TW201710725A

TW201710725A - 光耦合裝置及光傳輸系統

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Publication number: TW201710725A
Application number: TW104129123A
Authority: TW
Inventors: 胡志允
Original assignee: 前源科技股份有限公司
Priority date: 2015-09-03
Filing date: 2015-09-03
Publication date: 2017-03-16
Also published as: TWI584011B; CN106501904A

Abstract

本發明揭露了一種光耦合裝置，用於連接光傳輸系統中的光電轉換器及光纖。光耦合裝置包含第一導光體及第二導光體，其中第一導光體具有一入光面接收光電轉換器所發出之光線，並具有第一反射面用以反射所接收之光線至出光面，使得光線自出光面射出至光纖的光線接收端。第二導光體具有接觸結構以接觸第一導光體的第一反射面，可將射至第一反射面之部分光線導入第二導光體中，並由第二導光體導出至監控用檢光二極體。本發明之光耦合裝置可將光電轉換器所產生的部分光源導至監控用檢光二極體中，以檢測其光通量。

Description

光耦合裝置及光傳輸系統

本發明係關於一種光耦合裝置及光傳輸系統，並且特別地，本發明係關於一種可將垂直共振腔面射型雷射產生器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)所產生之光線導入至監控用檢光二極體以偵測其光通量之光耦合裝置，及使用此光耦合裝置的光傳輸系統。

光傳輸系統屬於有線遠程通訊的一種，其與傳統電傳輸系統不同處，在於光傳輸系統係以光及光纖來傳遞資訊。相較於傳統電傳輸技術，光傳輸技術具有傳輸容量大、保密性好等許多優點，因此光纖通訊現在已經成為當今最主要的有線通訊方式。光經過調變後便可攜帶資訊，一言以蔽之，光傳輸技術之實行方法在於將欲傳送的資訊輸入至光電轉換器中，以將資訊疊加或調變到作為資訊訊號載體的載波上，然後將已調變的載波通過傳輸媒質(光纖)傳送到遠處的接收端，最後由接收器解調出原來的資訊。

上述用來作為資訊訊號載體的載波乃是光線，而光電轉換器用來產生光線的光源有發光二極體和雷射二極體兩種形式。為了保持傳輸訊號的強度，通常採用能發出具有方向性之雷射光的雷射二極體作為光源。請參閱圖一A，圖一A係繪示先前技術之光傳輸系統的資料輸入端1的示意圖。如圖一A所示，資料輸入端1包含光電轉換器，其進一步包含電路板10以及邊射型雷射產生器12。電路板10可控制邊射型雷射產生器12產生經過調變且帶有資訊的雷射光，並使雷射光射至光纖F的光線接收端F0，接著雷射光藉光纖F傳輸至遠方的接收器。於圖一A中，資料輸入端1進一步包含監控用檢光二極體14(Monitor PhotoDiode,MPD)設置電路板10於之邊射型雷射產生器12之主要出光口的反對側上。邊射型雷射產生器12在此反對側上開啟一小的出光口，使其產生的雷射光的一小部分可射入監控用檢光二極體14，而監控用檢光二極體14可由所接收到的一小部分雷射光獲得邊射型雷射產生器12所產生之雷射光的光通量等資訊。因此，資料輸入端1能根據監控用檢光二極體14所獲得的雷射光資訊進行回饋控制。

然而，邊射型雷射產生器具有無法在製作過程或製作完成後進行測試的缺點，若資料輸入端製作完成但邊射型雷射產生器無法運作，將會浪費製作過程與物質加工的處理時間。此外，由於邊射型雷射裝置所射出之雷射光平行於電路板，表示光纖的接收端必須位於電路板上或靠近電路板，將會限制了電路板的可利用空間。因此，先前技術中發展了另一種以垂直共振腔面射型雷射產生器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)作為雷射光源之資料輸入端，以解決上述的問題。垂直共振腔面射型雷射產生器可於製作的任何過程中進行測試，並且不同於邊射型雷射產生器以平行於反應區之方向射出雷射，垂直共振腔面射型雷射產生器係以垂直於反應區之方向射出雷射。

