TW201615723A - 暫時固定用樹脂組成物、暫時固定用樹脂膜、暫時固定用樹脂膜片及半導體晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種暫時固定用樹脂組成物，其是用以形成在半導體晶圓的加工方法中所使用的暫時固定材的暫時固定用樹脂組成物，且含有（A）熱塑性樹脂、（B）熱硬化性樹脂、（C）(甲基)丙烯酸系單體、及（D）藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物，相對於（C）成分100質量份，（D）成分的含量為5質量份以上，半導體晶圓的加工方法包括：暫時固定步驟，將半導體晶圓經由暫時固定材暫時固定於支持體；加工步驟，對暫時固定於支持體的半導體晶圓進行加工；及分離步驟，將經加工的半導體晶圓自支持體及暫時固定材分離；且在暫時固定步驟中對暫時固定材進行放射線照射。

Description

假固定用樹脂組成物、假固定用樹脂膜、假固定用樹脂膜片及半導體晶圓的加工方法
本發明是有關於一種對半導體晶圓進行加工時所使用的暫時固定用樹脂組成物、暫時固定用樹脂膜（film）、暫時固定用樹脂膜片及半導體晶圓（wafer）的加工方法。
在半導體裝置的領域中，關於層疊多個半導體元件而成的被稱為系統級封裝（System in Package，SIP）的封裝的技術的發展顯著。在SIP型的封裝中，為了積層多個半導體元件，對於半導體元件要求厚度儘可能薄。該半導體元件例如藉由如下方式而製作：對具有一定厚度的半導體晶圓組入積體電路後，藉由對背面進行研削而使半導體晶圓薄化，進而將半導體晶圓單片化。半導體晶圓的加工是藉由暫時固定材將半導體晶圓暫時固定於支持體而進行（例如參照下述專利文獻1）。
關於半導體元件的連接，先前主流是打線接合法（wire bonding method），但近年來，被稱為矽貫通電極（through silicon via，TSV）的連接方法備受矚目，業界積極地進行研究。在製作具有貫通電極的半導體元件的情況下，在半導體晶圓的薄化後實施形成貫通電極的加工。該情況下，伴有將半導體晶圓加熱至300℃左右的高溫製程（process）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2008/045669號
[發明所欲解決之課題]
且說，半導體元件的製造步驟中所使用的暫時固定材的構成成分考慮使用普通的熱硬化性樹脂（環氧樹脂等）。藉由使用熱硬化性樹脂，在硬化前可賦予基於高流動性的低溫貼附性，在硬化後可賦予基於交聯結構的優異的耐熱性。若考慮對半導體晶圓的損傷（damage），則該情況下的硬化理想的是低溫短時間。但是，在低溫短時間下的硬化中有未硬化成分殘存的可能性，若未硬化成分殘存，則在高溫製程中有發泡的可能性。
本發明是鑒於所述情況而完成，其目的在於提供一種可形成能夠低溫短時間硬化的暫時固定材的暫時固定用樹脂組成物、以及使用該暫時固定用樹脂組成物的暫時固定用樹脂膜、暫時固定用樹脂膜片及半導體晶圓的加工方法。 [解決課題之手段]
本發明提供一種暫時固定用樹脂組成物，其是用以形成在半導體晶圓的加工方法中所使用的暫時固定材的暫時固定用樹脂組成物，且含有（A）熱塑性樹脂（（A）成分）、（B）熱硬化性樹脂（（B）成分）、（C）(甲基)丙烯酸系單體（（C）成分）、及（D）藉由放射線而產生鹼與自由基（radical）的化合物（（D）成分），相對於所述（C）成分100質量份，所述（D）成分的含量為5質量份以上，所述半導體晶圓的加工方法包括：暫時固定步驟，將半導體晶圓經由所述暫時固定材暫時固定於支持體；加工步驟，對暫時固定於所述支持體的所述半導體晶圓進行加工；及分離步驟，將經加工的所述半導體晶圓自所述支持體及所述暫時固定材分離；且在所述暫時固定步驟中對所述暫時固定材進行放射線照射。
根據本發明的暫時固定用樹脂組成物，藉由使用（A）成分～（D）成分且（D）成分的含量為特定範圍，藉由放射線照射後所產生的鹼與自由基而引起反應，因此可形成能夠低溫短時間硬化的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）。所謂「低溫」例如為160℃以下，所謂「短時間」例如為60秒以下。
且說，對於半導體晶圓的加工方法中所使用的暫時固定材，要求於半導體晶圓的研削等時使支持體與半導體晶圓牢固地固定的接著性、及高溫製程中的耐熱性。其另一方面，對於暫時固定材，要求可將加工後的半導體晶圓自支持體容易地分離的剝離性。特別是為了不產生對半導體晶圓的損傷及翹曲的問題，要求可在儘可能低溫下將半導體晶圓與支持體分離，而且在半導體晶圓上不殘留暫時固定材。
專利文獻1中記載的暫時固定材存在有如下傾向：對在半導體晶圓形成貫通電極時的高溫製程、及對形成有貫通電極的半導體晶圓彼此進行連接時的高溫製程的耐熱性不充分。若暫時固定材的耐熱性不充分，則容易產生在高溫製程中暫時固定材發生熱分解而半導體晶圓自支持體剝離等不良情況。對此，考慮使用具有高玻璃轉移溫度（glass transition temperature）（Tg）的聚醯亞胺等耐熱性優異的普通的樹脂。但是，在為了容易確保加工時的平坦性而使暫時固定材為膜狀的情況下，若樹脂的玻璃轉移溫度高，則為了將半導體晶圓與支持體充分固定而必須在高溫下進行貼合，有對半導體晶圓造成損傷的可能性。因此，對於膜狀的暫時固定材，要求即便在低溫下貼合亦可將半導體晶圓與支持體充分固定的低溫貼附性。
另外，為了防止在低溫短時間下的硬化中未硬化成分殘存，考慮藉由將咪唑等硬化促進劑增量而抑制未硬化成分的殘存，但由於暫時固定材在保管中容易進行反應，因此有保存穩定性不充分的可能性。由於進行反應而暫時固定材的物性變化，故而低溫貼附性或耐熱性變得不充分，有產生低溫下的貼附不良情況、或在高溫製程中暫時固定材發生熱分解而半導體晶圓自支持體剝離等不良情況的可能性。
針對該些情況，根據本發明的暫時固定用樹脂組成物，可形成如下暫時固定材（膜狀的暫時固定材等），所述暫時固定材具有良好的保存穩定性，可應對低溫短時間硬化，具有優異的低溫貼附性及充分的耐熱性，且可將半導體晶圓充分固定於支持體。該暫時固定材可將加工後的半導體晶圓自支持體容易地分離，並且可自加工後的半導體晶圓容易地剝離，因此可在不浸漬於溶劑的情況下將加工後的半導體晶圓自支持體及暫時固定材容易地分離。
進而，本發明的暫時固定用樹脂組成物具有優異的接著性。藉此，在半導體晶圓的研削（例如背面研磨製程（back grind process））等時可將支持體與半導體晶圓牢固地固定。
在本發明的暫時固定用樹脂組成物中，藉由使用（A）成分～（D）成分且（D）成分的含量為特定範圍，可以高水準同時實現由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的保存穩定性、低溫硬化、及短時間硬化。
在本發明的暫時固定用樹脂組成物中，較佳為（C）成分具有2個以上的官能基。藉由使用此種（C）成分，可以更高水準同時實現由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的貼附性（低溫貼附性等）與短時間硬化。
本發明的暫時固定用樹脂組成物較佳為進而含有環氧樹脂硬化劑，且（B）成分為環氧樹脂的態樣。該情況下，可以更高水準同時實現由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的貼附性（低溫貼附性等）與耐熱性。
在本發明的暫時固定用樹脂組成物中，較佳為（A）成分為具有反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物。該情況下，可以更高水準同時實現由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的低溫貼附性與耐熱性。
本發明的暫時固定用樹脂組成物較佳為進而含有矽酮化合物。該情況下，可進一步提高剝離性。
本發明的暫時固定用樹脂組成物較佳為進而含有硬化促進劑。該情況下，容易同時實現暫時固定用樹脂組成物的硬化性與保存穩定性。
另外，本發明提供一種暫時固定用樹脂膜，其是使本發明的暫時固定用樹脂組成物形成為膜狀而成。藉由使用此種暫時固定用樹脂膜，可高效率地對半導體晶圓進行加工。藉此，可高效率地製造對SIP型的封裝而言較佳的半導體元件，進而可高效率地製造具備此種半導體元件的半導體裝置。
另外，本發明的暫時固定用樹脂膜較佳為在放射線照射前在120℃下的黏度為200 Pa·s～6000 Pa·s的態樣。
另外，本發明提供一種暫時固定用樹脂膜片，其包括具有脫模性的支持膜、及本發明的暫時固定用樹脂膜，且在所述支持膜上設置有所述暫時固定用樹脂膜。根據本發明的暫時固定用樹脂膜片，可將本發明的暫時固定用樹脂膜容易地轉印至半導體晶圓或支持體，可高效率地對半導體晶圓進行加工。
另外，本發明提供一種半導體晶圓的加工方法，其包括：暫時固定步驟，將半導體晶圓經由暫時固定材暫時固定於支持體；加工步驟，對暫時固定於所述支持體的所述半導體晶圓進行加工；及分離步驟，將經加工的所述半導體晶圓自所述支持體及所述暫時固定材分離；且在所述暫時固定步驟中對所述暫時固定材進行放射線照射，所述暫時固定材為本發明的暫時固定用樹脂膜。根據本發明的半導體晶圓的加工方法，可以低溫短時間使暫時固定用樹脂組成物硬化，可高效率地對半導體晶圓進行加工。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種可形成能夠低溫短時間硬化的暫時固定材的暫時固定用樹脂組成物、以及使用該暫時固定用樹脂組成物的暫時固定用樹脂膜、暫時固定用樹脂膜片及半導體晶圓的加工方法。根據本發明，可提供一種可形成如下暫時固定材的暫時固定用樹脂組成物、以及使用該暫時固定用樹脂組成物的暫時固定用樹脂膜、暫時固定用樹脂膜片及半導體晶圓的加工方法，所述暫時固定材具有良好的保存穩定性，可應對低溫短時間硬化，具有優異的低溫貼附性及充分的耐熱性，可將半導體晶圓充分固定於支持體且可將加工後的半導體晶圓自支持體及暫時固定材容易地分離。
