TW201638967A - 接合線以及打線接合方法 - Google Patents

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Abstract

一種接合線包括：線芯，含有銀（Ag）作為主要組分並含有選自鉑（Pt）、鈀（Pd）、銠（Rh）、鋨（Os）、金（Au）及鎳（Ni）中的至少一種元素；以及金（Au）材料塗層，形成於所述線芯的外表面上。

Description

接合線
一或多個示例性實施例是有關於一種接合線及其接合方法，且更具體而言，是有關於一種具有優異的高濕度可靠性及改良的球形狀均勻性及當在大氣中形成無空氣焊球（free air ball，FAB）時形成於打線的尖端上的形狀的接合線及其接合方法。
用於安裝半導體裝置的封裝包括各種類型的結構。接合線仍廣泛用於連接基板與半導體裝置或連接各半導體裝置。金接合線已作為接合線而得到廣泛使用。然而，由於金是昂貴的材料且其價格最近已高度飆升，因此亟需要一種可取代金接合線的接合線。作為金線的替代材料已被突顯的銅線具有以下缺點：頻繁出現因銅的固有高硬度而在球形接合期間使晶片破裂的焊墊裂紋現象，且因銅的高硬度及強氧化而未解決需要高度積體封裝的凸起縫合（stitch-on-bump，SOB）接合問題。作為對此缺點的解決方案，已積極地進行一項關於含有銀（Ag）作為主要組分且價格相對低廉的接合線的研究。儘管已努力開發一種藉由使銀與其他金屬元素形成合金而展現出優越性質的接合線，但仍存在大量改良空間。
一或多個示例性實施例包括一種具有優異的高濕度可靠性及改良的球形狀均勻性及當在大氣中形成無空氣焊球（FAB）時形成於打線的末端上的形狀的接合線。
一或多個示例性實施例包括一種具有優異的高濕度可靠性及改良的球形狀均勻性及當在大氣中形成無空氣焊球時形成於打線的末端上的形狀的接合線的接合方法。
其他態樣將在以下說明中予以部分闡述，且該些態樣將藉由所述說明而部分地變得顯而易見，抑或可藉由實踐所呈現的示例性實施例而得知。
根據一或多個示例性實施例，一種接合線包括：線芯，含有銀（Ag）作為主要組分並含有選自鉑（Pt）、鈀（Pd）、銠（Rh）、鋨（Os）、金（Au）及鎳（Ni）中的至少一種元素；以及金（Au）材料的塗層，形成於所述線芯的外表面上。
所述塗層的厚度可為約30奈米至200奈米。
所述塗層的厚度可為約40奈米至170奈米。
所述金（Au）的純度可等於或大於99%。
當在大氣中在所述接合線的末端處形成無空氣焊球時，所述無空氣焊球的外表面上的金（Au）含量可為約5wt%至35wt%。
根據一或多個示例性實施例，一種打線接合方法包括：製備接合線；在大氣中在所述接合線的末端處形成無空氣焊球；以及將所述無空氣焊球附著至半導體晶片的焊墊，其中所述接合線包括：線芯，含有銀（Ag）作為主要組分並含有選自鉑（Pt）、鈀（Pd）、銠（Rh）、鋨（Os）、金（Au）及鎳（Ni）中的至少一種元素；以及金（Au）材料的塗層，形成於所述線芯的外表面上。
所述塗層的厚度可為約30奈米至200奈米。
所述塗層的厚度可為約40奈米至170奈米。
所述無空氣焊球的外表面上的金（Au）含量可為約5wt%至35wt%。
所述塗層可藉由鍍覆而形成。
參照附圖詳細闡述本發明概念的示例性實施例。然而，本發明概念並非僅限於此，且應理解，在不背離以下申請專利範圍的精神及範圍的條件下，可對其作出各種形式及細節上的變化。亦即，對特定結構或功能的說明可僅被呈現以用於闡釋本發明概念的示例性實施例。通篇中相同參考編號指代相同元件。此外，示意性地說明圖式中的各種元件及區域。因此，本發明概念並非僅限於圖式中所示的相對尺寸或間隔。在以下示例性實施例中，單位「wt%（重量%）」指出某一組分在合金的總重量中的重量。
