TW201618261A - 電子元件封裝結構及製作方法 - Google Patents
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Abstract
一種電子元件封裝結構的製作方法，包括：在一銅箔表面形成第一導電線路層，所述第一導電線路層包括多個電性接觸墊及多個焊墊；在所述多個電性接觸墊表面形成多個導電柱；在所述多個焊墊表面焊接電子元件；在所述第一導電線路層及所述導電柱的間隙形成第一介電層，並使所述第一介電層包覆所述電子元件；去除所述銅箔；在原貼附銅箔的表面依次形成第二介電層及第二導電線路層；以及在所述第二導電線路層側形成防焊層，其中，所述第一介電層的熱膨脹係數介於所述電子元件的熱膨脹係數與防焊層的熱膨脹係數之間。本發明還涉及一種電子元件封裝結構。
Description
本發明涉及電路板製作領域，尤其涉及一種電子元件封裝結構及製作方法。
電子元件封裝結構可為電子元件提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功效，以實現多引腳化，縮小封裝產品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多電子元件模組化的目的。
因此，有必要提供一種電子元件封裝結構及製作方法。
一種電子元件封裝結構的製作方法，包括步驟：提供銅箔，在所述銅箔表面形成第一導電線路層，所述第一導電線路層包括多個電性接觸墊及多個第一焊墊；在所述多個電性接觸墊表面形成多個導電柱，所述多個導電柱與所述多個電性接觸墊相電連接；在所述多個第一焊墊表面焊接第一電子元件；在所述第一導電線路層及所述導電柱的間隙形成第一介電層，並使所述第一介電層包覆所述第一電子元件；去除所述銅箔；在所述芯層封裝基板的第一電子元件側依次形成第二介電層及第二導電線路層，所述第二介電層內形成有第一導電盲孔，所述第一導電盲孔電連接所述第二導電線路層及導電柱；以及在所述第二導電線路層側形成第一防焊層，其中，所述第一介電層的熱膨脹係數介於所述第一電子元件的熱膨脹係數與第一防焊層的熱膨脹係數之間，從而形成所述電子元件封裝結構。
一種電子元件封裝結構，包括第一介電層、嵌設於第一介電層一側的第一導電線路層、嵌設於第一介電層另一側且與所述第一導電線路層電連接的導電柱、埋設於第一介電層內部的第一電子元件、形成與所述第一介電層遠離所述第一導電線路層側的第二介電層、形成於第二介電層的遠離第一介電層的表面的第二導電線路層、貫穿第二介電層並電連接所述導電柱與第二導電線路層的第一導電盲孔以及形成於所述第二導電線路層側的第一防焊層；所述第一導電線路層包括多個電性接觸墊及多個第一焊墊，所述導電柱形成於所述多個電性接觸墊表面且電連接所述多個電性接觸墊，所述第一電子元件焊接於多個所述第一焊墊；所述第一介電層的熱膨脹係數介於所述第一電子元件的熱膨脹係數與第一防焊層的熱膨脹係數之間。
相較於先前技術，本發明實施例本案的第一電子元件形成於電子元件封裝結構內部，從而可以降低電子元件封裝結構的總厚度，有利於電子元件封裝結構的輕薄化。
圖1係本發明實施例提供的承載板上貼合銅箔後的剖視圖。
圖2係在圖1的銅箔表面形成圖案化的第一光阻層後的剖視圖。
圖3係在圖2中的銅箔表面形成第一導電線路層後的剖視圖。
圖4係在圖3的第一導電線路層表面形成圖案化的第二光阻層後的剖視圖。
圖5係在圖4中的圖案化的第二光阻層間隙形成導電柱後的剖視圖。
圖6係去除圖5中的第一及第二光阻層後的剖視圖。
圖7係將一第一電子元件焊接於圖6中的第一導電線路層表面後的剖視圖。
圖8係在圖7中的第一導電線路層、導電柱間隙形成介電層並使介電層包覆所述第一電子元件後的剖視圖。
圖9係將圖8中的承載板及熱塑性膠體層分離去除得到兩個第二電路板中間體後的示意圖。
圖10係去除圖9中的第二電路板中間體的銅箔後得到的一個芯層封裝基板的剖視圖。
圖11係將圖10中的第二電路板中間體兩側增層得到第二及第二導電線路層後的示意圖。
圖12係在圖11的第二及第三導電線路層表面形成防焊層後的剖視圖。