根據本發明，可提供一種用以形成暫時固定材的樹脂組成物的應用。根據本發明，可提供一種用以形成膜狀的暫時固定材的樹脂組成物的應用。根據本發明，可提供一種用以形成在半導體晶圓的加工方法中所使用的暫時固定材的樹脂組成物的應用。根據本發明，可提供一種用以形成在半導體晶圓的加工方法中所使用的膜狀的暫時固定材的樹脂組成物的應用。根據本發明，可提供一種用於半導體晶圓的暫時固定的樹脂組成物、樹脂膜或暫時固定用樹脂膜片的應用。根據本發明，可提供一種用於半導體元件的製造的樹脂組成物、樹脂膜或暫時固定用樹脂膜片的應用。根據本發明，可提供一種用於半導體裝置的製造的樹脂組成物、樹脂膜或暫時固定用樹脂膜片的應用。
以下，一面參照圖式一面對本發明的較佳的實施方式進行詳細的說明。此外，圖式中，對相同或相當部分標附相同符號，並省略重複的說明。另外，設計圖的尺寸比率並不限定於圖式的比率。
在本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」是以丙烯酸及與其對應的甲基丙烯酸的至少一者的含義使用。在「(甲基)丙烯酸酯」等其他類似的表現中亦相同。所謂「A或B」，只要包含A及B的任一者即可，亦可同時包含兩者。以下所例示的材料只要無特別說明，則可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。在本說明書中，於在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，只要無特別說明，則組成物中的各成分的含量意指存在於組成物中的該多種物質的合計量。
[暫時固定用樹脂組成物] 本實施方式的暫時固定用樹脂組成物是用以形成在半導體晶圓的加工方法中所使用的暫時固定材（膜狀的暫時固定材（暫時固定用膜）等）的暫時固定用樹脂組成物。本實施方式的暫時固定用樹脂組成物的特徵在於：含有（A）熱塑性樹脂（（A）成分）、（B）熱硬化性樹脂（（B）成分）、（C）(甲基)丙烯酸系單體（（C）成分）、及（D）藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物（（D）成分），且相對於（C）成分100質量份，（D）成分的含量為5質量份以上。所述半導體晶圓的加工方法包括：暫時固定步驟，將半導體晶圓經由暫時固定材暫時固定於支持體；加工步驟，對暫時固定於支持體的半導體晶圓進行加工；及分離步驟，將經加工的半導體晶圓自支持體及暫時固定材分離。所述半導體晶圓的加工方法中，在所述暫時固定步驟中對所述暫時固定材進行放射線照射。本實施方式的暫時固定用樹脂組成物是藉由所產生的鹼及自由基而可應對低溫短時間硬化的暫時固定用樹脂組成物。
本實施方式可提供一種暫時固定用樹脂組成物，由於暫時固定用樹脂組成物使用（A）成分～（D）成分且（D）成分的含量為特定範圍，因此可形成暫時固定材（膜狀的暫時固定材等），該暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）在放射線照射前不會引起反應而具有良好的保存穩定性，在放射線照射後藉由所產生的鹼及自由基而引起反應，可應對低溫·短時間硬化，具有優異的低溫貼附性及充分的耐熱性，可將半導體晶圓充分固定於支持體，且可將加工後的半導體晶圓自支持體及暫時固定材容易地分離。
＜（A）成分：熱塑性樹脂＞ 本實施方式中所使用的（A）熱塑性樹脂只要為具有熱塑性的樹脂、或者至少在未硬化狀態下具有熱塑性且在加熱後形成交聯結構的樹脂，則並無特別限制。（A）熱塑性樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
熱塑性樹脂較佳為具有反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物（含反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物）。
(甲基)丙烯酸系共聚物例如可列舉(甲基)丙烯酸酯共聚物。(甲基)丙烯酸酯共聚物是具有源自(甲基)丙烯酸酯的結構單元的共聚物。(甲基)丙烯酸酯共聚物較佳為使包含(甲基)丙烯酸酯作為主成分的單體組成物聚合而獲得的共聚物，就極性或耐熱性更優異的觀點而言，更佳為使包含(甲基)丙烯酸酯與丙烯腈的單體組成物聚合而獲得的共聚物（具有源自(甲基)丙烯酸酯的結構單元與源自丙烯腈的結構單元的共聚物）。(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、及甲基丙烯酸月桂酯。基於具體的單體的組合的共聚物例如可列舉：具有源自丙烯酸丁酯的結構單元與源自丙烯腈的結構單元的共聚物、及具有源自丙烯酸乙酯的結構單元與源自丙烯腈的結構單元的共聚物。
具有反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物可藉由使包含具有反應性基的(甲基)丙烯酸系單體與所述單體的單量體組成物進行共聚合而獲得。
就進一步提高耐熱性的觀點而言，反應性基較佳為選自由環氧基、羧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、羥基及環硫基所組成的組群中的至少一種。環氧基亦可以縮水甘油基的形式含有。其中，就交聯性優異的觀點而言，更佳為環氧基及羧基。在選擇環氧基作為反應性基的情況下，具有反應性基的(甲基)丙烯酸系單體例如可列舉：丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸4-羥基丁酯縮水甘油醚、丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸4-羥基丁酯縮水甘油醚、及甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯。該些之中，就耐熱性更優異的觀點而言，較佳為選自由丙烯酸縮水甘油酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯所組成的組群中的至少一種。就耐熱性更優異的觀點而言，具有反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物較佳為具有源自選自由丙烯酸縮水甘油酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯所組成的組群中的至少一種的結構單元。
（A）熱塑性樹脂的Tg（玻璃轉移溫度、玻璃轉移點）較佳為-50℃～50℃。若（A）熱塑性樹脂的Tg為50℃以下，則在由暫時固定用樹脂組成物形成暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）時，可確保柔軟性，可容易地抑制低溫貼附性的降低。另外，在半導體晶圓存在凸塊（bump）等的情況下，150℃以下的凸塊埋入變得容易。另一方面，若（A）熱塑性樹脂的Tg為-50℃以上，則在由暫時固定用樹脂組成物形成暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）時，可容易地抑制由柔軟性變得過高引起的操作性及剝離性的降低。
（A）熱塑性樹脂的Tg是使用示差掃描熱量計（理學電機股份有限公司製造，DSC8320）對（A）熱塑性樹脂進行測定時的中間點玻璃轉移溫度的值。此外，（A）熱塑性樹脂的Tg是在升溫速度10℃/分鐘、測定溫度：-80℃～80℃的測定條件下測定熱量變化，藉由依據JIS K 7121：1987的方法所算出的中間點玻璃轉移溫度。
（A）熱塑性樹脂的重量平均分子量較佳為10萬以上且200萬以下，更佳為12萬以上且190萬以下，進而較佳為15萬以上且180萬以下。若重量平均分子量為10萬以上，則變得容易確保暫時固定用樹脂組成物的耐熱性。另一方面，若重量平均分子量為200萬以下，則在由暫時固定用樹脂組成物形成暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）時，可容易地抑制流動性（flow）的降低及貼附性（低溫貼附性等）的降低。此外，重量平均分子量是利用凝膠滲透層析法（Gel Penetration Chromatography，GPC）所測定且使用基於標準聚苯乙烯的校準曲線的聚苯乙烯換算值。例如，（A）熱塑性樹脂的重量平均分子量可使用凝膠滲透層析儀（Gel Penetration Chromatograph，GPC）（東曹（Tosoh）股份有限公司製造的HLC-8320GPC）在洗滌液流量1 mL/分鐘、管柱（column）溫度40℃的條件下進行測定。此外，洗滌液可使用四氫呋喃。管柱可使用日立化成股份有限公司製造的Gelpack GL-A150-S/GL-A160-S。
在具有反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物包含丙烯酸縮水甘油酯及/或甲基丙烯酸縮水甘油酯作為共聚合成分（提供(甲基)丙烯酸系共聚物的單量體成分）的情況下，以共聚合成分總量作為基準，該些含量的合計較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.5質量%～15質量%，進而較佳為1.0質量%～10質量%。若含量為所述範圍內，則在由暫時固定用樹脂組成物形成暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）時，可充分確保耐熱性，且可容易地抑制柔軟性的降低。
如上所述的具有反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物可使用藉由珠狀聚合（pearl polymerization）、溶液聚合等聚合方法所獲得的聚合物，或者亦可使用HTR-860P-3CSP（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造，商品名）、HTR-860P-3CSP-30B（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造）等市售品。就容易膜化的觀點而言，（A）成分的含量以樹脂組成物的固體成分的總質量作為基準較佳為15質量%以上且40質量%以下。