在本文中僅使用例如「第一」及「第二」等用語來闡述各種組成元件，但所述組成元件並非受限於所述用語。此種用語僅用於區分各個組成元件。舉例而言，在不背離本發明概念的恰當範圍的條件下，第一組成元件可被稱為第二組成元件，且反之亦然。
在本說明書中使用的用語用於闡釋特定示例性實施例，而非用於限制本發明概念。因此，除非在上下文中清楚地另外指明，否則在本說明書中用於單數形式的表達亦包括其複數形式的表達。此外，例如「包括」或「包含」等用語可被視為指出某一特性、數目、步驟、操作、組成元件或其組合，但可不被視為排除一或多個其他特性、數目、步驟、操作、組成元件、或其組合的存在或添加的可能性。
除非另外定義，否則本文中使用的全部用語（包括技術或科學用語）具有與本發明概念可能有關的技術中具有通常知識者通常所理解的含義相同的含義。用語（如在常用字典中定義的用語）被視為具有與在相關技術的上下文中的含義匹配的含義，且除非清楚地另外定義，否則不將其視為理想上的或過於正式。
本發明概念揭露一種含有銀（Ag）作為主要組分並含有非常少量的其他組分的銀合金接合線。主要組分表示元素對總組分的濃度超過50%。換言之，銀（Ag）作為主要組分表示銀對銀及其他元素的總量的濃度超過50%。濃度表示基於原子的莫爾數的濃度。
圖1是根據示例性實施例的接合線的立體圖。圖2是沿圖1所示接合線的線A-A截取的剖視圖。
如圖1及圖2所示，接合線100可包括內部線芯120及外部塗層140。內部線芯120具有帶有恆定直徑的圓柱形桿（rod）形狀，並由含有銀作為主要組分的合金製造而成。
外部塗層140具有帶有恆定厚度的環形截面且環繞內部線芯120的外表面的管形狀，並由超過約99%的高純度的金（Au）形成。
如此一來，由於接合線100具有其中銀合金由高純度金環繞的結構，因此接合線100可保持與在其中接合線僅使用金形成的現有情形中相同的相對於打線的外表面的硬度及強度。因此，相似於金的接合線製造，即使當在接合製程期間對半導體晶片焊墊及基板施加衝擊，亦可執行所述製程而不對半導體晶片焊墊及基板造成損害，且可藉由高純度金所環繞的銀合金形狀而防止銀合金的氧化。此外，根據本發明示例性實施例且具有其中銀合金是由高純度金環繞的結構的接合線100可相似於僅由金形成的現有接合線而保持例如耐腐蝕性、延性、彈性及傳導性等優越性質。
此外，由於根據本發明示例性實施例的接合線100具有其中僅合金的外側由高純金塗佈的結構，因此製造成本可相較於僅由金形成的現有接合線而顯著降低。
然而，儘管根據先前技術的接合線藉由僅包括由銀合金形成的線芯或在由銀合金形成的線芯上塗佈金而防止氧化，但仍存在如下問題，即，使用其中僅使用氮氣或氮氣與氫氣的混合氣體的氮氣氣氛來產生無空氣焊球（FAB）以將接合線接合至半導體晶片焊墊上。在無空氣焊球成型製程期間，當藉由場發射來熔融打線時形成無空氣焊球。在根據先前技術的接合線中，在大氣中形成無空氣焊球期間，因快速氧化而不穩定地形成焊球。
因此，儘管在根據先前技術的接合線中，無空氣焊球的形狀在氮氣氣氛中為穩定的，但製作氮氣氣氛亦需要氣體套件安裝及氣體消耗成本。此外，由於依據於氣體流動速率的變形條件在無空氣焊球的形狀條件中以各種方式產生，因此將變形條件應用於接合線仍需要大量的時間及努力。
然而，在根據本發明示例性實施例的接合線100中，金不斷地塗佈於銀合金芯的外表面上，亦即銀合金的內部線芯120以高純金外部塗層140被塗佈至約30奈米至200奈米，特別地約40奈米至170奈米的厚度。因此，無空氣焊球的形狀在大氣狀態中被穩定地形成為球形，且因此，接合線100可易於接合至半導體晶片焊墊及基板，並可具有等於或較佳於根據先前技術的銀合金接合線的高濕度可靠性。
高濕度可靠性可由根據無空氣焊球的形狀及氧化程度而變化的接合線的接合性質產生。不同於根據先前技術的其中無空氣焊球的形狀在大氣中被形成為不穩定的接合線，無空氣焊球的最佳形狀是在金外部塗層140具有以上厚度時形成。金屬間化合物（inter-metallic compound，IMC）形成於位於接合線的末端處且接合至半導體晶片焊墊的無空氣焊球的表面的金塗層與半導體晶片焊墊之間，以使得高濕度可靠性可得到提高。
