TW201624026A - 偏光板、及影像顯示裝置 - Google Patents

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Yuki Hasegawa
Ayami Nakato
Shoichi Matsuda
Nobuyuki Kozonoi
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明之偏光板具有表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層、基材及偏光層。宜依照導電層、基材及偏光層的順序積層。較佳導電層2的總透光率為80%以上。本發明之偏光板具有優異的電磁波遮蔽性。

Description

偏光板、及影像顯示裝置 發明領域
本發明關於一種具有優異的電磁波遮蔽性之偏光板及使用其之影像顯示裝置。
發明背景
在像是行動電話、智慧型手機、掌上型遊戲機、平板電腦等這種具有影像顯示裝置的資訊電器之中，一般而言，為了防止電磁雜訊造成多個電器間或電器內的錯誤運作而實施電磁波遮蔽處理。這種電磁波遮蔽處理是藉由例如在影像顯示裝置等的電磁雜訊來源或其附近配置電磁波遮蔽材來進行。
專利文獻1及2揭示了一種在液晶顯示裝置的顯示面板的前面，配置厚度為3μm以下，可見光的透光率為78%以上且表面電阻值為103~1012Ω/sq.的具有導電性高分子層的偏光板用保護薄膜。
然而，這種薄膜對於智慧型手機等的具有附觸控面板的影像顯示裝置的資訊電器而言，不足以作為電磁波遮蔽材。亦即，即使是微弱的電磁波，觸控面板所具有的觸控 感測器也會受到影響，因此附觸控面板的影像顯示裝置需要具有優異的電磁波遮蔽性的偏光板。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2010-24457號公報
專利文獻2：日本特開2010-26523號公報板。
發明概要
本發明之目的為提供一種具有優異的電磁波遮蔽性之偏光板及使用其之影像顯示裝置。
本發明之偏光板具有表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層、基材及偏光層。
本發明之較佳偏光板中，具有前述導電層及基材的附導電層基材之總透光率為80%以上。
本發明之較佳偏光板是依照導電層、基材及偏光層的順序來積層。
本發明之較佳偏光板中，前述導電層含有選自金屬奈米線、金屬網、金屬氧化物、導電性高分子及碳系奈米材料中之至少一者。
本發明之較佳偏光板中，前述基材係含有選自纖維素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂及環烯烴系樹脂 中之至少一者的樹脂薄膜。
本發明另一方面還提供一種影像顯示裝置。
該影像顯示裝置具有上述任一偏光板及液晶元件。
本發明之較佳影像顯示裝置進一步具有觸控面板，前述觸控面板配置於液晶元件之觀看側。
本發明之偏光板由於具有優異的電磁波遮蔽性，因此可有效隔絕電磁波。另外，本發明之偏光板的透光性也很優異，因此適合利用作為組裝在影像顯示裝置的偏光板。
1、1A、1B、1C、1D、10‧‧‧偏光板
2‧‧‧導電層
3‧‧‧基材
4‧‧‧偏光層
5‧‧‧黏著層
6‧‧‧保護層
7‧‧‧接著層
8‧‧‧液晶元件
9‧‧‧觸控面板
100A‧‧‧液晶面板
100B‧‧‧附觸控面板的液晶面板
圖1為第1實施形態的偏光板之剖面圖。
圖2為第2實施形態的偏光板之剖面圖。
圖3為第3實施形態的偏光板之剖面圖。
圖4為第4實施形態的偏光板之剖面圖。
圖5為一個實施形態的影像顯示裝置所具備的液晶面板的構造例之概略參考圖。
圖6為另一實施形態的影像顯示裝置所具備的附觸控面板的液晶面板的構造例之概略參考圖。
較佳實施例之詳細說明
以下針對本發明作具體說明。
在本說明書之中，「~」所表示的數值範圍，意指包括 以「~」前後的數值作為下限值及上限值的數值範圍。各圖所示的厚度及長度等的尺寸與實際尺寸不同，而需要留意。