＜（B）成分：熱硬化性樹脂＞ 本實施方式中所使用的（B）熱硬化性樹脂只要為藉由熱而硬化的熱硬化性樹脂，則並無特別限制。
熱硬化性樹脂例如可列舉：環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂及脲樹脂。熱硬化性樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。特別是就可獲得耐熱性、作業性或可靠性更優異的暫時固定用樹脂組成物的觀點而言，較佳為使用環氧樹脂。在使用環氧樹脂作為熱硬化性樹脂的情況下，較佳為合併使用環氧樹脂硬化劑。
環氧樹脂只要為進行硬化而具有耐熱作用的樹脂，則並無特別限定。環氧樹脂可使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等二官能環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂等。另外，環氧樹脂可應用多官能環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、含雜環的環氧樹脂、或者如脂環式環氧樹脂等般普遍已知的樹脂。
雙酚A型環氧樹脂可列舉：日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛皮克特（Epikote）系列（愛皮克特（Epikote）807、愛皮克特（Epikote）815、愛皮克特（Epikote）825、愛皮克特（Epikote）827、愛皮克特（Epikote）828、愛皮克特（Epikote）834、愛皮克特（Epikote）1001、愛皮克特（Epikote）1004、愛皮克特（Epikote）1007、愛皮克特（Epikote）1009，「愛皮克特（Epikote）」是註冊商標）；陶氏化學（Dow Chemical）公司製造的DER-330、DER-301及DER-361；新日鐵住金化學股份有限公司製造的YD-8125及YDF-8170等。雙酚F型環氧樹脂可列舉新日鐵住金化學股份有限公司製造的YDF-8170C等。
苯酚酚醛清漆型環氧樹脂可列舉：日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛皮克特（Epikote）152、愛皮克特（Epikote）154、日本化藥股份有限公司製造的EPPN-201、陶氏化學（Dow Chemical）公司製造的DEN-438等。
甲酚酚醛清漆型環氧樹脂（鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等）可列舉：日本化藥股份有限公司製造的EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027、及新日鐵住金化學股份有限公司製造的YDCN700、YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDON704等。
多官能環氧樹脂可列舉：日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛普恩（Epon）1031S；汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）公司製造的愛牢達（Araldite）0163；長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造的代那科（Denacol）EX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411及EX-321等（「愛牢達（Araldite）」、「代那科（Denacol）」是註冊商標）。
胺型環氧樹脂可列舉：日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛皮克特（Epikote）604；東都化成股份有限公司製造的YH-434；三菱瓦斯化學（Mitsubishi Gas Chemical）股份有限公司製造的泰拉德（TETRAD）-X及泰拉德（TETRAD）-C；住友化學股份有限公司製造的ELM-120等。
含雜環的環氧樹脂可列舉：汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）公司製造的愛牢達（Araldite）PT810；UCC公司製造的ERL4234、ERL4299、ERL4221及ERL4206等。
環氧樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
在使用環氧樹脂時，較佳為使用環氧樹脂硬化劑。
環氧樹脂硬化劑可使用通常所使用的公知的硬化劑。環氧樹脂硬化劑例如可列舉：胺類；聚醯胺；酸酐；多硫化物；三氟化硼；如雙酚A、雙酚F、雙酚S般的在一分子中具有2個以上酚性羥基的雙酚類；苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基型酚樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚樹脂等。特別是就吸濕時的耐電蝕性優異的觀點而言，較佳為酚樹脂，更佳為選自由苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基型酚樹脂及甲酚酚醛清漆樹脂所組成的組群中的至少一種。
所述酚樹脂硬化劑中較佳的硬化劑例如可列舉：迪愛生（DIC）股份有限公司製造的商品名：費恩利特（Phenolite）LF2882、費恩利特（Phenolite）LF2822、費恩利特（Phenolite）TD-2090、費恩利特（Phenolite）TD-2149、費恩利特（Phenolite）VH-4150及費恩利特（Phenolite）VH4170、明和化成股份有限公司製造的商品名：H-1、日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的商品名：艾匹庫（Epi-Cure）MP402FPY、艾匹庫（Epi-Cure）YL6065、艾匹庫（Epi-Cure）YLH129B65、三井化學股份有限公司製造的商品名：美萊克（Milex）XL、美萊克（Milex）XLC、美萊克（Milex）RN、美萊克（Milex）RS、美萊克（Milex）VR、以及日本化藥股份有限公司製造的商品名：卡亞哈德（Kayahard）GPH-103（「費恩利特（Phenolite）」、「艾匹庫（Epi-Cure）」、「美萊克（Milex）」、「卡亞哈德（Kayahard）」是註冊商標）。
就可以更高水準同時實現低溫貼附性、耐熱性及硬化性的觀點而言，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，本實施方式的暫時固定用樹脂組成物中的（B）熱硬化性成分的含量較佳為下述範圍。就有獲得更優異的貼附性（低溫貼附性等）及耐熱性，且抑制進行背面研磨時的保持性隨著低彈性化降低而變得容易抑制晶圓的破裂的傾向的觀點而言，（B）熱硬化性成分的含量較佳為10質量份以上，更佳為50質量份以上，進而較佳為100質量份以上，尤佳為150質量份以上，極佳為200質量份以上，特佳為220質量份以上。就抑制硬化前的黏度變低，進一步抑制硬化需要長時間的觀點而言，（B）熱硬化性成分的含量較佳為500質量份以下，更佳為400質量份以下，進而較佳為300質量份以下，尤佳為250質量份以下。就該些觀點而言，（B）熱硬化性成分的含量較佳為10質量份～500質量份，更佳為50質量份～300質量份。
＜（C）成分：(甲基)丙烯酸系單體＞ 本實施方式中所使用的（C）(甲基)丙烯酸系單體可使用具有2個以上的官能基的(甲基)丙烯酸系單體，可使用二官能(甲基)丙烯酸酯或三官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯的任一者，並無特別限制。
二官能(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、3-甲基-1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化2-甲基-1,3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化環己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三環癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化氫化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化氫化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化氫化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化氫化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯等脂環式(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化雙酚AF二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化雙酚AF二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化雙酚AF二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化茀型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化茀型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化茀型二(甲基)丙烯酸酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化異三聚氰酸二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化異三聚氰酸二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化異三聚氰酸二(甲基)丙烯酸酯等雜環式(甲基)丙烯酸酯；該些的己內酯改質體；新戊二醇型環氧(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；環己烷二甲醇型環氧(甲基)丙烯酸酯、氫化雙酚A型環氧(甲基)丙烯酸酯、氫化雙酚F型環氧(甲基)丙烯酸酯等脂環式(甲基)丙烯酸酯；間苯二酚型環氧(甲基)丙烯酸酯、雙酚A型環氧(甲基)丙烯酸酯、雙酚F型環氧(甲基)丙烯酸酯、雙酚AF型環氧(甲基)丙烯酸酯、茀型環氧(甲基)丙烯酸酯等芳香族環氧(甲基)丙烯酸酯等。