1. 製備樣品
圖3A是根據示例性實施例的一種製造接合線100的方法的方塊圖。
操作S200：使用高純銀（Ag）或使用銀（Ag）作為主要組分，以約1 wt%至20 wt%熔融鉑（Pt）、鈀（Pd）、銠（Rh）、鋨（Os）、金（Au）及鎳（Ni）中的至少一者，並連續鑄造以製造經合金的鑄造材料。可經由連續拉延(drawing)製程的多個步驟而將高純銀（Ag）或經合金的鑄造材料加工成直徑為200微米或小於200微米的第一打線。
詳細參照圖3B，為了具有所需組成物，在熔融爐中熔融並鑄造含有銀（Ag）作為主要組分的金屬材料，藉此製造金屬材料的合金溶體（S210）。在此狀態中，可添加除銀（Ag）之外的效能控制組分。
然後，將金屬材料的合金溶體冷卻並凝固，且接著可藉由鍛造及輥壓而獲得合金件（S220）。接下來，可首先使所述合金件變細為具有約6毫米至約9毫米的直徑（S230）。
對變細為具有約6毫米至約9毫米的直徑的第一變細打線進行拉延及熱處理（S240）。拉延及熱處理製程可包括使打線逐漸變細及對第一變細打線執行熱處理的製程。為使第一變細打線變細，第一變細打線經過多個切削(dice)步驟以減小變細打線的截面。
所述方法可包括當變細打線的直徑為約0.5毫米至約5毫米時，執行第一熱處理的製程。所述第一熱處理可例如在約550℃至約700℃的溫度下執行約0.5秒至約5秒。具體而言，所述第一熱處理可在約600℃至約650℃的溫度下執行約2秒至約4秒。
作為另一選擇，所述方法可包括當變細打線的直徑為約0.05毫米至約0.4毫米時，執行第二熱處理的製程。所述第二熱處理可例如在約550℃至約700℃的溫度下執行約0.5秒至約5秒。具體而言，所述第二熱處理可在約600℃至約650℃的溫度下執行約2秒至約4秒。
此項技術中具有通常知識者可理解，隨著變細打線依序經過多次切削，變細打線的直徑減小。換言之，隨著變細打線依序經過被佈置成使孔尺寸逐漸減小的多次切削，變細打線的直徑減小。
當變細打線的直徑屬於某一範圍時，可在各切削之間執行以上熱處理。換言之，當變細打線的直徑為約0.5毫米至約5毫米時，可在某兩次切削之間執行第一熱處理。當變細打線的直徑為約0.1毫米至約0.5毫米時，可在某兩次切削之間執行第二熱處理。
依序地，對變細打線進行拉延直至經由拉延製程而製成具有所需直徑的接合線，藉此減小打線的截面。在此狀態中，在經過切削之前及之後，接合線的面積的減小可調整了約7%至約15%。換言之，所述製程可被配置成使得，當正被拉延的打線經過一次切削時，藉由將經過切削後的接合線的截面與經過切削前的接合線的截面進行比較而得知接合線的面積的減小降低了約7%至約15%。具體而言，在將打線拉延成具有處於約50微米或小於50微米的範圍內的直徑的製程中接合線的面積的減小可被調整了約7%至約15%。
當接合線的面積的減小太高時，接合線中顆粒的分佈可能過度增加。此外，當接合線的面積的減小太低時，用以獲得具有所需直徑的接合線的拉延製程的數目會過度增加，此可能在經濟上不利。
作為另一選擇，可在拉延完成之後執行額外的退火以調整伸長率（S250）。用於調整伸長率的退火條件可根據變細打線的組成、面積的減小或熱處理條件而變化。然而，可在約400℃至約600℃的溫度下執行退火約1秒至約20分鐘。此項技術中具有通常知識者可適當地選擇詳細退火條件。
當退火溫度太低時，可能無法確保接合所需要的延性及展性。相反，當退火溫度太高時，顆粒的尺寸可過度增加且可在接合期間產生例如環圈的垂流等缺陷。
此外，當退火時間太短時，可能無法確保進行加工所需要的延性及展性。相反，當退火時間太長時，顆粒的尺寸可過度增加，此在經濟上不利。
可例如藉由使接合線以適當速度經過熔爐而執行以上退火製程。此外，使接合線經過熔爐的時間可根據退火時間及熔爐的尺寸來確定。
