TW201604634A - 顯示面板與顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種顯示面板及顯示裝置。顯示面板包括一第一基板及與第一基板相對而設之一第二基板以及一畫素陣列。畫素陣列配置於第一基板上，並至少包含一畫素，畫素具有一第一電極層，第一電極層具有一輔助電極部及與輔助電極部連接之一驅動電極部，驅動電極部具有複數條狀電極沿一第一方向間隔設置，輔助電極部的面積為A1，一光線通過畫素時，畫素具有一發光區域，發光區域的面積為B，其中，A1與B滿足以下方程式：0.11×B□A1□0.27×B，且A1與B的單位相同。

Description

顯示面板與顯示裝置
本發明係關於一種顯示面板及顯示裝置，特別關於一種具有較高穿透率(transmittance)之顯示面板及顯示裝置。
隨著科技的進步，平面顯示裝置已經廣泛的被運用在各種領域，尤其是液晶顯示裝置，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性，已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類之電子產品中，例如行動電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液晶電視及液晶螢幕等等。
習知一種液晶顯示裝置主要包含一液晶顯示面板(LCD Panel)以及一背光模組(Backlight Module)，兩者係相對設置。液晶顯示面板包含一彩色濾光基板、一薄膜電晶體基板以及一夾設於兩基板之間的液晶層，彩色濾光基板及薄膜電晶體基板與液晶層可形成多數個陣列配置的畫素單元。背光模組可發出光線穿過液晶顯示面板，並經由液晶顯示面板之各畫素單元顯示色彩而形成一影像。
以相同亮度來說，高穿透率的顯示面板就可使顯示裝置更為省電，因此，各家業者無不努力地提高顯示面板的穿透率，以達到省電的目的來提高其產品的競爭力。
本發明之目的為提供一種可具有較高穿透率之顯示面板及顯示裝置，以提高產品的競爭力。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示面板包括一第一基板、一第二基板以及一畫素陣列。第二基板與第一基板相對而設。畫素陣列配置於第一基板上，並至少包含一畫素，畫素具有一第一電極層，第一電極層具有一輔助電極部及與輔助電極部連接之一驅動電極部，驅動電極 部具有複數條狀電極沿一第一方向間隔設置，輔助電極部的面積為A1，一光線通過畫素時，畫素具有一發光區域，發光區域的面積為B，其中，A1與B滿足以下方程式：0.11×BA10.27×B，且A1與B的單位相同。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示裝置包括一顯示面板，顯示面板具有一第一基板、一第二基板以及一畫素陣列。第二基板與第一基板相對而設。畫素陣列配置於第一基板上，並至少包含一畫素，畫素具有一第一電極層，第一電極層具有一輔助電極部及與輔助電極部連接之一驅動電極部，驅動電極部具有複數條狀電極沿一第一方向間隔設置，輔助電極部的面積為A1，一光線通過畫素時，畫素具有一發光區域，發光區域的面積為B，其中，A1與B滿足以下方程式：0.11×BA10.27×B，且A1與B的單位相同。
在一實施例中，A1與B更滿足以下方程式：0.13×BA10.25×B。
在一實施例中，發光區域沿該第一方向具有一第一亮度曲線，該發光區域沿一第二方向具有一第二亮度曲線，該發光區域的面積B為該第一亮度曲線沿該第一方向的最大半高寬乘以該第二亮度曲線沿該第二方向的最大半高寬，且該第一方向垂直該第二方向。
在一實施例中，輔助電極部上具有至少一通孔，該第一電極層係透過該通孔與一薄膜電晶體電性連接。
在一實施例中，驅動電極部更具有一連接電極，該連接電極位於遠離該輔助電極部的一側，並連接該些條狀電極。
承上所述，因本發明之顯示面板及顯示裝置中，畫素之第一電極層的驅動電極部具有複數條狀電極沿第一方向間隔設置，而輔助電極部的面積為A1；另外，光線通過畫素時，畫素的發光區域的面積為B，其中，A1與B滿足以下方程式：0.11×BA10.27×B。藉此，當輔助電極部的面積A1與畫素的發光區域的面積B滿足以上的方程式時，可使顯示面板及顯示裝置兼顧電性及光學的考量，使得畫素的穿透率為最大。因此，本發明之顯示面板及顯示裝置可具有較高的穿透率，並可提高產品的競爭力。