圖13係本案實施例在圖12從防焊層中暴露出來的第二及第三導電線路層表面形成錫球及在第二導電線路層表面焊接第二電子元件後的剖視圖。
圖14係本案另一實施例在圖12從防焊層中暴露出來的第二及第三導電線路層表面形成錫球及在第二導電線路層表面焊接另一電子元件封裝結構後的剖視圖。
請參閱圖1-14，本發明實施例提供一種電子元件封裝結構100的製作方法，包括如下步驟：
第一步，請參閱圖1，提供一承載板11，並在所述承載板11的相對兩側分別貼合一銅箔12。
所述承載板11呈平板狀。所述承載板11可以為樹脂板、陶瓷板、金屬板等硬性支撐材料。
本實施例中，兩所述銅箔12分別通過一熱塑性膠體層13貼合於所述承載板11的相對兩側。其中，採用熱塑性膠體貼合銅箔的原因為便於在後續步驟中去除所述承載板11。
在其他實施例中，兩所述銅箔12也可以僅邊緣粘結於所述承載板11上，需要去除所述承載板11時裁切去除與承載板11粘結的部分，從而分離所述承載板11。
第二步，請參閱圖2-3，在兩側的所述銅箔12表面形成第一導電線路層14。
所述第一導電線路層14包括多個電性接觸墊141及多個第一焊墊142。本實施方式中，通過選擇性電鍍的方式形成所述第一導電線路層14。具體地，首先，請參閱圖2，在兩側的所述銅箔12表面形成圖案化的第一光阻層15，使部分所述銅箔12從所述圖案化的第一光阻層15中暴露出來；之後，請參閱圖3，電鍍，從而在從所述圖案化的第一光阻層15中暴露出來所述銅箔12的表面，也即所述圖案化的第一光阻層15的間隙，形成第一導電線路層14。
在其他實施例中，形成所述第一導電線路層14後還可以包括去除所述圖案化的第一光阻層15的步驟。
第三步，請參閱圖4-6，在兩側的部分所述第一導電線路層14表面形成導電柱16。
本實施方式中，所述導電柱16大致為圓柱狀，所述導電柱16形成於所述多個電性接觸墊141表面且電連接所述多個電性接觸墊141，通過選擇性電鍍的方式形成所述導電柱16。具體地，首先，請參閱圖4，在部分所述第一導電線路層14表面以及所述第一光阻層15表面形成圖案化的第二光阻層17，所述圖案化的第二光阻層17覆蓋所述多個第一焊墊142；之後，請參閱5，電鍍，從而在從所述圖案化的第二光阻層17中暴露出來所述第一導電線路層14的表面，也即所述圖案化的第二光阻層17的間隙，形成導電柱16；然後，請參閱圖6，去除圖案化的所述第一光阻層15及第二光阻層17。
第四步，請參閱圖7，提供第一電子元件18，將所述第一電子元件18電連接於多個所述第一焊墊142，形成一第一電路板中間體200。
本實施例中，將所述第一電子元件18通過錫膏19焊接於多個所述第一焊墊142表面。所述第一電子元件18的厚度小於所述導電柱16凸出於所述第一導電線路層14的高度，從而，使所述第一電子元件18遠離所述第一導電線路層14的表面低於所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面，或與所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面大致相齊平。
第五步，請參閱圖8，在所述第一導電線路層14及所述導電柱16的間隙形成第一介電層20，使所述第一介電層20包覆所述第一電子元件18。
本實施例中，通過注塑成型的方式形成所述第一介電層20，所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面與所述第一介電層20的表面相齊平，從而所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面暴露於所述第一介電層20。具體地：首先，提供一模具（圖未示），所述模具包括一模穴及一注膠通道，將所述第一電路板中間體200收容於所述模穴內；然後，通過所述注膠通道向所述模穴內注射膠體，使膠體填充所述第一導電線路層14及所述導電柱16的間隙，並包覆所述第一電子元件18；接著，固化所述膠體從而形成所述第一介電層20；之後，將形成有第一介電層20的所述第一電路板中間體200從模穴中取出。