如圖一B所示，圖一B係繪示先前技術之光傳輸系統的另一種資料輸入端2的示意圖。如圖一B所示，資料輸入端2包含電路板20、設置於電路板20上的垂直共振腔面射型雷射產生器22，以及光耦合裝置24。光耦合裝置24係一種折射率較大的介質，當雷射光從垂直共振腔面射型雷射產生器22射出後，經過光耦合裝置24的入射透鏡結構240射入光耦合裝置24。即使是發散度極小的雷射光，於射出後至光耦合裝置24間仍有發散現象產生，而入射透鏡結構240可收斂發散的雷射光。當雷射光於光耦合裝置24中行進至呈一傾斜角度的表面242時，基於光耦合裝置24與外界的折射率差異(一般而言，光耦合裝置24的折射率根據雷射波長不同而位於1.62至1.64的範圍之間，外界的折射率則為1)，雷射光會被表面242全反射至出射透鏡結構244，並被出射透鏡結構244收斂而射出至光纖F的光線接收端F0。於圖一B中，由於光纖F的位置離電路板20較遠，不會對電路板20的可利用空間造成限制。

雖然垂直共振腔面射型雷射產生器解決了邊射型雷射產生器的缺點，但由於垂直共振腔面射型雷射產生器的出光口位於其頂面，無法如同邊射型雷射產生器在主要出光口的反對側設置監控用檢光二極體。換言之，先前技術中，利用垂直共振腔面射型雷射產生器的資料輸入端無法做到如同利用邊射型雷射產生器之資料輸入端的回饋控制。

因此，有必要研發一種能對利用垂直共振腔面射型雷射產生器之資料輸入端進行回饋控制的方法或裝置，以解決上述問題。

本發明之一範疇在於提供一種光耦合裝置，可用於連接光傳輸系統之光電轉換器及光纖。根據本發明之一具體實施例，光耦合裝置包含第一導光體及第二導光體。第一導光體包含入光面、第一反射面及第一出光面，其中入光面面對光電轉換器以接收光線，第一出光面面對光纖之光線接收端。第二導光體包含接觸結構及第二出光面，其中接觸結構接觸第一導光體之第一反射面，第二出光面則面對監控用檢光二極體。

於本具體實施例中，光電轉換器所發出之光線可穿過入光面進入第一導光體，並被第一反射面反射至第一出光面，接著由第一出光面射出至光纖處。另一方面，抵達第一反射面之部分光線，將透過接觸結構而射入第一導光體，並由第二導光體之第二出光面射出至監控用檢光二極體。據此，本發明之光耦合裝置可將包含垂直共振腔面射型雷射產生器之光電轉換器所發出之光訊號傳輸至光纖，同時擷取一部份光訊號至監控用檢光二極體以進行回饋控制。

本發明的另一範疇在於提供一種光傳輸系統。根據本發明之另一具體實施例，光傳輸系統包含光電轉換器、光纖、監控用檢光二極體以及連接三者之光耦合裝置。光耦合裝置包含第一導光體及第二導光體。第一導光體包含入光面、第一反射面及第一出光面，其中入光面面對光電轉換器之出光口以接收光線，第一出光面面對光纖之光線接收端。第二導光體包含接觸結構及第二出光面，其中接觸結構接觸第一導光體之第一反射面，第二出光面則面對監控用檢光二極體。

於本具體實施例中，光電轉換器之出光口所發出之光線可穿過入光面進入第一導光體，並被第一反射面反射至第一出光面，接著由第一出光面射出至光纖之光線接收端。另一方面，抵達第一反射面之部分光線，將透過接觸結構而射入第一導光體，並由第二導光體之第二出光面射出至監控用檢光二極體。據此，本發明之光傳輸系統的光電轉換器可利用垂直共振腔面射型雷射產生器發出光訊號並藉光耦合裝置傳輸至光纖，同時擷取一部份光訊號至監控用檢光二極體以進行回饋控制。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述以及所附圖式得到進一步的了解。

