TW201713605A - 用於大量處理基板卷材之系統及方法 - Google Patents

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Abstract

揭示批次處理玻璃基板卷材的系統與方法。在一個實施例中,處理玻璃基板卷材的方法包括施加間隔物層至玻璃基板卷材的第一表面或第二表面的至少一者,並 捲動間隔物層與玻璃基板卷材以形成捲軸。間隔物層經設置以致捲軸中的玻璃基板卷材的第一表面與第二表面之間存在有間隙。方法進一步包括施加流體至捲軸以致流體圍繞捲軸並配置於捲軸中的第一表面與第二表面之間的間隙中。

Description

用於大量處理基板卷材之系統及方法
本說明書大體而言係關於可撓性基板卷材的處理,更具體而言,係關於捲軸形式中可撓性基板卷材的大量處理。
至少部分因為厚度、低重量與強度的緣故,可撓性基板(例如,可撓性玻璃基板)逐漸變得熱門。上述可撓性基板可併入多種產品(諸如,個人電子用品、器具、建築部件等等)。自玻璃基板製造物件可能需要相當長週期的處理。抗微生物玻璃為已經在個人電子裝置、公眾販售亭(kiosks)、衛生間設備等等發現用途的玻璃實例。可藉由在玻璃基板中包含已經顯示可殺死細菌的銀離子來形成抗微生物玻璃。然而,藉由離子交換處理而在玻璃基板中包含銀離子通常需要將玻璃基板浸入離子交換槽達長週期(例如,兩天)。上述長循環時間使得處理大數目的具有抗微生物性質的玻璃基板物件難以實施。
因此,存在有處理玻璃基板的大表面區域以提高容積產量的系統與方法的需求。
在一個實施例中,處理玻璃基板卷材的方法包括施加間隔物層至玻璃基板卷材的第一表面或第二表面的至少一者,並捲動間隔物層與玻璃基板卷材以形成捲軸。間隔物層經設置以致捲軸中的玻璃基板卷材的第一表面與第二表面之間存在有間隙。方法進一步包括施加流體至捲軸以致流體圍繞捲軸並配置於捲軸中的第一表面與第二表面之間的間隙中。
在另一個實施例中, 處理玻璃基板卷材的方法包括施加間隔物層至玻璃基板卷材的第一表面或第二表面的至少一者。玻璃基板卷材包括第一邊緣以及與第一邊緣相反的第二邊緣。間隔物層包括第一複數個間隔物片段、第二複數個間隔物片段與第三複數個間隔物片段,第一複數個間隔物片段配置鄰近玻璃基板卷材的第一邊緣,第二複數個間隔物片段配置鄰近玻璃基板卷材的第二邊緣,而第三複數個間隔物片段配置在玻璃基板卷材的第一表面或第二表面的至少一者的中心區域。方法進一步包括圍繞中央核心捲動間隔物層與玻璃基板卷材以形成捲軸。間隔物層經設置以致捲軸中的玻璃基板卷材的第一表面與第二表面之間存在有間隙。施加流體至捲軸以致流體圍繞捲軸並配置於捲軸中的第一表面與第二表面之間的間隙中。
在又另一個實施例中,玻璃基板卷材處理系統包括玻璃基板卷材捲軸、封圍件及封圍件中的流體。玻璃基板卷材包括第一表面與第二表面,以及施加至第一表面或第二表面至少一者的間隔物層。玻璃基板卷材與間隔物層被捲成捲軸以致捲軸中的玻璃基板卷材的第一表面與第二表面之間存在有間隙。在封圍件中提供流體以致流體圍繞玻璃基板卷材並配置於捲軸中的第一表面與第二表面之間的間隙中。
在又另一個實施例中,處理玻璃基板卷材的方法包括施加流體至玻璃基板卷材的捲軸。捲軸包括配置於捲軸的相鄰繞組之間以在相鄰繞組之間形成間隙的間隔物層。在施加步驟過程中,流體配置於間隙中。
本文所揭示的實施例係關於捲繞可撓性基板卷材的捲軸的批次處理。具體而言,將一長度的基板卷材(例如,玻璃卷材)與插入層或間隔物層一起捲繞成捲軸組件。間隔物層提供間隙於基板卷材的相鄰表面之間,以允許流體(諸如,氣體或液體)通過相鄰表面之間並接觸基板卷材的表面的一部分表面區域。基板卷材與間隔物層的捲軸可經大量處理以執行諸如(但不限於)離子交換、化學蝕刻與塗覆層沉積等處理。由於基板卷材為捲軸形式,可一次處理大長度的基板卷材,此舉對具有大持續時間週期的處理而言特別有益。
在下文詳細描述多種大量處理基板卷材的方法與處理基板卷材的系統。
現參照第1A–1C圖,示例性捲軸101包括捲繞的基板卷材103與間隔物層111。具體而言,第1A圖示意性說明示例性捲軸101的俯視圖,第1B圖示意性說明將基板卷材103與間隔物層111捲成第1A圖中所示之示例性捲軸的處理,而第1C圖示意性說明第1A圖中所示之捲軸101的特寫圖。如第1C圖中所示且更詳細描述於本文中,間隔物層111提供間隙108於捲軸101中之基板卷材103的相鄰表面之間以允許流體接觸基板卷材103的兩個表面的一部分。應當理解為了說明容易在第1A圖與第1B圖中並未分別繪示基板卷材103與間隔物層111。再者,亦應當理解第1A圖是示例性捲軸101的簡化示意圖,而捲軸101可包括基板卷材103與間隔物層111的多個個別輪圈。