本發明之偏光板具有表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層、基材、及偏光層。
本發明之偏光板由於具有表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層，因此具有優異的電磁波遮蔽性。
本發明之偏光板亦可因應需要具有導電層、基材及偏光層以外的任意機能層。機能層可列舉例如黏著層、保護層、位相差層等。前述黏著層是用來使偏光板接著於任意構件的層。舉代表性的例子來說，黏著層可由透光性優異的周知黏著劑所形成，前述黏著劑可列舉例如丙烯酸系黏著劑。此外，黏著層的厚度並不受特別限定，例如為10μm~30μm。
前述保護層是用來保護前述偏光層等的層，保護層代表性的例子可列舉保護薄膜。保護薄膜宜使用光學等方性的薄膜，可列舉例如三乙醯基纖維素薄膜等的周知的薄膜。前述位相差層是使光線生成位相差的層，位相差層代表性的例子，可列舉1/4波長板或1/2波長板等。
導電層、基材及偏光層等各層的積層順序並未受到特別限定。此外，導電層、基材及偏光層等的各層可直接互相接著，或可利用接著層來接著。接著層可由透光性優異的周知黏著劑或接著劑所形成。
第1實施形態的偏光板1A係如圖1所示依照導電 層2、基材3及偏光層4的順序積層。另外，為將偏光板1A接著在任意構件，必要時在導電層2的第1面積層有黏著層5。前述黏著層5亦可設置於偏光層4的第2面(未圖示)。此外在圖中，第1面為紙面下側的一面，第2面為紙面上側的一面。
第2實施形態的偏光板1B係在第1實施形態的偏光板1A積層有保護層者。此偏光板1B如圖2所示，將保護層6設置於例如偏光層4的第2面側。另外，在相鄰層之間不直接接著的情況下，可因應需要設置接著層7。在圖示例中，接著層7分別設置在例如基材3與偏光層4之間及偏光層4與保護層6之間。
第3實施形態的偏光板1C係如圖3所示依照基材3、導電層2及偏光層4的順序積層。另外，為將偏光板1C接著於任意構件，必要時在基材3的第1面積層有黏著層5。前述黏著層5亦可設置於偏光層4的第2面(未圖示)。
第4實施形態的偏光板1D係在第3實施形態的偏光板1C積層有保護層者。此偏光板1D如圖4所示，將保護層6設置在例如偏光層4的第2面側。另外，在相鄰層之間不直接接著的情況，可因應需要設置接著層7。在圖示例中，接著層7被設置在例如導電層2與偏光層4之間。較佳附導電層基材是由基材3與直接積層接著在該基材其中一面的導電層2所構成。
[基材]
基材宜具有優異的透光性。例如基材的總透光率為80% 以上，較佳為85%以上，更佳為90%以上。藉由使用透明基材，可構成透光性優異的偏光板。前述總透光率可依據JIS K7361的方法作測定。
基材可不具有位相差(等方性的基材)，或可具有位相差(具有異方性的基材)。在使用具有位相差的基材的情況，該基材會有作為位相差板的功能。在基材具有位相差的情況，可適當地設定其面內位相差值及厚度方向位相差值。此外，面內位相差值是由(nx-ny)×d求得，厚度方向位相差值是由(nx-nz)×d求得。但是，nx表示基材的面內的折射率為最大的方向(亦即遲相軸方向)的折射率，ny表示在基材的面內，與前述折射率為最大的方向的正交方向的折射率，nz表示基材在厚度方向的折射率，d表示基材的厚度(nm)。
此外，等方性的基材，其前述面內位相差值為10nm以下，且厚度方向位相差值為10nm以下為佳。
基材的厚度並不受特別限定，例如為10μm~200μm，宜為20μm~100μm。
基材的形成材料可使用任意適當的材料。可列舉例如使用樹脂薄膜、玻璃基板等作為基材，宜為樹脂薄膜。
前述樹脂薄膜並不受特別限定，可列舉例如含有三乙醯基纖維素等的纖維素系樹脂；聚降莰烯等的環烯烴系樹脂；聚甲基甲基丙烯酸酯等的丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯等的聚酯系樹脂；聚苯乙烯等的苯乙烯系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；聚醯胺醯亞胺系樹脂等的樹脂成分為主成分的薄膜。基材宜使用含有選自纖維 素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂及環烯烴系樹脂中之至少一種的樹脂薄膜。
