TW201604299A - 鏡控式濺鍍裝置 - Google Patents

鏡控式濺鍍裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201604299A
TW201604299A TW104112222A TW104112222A TW201604299A TW 201604299 A TW201604299 A TW 201604299A TW 104112222 A TW104112222 A TW 104112222A TW 104112222 A TW104112222 A TW 104112222A TW 201604299 A TW201604299 A TW 201604299A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
outer peripheral
targets
film formation
edge portion
Prior art date
Application number
TW104112222A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Tao
Kazunori Aoe
Bunpei Tanaka
Shingo Suenaga
Noriaki Hamanaga
Kazuki Ohta
Original Assignee
Choshu Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Choshu Industry Co Ltd filed Critical Choshu Industry Co Ltd
Publication of TW201604299A publication Critical patent/TW201604299A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供一種鏡控式濺鍍裝置，於濺鍍時，能夠使放電電壓降低而防止異常放電發生等，能持續穩定的濺鍍。本發明之鏡控式濺鍍裝置，具備：一對靶材屏蔽，係在配置於真空容器內之前述各靶材的外周緣部或其鄰近位置且為前述各靶材的前述磁場空間側的位置，分別配置成和前述靶材相向，且具有和前述各靶材的侵蝕區域相向之開口部。前述各靶材屏蔽，具備開口部，該開口部具有和前述各靶材的侵蝕區域的外周緣部具略相似關係之外周緣部，且為相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向往外周側位於恰好約1~11mm或約3~5mm之外周緣部。

Description

鏡控式濺鍍裝置
本發明係有關鏡控式(mirrortron)濺鍍裝置，特別是有關能夠持續穩定的濺鍍之鏡控式濺鍍裝置。
習知，作為迎合基板的大型化、薄膜形成的高速化、及製程中的薄膜的低損壞化等要求之濺鍍裝置，例如已知有圖9所示般之鏡控式(相向靶材式)濺鍍裝置(參照專利文獻1)。該圖9所示習知之鏡控式濺鍍裝置，是將一對靶材9於真空容器1內相距間隔而相向配置，且將用來在各靶材9、9間形成磁場空間H之磁鐵12a，12b，配置於各靶材9的背面側而使得相異的磁極互相相向，又，將被處理對象亦即基板22配置於各靶材9、9間的側方而與磁場空間H對峙。該習知之鏡控式濺鍍裝置中，設有氣體供給管道19，用來對前述基板22的鄰近供給氧氣或氮氣等反應性氣體，而於前述各靶材9、9間的側方鄰近設有氣體供給管道20，用來供給氬氣等惰性氣體。另，圖9中，14為與前述各磁鐵12a，12b的端部接合之軛(yoke)，8為分別支撐各靶材9之靶材托 座，18為配置於前述各靶材托座8的前述基板22側的位置之隔壁，18a為形成於前述隔壁18的和前述基板22相向的位置之開口部。
