TW201605552A - 利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法 - Google Patents

利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201605552A
TW201605552A TW104125734A TW104125734A TW201605552A TW 201605552 A TW201605552 A TW 201605552A TW 104125734 A TW104125734 A TW 104125734A TW 104125734 A TW104125734 A TW 104125734A TW 201605552 A TW201605552 A TW 201605552A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
ozone
liquid
chamber
liquid mixing
Prior art date
Application number
TW104125734A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI579063B (zh
Inventor
子瑛 溫
張倪濤
Original Assignee
無錫華瑛微電子技術有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 無錫華瑛微電子技術有限公司 filed Critical 無錫華瑛微電子技術有限公司
Publication of TW201605552A publication Critical patent/TW201605552A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI579063B publication Critical patent/TWI579063B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/005—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being ozonated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明公開了一種利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法。裝置包括臭氧發生器、溶劑瓶、氣液混合裝置、密閉腔、氣液輸送系統和氣液排放系統；臭氧發生器和溶劑瓶分別與氣液混合裝置對應的入口相連，氣液混合裝置的出口與密閉腔的至少一個入口相連；密閉腔採用微處理腔，微處理腔包括相配合的上腔室部和下腔室部。通過將含臭氧的氣液混合流體或含臭氧的溶液和臭氧氣體輸入一個密閉腔裡，提高氣相中臭氧的分壓，縮短臭氧從產生到被使用的時間，以保證臭氧在溶液中的濃度，從而提高含臭氧流體對放在密閉腔體內晶片表面的處理效果。

Description

利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法
本發明涉及半導體材料的製作工藝，具體地說是一種利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法。
在半導體製造工序中，為了製備超淨的半導體晶片表面，通常利用各種不同的化學液或氣體根據不同工藝需求進行清洗處理。目前，大多數清洗工藝仍以傳統RCA清洗配方(簡稱SC1和SC2清洗液)和由硫酸與雙氧水混合成的清洗溶液（簡稱SPM）為主。硫酸與雙氧水混合清洗溶液用於去除晶片表面的有機物污染物、去除晶片表面的光刻膠以及在晶片表面生成一層薄氧化層，而由氫氧化銨與過氧化氫混合成的1號清洗液（SC1）用於去除晶片表面的顆粒、去除部分有機物以及去除部分金屬，由鹽酸與過氧化氫混合成的2號清洗液（SC2）用於去除晶片表面的金屬離子。RCA清洗配方裡都含有用於氧化反應的過氧化氫，SPM清洗工藝需要消耗大量的濃硫酸，後續還需要大量的超純水漂洗，既不環保又對操作人員安全和健康存在潛在威脅；因此有必要尋找一種安全、經濟、環保，同時清洗效果與SPM相當或更好的替代清洗工藝和配方。
眾所周知，臭氧氣體具有極強的氧化性，能與很多物質發生氧化還原化學反應，如有機物和矽等，氧化還原反應後臭氧被還原成為氧氣，對人和環境無害，所以臭氧氣體或將臭氧氣體與水混合形成的臭氧水溶液是個安全、經濟、環保的清洗工藝和配方。一直以來，臭氧水溶液一直被研究用於去除有機物污染物和去除光刻膠，但一直未能廣泛應用，其中主要原因是在發生化學反應時臭氧的濃度難以保證和控制，不能滿足工藝要求。
正常狀態下，臭氧氣體在水中的溶解濃度遵循亨利定律，液相中臭氧濃度和氣相臭氧分壓成正比。為了制取高濃度的臭氧水溶液，必須提高氣相中臭氧的分壓。現有基於浸沒與噴射技術的清洗設備，均是預先將臭氧與水混合形成較高濃度的臭氧水溶液，再將配好的較高濃度的臭氧溶液輸送到浸泡池裡或噴淋到晶片表面上，進行表面處理。由於處理時均處於較開放的環境，當臭氧水溶液一旦進入浸泡池裡或噴淋到晶圓表面上時，由於氣液介面的氣相中臭氧的濃度很難維持在高濃度水準，即氣相中的臭氧分壓較低，水中的臭氧會馬上從液體和氣體的介面上逸出，跑到氣相中。臭氧水溶液中的臭氧濃度會因此快速不斷降低從而影響處理效果。
本發明針對上述問題，提供一種利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法，該裝置與方法不僅能提高含臭氧流體對半導體晶片表面的處理效果，而且能降低所用氣體和液體的消耗，減少排放。
本發明中的裝置的技術方案如下：一種利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置，包括臭氧發生器、溶劑瓶、氣液混合裝置及密閉腔，還包括氣液輸送系統和氣液排放系統；所述臭氧發生器和所述溶劑瓶分別與所述氣液混合裝置對應的入口相連，所述氣液混合裝置的出口與所述密閉腔的至少一個入口相連。
進一步地，所述氣液混合裝置與所述密閉腔之間設有一個氣液分離裝置；所述氣液混合裝置的出口與所述氣液分離裝置的入口相連，所述氣液分離裝置的至少一個出口與所述密閉腔的至少一個入口相連。
