TW201629247A - 物理氣相沉積系統與應用其之物理氣相沉積方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種物理氣相沉積系統，包含腔室、蓋板、台座與準直器。蓋板置於腔室上以用於固持靶材。台座置於腔室中以用於支撐晶圓。準直器安裝在蓋板與台座之間。準直器包含複數個側壁板，側壁板共同形成複數個通道。至少一之通道具有入口及與入口相對之出口。入口面對蓋板，且出口面對台座。一之側壁板在入口之厚度比側壁板在出口之厚度薄。

Description

物理氣相沉積系統與應用其之物理 氣相沉積方法

本揭露是有關於一種物理氣相沉積系統。

物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)一般用於半導體工業內，以及用於太陽能、玻璃塗層及其他工業內。PVD系統用以在諸如半導體晶圓之定位在真空電漿腔室中的基板上沉積金屬層。PVD製程用以在半導體晶圓上沉積諸如鈦或氮化鈦之靶材。在典型的PVD系統中，待塗覆之靶材置於真空腔室中，此腔室包含諸如氬之惰性氣體。金屬層可用作擴散阻障層、黏附層或種晶層、主要導體、抗反射塗層、蝕刻停止層，等等。

理論上，靶材相對於半導體晶圓應為極寬，以使得相對於半導體晶圓之粒子沉積面而言，靶材為無限源平面。遺憾的是，靶材具有有限尺寸，此尺寸通常與半導體晶圓之尺寸具有相同數量級。逐出或濺射的靶原子趨於在所有方向留下靶材，然後彼此相撞及散射，從而以多種角度到達 半導體晶圓。因此，金屬層不均勻地形成半導體晶圓中之蝕刻區域內，從而導致蝕刻側壁上之側向層相對較厚，及蝕刻底部之層較薄。

本揭露之一態樣提供一種物理氣相沉積系統，包含腔室、蓋板、台座與準直器。蓋板置於腔室上以用於固持靶材。台座置於腔室中以用於支撐一晶圓。準直器置於蓋板與台座之間。準直器包含複數個側壁板。側壁板共同形成複數個通道。至少一之該些通道具有一入口與相對於入口之一出口。入口面對蓋板，且出口面對台座。至少一之側壁板在入口之厚度比側壁板在出口之厚度薄。

本揭露之另一態樣提供一種物理氣相沉積系統，包含腔室、蓋板、台座與準直器。蓋板置於腔室上以用於固持靶材。台座置於腔室中以用於支撐一晶圓。準直器置於蓋板與台座之間。準直器包含複數個側壁板。側壁板共同形成複數個通道。至少一之通道具有一入口及一出口。入口面對蓋板，且出口面對台座。一之通道在入口之剖面面積大於通道在出口之剖面面積。

本揭露之再一態樣提供一種用於物理氣相沉積一晶圓之方法，包含將靶材置於蓋板，蓋板置於腔室上。將晶圓置於腔室中之台座上。在腔室中安裝及定向一準直器，其中準直器包含複數個側壁板。側壁板共同形成複數個通道。至少一之通道具有一入口及一出口。入口面對蓋板，且 出口面對台座。至少一之側壁板在入口之厚度比側壁板在出口之厚度薄。自靶材中逐出原子，使得原子在由準直器過濾之後沉積在晶圓上。

在上述實施方式中，因準直器之至少一之側壁在入口之厚度比此側壁板在出口之厚度薄，或至少一之通道之剖面面積大於此通道在出口之剖面面積，原子不會很快阻塞通道，以使得準直器之使用壽命可延長，及可減少製程維護頻率，從而留下更多時間用於製造。

