱從該熱電冷卻器(55)之一發熱側傳遞至一冷卻介質。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之冷卻配置，其中該冷卻介質係為一氣態冷卻介質。
  20. 一種量測在一真空腔室中之一基板及/或於該基板上處理之一材料的一或多個性質的方法，該方法包括： 在量測期間，藉由一冷卻裝置之一熱電冷卻器冷卻一量測配置之至少一發熱元件，其中該冷卻裝置和該發熱元件係配置於該真空腔室內的一量測位置。
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