如本文所用之詞彙「基板卷材」意指包括玻璃材料、陶瓷材料或玻璃-陶瓷材料的至少一者的玻璃基板卷材。在某些實施例中,基板卷材包括聚合物材料或金屬材料的一或多者。舉例而言,基板卷材可包括能夠被捲繞成捲軸的可撓性玻璃卷材(例如,可撓性玻璃材料的連續卷材)。第1D圖示意性說明可撓性玻璃卷材103A的一個實施例。亦用作實例,可拼接、層疊或接合不同材料在一起以產生捲軸。舉例而言,基板卷材可包括聚合物膜卷材,聚合物膜卷材具有離散可撓性玻璃片永久地或暫時地附接(例如,附接至聚合物膜卷材的表面)。第1E圖示意性說明包括附接有離散可撓性玻璃片103C的聚合物膜卷材103B的一個實施例。在某些實施例中,聚合物膜卷材包括與離散可撓性玻璃片的一或多者對齊的開口,以致可撓性玻璃片的第一表面第二表面兩者皆暴露至本文所述向表面施加的流體。不同材料可各自覆蓋卷材的整個寬度或個別離散區域。作為非限制性實例,可利用本文所述方法處理Corning Incorporated(紐約州康寧市)所製造的EagleXG®、Lotus®與Gorilla®玻璃基板。作為另一個非限制性實例,可利用本文所述方法處理可撓性 氧化釔-穩定氧化鋯。
基板卷材103應具有一厚度,以致基板卷材103能夠如第1A-1C圖中所示般被捲成捲軸。在玻璃基板作為非限制性實例情況中,基板卷材103可具有低於300µm的厚度。應當理解取決於材料的組成與性質,基板卷材103可具有其他厚度。舉例而言,基板卷材的厚度可為200µm或更低、150µm或更低、100µm或更低或50µm或更低。額外或替代地,基板卷材可具有適合應用需求的寬度,寬度範圍自10mm至>1m。舉例而言,基板卷材的寬度可為100mm或更大、300mm或更大、500mm或更大、1000mm或更大、2000mm或更小、1500mm或更小或1000mm或更小。額外或替代地,取決於應用需求,基板卷材可具有範圍自<1m至>1000m的長度。舉例而言,基板卷材的長度可為1m或更大、50m或更大、100m或更大、200m或更大、300m或更大、 2000m或更小、1000m或更小或500m或更小。基板亦可具有通孔以使流體自基板的一側流至下一側。
如下文更詳細所述,間隔物層111耦接至基板卷材103的至少一個表面。參照第1B圖,在間隔物層111固定至基板卷材103後,將組件機械地捲成捲軸101。在某些實施例中,將間隔物層111與基板卷材103捲至中央核心109上。作為捲軸101支撐的中央核心109可由能夠承受流體(諸如,下文所述的離子交換溶液及/或化學蝕刻溶液)的化學惰性材料所製成。間隔物層111亦應由化學惰性材料所製成。可藉由任何已知或尚未發明的捲繞處理將間隔物層111與基板卷材103捲成捲軸101。
現參照第1C圖,間隔物層111經設置以提供間隙108於基板卷材103的第一表面105與第二表面107之間。舉例而言,捲軸101包括基板卷材103的連續繞組或纏繞,而間隙108配置於捲軸的第一繞組的第一表面105與相鄰於第一繞組的捲軸的第二繞組的第二表面107之間。可藉由圍繞捲軸纏繞基板卷材103一圈來形成各個繞組。間隙108允許流體(即,氣體或液體)流動於第一表面105與第二表面107之間。在此方式下,流體可流動通過捲軸101以致流體接觸第一表面105與第二表面107的表面區域的一部分。間隙108應具有大到足以允許流體流動通過間隙的寬度。作為實例且非限制,間隙108的寬度可為10µm至1mm。取決於處理條件與準備進行的處理來選擇特定尺寸。本文所述的間隔物層可由對用來處理基板卷材103的流體具有抗滲性質的材料所製成。間隔物層材料的非限制性實例包括鐵氟龍或聚醯亞胺。應當理解可利用其他材料。