1、3‧‧‧顯示面板
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧第二基板
13‧‧‧液晶層
141、141a~141d‧‧‧第一電極層
1411‧‧‧輔助電極部
1412‧‧‧驅動電極部
142、145‧‧‧絕緣層
143‧‧‧第二電極層
2‧‧‧顯示裝置
4‧‧‧背光模組
A1、A2、B‧‧‧面積
Ax、Ay‧‧‧最大半高寬
BM‧‧‧黑色矩陣
C1、C2、F1、F2‧‧‧亮度曲線
D‧‧‧資料線
E‧‧‧光線
O‧‧‧通孔
P‧‧‧畫素
S1~S3、S5‧‧‧條狀電極
S4‧‧‧連接電極
Ve‧‧‧充電誤差
VFT‧‧‧電容耦合電壓
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Z‧‧‧第三方向
圖1A為本發明較佳實施例之一種顯示面板的剖視示意圖。
圖1B為圖1A之顯示面板的第一電極層的示意圖。
圖1C為一實施例中，光線通過一畫素時，畫素的發光區域的示意圖。
圖1D及圖1E分別為畫素的發光區域沿一第一方向及一第二方向的亮度分佈曲線示意圖。
圖2為一實施例中，畫素的充電誤差加上電容耦合電壓的和，與輔助電極部的面積與發光區域的面積比之關係示意圖。
圖3A至圖3D分別為本發明不同實施態樣之第一電極層的示意圖。
圖4為本發明較佳實施例之一種顯示裝置的示意圖。
以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之顯示面板及顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
請參照圖1A及圖1B所示，其中，圖1A為本發明較佳實施例之一種顯示面板1的剖視示意圖，而圖1B為圖1A之顯示面板1的第一電極層141的示意圖。本實施例之顯示面板1例如但不限於為一邊緣電場切換(fringe field switching，FFS)式液晶顯示面板，或為其他水平驅動式的液晶顯示面板。另外，本實施例中，圖1A及圖1B顯示了一第一方向X(水平方向)、一第二方向Y(垂直方向)及一第三方向Z，第一方向X、第二方向Y及第三方向Z實質上係兩兩相互垂直。其中，第一方向X可與掃描線的延伸方向實質上平行，第二方向Y可與資料線的延伸方向實質上平行，而第三方向Z分別為垂直第一方向X與第二方向Y之另一方向。
顯示面板1包括一第一基板11、一第二基板12以及一液晶層13。第一基板11與第二基板12相對而設，而液晶層13則夾設於第一基板11與第二基板12之間。其中，第一基板11及第二基板12為透光材質所製成，並例如為一玻璃基板、一石英基板或一塑膠基板，並不限定。顯示面板1更包括一個畫素陣列，畫素陣列配置於第一基板11上。其中，畫素陣列包含至少一畫素(或稱次畫素，sub-pixel)P，於此係以複數畫素P為例。該些畫素P夾置於第一基板11與第二基板12之間，並配置成矩陣 狀。另外，本實施例之顯示面板1更可包括複數掃描線(圖未顯示)與複數資料線D，該些掃描線與該些資料線D為交錯設置，並且相互垂直而定義出該些畫素陣列的區域。
畫素P包含一第一電極層141、一絕緣層142及一第二電極 層143。在本實施例中，第二電極層143、絕緣層142及第一電極層141係由下而上依序設置於第一基板11面向第二基板12之一側。另外，資料線D設置於第一基板11上，且畫素P更可具有另一絕緣層145覆蓋於資料線D上，而第二電極層143設置於絕緣層145上。另外，絕緣層142覆蓋在第二電極層143上，第一電極層141設置於絕緣層142上，使得第二電極層143可夾置於絕緣層142與絕緣層145之間，避免第二電極層143與資料線D及第一電極層141產生短路。絕緣層142與絕緣層145的材質可例如但不限於包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)，或其它絕緣材質。另外，第一電極層141及第二電極層143分別為一透明導電層，且其材料例如但不限於為銦錫氧化物(indium-tin oxide,ITO)或銦鋅氧化物(indium-zinc oxide,IZO)。在本實施例中，第一電極層141為一畫素電極(pixel electrode)，並與資料線D電性連接，而第二電極層143為一共同電極(common electrode)。不過，在其它的實施例中，第一電極層141也可為共同電極，而第二電極層143可為畫素電極。