三官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯等雜環式(甲基)丙烯酸酯；該些的己內酯改質體；苯酚酚醛清漆型環氧(甲基)丙烯酸酯、甲酚酚醛清漆型環氧(甲基)丙烯酸酯等芳香族環氧(甲基)丙烯酸酯等。
二官能(甲基)丙烯酸酯及三官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯的各者可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。亦可將二官能(甲基)丙烯酸酯或三官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯與其他聚合性化合物組合使用。
就能夠容易地短時間硬化，且可容易地獲得充分的低溫貼附性的觀點而言，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，本實施方式的暫時固定用樹脂組成物中的（C）(甲基)丙烯酸系單體的含量較佳為下述範圍。就容易短時間硬化的觀點而言，（C）(甲基)丙烯酸系單體的含量較佳為5質量份以上，更佳為10質量份以上，進而較佳為30質量份以上，尤佳為50質量份以上。就抑制硬化後的膜發生低彈性化，且抑制背面研磨時的保持性降低，因此有抑制晶圓變得容易破裂的傾向的觀點而言，（C）(甲基)丙烯酸系單體的含量較佳為200質量份以下，更佳為150質量份以下，進而較佳為100質量份以下。就該些觀點而言，（C）(甲基)丙烯酸系單體的含量較佳為5質量份～200質量份，更佳為10質量份～150質量份。
＜（D）成分：藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物＞ 本實施方式中所使用的（D）藉由放射線（放射線照射）而產生鹼與自由基的化合物只要為藉由紫外線（Ultraviolet，UV）、可見光線等活性光線的照射而開始聚合的化合物，則並無特別限制。
（D）藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物並無特別限制，例如可列舉α-胺基酮化合物。α-胺基酮化合物可列舉：2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉-4-基苯基)-丁烷-1-酮、2-二甲胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎啉-4-基苯基)-丁烷-1-酮、1,2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-(4-嗎啉)-2-基丙烷-1-酮等。
在照射放射線之前，由於不存在源自（D）成分（α-胺基酮化合物等）的自由基，因此不會引起（C）成分等光反應性單體的聚合反應。另外，由於立體阻礙（steric hindrance）而亦不會促進熱硬化性樹脂的硬化。但是，若照射放射線，則會引起（D）成分（α-胺基酮化合物等）的解離，伴隨自由基的產生而引起光反應性單體的聚合反應。另外，因（D）成分（α-胺基酮化合物等）的解離而導致立體阻礙降低而存在經活化的鹼（胺等）。因此，鹼（胺等）具有熱硬化性樹脂的硬化促進作用，類推以後藉由加熱而發揮硬化促進作用。藉由此種作用，在照射放射線之前，不存在自由基及經活化的鹼（胺等），因此可提供室溫下的保存穩定性非常優異的暫時固定材。另外，由於光反應性單體及熱硬化性樹脂（環氧樹脂等）的硬化速度會因藉由放射線照射而產生的自由基及鹼（胺等）的結構而發生變化，故而可適當決定（D）成分。
就藉由容易產生充分量的鹼及自由基而可容易地達成低溫短時間硬化的觀點而言，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，本實施方式的暫時固定用樹脂組成物中的（D）成分的含量較佳為1質量份以上，更佳為2質量份以上，進而較佳為4質量份以上。就可容易地達成低溫短時間硬化的觀點而言，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，（D）成分的含量較佳為70質量份以下，更佳為65質量份以下，進而較佳為60質量份以下。
就藉由產生充分量的自由基而能夠低溫短時間硬化的觀點而言，相對於（C）(甲基)丙烯酸系單體100質量份，本實施方式的暫時固定用樹脂組成物中的（D）成分的含量為5質量份以上。就可容易地達成低溫短時間硬化的觀點而言，相對於（C）(甲基)丙烯酸系單體100質量份，（D）成分的含量較佳為10質量份以上，更佳為20質量份以上，進而較佳為30質量份以上，尤佳為40質量份以上。就即便在暫時固定材用樹脂膜的製造步驟及使用步驟等中暫時固定用樹脂組成物曝露於少量的放射線（UV光等）的情況下，亦可抑制（C）(甲基)丙烯酸系單體的硬化進行，容易確保製品特性的穩定性的觀點而言，相對於（C）(甲基)丙烯酸系單體100質量份，（D）成分的含量較佳為100質量份以下，更佳為75質量份以下，進而較佳為50質量份以下。就該些觀點而言，相對於（C）(甲基)丙烯酸系單體100質量份，（D）成分的含量較佳為5質量份～100質量份，更佳為10質量份～50質量份。
＜其他成分＞ 本實施方式的暫時固定用樹脂組成物除（A）熱塑性樹脂、（B）熱硬化性樹脂、（C）(甲基)丙烯酸系單體、及（D）藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物以外，可視需要含有（E）矽酮化合物、（F）硬化促進劑、（G）無機填料（filler）、有機溶劑、及/或其他成分。
（E）矽酮化合物只要為具有聚矽氧烷結構的化合物，則並無特別限制，可列舉：矽酮改質樹脂、聚改質矽酮化合物（聚醚改質矽酮化合物等）、純矽油（straight silicone oil）、非反應性的改質矽酮油、反應性的改質矽酮油等。矽酮化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於在本實施方式中所使用的（E）矽酮化合物為矽酮改質樹脂的情況下，較佳為矽酮改質醇酸樹脂。
藉由暫時固定用樹脂組成物含有矽酮改質醇酸樹脂，在將由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）自半導體晶圓剝離時，在100℃以下的低溫下可不使用溶劑而容易地剝離。
獲得矽酮改質醇酸樹脂的方法例如可列舉：（i）使用獲得醇酸樹脂的通常的合成反應的方法（即，在使多元醇與脂肪酸、多元酸等反應時，使有機聚矽氧烷作為醇成分同時進行反應的方法）、及（ii）使預先合成的普通的醇酸樹脂與有機聚矽氧烷反應的方法。
用作醇酸樹脂的原料的多元醇例如可列舉：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇等二元醇；甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷等三元醇；二甘油、三甘油、季戊四醇、二季戊四醇、甘露醇（mannite）、山梨糖醇（sorbit）等四元以上的多元醇。多元醇可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
可用作醇酸樹脂的原料的多元酸例如可列舉：鄰苯二甲酸酐、對苯二甲酸、間苯二甲酸、偏苯三甲酸酐等芳香族多元酸；琥珀酸、己二酸、癸二酸等脂肪族飽和多元酸；順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、反丁烯二酸、衣康酸、檸康酸酐等脂肪族不飽和多元酸；環戊二烯-順丁烯二酸酐加成物、萜烯-順丁烯二酸酐加成物、松香-順丁烯二酸酐加成物等基於狄爾斯·阿爾德（Diels-Alder）反應的多元酸。多元酸可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
醇酸樹脂亦可進而含有改質劑或交聯劑。
改質劑可使用辛酸、月桂酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、桐酸、蓖麻油酸（ricinoleic acid）、脫水蓖麻油酸、或者椰子油、亞麻籽油、桐油、蓖麻油、脫水蓖麻油、大豆油、紅花籽油及該些的脂肪酸等。改質劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
在本實施方式的暫時固定用樹脂組成物含有矽酮改質醇酸樹脂的情況下，暫時固定用樹脂組成物較佳為進而含有可使矽酮改質醇酸樹脂進行熱交聯的交聯劑及/或觸媒。交聯劑可列舉三聚氰胺樹脂、脲樹脂等胺基樹脂等。該情況下，可進一步提高由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的耐熱性及剝離性。
交聯劑例如可例示：胺基樹脂（三聚氰胺樹脂、脲樹脂等）、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂及酚樹脂。該些之中，在使用胺基樹脂的情況下，可獲得藉由胺基樹脂而交聯的胺基醇酸樹脂，故而較佳。此種矽酮改質醇酸樹脂例如可列舉：泰斯費恩（Tesfine）319、TA31-209E（以上為日立化成聚合物（Hitachi Kasei Polymer）股份有限公司製造，商品名）。交聯劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