1、2‧‧‧資料輸入端

10、20‧‧‧電路板

12‧‧‧邊射型雷射產生器

14‧‧‧監控用檢光二極體

22‧‧‧垂直共振腔面射型雷射產生器

24‧‧‧光耦合裝置

240‧‧‧入射透鏡結構

242‧‧‧表面

244‧‧‧出射透鏡結構

F‧‧‧光纖

F0‧‧‧光線接收端

3、4、5、6‧‧‧光傳輸系統

30、40、50、60‧‧‧光電轉換器

32、42、52、62‧‧‧光耦合裝置

34、44、54、64‧‧‧光纖

36、46、56、66‧‧‧監控用檢光二極體

300、400、500、600‧‧‧電路板

302、402、502、602‧‧‧垂直共振腔面射型雷射產生器

320、420、520、620‧‧‧第一導光體

322、422、522、622‧‧‧第二導光體

3200、4200、5200、6200‧‧‧入光面

3202、4202、5202、6202‧‧‧第一反射面

3204、4204、5204、6204‧‧‧第一出光面

3206、4206、5206、6206‧‧‧第一透鏡結構

3208、4208、5208、6208‧‧‧第二透鏡結構

3220、4220、5220、6220‧‧‧接觸結構

3222、3222'、4222、4222'、5222、6222'‧‧‧第二反射面

3224、4224、5224、6224‧‧‧第二出光面

340、440、540、640‧‧‧光線接收端

L‧‧‧雷射光

L'‧‧‧部分雷射光

圖一A係繪示先前技術之光傳輸系統的資料輸入端的示意圖。

圖一B係繪示先前技術之光傳輸系統的另一種資料輸入端的示意圖。

圖二係繪示根據本發明之一具體實施例之光傳輸系統的示意圖。

圖三係繪示根據本發明之另一具體實施例之光傳輸系統的示意圖。

圖四係繪示根據本發明之另一具體實施例之光傳輸系統的示意圖。

請參閱圖二，圖二係繪示根據本發明之一具體實施例之光傳輸系統3的示意圖。如圖二所示，本具體實施例之光傳輸系統3包含光電轉換器30、光耦合裝置32、光纖34以及監控用檢光二極體36。請注意，圖二或後續提及之圖式僅繪示出光傳輸系統3的資料輸入端的部分構件，其可將電訊號轉換成光訊號並輸入至光纖，使其傳輸至光纖的另一側。基於簡潔起見，光傳輸系統中非關本發明的其他部分於圖式及相關說明中予以省略。

光電轉換器30包含電路板300以及設置在電路板300上上的垂直共振腔面射型雷射產生器302，透過電路板300的控制，垂直共振腔面射型雷射產生器302可沿著電路板300的法向量射出雷射光L。請注意，此雷射光L為經過資訊疊加或調變之雷射光，換言之，為載有資訊之雷射光。

光耦合裝置32係連接於光電轉換器30、光纖34以及監控用檢光二極體36三者之間，使得光電轉換器30所發出之雷射光L可經過光耦合裝置32而被傳輸至光纖34以及監控用檢光二極體36。詳言之，光耦合裝置32包含第一導光體320及第二導光體322，其中第二導光體322具有接觸結構3220接觸第一導光體320。第一導光體320及第二導光體322為折射率相較於外界(折射率為1)大的光傳輸介質，且兩者的折射率大體上相同。實務中，第一導光體320及第二導光體322可選用複合塑膠，例如聚醚酰亞胺(Polyetherimide，PEI)，其折射率對應不同的光線波長可位於1.62至1.64的範圍內，然而，本發明並不限於此，任何可傳輸光線且折射率大於外界者，均可用來作為光耦合裝置之第一導光體及第二導光體。

第一導光體320包含了入光面3200、第一反射面3202以及第一出光面3204。入光面3200進一步包含第一透鏡結構3206面對垂直共振腔面射型雷射產生器302的頂面出光口，且第一出光面3204包含第二透鏡結構3208面對光纖34的光線輸入端340。垂直共振腔面射型雷射產生器302所發射之雷射光L可經由第一透鏡結構3206入射第一導光體320，並且透過第一透鏡結構3206，原本略為發散之雷射光L被收斂而於第一導光體320中行進，並抵達第一反射面3202。

第一反射面3202相對於入光面3200而呈一傾斜角度，此傾斜角度係由第一導光體320之折射率來決定。第一反射面3202藉由此傾斜角度之設置，可將抵達之雷射光L全反射至第一出光面3204之第二透鏡結構3208而射出。雷射光L經過第二透鏡結構3208後可更進一步收斂，同時射至光纖34的光線接收端340而被光纖34接收。光纖34接收雷射光L後可將其傳輸至另一側的資料輸出端以輸出資料，但由於資料輸出端並非本發明所主張之範圍，故於圖二中予以省略。