進一步地，所述氣液混合裝置、所述密閉腔和所述氣液分離裝置之間設有一個切換閥門，所述切換閥門的三個出口分別與所述氣液混合裝置、所述密閉腔及所述氣液分離裝置連接，所述氣液分離裝置的至少一個出口與所述氣液混合裝置的至少一個入口連接。
進一步地，還包含另一個氣液混合裝置、另一個臭氧發生裝置、另一個溶劑瓶以及另一個切換閥門；所述另一個臭氧發生器和所述另一個溶劑瓶分別與所述另一個氣液混合裝置對應的入口相連；其中一個所述切換閥門的四個出口分別與所述兩個氣液混合裝置、所述密閉腔以及另一個所述切換閥門相連；所述另一個切換閥門的三個出口中的另兩個出口分別與所述兩個氣液分離裝置相連。
進一步地，還包含另一個氣液分離裝置和另一個切換閥門；其中一個所述切換閥門的四個出口分別與所述氣液混合裝置、所述密閉腔以及所述兩個氣液分離裝置相連；所述另一個切換閥門的三個出口分別與所述氣液混合裝置以及所述兩個氣液分離裝置相連。
進一步地，還包含另一個臭氧發生器，所述另一個臭氧發生器的至少一個出口與所述密閉腔的至少一個入口相連。
進一步地，所述密閉腔採用微處理腔結構，所述微處理腔包括相配合的上腔室部和下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一個供處理流體進入所述微處理腔的入口和至少一個供處理流體排出所述微處理腔的出口。
本發明中的方法的技術方案如下：一種利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置的使用方法，所述裝置包括臭氧發生器、溶劑瓶、氣液混合裝置及密閉腔，所述方法包括以下步驟：首先將所述臭氧發生器產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置內進行混合，得到臭氧氣體和臭氧溶液的混合流體；然後將該混合流體即刻送入所述密閉腔中。
進一步地，所述氣液混合裝置與所述密閉腔之間設有一個氣液分離裝置，將在所述氣液混合裝置中得到的混合流體送至所述氣液分離裝置中，經氣液分離後再將臭氧溶液送至所述密閉腔中。
進一步地，所述氣液混合裝置、所述密閉腔和所述氣液分離裝置之間設有一個切換閥門，將在所述氣液混合裝置中得到的混合流體通過所述切換閥門切換進入所述氣液分離裝置，經氣液分離後再次進入所述氣液混合裝置，以便得到濃度更高的混合流體，直至達到希望的濃度後通過切換所述切換閥門經不同的通道進入所述密閉腔中，一路通道是直接進入所述密閉腔，另一路通道是進入所述氣液分離裝置，經氣液分離後再將臭氧溶液送至所述密閉腔中。
進一步地，還包含另一個氣液混合裝置、另一個臭氧發生裝置、另一個溶劑瓶以及另一個切換閥門；將在所述之一的氣液混合裝置中多次氣液混合得到的更高濃度的混合流體通過所述之一的切換閥門切換進入所述密閉腔中，同時在所述另一個氣液混合裝置內發生混合流體的多次氣液混合，以得到濃度更高的混合流體；待所述之一的氣液混合裝置中得到的混合流體用盡後，通過切換所述之一的切換閥門使所述另一個氣液混合裝置中已生成的更高濃度的混合流體進入所述密閉腔中，同時在所述之一的氣液混合裝置中再次發生混合流體的多次氣液混合。
進一步地，還包含另一個氣液分離裝置和另一個切換閥門；將在所述之一的氣液分離裝置中得到的更高濃度的臭氧溶液通過所述之一的切換閥門切換進入所述密閉腔中，同時在所述氣液混合裝置內發生混合流體的多次氣液混合，並在所述另一個氣液分離裝置內得到濃度更高的臭氧溶液；待所述之一的氣液分離裝置裡得到的臭氧溶液用盡後，通過切換所述之一的切換閥門使所述另一個氣液分離裝置裡得到的更高濃度的臭氧溶液進入所述密閉腔中，同時在所述氣液混合裝置內再次發生混合流體的多次氣液混合，並在所述之一的氣液分離裝置內得到濃度更高的臭氧溶液。
進一步地，還包含另一個臭氧發生器，在將含臭氧的混合流體或者含臭氧的溶液輸入所述密閉腔的同時，將另一臭氧發生器產生的臭氧氣體輸送至所述密閉腔中。
利用本發明裝置產生的臭氧在半導體基片表面形成鈍化層的方法，包括以下三種技術方案。
一種技術方案如下：
一種半導體基片表面鈍化層的形成方法，用於對剛出爐的半導體基片進行鈍化處理，包括以下步驟：
(1)將出爐的半導體基片裝入微處理腔；
(2)密閉微處理腔；
(3)向微處理腔內通入臭氧氣體2-10min；
(4)打開微處理腔，取出半導體基片。
另一種技術方案如下：
一種半導體基片表面鈍化層的形成方法，用於對有自然氧化層的半導體基片進行鈍化處理，包括以下步驟：
(1)將半導體基片裝入微處理腔；
(2)密閉微處理腔；
(3)向微處理腔內通入含HF的氣體或液體；
(4)向微處理腔內通入超純水；
(5)乾燥微處理腔；
(6)向微處理腔內通入臭氧氣體2-10min；
(7)打開微處理腔，取出半導體基片。
再一種技術方案如下：
一種半導體基片表面鈍化層的形成方法，用於對有自然氧化層的半導體基片進行鈍化處理，包括以下步驟：
(1)將半導體基片裝入微處理腔；
(2)密閉微處理腔；
(3)向微處理腔內通入含HF的氣體或液體；
(4)向微處理腔內通入臭氧水2-10min，所述臭氧水是利用氣流混合裝置將臭氧和水混合而制得；
(5)乾燥微處理腔；
(6)打開微處理腔，取出半導體基片。
本發明的技術效果在於：本發明通過將含臭氧的氣液混合流體或含臭氧的溶液和臭氧氣體在形成後即刻輸入一個密閉腔裡，通過提高氣相中臭氧的分壓，縮短臭氧從產生到被使用的時間，保證臭氧在溶液中的濃度，從而提高含臭氧流體對放在密閉腔內晶片表面的處理效果。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。
本發明提供一種利用含臭氧的溶液處理半導體晶片表面的裝置，不僅可以實現半導體晶片表面的工藝處理，也可以用於類似固體的表面化學處理。