在矽酮改質醇酸樹脂中，可使用酸性觸媒作為硬化觸媒。酸性觸媒並無特別限制，醇酸樹脂的交聯反應觸媒可自公知的酸性觸媒中適當選擇而使用。此種酸性觸媒例如較佳為對甲苯磺酸、甲磺酸等有機系酸性觸媒。酸性觸媒可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。另外，相對於醇酸樹脂與交聯劑的合計100質量份，酸性觸媒的含量通常可在0.1質量份～40質量份、較佳為0.5質量份～30質量份、更佳為1質量份～20質量份的範圍內選定。
矽酮改質醇酸樹脂的表面自由能（surface free energy）較佳為15 mN/m～30 mN/m。在矽酮改質醇酸樹脂的表面自由能處於此種範圍時，可容易地同時實現由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的耐熱性與剝離性。進而，就耐熱性更優異的觀點而言，暫時固定用樹脂組成物更佳為含有表面自由能為15 mN/m～27 mN/m的矽酮改質醇酸樹脂，進而較佳為含有表面自由能為15 mN/m～24 mN/m的矽酮改質醇酸樹脂。此外，表面自由能可將矽酮改質醇酸樹脂塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，PET）膜上後，對在150℃下乾燥30秒而獲得的厚度0.3 μm的膜，使用接觸角計（協和界面科學股份有限公司製造的CA-X型），測定水、乙二醇及碘甲烷的接觸角，藉由表面自由能解析軟體（soft）（協和界面科學股份有限公司製造的EG-2）而算出。
就溶解性與接著性的平衡性（balance）優異的觀點、及可容易地同時實現半導體晶圓加工後的密接性與剝離性的觀點而言，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，本實施方式的暫時固定用樹脂組成物中的（E）矽酮化合物的含量較佳為下述範圍。就有半導體晶圓加工後的剝離性更優異，且變得容易抑制晶圓破裂的傾向的觀點而言，（E）矽酮化合物的含量較佳為1.0質量份以上，更佳為5.0質量份以上，進而較佳為10質量份以上，尤佳為30質量份以上，極佳為50質量份以上。就有獲得對晶圓的充分的密接性的傾向的觀點而言，（E）矽酮化合物的含量較佳為100質量份以下，更佳為80質量份以下，進而較佳為70質量份以下。就該些觀點而言，（E）矽酮化合物的含量較佳為1.0質量份～100質量份，更佳為5.0質量份～80質量份。
（F）硬化促進劑例如可列舉：咪唑類、雙氰胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸鹽、及1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7-四苯基硼酸鹽。（F）硬化促進劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，本實施方式的暫時固定用樹脂組成物中的（F）硬化促進劑的含量較佳為50質量份以下，更佳為20質量份以下，進而較佳為10質量份以下，尤佳為1質量份以下。若硬化促進劑的含量為所述範圍內，則可獲得充分的硬化性，且可獲得更良好的保存穩定性。若含量為50質量份以下，則容易獲得充分的保存穩定性，容易獲得充分的低溫貼附性。（F）硬化促進劑的含量的下限並無特別限制，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上。
（G）無機填料例如可列舉：銀粉、金粉、銅粉等金屬填料；二氧化矽（silica）、氧化鋁（alumina）、氮化硼、二氧化鈦（titania）、玻璃（glass）、氧化鐵、陶瓷（ceramic）等非金屬無機填料等。無機填料可根據所期望的功能進行選擇。例如金屬填料可以對暫時固定用樹脂組成物賦予觸變性（thixotropy）為目的而添加。非金屬無機填料可以對暫時固定用樹脂組成物賦予低熱膨脹性或低吸濕性為目的而添加。無機填料可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
所述無機填料較佳為在表面具有有機基的填料。藉由利用有機基修飾無機填料的表面，而容易使製備暫時固定用樹脂組成物時在有機溶劑中的分散性、以及由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的密接性及耐熱性提高。
在表面具有有機基的無機填料例如可藉由將下述通式（B-1）所表示的矽烷偶合劑（silane coupling agent）與無機填料混合，在30℃以上的溫度下進行攪拌而獲得。無機填料的表面經有機基修飾可利用UV（紫外線）測定、紅外線（Infrared Radiation，IR）測定、X射線光電子能譜（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS）測定等進行確認。
[化1]
式（B-1）中，X表示選自由苯基、縮水甘油氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、乙烯基、異氰酸酯基及甲基丙烯醯氧基所組成的組群中的有機基，s表示0或1～10的整數，R11 、R12 及R13 分別獨立地表示碳數1～10的烷基。碳數1～10的烷基例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、異丙基及異丁基。就容易獲取的觀點而言，碳數1～10的烷基較佳為甲基、乙基及戊基。就耐熱性更優異的觀點而言，X較佳為胺基、縮水甘油氧基、巰基及異氰酸酯基，更佳為縮水甘油氧基及巰基。就抑制高熱時的膜流動，進一步提高耐熱性的觀點而言，式（B-1）中的s較佳為0～5，更佳為0～4。
矽烷偶合劑例如可列舉：三甲氧基苯基矽烷、二甲基二甲氧基苯基矽烷、三乙氧基苯基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-(三乙氧基矽烷基)-1-丙胺、N,N'-雙(3-(三甲氧基矽烷基)丙基)乙二胺、聚氧乙烯丙基三烷氧基矽烷、及聚乙氧基二甲基矽氧烷。該些之中，較佳為3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、及3-巰基丙基三甲氧基矽烷，更佳為三甲氧基苯基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、及3-巰基丙基三甲氧基矽烷。矽烷偶合劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
關於所述矽烷偶合劑的使用量，就謀求進一步提高耐熱性的效果與保存穩定性的平衡性的觀點而言，相對於無機填料100質量份，較佳為0.01質量份～50質量份，更佳為0.05質量份～20質量份，就進一步提高耐熱性的觀點而言，進而較佳為0.5質量份～10質量份。
相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，本實施方式的暫時固定用樹脂組成物中的（G）無機填料的含量較佳為300質量份以下，更佳為200質量份以下，進而較佳為100質量份以下。無機填料的含量的下限並無特別限制，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份較佳為5質量份以上。藉由無機填料的含量為所述範圍，可充分確保由暫時固定用樹脂組成物所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）的接著性，且可賦予所期望的功能。
本實施方式的暫時固定用樹脂組成物可進而含有有機填料。有機填料可列舉：碳、橡膠系填料、矽酮系微粒子、聚醯胺微粒子、聚醯亞胺微粒子等。相對於（A）熱塑性樹脂100質量份，有機填料的含量較佳為300質量份以下，更佳為200質量份以下，進而較佳為100質量份以下。有機填料的含量的下限並無特別限制，相對於（A）熱塑性樹脂100質量份較佳為5質量份以上。
本實施方式的暫時固定用樹脂組成物可視需要使用有機溶劑進行稀釋，可含有有機溶劑。有機溶劑並無特別限定，可自沸點考慮製膜時的揮發性等而決定。具體而言，就在製膜時不進行膜的硬化的方面而言，例如較佳為甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯等沸點相對低的溶劑。另外，以提高製膜性等為目的，例如較佳為使用二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、環己酮等沸點相對高的溶劑。有機溶劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
本實施方式的暫時固定用樹脂組成物的固體成分濃度較佳為10質量%～80質量%。
本實施方式的暫時固定用樹脂組成物可藉由將（A）熱塑性樹脂、（B）熱硬化性樹脂、（C）(甲基)丙烯酸系單體、及（D）藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物、以及視需要的（E）矽酮化合物、（F）硬化促進劑、（G）無機填料、有機溶劑、及其他成分混合及混練而製備。混合及混練可適當組合通常的攪拌機、擂潰機、三輥磨（three-rod roll mill）、珠磨機（bead mill）等分散機而進行。
[暫時固定用樹脂膜及暫時固定用樹脂膜片] 本實施方式的暫時固定用樹脂膜是使本實施方式的暫時固定用樹脂組成物形成為膜狀而成的膜。本實施方式的暫時固定用樹脂膜是膜狀的暫時固定用樹脂組成物，包含本實施方式的暫時固定用樹脂組成物。本實施方式的暫時固定用樹脂膜片包括具有脫模性的支持膜、及本實施方式的暫時固定用樹脂膜，且在所述支持膜上設置所述暫時固定用樹脂膜。
本實施方式的暫時固定用樹脂膜例如可藉由將暫時固定用樹脂組成物塗佈於支持膜而容易地製造。另外，在利用有機溶劑稀釋暫時固定用樹脂組成物的情況下，可藉由將該樹脂組成物塗佈於支持膜，藉由加熱乾燥去除有機溶劑而製造。