現將參照第2A圖與第2B圖描述示例性間隔物層111。第2A圖是基板卷材103的第一表面105的俯視圖,而第2B圖是側視圖。應當理解實施例並不限於間隔物層111相對基板卷材103的設置與配置。在說明實施例中,間隔物層111包括複數個間隔物片段113在基板卷材103的第一表面105與第二表面107上且鄰近第一邊緣104與第二邊緣106。舉例而言,可在與第一邊緣104與第二邊緣106相隔約10mm中、約5mm中或約2mm中配置間隔物片段。如第2B圖中所示,沿著第一邊緣104與第二邊緣106配置的複數個間隔物片段113通常為「U」形,以致間隔物片段113自第一表面105至第二表面107包覆圍繞基板卷材103的邊緣104, 106。可如第2A圖中所示將鄰近第一邊緣104與第二邊緣106配置的間隔物片段113彼此對齊(例如,在y方向上)。或者,鄰近第一邊緣104與第二邊緣106配置的間隔物片段可彼此不對齊。
如同第2A圖與第2B圖中所示,間隔物層111可進一步包括沿著基板卷材103的中央區域(例如,中線)配置的複數個間隔物片段115。可提供該等中央間隔物片段115以避免基板卷材103在接近基板卷材103的中間下垂。應當理解在其他實施例中可不應用中央間隔物片段115(參見第6圖)。此外,中央間隔物片段可如同第2A圖與第2B圖中所示般沿著中線配置,或間隔離開或偏移離開中線。間隔物片段115可與間隔物片段113對齊或不對齊(例如,在y方向上)。
可藉由任何適當處理將間隔物層111施加至基板卷材103。舉例而言,可藉由自動機械處理將基板卷材103插入間隔物層111中。在數個實施例中,可藉由使用附著劑將間隔物層111附著至基板卷材103。間隔物層111可為非附著的插入層材料或附著的疊層或塗層。間隔物層111亦可為整體基板卷材103本身的一部分而非添加或與基板卷材103結合的額外元件(即,卷材邊緣珠)。
間隔物層111可採用第2A圖與第2B圖中所述以外的多種其他形狀與設置。舉例而言,非為複數個間隔物片段113,間隔物層111可沿著基板卷材103的第一邊緣104與第二邊緣106為連續的。再者,間隔物層111可具有連續長條配置於第一表面105與第二表面107上的基板卷材103的中央中,而非第2A圖與第2B圖中所示的複數個間隔物片段115。在又其他實施例中,間隔物層111可僅被施加至基板卷材103的第一表面105與第二表面107的一者上。在又其他實施例中,間隔物層可為可穿透材料的連續或實質上連續層,以使流體如本文所述般流動通過間隔物材料。
在某些實施例中,間隔物層可如本文所述般在基板卷材處理過程中避免流體接觸間隔物層覆蓋的基板卷材區域。因此,可有利於最小化間隔物層覆蓋的基板卷材的表面區域同時維持捲軸中的間隙。在某些實施例中,間隔物層覆蓋的基板卷材的區域最多是基板卷材總表面區域約20%、約10%或約5%。
現參照第3圖,圖示施加至第一表面105與第二表面107的另一示例性間隔物層111A。所示的間隔物層111A具有複數個配置在第一表面105與第二表面107上鄰近第一邊緣104與第二邊緣106的間隔物片段113A。所示的間隔物層111A亦包括複數個沿著基板卷材103的第一表面105與第二表面107上的中線配置的間隔物片段115A。然而,在第3圖中所示的實施例中,複數個間隔物片段113A並未如同第2A圖與第2B圖中所示般完全包覆圍繞第一邊緣104與第二邊緣106,且複數個間隔物片段113A可形成在離開第一邊緣104與第二邊緣106某段距離處。相較而言,間隔物片段113A僅配置在第一表面105與第二表面107上。如上參照第2A圖與第2B圖所述,間隔物層111A可不包括中央間隔物片段115A及/或可僅配置在第一表面105與第二表面107的一者上。
第4圖說明示例性間隔物層111B,其中沿著基板卷材103中線配置的複數個間隔物片段115B的長度短於第2A圖與第2B圖中所示的彼等間隔物片段。如第4圖中所示,中央間隔物片段115B通常沿著y-軸對齊於邊緣間隔物片段113。間隔物層111B可被配置在基板卷材103的表面105, 107的一者或兩者上。值得注意的是中央間隔物片段115B可被形成為多種圖案與配置,且不需要以在基板卷材103中心的線的方式存在。
現參照第5圖,說明間隔物層111C的另一示例性實施例。第5圖中所示的間隔物層111C包括配置在基板卷材103的表面105, 107的至少一者上的複數個整合間隔物片段117。各個整合間隔物片段117包括鄰近基板卷材103的第一邊緣104與第二邊緣106的兩個邊緣部分113C,以及延伸於兩個邊緣部分113C之間的中央部分115C。兩個邊緣部分113C可完整包圍第一邊緣104與第二邊緣106,或者兩個邊緣部分113C可僅僅配置在第一表面105及/或第二表面107上而不包圍邊緣(參見第3圖)。當被捲成捲軸101時,整合間隔物片段117的中央部分115C可避免基板卷材103在中間下垂。中央部分115C可作為遮罩以避免流體接觸中央部分所覆蓋的基板卷材區域。舉例而言,基板卷材的未接觸區域可為未強化區域(例如,因為在未接觸區域未發生離子交換),而在處理後可在未接觸區域處切割基板卷材。