顯示面板1更可包括一黑色矩陣BM及一濾光層(圖未顯 示)，黑色矩陣BM設置於第一基板11或第二基板12上，並與資料線D對應設置。黑色矩陣BM為不透光材質，例如為金屬或樹脂，而金屬例如可為鉻、氧化鉻或氮氧鉻化合物。在本實施例中，黑色矩陣BM設置於第二基板12面對第一基板11之一側，並位於資料線D沿第三方向Z的上方，故俯視顯示面板1時，黑色矩陣BM可覆蓋資料線D。濾光層(圖未顯示)設置於第二基板12及黑色矩陣BM面對第一基板11之一側上，或設置於第一基板11上。由於黑色矩陣BM為不透光材質，因此於第二基板12上可形成不透光的區域，進而界定出可透光的區域。黑色矩陣BM具有多數個遮光區段，且兩相鄰濾光部之間具有至少一遮光區段。本實施例之黑色矩陣BM與濾光層分別設置於第二基板12上，不過，在其它的實施態樣中， 黑色矩陣BM或濾光層也可分別設置於第一基板11上，使其成為一BOA(BM on array)基板，或成為一COA(color filter on array)基板，並不限制。另外，顯示面板1更可包括一保護層(例如為over-coating，圖未顯示)，保護層可覆蓋黑色矩陣BM及濾光層。其中，保護層之材質可為光阻材料、樹脂材料或是無機材料(例如SiOx/SiNx)等，用以保護黑色矩陣BM及濾光層不受後續製程的影響而被破壞。
另外，如圖1B所示，第一電極層141具有一輔助電極部1411 及與輔助電極部1411連接之一驅動電極部1412。其中，輔助電極部1411上具有至少一通孔O，且第一電極層141係透過通孔O與畫素P之一薄膜電晶體(圖未顯示)電性連接。於此，此薄膜電晶體為畫素P的驅動電晶體，且當薄膜電晶體被導通時，畫素P的灰階電壓會經由薄膜電晶體的源極、汲極輸入至第一電極層141。其中，輔助電極部1411的面積以A1表示。
驅動電極部1412具有複數條狀電極沿第一方向X間隔設 置，並分別連接於輔助電極部1411。在本實施例中，如圖1B所示，條狀電極的數量為3(以S1、S2、S3表示)，而輔助電極部1411分別連接於3個條狀電極S1、S2、S3的一端。該些條狀電極S1、S2、S3彼此間隔一距離，並沿著第一方向X平行設置。不過，在不同的實施例中，條狀電極也為不同數量，例如二、四、或其它數量。另外，本實施例之驅動電極部1412更具有一連接電極S4，連接電極S4位於遠離輔助電極部1411的一側，並分別連接該些條狀電極S1、S2、S3。於此，驅動電極部1412的面積以A2表示。
請分別參照圖1B至圖1E所示，其中，圖1C為一實施例中， 光線通過畫素P時，畫素P的發光區域的示意圖，圖1D為畫素P的發光區域沿第一方向X的亮度分佈曲線示意圖，而圖1E為畫素P的發光區域沿第二方向Y的亮度分佈曲線圖示意圖。
如圖1C所示，當光線通過畫素P時，畫素P會有一發光區 域(光線可以穿過畫素P的區域)。其中，光線通過畫素P時，如圖1D所示，發光區域沿第一方向X具有一第一亮度曲線C1(亮度已正規化)。另 外，如圖1E所示，光線通過畫素P時，發光區域沿第二方向Y也會具有一第二亮度曲線C2(亮度已正規化)。因此，在本實施例中，發光區域的面積B可定義為：第一亮度曲線C1沿第一方向X的最大半高寬Ax(Full Width at Half Maximum,FWHM，即亮度分佈曲線中，一半亮度的寬度值；例如10μm≦Ax≦250μm)，乘以第二亮度曲線C2沿第二方向Y的最大半高寬Ay(一般設計上，Ay≒3Ax；第一方向X垂直第二方向Y)。
承上，當顯示面板1之該些掃描線接收一掃描訊號時可分別 使各掃描線對應之各畫素P的薄膜電晶體導通，並將對應每一行畫素P之一資料訊號藉由該些資料線D傳送至對應的該些畫素電極，使顯示面板1可顯示畫面。在本實施例中，灰階電壓可由各資料線D傳送至各畫素P之第一電極層141(畫素電極)，使第一電極層141與第二電極層143之間形成一電場，以驅使液晶層13之液晶分子於第一方向X與第二方向Y所構成的平面上旋轉，進而可調制光線而使顯示面板1顯示影像。