操作S300：可如表1所示藉由將金層在第一打線周圍形成至某一厚度而製造第二打線。可藉由電解鍍覆、無電鍍覆或濺鍍方法來執行形成金層的方法。當金層藉由鍍覆而形成時，在鍍覆製程期間，可將鍍覆溶液的pH設定為約5（弱酸）至約7（中性），且可將鍍覆溶液的溫度保持為約50℃。此外，線芯的邊界擴散得到阻止，且可藉由添加為無機添加劑的鈦（TI）、硒（Se）及鍺（Ge）中的一者來提高勻鍍能力（throwing power）。
操作S400：對第二打線執行電解清洗及活化製程作為預處理。在每一製程之後，可執行水清洗及吹風。在對第二打線執行預處理之後，完成如表1所示的接合線。
2. 測試方法
儘管在以下說明中以比較例及實驗實例詳細闡述了本發明概念的結構及效果，但實驗實例為用於清楚地闡釋本發明概念，而並非用於限制本發明概念的範圍。在比較例及實驗實例中，藉由以下方法來評估物理性質。
（1）球形狀均勻性
將直徑為約20微米的接合線100的末端形成為直徑為約42微米的接合球，並接合至半導體晶片焊墊。在此狀態中，量測了橫向方向上的長度與縱向方向上的長度之比，且觀察所述比率是否接近於1，接合線100是否位於所述球的中心，所述球的邊緣是否如正圓形般平滑，抑或是否存在如花瓣形狀的彎曲部。
當確定出經接合球的橫向方向上的長度與縱向方向上的長度之比等於或大於0.99、接合線100位於所述球的中心、且邊緣為正圓形而非花瓣形狀時，球形狀均勻性被評估為◎。當確定出經接合球的橫向方向上的長度與縱向方向上的長度之比等於或大於0.96且小於0.99、接合線100位於所述球的中心、且邊緣為正圓形而非花瓣形狀時，球形狀均勻性被評估為○。當確定出經接合球的橫向方向的長度與縱向方向上的長度之比等於或大於0.9、邊緣不具有花瓣形狀、且球形狀均勻性不屬於◎或○時，球形狀均勻性被評估為△。否則，球形狀均勻性被評估為×。
（2）金塗層的穩定性
在製造根據本發明示例性實施例的接合線100之後，在所述接合線的末端上形成無空氣焊球，然後藉由能量色散X射線（EDX）來分析存在於無空氣焊球的外部塗層中的金。根據無空氣焊球的外部塗層中的金含量來檢查無空氣焊球的形成是否穩定。在能量色散X射線分析期間，當依據於外部塗層中的金含量的金的重量%大於9且等於或小於30時，金塗層的穩定性被評估為◎。當依據於外部塗層中的金含量的金的重量%大於5且等於或小於9，或者大於30且等於或小於35時，金塗層的穩定性被評估為△。當依據於外部塗層中的金含量的金的重量%等於或小於3或者大於35時，金塗層的穩定性被評估為×。
（3）打線表面上的硫化現象
製造了分別具有200根打線且接合至晶片焊墊的兩個樣品，且根據經由顯微鏡主要自環圈上方所觀察的打線表面的顏色變化來評估硫化現象。在包含約百萬分之3的硫化氫（H2 S）氣體的大氣中，在室溫、約80%的濕度的最差應力條件下將樣品暴露48小時。當打線表面上被認定為硫化的打線的數目等於或小於1時，打線表面硫化被評估為◎，此為優異的。當打線表面上被認定為硫化的打線的數目介於2與5之間時，打線表面硫化被評估為○，此為實際上可接受的。當打線表面上被認定為硫化的打線的數目介於6與19之間時，打線表面硫化被評估為△，此需要改良。當打線表面上被認定為硫化的打線的數目大於20時，打線表面硫化被評估為×。
（4）高濕度可靠性
製造了分別具有200根打線且接合至晶片焊墊的兩個樣品並藉由利用環氧成型樹脂進行密封來封裝。將封裝在約121℃的溫度及約85%的濕度下放置分別達96小時、144小時及192小時。在此狀態中，以百分比來量測在接合表面上發生短路的導線的缺陷率，且評估高濕度可靠性。
3. 測試結果
在表1中示出藉由以上測試方法所量測的測試結果。
圖4說明表1中比較例1及比較例2以及實驗實例10的掃描電子顯微鏡影像。圖5說明表1中比較例2及實驗實例10的能量色散X射線分析影像。