第6圖示意性描繪示例性間隔物層111D,其中如上所述並未有片段配置在基板卷材103的中間。
在某些實施例中,間隔物層可為可穿透的以致流體可流動通過間隔物層並接觸基板卷材的表面。舉例而言,間隔物層可由孔狀或網狀材料所製成,且/或具有通道配置於間隔物層中。現參照第7圖,示意性說明另一示例性基板層111E。示例性基板層111E的配置相似於第2A圖中所示的實施例。間隔物片段113D、115D設置為提供通道或空間的網狀物,流體可通過通道或空間並接觸第一表面105及/或第二表面107。基板層111E亦可由孔狀材料所製成,而非設置成其他實施例中的網狀物。
在其他實施例中,間隔物層可設置以限制流體僅在第一邊緣104與第二邊緣106處及/或第一邊緣104與第二邊緣106鄰近處的區域(即,邊緣面)接觸基板卷材103或與基板卷材103交互作用。舉例而言,間隔物層可被設置成兩個連續長條配置在基板卷材103的第一表面及/或第二表面的內部區域上,以致兩個連續長條偏離第一邊緣104與第二邊緣106。間隔物層的連續長條限制流體接觸區域至僅有第一邊緣104與第二邊緣106以及鄰近第一邊緣104與第二邊緣106的第一表面105與第二表面107區域。舉例而言,連續長條可與第一邊緣與第二邊緣間隔離開至少約10mm、至少約15mm或至少約20mm。藉此,避免流體進入配置在間隔物層的連續長條之間的間隙的中央部分,以致配置在間隔物層的連續長條之間的基板卷材的中央區域的至少一部分未被流體所接觸。
應當理解間隔物層可採用不同於彼等說明於第2A–7圖的配置。間隔物層的目的在於產生所需的流體通道以使流體與基板卷材的第一表面105及/或第二表面107交互作用。
現參照第8圖,遮罩材料119可永久地或可移除地配置在基板卷材103的一或多個表面105, 107上。可用任何期望圖案提供的遮罩材料119可避免流體到達遮罩材料所覆蓋的基板卷材103表面的部分。在說明實施例中,遮罩材料119配置在間隔物層111F的間隔物片段113之間,以在基板卷材103的表面105上界定未被遮罩材料119所覆蓋的複數個矩形形狀120。作為實例而非限制因素,矩形形狀120可為將自基板卷材103切斷的玻璃或聚合物面板或框架,而遮罩材料119可避免玻璃強化離子交換浴到達遮罩材料所覆蓋的表面105部分,藉此提供對應於遮罩材料的未強化區域,藉此未強化區域可更容易自基板卷材103切割矩形形狀。
本揭示案的實施例可批次處理基板卷材103的整個捲軸101,而非處理基板卷材103的個別切割片或需要展開捲軸以進一步處理基板卷材103。現參照第9A圖,在如第1A-1C圖中所示將基板卷材103與間隔物層111捲成捲軸101後,將捲軸101如箭號A所示配置於封圍件130中。封圍件130可設置為任何設置用來施加流體至捲軸101的結構(諸如,容器、槽或腔室),以致流體通過捲軸101中的間隙108並接觸第一表面105與第二表面107的表面區域的一部分。舉例而言,當流體是氣體時,封圍件130可為包括能夠以氣體填充封圍件130的噴頭的較大系統的一部分。作為另一實例,當流體是液體時,封圍件130應能維持液體以致液體圍繞捲軸101。選擇基板卷材103的組成分以便與期望進行的處理相容。值得注意的是流體不需要完全圍繞捲軸101或接觸基板卷材103的所有層。封圍件130應引導流體接觸基板卷材103的第一表面105或第二表面107的至少一部分。封圍件130亦可產生攪動(諸如,機械式、超音波等等)、攪動流體流動、依序流動多種流體、加熱或其他所需條件,以執行基板卷材103的期望表面處理。
在某些實施例中,施加流體至捲軸包括流動流體覆蓋捲軸(例如,藉由噴灑流體至捲軸上),以致流體流入捲軸中的間隙內以接觸基板卷材的第一表面或第二表面的至少一者。取代或在如本文所述般將捲軸浸入流體浴以外,可將流體流動覆蓋捲軸。