請再參照圖1B所示，對一個畫素P的設計來說，驅動電極 部1412所佔的面積A2若較大時，相對地畫素P的發光區域的面積B也會較大(兩者具有正比關係)，使得畫素P的穿透率也較大。不過，當各畫素P的尺寸與薄膜電晶體的設計固定之後，驅動電極部1412的面積A2也被限制住了。因此，為了提高顯示面板1的穿透率，可透過提高驅動電極部1412的面積A2並降低輔助電極部1411的面積A1來達成。但是，較小面積的輔助電極部1411除了影響通孔O的設置之外，也會影響畫素P的電性，例如較小面積的輔助電極部1411會使畫素P的電容(包含儲存電容及液晶電容)也變小，進而影響畫素電極的充電時間(charging time)及充電電壓。另外，若設計較大面積的輔助電極部1411則會增加畫素P的電容量而使畫素電極的充電時間變大(這對高ppi的面板不利)，但是卻可降低畫素P中薄膜電晶體的漏電流比例而使畫素的灰階電壓與其實際充電電壓較為接近。因此，畫素P的輔助電極部1411的面積A1與驅動電極部1412的面積A2(或發光區域的面積B)的比例需加以適當的考量，以兼顧電性及光學上的要求。
一般而言，畫素電極的實際充電電壓大約等於資料線D傳 送的灰階電壓減充電誤差Ve，再減去電容耦合電壓(可稱為前饋電壓，feed through voltage)VFT(即實際充電電壓=灰階電壓-Ve-VFT)。因此，為了使畫素P的實際充電電壓越接近灰階電壓而具有較佳的顯示品質，充電誤差Ve與電容耦合電壓VFT的和要越小越好，使得實際充電電壓與灰階電壓越接近越好。其中，充電誤差Ve與電容耦合電壓VFT的公式可如下所示：
其中，C為畫素P的總電容值(即儲存電容、寄生電容與液晶電容的和)，Cgd為薄膜電晶體的閘極與汲極的寄生電容，R是薄膜電晶體的阻值，VgH與VgL分別是薄膜電晶體的控制電壓。
接著，利用電容與電極面積成正比的關係，充電誤差Ve與電容耦合電壓VFT的算式可分別推導如下：
因驅動電極部1412的面積A2與發光區域的面積B在設計上會大概成正比，故令A2=(B/a)。在一實施例中，a的值可為0.76。因此， 另外，
因此，可將Ve與VFT的和以函數方式來表示：
由於函數f的算式相當複雜，因此，本發明不直接解函數f，而是以數值解法來解決。數值解法係以一些現有實施態樣的畫素P之實際數據(Cgd、R、C、VgH、CgL)代入充電誤差Ve與電容耦合電壓VFT的原始公式(1)(2)中。因此，不同組的數值可得到圖2所示之不同(Ve+VFT)的值，進而得到實際數據所形成的曲線F1。再以數學方法模擬曲線F1而得到(Ve+VFT)的趨勢曲線F2。因此，得到的曲線F2的方程式為：
為了得到(Ve+VFT)的最小值，對上式進行微分並求極值：
因此，當輔助電極部1411的面積A1與發光區域的面積B的比值為0.19時，則充電誤差Ve與電容耦合電壓VFT的和為最小，使得畫素電極的實際充電電壓與灰階電壓之間的壓差為最小，此時畫素電極的充電效率為最高，也可使得畫素P的穿透率為最大，進而使得顯示面板1具有較高穿透率而提高產品的競爭力。
不過，考慮到製程上的變異，在本實施例中，A1與B滿足 以下不等式時可使顯示面板1具有較佳的穿透率：0.11×BA10.27×B，其中，A1與B的單位為微米的平方。較佳者，A1與B更滿足以下方程式時，顯示面板1可具有更佳的穿透率：0.13×BA10.25×B。
另外，請參照圖3A至圖3D所示，其分別為本發明不同實施態樣之第一電極層141a~141d的示意圖。先說明的是，圖3A至圖3D的第一電極層141a~141d的圖樣只是舉例，不可用以限制本發明。
如圖3A，第一電極層141a與圖1B之第一電極層141主要的不同在於，第一電極層141a只具有3個條狀電極S1、S2、S3，而不具有連接電極S4。
另外，如圖3B所示，第一電極層141b與圖1B之第一電極層141主要的不同在於，於第一電極層141b中，第二方向Y仍與資料線D的延伸方向實質上平行，但是第一方向X與第二方向Y並非相互垂直，而是夾一銳角，使得畫素大約呈現一個平行四邊形的形狀。另外，第一電極層141b的每一個條狀電極S1、S2、S3分別具有二個轉折。此外，輔助電極部1411與驅動電極部1412之間的連接位置也與圖1B有些許不同。