100‧‧‧準直器

110‧‧‧側壁板

122‧‧‧漸縮邊緣

123a‧‧‧尖端

123b、123c‧‧‧末端

124‧‧‧扁平邊緣

132‧‧‧主表面

160‧‧‧通道

162‧‧‧入口

164‧‧‧出口

200‧‧‧腔室

300‧‧‧蓋板

350‧‧‧靶材

400‧‧‧台座

450‧‧‧支撐晶圓

500‧‧‧直流電電源

550‧‧‧磁場產生器

600‧‧‧磁鐵

650‧‧‧射頻偏壓電源

3-3、6-6‧‧‧線段

A1、A2‧‧‧剖面面積

D1、D2‧‧‧深度

T1、T2‧‧‧厚度

θ‧‧‧角度

S10、S20、S30、S40、S42、S44、S46‧‧‧操作步驟

第1圖是依據一些實施方式之物理氣相沉積系統的示意圖。

第2圖是依據一些實施方式之第1圖中準直器之示意圖。

第3圖是沿第2圖中線段3-3的剖面圖。

第4A圖與第4B圖是根據一些其他實施方式之第2圖中準直器之剖面圖。

第5A圖是根據又一些其他實施方式之第2圖中準直器之剖面圖。

第5B圖及第5C圖是根據又一些其他實施方式之第2圖中準直器之剖面圖。

第6圖是沿第2圖中線段6-6的剖面圖。

第7圖是依據一些實施方式用於物理氣相沉積晶圓之方法的流程圖。

第8圖是依據一些實施方式用於物理氣相沉積晶圓之方法的流程圖。

以下揭露內容提供眾多不同的實施方式或範例以用於實施本揭露提供之標的物的不同特徵。下文中描述組件及排列之特定範例以簡化本揭露。組件及排列當然僅為範例，及不意欲進行限制。例如，在下文之描述中，第一特徵在第二特徵上方或之上的形成可包含其中第一特徵與第二特徵以直接接觸方式形成的實施方式，及亦可包含其中在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵與第二特徵無法直接接觸之實施方式。此外，本揭露在多個範例中可重複元件符號及/或字母。此重複用於實現簡化與明晰之目的，及其自身並不規定所論述之多個實施方式及/或配置之間的關係。

此外，本揭露中可使用諸如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」等等之空間相對術語在以便於描述，以描述一個元件或特徵與另一或更多個元件或特徵之關係，如圖式中所圖示。空間相對術語意欲包含在使用或操作中之裝置除圖式中繪示之定向以外的不同定向。或者，設備可經定向 (旋轉90度或其他定向)，及本揭露中使用之空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。

除非另行定義，否則本揭露中使用之全部術語(包含技術及科學術語)具有相同意義，如本揭露所屬於之技術之一般技術者所通常理解。將進一步理解，術語(如常用詞典中定義之彼等術語)應解釋為具有一意義，意義符合其在相關領域及本揭露之上下文中之意義，及不應以理想化或過度正式之意義解釋，除非本揭露中明確定義如此。

為增大逐出或濺射靶原子在半導體晶圓上之定向性，可使用準直器。準直器是具有複數個通道以允許原子穿過之結構。隨著原子向半導體晶圓行進，實質上不垂直於半導體晶圓之原子衝擊準直器側壁及黏附至側壁。由此，準直器僅允許遵循實質垂直於半導體晶圓之路徑的原子穿過。然後，形成於半導體晶圓上金屬層因此而具有一般均勻之厚度。然而，隨著越來越多原子黏著在準直器側壁上，原子可能阻塞通道及阻止原子進入通道。最終，必須更換準直器。因此，為延長準直器使用壽命，以下段落中提供使用準直器之物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)系統及PVD方法。

第1圖是依據一些實施方式之物理氣相沉積系統的示意圖。物理氣相沉積系統包含準直器100、腔室200、蓋板300與台座400。蓋板300置於腔室200上以用於固持靶材350。台座400置於腔室200中以用於支撐晶圓450。準直 器100安裝在蓋板300與台座400之間。例如，準直器100可經由複數個固定元件(如螺桿)而安裝在腔室200之壁上。

第2圖是依據一些實施方式之第1圖中準直器100之示意圖，且第3圖是沿第2圖中線段3-3的剖面圖。準直器100包含複數個側壁板110，這些側壁板110共同形成複數個通道160。至少一之通道160具有入口162及與入口162相對之出口164。至少一之側壁板110於入口162之厚度T1比側壁板110於出口164之厚度T2薄。換言之，至少一之通道160於入口162之剖面面積(cross-sectional area)A1大於通道160於出口164之剖面面積A2。請參看第1圖。通道160之入口162面對蓋板300，且通道160之出口164面對台座400。