另外，前述樹脂薄膜亦可因應需要含有任意的添加劑。添加劑可列舉可塑劑、熱安定劑、光安定劑、潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、著色劑、抗靜電劑、相溶化劑、交聯劑、及增黏劑等。所使用的添加劑的種類及量可因應目的適當地設定。
前述纖維素系樹脂宜為纖維素與脂肪酸之酯。這種纖維素酯系樹脂的具體例可列舉三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素、三丙醯基纖維素、二丙醯基纖維素等，該等之中，宜為三乙醯基纖維素。含有纖維素系樹脂的樹脂薄膜亦可使用市售品。三乙醯基纖維素薄膜的市售品可列舉FujiFilm股份有限公司製的商品「UV-50」、「UV-80」、「SH-80」、「TD-80U」、「TD-TAC」、「UZ-TAC」、或Konica Minolta股份有限公司製的「KC Series」等。
前述丙烯酸系樹脂，是指具有來自(甲基)丙烯酸酯的重複單元((甲基)丙烯酸酯單元)及/或來自(甲基)丙烯酸的重複單元((甲基)丙烯酸單元)的樹脂。丙烯酸系樹脂，亦可具有來自(甲基)丙烯酸酯的衍生物或(甲基)丙烯酸的衍生物的構造單元。丙烯酸系樹脂及含有其之樹脂薄膜的具體例，可列舉例如日本特開2004-168882號公報、日本特開2007-261265號公報、日本特開2007-262399號公報、日本特開2007-297615號公報、日本特開2009-039935號公報、日本特開2009-052021號公報、日本特開2010-284840號公報所 記載之丙烯酸系樹脂等。
前述聚碳酸酯系樹脂宜為由芳香族2價酚成分與碳酸酯成分所構成的芳香族聚碳酸酯樹脂。芳香族聚碳酸酯樹脂，通常可藉由芳香族2價酚化合物與碳酸酯前驅物質的反應而獲得。
前述環烯烴系樹脂的聚降莰烯，是指起始原料(單體)的一部分或全部使用具有降莰烯環的降莰烯系單體所得到的聚合物或共聚物。含有聚降莰烯的樹脂薄膜亦可使用市售品。其市售品可列舉日本Zeon股份有限公司製的商品「Zeonex」、「Zeonor」、JSR股份有限公司製的商品「Arton」、TICONA公司製的商品「Topas」、三井化學股份有限公司製的商品「APEL」等。
[導電層]
導電層是形成於基材的其中一面。
導電層的表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.。宜使用表面電阻值為0.1Ω/sq.~500Ω/sq.的導電層，較佳的表面電阻值為0.1Ω/sq.~300Ω/sq.。若表面電阻值太小，則會有導電層的透光性降低的顧慮，若表面電阻值太大，則會有導電層的電磁波遮蔽性降低的顧慮。
表面電阻值可依據JIS K7194，在23℃下藉由四端子測定法作測定。
導電層宜具有優異的透光性。例如導電層的總透光率為80%以上，宜為82%以上，較佳為84%以上。藉由使用透明導電層，可構成透光性優異的偏光板。
前述總透光率可依據JIS K7361的方法作測定。
這種具有導電層與基材的附導電層基材的總透光率為80%以上，宜為82%以上，較佳為84%以上。
導電層可由例如無機導電材料或有機導電材料形成。
為了形成電磁波遮蔽性及透光性優異的導電層，導電層的厚度係以0.001μm~10μm為佳，0.03μm~3μm為較佳，0.05μm~3μm為更佳，0.05μm~1.5μm為特佳。
前述無機導電材料可列舉金、銀、銅、錫、鎳、鋁、鈀等的導電性金屬；這些金屬的氧化物；碳等。有機導電材料可列舉聚噻吩、聚乙炔、聚對苯、聚苯胺、聚對苯乙烯、聚吡咯等。前述無機導電材料及有機導電材料，分別可單獨使用1種或併用2種以上。另外還可將前述無機導電材料與前述有機導電材料併用。
導電層宜由含有選自金屬奈米線、金屬網、金屬氧化物、導電性高分子、碳系奈米材料中之至少一種的層所形成。