在設置於支持膜上的暫時固定用樹脂膜上可視需要貼附保護膜。該情況下，可獲得後述具有包含支持膜、暫時固定用樹脂膜及保護膜的三層結構的暫時固定層樹脂膜片。
如此獲得的暫時固定用樹脂膜片例如可藉由捲取為輥狀而容易地保存。另外，亦可將輥狀膜切成適當的尺寸（size），製成片狀而保存。
圖1（A）是表示暫時固定用樹脂膜片的一實施方式的俯視圖，圖1（B）是沿著圖1（A）的I-I線的示意剖面圖。
圖1（A）～圖1（B）所示的暫時固定用樹脂膜片1包括具有脫模性的支持膜10、設置於支持膜10上的暫時固定用樹脂膜20、及設置於暫時固定用樹脂膜20的與支持膜10的相反側的保護膜30。
支持膜10的構成材料並無特別限制，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚醯胺、及聚醯亞胺。該些之中，就柔軟性及強韌性優異的觀點而言，支持膜10的構成材料較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚醯胺、或聚醯亞胺。另外，就進一步提高與暫時固定用樹脂膜（樹脂層）的剝離性的觀點而言，較佳為使用藉由矽酮系化合物、氟系化合物等實施了脫模處理的膜作為支持膜。
支持膜10的厚度可根據目標柔軟性而適當改變，較佳為3 μm～250 μm，更佳為5 μm～200 μm，進而較佳為7 μm～150 μm。若厚度為3 μm以上，則膜強度充分。若厚度為250 μm以下，則可獲得充分的柔軟性。
關於本實施方式的暫時固定用樹脂膜20的厚度，並無特別限定，以乾燥後的厚度計較佳為5 μm～300 μm。若厚度為5 μm以上，則厚度充分，因此膜或膜的硬化物的強度充分。若厚度為300 μm以下，則容易藉由充分的乾燥而減少膜中的殘留溶劑量，在對膜的硬化物進行加熱時可減少發泡。
在製造厚膜的膜的情況下，亦可將預先形成的厚度100 μm以下的多個膜彼此貼合。藉由使用如此貼合的膜，可使製作厚膜化膜時的殘存溶劑容易地降低。
就膜的操作性及對晶圓的貼附性（低溫貼附性等）優異的觀點而言，本實施方式的暫時固定用樹脂膜20在放射線照射前在120℃下的黏度較佳為200 Pa·s～6000 Pa·s。若黏度為200 Pa·s以上，則過於柔軟，因此可抑制膜不易操作。若黏度為6000 Pa·s以下，則過硬，因此可抑制無法獲得充分的貼附性（低溫貼附性等）。進而，本實施方式的暫時固定用樹脂膜20在放射線照射後在120℃下的黏度較佳為1000 Pa·s～10000 Pa·s。
此外，黏度可藉由以下方法進行測定。藉由將厚度60 μm的3片暫時固定用樹脂膜在80℃下進行層疊而使厚度成為180 μm，使用旋轉式黏彈性測定裝置（TA儀器（TA Instruments）股份有限公司製造，ARES），在測定方法為平行板（parall plate）、測定冶具為直徑8 mm的圓形、測定模式（mode）為動態溫度斜坡（Dynamic temperature ramp）、頻率為1 Hz的條件下，一面在35℃下提供5%的應變一面以20℃/分鐘的升溫速度升溫至120℃，測定120℃的黏度。
在本實施方式的暫時固定用樹脂膜20中，在放射線照射前在5℃以下保管（冷藏保管）12個月的情況下的黏度上升率（120℃）較佳為100%以下。
保護膜30的構成材料並無特別限制，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯及聚丙烯。該些之中，就柔軟性及強韌性優異的觀點而言，保護膜30的構成材料較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、或聚丙烯。另外，就進一步提高與暫時固定用樹脂膜（樹脂層）的剝離性的觀點而言，較佳為使用藉由矽酮系化合物、氟系化合物等實施了脫模處理的膜作為保護膜。
保護膜30的厚度可根據目標柔軟性而適當設定，較佳為10 μm～250 μm，更佳為15 μm～200 μm，進而較佳為20 μm～150 μm。若厚度為10 μm以上，則膜強度充分。若厚度為250 μm以下，則可獲得充分的柔軟性。
圖2（A）是表示暫時固定用樹脂膜片的另一實施方式的俯視圖，圖2（B）是沿著圖2（A）的II-II線的示意剖面圖。
圖2（A）～圖2（B）所示的暫時固定用樹脂膜片2除根據暫時固定的構件的形狀將暫時固定用樹脂膜20及保護膜30預先裁斷以外，具有與暫時固定用樹脂膜片1相同的構成。此外，圖2（A）～圖2（B）中，去除了經裁斷的暫時固定用樹脂膜20及保護膜30的外緣部，但亦可根據暫時固定的構件的形狀在暫時固定用樹脂膜及保護膜設置切縫，殘留外緣部。
[半導體晶圓加工方法] 本實施方式的半導體晶圓的加工方法依序包括下述步驟（a）～步驟（c），任意地包括下述步驟（d）。此外，所謂放射線照射是指紫外線（UV）、可見光線等活性光線的照射。 （a）暫時固定步驟，將半導體晶圓經由暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）暫時固定於支持體 （b）加工步驟，對暫時固定於支持體的所述半導體晶圓進行加工 （c）分離步驟，將經加工的所述半導體晶圓自支持體及暫時固定材分離 （d）洗滌步驟，在半導體晶圓有殘渣的情況下進行洗滌
圖3（A）、圖3（B）及圖3（C）是用以說明半導體晶圓的加工方法的一實施方式的示意剖面圖，圖3（D）是表示加工後的半導體晶圓的俯視圖。
＜（a）暫時固定步驟＞ 在所述暫時固定步驟中，對暫時固定材進行放射線照射。暫時固定步驟是在將半導體晶圓經由暫時固定材暫時固定於支持體時進行放射線照射的步驟。藉由進行放射線照射，產生鹼與自由基，開始反應。在暫時固定步驟中，可在將半導體晶圓暫時固定於支持體之前對暫時固定材照射放射線，亦可在將半導體晶圓暫時固定於支持體之後對暫時固定材照射放射線。例如，在支持體為透明體（玻璃載體（glass carrier）等）的情況下，可在將半導體晶圓暫時固定於支持體之後對暫時固定材照射放射線。另一方面，在支持體並非為透明體的情況下，較佳為在將半導體晶圓暫時固定於支持體之前對暫時固定材照射放射線。
圖3（A）表示在支持體50及半導體晶圓60之間介存由本實施方式的暫時固定用樹脂組成物或暫時固定用樹脂膜所形成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等）40而將半導體晶圓60暫時固定於支持體50的步驟。下文對剝離層52進行敍述。
半導體晶圓60的厚度並無特別限制，可設為600 μm～800 μm。
＜（a-1）在半導體晶圓60上的暫時固定材的形成＞ 在使用暫時固定用樹脂組成物的情況下，可藉由旋轉塗佈（spin coat）等方法在半導體晶圓60的元件形成面上形成暫時固定材40。在利用有機溶劑稀釋暫時固定用樹脂組成物的情況下，旋轉塗佈後，根據其溶劑的揮發條件，藉由加熱乾燥將有機溶劑去除，而形成暫時固定材40。
在使用暫時固定用樹脂膜20的情況下，可使用輥貼合機（roll laminator）、真空貼合機（vacuum laminator）等，在半導體晶圓60的元件形成面上層疊暫時固定用樹脂膜20，藉此設置暫時固定材40。
＜（a-2）對暫時固定材的放射線照射（增黏化）＞ 使用放射線曝光機（UV曝光機等）以10 mJ/cm2 ～10000 mJ/cm2 進行照射，藉此使暫時固定材40增黏化。
另外，藉由進行放射線（UV等）照射，引起暫時固定材40中的（D）成分（α-胺基酮化合物等）的解離，產生自由基與鹼（胺等）。並且，由於藉由自由基而引起（C）(甲基)丙烯酸系單體等光反應性單體的聚合反應，且鹼（胺等）具有熱硬化性樹脂的硬化促進作用，因此以後會藉由加熱而促進硬化。
＜（a-3）支持體50的貼附＞ 其次，在晶圓接合裝置或真空貼合機上設置形成有進行放射線（UV等）照射而增黏化的暫時固定材40的半導體晶圓60，利用壓製（press）按壓貼附支持體50。
在使用晶圓接合裝置的情況下，例如使用EVG公司製造的真空壓製機EVG520IS（商品名），在氣壓1 hPa以下、壓接壓力1 MPa、壓接溫度60℃～200℃、保持時間100秒～300秒下，將半導體晶圓60與支持體50經由暫時固定材40暫時固定。
在使用真空貼合機的情況下，例如使用NPC股份有限公司製造的真空貼合機LM-50×50-S（商品名）、日合-莫頓（Nichigo-Morton）股份有限公司製造的真空貼合機V130（商品名）等，在氣壓1 hPa以下、壓接溫度40℃～180℃（較佳為60℃～150℃）、層疊壓力0.01 MPa～0.5 MPa（較佳為0.1 MPa～0.5 MPa）、保持時間1秒～600秒（較佳為30秒～300秒）下，將半導體晶圓60與支持體50經由暫時固定材40暫時固定。
＜（a-4）暫時固定材的硬化＞ 將半導體晶圓60與支持體50經由暫時固定材40暫時固定後，在100℃～200℃下加熱1分鐘～60分鐘，藉此進行暫時固定材40的熱硬化。
本實施方式的支持體並無特別限制，可使用矽晶圓、玻璃晶圓、石英晶圓等基板。
亦可對本實施方式的支持體進行剝離處理，如圖3（A）般藉由對支持體50的表面的全部或一部分進行剝離處理而形成剝離層52。用於剝離處理的剝離劑並無特別限定，就剝離性更優異的觀點而言，例如較佳為具有氟元素的表面改質劑、聚烯烴系蠟（wax）、矽酮油、含有反應性基的矽酮油及矽酮改質醇酸樹脂。
若使用如以上說明的構成的暫時固定材（膜狀的暫時固定材等），則可使用支持體在高溫下進行半導體晶圓的加工，可在加工後在室溫下將暫時固定用樹脂組成物自半導體晶圓及支持體無糊劑殘留地剝離。
＜（b）加工步驟＞ 加工步驟中的加工可列舉：晶圓級（wafer level）所使用的研削、電極形成、金屬配線形成、保護膜形成等。研削方式並無特別限制，可利用公知的研削方式。研削較佳為一面對半導體晶圓與磨石（金剛石（diamond）等）噴灑水將其冷卻一面進行。
例如，如圖3（B）所示，藉由研磨機（grinder）90對半導體晶圓60的背面（即，半導體晶圓60的與接觸於暫時固定材40之側相反之側的面）進行研削，例如將700 μm左右的厚度薄化至100 μm以下而獲得半導體晶圓80。