第1圖為發明中的裝置在第一種實施例中的結構示意圖，其包括臭氧發生器11、溶劑瓶12、氣液混合裝置13、密閉腔14，還包括氣液輸送系統和氣液排放系統(圖中未標示)；所述臭氧發生器11和所述溶劑瓶12分別與所述氣液混合裝置13對應的入口相連，所述氣液混合裝置13的出口與所述密閉腔14的至少一個入口相連。運用所述裝置處理半導體晶片時，首先將所述臭氧發生器11產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶12內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置13內進行混合，得到臭氧氣體和含臭氧溶劑的混合流體；然後將該混合流體即刻送入所述密閉腔14中、與所述密閉腔14內晶片表面發生氧化還原化學反應。無論是停留在所述氣液混合流體氣相中的臭氧和在臭氧與溶劑混合時產生的化學物質，還是停留在所述氣液混合流體液相中的臭氧和在臭氧與溶劑混合時產生的化學物質都能與晶圓表面發生化學反應；一方面，由於該化學反應處於所述密閉腔14的密封環境之中，上述混合流體中氣相臭氧留存於該密閉環境中，提高了所述密閉腔14內的臭氧含量，相對提高了氣相中臭氧的分壓，抑制溶解於溶劑中的臭氧逸出液面，進入氣相中，保證了溶液中的臭氧濃度，從而能較好地滿足工藝要求；另一個方面，由於臭氧容易分解變成氧氣，半衰期較短，一般只有20-120分鐘，因此應盡可能地縮短臭氧從產生到被使用的時間。可通過縮短從臭氧發生器到含有需要處理晶片的密閉腔的傳送距離，保證氣相和液相中臭氧的濃度，提高含臭氧流體對晶片的處理效果。更進一步，在將上述混合流體輸入所述密閉腔的同時，可通過增加另一個臭氧發生器，所產生臭氧直接輸送到密閉腔內，以提高密閉腔內的臭氧的氣相分壓，減少從氣液混合裝置輸送進入密閉腔內溶液中的臭氧從液體中逸出。請參照第2圖，其示出了本發明中的裝置在第二種實施例中的結構示意圖，第2圖中包括臭氧發生器21、臭氧發生器22、溶劑瓶23、氣液混合裝置24、密閉腔25。所述裝置的其他組成以及用於處理晶片的方法，與本發明中的第一種實施例相類似，在此不再贅述。
本發明中的一個重點、優點或好處在於：進入到密閉腔內的臭氧溶液、臭氧氣體或臭氧氣液混合流體都是線上產生，並通過管道即時輸送至密閉腔內，這樣可以抑制臭氧分解變成氧氣。
如工藝需採用臭氧溶液對半導體晶片進行表面處理，可通過氣液分離裝置來實現氣液分離，再將含臭氧的溶液輸送到密閉腔裡。請參照第3圖，其示出了本發明中的裝置在第三種實施例中的結構示意圖。所述裝置包括臭氧發生器31、溶劑瓶32、氣液混合裝置33、密閉腔34、氣液分離裝置35，還包括氣液輸送系統和氣液排放系統(圖中未標示)；所述臭氧發生器31和所述溶劑瓶32分別與所述氣液混合裝置33對應的入口相連，所述氣液混合裝置33的出口與所述氣液分離裝置35的入口相連，所述氣液分離裝置35的至少一個出口與所述密閉腔34的至少一個入口相連。運用所述裝置處理半導體晶片時，首先將所述臭氧發生器31產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶32內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置33內進行混合，得到臭氧氣體和臭氧溶液的混合流體；然後將該混合流體送至所述氣液分離裝置25中，經氣液分離後將臭氧溶液送至所述密閉腔34中，對放置於所述密閉腔34內晶片進行表面處理。由於臭氧溶液釋放出的臭氧氣體滯留在所述密閉腔34內，致使氣相臭氧在所述密閉腔34內的含量高於臭氧氣體在外大氣中的含量，即提高了氣相中臭氧的分壓，溶解於溶劑中的臭氧不易於從液體中逸出，保證了臭氧溶液中的臭氧濃度，從而能滿足工藝要求。
同理，在上述臭氧溶液輸入所述密閉腔的同時，可通過增加另一個臭氧發生器，所產生臭氧直接輸送到密閉腔內，以提高密閉腔內的臭氧的氣相分壓，減少從氣液混合裝置輸送進入密閉腔內溶液中的臭氧從液體中逸出。請參照第4圖，其示出了本發明中的裝置在第四種實施例中的結構示意圖，第4圖中包括臭氧發生器41、臭氧發生器42、溶劑瓶43、氣液混合裝置44、密閉腔45、氣液分離裝置46。所述裝置的其他組成以及用於處理晶片的方法，與本發明中的第三種實施例相類似，在此不再贅述。
更進一步，可通過切換閥門轉換線路實現多次反復氣液混合以產生濃度更高的含臭氧的混合流體，再將該混合流體或者由該混合流體經氣液分離後得到的更高濃度的臭氧溶液送入密閉腔中對晶片進行表面處理。請參照第5圖，其示出了本發明中的裝置在第五種實施例中的結構示意圖。所述裝置包括臭氧發生器51、溶劑瓶52、氣液混合裝置53、密閉腔54、氣液分離裝置55、切換閥門56，還包括氣液輸送系統和氣液排放系統(圖中未標示)；所述臭氧發生器51和所述溶劑瓶52分別與所述氣液混合裝置53對應的入口相連，所述切換閥門56的三個出口分別與所述氣液混合裝置53、所述密閉腔54及所述氣液分離裝置55連接，所述氣液分離裝置55的至少一個出口與所述氣液混合裝置53的至少一個入口連接。運用所述裝置處理半導體晶片時，首先將所述臭氧發生器51產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶52內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置53內進行混合，得到臭氧氣體和臭氧溶液的混合流體；然後通過切換所述切換閥門56使該混合流體進入所述氣液分離裝置55，經氣液分離後再次進入所述氣液混合裝置53，以便得到濃度更高的混合流體，直至達到希望的濃度後通過切換所述切換閥門56經不同的通道進入所述密閉腔54中，一條通道是直接將氣液混合流體輸入所述密閉腔54中，對放置於所述密閉腔54內的晶片進行表面處理，另一條通道是先將氣液混合流體輸入所述氣液分離裝置55，經氣液分離後再將臭氧溶液送至所述密閉腔54中，對放置於所述密閉腔54內的晶片進行表面處理。
同理，在將上述混合流體或者臭氧溶液輸入所述密閉腔的同時，可通過增加另一個臭氧發生器，所產生臭氧直接輸送到密閉腔內，以提高密閉腔內的臭氧的氣相分壓，減少從氣液混合裝置輸送進入密閉腔內溶液中的臭氧從液體中逸出。請參照第6圖，其示出了本發明中的裝置在第六種實施例中的結構示意圖，第6圖中包括臭氧發生器61、臭氧發生器62、溶劑瓶63、氣液混合裝置64、密閉腔65、氣液分離裝置66、切換閥門67。所述裝置的其他組成以及用於處理晶片的方法，與本發明中的第五種實施例相類似，在此不再贅述。
