TW201639859A - 聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法 - Google Patents

聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，包含一定義步驟、一真空沉積步驟及一蝕刻步驟。其中定義步驟係在一聚二甲基矽氧烷基材上定義具有一硫醇官能基單分子之一圖案區域，硫醇官能基單分子呈液相。真空沉積步驟係利用一真空鍍膜法在一活化時間內沉積金原子於圖案區域之聚二甲基矽氧烷基材上。蝕刻步驟係以清水清洗聚二甲基矽氧烷基材，令金原子選擇性地留存在圖案區域上。藉此，透過金原子沉積條件之控制，可以精確控制所定義金圖案之厚度及薄膜品質，而且此方法所製造的聚二甲基矽氧烷複合結構具有高附著力與良好的穩定度。

Description

聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法
本發明是有關於一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，特別是關於一種可提高附著力、穩定度且能精確地控制結構厚度及薄膜品質的聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法。
有機矽烷(organosilane)常被使用於矽基材料的表面處理，透過有機矽烷上不同的官能基組成，可以使得矽基材料表面產生不同的物理化學特性。有機矽烷遇到水分子會產生水解反應，形成Si-OH，並與矽基材上處理上去的Si-OH產生反應，形成Si-O-Si的鍵結。其中利用硫醇連接合金-聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)係生醫領域普遍的製程技術。因聚二甲基矽氧烷之良好生物相容性以及環境耐受能力，故金-聚二甲基矽氧烷結構常被用來作為可撓曲電極，並多應用於生物感測領域。
在金-聚二甲基矽氧烷的製程方法中，先前技術大多先在金上修飾硫醇基丙基三甲氧基矽烷(3- mercaptopropyl trimethoxysilane,MPTMS)等具有硫醇官能基之單分子，再與聚二甲基矽氧烷接合。例如習知的轉印方法，其係將金膜修飾硫醇基丙基三甲氧基矽烷後，再與聚二甲基矽氧烷接合。然而，此種接合方式不利於金於聚二甲基矽氧烷上的圖形化分佈。雖然另有一習知製程方法提出在聚二甲基矽氧烷上修飾硫醇基丙基三甲氧基矽烷後，再將金膜直接轉印於聚二甲基矽氧烷上，但是此種直接以薄膜轉印的方式難以達成薄膜厚度的控制。
由此可知，目前市場上缺乏一種可自由控制薄膜厚度、製法簡易且具有高附著性之聚二甲基矽氧烷複合結構的製造方法，故相關業者正在尋求其解決之道。
因此，本發明提供一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其利用聚二甲基矽氧烷作為基材，並藉由有機矽烷修飾方法在基材表面修飾上具特定官能基的有機矽烷，同時透過特定官能基與導電材料之化學鍵結，提升導電材料與基材間的附著力。再者，透過金原子沉積條件之控制，可以精確地控制所定義金圖案之厚度及薄膜品質。此外，利用本發明製造方法所得到的聚二甲基矽氧烷複合結構具有一定的可撓曲性，在基材彎曲的狀況下，其電阻變化率較小，較不容易因彎曲而影響導電層之電性，而且此聚二甲基矽氧烷複合結構具有一定之回復性。
本發明之一實施方式為一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，包含一定義步驟、一真空沉積步驟及一蝕刻步驟。其中定義步驟係在一聚二甲基矽氧烷基材上定義具有一硫醇官能基單分子之一圖案區域，硫醇官能基單分子呈液相。真空沉積步驟係利用一真空鍍膜法在一活化時間內沉積金原子於圖案區域之聚二甲基矽氧烷基材上。蝕刻步驟係以清水清洗聚二甲基矽氧烷基材，令金原子選擇性地留存在圖案區域上。
藉此，本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法透過金原子沉積條件的控制，可以精確地控制所定義金圖案的厚度及薄膜品質。此外，聚二甲基矽氧烷複合結構具有高附著性及穩定度，亦可做為導線元件的使用。
依據前述實施方式之其他實施例如下：前述真空鍍膜法可為一蒸鍍法、一濺鍍法或一原子層磊晶法。而且前述蒸鍍法可包含一第一蒸鍍步驟與一第二蒸鍍步驟。其中第一蒸鍍步驟係以0.5M硫醇官能基單分子之甲醇溶液修飾10秒。第二蒸鍍步驟則以一鍍率進行蒸鍍，此鍍率為0.5A/sec。而經第二蒸鍍步驟後，金原子具有一金膜厚度。再者，前述金膜厚度可大於等於5nm且小於等於5000nm。詳細地說，前述金膜厚度可為100nm。而前述聚二甲基矽氧烷基材可為曲面。此外，前述活化時間可小於等於30分鐘。
藉由上述實施例，在基材彎曲的狀況下，本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構的表面呈現平坦狀，其電阻 變化率較小，較不容易因彎曲而影響導電層之電性，而且此聚二甲基矽氧烷複合結構具有一定之回復性。