進行研削加工的裝置例如可列舉迪斯科（DISCO）股份有限公司製造的DGP-8761（商品名）等，該情況下的切削條件可根據所期望的半導體晶圓的厚度及研削狀態而任意選擇。
具體而言，其他加工步驟可列舉：用以形成電極等的金屬濺鍍（sputtering）、對金屬濺鍍層進行蝕刻的濕式蝕刻（wet etching）、用以遮罩金屬配線的抗蝕劑（resist）的塗佈、利用曝光·顯影的圖案（pattern）的形成、抗蝕劑的剝離、乾式蝕刻（dry etching）、金屬鍍敷的形成、用以形成TSV的矽蝕刻、矽表面的氧化膜形成等公知的製程。
圖3（C）是表示對經薄化的半導體晶圓80的背面側進行乾式離子蝕刻或波希製程（Bosch process）等加工，形成貫通孔後，進行銅鍍敷等處理，從而形成貫通電極82的例子。
藉此，對半導體晶圓80實施預定的加工。圖3（D）是加工後的半導體晶圓80的俯視圖。經加工的半導體晶圓80是藉由沿著切割線（dicing line）84的切割而單片化為半導體元件。
＜（c）分離步驟＞ 圖4（A）～圖4（C）是用以對將經加工的半導體晶圓自支持體及暫時固定材分離的分離步驟的一實施方式進行說明的示意剖面圖。本實施方式的分離步驟包括：第一剝離步驟，自支持體將半導體晶圓剝離；及第二剝離步驟，自半導體晶圓將暫時固定材剝離。第一剝離步驟是將在加工步驟中實施了加工的半導體晶圓自支持體剝離的步驟，即對經薄型化的半導體晶圓實施各種加工後且進行切割前自支持體剝離的步驟。剝離方法主要可列舉：藉由一面對半導體晶圓與支持體進行加熱（較佳為200℃～250℃）一面沿水平方向向相反方向滑動而將兩者分離的方法；將半導體晶圓或支持體的其中一者預先水平地固定，將另一者自水平方向賦予一定的角度而提拉的方法；及在經研削的半導體晶圓的研削面貼附保護膜，將半導體晶圓與保護膜以剝離（peel）方式自支持體剝離的方法等；可無特別限制地採用。
本實施方式中可應用該些剝離方法的全部，但預先將如圖4（A）所示的半導體晶圓80或支持體50的其中一者水平地固定，將另一者自水平方向賦予一定的角度而提拉的方法；及在經研削的半導體晶圓的研削面貼附保護膜，將半導體晶圓與保護膜以剝離方式剝離的方法等更合適。該些剝離方法通常是在室溫下實施，但亦可在40℃～100℃左右的不會對半導體晶圓造成損傷的溫度下實施。在機械分解時，例如可使用De-Bonder（SUSS股份有限公司製造，DB12T）、De-Bonding裝置（EVG公司製造，EVG805EZD）等。
在第二剝離步驟中，例如，如圖4（B）所示，預先將半導體晶圓80水平地固定，將暫時固定材70的端部自水平方向賦予一定的角度而提拉，藉此可獲得剝離了暫時固定材的半導體晶圓80（參照圖4（C））。在本實施方式中，藉由使用本實施方式的暫時固定用樹脂組成物而形成暫時固定材，可容易地獲得充分減少了糊劑殘留等殘渣的加工完畢的半導體晶圓。
在本實施方式中，第一剝離步驟中，亦可在半導體晶圓與暫時固定材之間進行分離而獲得加工完畢的半導體晶圓。
＜（d）洗滌步驟＞ 半導體晶圓的電路形成面容易殘存暫時固定材的一部分。在經剝離的半導體晶圓的電路形成面殘存一部分暫時固定材的情況下，可設置用以將其去除的洗滌步驟。暫時固定材的去除例如可藉由對半導體晶圓進行洗滌而進行。
對於所使用的洗滌液，只要為可將一部分殘存的暫時固定材去除的洗滌液，則並無特別限制，例如可列舉可用於暫時固定用樹脂組成物的稀釋的所述有機溶劑。有機溶劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
另外，在不易將殘存的暫時固定材去除的情況下，亦可在有機溶劑中添加鹼類或酸類。鹼類可使用乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙基胺、氨等胺類；氫氧化四甲基銨等銨鹽類等。酸類可使用乙酸、草酸、苯磺酸、十二烷基苯磺酸等有機酸等。添加量以洗滌液中的濃度計較佳為0.01質量%～10質量%。另外，為了提高殘存物的去除性，亦可添加已存的界面活性劑。
洗滌方法並無特別限制，例如可列舉：使用所述洗滌液進行利用覆液（puddle）的洗滌的方法、利用噴射噴霧的洗滌方法、及浸漬於洗滌液槽的方法。溫度為10℃～80℃，較佳為15℃～65℃，最終進行水洗或醇洗滌，並進行乾燥處理，獲得薄型的半導體晶圓80。
此外，如上所述，根據本實施方式的暫時固定用樹脂組成物，可充分減少糊劑殘留等殘渣，因此可省略洗滌步驟。
經加工的半導體晶圓80是藉由沿著切割線84（參照圖3（D））的切割而單片化為半導體元件。此外，亦可在藉由切割而單片化為半導體元件後進行分離步驟。
在本實施方式中，可藉由將所獲得的半導體元件連接於其他半導體元件或半導體元件搭載用基板而製造半導體裝置。
圖5（A）～圖5（B）是用以說明半導體裝置的製造方法的一實施方式的示意剖面圖。首先，藉由上述方法，準備形成貫通電極86且經單片化所得的半導體元件100（圖5（A））。並且，將半導體元件100在配線基板110上積層多個，藉此可獲得半導體裝置120（圖5（B））。 [實施例]
以下，藉由實施例及比較例更具體地說明本發明，但本發明並不限定於以下實施例。
（實施例1～實施例8、比較例1～比較例3） [清漆（varnish）（暫時固定用樹脂組成物）的製備] 按照表1及表2所示的質量份的組成調配（A）熱塑性樹脂、（B）熱硬化性樹脂、（C）(甲基)丙烯酸系單體、（D）藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物（表中表示為（D）化合物）、（E）矽酮化合物、（F）硬化促進劑及溶劑，分別製備清漆。此外，表1及表2中的「UV照射」是指暫時固定步驟中的UV照射。表1及表2中的調配單位為「質量份」。
[表1]
[表2]
表1及表2中的各成分的詳情如下所述。 MTR-860P-3CSP：利用GPC獲得的重量平均分子量80萬、具有源自甲基丙烯酸縮水甘油酯的結構單元與源自丙烯腈的結構單元的(甲基)丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸縮水甘油酯3質量%、Tg12℃的丙烯酸橡膠（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造） HTR-860P-3CSP-30B：利用GPC獲得的重量平均分子量30萬、具有源自甲基丙烯酸縮水甘油酯的結構單元與源自丙烯腈的結構單元的(甲基)丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸縮水甘油酯8質量%、Tg12℃的丙烯酸橡膠（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造） YDCN-700-10：甲酚酚醛清漆型多官能環氧樹脂（新日鐵住金化學股份有限公司製造） YDF-8170C：雙酚F型二官能環氧樹脂（新日鐵住金化學股份有限公司製造） XLC-LL：苯酚芳烷基樹脂（三井化學股份有限公司製造） GPH-103：聯苯芳烷基型酚樹脂（日本化藥股份有限公司製造） A-DPH：二季戊四醇六丙烯酸酯（新中村化學工業股份有限公司製造） A-9300：乙氧基化異三聚氰酸三丙烯酸酯（新中村化學工業股份有限公司製造） 豔佳固（IRGACURE）-184（I-I84）：聚合起始劑（巴斯夫（BASF）股份有限公司製造）「1-羥基-環己基-苯基-酮」 豔佳固（IRGACURE）-369（I-369）：α-胺基酮化合物（巴斯夫（BASF）股份有限公司製造）「2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉-4-基苯基)-丁烷-1-酮」 TA31-209E：矽酮改質醇酸樹脂（日立化成聚合物股份有限公司製造） SH3773M：聚醚改質矽酮化合物（東麗·陶氏化學（Toray·Dow Chemical）股份有限公司製造） 2PZ-CN：咪唑系硬化促進劑（四國化成工業股份有限公司製造）
[暫時固定用樹脂膜的製作] 將所製備的清漆塗佈於經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（支持膜。杜邦帝人薄膜（Teijin Dupont Films）股份有限公司製造，A31，厚度38 μm）的脫模處理面上，在90℃下進行10分鐘加熱乾燥，在120℃下進行30分鐘加熱乾燥。其次，將保護膜貼附於塗佈面，分別獲得附有保護膜及支持膜的暫時固定用樹脂膜。暫時固定用樹脂膜的膜厚為30 μm。使用實施例1～實施例8及比較例1～比較例3的暫時固定用樹脂膜進行以下的試驗，將其評價結果匯總於表3及表4。
[黏度測定] 黏度是藉由以下方法而測定。將厚度60 μm的3片暫時固定用樹脂膜在80℃下層疊，藉此使厚度成為180 μm，使用旋轉式黏彈性測定裝置（TA儀器（TA Instruments）股份有限公司製造，ARES），在測定方法為平行板（parall plate）、測定冶具為直徑8 mm的圓形、測定模式（mode）為動態溫度斜坡（Dynamic temperature ramp）、頻率為1 Hz的條件下，一面在35℃下提供5%的應變一面以20℃/分鐘的升溫速度升溫至120℃，測定120℃的黏度。
[低溫貼附性試驗] 自附有保護膜及支持膜的暫時固定用樹脂膜剝離保護膜。其次，使用日合-莫頓（Nichigo-Morton）股份有限公司製造的真空貼合機V130，在氣壓1 hPa以下、壓接溫度80℃、層疊壓力0.5 MPa、保持時間60秒下，對半導體晶圓進行暫時固定用樹脂膜的層疊（在半導體晶圓上的膜的層疊）。繼而，剝離支持膜。藉此，獲得附有暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓。 並且，使用HQP-2型曝光機（奧克（ORC）製作所股份有限公司製造，UV-330），以1000 mJ/cm2 對附有暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓進行曝光（UV照射），獲得附有曝光完畢的暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓。 並且，使用日合-莫頓（Nichigo-Morton）股份有限公司製造的真空貼合機V130，在氣壓1 hPa以下、壓接溫度100℃、層疊壓力0.5 MPa、保持時間100秒下，將支持體與附有暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓進行壓接（對支持體的壓接），並且將支持體與附有曝光完畢的暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓進行壓接（對支持體的壓接），獲得積層樣品（sample）。 其後，使用超音波顯微鏡（SAM，英賽特（Insight）股份有限公司製造，英賽特（Insight）-300）確認暫時固定用樹脂膜的狀態。將未見暫時固定用樹脂膜的剝離的樣品評價為「○」，將可見剝離的樣品評價為「×」。