請參看第1圖至第3圖。準直器100之功能將允許遵循相對垂直於晶圓450之路徑的原子穿過，且攔截相對不垂直於晶圓450之原子。此舉確保均勻的金屬材料層在晶圓450之表面上形成。逐出或濺射原子從通道160之入口162進入準直器100且從出口164離開。在物理氣相沉積操作的期間，以較大角度散射之原子可衝射在準直器100之側壁板110上。此橫向生長可能導致在側壁板110頂部之過度生長。然而，由於至少一之側壁板110的厚度T1比厚度T2薄，或至少一之通道160的剖面面積A1大於剖面面積A2，原子不會很快阻塞通道160，以使得準直器100之使用壽命可延長，及可減少製程維護頻率，從而留下更多時間用於製造。

在第3圖中，至少一之側壁板110具有毗鄰入口162之漸縮(tapered)邊緣122。本揭露中所使用的術語「漸縮邊緣」意謂著側壁板110之每一主表面132朝向彼此漸縮以形成銳利或尖銳邊緣，或主表面132向漸縮邊緣122之末端(例如第3圖中之尖端123a)傾斜。換言之，通道160朝向出口164漸窄。本揭露中之主表面132與彼此相對及分別面對兩相鄰之通道160。原子主要黏著在這些主表面132上。

在第3圖中，漸縮邊緣122具有尖端123a。因此，第3圖中的側壁板110之剖面圖實質上形成三角形。尖端123a具有角度θ，範圍自約1度至約89度。在一些實施方式中，厚度T1之範圍自約1毫米至約2公分。

第4A圖與第4B圖是根據一些其他實施方式之第2圖中準直器100之剖面圖。在第4A圖中，漸縮邊緣122具有圓形末端123b。例如，自剖面圖可見，漸縮邊緣122之末端是圓形。在第4B圖中，漸縮邊緣122具有扁平末端123c。例如，自剖面圖可見，漸縮邊緣122具有扁平頂部。上文提及之漸縮邊緣122之末端形狀僅為說明，且不會限制本揭露所主張之範疇。基本上，只要厚度T1(請參看第3圖)比厚度T2(請參看第3圖)薄，則實施方式符合所主張之範疇。因第4A圖及第4B圖中之準直器100之其他相關結構細節類似於第3圖中之準直器100，因此將不再贅述。

第5A圖是根據又一些其他實施方式之第2圖中準直器100之剖面圖。在第5A圖中，至少一之側壁板110更具有毗鄰出口164之扁平(flat)邊緣124。詳細而言，第5A 圖中之側壁板110具有毗鄰入口162之漸縮邊緣122與毗鄰出口164之扁平邊緣124。兩個主表面132中位於漸縮邊緣122區域中的部分向漸縮邊緣122末端(例如第5A圖中之尖端123a)傾斜，且兩個主表面132中位於扁平邊緣124區域中的部分實質上互相平行。在一些實施方式中，漸縮邊緣122之高度比扁平邊緣124短，如第5A圖中所示。在一些其他實施方式中，漸縮邊緣122及扁平邊緣124具有實質上相等之高度。在又一些其他實施方式中，漸縮邊緣122之高度比扁平邊緣124長。因第5A圖中之準直器100之其他相關結構細節類似於第3圖中之準直器100，因此便不再贅述。

第5B圖及第5C圖是根據又一些其他實施方式之第2圖中準直器100之剖面圖。在第5B圖中，漸縮邊緣122具有圓形末端123b。例如，自剖面圖可見，漸縮邊緣122之末端是圓形。在第5C圖中，漸縮邊緣122具有扁平末端123c。例如，自剖面圖可見，漸縮邊緣122具有扁平頂部。在一些實施方式中，漸縮邊緣122之高度比扁平邊緣124短，如第5B圖及第5C圖中所示。在一些其他實施方式中，漸縮邊緣122及扁平邊緣124具有實質上相等之高度。在又一些其他實施方式中，漸縮邊緣122之高度比扁平邊緣124長。上文提及之漸縮邊緣122之末端形狀僅為說明，及應不限制本揭露所主張之範疇。基本上，只要側壁板110於入口162之厚度T1(請參看第3圖)比側壁板110於出口164之厚度T2(請參看第3圖)薄，則實施方式符合本揭露所主張之範 疇。因第5B圖及第5C圖中之準直器100之其他相關結構細節類似於第3圖中之準直器100，因此便不再贅述。