當使用這樣習知之鏡控式濺鍍裝置進行濺鍍時，將前述真空容器1內排氣使成為真空後，從前述氣體供給管道20例如供給氬氣，其後，從直流電源(圖示省略)對前述靶材9施加電壓以使前述各靶材9成為陰極。如此，存在於前述各靶材9、9間的氬氣，會離子化成為電漿。像這樣產生的電漿，會在被封閉於前述磁場空間H內之狀態下一面在前述各靶材9、9間往復運動，一面濺鍍前述各靶材9、9。被濺鍍的粒子，從前述磁場空間H飛出，而被從前述氣體供給管道19供給之例如氧氣所氧化，附著、堆積於前述基板22的表面上。藉此，便在前述基板22的表面形成薄膜。
此外，這樣習知之鏡控式濺鍍裝置中，如圖9所示，在前述各靶材9的前述磁場空間H側，配備有靶材屏蔽(屏蔽罩)16，其覆蓋前述各靶材9的外周緣部及其周邊，例如由不鏽鋼製平板的框狀體所構成。在該靶材屏蔽16，為了不妨礙前述電漿對前述各靶材9之濺鍍，係形成有開口部16a，其具有外周緣部，該外周緣部和前述各靶材9的表面當中的被前述電漿濺鍍之侵蝕(erosion)區域(受到濺鍍侵蝕，亦即厚度逐漸減少之區域)相向而與前述侵蝕區域的外周緣部一致。
這樣的靶材屏蔽16，是用來防止前述被濺鍍 的粒子附著堆積於前述各靶材9的表面當中的侵蝕區域的外側部分(非侵蝕區域)，藉此進而防止異常放電產生或前述附著的粒子剝落而產生微粒。
另，前述靶材屏蔽16，係與前述真空容器1的壁面電性連接，藉此被設計成接地電位(0V)(前述靶材屏蔽16，亦可相對於前述真空容器1的壁面而言電性絕緣，藉此被保持在電性浮空(floating)狀態)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第3505459號公報
然而，當使用前述這樣習知之鏡控式濺鍍裝置進行濺鍍的情形下，於成膜時常會有放電電壓經時上昇等而發生異常放電導致不得不停止裝置之情況。此外，當使用前述這樣習知之鏡控式濺鍍裝置進行濺鍍的情形下，於成膜時當以目視觀察示意前述磁場空間H內的電漿之圖像時，常會觀察到該圖像中有紅白色發光，觀測到前述電漿於目視下移動之現象。
像這樣，習知之鏡控式濺鍍裝置中，於成膜中常會有放電電壓經時上昇等而發生異常放電等情況，此外，常發生存在於前述磁場空間H內之電漿發生於目視下移動之現象(為求持續穩定的濺鍍，理想是前述電漿於目 視下不移動)，因此，會引發成膜中高能量的粒子入射至基板而造成製程中的薄膜受到損壞，或是放電電壓的上昇或發生異常放電等而無法持續穩定的濺鍍，等等問題。
本發明係著眼於這樣的習知技術的問題點而研發，目的在於提供一種鏡控式濺鍍裝置，當使用鏡控式濺鍍裝置進行濺鍍的情形下，能夠使成膜時初期的放電電壓低電壓化，而能防止成膜中放電電壓上昇之現象、成膜中發生異常放電之現象、成膜中存在於磁場空間內之電漿於目視下移動之現象、及成膜中濺鍍粒子附著於靶材的侵蝕區域的外周側之現象，其結果，能夠防止成膜中高能量粒子入射至基板造成製程中的薄膜受到損壞，同時持續穩定的濺鍍。
習知之鏡控式濺鍍中，於成膜時會對各靶材9施加一500V左右的負電位，因此和該靶材電位具有同等高能量之粒子會入射至基板，對製程中的薄膜造成損壞。此外，習知之鏡控式濺鍍中，於成膜中會有放電電壓經時上昇或發生異常放電，高能量粒子入射至基板對製程中的薄膜造成損壞之問題。
鑑此，本發明者將靶材屏蔽的開口部的外周緣部(構成靶材屏蔽之框狀體的內周緣部)的形狀或開口尺寸做種種變更，並在使用具備具有如此變更後的種種形狀或尺寸的開口部之各靶材屏蔽之鏡控式濺鍍裝置進行連 續成膜的情形下，對於成膜時的初期的放電電壓大小、成膜中放電電壓有無上昇、成膜中有無異常放電發生、及成膜中存在於磁場空間內之電漿有無發生於目視下移動之現象等加以實驗、測定。
其結果，本發明者查明，當將靶材屏蔽的開口部，構成為具有和靶材的侵蝕區域(通常為略圓形或略橢圓形狀)的外周緣部具略相似形亦即略圓形或略橢圓形狀之外周緣部，且為相較於和前述侵蝕區域的外周緣部一致之位置而言於半徑方向或長軸方向往外周側擴寬恰好約1~11mm(更理想為約3~5mm)之外周緣部時，能夠使成膜時初期的放電電壓低電壓化，而能抑制成膜中放電電壓上昇、能抑制成膜中發生異常放電、能抑制成膜中存在於磁場空間內之電漿於目視下移動之現象發生、且能抑制濺鍍粒子附著於靶材的侵蝕區域的外周部，其結果，能夠防止高能量粒子入射至基板而對製程中的薄膜造成損壞，同時持續穩定的濺鍍。其結果，本發明者進而完成了具備下述這樣新穎的靶材屏蔽之鏡控式濺鍍裝置之發明。