更進一步地，可通過增加另一套製備含臭氧的混合流體的裝置來實現交替得到濃度更高的混合流體，連續不斷地將已製備好的混合流體送入密閉腔中對晶片進行表面處理。請參照第7圖，其示出了本發明中的裝置在第七種實施例中的結構示意圖。所述裝置包括臭氧發生器711、溶劑瓶721、氣液混合裝置731、密閉腔74、氣液分離裝置751、切換閥門76、切換閥門77、臭氧發生器712、溶劑瓶722、氣液混合裝置732、氣液分離裝置752，還包括氣液輸送系統和氣液排放系統(圖中未標示)；所述臭氧發生器711和所述溶劑瓶721分別與所述氣液混合裝置731對應的入口相連，所述臭氧發生器712和所述溶劑瓶722分別與所述氣液混合裝置732對應的入口相連，所述切換閥門76的四個出口分別與所述氣液混合裝置731、所述密閉腔74、所述氣液混合裝置732以及所述切換閥門77相連，所述切換閥門77的三個出口分別與所述切換閥門76、所述氣液分離裝置751以及所述氣液分離裝置752相連。運用所述裝置處理半導體晶片時，首先將所述臭氧發生器711產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶721內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置731內進行混合，得到臭氧氣體和臭氧溶液的混合流體；然後通過切換所述切換閥門76和所述切換閥門77使上述混合流體進入所述氣液分離裝置751，經氣液分離後再次進入所述氣液混合裝置731，以便得到濃度更高的混合流體，直至達到希望的濃度後通過切換所述切換閥門76進入所述密閉腔74中，對安置於所述密閉腔74內的晶片進行表面處理；與此同時，所述臭氧發生器712產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶722內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置732內進行混合，得到臭氧氣體和臭氧溶液的混合流體，然後通過切換所述切換閥門76和所述切換閥門77使上述混合流體進入所述氣液分離裝置752，經氣液分離後再次進入所述氣液混合裝置752，同樣多次反復混合以得到濃度更高的混合流體；待所述氣液混合裝置731中得到的混合流體用盡後，通過切換所述切換閥門76使所述氣液混合裝置732中得到的混合流體進入所述密閉腔74中對安置於所述密閉腔74內的晶片進行表面處理，同時，在所述氣液混合裝置731中重新得到混合流體，該混合流體在所述氣液混合裝置731與所述氣液分離裝置751之間迴圈得到更高濃度的混合流體。由於反復氣液混合後產生的混合流體中氣相臭氧滯留在所述密閉腔74內，致使氣相臭氧在所述密閉腔74內的含量高於臭氧氣體在外大氣中的含量，即提高了氣相中臭氧的分壓，溶解於溶劑中的臭氧不易於從液體中逸出，保證了臭氧溶液中的臭氧濃度，從而能滿足工藝要求。更值得一提的是，上述工藝設置兩套製備含臭氧的混合流體的裝置來制取濃度更高的混合流體，可以實現含臭氧的混合流體在一個氣液混合裝置與一個氣液分離裝置之間迴圈生成更高濃度的混合流體，同時將另一個氣液分離裝置中的已生成的濃度更高的混合流體輸送至所述密閉腔內對晶片進行表面處理，將更高濃度的含臭氧的混合流體連續不斷地用於半導體晶片的表面處理，以節約工藝時間和滿足工藝要求。
同理，在將上述混合流體輸入所述密閉腔的同時，可通過增加又一個臭氧發生器，所產生臭氧直接輸送到密閉腔內，以提高密閉腔內的臭氧的氣相分壓，減少從氣液混合裝置輸送進入密閉腔內溶液中的臭氧從液體中逸出。請參照第8圖，其示出了本發明中的裝置在第八種實施例中的結構示意圖，第8圖中包括臭氧發生器81、臭氧發生器821、溶劑瓶831、氣液混合裝置841、密閉腔85、氣液分離裝置861、切換閥門87、切換閥門88、臭氧發生器822、溶劑瓶832、氣液混合裝置842、氣液分離裝置862。所述裝置的其他組成以及用於處理晶片的方法，與本發明中的第七種實施例相類似，在此不再贅述。
更進一步地，可通過增加另一個氣液分離裝置來實現交替製備更高濃度的臭氧溶液，連續不斷地將已製備好的臭氧溶液送入密閉腔中對晶片進行表面處理。請參照第9圖，其示出了本發明中的裝置在第九種實施例中的結構示意圖。所述裝置包括臭氧發生器91、溶劑瓶92、氣液混合裝置93、密閉腔94、氣液分離裝置95、切換閥門96、氣液分離裝置97、切換閥門98，還包括氣液輸送系統和氣液排放系統(圖中未標示)；所述臭氧發生器91和所述溶劑瓶92分別與所述氣液混合裝置93對應的入口相連，所述切換閥門96的四個出口分別與所述氣液混合裝置93、所述密閉腔94、所述氣液分離裝置95以及所述氣液分離裝置97相連，所述切換閥門98的三個出口分別與所述氣液混合裝置93、所述氣液分離裝置95以及所述氣液分離裝置97相連。運用所述裝置處理半導體晶片時，首先將所述臭氧發生器91產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶92內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置93內進行混合，得到臭氧氣體和臭氧溶液的混合流體；然後通過切換所述切換閥門96使上述混合流體進入所述氣液分離裝置95，經氣液分離後通過切換所述切換閥門98再次進入所述氣液混合裝置93，以便得到濃度更高的混合流體，直至達到希望的濃度後通過切換所述切換閥門96使氣液分離後的更高濃度的臭氧溶液進入所述密閉腔94中，對安置於所述密閉腔94內的晶片進行表面處理；與此同時，將臭氧氣體和溶劑在所述氣液混合裝置93內繼續混合得到的混合流體通過所述的切換閥門96切換進入到所述氣液分離裝置97，經氣液分離後通過切換所述切換閥門98再次進入所述氣液混合裝置93，多次迴圈得到濃度更高的臭氧溶液；待所述氣液分離裝置95中得到的臭氧溶液用盡後，通過切換所述切換閥門97使所述氣液分離裝置97中得到的臭氧溶液進入所述密閉腔95中，同時在所述氣液混合裝置93中重新得到混合流體，該混合流體在所述氣液混合裝置93與所述氣液分離裝置95之間迴圈得到更高濃度的混合流體並經氣液分離後得到更高濃度的臭氧溶液。由於上述多次氣液混合後得到的臭氧溶液釋放出的臭氧氣體滯留在所述密閉腔94內，致使氣相臭氧在所述密閉腔94內的含量高於臭氧氣體在外大氣中的含量，即提高了氣相中臭氧的分壓，溶解於溶劑中的臭氧不易於從液體中逸出，保證了臭氧溶液中的臭氧濃度，從而能滿足工藝要求。更值得一提的是，上述工藝設置兩個氣液混合裝置來制取濃度更高的臭氧溶液，可以實現含臭氧的混合流體在一個氣液混合裝置與一個氣液分離裝置之間迴圈生成更高濃度的臭氧溶液，同時將另一個氣液分離裝置中的已生成的濃度更高的臭氧溶液輸送至所述密閉腔內對晶片進行表面處理，可將更高濃度的臭氧溶液連續不斷地用於半導體晶片的表面處理，以節約工藝時間和滿足工藝要求。