綜上所述，光耦合裝置32的第一導光體320可將光電轉換器30之垂直共振腔面射型雷射產生器302的頂面出光口所發出之雷射光L傳導至光纖34，以將帶有資訊或資料的光訊息輸入至光纖34。另一方面，光耦合裝置32也可將雷射光L之部分導入監控用檢光二極體36，以實現回饋控制之功能。

除了將雷射光L傳導至光纖34之第一導光體320，光耦合裝置32還包含了第二導光體322，其中第二導光體322具有接觸結構3220接觸第一導光體320之第一反射面3202。接觸結構3220接觸第一反射面3202之位置，係位於雷射光L照射第一反射面3202的範圍內，並且，由於第二導光體322與第一導光體320具有大體上相同的折射率，雷射光L於接觸結構3220接觸第一反射面3202的位置並不會被全反射，而是穿透至第二導光體322中。換言之，雷射光L的一部分(部分雷射光L')由第一導光體320被擷取至第二導光體322中。由於接觸結構3220以相對小的面積接觸第一反射面3202，故所擷取出的部分雷射光L'佔原本的雷射光L相當小的部分。光經由入光面3200之第一透鏡結構3206，會因透鏡結構改變光束結構，使得光束尺寸產生變化。當光束到達第一反射面3202，會因第一反射面3202之傾斜角度，再度造成光束尺寸發生變化。此時第二導光體322之接觸結構3220以小面積方式接觸第一反射面3202，使得其擷取之部分雷射光L’得以經由第二導光體322，作為監控用檢光二極體之使用。因此，第二導光體322擷取部分雷射光L'並不會對原本的雷射光L的強度造成太大影響，使得資料輸出端所接收到的資料具有足夠的強度。

第二導光體322可進一步包含至少一個第二反射面以及第二出光面，如圖二所示，第二導光體322包含第二反射面3222、3222'及第二出光面3224。當部分雷射光L'由接觸結構3220入射而抵達第二反射面3222時，第二反射面3222之傾斜角度可使部分雷射光L'被全反射；更進一步地，被第二反射面3222全反射之部分雷射光L'抵達第二反射面3222'後再一次被全反射。最後，部分雷射光L'穿過第二出光面 3224而自第二導光體322射出。

第二導光體322的第二出光面3224面對監控用檢光二極體36，因此，部分雷射光L'自第二導光體322之第二出光面3224射出後可被監控用檢光二極體36接收。監控用檢光二極體36根據部分雷射光L'的資訊，例如光通量等，可計算得到雷射光L的各種資訊，並將其回饋給光電轉換器30以進行回饋控制。

基於本具體實施例之第二導光體322之形狀，監控用檢光二極體36可與光電轉換器30位於同一側，如圖二所示。因此，實務中可將監控用檢光二極體36設置於光電轉換器30之電路板300上。此外，若第二導光體322之形狀改變，則可將部分雷射光L'反射至其他位置。請參閱圖三，圖三係繪示根據本發明之另一具體實施例之光傳輸系統4的示意圖。如圖三所示，本具體實施例與上一具體實施例不同處，在於本具體實施例之第二光導體422的第二反射面4222、4222'及第二出光面4224設置於不同角度及不同位置，而監控用檢光二極體46亦對應第二出光面4224而設置於不同位置，甚至可設置於與光電轉換器40所在位置相異的一側。因此，透過第二導光體的形狀改變，能更有效及靈活地設計光傳輸系統的資料輸入端。請注意，本具體實施例之光傳輸系統4的其他單元均與前述具體實施例中相對應之單元大體上相同，故於此不再贅述。

前述之各具體實施例中，第二導光體均具有兩個反射面以反射部分雷射光。然而，第二導光體最少僅需一個反射面即可將部分雷射光導入至監控用檢光二極體。請參閱圖四，圖四係繪示根據本發明之另一具體實施例之光傳輸系統5的示意圖。如圖四所示，本具體實施例與上一具體實施例不同處，在於本具體實施例之第二導光體522僅具有一個第二反射面5222，因此部分雷射光L'經過一次的全反射後便入射至監控用檢光二極體56。同樣地，本具體實施例之光傳輸系統5的其他單元均與前述具體實施例中相對應之單元大體上相同，故於此不再贅述。更進一步地，於其他具體實施例中，第二導光體可具有更多的第二反射面，以將部分雷射光導至位於不同位置之監控用檢光二極體。