本發明之另一實施方式為一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，包含一定義步驟、一真空沉積步驟以及一蝕刻步驟。其中定義步驟係在一聚二甲基矽氧烷基材上定義具有一硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子之一圖案區域，此硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子呈液相。真空沉積步驟係利用一真空鍍膜法在一活化時間內沉積金原子於圖案區域之聚二甲基矽氧烷基材上。至於蝕刻步驟則以清水清洗聚二甲基矽氧烷基材，令金原子選擇性地留存在圖案區域上。
藉此，本發明提供一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其利用聚二甲基矽氧烷作為基材，並藉由有機矽烷修飾方法在基材表面修飾上具特定官能基的有機矽烷，同時透過特定官能基與導電材料之化學鍵結，提升導電材料與基材彼此之間的附著力。
依據前述實施方式之其他實施例如下：前述真空鍍膜法可為一蒸鍍法、一濺鍍法或一原子層磊晶法。而且前述蒸鍍法可包含一第一蒸鍍步驟與一第二蒸鍍步驟。其中第一蒸鍍步驟係以0.5M硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子之甲醇溶液修飾10秒。第二蒸鍍步驟則以一鍍率進行蒸鍍，此鍍率為0.5A/sec。而經第二蒸鍍步驟後，金原子具有一金膜厚度。前述金膜厚度可大於等於5nm且小於等於5000nm。詳細地說，前述金膜厚度可為100nm。再者，前述聚 二甲基矽氧烷基材可為曲面。而前述活化時間可小於等於30分鐘。
藉由上述實施例，本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構具有可撓曲性，且在基材彎曲的狀況下，其電阻變化率較小，較不容易因彎曲而影響導電層之電性，而且此聚二甲基矽氧烷複合結構具有一定之回復性。
本發明之又一實施方式為一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其步驟包含：利用黃光微影技術與蝕刻技術在一母模上定義出一微陣列圖形，此微陣列圖形具有一圖案區域。將具有聚二甲基矽氧烷之第一劑與第二劑分別以10比1之重量比混合攪拌，並產生一聚二甲基矽氧烷混合體。將聚二甲基矽氧烷混合體放入真空腔體內，並於一活化時間內以真空幫浦抽氣進行氣泡移除。將聚二甲基矽氧烷混合體倒入母模內，並放入高溫烘箱以80℃烘烤2小時。將固化之聚二甲基矽氧烷混合體從母模脫模，然後蝕刻聚二甲基矽氧烷混合體，並令聚二甲基矽氧烷混合體穿孔而產生複數孔洞。將聚二甲基矽氧烷混合體標準清潔並置入6M之硫酸水溶液中，加溫至80℃維持1小時。將聚二甲基矽氧烷混合體置入甲醇中浸洗兩次。將浸洗甲醇後之聚二甲基矽氧烷混合體置入0.5M之MPTMS之甲醇溶液中10秒。取出聚二甲基矽氧烷混合體並用氮氣輕吹乾。以一鍍率蒸鍍一金原子於聚二甲基矽氧烷混合體上，其中金原子具有一金膜厚度。
藉此，本發明提供一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其利用特殊的步驟流程製作出附著力極佳的電極，其不但具有良好的生物相容性，而且還能自由地控制金膜厚度以及品質，使電極能產生各種不同的物理化學特性。
依據前述實施方式之其他實施例如下：前述活化時間可為30分鐘。母模可為圓形且具有一微陣列柱。金膜厚度可為100nm。而鍍率可為0.5A/sec。
100、100b、100c、500‧‧‧聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法
110、110b‧‧‧聚二甲基矽氧烷複合結構
200、200b、200c‧‧‧定義步驟
210‧‧‧聚二甲基矽氧烷基材
220‧‧‧圖案區域
230‧‧‧硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子
240‧‧‧金原子
300、300b、300c‧‧‧真空沉積步驟
312‧‧‧第一蒸鍍步驟
314‧‧‧第二蒸鍍步驟
400、400b、400c‧‧‧蝕刻步驟
501~510‧‧‧步驟
610‧‧‧平坦面
620‧‧‧彎曲面
D1‧‧‧基材厚度
D2‧‧‧金膜厚度
D3‧‧‧結構厚度
第1圖繪示本發明之一實施方式之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法的流程示意圖。
第2A圖與第2B圖，係繪示製造本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構之製作流程示意圖。
第3圖繪示本發明之另一實施方式之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法的流程示意圖。
第4A圖繪示第3圖之硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子的化學示意圖。
第4B圖繪示本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構的示意圖。
第5圖繪示本發明之一實施例的聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法的步驟圖。
第6圖繪示本發明之另一實施例的聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法的流程示意圖。
第7A圖繪示本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構彎曲的示意圖。