請再次參照第2圖及第3圖。側壁板110可為一體成型。或者，在其他實施方式中，側壁板110可組裝在一起以形成準直器100。側壁板110可由青銅、鋼、鋁、鈦、不銹鋼、合金，或其他適合材料製成。在一些實施方式中，通道160具有六邊形之橫剖面配置，如第2圖中所示。因此，通道160共同形成蜂巢外觀。對於六邊形通道160而言，進入通道160之原子具有較低可能性黏附在通道160之角落。因此，準直器100之使用壽命可延長。然而，在一些其他實施方式中，亦可製造具有其他橫剖面配置之通道160，如三角形、正方形、矩形、其他可成巢狀之形狀，或上述之組合。

第6圖是沿第2圖中線段6-6的剖面圖。在第6圖中，通道160在準直器100中心區域之深度D1比通道160在準直器100之邊界區域之深度D2深。更詳細而言，靶材350之原子的逐出或濺射方向較廣。大量原子進入準直器100中心區域，且少數原子進入準直器100之邊界區域。穿過通道160之原子量依據通道160之深度而定。通道160之深度D2並不比深度D1深，因此較少原子在邊界區域被過濾，從而產生過濾原子之均勻空間分佈。

請再次參看第1圖。在第1圖中，準直器110靠近蓋板300且遠離台座400。例如，準直器110可置於腔室200之上半部分中。此配置阻止由準直器100過濾之原子由 於準直器100之圖案(例如第2圖中之蜂巢圖案)而在晶圓450上形成圖案化層。

在一些實施方式中，物理氣相沉積系統更包含電性連接至蓋板300之直流電(direct current；DC)電源500。直流電電源500確定腔室200與安裝在蓋板300上之靶材350之間的電壓電位。直流電電源500之負端可連接至蓋板300，且正端可接地至腔室200。一負偏壓被施加至蓋板300，同時使腔室200保持接地電位。如此一來，腔室200中可產生電場。

在物理氣相沉積系統中藉由將電漿饋氣引入腔室200產生電漿，饋氣如氬。電子與電漿饋氣之原子碰撞以產生離子。由直流電電源500施加之負偏壓吸引離子前往靶材350。離子以高能量碰撞靶材300。換言之，蓋板300上之負偏壓加速所形成之電漿中的正離子前往靶材350以自靶材350濺射原子。藉由直接動量轉移而自靶材350表面逐出濺射原子。濺射原子可或可不離子化，且部分之濺射原子隨後穿過準直器100並到達晶圓450上。在一些實施方式中，靶材350可由鋁、鉭、鈦、銅或其他適合靶材製成。

在一些實施方式中，物理氣相沉積系統可更包含置於腔室200周圍的磁場產生器550，磁場產生器550恰好位於台座400上方之區域中，以用於在腔室200中產生磁場。磁場用以藉由使得電子螺旋形穿過電漿而增長電子滯留時間。藉由改變磁場產生器550之磁場形狀，可定向控制電漿。因此，電漿饋氣之離子化位準亦提高。在一些實施方式 中，磁場產生器550可為共軸電磁線圈(包含螺線管)，或永久性磁鐵之適當排列，或電磁線圈與永久性磁鐵之組合，如熟習此項技術者將理解。可向磁場產生器550施加直流電及/或射頻偏壓以產生磁場。電漿均勻性(尤其是晶圓450附近之電漿均勻性)由磁場產生器550控制且由射頻或直流電偏壓供應。此外，由於晶圓450通常為圓形晶圓，因此可使用同心電磁線圈。