另外，如圖3C所示，第一電極層141c與圖3B之第一電極層141b主要的不同在於，條狀電極S1只有一個轉折，但是條狀電極S2、S3分別具有二個轉折。另外，輔助電極部1411與驅動電極部1412之間的連接位置及輔助電極部1411的形狀也與圖3B有些許不同。
另外，如圖3D所示，第一電極層141d與圖3B之第一電極層141b主要的不同在於，第一電極層141d具有4個條狀電極S1、S2、S3、S5，使得第一電極層141d的面積比第一電極層141b的面積大。
此外，第一電極層141a~141d的其它特徵可對應參照第一電極層141的相同元件，不再贅述。
另外，請參照圖4所示，其為本發明較佳實施例之一種顯示裝置2的示意圖。
顯示裝置2包括一顯示面板3以及一背光模組4(Backlight Module)，顯示面板3與背光模組4相對設置。其中，顯示面板3可為上述之顯示面板1，且顯示面板1之畫素的第一電極層可為上述的第一電極層 141、141a、141b、141c或141d，或其變化態樣，其結構及其細節可參照上述，不再多作說明。當背光模組4發出的光線E穿過顯示面板3時，可透過顯示面板3之各畫素顯示色彩而形成影像。
綜上所述，因本發明之顯示面板及顯示裝置中，畫素之第一電極層的驅動電極部具有複數條狀電極沿第一方向間隔設置，而輔助電極部的面積為A1；另外，光線通過畫素時，畫素的發光區域的面積為B，其中，A1與B滿足以下方程式：0.11×BA10.27×B。藉此，當輔助電極部的面積A1與畫素的發光區域的面積B滿足以上的方程式時，可使顯示面板及顯示裝置兼顧電性及光學的考量，使得畫素的穿透率為最大。因此，本發明之顯示面板及顯示裝置可具有較高的穿透率，並可提高產品的競爭力。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
141‧‧‧第一電極層
1411‧‧‧輔助電極部
1412‧‧‧驅動電極部
A1、A2、B‧‧‧面積
O‧‧‧通孔
S1~S3‧‧‧條狀電極
S4‧‧‧連接電極
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Z‧‧‧第三方向

Claims (10)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，與該第一基板相對而設；以及一畫素陣列，配置於該第一基板與該第二基板之間，該畫素陣列包含至少一畫素，該畫素具有一第一電極層，該第一電極層具有一輔助電極部及與該輔助電極部連接之一驅動電極部，該驅動電極部具有複數條狀電極沿一第一方向間隔設置，該輔助電極部的面積為A1，一光線通過該畫素時，該畫素具有一發光區域，該發光區域的面積為B，其中，A1與B滿足以下方程式：0.11×BA10.27×B，且A1與B的單位相同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中A1與B更滿足以下方程式：0.13×BA10.25×B。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該發光區域沿該第一方向具有一第一亮度曲線，該發光區域沿一第二方向具有一第二亮度曲線，該發光區域的面積B為該第一亮度曲線沿該第一方向的最大半高寬乘以該第二亮度曲線沿該第二方向的最大半高寬，且該第一方向垂直該第二方向。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該輔助電極部上具有至少一通孔，該第一電極層係透過該通孔與一薄膜電晶體電性連接。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該驅動電極部更具有一連接電極，該連接電極位於遠離該輔助電極部的一側，並連接該些條狀電極。