第7B圖繪示第7A圖中結構表面的電子顯微鏡圖。
以下將參照圖式說明本發明之複數個實施例。為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之；並且重複之元件將可能使用相同的編號表示之。
請一併參閱第1圖、第2A圖以及第2B圖。第1圖繪示本發明之一實施方式之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法100的流程示意圖。第2A圖與第2B圖係繪示製造本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構110之製作流程示意圖。如圖所示，此聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法100包含定義步驟200、真空沉積步驟300以及蝕刻步驟400。
定義步驟200係在聚二甲基矽氧烷基材210上定義具有硫醇官能基單分子的圖案區域220，而且此硫醇官能基單分子呈液相。其中聚二甲基矽氧烷基材210具 有一基材厚度D1，此基材厚度D1可大於等於50um且小於等於300um，而本實施例之基材厚度D1為100um。
真空沉積步驟300係利用真空鍍膜法在活化時間內沉積金原子240於聚二甲基矽氧烷基材210上，金原子240沉積的範圍為圖案區域220。再者，真空鍍膜法可為蒸鍍法、濺鍍法、原子層磊晶法或其他真空鍍膜方法。透過任一種真空鍍膜法，均可有效地增強硫醇官能基單分子與金原子240彼此的化學鍵結，進而提升金原子240與聚二甲基矽氧烷基材210之間的附著力。此外，金原子240具有一金膜厚度D2，此金膜厚度D2可大於等於5nm且小於等於5000nm，而本實施例之金膜厚度D2為100nm。另外，真空鍍膜法的沉積條件可以自由地控制以調整金圖案的金膜厚度D2以及薄膜品質，而且本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構110具有高附著性及穩定度，因此可做為導線元件或電極的使用。
蝕刻步驟400係以清水清洗聚二甲基矽氧烷基材210，讓金原子240選擇性地留存在圖案區域220上。而在圖案區域220範圍之外所沉積的金原子240會被清洗掉。經由蝕刻步驟400後即可完成聚二甲基矽氧烷複合結構110。此聚二甲基矽氧烷複合結構110具有結構厚度D3，此結構厚度D3等於基材厚度D1加上金膜厚度D2。藉此，以聚二甲基矽氧烷作為基材，並藉由有機矽烷修飾方法在基材表面修飾上具特定官能基的有機矽烷。此聚二甲基矽氧烷複合結構110係透過特定官能基與金原子 240之化學鍵結，不但能提升金原子240與基材的附著力，還能方法相當簡易，非常適合應用於生醫材料以及軟性消費電子產品的大量製造上。
第3圖繪示本發明之另一實施方式之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法100b的流程示意圖。此聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法100b包含定義步驟200b、真空沉積步驟300b以及蝕刻步驟400b。
配合參閱第1圖、第2圖、第4A圖以及第4B圖。第4A圖繪示第3圖之硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230的化學示意圖。第4B圖繪示本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構110b的示意圖。在第3圖的實施方式中，本發明將硫醇官能基單分子進一步限定為硫醇基丙基三甲氧基矽烷(3-Mercaptopropyl trimethoxysilane,MPTMS)分子230，透過此特殊的硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230結合本實施方式獨特的聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法100b來實現具有高附著力以及可控金膜厚度D2的聚二甲基矽氧烷複合結構110b。
定義步驟200b係在聚二甲基矽氧烷基材210上定義具有硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230之圖案區域220。其中硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230呈液相。此外，真空沉積步驟300b係利用真空鍍膜法在活化時間內沉積金原子240於圖案區域220之聚二甲基矽氧烷基材210上。另外，蝕刻步驟400b則是以清水清洗聚二甲基矽氧烷基材210，令金原子240選擇性地留存在圖案區域 220上。藉由上述步驟，本發明利用聚二甲基矽氧烷作為基材，並藉由有機矽烷修飾方法在基材表面修飾上硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230，然後透過硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230與金之化學鍵結，可大幅提升金與聚二甲基矽氧烷基材210之間的附著力。
第5圖繪示本發明之一實施例的聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法100c的步驟圖。此聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法100c包含一定義步驟200c、一真空沉積步驟300c以及一蝕刻步驟400c。