在一些實施方式中，為控制塗覆金屬層之密度及分佈，可操縱靶材350周圍之磁場。因此，物理氣相沉積系統可更包含置於蓋板300上方之磁鐵600。當物理氣相沉積系統正在操作時，由磁鐵600產生之磁場促使磁場與靶材350表面相交之處發生電弧，由此影響塗佈層形成之處。磁鐵600可懸垂在蓋板350上。改變磁鐵600的位置即提供對電弧之定位，以用於控制氣相沉積。儘管磁鐵600在本揭露中描述為單個磁鐵，但應理解，對本揭露進行最低程度修改後亦可使用磁鐵組合件或永久性磁鐵與電磁體之某個組合。

在一些實施方式中，台座400可為靜電卡盤(electrostatic chuck；ESC)以用於將晶圓450靜電固持就位，然而本揭露所主張之範疇不限定於此。儘管靜電卡盤在設計方面有所不同，但這些卡盤基於向卡盤中之一或更多個電極施加電壓以便分別誘發晶圓450與電極中的反向極性電荷之原理。相反電荷之間的靜電吸引力壓住晶圓450以抵對卡盤，由此夾持晶圓450。此外，台座400之額外功能可包含在沉積及濺射期間的晶圓溫度控制。

在一些實施方式中，物理氣相沉積系統可更包含電氣連接至台座400的射頻偏壓電源650。由射頻偏壓電源650施加射頻頻率以便將能量耦合至動能電子，以激發晶圓450附近之電漿離子。通常，由於電子之較低質荷比，射頻偏壓電源650之功率頻率是超高頻(very high frequency；VHF)。於再濺射步驟中使用在晶圓450附近形成之VHF耦合電漿之離子。然而，在其他實施方式中，台座400可接地或保持電浮動。

第7圖是依據一些實施方式用於物理氣相沉積晶圓之方法的流程圖。為明晰描述，此方法可用於但不應僅限於第1圖之物理氣相沉積系統。請參看第1圖及第7圖。如操作步驟S10中所示，靶材350置於蓋板300，此蓋板300置於物理氣相沉積系統之腔室200上。在一些實施方式中，靶材350可由鋁、鉭、鈦、銅或其他適合靶材製成。

如操作步驟S20所示，晶圓450置於腔室200中之台座400上。在一些實施方式中，台座400可為靜電卡盤(electrostatic chuck；ESC)以用於將晶圓450靜電固持就位，然而本揭露所主張之範疇不限定於此。

如操作步驟S30所示，準直器100經安裝及定向在腔室200中。請參看第1圖及第3圖。更詳細而言，準直器100可由複數個固定元件(如螺桿)安裝在腔室200之壁上。準直器100經定向以使得其通道160之入口162面對靶材350及蓋板300，而準直器100之通道160之出口164面對晶圓450及台座400。至少一之側壁板110在入口162的厚度 T1比此側壁板110在出口164的厚度T2薄，或至少一之通道160在入口162的剖面面積A1大於此通道160在出口164的剖面面積A2。

請再次參看第1圖及第7圖。如操作步驟S40所示，自靶材350逐出原子，使得原子在由準直器100過濾之後沉積在晶圓450上。準直器100之功能將僅允許遵循相對垂直於晶圓450之路徑之原子穿過，並攔截相對不垂直於晶圓450之原子。由於側壁板110在入口162的厚度T1(請參看第3圖)比此側壁板110在出口164的厚度T2(請參看第3圖)薄，因此原子不會很快阻塞通道160，使得可延長準直器100之使用壽命，及可減少製程維護頻率，從而留下更多時間用於製造。

第8圖是依據一些實施方式用於物理氣相沉積晶圓之方法的流程圖。請參看第1圖及第8圖。由於操作細節與第7圖類似，因此下文中將不重複在此方面進行描述。在一些實施方式中，為從靶材350逐出原子，可在腔室200中提供諸如氬之電漿饋氣，如操作步驟S42中所示。隨後，在腔室200中產生電場以用於控制電漿饋氣之動量，如操作步驟S44中所示。例如，第1圖中之直流電電源500可電性連接至蓋板300以提供穿過腔室200中之電漿饋氣的電場。因此，電子與電漿饋氣之原子碰撞以產生離子。由直流電電源500施加之負偏壓吸引離子前往靶材350，以從靶材350濺射原子。