(含有金屬奈米線或碳系奈米材料的導電層)
前述金屬奈米線是由前述導電性金屬所構成的極細線狀導電體纖維。同樣地，碳系奈米材料可使用例如奈米碳管，該奈米碳管也可說是極細線狀導電體纖維。前述導電體纖維(金屬奈米線及碳系奈米材料)可為直線狀或曲線狀。
前述導電體纖維剖面的外形可為圓形或橢圓形。導電體纖維的直徑並未受到特別限定，從形成具有優異的透光 性及電磁波遮蔽性的導電層的觀點看來，為例如500nm以下，宜為200nm以下，較佳為10nm~100nm。此外，在導電體纖維的剖面外形為橢圓形的情況，前述直徑相當於橢圓的短徑。橢圓的長徑為例如短徑再加上0~20nm。導電體纖維的長度，並未受到特別限定，從形成具有優異的透光性及電磁波遮蔽性的導電層的觀點看來，為例如2μm~1000μm，宜為10μm~500μm，較佳為10μm~100μm。另外，導電體纖維的長寬比並未受到特別限定，而例如10~100,000，宜為50~100,000，較佳為100~10,000。藉由使用長寬比大的導電體纖維，可形成導電體纖維良好地交錯的導電層。
但是，長寬比為導電體纖維的直徑d與長度L之比(長寬比=L/d)。導電體纖維的直徑及長度，可藉由掃描式電子顯微鏡或穿透式電子顯微鏡來測定。
金屬奈米線的製造方法可使用任意適當的方法。這樣的方法可列舉例如在溶液中使硝酸銀還原的方法；藉由在前驅物表面由探針尖端部外加電壓或電流而使其作用，以探針尖端部引導出金屬奈米線而連續形成金屬奈米線的方法等。在使硝酸銀在溶液中還原的方法之中，藉由在乙二醇等的多元醇與聚乙烯基吡咯烷酮的存在下使硝酸銀等的銀鹽發生液相還原，可得到銀奈米線。均勻尺寸的銀奈米線，可依據例如Xia,Y.et al.,Chem.Mater.(2002)、14、4736-4745、Xia,Y.et al.,Nano letters(2003)3(7)、955-960所記載的方法來大量生產。
含有金屬奈米線或碳系奈米材料的導電層，可藉由將含有導電體纖維(金屬奈米線或碳系奈米材料)的導電層形成用組成物塗佈在上述基材上而形成。可藉由例如將導電體纖維分散於溶劑中而成的分散液塗佈於基材的其中一面，然後將該塗膜乾燥，而形成導電層。前述溶劑可列舉水、醇系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑、芳香族系溶劑等。前述導電層形成用組成物中之導電體纖維的濃度並不受特別限定，例如0.1質量%~1質量%。另外，前述導電層中的導電體纖維的含量，相對於導電層全體，宜為80質量%~100質量%，較佳為85質量%~99質量%。只要在這樣的範圍，即可形成電磁波遮蔽性及透光性優異的導電層。
前述導電層形成用組成物，亦可因應需要進一步含有任意的添加劑。這樣的添加劑可列舉例如防止金屬腐蝕的抗腐蝕材、防止導電體纖維凝集的界面活性劑等。另外在前述導電層形成用組成物中，還可因應需要含有任意的黏結劑樹脂。
前述導電層形成用組成物的塗佈方法可使用任意方法。前述塗佈方法可列舉例如噴霧塗佈、棒式塗佈、輥式塗佈、模具塗佈、噴墨塗佈、絲網塗佈、浸漬塗佈、凸版印刷法、凹版印刷法、凹版印刷法等。塗膜的乾燥方法可列舉例如自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥等。加熱乾燥的溫度為例如100℃~200℃，乾燥時間為例如1分鐘~10分鐘。
(含有金屬網的導電層)
前述含有金屬網的導電層，是使由導電性金屬所構成的細線在上述基材上形成格子狀圖型的層。含有金屬網的導電層可藉由任意方法形成。例如藉由將含有銀鹽的感光性組成物(導電層形成用組成物)塗佈在基材上，然後進行曝光處理及顯像處理，使導電性金屬細線形成既定圖型，可得到含有金屬網的導電層。另外，含有金屬網的導電層，亦可藉由將含有導電性金屬微粒子的糊劑(導電層形成用組成物)印刷成既定圖型而獲得。這種金屬網及導電層的形成方法的細節記載於例如日本特開2012-18634號公報或日本特開2003-331654號公報，這些記載被援用於本說明書作為參考。