本實施例中，所述第一電子元件18的熱膨脹係數（CTE）與所述第一介電層20的熱膨脹係數接近。所述第一介電層20的材質可以為常用的注塑成型材料。控制注射膠體的量使所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面與所述第一介電層20的表面相齊平。
在其他實施例中，也可以注射燒過量的膠體以使膠體覆蓋所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面，成型之後再通過研磨的方式使所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面暴露於所述第一介電層20。
第六步，請參閱圖9，將所述承載板11及兩熱塑性膠體層13分離去除，從而得到兩個第二電路板中間體220。
本實施例中，加熱使所述熱塑性膠體層13失去粘性，從而將所述承載板11及兩熱塑性膠體層13分離去除。
第七步，請參閱圖10，去除每個所述第二電路板中間體220的銅箔12，從而得到芯層封裝基板240。
本實施例中，通過快速蝕刻去除所述銅箔12，即控制蝕刻液的濃度及蝕刻的時間，使所述銅箔12被蝕刻去除，但所述第一導電線路層14並不被蝕刻去除。
所述芯層封裝基板240包括第一介電層20、嵌設於第一介電層20一側的第一導電線路層14、與所述第一導電線路層14電連接的導電柱16以及埋設於第一介電層20內部的第一電子元件18。所述第一導電線路層14包括多個電性接觸墊141及多個第一焊墊142。所述第一導電線路層14遠離所述導電柱16的表面與所述第一介電層20一側的表面相齊平。所述導電柱16形成於所述多個電性接觸墊141表面且電連接所述多個電性接觸墊141。所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面暴露於所述第一介電層20。所述第一電子元件18通過錫膏19焊接於多個所述第一焊墊142表面。
第八步，請參閱圖11，在所述芯層封裝基板240兩側增層，從而在所述芯層封裝基板240的第一電子元件18側依次形成第二介電層21及第二導電線路層22，以及在所述芯層封裝基板240的第一導電線路層14側依次形成第三介電層23及第三導電線路層24。
所述第二介電層21內還形成有第一導電盲孔25，所述第一導電盲孔25的截面大致為梯形，所述第一導電盲孔25電連接所述第二導電線路層22及導電柱16。所述第三介電層23內還形成有第二導電盲孔26，所述第二導電盲孔26的截面大致為梯形，所述第二導電盲孔26電連接所述第三導電線路層24及第一導電線路層14。
本實施例中，首先，提供兩個半固化片，將所述兩個半固化片分別疊合在所述芯層封裝基板240兩側，壓合從而形成所述第二介電層21及所述第三介電層23；之後通過鐳射蝕孔分別在所述第二及第三介電層21、23上形成盲孔；然後在所述盲孔內分別電鍍形成所述第二及第二導電盲孔25、26，即將所述盲孔製作形成導電盲孔，以及在所述第二及第三介電層21、23表面分別通過半加成法或加成法形成所述第二及第三導電線路層22、24。所述兩個半固化片可以為含增韌材料的樹脂，如玻璃布基環氧樹脂。
在其他實施例中，所述第二及第二導電盲孔25、26也可以通過填充導電膏體形成。
第九步，請參閱圖12，在所述第二導電線路層22側形成第一防焊層27，及在所述第三導電線路層24側形成第二防焊層28，從而得到第一電子元件封裝結構260。
所述第一防焊層27內形成有多個第一防焊層開口271，部分所述第二導電線路層22從所述多個第一防焊層開口271中暴露出來，形成第二焊墊221；所述第二防焊層28內形成有多個第二防焊層開口281，部分所述第三導電線路層24從所述多個第二防焊層開口281中暴露出來，形成第三焊墊241。
優選地，所述第一介電層20的熱膨脹係數介於所述第一電子元件17與第一防焊層27的熱膨脹係數之間, 以降低因材料熱膨脹係數差異較大引起的板彎翹、斷裂等不良。
第十步，請一併參閱圖13，在所述第二焊墊221表面形成第一錫球29，將一第二電子元件30焊接於所述第二焊墊221上，在所述第三焊墊241表面形成第二焊球31，從而形成第二電子元件封裝結構280。