在一些實施方式中，如操作步驟S46中所示，在腔室200中產生磁場。例如，磁場產生器550可置於腔室200周圍以用於在腔室200中產生磁場。磁場用以藉由使得電子螺旋形穿過電漿而增長電子滯留時間。因此，電漿饋氣之離子化位準亦提高。

在一些實施方式中，可控制腔室200中之磁場分佈。例如，第1圖中之磁鐵600可置於蓋板300上方。在改變磁鐵600之定位時，磁場分佈變更，由此控制氣相沉積。

在一些實施方式中，可操縱鄰近於晶圓450之電漿部分。例如，射頻偏壓電源650可電性連接至台座400以用於將能量耦合至動力電子，以激發晶圓450附近之電漿離子。

準直器之功能為允許遵循相對垂直於晶圓之路徑之原子穿過，及攔截相對不垂直於晶圓之原子。此舉確保均勻的金屬材料層在晶圓表面上形成。逐出或濺射的靶原子從通道入口進入準直器及從出口離開。在物理氣相沉積操作的期間，以較大角度散射之原子可能衝射在準直器之側壁板上。此橫向生長可能導致在側壁板頂部之過度生長。然而，由於至少一之側壁在入口之厚度比此側壁板在出口之厚度薄，或至少一之通道之剖面面積大於此通道在出口之剖面面積，原子不會很快阻塞通道，以使得準直器之使用壽命可延長，及可減少製程維護頻率，從而留下更多時間用於製造。

本揭露之一態樣提供一種物理氣相沉積系統，包含腔室、蓋板、台座與準直器。蓋板置於腔室上以用於固 持靶材。台座置於腔室中以用於支撐一晶圓。準直器置於蓋板與台座之間。準直器包含複數個側壁板。側壁板共同形成複數個通道。至少一之該些通道具有一入口與相對於入口之一出口。入口面對蓋板，且出口面對台座。至少一之側壁板在入口之厚度比側壁板在出口之厚度薄。

本揭露之另一態樣提供一種物理氣相沉積系統，包含腔室、蓋板、台座與準直器。蓋板置於腔室上以用於固持靶材。台座置於腔室中以用於支撐一晶圓。準直器置於蓋板與台座之間。準直器包含複數個側壁板。側壁板共同形成複數個通道。至少一之通道具有一入口及一出口。入口面對蓋板，且出口面對台座。一之通道在入口之剖面面積大於通道在出口之剖面面積。

本揭露之再一態樣提供一種用於物理氣相沉積一晶圓之方法，包含將靶材置於蓋板，蓋板置於腔室上。將晶圓置於腔室中之台座上。在腔室中安裝及定向一準直器，其中準直器包含複數個側壁板。側壁板共同形成複數個通道。至少一之通道具有一入口及一出口。入口面對蓋板，且出口面對台座。至少一之側壁板在入口之厚度比側壁板在出口之厚度薄。自靶材中逐出原子，使得原子在由準直器過濾之後沉積在晶圓上。

前述內容概括數個實施方式之特徵，以便彼等熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。彼等熟習此項技術者應瞭解，本揭露可易於用作設計或修正其他製程及結構之基礎，以實現與本揭露介紹之實施方式相同的目的及/ 或達到與其相同的優勢。彼等熟習此項技術者亦應瞭解，等效構造不脫離本揭露之精神及範疇，及可在不脫離本揭露精神及範疇之情況下在本揭露中進行多種變更、取代及更動。

110‧‧‧側壁板

122‧‧‧漸縮邊緣

123a‧‧‧尖端

132‧‧‧主表面

160‧‧‧通道

162‧‧‧入口

164‧‧‧出口

A1、A2‧‧‧剖面面積

T1、T2‧‧‧厚度

θ‧‧‧角度

Claims (20)