金屬網宜由金、銀、銅、鎳等的導電性優異的金屬所形成。藉由使用這種導電性優異的金屬，可輕易形成表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層。
(含有金屬氧化物的導電層)
金屬氧化物可列舉包括ITO(氧化銦錫)、FTO(摻氟氧化錫)的氧化錫、氧化鋅等，從透光性優異的觀點看來，該等之中，ITO較為適合。含有金屬氧化物的導電層，可藉由利用濺鍍、真空蒸鍍等的周知的方法，使金屬氧化物堆積在基材上而形成。
前述金屬氧化物，宜使用由氧化銦90質量%與氧化錫10質量%所構成的ITO，或由氧化銦97質量%與氧化錫3質量%所構成的ITO。另外，亦可將兩種前述金屬氧化物積層而成 為導電層。藉由使用這種金屬氧化物，可輕易形成表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層。
(含有導電性高分子的導電層)
導電性高分子可列舉聚噻吩、聚乙炔、聚對苯、聚苯胺、聚對苯乙烯、聚吡咯及該等的衍生物等。從形成具有優異的透光性及電磁波遮蔽性的導電層的觀點看來，宜使用聚噻吩及其衍生物。聚噻吩可列舉例如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(簡稱PEDOT)等的聚(3,4-伸烷基二氧噻吩)、聚(3,4-二烷氧基噻吩)等。
含有導電性高分子的導電層，可藉由將含有導電性高分子的導電層形成用組成物塗佈於上述基材而形成。例如可藉由將導電體高分子及黏結劑樹脂分散或溶解於溶劑而成的分散液塗佈在基材的其中一面，然後使該塗膜乾燥而得到導電層。黏結劑樹脂符合對基材的接著性優異的條件，則沒有特別的限定。黏結劑樹脂可列舉聚苯乙烯系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸變性聚酯樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、醋酸乙烯酯系樹脂、氯乙烯系樹脂等。前述溶劑可列舉水、醇系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑、芳香族系溶劑等，宜為水或醇系溶劑。另外，在含有導電性高分子的導電層形成用組成物中，亦可含有任意的添加劑。前述添加劑可列舉有機或無機微粒子、界面活性劑、抗氧化劑、抗靜電劑等。
含有前述導電性高分子的導電層形成用組成物中的固體成分濃度並不受特別限定，例如0.1質量%~30質量%。 固體成分濃度在前述範圍的導電層形成用組成物(分散液)會具有適合於塗佈的黏度。前述導電層形成用組成物中的導電性高分子及黏結劑樹脂的濃度並不受特別限定，例如導電性高分子的濃度為0.01質量%~10質量%，黏結劑樹脂的濃度為1質量%~30質量%。藉由適當地設計導電性高分子的濃度、黏結劑樹脂及添加劑的種類，可形成表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層。
前述導電層形成用組成物的塗佈方法可採用任意方法。前述塗佈方法可列舉例如噴霧塗佈、棒式塗佈、輥式塗佈、模具塗佈、噴墨塗佈、絲網塗佈、浸漬塗佈、凸版印刷法、凹版印刷法、凹版印刷法等。塗膜的乾燥方法可列舉例如自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥等。加熱乾燥的溫度為例如100℃~200℃，乾燥時間為例如1分鐘~10分鐘。
[偏光層]
偏光層具有將自然光或特定偏光轉換為直線偏光的功能。偏光層宜為在波長380nm~780nm之間的至少一部分波長下具有吸收二色性。前述偏光層的偏光度並不受特別限定，例如90%以上，宜為95%以上，較佳為96%以上。前述偏光度亦可因應例如薄膜的厚度來調整。
前述偏光層的透光率(以波長550nm在23℃作測定)宜為35%以上，較佳為40%以上。但是，前述偏光度及透光率，可使用例如分光光度計(日本分光股份有限公司製，製品名「V-7100」)來測定。