此外，由於傳輸量的需求越來越大，本發明之光傳輸系統也可設計多個光電轉換器或多個光源，以同時將大量的資料轉換成光訊號。請參閱圖五A及圖五B，圖五A係繪示根據本發明之另一具體實施例之光傳輸系統6的示意圖，圖五B則為圖五A之光傳輸系統6另一視角的部分示意圖，詳言之，圖五B表示由光纖朝光耦合裝置之方向看去的示意圖。如圖五A及圖五B所示，本具體實施例與前述具體實施例不同處，在於本具體實施例之光傳輸系統6的光電轉換器60包含了複數個垂直共振腔面射型雷射產生器602，而光耦合裝置62的第一導光體620同樣包含複數個第一透鏡結構6206以及複數個第二透鏡結構6028，分別對應到不同的垂直共振腔面射型雷射產生器602。這些垂直共振腔面射型雷射產生器602可各自發射雷射光，經過對應的第一透鏡結構6206後被收斂而行進至第一反射面6202，接著被第一反射面6202反射至對應的第二透鏡結構6208，再次被收斂後出射至光纖64的光線接收端640。請注意，為了簡潔起見，各垂直共振腔面射型雷射產生器 602所發出之雷射光於圖式中予以省略，其各別的光路可參考前述的具體實施例及其說明。

由於光電轉換器60包含了多個垂直共振腔面射型雷射產生器602，因此需要分別對各垂直共振腔面射型雷射產生器602擷取其雷射光的部分以進行回饋控制。光耦合裝置62的第二導光體622具有複數個接觸結構6220，分別對應到各擷取各垂直共振腔面射型雷射產生器602，以分別擷取出垂直共振腔面射型雷射產生器602所產生之雷射光的一部分，並導出至監控用檢光二極體66。監控用檢光二極體66同樣為複數個，且分別對應不同的垂直共振腔面射型雷射產生器602，其可分別將所接收到的部分雷射光回饋至光電轉換器60而進行回饋控制。

於本具體實施例中，各垂直共振腔面射型雷射產生器602可排列成4x4的陣列，並且，第一透鏡結構6206、第二透鏡結構6208、接觸結構6220乃至於監控用檢光二極體66均可對應地呈4x4的陣列，如圖五B所示。請注意，雖然圖五B並未繪出接觸結構6220與監控用檢光二極體66，但兩者均與圖五B中之複數個第二透鏡結構6208呈現相似的陣列排列。然而，本發明並不限制上述各單元排列成4x4的陣列，根據使用上的需求，上述各單元也可設計成3x3陣列、3x4陣列、5x5陣列或其他不同數量的陣列配置。更甚者，上述各單元也可排列成陣列以外的配置，例如排列成同心的環狀配置或其他幾何配置等。值得一提的是，雖然第二透鏡結構6208、接觸結構6220以及監控用檢光二極體66分別對應到不同的垂直共振腔面射型雷射產生器602，但透過對光耦合裝置之第一導光體及第二導光體的反射面設計，可使第二透鏡結構6208、接觸結構6220以及監控用檢光二極體66具有與垂直共振腔面射型雷射產生器602及第一透鏡結構6206不同的排列。

如上所述，本發明之光耦合裝置以及使用此光耦合裝置的光傳輸系統，可利用第二導光體擷取入射至第一導光體之第一反射面的部分雷射光，並將部分雷射光導入監控用檢光二極體。即使光電轉換器使用頂面出光之垂直共振腔面射型雷射產生器，仍然可擷取部分雷射光來進行回饋控制，克服了先前技術之問題。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。