現參照第9B圖,示意性說明配置在包含流體132的封圍件130中的捲軸101。在說明實施例中,流體132繪製為浴。舉例而言,浴可為水性浴或熔融鹽浴。作為實施例而非限制因素,浴可提供離子交換處理,諸如產生抗微生物玻璃的離子交換處理或產生化學強化玻璃的離子交換處理。藉此,浴可為包括與基板卷材中第二離子交換的第一離子的熔融鹽浴。值得注意的是離子交換處理會需要含鹼金屬玻璃材料以成功地在玻璃材料與離子交換浴之間交換離子。
抗微生物玻璃基板近年來已經變得熱門,且可併入多種產物(例如,消費者電子產物)中。在本文所述實施例中,在硝酸銀132的水溶液中提供已經顯示有高殺菌速率的銀離子(Ag+ )並與捲成捲軸101的含鹼金屬玻璃卷材103的離子交換。即便玻璃卷材103被捲成捲軸101,具有間隔物層111的捲軸101仍可使水溶液132接觸玻璃卷材103的表面。由於提供用來將銀離子併入玻璃基板的離子交換處理需要長浸泡時間,批次處理整個捲軸101優於緩慢的滾筒至滾筒處理或同樣緩慢的個別片處理。換句話說,本文所述的實施例可在用來產生抗微生物玻璃的小預切運行的相同時間內製備較大的抗微生物玻璃表面區域。此舉降低自玻璃卷材103切割每個單獨抗微生物片的總體處理時間量,並提供大容積產量。
除了批次處理抗微生物玻璃,本文所述的實施例亦可提供藉由離子交換處理的化學強化玻璃的批次處理。流體132是能夠自第一表面105與第二表面107形成壓縮應力層進入玻璃卷材103本體的任何已知或尚未發明的水性浴。舉例而言,流體132可包括與玻璃卷材103的鈉離子交換的鉀離子。玻璃卷材103的整個捲軸101的批次處理提供化學強化玻璃物件的大容積產量。
基板卷材103的其他非水性流體處理亦是有可能的,但基板卷材103與任何間隔物材料應經選擇以具有適當的熱、化學與其他處理相容性。舉例而言,為了進行利用熔融鹽浴(諸如,包括Ag+ 離子以用於抗微生物離子交換及/或K+ 離子以用於化學強化)的基板卷材103的流體處理,間隔物材料通常可相容於>300℃的處理溫度。
流體132亦可為操作用來化學性蝕刻處於捲軸形式的基板卷材103的蝕刻劑溶液。作為實例而非限制因素,基板卷材103可被設置成含鹼金屬或不具鹼金屬的薄玻璃基板,且具有在第1B圖中所示的捲繞處理之前的雷射鑽孔處理所形成雷射鑽孔介層窗。上述介層窗可有用於玻璃中介層,玻璃中介層可用於電子裝置中。示例性雷射鑽孔處理描述於美國第62/208,282號專利申請案,名稱為「Methods of Continuous Fabrication of Features in Flexible Substrate Webs and Products Relating to the Same」,在此將美國案的內容以參考方式全文併入本文中。雷射鑽孔介層窗是已經藉由雷射束損傷的玻璃卷材103區域。相較於未經雷射損傷區域而言,可藉由蝕刻劑溶液更快速地移除藉由雷射束損傷的玻璃材料。在此方式中,蝕刻劑溶液可操作來移除玻璃材料以開啟雷射鑽孔介層窗至期望直徑。此實例說明在藉由封圍件130執行批次處理步驟之前或之後,有可能以基板卷材103執行連續的滾筒至滾筒處理。
化學蝕刻劑溶液可為能夠自捲成捲軸101的基板卷材化學性蝕刻材料的任何溶液。示例性非限制性化學蝕刻劑溶液包括氫氟酸(HF)溶液與氫氧化鉀(KOH)溶液。KOH蝕刻處理可產生比HF蝕刻處理具有更直側壁的介層窗。然而,上述KOH蝕刻處理會需要兩天蝕刻處理。本文所述的實施例所達成的批次處理可使KOH蝕刻處理更具實用性,因為可在玻璃基板處於捲軸形式時一次處理玻璃基板的更多表面區域。作為另一個實例,間隔物層可僅使流體接觸邊緣附近的基板卷材表面。舉例而言,在此情況下,流體性蝕刻處理可僅發生於基板卷材的邊緣面以及接近邊緣的表面。此實例可使基板卷材的流體性邊緣拋光發生在批次處理中。在此情況下,間隔物層功能與遮罩層功能可整合在單一材料中。
在另一個實施例中,當基板卷材103被捲成捲軸101時,流體132可操作來移除基板卷材103的第一表面105及/或第二表面107上存在的光阻層。當基板卷材103被捲成捲軸101時,亦可藉由流體132的作用來移除其他類型的層。
其他批次處理亦是可能的。除了化學蝕刻與離子交換處理以外,可藉由氣體或液體處理任一者將一或多個塗層沉積於基板卷材103的表面上。舉例而言,當基板卷材103被捲成捲軸101時,可將一或多個薄膜層(例如,聚合物層)沉積於基板卷材103的表面上。再者,基板卷材103捲軸的流體批次處理可被用來表面處理第一表面105或第二表面107任一者。作為另一非限制性實例,流體可設置用來改變基板卷材103的第一表面105與第二表面107的至少一部分的表面能量。矽烷氣體與臭氧氣體是能夠進行表面能量改變的非限制性實例。實例