  6. 一種顯示裝置，包括：一顯示面板，具有一第一基板、一第二基板以及一畫素陣列，該第一基板與該第一基板相對而設，配置於該第一基板與該第二基板之間，並包含至少一畫素，該畫素具有一第一電極層，該第一電極層具有一輔助電極部及與該輔助電極部連接之一驅動電極部，該驅動電極部具有 複數條狀電極沿一第一方向間隔設置，該輔助電極部的面積為A1，一光線通過該畫素時，該畫素具有一發光區域，該發光區域的面積為B，其中，A1與B滿足以下方程式：0.11×BA10.27×B，且A1與B的單位相同。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中A1與B更滿足以下方程式：0.13×BA10.25×B。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該發光區域沿該第一方向具有一第一亮度曲線，該發光區域沿一第二方向具有一第二亮度曲線，該發光區域的面積B為該第一亮度曲線沿該第一方向的最大半高寬乘以該第二亮度曲線沿該第二方向的最大半高寬，且該第一方向垂直該第二方向。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該輔助電極部上具有至少一通孔，該第一電極層係透過該通孔與一薄膜電晶體電性連接。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該驅動電極部更具有一連接電極，該連接電極位於遠離該輔助電極部的一側，並連接該些條狀電極。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106354309B (zh) * 2016-08-29 2023-10-20 漳州中科智谷科技有限公司 一种触控面板及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3495256B2 (ja) * 1998-06-23 2004-02-09 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 液晶表示装置
TWI257021B (en) * 1999-06-11 2006-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP5301895B2 (ja) * 2008-07-01 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP5156506B2 (ja) * 2008-07-01 2013-03-06 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
KR101305378B1 (ko) * 2010-03-19 2013-09-06 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
JP5647901B2 (ja) * 2011-01-07 2015-01-07 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP2015148637A (ja) * 2012-05-23 2015-08-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP5830433B2 (ja) * 2012-05-30 2015-12-09 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP5878979B2 (ja) * 2012-07-25 2016-03-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
US20150279865A1 (en) * 2012-10-03 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and display device
JP6256824B2 (ja) * 2013-08-12 2018-01-10 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 横電界方式液晶表示装置

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