本實施例中，在部分所述第二焊墊221表面形成所述第一錫球29，焊接所述第二電子元件30的第二焊墊221的排布密度較未焊接所述第二電子元件的所述第二焊墊221的排布密度大。所述第二錫球31可以用於電連接電子元件、類似本案的電子元件封裝結構或不含電子元件的電路板等。
所述第二電子元件封裝結構280包括第一介電層20、嵌設於第一介電層20一側的第一導電線路層14、嵌設於第一介電層20另一側且與所述第一導電線路層14電連接的導電柱16、埋設於第一介電層20內部的第一電子元件18、形成與所述第一介電層20遠離所述第一導電線路層14側的第二介電層21、形成於第二介電層21的遠離第一介電層20的表面的第二導電線路層22以及貫穿第二介電層21並電連接所述導電柱16與第二導電線路層22的第一導電盲孔。所述第一導電線路層14包括多個電性接觸墊141及多個第一焊墊142。所述第一導電線路層14遠離所述導電柱16的表面與所述第一介電層20一側的表面相齊平。所述導電柱16形成於所述多個電性接觸墊141表面且電連接所述多個電性接觸墊141。所述導電柱16遠離所述第一導電線路層14的表面暴露於所述第一介電層20。所述第一電子元件18通過錫膏19焊接於多個所述第一焊墊142表面。
所述第二電子元件封裝結構280還包括依次形成於所述第一導電線路層14側依次形成第三介電層23及第三導電線路層24，所述第三介電層23內還形成有第二導電盲孔26，所述第二導電盲孔26電連接所述第三導電線路層24及第一導電線路層14。
所述第二電子元件封裝結構280還包括形成於所述第二導電線路層22側的第一防焊層27，及形成於所述第三導電線路層24側的第二防焊層28。所述第一防焊層27內形成有多個第一防焊層開口271，部分所述第二導電線路層22從所述多個第一防焊層開口271中暴露出來，形成第二焊墊221；所述第二防焊層28內形成有多個第二防焊層開口281，部分所述第三導電線路層24從所述多個第二防焊層開口281中暴露出來，形成第三焊墊241。部分所述第二焊墊221表面形成有第一錫球29，一第二電子元件30焊接於所述第二焊墊221上。所述第三焊墊241表面形成有第二焊球31。
在其他實施例中，焊接所述第二電子元件30後還在第二電子元件30側面及底部注入封裝膠體，以固定所述第二電子元件30。
在另一實施例中，請參閱圖14，在所述多個第二焊墊221’表面形成多個第一錫球29’，將另一電子元件封裝結構32焊接於所述多個第二焊墊221’上，並在所述第三焊墊241’表面形成第二焊球31’，從而形成第三電子元件封裝結構300。所述第二錫球31’可以用於電連接電子元件、類似本案的電子元件封裝結構或不含電子元件的電路板等。焊接所述另一電子元件封裝結構32後還可以在另一電子元件封裝結構32側面及底部注入封裝膠體，以固定所述另一電子元件封裝結構32。
本案的電子元件封裝結構均可包括更多的導電線路層及介電層，增層方式可以參考上述第八步的方法。
先前技術需要通過底部填充膠包覆電子元件以填充電子元件與基板之間的縫隙，且常常填充不完全；相較於先前技術，本發明實施例的電子元件封裝結構及製作方法通過注塑成型形成所述第一介電層20，可以使第一介電層20完全包覆所述第一電子元件18而不形成空隙，還可以不使用底部填充膠，從而簡化製作流程；並且，本案使第一電子元件18的熱膨脹係數與第一介電層20的熱膨脹係數接近，從而降低因材料熱膨脹係數差異較大引起的板彎翹、斷裂等不良；進一步，本案的第一電子元件18形成於電子元件封裝結構內部，從而可以降低電子元件封裝結構的總厚度，有利於電子元件封裝結構的輕薄化；另外，本案通過第二光阻層17形成所述導電柱16，所述導電柱16直接電鍍形成於第一導電線路層14表面，從而與第一導電線路層14電性接觸較穩定。
惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之請求項。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下請求項內。
11‧‧‧承載板
12‧‧‧銅箔