將Corning Incorporated(紐約州康寧市)製造的50 µm厚Corning編碼2318玻璃的100mm x 300mm基板與具有第2A圖與第2B圖的幾何的間隔物層圍繞Teflon®核心捲成捲軸。在外側用Kapton膠帶固定捲軸以避免展開。間隔物層提供範圍為100-150µm的間隙於玻璃的相鄰表面之間。
將整個捲軸在95℃下浸入13M硝酸銀(0.5328g在240 ml的去離子水中)水溶液中達96小時。在離子交換處理之後,在仍然處於捲軸形式下清洗整個捲軸。接著展開玻璃,並自捲軸的不同層移除樣本以測試抗微生物效率以及物理性質測試(例如,UV-可見光透射)。玻璃呈現約log 2.5的抗微生物殺死速率,同時未顯示光學清晰度或可見光透射的可感知的遞減。此評估證實了在捲繞成捲軸配置時發生了基板卷材的第一表面與第二表面的批次處理。
現應理解本揭示案的實施例可用批次模式處理基板卷材(例如,玻璃卷材)的整個捲軸。此舉可在一段長度的基板卷材上執行多種處理,而一段長度的基板卷材在滾筒至滾筒或一片一片處理中實際上花費太長時間週期。再者,本文所述的實施例可使處理執行在可撓性基板的大區域上,除非使用載體否則無法在片狀形式中執行可撓性基板的大區域的處理。值得注意的是使用載體限制一次僅能接近基板的一個表面。因此,本文所述的實施例提高容積產量,並可使利用具有長時間週期的處理在基板卷材的大表面區域處理上成真。
儘管已經在本文描述了示範性實施例,但本領域具有通常知識者可理解能在不悖離隨附申請專利範圍所包含的範圍下對示範性實施例中的形式與細節進行多種變化。
101‧‧‧捲軸
103‧‧‧基板卷材
103A‧‧‧可撓性玻璃卷材
103B‧‧‧聚合物膜卷材
103C‧‧‧離散可撓性玻璃片
104‧‧‧第一邊緣
105‧‧‧第一表面
106‧‧‧第二邊緣
107‧‧‧第二表面
108‧‧‧間隙
109‧‧‧中央核心
111、111A、111B、111C、111D、111F‧‧‧間隔物層
111E‧‧‧基板層
113、113A、113D、115、115A、115B、115D‧‧‧間隔物片段
113C‧‧‧邊緣部分
115C‧‧‧中央部分
117‧‧‧整合間隔物片段
119‧‧‧遮罩材料
120‧‧‧矩形形狀
130‧‧‧封圍件
132‧‧‧流體
可由下文示例性實施例的更明確描述使上文更加清楚,示例性實施例描繪於附圖中,且其中相似的元件符號在不同圖式中代表相同的部分。並非必然按照比例繪製圖式,反之在描繪代表性實施例時可進行圖式強調。
第1A圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的捲軸的示意圖,捲軸包括圍繞中央核心捲繞的基板卷材與間隔物層;
第1B圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例在被捲繞至中央核心上的處理中的基板卷材與間隔物層的示意圖;
第1C圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的第1A圖中所繪示之捲軸的特寫示意圖;
第1D圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的可撓性玻璃卷材的示意圖;
第1E圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的具有離散可撓性玻璃片附著的聚合物膜卷材的示意圖;
第2A圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的施加至基板卷材的間隔物層的俯視示意圖;
第2B圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的第2A圖中所繪示之間隔物層與基板卷材的側視示意圖;
第3圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的施加至基板卷材的替代間隔物層的側視示意圖;