同理，在將上述臭氧溶液輸入所述密閉腔的同時，可通過增加另一個臭氧發生器，所產生臭氧直接輸送到密閉腔內，以提高密閉腔內的臭氧的氣相分壓，減少從氣液混合裝置輸送進入密閉腔內溶液中的臭氧從液體中逸出。請參照 第10圖，其示出了本發明中的裝置在第十種實施例中的結構示意圖， 第10圖中包括臭氧發生器101、臭氧發生器102、溶劑瓶103、氣液混合裝置104、密閉腔105、氣液分離裝置106、切換閥門107、氣液分離裝置108、切換閥門109。所述裝置的其他組成以及用於處理晶片的方法，與本發明中的第九種實施例相類似，在此不再贅述。
更進一步地，所述密閉腔採用微處理腔設計，所述微處理腔包括相配合的上腔室部和下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一個供處理流體進入所述微處理腔的入口和至少一個供處理流體排出所述微處理腔的出口。請參照 第11圖，其示出了本發明中的裝置在一個具體實施案例的結構示意圖， 第11圖中包括臭氧發生器111、臭氧發生器112、溶劑瓶113、氣液混合裝置114、微處理腔115。所述裝置中的微處理腔115包括相配合的上腔室部1154與下腔室部1152，上腔室部1154上設置有排氣系統1155，下腔室部1152上設置有排氣液系統1151，晶圓1153放置在上腔室部1154與下腔室部1152組成的密閉腔中。所述裝置的其他組成以及用於處理晶片的方法，與本發明中的第二種實施例相類似，在此不再贅述。所述上腔室部和所述下腔室部可以在一個打開位置和一個關閉位置之間相對移動，在所述上腔室部和所述下腔室部處於關閉位置時，所述上腔室部和所述下腔室部封閉形成微腔體，所述晶圓可以放置於所述微腔體內，所述上腔室部的面向微腔體的下表面與所述晶圓之間具有間隙，所述下腔室部的面向微腔體的上表面與所述晶圓之間具有間隙，所述間隙的高度通常在0.01mm與10mm。這樣，所述微處理腔內的空間非常小，進入所述微處理腔內的臭氧混合流體，能夠保證氣液中的臭氧濃度。進入所述微處理腔的臭氧混合流體沿所述晶片表面向外流動，流經所述晶片表面。臭氧混合流體中氣相中的臭氧及其它化學物質成分和液相中的臭氧及其他化學成分都有機會與晶片表面發生反應。
根據工藝要求，本發明中溶劑瓶內的溶劑可以採用有機溶液或無機溶液，如超純水、含氫氟酸溶液、乙酸、丙酮等。
本發明中的氣液混合裝置可以採用任何一種已知的裝置，比如射流器或者氣液混合泵。
本發明中的氣液分離裝置中包含存儲臭氧溶液的容器。
本發明中產生的臭氧或者含臭氧的溶液可以替代多種傳統的晶片清洗溶液。
比如，傳統的SPM溶液（三號液），其組成成分包括H2 SO4 、H2 O2 、H2 O，其作用是：1）去除有機污染，2）去除部分金屬污染；其存在的問題是：當有機物污染特別嚴重時經SPM清洗後，矽片表面會殘留有硫化物，這些硫化物很難用水沖洗掉。在本發明中，溶劑瓶裡的溶液為H2 O2 的水溶液，利用氣液混合裝置得到含臭氧和H2 O2 的混合流體，此混合流體可以取代三號液，利用臭氧的氧化性來去除有機物，不存在硫酸物質，避免在晶圓表面殘留產生難溶解的硫酸物質。更進一步的，溶劑瓶裡只有水，利用氣液混合裝置得到含臭氧的混合流體，取代三號液，利用臭氧的氧化性來去除有機物。
再比如，傳統的APM溶液（SC1，一號液），其組成成分包括NH4 OH、H2 O2 、H2 O，其作用是：1）去除顆粒，2）去除部分有機物，3）去除部分金屬；其存在的問題有：1）增加矽片表面粗糙度，2）Fe、Zn、Ni等金屬會以離子或非離子性的金屬氫氧化物的形式附著在矽片表面。在本發明中，溶劑瓶裡的溶液為NH4 OH的水溶液，利用氣液混合裝置得到含臭氧和NH4 OH的混合流體，此混合流體可以取代一號液，利用臭氧的氧化性更充分地去除顆粒、有機污染及金屬污染， 減輕矽片表面粗糙度，可通過調整NH4 OH的濃度，減少或避免Fe、Zn、Ni等金屬的氫氧化物的產生。
再比如，傳統的HPM溶液(SC2，二號液)，其組成成分包括HCl、H2 O2 、H2 O，其作用是去除金屬沾汙；其存在的問題是：不能有效去除Al金屬。本發明中，溶劑瓶裡的溶液為HCl的水溶液，利用氣液混合裝置得到含臭氧和HCl的混合流體，此混合流體可以取代二號液，利用臭氧的氧化性更充分地去除金屬污染。
總之，本發明中產生的臭氧或者含臭氧的溶液可以取代三號液、一號液以及二號液，降低清洗液配方中H2 O2 、NH4 OH、HCl的使用量，提高清洗效果，即經濟又環保。
下面，舉例說明本發明中產生的臭氧在半導體基片表面鈍化層的形成方法中的應用。
對於剛出爐的半導體基片進行表面鈍化處理的方法，包括以下步驟：
(1)將半導體基片裝入微處理腔；
(2)密閉微處理腔；
(3)向微處理腔內通入臭氧氣體2-10min；
(4)打開微處理腔，取出半導體基片。
此法鈍化前不做HF處理，鈍化後無需乾燥，大大簡化鈍化處理過程和時間。
下表表一為採用上述方法的一個具體實施案例，是對剛出爐的半導體基片進行10min鈍化處理。
按照 第12圖所示位置與序號測試半導體基片鈍化層的電阻率和膜厚。
表一為上述實施例的電阻率測試和膜厚測試資料（9點）
表一
從表一中可看出，該半導體基片表面鈍化層的電阻率分佈均勻，該半導體基片品質較好；除了最中間進氣口的膜厚數值較大外，其餘均在9-10Å。
對於已生成有自然氧化層的半導體基片進行鈍化處理，採用以下兩種方法：
第一種方法，包括以下步驟：
(1)將半導體基片裝入微處理腔；
(2)密閉微處理腔；
(3)向微處理腔內通入含HF的氣體或液體；
(4)向微處理腔內通入超純水；
(5)乾燥微處理腔；
(6)向微處理腔內通入臭氧氣體2-10min；
(7)打開微處理腔，取出半導體基片。
下表表二為採用上述方法的一個具體實施案例，是對已生成有自然氧化層的半導體基片預先用HF液體處理1min，再通入臭氧氣體2 min進行鈍化處理。
按照 第12圖所示位置與序號測試半導體基片鈍化層的電阻率和膜厚。
表二為上述實施例的電阻率測試和膜厚測試資料（9點）
表二
從表二中可看出，該半導體基片表面鈍化層的電阻率分佈均勻，膜厚均勻，該半導體基片品質較好。
第二種方法，包括以下步驟：
(1)將半導體基片裝入微處理腔；
(2)密閉微處理腔；
(3)向微處理腔內通入含HF的氣體或液體；
(4)向微處理腔內通入臭氧水2-10min，所述臭氧水是利用氣流混合裝置射流器將臭氧與水混合制得；氣流混合裝置一般採用射流器、氣液混合泵等。
(5)乾燥微處理腔；
(6)打開微處理腔，取出半導體基片。
下表表三為採用上述方法的一個具體實施案例，是對已生成有自然氧化層的半導體基片預先用HF液體處理1min，再通入臭氧水溶液2 min進行鈍化處理。
按照 第12圖所示位置與序號測試半導體基片鈍化層的電阻率和膜厚。