13‧‧‧熱塑性膠體層
14‧‧‧第一導電線路層
141‧‧‧電性接觸墊
142‧‧‧第一焊墊
15‧‧‧第一光阻層
16‧‧‧導電柱
17‧‧‧第二光阻層
18‧‧‧第一電子元件
200‧‧‧第一電路板中間體
19‧‧‧錫膏
20‧‧‧第一介電層
220‧‧‧第二電路板中間體
240‧‧‧芯層封裝基板
21‧‧‧第二介電層
22‧‧‧第二導電線路層
23‧‧‧第三介電層
24‧‧‧第三導電線路層
25‧‧‧第一導電盲孔
26‧‧‧第二導電盲孔
27‧‧‧第一防焊層
271‧‧‧第一防焊層開口
28‧‧‧第二防焊層
281‧‧‧第二防焊層開口
221，221’‧‧‧第二焊墊
241，241’‧‧‧第三焊墊
260‧‧‧第一電子元件封裝結構
29，29’‧‧‧第一錫球
30‧‧‧第二電子元件
31，31’‧‧‧第二錫球
280‧‧‧第二電子元件封裝結構
32‧‧‧另一電子元件封裝結構
300‧‧‧第三電子元件封裝結構
無
14‧‧‧第一導電線路層
16‧‧‧導電柱
18‧‧‧第一電子元件
19‧‧‧錫膏
20‧‧‧第一介電層
21‧‧‧第二介電層
22‧‧‧第二導電線路層
23‧‧‧第三介電層
24‧‧‧第三導電線路層
25‧‧‧第一導電盲孔
26‧‧‧第二導電盲孔
27‧‧‧第一防焊層
271‧‧‧第一防焊層開口
28‧‧‧第二防焊層
221‧‧‧第二焊墊
241‧‧‧第三焊墊
29‧‧‧第一錫球
30‧‧‧第二電子元件
31‧‧‧第二錫球
280‧‧‧第二電子元件封裝結構
Claims (17)
- 一種電子元件封裝結構的製作方法，包括步驟：
提供銅箔，在所述銅箔表面形成第一導電線路層，所述第一導電線路層包括多個電性接觸墊及多個第一焊墊；
在所述多個電性接觸墊表面形成多個導電柱，所述多個導電柱與所述多個電性接觸墊相電連接；
在所述多個第一焊墊表面焊接第一電子元件；
在所述第一導電線路層及所述導電柱的間隙形成第一介電層，並使所述第一介電層包覆所述第一電子元件；
去除所述銅箔，得到芯層封裝基板；
在所述芯層封裝基板的第一電子元件側依次形成第二介電層及第二導電線路層，所述第二介電層內形成有第一導電盲孔，所述第一導電盲孔電連接所述第二導電線路層及導電柱；以及
在所述第二導電線路層側形成第一防焊層，其中，所述第一介電層的熱膨脹係數介於所述第一電子元件的熱膨脹係數與第一防焊層的熱膨脹係數之間，從而形成所述電子元件封裝結構。 - 如申請專利範圍第1項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，所述銅箔支撐於一承載板上，去除所述銅箔前先去除所述承載板。
- 如申請專利範圍第2項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，所述銅箔通過一熱塑性膠體層貼合於所述承載板的表面；去除所述承載板的步驟中，通過加熱使所述熱塑性膠體層失去粘性，使所述承載板與所述銅箔分離，從而去除所述承載板。
- 如申請專利範圍第1項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，所述第一導電線路層的形成方法包括：在所述銅箔表面形成圖案化的第一光阻層，使部分所述銅箔從所述圖案化的第一光阻層中暴露出來；之後，電鍍，從而從所述圖案化的第一光阻層中暴露出來所述銅箔的表面形成第一導電線路層。
- 如申請專利範圍第4項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，形成所述導電柱的方法包括：在部分所述第一導電線路層表面及第一光阻層表面形成圖案化的第二光阻層，所述圖案化的第二光阻層覆蓋所述多個第一焊墊；之後，電鍍，從而在從所述圖案化的第二光阻層中暴露出來所述第一導電線路層的表面形成導電柱；然後，去除圖案化的所述第一光阻層及第二光阻層。
- 如申請專利範圍第1項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，所述第一電子元件的厚度小於所述導電柱凸出於所述第一導電線路層的高度，從而，所述第一電子元件遠離所述第一導電線路層的表面低於所述導電柱遠離所述第一導電線路層的表面，或與所述導電柱遠離所述第一導電線路層的表面大致相齊平。