本發明之偏光板所使用的偏光層並不受特別限定，可使用以往周知的物品。偏光層可列舉例如以二色性物質來染色，且經過延伸處理的偏光薄膜、或將具有吸收二色性的液晶性化合物製膜而成的液晶薄膜等。
前述偏光薄膜一般而言，是以含有碘或二色性染料等的二色性物質的親水性樹脂為主成分的薄膜延伸而成的延伸薄膜。
以前述親水性樹脂為主成分的薄膜，可列舉例如聚乙烯醇、部分甲醛化聚乙烯醇等的聚乙烯醇系薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、乙烯．醋酸乙烯酯共聚物薄膜、及該等的部分皂化物薄膜等。另外，除了這些之外，還可使用聚乙烯醇的脫水處理物薄膜或聚氯乙烯的脫鹽酸處理物等的多烯配向薄膜等。該等之中，從二色性物質的染色性優異的觀點看來，宜為聚乙烯醇系薄膜。聚乙烯醇是使醋酸乙烯酯聚合而成的聚醋酸乙烯酯皂化所得到的樹脂。此外，聚乙烯醇系薄膜也包括前述聚乙烯醇中含有如不飽和羧酸、烯烴類、乙烯基醚類、不飽和磺酸鹽等般可與醋酸乙烯酯共聚合的成分的樹脂薄膜。染色延伸薄膜，可藉由具有使以聚乙烯醇系樹脂等為為主成分的長形未延伸薄膜膨潤的膨潤步驟；使碘等的二色性物質含浸於前述薄膜的染色步驟；以含硼的交聯劑進行交聯的交聯步驟；及以既定倍率延伸的延伸步驟等的製造方法而獲得。前述染色的偏光薄膜的厚度可適當地選擇在適當值，一般而言為5μm~50μm，宜為10μm~30μm。
前述液晶薄膜是藉由將含有偶氮化合物等的液晶性化合物的溶液塗佈於支持薄膜並使該塗膜乾燥所得到的薄膜。此液晶薄膜具有支持薄膜、及設置於該支持薄膜上而且含有液晶性化合物的乾燥塗膜。此乾燥塗膜相當於偏光層。前述支持薄膜可發揮保護偏光層的保護層的功能。另外，支持薄膜可為光學等方性的薄膜或光學異方性的薄膜。在支持薄膜採用異方性的薄膜的情況，該支持薄膜可會具有作為位相差板的功能。
由液晶薄膜所構成的偏光層的厚度並不受特別限定，例如為0.05μm~5μm，宜為0.1μm~1μm。
這種液晶薄膜的具體例可列舉例如日本特開2010-266507號所揭示的偏光薄膜等。
[偏光板的用途等]
本發明之偏光板的用途並未受到特別限定。本發明之偏光板由於透光性及電磁波遮蔽性優異，因此適合利用作為液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等的影像顯示裝置的偏光構件。另外，本發明之偏光板亦可利用作為附觸控面板的影像顯示裝置的偏光構件。觸控感測器也會受到些微的電磁波所影響，因此裝有本發明之偏光板的附觸控面板的影像顯示裝置，其觸控面板不易產生錯誤運作。具有附觸控面板的影像顯示裝置的電器，可列舉例如行動電話、智慧型手機、掌上型遊戲機、平板電腦、電視等的資訊電器。
圖5為概略表示裝有本發明之偏光板1的液晶面板100A的構成例的參考圖。
此液晶面板100A具備液晶元件8、配置於液晶元件8之觀看側的本發明之偏光板1、及配置於液晶元件8觀看側的相反側之任意偏光板10。
圖6為概略表示裝有本發明之偏光板1的附觸控面板的液晶面板100B的構造例之參考圖。
此附觸控面板的液晶面板100B具備：液晶元件8、配置於液晶元件8觀看側的本發明之偏光板1、配置於液晶元件8觀看側的相反側之任意偏光板10、及配置於偏光板1觀看側的觸控面板9。觸控面板9可使用以往周知的物品。
圖5及圖6之中，本發明之偏光板1是利用上述黏著層接著在液晶元件8的觀看面。另外，前述任意偏光板10可使用本發明的偏光板，或可使用以往周知的偏光板。此外，液晶元件8可使用以往周知的物品。
藉由將前述液晶面板100A及附觸控面板的液晶面板100B組裝在背光等的其他構件，可構成本發明之影像顯示裝置。
實施例
以下表示實施例及比較例對本發明進一步說明。但是本發明並不受下述實施例侷限。此外，實施例及比較例所使用的各分析方法如以下所述。
[表面電阻值的測定方法]
導電層的表面電阻值，是使用三菱化學Analytech股份有限公司製的商品「Loresta-GP MCP-T610」，在測定溫度23℃藉由四端子法來測定。
[總透光率的測定方法]