表三為上述實施例的電阻率測試和膜厚測試資料（9點）
表三
從表三中可看出，該半導體基片表面鈍化層的電阻率分佈均勻，膜厚均勻，該半導體基片品質較好。
上文對本發明進行了足夠詳細的具有一定特殊性的描述。所屬領域內的普通技術人員應該理解，實施例中的描述僅僅是示例性的，在不偏離本發明的真實精神和範圍的前提下做出所有改變都應該屬於本發明的保護範圍。本發明所要求保護的範圍是由所述的權利要求書進行限定的，而不是由實施例中的上述描述來限定的。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
11、21、22、31、41、42、51‧‧‧臭氧發生器
61、62、711、712、81、821、 822、91、101、102、111、112 12、23、32、43、52、63、721‧‧‧溶劑瓶
722、831、832、92、103、113 13、24、33、44、53、64、731‧‧‧氣液混合裝置
732、841、842、93、104、114 14、25、34、45、54、65、74‧‧‧密閉腔
85、94、105、115 35、46、55、66、751、752‧‧‧氣液分離裝置
861、862、95、97、106、108 56、67、76、77、87、88、96‧‧‧切換閥門
98、107、109 1151‧‧‧排氣液系統
1152‧‧‧下腔室部
1153‧‧‧晶圓
1154‧‧‧上腔室部
1155‧‧‧排氣系統
1-9‧‧‧位置
第1圖為本發明中的裝置在第一種實施例中的結構示意圖。 第2圖為本發明中的裝置在第二種實施例中的結構示意圖。 第3圖為本發明中的裝置在第三種實施例中的結構示意圖。 第4圖為本發明中的裝置在第四種實施例中的結構示意圖。 第5圖為本發明中的裝置在第五種實施例中的結構示意圖。 第6圖為本發明中的裝置在第六種實施例中的結構示意圖。 第7圖為本發明中的裝置在第七種實施例中的結構示意圖。 第8圖為本發明中的裝置在第八種實施例中的結構示意圖。 第9圖為本發明中的裝置在第九種實施例中的結構示意圖。  第10圖為本發明中的裝置在第十種實施例中的結構示意圖。  第11圖為本發明中的裝置在一個具體實施案例的結構示意圖。  第12圖為測試半導體基片鈍化層的電阻率和膜厚的位置示意圖。
11‧‧‧臭氧發生器
12‧‧‧溶劑瓶
13‧‧‧氣液混合裝置
14‧‧‧密閉腔

Claims (14)

  1. 一種利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置，包括：一臭氧發生器、一溶劑瓶、一氣液混合裝置及一密閉腔，還包括一氣液輸送系統和一氣液排放系統；所述臭氧發生器和所述溶劑瓶分別與所述氣液混合裝置對應的入口相連，所述氣液混合裝置的出口與所述密閉腔的至少一入口相連。
  2. 如請求項1所述的裝置，其中：所述氣液混合裝置與所述密閉腔之間設有一氣液分離裝置；所述氣液混合裝置的出口與所述氣液分離裝置的入口相連，所述氣液分離裝置的至少一出口與所述密閉腔的至少一入口相連。
  3. 如請求項2所述的裝置，其中：所述氣液混合裝置、所述密閉腔和所述氣液分離裝置之間設有一切換閥門，所述切換閥門的三個出口分別與所述氣液混合裝置、所述密閉腔及所述氣液分離裝置連接，所述氣液分離裝置的至少一出口與所述氣液混合裝置的至少一入口連接。
  4. 如請求項3所述的裝置，還包含另一氣液混合裝置、另一臭氧發生裝置、另一溶劑瓶以及另一切換閥門；所述另一臭氧發生器和所述另一溶劑瓶分別與所述另一氣液混合裝置對應的入口相連；其中一所述切換閥門的四個出口分別與所述兩個氣液混合裝置、所述密閉腔以及另一所述切換閥門相連；所述另一切換閥門的三個出口中的另兩個出口分別與所述兩個氣液分離裝置相連。
  5. 如請求項3所述的裝置，還包含另一氣液分離裝置和另一切換閥門；其中一所述切換閥門的四個出口分別與所述氣液混合裝置、所述密閉腔以及所述兩個氣液分離裝置相連；所述另一切換閥門的三個出口分別與所述氣液混合裝置以及所述兩個氣液分離裝置相連。
  6. 如請求項1至5中任一項所述的裝置，還包含另一臭氧發生器，所述另一臭氧發生器的至少一出口與所述密閉腔的至少一入口相連。
  7. 如請求項6所述的裝置，其特徵是：所述密閉腔採用微處理腔結構，所述微處理腔包括相配合的一上腔室部和一下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一供處理流體進入所述微處理腔的入口和至少一供處理流體排出所述微處理腔的出口。
  8. 如請求項1至5中任一項所述的裝置，其中：所述密閉腔採用微處理腔結構，所述微處理腔包括相配合的一上腔室部和一下腔室部，所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一供處理流體進入所述微處理腔的入口和至少一供處理流體排出所述微處理腔的出口。
  9. 一種利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置的使用方法，其中所述裝置包括一臭氧發生器、一溶劑瓶、一氣液混合裝置及一密閉腔，所述方法包括以下步驟：首先將所述臭氧發生器產生的臭氧氣體以及所述溶劑瓶內的溶劑分別輸送至所述氣液混合裝置內進行混合，得到臭氧氣體和臭氧溶液的混合流體；然後將該混合流體即刻送入所述密閉腔中。
  10. 如請求項9所述的方法，其中：所述氣液混合裝置與所述密閉腔之間設有一氣液分離裝置，所述方法還包含：將在所述氣液混合裝置中得到的混合流體送至所述氣液分離裝置中，經氣液分離後再將臭氧溶液送至所述密閉腔中。
  11. 如請求項10所述的方法，其中所述氣液混合裝置、所述密閉腔和所述氣液分離裝置之間設有一切換閥門，所述方法還包含：將在所述氣液混合裝置中得到的混合流體通過所述切換閥門切換進入所述氣液分離裝置，經氣液分離後再次進入所述氣液混合裝置，以便得到濃度更高的混合流體，直至達到希望的濃度後通過切換所述切換閥門經不同的通道進入所述密閉腔中，一路通道是直接進入所述密閉腔，另一路通道是進入所述氣液分離裝置，經氣液分離後再將臭氧溶液送至所述密閉腔中。