在本測試中，第一打線（即，內部線芯120）具有其中含有1重量%的鈀（Pd）且其餘部分由銀形成的合金率。藉由改變接合線100的外部塗層140中金的厚度來實施所述測試。當金塗層140的厚度增加時，能量色散X射線的資料相對於所述厚度成比例地增加。   [表1]
在比較例1中，在接合線上在氮氣氣氛中形成無空氣焊球，所述接合線具有含有1 wt%的鈀（Pd）且其餘部分由銀鈀（Pd）形成的合金率且不具有金塗層。
在比較例2中，在接合線上在大氣中形成無空氣焊球，所述接合線具有含有1 wt%的鈀（Pd）且其餘部分由銀鈀（Pd）形成的合金率且不具有金塗層。
在其中不在銀合金接合線上形成金塗層的比較例1及比較例2中，在氮氣氣氛製程中製造的無空氣焊球示出優異的球形狀及高濕度可靠性，而與上述情形相反，在大氣中製造的無空氣焊球示出欠佳的球形狀及欠佳的高濕度可靠性。
在實驗實例1至實驗實例25中，藉由在合金率為含有1 wt%的鈀（Pd）且其餘部分由銀形成的接合線上形成無空氣焊球並藉由使金塗層的厚度自約2奈米增加至350奈米來量測資料。當金塗層的厚度增加時，能量色散X射線的資料成比例地增加。
在實驗實例1至實驗實例7中，可以看出，相較於比較例1，球形狀為欠佳的或可接受的，且對高濕度可靠性的評估為不良。
在實驗實例8、實驗實例17及實驗實例18中，球形狀、打線表面硫化及高濕度可靠性皆非常好，而金塗層穩定性顯現為良好。因此，在實驗實例8、實驗實例17及實驗實例18中具有金塗層厚度的接合線顯現出具有良好性質。
在實驗實例9至實驗實例16中，球形狀、金塗層穩定性、打線表面硫化及高濕度可靠性顯現為皆非常好。因此，在實驗實例9至實驗實例16中具有金塗層厚度的接合線顯現出具有非常好的性質，並被確定為處於所有本測試中具有最優異性質的金塗層的厚度範圍內。此外，在實驗實例9至實驗實例16中，能量色散X射線分析結果示出塗層的金含量為約5 wt%至35 wt%。
在實驗實例19至實驗實例25中，儘管球形狀為良好的，但金塗層穩定性顯現為欠佳的，且高濕度穩定性顯現為差的。換言之，當金塗層的厚度超過某一厚度時，除打線表面硫化外的其他性質被確定為劣化。
4. 依據於金塗層的厚度的改良效果
如在測試結果中所示，當在接合線100上形成厚度為約30奈米至200奈米的金外部塗層140時，相較於在氮氣氣氛中無空氣焊球的形成，即使在大氣中形成無空氣焊球，亦可以看出，球形狀、金塗層穩定性、打線表面硫化及高濕度可靠性的性質類似或更佳。
具體而言，在實驗實例9至實驗實例16中，換言之，當金塗層140的厚度為約40奈米至170奈米時，所有性質皆顯現為優異的。當金塗層140的厚度太薄時，球形狀、金塗層穩定性及高濕度可靠性顯現為欠佳的。當金塗層140的厚度太厚時，金塗層穩定性及高濕度可靠性顯現為欠佳的。
如圖6所示，當不形成金塗層或金塗層的厚度太薄時，可以看出，打線表面硫化的性質顯現為欠佳的。在圖6中，（a）是在對比較例2進行硫化測試之前的掃描電子顯微鏡（SEM）影像，（b）是在對比較例2進行硫化測試之後的掃描電子顯微鏡影像，（c）是在對實驗實例10進行硫化測試之前的掃描電子顯微鏡影像，且（d）是在對實驗實例10進行硫化測試之後的掃描電子顯微鏡影像。
相比之下，如圖7所示，當金塗層的厚度太厚時，可在無空氣焊球中產生金塗層的例如垂流現象等不穩定現象。因此，金塗層的厚度可被形成為等於或小於約200奈米。圖7說明示出表1中實驗實例20及實驗實例24中的金塗層的垂流現象的影像。
5. 結論
在根據如比較例1的先前技術的銀合金接合線的情形中，儘管無空氣焊球的形成在氮氣氣氛中為穩定的，但製作氮氣氣氛會產生氣體套件安裝及氣體消耗成本。此外，由於依據於氣體流動速率的變形條件在無空氣焊球的形狀條件中以各種方式產生，因此將變形條件應用於接合線需要大量的時間及努力。
根據本發明概念，即使當在大氣中在接合線的末端處形成無空氣焊球，例如球形狀及高濕度可靠性等性質亦為良好的，而無需形成氮氣氣氛，因而使得製造成本可被降低。