附導電層基材的總透光率是使用村上色彩研究所製的商品「HR-100」，在室溫下進行測定。此外，此透光率是分別測定3次並以其平均值作為測定值。
[電磁波遮蔽性的測定方法]
偏光板的電磁波遮蔽性是藉由KEC法，在室溫下進行測定。具體而言，KEC法(Kansai Electronic industrydevelopment Center法)是由關西電子工業振興中心所開發出的電磁波遮蔽性能的評估方法。依據此方法，測定裝置是使用光譜分析儀(Agilent公司製，商品名「N9010A」)，在室溫下測定偏光板的遮蔽效果(dB)。但是，以頻率10MHz之值作為測定值。
[金屬奈米線分散液的調製]
在具備攪拌裝置的反應容器中並在160℃下加入無水乙二醇5ml、PtCl2的無水乙二醇溶液(濃度：1.5×10-4mol/升)0.5ml。經過4分後，在所得到的溶液中花費6分鐘同時滴入AgNO3的無水乙二醇溶液(濃度：0.12mol/升)2.5ml、及聚乙烯基吡咯烷酮(Mw：5500)的無水乙二醇溶液(濃度：0.36mol/升)5ml，而生成銀奈米線。此滴入是在160℃下，進行至AgNO3完全被還原為止。接下來，在含有前述所得到的銀奈米線的反應混合物中添加丙酮，至該反應混合物的體積成為5倍為止，然後藉由將反應混合物以2000rpm離心分離20分鐘，而得到銀奈米線。
由所得到的多個銀奈米線中觀察任意數個銀奈米線的 結果，其短徑在30nm~40nm，長徑在30nm~50nm，長度在20μm~50μm的範圍內。
使此銀奈米線與十二烷基-五乙二醇分散於純水，調製出銀奈米線濃度0.2質量%、十二烷基-五乙二醇濃度0.1質量%的金屬奈米線分散液。
[導電性高分子分散液的調製]
藉由在純水95質量份中加入PEDOT/PSS分散液(Heraeus公司製，商品名「Clevios FE-T」)5質量份，調製出導電性高分子分散液。前述PEDOT/PSS分散液為由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)與聚苯乙烯磺酸所構成的分散液，並且聚乙烯二氧噻吩的濃度為4質量%。
[實施例1]
藉由使用棒式塗佈機(第一理科股份有限公司製，製品名「Bar Coater No.06」)，將上述金屬奈米線分散液塗佈在厚度40μm的丙烯酸系樹脂薄膜(Kaneka股份有限公司製，商品名「HX-40UC」)的其中一面，並將該塗膜在送風乾燥機內以100℃乾燥2分鐘，形成厚度約0.1μm的導電層。以這種方式，製作出由基材及導電層所構成的附導電層基材。測定此附導電層基材的總透光率。將其結果揭示於表1。
另一方面，另外準備厚度190μm的偏光薄膜(以碘染色的聚乙烯醇薄膜。日東電工股份有限公司製，商品名「NPF-SEG1425DU」)及厚度80μm的三乙醯基纖維素薄膜(FujiFilm股份有限公司製，商品名「TD80UL」)。藉由在前述附導電層基材之與形成有導電層的一面相反的面上， 利用厚度23μm的丙烯酸系黏著劑來接著前述偏光薄膜，進一步在該偏光薄膜上利用厚度23μm的丙烯酸系黏著劑來接著前述三乙醯基纖維素薄膜，而製作出實施例1的偏光板。此外，實施例1的偏光板的層構造為圖2所示的層構造(但是並未形成黏著層5)。
將此偏光板的導電層的表面電阻值及遮蔽效果的測定結果揭示於表1。
[實施例2]
藉由使用具備含有氧化銦90質量%及氧化錫10質量%的燒結體靶的濺鍍裝置，在厚度100μm的環烯烴系樹脂薄膜(日本Zeon股份有限公司製，商品名「Zeonor ZF16-100」)的其中一面形成銦錫氧化物膜，並在130℃下加熱處理90分鐘，形成厚度約0.1μm的ITO膜(導電層)。將此附導電層基材的總透光率的測定值揭示於表1。
與實施例1同樣地，藉由將偏光薄膜及三乙醯基纖維素薄膜接著在實施例2的附導電層基材，製作出實施例2的偏光板。
將此偏光板的導電層的表面電阻值及遮蔽效果的測定結果揭示於表1。
[實施例3]
將棒式塗佈機改成第一理科股份有限公司的製品「Bar Coater No.08」，除此之外與實施例1同樣地，形成厚度約0.1μm的導電層，測定該附導電層基材的總透光率之後，製作出偏光板，測定其表面電阻值及遮蔽效果。將其結果揭示 於表1。