  12. 如請求項11所述的方法，其中所述裝置還包含另一氣液混合裝置、另一臭氧發生裝置、另一溶劑瓶以及另一切換閥門；所述方法還包含：將在所述之一的氣液混合裝置中多次氣液混合得到的更高濃度的混合流體通過所述之一的切換閥門切換進入所述密閉腔中，同時在所述另一氣液混合裝置內發生混合流體的多次氣液混合，以得到濃度更高的混合流體；待所述之一的氣液混合裝置中得到的混合流體用盡後，通過切換所述之一的切換閥門使所述另一氣液混合裝置中已生成的更高濃度的混合流體進入所述密閉腔中，同時在所述之一的氣液混合裝置中再次發生混合流體的多次氣液混合。
  13. 如請求項11所述方法，其中所述裝置還包含另一氣液分離裝置和另一切換閥門；所述方法還包含：將在所述之一的氣液分離裝置中得到的更高濃度的臭氧溶液通過所述之一的切換閥門切換進入所述密閉腔中，同時在所述氣液混合裝置內發生混合流體的多次氣液混合，並在所述另一氣液分離裝置內得到濃度更高的臭氧溶液；待所述之一的氣液分離裝置裡得到的臭氧溶液用盡後，通過切換所述之一的切換閥門使所述另一氣液分離裝置裡得到的更高濃度的臭氧溶液進入所述密閉腔中，同時在所述氣液混合裝置內再次發生混合流體的多次氣液混合，並在所述之一的氣液分離裝置內得到濃度更高的臭氧溶液。
  14. 如請求項9至13任一項所述的方法，其中所述裝置還包含另一臭氧發生器，所述方法還包含：在將含臭氧的混合流體或者含臭氧的溶液輸入所述密閉腔的同時，將另一臭氧發生器產生的臭氧氣體輸送至所述密閉腔中。
TW104125734A 2014-08-14 2015-08-07 利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法 TWI579063B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410401635.2A CN105336645B (zh) 2014-08-14 2014-08-14 利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201605552A true TW201605552A (zh) 2016-02-16
TWI579063B TWI579063B (zh) 2017-04-21

Family

ID=55287086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104125734A TWI579063B (zh) 2014-08-14 2015-08-07 利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10475639B2 (zh)
EP (1) EP3190607B1 (zh)
JP (1) JP6632160B2 (zh)
KR (2) KR101941535B1 (zh)
CN (1) CN105336645B (zh)
TW (1) TWI579063B (zh)
WO (1) WO2016023414A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106910674B (zh) * 2017-03-02 2019-05-24 东莞市天域半导体科技有限公司 一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法
US11448966B2 (en) 2017-08-03 2022-09-20 Huaying Research Co., Ltd Photoresist-removing liquid and photoresist-removing method
CN108032451B (zh) * 2017-12-07 2020-07-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种硅棒切割方法
TW202025346A (zh) * 2018-11-14 2020-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取的記錄媒體
DE112019002290T5 (de) 2018-12-28 2021-04-08 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen
CN109698256A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 无锡琨圣科技有限公司 一种硅片表面氧化系统及方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152203A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Chlorine Eng Corp Ltd 基板処理方法および処理装置
US20060151007A1 (en) * 1997-05-09 2006-07-13 Bergman Eric J Workpiece processing using ozone gas and chelating agents
US6869487B1 (en) * 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
EP1100630B1 (en) * 1998-04-16 2004-02-18 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US5979474A (en) * 1998-05-12 1999-11-09 Sumitomo Sitix Corporation Cleaning equipment for semiconductor substrates
JP2004104090A (ja) * 1999-09-30 2004-04-02 Nomura Micro Sci Co Ltd 表面付着汚染物質の除去方法及び除去装置
KR100444149B1 (ko) * 2000-07-22 2004-08-09 주식회사 아이피에스 Ald 박막증착설비용 클리닝방법
JP2003142445A (ja) * 2001-11-08 2003-05-16 Mitsubishi Electric Corp 洗浄装置及び洗浄方法
JP4114395B2 (ja) * 2002-04-11 2008-07-09 東亞合成株式会社 基体表面の有機被膜の除去装置