應理解，本文所述示例性實施例應被視為僅具有說明性意義而非用於限制目的。在每一示例性實施例內對特徵及態樣的說明通常應被視為可適用於其他示例性實施例中的其他類似特徵或態樣。
儘管已參照各圖闡述了一或多個示例性實施例，但此項技術中具有通常知識者應理解，在不背離由以下申請專利範圍界定的精神及範圍的條件下，可對其作出各種形式及細節上的變化。
100‧‧‧接合線
120‧‧‧內部線芯
140‧‧‧塗層
A-A‧‧‧線
S200、S210、S220、S230、S240、S250、S300、S400‧‧‧操作
在結合附圖閱讀對示例性實施例的以下說明之後，該些及/或其他態樣將變得顯而易見且更易於理解，在附圖中： 圖1是根據示例性實施例的接合線的立體圖。 圖2是沿圖1所示接合線的線A-A截取的剖視圖。 圖3A及圖3B是根據示例性實施例的一種製造接合線的方法的方塊圖。 圖4說明表1中的比較例1及比較例2以及實驗實例10的掃描電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM）影像。 圖5說明表1中的比較例2及實驗實例10的能量色散X射線（energy dispersive X-ray，EDX）分析影像。 圖6說明在對表1中的比較例2及實驗實例10的硫化測試之前及之後的影像。 圖7說明示出表1中的實驗實例20及實驗實例24中金塗層的垂流(sagging)現象的影像。
100‧‧‧接合線
120‧‧‧內部線芯
140‧‧‧塗層
A-A‧‧‧線

Claims (10)

  1. 一種接合線，包括： 線芯，含有銀（Ag）作為主要組分並含有選自鉑（Pt）、鈀（Pd）、銠（Rh）、鋨（Os）、金（Au）及鎳（Ni）中的至少一種元素；以及 金（Au）材料的塗層，形成於所述線芯的外表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的接合線，其中所述塗層的厚度為約30奈米至200奈米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的接合線，其中所述塗層的厚度為約40奈米至170奈米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的接合線，其中所述金（Au）的純度等於或大於99%。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的接合線，其中當在大氣中在所述接合線的末端處形成無空氣焊球時，所述無空氣焊球的外表面上的金（Au）含量為約5wt%至35wt%。
  6. 一種打線接合方法，所述打線接合方法包括： 製備接合線； 在大氣中在所述接合線的末端處形成無空氣焊球；以及 將所述無空氣焊球附著至半導體晶片的焊墊， 其中所述接合線包括： 線芯，含有銀（Ag）作為主要組分並含有選自鉑（Pt）、鈀（Pd）、銠（Rh）、鋨（Os）、金（Au）及鎳（Ni）中的至少一種元素；以及 金（Au）材料的塗層，形成於所述線芯的外表面上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的打線接合方法，其中所述塗層的厚度為約30奈米至200奈米。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的打線接合方法，其中所述塗層的厚度為約40奈米至170奈米。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的打線接合方法，其中所述無空氣焊球的外表面上的金（Au）含量為約5wt%至35wt%。
  10. 如申請專利範圍第6項所述的打線接合方法，其中所述塗層是藉由鍍覆而形成。
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