[保存穩定性] 加速試驗是在設定為40℃的烘箱（oven）中將暫時固定用樹脂膜放置5天後將保護膜剝離。其後，使用日合-莫頓（Nichigo-Morton）股份有限公司製造的真空貼合機V130，在氣壓1 hPa以下、壓接溫度80℃、層疊壓力0.5 MPa、保持時間60秒下對半導體晶圓進行暫時固定用樹脂膜的層疊（在半導體晶圓上的膜的層疊）。繼而，將支持膜剝離。藉此，獲得附有暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓。 然後，使用HQP-2型曝光機（奧克（ORC）製作所股份有限公司製造，UV-330），以1000 mJ/cm2 對附有暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓進行曝光（UV照射），獲得附有曝光完畢的暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓。 然後，使用日合-莫頓（Nichigo-Morton）股份有限公司製造的真空貼合機V130，在氣壓1 hPa以下、壓接溫度100℃、層疊壓力0.5 MPa、保持時間100秒下，將支持體與附有暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓進行壓接（對支持體的壓接），並且將支持體與附有曝光完畢的暫時固定用樹脂膜的半導體晶圓進行壓接（對支持體的壓接），獲得積層樣品。 其後，使用超音波顯微鏡（SAM，英賽特（Insight）股份有限公司製造，英賽特（Insight）-300）確認暫時固定用樹脂膜的狀態。將未見暫時固定用樹脂膜的剝離的樣品評價為「○」，將可見剝離的樣品評價為「×」。
[背面研磨試驗] 與所述低溫貼附性試驗同樣地進行在半導體晶圓上的膜的層疊、UV照射、及對支持體的壓接後，在設定為140℃的烘箱中保持15分鐘而製作積層樣品。其次，使用全自動研磨拋光機（Full Auto Grinder Polisher）（迪斯科（DISCO）股份有限公司製造，DGP-8761）對積層樣品中的半導體晶圓表面進行研削。齒輪（wheel）分別使用單軸：GF01-SDC320-BT300-50、雙軸：IF-01-1-4/6-B·K09、三軸：DPEG-GA0001。將吸盤台（chuck table）轉數設為300 min-1 ，將齒輪轉數設為單軸：3200 min-1 、雙軸；3400 min-1 、三軸：1400 min-1 ，以橫向進給（cross feed）方式進行研削。以單軸進行研削至厚度142 μm後，以雙軸進行研削至厚度102 μm，進而以三軸進行研削至厚度100 μm。將在研削結束時點未產生破裂及偏差的樣品評價為「○」，將產生破裂或偏差的樣品評價為「×」。
[短時間硬化試驗] 與所述低溫貼附性試驗同樣地進行在半導體晶圓上的膜的層疊、UV照射、及對支持體的壓接後，在設定為140℃的烘箱中保持15分鐘。進而，與所述背面研磨試驗同樣地進行背面研磨而製作積層樣品。其次，使用超音波顯微鏡（SAM，英賽特（Insight）股份有限公司製造，英賽特（Insight）-300）確認積層樣品中的暫時固定用樹脂膜的狀態。其後，將積層樣品在設定為200℃的烘箱中放置2小時。繼而，再次使用SAM確認暫時固定用樹脂膜的狀態，將即便放置於烘箱中亦未產生暫時固定用樹脂膜的剝離的樣品評價為「○」，將產生剝離的樣品評價為「×」。
[自支持體的剝離試驗] 與所述低溫貼附性試驗同樣地進行在半導體晶圓上的膜的層疊、UV照射、及對支持體的壓接後，在設定為140℃的烘箱中保持15分鐘。進而，與所述背面研磨試驗同樣地進行背面研磨後，在設定為200℃的烘箱中放置2小時而製作積層樣品。其次，使用De-Bonder（SUSS股份有限公司製造，DB12T）自支持體剝離半導體晶圓。此時，將可在半導體晶圓不破裂的情況下剝離支持體的樣品評價為「○」，將無法剝離的樣品評價為「×」。
[自半導體晶圓的剝離試驗] 與所述低溫貼附性試驗同樣地進行在半導體晶圓上的膜的層疊、UV照射、及對支持體的壓接後，在設定為140℃的烘箱中保持15分鐘。進而，與所述背面研磨試驗同樣地進行背面研磨後，在設定為200℃的烘箱中放置2小時。繼而，剝離支持體後，利用鑷子（pincette）提拉貼附於半導體晶圓的暫時固定用樹脂膜的端部，以90°的角度將暫時固定用樹脂膜剝離，確認能否剝離。此時，將已自半導體晶圓剝離了暫時固定用樹脂膜的樣品評價為「○」，將無法剝離的樣品評價為「×」。
[表3]
[表4]
根據實施例1～實施例8，確認到可獲得即便於在160℃以下的條件下貼附於半導體晶圓的情況下亦可獲得良好的背面研磨性的充分的低溫貼附性與平坦性，並且耐熱性及剝離性優異。 相對於此，比較例1由於不使用α-胺基酮化合物（（D）化合物），因此藉由UV照射，不產生鹼及自由基，低溫短時間硬化變得不充分。 比較例2由於α-胺基酮化合物（（D）化合物）少，因此進行UV照射時，所產生的鹼及自由基的量少，低溫短時間硬化變得不充分。 比較例3由於不使用α-胺基酮化合物（（D）化合物），因此在低溫短時間硬化性方面存在問題。 因此，可知本發明的暫時固定用樹脂組成物、以及使用該暫時固定用樹脂組成物的暫時固定用樹脂膜適於包括進行放射線照射（UV照射等）的暫時固定步驟的半導體晶圓的加工方法。
1、2‧‧‧暫時固定用樹脂膜片
10‧‧‧支持膜
20‧‧‧暫時固定用樹脂膜
30‧‧‧保護膜
40、70‧‧‧暫時固定材
50‧‧‧支持體
52‧‧‧剝離層
60、80‧‧‧半導體晶圓
82、86‧‧‧貫通電極
84‧‧‧切割線
90‧‧‧研磨機
100‧‧‧半導體元件
110‧‧‧配線基板
120‧‧‧半導體裝置
圖1（A）是表示本發明的暫時固定用樹脂膜片的一實施方式的俯視圖，圖1（B）是沿著圖1（A）的I-I線的示意剖面圖。 圖2（A）是表示本發明的暫時固定用樹脂膜片的另一實施方式的俯視圖，圖2（B）是沿著圖2（A）的II-II線的示意剖面圖。 圖3（A）、圖3（B）及圖3（C）是用以說明半導體晶圓的加工方法的一實施方式的示意剖面圖，圖3（D）是表示加工後的半導體晶圓的俯視圖。 圖4（A）～圖4（C）是用以說明將經加工的半導體晶圓自支持體及暫時固定材分離的分離步驟的一實施方式的示意剖面圖。 圖5（A）～圖5（B）是用以說明半導體裝置的製造方法的一實施方式的示意剖面圖。
1‧‧‧暫時固定用樹脂膜片
10‧‧‧支持膜
20‧‧‧暫時固定用樹脂膜
30‧‧‧保護膜

Claims (10)

  1. 一種暫時固定用樹脂組成物，其是用以形成在半導體晶圓的加工方法中所使用的暫時固定材的暫時固定用樹脂組成物，並且 所述暫時固定用樹脂組成物含有（A）熱塑性樹脂、（B）熱硬化性樹脂、（C）(甲基)丙烯酸系單體、及（D）藉由放射線而產生鹼與自由基的化合物， 相對於（C）成分100質量份，（D）成分的含量為5質量份以上， 所述半導體晶圓的加工方法包括：暫時固定步驟，將半導體晶圓經由所述暫時固定材暫時固定於支持體；加工步驟，對暫時固定於所述支持體的所述半導體晶圓進行加工；以及分離步驟，將經加工的所述半導體晶圓自所述支持體及所述暫時固定材分離；並且 在所述暫時固定步驟中對所述暫時固定材進行放射線照射。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的暫時固定用樹脂組成物，其中所述（C）成分具有2個以上的官能基。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時固定用樹脂組成物，其進而含有環氧樹脂硬化劑，並且 （B）成分為環氧樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的暫時固定用樹脂組成物，其中（A）成分為具有反應性基的(甲基)丙烯酸系共聚物。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的暫時固定用樹脂組成物，其進而含有矽酮化合物。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的暫時固定用樹脂組成物，其進而含有硬化促進劑。
  7. 一種暫時固定用樹脂膜，其是使如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的暫時固定用樹脂組成物形成為膜狀而成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的暫時固定用樹脂膜，其於放射線照射前，在120℃下的黏度為200 Pa·s～6000 Pa·s。
  9. 一種暫時固定用樹脂膜片，其包括具有脫模性的支持膜、及如申請專利範圍第7項或第8項所述的暫時固定用樹脂膜，並且 在所述支持膜上設置有所述暫時固定用樹脂膜。
  10. 一種半導體晶圓的加工方法，其包括： 暫時固定步驟，將半導體晶圓經由暫時固定材暫時固定於支持體； 加工步驟，對暫時固定於所述支持體的所述半導體晶圓進行加工；以及 分離步驟，將經加工的所述半導體晶圓自所述支持體及所述暫時固定材分離；並且 在所述暫時固定步驟中對所述暫時固定材進行放射線照射， 所述暫時固定材為如申請專利範圍第7項或第8項所述的暫時固定用樹脂膜。
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