配合參閱第3圖，在第5圖的實施例中，定義步驟200c與蝕刻步驟400c分別與第3圖中定義步驟200b與蝕刻步驟400b相同，不再贅述。特別的是，第5圖實施例之真空沉積步驟300c係利用蒸鍍法沉積金原子240，而且此蒸鍍法包含第一蒸鍍步驟312與第二蒸鍍步驟314。其中第一蒸鍍步驟312係以0.5M之硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230之甲醇溶液修飾10秒。第二蒸鍍步驟314則以一鍍率進行蒸鍍，此鍍率為0.5A/sec。而經第二蒸鍍步驟314後，金原子240具有一金膜厚度D2。此金膜厚度D2可大於等於5nm且小於等於5000nm，而本實施例之金膜厚度D2為100nm。由此可知，蒸鍍法的沉積條件可以自由地控制調整金膜厚度D2，而且利用硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230與金之化學鍵結，可大幅提升聚二甲基矽氧烷複合結構110b的附著力。
第6圖繪示本發明之另一實施例的聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法500的流程示意圖。相較於第1圖、第3圖以及第5圖，第6圖更詳細地說明了每個步驟的細節。此聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法500包含步驟501~510。
步驟501係利用黃光微影技術與蝕刻技術在一母模上定義出一微陣列圖形，此微陣列圖形具有一圖案區域220。換句話說，此步驟501是在矽基材之母模上定義出圖案區域220。此外，母模可為圓形且具有微陣列柱。
步驟502係將具有聚二甲基矽氧烷之第一劑與第二劑分別以10比1之重量比混合攪拌，並產生一聚二甲基矽氧烷混合體。
步驟503係將聚二甲基矽氧烷混合體放入真空腔體內，並於30分鐘內以真空幫浦抽氣進行氣泡移除。其中30分鐘為活化時間，而且此步驟503可確保金原子240對硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230的附著力。
步驟504係將聚二甲基矽氧烷混合體倒入母模內，並放入高溫烘箱以80℃烘烤2小時。
步驟505係將固化之聚二甲基矽氧烷混合體從母模脫模，然後蝕刻聚二甲基矽氧烷混合體，讓聚二甲基矽氧烷混合體穿孔而產生複數孔洞。
步驟506係將聚二甲基矽氧烷混合體標準清潔並置入6M之硫酸水溶液中，同時加溫至80℃維持1小時。
步驟507係將聚二甲基矽氧烷混合體置入甲醇中浸洗兩次。
步驟508係將浸洗甲醇後之聚二甲基矽氧烷混合體置入0.5M之硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230的甲醇溶液中10秒。
步驟509係取出聚二甲基矽氧烷混合體並用氮氣輕吹乾。
步驟510係以一鍍率蒸鍍100nm之金膜厚度D2於聚二甲基矽氧烷混合體上。其中金原子240的鍍率為0.5A/sec。
透過上述步驟501~510可以得到聚二甲基矽氧烷複合結構110b。此聚二甲基矽氧烷複合結構110b透過金原子240沉積條件之控制，例如：鍍率、活化時間、溫度或其他控制因子，可以精確地控制金膜厚度D2的大小、金膜的品質以及硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230與金之化學鍵結效果。藉由本實施例的方法可將金膜厚度D2精確地控制於100nm。
第7A圖繪示本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構110b彎曲的示意圖。第7B圖繪示第7A圖中結構表面的電子顯微鏡圖。其中聚二甲基矽氧烷基材210可為平坦面610或彎曲面620，在聚二甲基矽氧烷基材210彎曲的 狀況下，本發明之聚二甲基矽氧烷複合結構110b之平坦面610的表面呈皺褶狀，而彎曲面620的表面則呈現平坦狀。彎曲面620的電阻變化率較小，較不容易因彎曲而影響導電層之電性，而且此聚二甲基矽氧烷複合結構110b具有一定之回復性。
為了有效地證明本發明之功效，本發明選用金作為PDMS-based之導電層材料，並針對各種不同黏著層之附著力進行測試與分析。其中黏著層包含鈦Ti、鉻Cr、鎳Ni以及本發明之硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子230。表一顯示不同黏著層之附著力測試結果，其顯示當黏著層為MPTMS時，附著力可高達ISO class 0，而且以3M 600膠帶黏貼後發現0%金原子240脫落。換句話說，本發明製造方法所得到之結構擁有最好的附著力，而且利用MPTMS作為黏著層之官能基可大幅地增加金和高分子基材間之鍵結效果。
由上述實施方式可知，本發明具有下列優點：其一，利用聚二甲基矽氧烷作為基材，並藉由有機矽烷修飾方法在基材表面修飾上具特定官能基的有機矽烷，同時透過特定官能基與導電材料之化學鍵結，提升導電材料與基材間的附著力。其二，透過金原子沉積條件之控制，可以精確地控制所定義金圖案之厚度及薄膜品質。其三，本發明製造方法所得到的聚二甲基矽氧烷複合結構具有一定的可撓曲性。在基材彎曲的狀況下，其電阻變化率較小，較不容易因彎曲而影響導電層之電性，而且此聚二甲基矽氧烷複合結構具有一定之回復性。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法