US20040154641A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-12 P.C.T. Systems, Inc. Substrate processing apparatus and method
JP3999059B2 (ja) * 2002-06-26 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
TW574152B (en) * 2002-08-16 2004-02-01 Ind Tech Res Inst Chemistry mechanism of high concentration ozone/reaction liquid generation system and method
JP3913723B2 (ja) * 2003-08-15 2007-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
TWM315607U (en) * 2007-01-23 2007-07-21 Bright Green Technology Co Ltd Device capable of selecting proportion of gaseous ozone to liquid ozone
JP2008294169A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Meidensha Corp 高濃度オゾン水製造方法とその装置及び基板表面処理方法とその装置
DE102008061521B4 (de) * 2008-12-10 2011-12-08 Siltronic Ag Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterscheibe
JP2012119491A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Sharp Corp フォトレジストの除去方法
JP2013202493A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Sharp Corp オゾン含有液生成装置およびこれを備えた洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105336645B (zh) 2021-04-30
KR101941535B1 (ko) 2019-04-12
EP3190607A4 (en) 2017-08-23
KR20180054898A (ko) 2018-05-24
US20170271147A1 (en) 2017-09-21
JP2017525157A (ja) 2017-08-31
WO2016023414A1 (zh) 2016-02-18
EP3190607A1 (en) 2017-07-12
EP3190607B1 (en) 2019-12-18
CN105336645A (zh) 2016-02-17
US10475639B2 (en) 2019-11-12
KR101993879B1 (ko) 2019-06-27
JP6632160B2 (ja) 2020-01-22
KR20170041683A (ko) 2017-04-17
TWI579063B (zh) 2017-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI579063B (zh) 利用含臭氧的流體處理半導體晶片表面的裝置及方法
KR100303933B1 (ko) 메가소닉스보조세정의효율제어방법
US8043434B2 (en) Method and apparatus for removing photoresist
US20170282132A1 (en) Gas-dissolved water production device and production method
US8999069B2 (en) Method for producing cleaning water for an electronic material
DE10062199A1 (de) Substratprozessvorrichtung und Substratprozessverfahren
JP4076365B2 (ja) 半導体洗浄装置
CN101354542A (zh) 光刻胶的去除方法
KR100319119B1 (ko) 전자재료용세정수
CN101789371B (zh) 半导体元器件的清洗方法
US20190374911A1 (en) Cleaning apparatus for semiconductor substrates and cleaning method for semiconductor substrates
WO2019000615A1 (zh) 一种新型处理工业废水有机物的装置
CN116324277A (zh) 排气处理设备
TW201600183A (zh) 元件用Ｇｅ基板之洗淨方法，洗淨水供給裝置及洗淨裝置
KR102566723B1 (ko) 반도체의 리소그래피용 포토 마스크에 이용되는 오존수를 이용한 스핀 세정방법
JP6020658B2 (ja) シリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置
KR20230154493A (ko) 반도체 리소그래피용 포토 마스크에 이용되는 오존수를 이용한 스핀 세정방법
JPH11181493A (ja) 電子材料用洗浄水
CN111180363A (zh) 清洗液生成装置及方法
KR20210056046A (ko) 오존수 역류 방지 기능이 구비된 반도체 제조 장치
CN115863150A (zh) 降低硅片表面污染物的清洗方法
CN116092918A (zh) 一种清洗碳化硅晶片的方法
DE102004018817A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten von Substraten
TWM516225U (zh) 液態物回收再利用結構
JP2004033817A (ja) 薬液供給装置及び洗浄水製造装置