3‧‧‧光傳輸系統

30‧‧‧光電轉換器

32‧‧‧光耦合裝置

34‧‧‧光纖

36‧‧‧監控用檢光二極體

300‧‧‧電路板

302‧‧‧垂直共振腔面射型雷射產生器

320‧‧‧第一導光體

322‧‧‧第二導光體

3200‧‧‧入光面

3202‧‧‧第一反射面

3204‧‧‧第一出光面

3206‧‧‧第一透鏡結構

3208‧‧‧第二透鏡結構

3220‧‧‧接觸結構

3222、3222'‧‧‧第二反射面

3224‧‧‧第二出光面

340‧‧‧光線接收端

L‧‧‧雷射光

L'‧‧‧部分雷射光

Claims

一種光耦合裝置，用以連接一光電轉換器及一光纖，該光耦合裝置包含：一第一導光體，包含一入光面、一第一反射面以及一第一出光面，該入光面面對該光電轉換器且該出光面面對該光纖；以及一第二導光體，包含一接觸結構以及一第二出光面，該接觸結構接觸該第一導光體之該第一反射面，且該第二出光面面對一監控用檢光二極體；其中，該光電轉換器所發出之一光線穿過該入光面進入該第一導光體，接著該光線被該第一反射面反射至該第一出光面，並由該第一出光面射出至該光纖；其中，當該光線抵達該第一反射面，部分該光線自該接觸結構射入該第二導光體，並由該第二出光面射出至該監控用檢光二極體。
如申請專利範圍第1項所述之光耦合裝置，其中該第一導光體之該入光面具有一第一透鏡結構面對該光電轉換器。
如申請專利範圍第1項所述之光耦合裝置，其中第一導光體之該出光面具有一第二透鏡結構面對該光纖之一光線接收端。
如申請專利範圍第1項所述之光耦合裝置，其中該第二導光體進一步包含至少一第二反射面，用以反射自該接觸結構入射之部分該光線至該監控用檢光二極體。
如申請專利範圍第1項所述之光耦合裝置，其中該第一導光體及該第二導光體之折射率大體上相同，且大於第一導光體及該第二導光體外之折射率。
如申請專利範圍第1項所述之光耦合裝置，其中該接觸結構接觸該第一反射面之位置位於該光線抵達該第一反射面之範圍內。
一種光傳輸系統，包含：一光電轉換器，用以射出一光線；一光纖，包含一光線接收端；一監控用檢光二極體，根據所接收之光線計算光通量；以及一光耦合裝置，包含：一第一導光體，包含一入光面、一第一反射面以及一第一出光面，該入光面面對該光電轉換器，且該出光面面對該光纖之該光線接收端；以及一第二導光體，包含一接觸結構以及一第二出光面，該接觸結構接觸該第一導光體之該第一反射面，且該第二出光面面對該監控用檢光二極體；其中，該光電轉換器所發出之一光線穿過該入光面進入該第一導光體，接著該光線被該第一反射面反射至該第一出光面，並由該第一出光面射出至該光纖之該光線接收端；其中，當該光線抵達該第一反射面，部分該光線自該接觸結構射入該第二導光體，並由該第二出光面射出至該監控用檢光二極體。
如申請專利範圍第7項所述之光傳輸系統，其中該第一導光體之該入光面具有一第一透鏡結構面對該光電轉換器之該出光口。
如申請專利範圍第7項所述之光傳輸系統，其中第一導光體之該出光面具有一第二透鏡結構面對該光纖之該光線接收端。
如申請專利範圍第7項所述之光傳輸系統，其中該第二導光體進一步包含至少一第二反射面，用以反射自該接觸結構入射之部分該光線至該監控用檢光二極體。
如申請專利範圍第7項所述之光傳輸系統，其中該第一導光體及該第二導光體之折射率大體上相同，且大於第一導光體及該第二導光體外之折射率。
如申請專利範圍第7項所述之光傳輸系統，其中該接觸結構接觸該第一反射面之位置位於該光線抵達該第一反射面之範圍內。
如申請專利範圍第7項所述之光傳輸系統，其中該光電轉換器包含一垂直共振腔面射型雷射產生器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)以產生並射出該光線。
如申請專利範圍第7項所述之光傳輸系統，其中該光電轉換器包含複數個垂直共振腔面射型雷射產生器以射出複數道光線，該第二導光體包含複數個接觸結構分別對應該等垂直共振腔面射型雷射產生器，且該光傳輸系統包含複數個監控用檢光二極體分別對應該等垂直共振腔面射型雷射產生器，當該等垂直共振腔面射型雷射產生器射出之該等光線抵達該第一反射面時，每一該等光線之一部分分別自對應的該等接觸結構射入該第二導光體，並由該第二出光面分別射出至對應的該等監控用檢光二極體。