200‧‧‧定義步驟
300‧‧‧真空沉積步驟
400‧‧‧蝕刻步驟

Claims (16)

  1. 一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，包含以下步驟：一定義步驟，係在一聚二甲基矽氧烷基材上定義具有一硫醇官能基單分子之一圖案區域，該硫醇官能基單分子呈液相；一真空沉積步驟，係利用一真空鍍膜法在一活化時間內沉積一金原子於該圖案區域之該聚二甲基矽氧烷基材上；以及一蝕刻步驟，係以清水清洗該聚二甲基矽氧烷基材，令該金原子選擇性地留存在該圖案區域上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該真空鍍膜法為一蒸鍍法、一濺鍍法或一原子層磊晶法。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該蒸鍍法包含：一第一蒸鍍步驟，係以0.5M硫醇官能基單分子之甲醇溶液修飾10秒；以及一第二蒸鍍步驟，係以一鍍率蒸鍍，該鍍率為0.5A/sec，經該第二蒸鍍步驟後，該金原子具有一金膜厚度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該金膜厚度大於等於5 nm且小於等於5000nm。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該金膜厚度為100nm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該聚二甲基矽氧烷基材為曲面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該活化時間小於等於30分鐘。
  8. 一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，包含以下步驟：一定義步驟，係在一聚二甲基矽氧烷基材上定義具有一硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子之一圖案區域，該硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子呈液相；一真空沉積步驟，係利用一真空鍍膜法在一活化時間內沉積一金原子於該圖案區域之該聚二甲基矽氧烷基材上；以及一蝕刻步驟，係以清水清洗該聚二甲基矽氧烷基材，令該金原子選擇性地留存在該圖案區域上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該真空鍍膜法為一蒸鍍法、一濺鍍法或一原子層磊晶法。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該蒸鍍法包含：一第一蒸鍍步驟，係以0.5M硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子之甲醇溶液修飾10秒；以及一第二蒸鍍步驟，係以一鍍率蒸鍍，該鍍率為0.5A/sec，經該第二蒸鍍步驟後，該金原子具有一金膜厚度。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該金膜厚度大於等於5nm且小於等於5000nm。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該金膜厚度為100nm。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該聚二甲基矽氧烷基材為曲面。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該活化時間小於等於30分鐘。
  15. 一種聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，包含以下步驟：(a)利用黃光微影技術與蝕刻技術在一母模上定義出一微陣列圖形，該微陣列圖形具有一圖案區域；(b)將具有聚二甲基矽氧烷之第一劑與第二劑分別以10比1之重量比混合攪拌，並產生一聚二甲基矽氧烷混合體；(c)將該聚二甲基矽氧烷混合體放入真空腔體內，並於一活化時間內以真空幫浦抽氣進行氣泡移除；(d)將該聚二甲基矽氧烷混合體倒入該母模內，並放入高溫烘箱以80℃烘烤2小時；(e)將固化之該聚二甲基矽氧烷混合體從該母模脫模，然後蝕刻該聚二甲基矽氧烷混合體，並令該聚二甲基矽氧烷混合體穿孔而產生複數孔洞；(f)將該聚二甲基矽氧烷混合體標準清潔並置入6M之硫酸水溶液中，加溫至80℃維持1小時；(g)將該聚二甲基矽氧烷混合體置入甲醇中浸洗兩次；(h)將浸洗甲醇後之該聚二甲基矽氧烷混合體置入0.5M之硫醇基丙基三甲氧基矽烷分子之甲醇溶液中10秒；(i)取出該聚二甲基矽氧烷混合體並用氮氣輕吹乾；以及 (j)以一鍍率蒸鍍一金原子於該聚二甲基矽氧烷混合體上，該金原子具有一金膜厚度。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法，其中該活化時間為30分鐘，該母模為圓形且具有一微陣列柱，該金膜厚度為100nm，該鍍率為0.5A/sec。
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