第4圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的施加至基板卷材的替代間隔物層的俯視示意圖;
第5圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的施加至基板卷材的替代間隔物層的俯視示意圖;
第6圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的施加至基板卷材的替代間隔物層的俯視示意圖;
第7圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的施加至基板卷材的替代間隔物層的俯視示意圖;
第8圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的施加至基板卷材的間隔物層與遮罩層的俯視示意圖;
第9A圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的處理基板卷材的系統的示意圖;及
第9B圖係根據本文所描述與說明的一或多個實施例的配置在封圍件中之流體內的基板卷材捲軸的示意圖。
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101‧‧‧捲軸
109‧‧‧中央核心
130‧‧‧封圍件

Claims (28)

  1. 一種處理一玻璃基板卷材的方法,該方法包括以下步驟: 施加一流體至該玻璃基板卷材的一捲軸; 其中該捲軸包括一間隔物層,該間隔物層配置在該捲軸的相鄰繞組之間以在相鄰繞組之間形成一間隙;及 其中在該施加步驟過程中,該流體配置於該間隙中。
  2. 如請求項1所述之方法,進一步包括以下步驟: 施加該間隔物層至該玻璃基板卷材的一第一表面或一第二表面的至少一者;及 捲動該間隔物層與該玻璃基板卷材以形成該捲軸,該間隔物層經設置以致該間隙存在於該捲軸中的該玻璃基板卷材的該第一表面與該第二表面之間。
  3. 如請求項1所述之方法,其中: 該玻璃基板卷材包括一第一邊緣與一第二邊緣,該第二邊緣與該第一邊緣相反;及 該間隔物層包括一第一複數個間隔物片段與一第二複數個間隔物片段,該第一複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第一邊緣,而該第二複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第二邊緣。
  4. 如請求項1所述之方法,其中該間隔物層包括一可穿透材料,該可穿透材料對該流體是可穿透的。
  5. 如請求項1所述之方法,其中該玻璃基板卷材包括可撓性玻璃材料的一連續卷材。
  6. 如請求項1所述之方法,其中該玻璃基板卷材包括一聚合物膜卷材與複數個離散可撓性玻璃片。
  7. 如請求項1所述之方法,其中該間隔物層與該玻璃基板卷材圍繞一中央核心捲動。
  8. 如請求項1所述之方法,其中: 該玻璃基板卷材包括一第一邊緣與一第二邊緣,該第二邊緣與該第一邊緣相反;及 該間隔物層被施加至鄰近該第一邊緣與該第二邊緣的該第一表面或該第二表面的至少一者。
  9. 如請求項1所述之方法,其中: 該玻璃基板卷材包括一第一邊緣與一第二邊緣,該第二邊緣與該第一邊緣相反;及 該間隔物層包括一第一複數個間隔物片段與一第二複數個間隔物片段,該第一複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第一邊緣,而該第二複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第二邊緣。
  10. 如請求項9所述之方法,其中該玻璃基板卷材進一步包括一第三複數個間隔物片段,該第三複數個間隔物片段配置在該玻璃基板卷材的該第一表面或該第二表面的至少一者的一中央區域。
  11. 如請求項1所述之方法,其中在捲動該間隔物層與該基板卷材之步驟之前將該間隔物層施加至該玻璃基板卷材。
  12. 如請求項2所述之方法,進一步包括以下步驟:在捲動該玻璃基板卷材之步驟之前,施加一遮罩層至該玻璃基板卷材的該第一表面或該第二表面的至少一者的至少一部分。
  13. 如請求項1所述之方法,其中該流體包括一氫氟酸蝕刻劑溶液,該氫氟酸蝕刻劑溶液可操作以化學性地蝕刻該捲軸的該玻璃基板卷材。