- 如申請專利範圍第1項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，以注塑成型的方式形成所述第二介電層；所述導電柱遠離所述第一導電線路層的表面與所述第一介電層的表面相齊平，從而所述導電柱遠離所述第一導電線路層的表面暴露於所述第一介電層。
- 如申請專利範圍第1項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，形成第二介電層及第二導電線路層之後以及形成第一防焊層之前，還包括步驟：在所述芯層封裝基板的第一導電線路層側依次形成第三介電層及第三導電線路層，所述第三介電層內還形成有第二導電盲孔，所述第二導電盲孔電連接所述第三導電線路層及所述第一導電線路層。
- 如申請專利範圍第8項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，形成所述第一防焊層的同時還在所述第三導電線路層側形成第二防焊層；所述第一防焊層內形成有多個第一防焊層開口，部分所述第二導電線路層從所述多個第一防焊層開口中暴露出來，形成第二焊墊；所述第二防焊層內形成有多個第二防焊層開口，部分所述第三導電線路層從所述多個第二防焊層開口中暴露出來，形成第三焊墊。
- 如申請專利範圍第9項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，在部分所述第二焊墊表面形成第一錫球，將一第二電子元件焊接於所述第二焊墊上，在所述第三焊墊表面形成第二焊球。
- 如申請專利範圍第9項所述的電子元件封裝結構的製作方法，其中，在所述多個第二焊墊表面形成第一錫球，將另一電子元件封裝結構焊接於所述第二焊墊上，在所述第三焊墊表面形成第二焊球。
- 一種電子元件封裝結構，包括第一介電層、嵌設於第一介電層一側的第一導電線路層、嵌設於第一介電層另一側且與所述第一導電線路層電連接的導電柱、埋設於第一介電層內部的第一電子元件、形成與所述第一介電層遠離所述第一導電線路層側的第二介電層、形成於第二介電層的遠離第一介電層的表面的第二導電線路層、貫穿第二介電層並電連接所述導電柱與第二導電線路層的第一導電盲孔以及形成於所述第二導電線路層側的第一防焊層；所述第一導電線路層包括多個電性接觸墊及多個第一焊墊，所述導電柱形成於所述多個電性接觸墊表面且電連接所述多個電性接觸墊，所述第一電子元件焊接於多個所述第一焊墊；所述第一介電層的熱膨脹係數介於所述第一電子元件的熱膨脹係數與第一防焊層的熱膨脹係數之間。
- 如申請專利範圍第12項所述的電子元件封裝結構，其中，所述第一導電線路層遠離所述導電柱的表面與所述第一介電層一側的表面相齊平，所述導電柱遠離所述第一導電線路層的表面暴露於所述第一介電層。
- 如申請專利範圍第12項所述的電子元件封裝結構，其中，還包括依次形成於所述第一導電線路層側依次形成第三介電層及第三導電線路層，所述第三介電層內還形成有第二導電盲孔，所述第二導電盲孔電連接所述第三導電線路層及第一導電線路層。
- 如申請專利範圍第14項所述的電子元件封裝結構，其中，還包括形成於所述第三導電線路層側的第二防焊層；所述第一防焊層內形成有多個第一防焊層開口，部分所述第二導電線路層從所述多個第一防焊層開口中暴露出來，形成第二焊墊；所述第二防焊層內形成有多個第二防焊層開口，部分所述第三導電線路層從所述多個第二防焊層開口中暴露出來，形成第三焊墊。
- 如申請專利範圍第15項所述的電子元件封裝結構，其中，部分所述第二焊墊表面形成有第一錫球，一第二電子元件焊接於所述第二焊墊上，所述第三焊墊表面形成有第二焊球。
- 如申請專利範圍第16項所述的電子元件封裝結構，其中，所述多個第二焊墊表面形成有第一錫球，另一電子元件封裝結構焊接於所述第二焊墊上，所述第三焊墊表面形成有第二焊球。
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