1. 一種物理氣相沉積系統，包含：一腔室；一蓋板，置於該腔室上以用於固持一靶材；一台座，置於該腔室中以用於支撐一晶圓；以及一準直器，置於該蓋板與該台座之間，其中該準直器包含：複數個側壁板，該些側壁板共同形成複數個通道，其中至少一之該些通道具有一入口與相對於該入口之一出口，該入口面對該蓋板，且該出口面對該台座，至少一之該些側壁板在該入口之一厚度比該側壁板在該出口之一厚度薄。
2. 如請求項1所述之物理氣相沉積系統，其中至少一之該些側壁板具有毗鄰於該入口之一漸縮邊緣。
3. 如請求項2所述之物理氣相沉積系統，其中該漸縮邊緣具有一尖端。
4. 如請求項2所述之物理氣相沉積系統，其中該漸縮邊緣具有一圓形末端。
5. 如請求項2所述之物理氣相沉積系統，其中該漸縮邊緣具有一扁平末端。
6. 如請求項2所述之物理氣相沉積系統，其中至少一之該些側壁板更具有兩個主表面，該些主表面分別面對兩毗鄰之該些通道，且該些主表面向該漸縮邊緣之一末端傾斜。
7. 如請求項2所述之物理氣相沉積系統，其中至少一之該些側壁板更具有毗鄰該出口之一扁平邊緣。
8. 如請求項7所述之物理氣相沉積系統，其中至少一之該些側壁板更具有兩個主表面，該些主表面分別面對兩毗鄰之該些通道，該些主表面中處於該漸縮邊緣區域中之部分向該漸縮邊緣之一末端傾斜，且該些主表面中處於該扁平邊緣區域中之部分實質上互相平行。
9. 如請求項1所述之物理氣相沉積系統，其中至少一之該些通道向該出口漸窄。
10. 如請求項1所述之物理氣相沉積系統，其中該些通道之橫剖面為六邊形、三角形、正方形、矩形或上述之組合。
11. 如請求項1所述之物理氣相沉積系統，其中至少一之該些通道在該準直器之一中心區域之一深度比該通道在該準直器之一邊界區域之一深度大。
12. 一種物理氣相沉積系統，包含：一腔室；一蓋板，置於該腔室上以用於固持一靶材；一台座，置於該腔室中以用於支撐一晶圓；以及一準直器，置於該蓋板與該台座之間，其中該準直器包含：複數個側壁板，該些側壁板共同形成複數個通道，其中至少一之該些通道具有一入口及一出口，該入口面對該蓋板，且該出口面對該台座，一之該些通道在該入口之一剖面面積大於該通道在該出口之一剖面面積。
13. 如請求項12所述之物理氣相沉積系統，其中該準直器靠近該蓋板且遠離該台座。
14. 如請求項12所述之物理氣相沉積系統，更包含一直流電電源，電性連接至該蓋板。
15. 如請求項12所述之物理氣相沉積系統，更包含一磁場產生器，置於該腔室周圍以用於在該腔室中產生磁場。
16. 如請求項14所述之物理氣相沉積系統，更包含一磁鐵，置於該蓋板上方以用於控制該腔室中之磁場分佈。
17. 如請求項12所述之物理氣相沉積系統，更包含一射頻偏壓電源，電性連接至該台座。
18. 一種用於物理氣相沉積一晶圓之方法，包含：將一靶材置於一蓋板，其中該蓋板置於一腔室上；將該晶圓置於該腔室中之一台座上；在該腔室中安裝及定向一準直器，其中該準直器包含：複數個側壁板，該些側壁板共同形成複數個通道，其中至少一之該些通道具有一入口及一出口，該入口面對該蓋板，且該出口面對該台座，至少一之該些側壁板在該入口之一厚度比該側壁板在該出口之一厚度薄；以及自該靶材中逐出原子，使得該些原子在由該準直器過濾之後沉積在該晶圓上。
19. 如請求項18所述之方法，其中該逐出步驟包含：在該腔室中提供電漿饋氣；以及在該腔室中產生一電場以用於控制該電漿饋氣之動量。
20. 如請求項18所述之方法，其中該逐出步驟更包含在該腔室中產生磁場。