  14. 如請求項1所述之方法,其中該流體包括一氫氧化鉀蝕刻劑溶液,該氫氧化鉀蝕刻劑溶液可操作以化學性地蝕刻該捲軸的該玻璃基板卷材。
  15. 如請求項1所述之方法,其中該流體係設置用來改變該玻璃基板卷材的該第一表面或該第二表面的至少一部分的表面能量。
  16. 如請求項1至15任何一項所述之方法,其中該流體包括一氣體。
  17. 如請求項16所述之方法,其中該氣體在該玻璃基板卷材的該第一表面或該第二表面的至少一者上產生一薄膜層。
  18. 如請求項1至15任何一項所述之方法,其中接觸該玻璃基板卷材的該流體侷限於數個基板邊緣面以及該玻璃基板卷材的一第一表面或一第二表面上一鄰近該等基板邊緣面的區域。
  19. 如請求項1至15任何一項所述之方法,其中該流體包括一硝酸銀水溶液,該硝酸銀水溶液可操作以併入數個銀離子進入該玻璃基板卷材。
  20. 如請求項1至15任何一項所述之方法,其中該流體包括一水溶液,該水溶液可操作以與該玻璃基板卷材交換數個離子,以形成一第一壓縮應力層與一第二壓縮應力層,該第一壓縮應力層自一第一表面延伸進入該玻璃基板卷材的主體,而該第二壓縮應力層自一第二表面延伸進入該玻璃基板卷材的主體。
  21. 如請求項1至15任何一項所述之方法,其中該流體包括一聚合物,該聚合物可操作以在該玻璃基板卷材的該第一表面上形成一第一聚合物層或在該玻璃基板卷材的該第二表面上形成一第二聚合物層。
  22. 一種處理一玻璃基板卷材的方法,該方法包括以下步驟: 施加一間隔物層至該玻璃基板卷材的一第一表面或一第二表面的至少一者,其中: 該玻璃基板卷材包括一第一邊緣與一第二邊緣,該第二邊緣與該第一邊緣相反;及 該間隔物層包括一第一複數個間隔物片段、一第二複數個間隔物片段與一第三複數個間隔物片段,該第一複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第一邊緣,該第二複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第二邊緣,而該第三複數個間隔物片段配置在該玻璃基板卷材的該第一表面或該第二表面的至少一者的一中央區域上; 捲動該間隔物層與該玻璃基板卷材圍繞一中央核心以形成一捲軸,其中該間隔物層經設置以致一間隙存在於該捲軸中的該玻璃基板卷材的該第一表面與該第二表面之間;及 施加一流體至該捲軸,以致該流體圍繞該捲軸並配置於該捲軸中的該第一表面與該第二表面之間的該間隙中。
  23. 如請求項22所述之方法,其中該流體包括一化學蝕刻劑溶液,該化學蝕刻劑溶液可操作以化學性地蝕刻該捲軸的該玻璃基板卷材。
  24. 如請求項22所述之方法,其中該流體包括一硝酸銀水溶液,該硝酸銀水溶液可操作以併入數個銀離子進入該玻璃基板卷材。
  25. 如請求項22所述之方法,其中該流體包括一水溶液,該水溶液可操作以與該玻璃基板卷材交換數個離子,以形成一第一壓縮應力層與一第二壓縮應力層,該第一壓縮應力層自該第一表面延伸進入該玻璃基板卷材的主體,而該第二壓縮應力層自該第二表面延伸進入該玻璃基板卷材的主體。
  26. 一種系統,包括: 一玻璃基板卷材捲軸,包括: 一玻璃基板卷材,該玻璃基板卷材包括一第一表面與一第二表面;及 一間隔物層,該間隔物層施加至該第一表面或該第二表面的至少一者,其中該玻璃基板卷材與該間隔物層被捲成一捲軸以致一間隙存在於該捲軸中的該玻璃基板卷材的該第一表面與該第二表面之間; 一封圍件;及 一流體,在該封圍件中,以致該流體圍繞該玻璃基板卷材並被配置在該捲軸中的該第一表面與該第二表面之間的該間隙中。
  27. 如請求項26所述之基板卷材處理系統,其中: 該玻璃基板卷材包括一第一邊緣與一第二邊緣,該第二邊緣與該第一邊緣相反;及 該間隔物層包括一第一複數個間隔物片段與一第二複數個間隔物片段,該第一複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第一邊緣,而該第二複數個間隔物片段配置鄰近該玻璃基板卷材的該第二邊緣。
  28. 如請求項26或請求項27所述之系統,其中該流體包括一硝酸銀水溶液,該硝酸銀水溶液可操作以併入數個銀離子進入該玻璃基板卷材。
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