[實施例4]
藉由使用具備含有氧化銦90質量%及氧化錫10質量%的燒結體靶的濺鍍裝置，在厚度100μm的環烯烴系樹脂薄膜(日本Zeon股份有限公司製，商品名「Zeonor ZF16-100」)的其中一面形成銦錫氧化物膜，並在140℃下加熱處理90分鐘，形成厚度約0.1μm的ITO膜(導電層)。將此附導電層基材的總透光率的測定值揭示於表1。
與實施例1同樣地，藉由將偏光薄膜及三乙醯基纖維素薄膜接著在實施例4的附導電層基材，製作出實施例4的偏光板。
將此偏光板的導電層的表面電阻值及遮蔽效果的測定結果揭示於表1。
[實施例5]
將棒式塗佈機改成第一理科股份有限公司的製品「Bar Coater No.10」，除此之外與實施例1同樣地，形成厚度約0.1μm的導電層，測定該附導電層基材的總透光率之後，製作出偏光板，測定其表面電阻值及遮蔽效果。將其結果揭示於表1。
[實施例6]
藉由使用棒式塗佈機(第一理科股份有限公司製，製品名「Bar Coater No.09」)，將上述導電性高分子分散液塗佈在厚度100μm的環烯烴系樹脂薄膜(日本Zeon股份有限公司製，商品名「Zeonor ZF16-100」)的其中一面，使該塗膜 在送風乾燥機內以120℃乾燥2分鐘，形成厚度約0.3μm的導電層。將以這種方式所得到的附導電層基材的總透光率揭示於表1。
與實施例1同樣地，藉由將偏光薄膜及三乙醯基纖維素薄膜接著在實施例6的附導電層基材，製作出實施例6的偏光板。
將此偏光板的導電層的表面電阻值及遮蔽效果的測定結果揭示於表1。
[實施例7]
藉由使用具備含有氧化銦97質量%及氧化錫3質量%的燒結體靶的濺鍍裝置，在厚度100μm的環烯烴系樹脂薄膜(日本Zeon股份有限公司製，商品名「Zeonor ZF16-100」)的其中一面形成銦錫氧化物膜，並在140℃下加熱處理30分鐘，形成厚度約0.1μm的ITO膜(導電層)。將此附導電層基材的總透光率的測定值揭示於表1。
與實施例1同樣地，藉由將偏光薄膜及三乙醯基纖維素薄膜接著在實施例7的附導電層基材，製作出實施例7的偏光板。
將此偏光板的導電層的表面電阻值及遮蔽效果的測定結果揭示於表1。
[比較例]
藉由使用棒式塗佈機(第一理科股份有限公司製，製品名「Bar Coater No.05」)，將上述導電性高分子分散液塗佈在厚度100μm的環烯烴系樹脂薄膜(日本Zeon股份有限公 司製，商品名「Zeonor ZF16-100」)，將該塗膜在送風乾燥機內以120℃乾燥2分鐘，形成厚度約0.2μm的導電層。將以這種方式所得到的附導電層基材的總透光率揭示於表1。
與實施例1同樣地，藉由將偏光薄膜及三乙醯基纖維素薄膜接著在比較例之附導電層基材，製作出比較例之偏光板。
將此偏光板的導電層的表面電阻值及遮蔽效果的測定結果揭示於表1。
1A‧‧‧偏光板
2‧‧‧導電層
3‧‧‧基材
4‧‧‧偏光層
5‧‧‧黏著層

Claims (7)

  1. 一種偏光板，其具有表面電阻值為0.01Ω/sq.~800Ω/sq.的導電層、基材及偏光層。
  2. 如請求項1之偏光板，其中具有前述導電層及基材的附導電層基材之總透光率為80%以上。
  3. 如請求項1或2之偏光板，其係依照導電層、基材及偏光層的順序積層。
  4. 如請求項1或2之偏光板，其中前述導電層含有選自金屬奈米線、金屬網、金屬氧化物、導電性高分子及碳系奈米材料中之至少一者。
  5. 如請求項1或2之偏光板，其中前述基材係含有選自纖維素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂及環烯烴系樹脂中之至少一者的樹脂薄膜。
  6. 一種影像顯示裝置，其具有如請求項1或2之偏光板及液晶元件。
  7. 如請求項6之影像顯示裝置，其進一步具有觸控面板，前述觸控面板配置於液晶元件之觀看側。
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