亦即，本發明之鏡控式濺鍍裝置，係一種鏡控式濺鍍裝置，具備：真空容器，供作為被處理對象之基板配置於內部；及一對靶材，在前述真空容器內隔著規定間隔相向配置；及一對磁鐵，在前述各靶材的外周緣部或其鄰近位置且為前述各靶材的互相相向之面的背面側或側方的位置，分別配置成使得相異的磁極互相相向；及一對靶材屏蔽，由框狀體所構成，在前述各靶材的前述磁場空 間側的位置分別配置成和前述靶材相向，具有和前述各靶材的侵蝕區域相向之開口部；其中，前述各靶材屏蔽的開口部，係分別形成為，具有和前述各靶材表面當中的略圓形或略橢圓形狀之侵蝕區域的外周緣部具略相似形狀之外周緣部，且為相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向往外周側位於恰好約1~11mm之外周緣部。
此外，本發明之鏡控式濺鍍裝置，係一種鏡控式濺鍍裝置，具備：真空容器，供作為被處理對象之基板配置於內部；及一對靶材，在前述真空容器內隔著規定間隔相向配置；及一對磁鐵，在前述各靶材的外周緣部或其鄰近位置且為前述各靶材的互相相向之面的背面側或側方的位置，分別配置成使得相異的磁極互相相向；及一對靶材屏蔽，由框狀體所構成，在前述各靶材的前述磁場空間側的位置分別配置成和前述靶材相向，具有和前述各靶材的侵蝕區域相向之開口部；其中，前述各靶材屏蔽的開口部，係分別形成為，具有和前述各靶材表面當中的略圓形或略橢圓形狀之侵蝕區域的外周緣部具略相似形狀之外周緣部，且為相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向往外周側位於恰好約3~5mm之外周緣部。
本發明中，係將前述各靶材屏蔽的和前述侵 蝕區域相向之開口部形成為，具有和前述各靶材表面當中的略圓形或略橢圓形狀之侵蝕區域的外周緣部具略相似形狀之外周緣部，且為由相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向大了恰好約1~11mm的尺寸(往外周側擴寬前述恰好約1~11mm)所成之外周緣部，故使用鏡控式濺鍍裝置進行濺鍍的情形下，能夠使成膜時初期的放電電壓低電壓化，而能防止成膜中放電電壓上昇之現象、成膜中發生異常放電之現象、成膜中存在於磁場空間內之電漿於目視下移動之現象、及成膜中濺鍍粒子附著於靶材的侵蝕區域的外周側之現象。故，按照本發明，便能夠於成膜中防止高能量粒子入射至基板造成製程中的薄膜受到損壞，同時防止放電電壓上昇或發生異常放電等，而持續穩定的濺鍍。
此外，本發明中，係將前述各靶材屏蔽的和前述侵蝕區域相向之開口部形成為，具有和前述各靶材表面當中的略圓形或略橢圓形狀之侵蝕區域的外周緣部具略相似形狀之外周緣部，且為由相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向大了恰好約3~5mm的尺寸(往外周側擴寬前述恰好約3~5mm)所成之外周緣部，故使用鏡控式濺鍍裝置進行濺鍍的情形下，能夠使成膜時初期的放電電壓低電壓化，而能防止成膜中放電電壓上昇之現象、成膜中發生異常放電之現象、成膜中存在於磁場空間內之電漿於目視下移動之現象、及成膜中濺鍍粒子附著於靶材的侵蝕區域的外周側之現象。故，按照本發 明，便能夠於成膜中防止高能量粒子入射至基板造成製程中的薄膜受到損壞，同時防止放電電壓上昇或發生異常放電等，而持續穩定的濺鍍。
1‧‧‧真空容器
8‧‧‧靶材托座
9‧‧‧靶材
12a，12b‧‧‧磁鐵
16，31‧‧‧靶材屏蔽
16a，18a，32‧‧‧開口部
18‧‧‧隔壁
19‧‧‧氣體供給管道
20‧‧‧氣體供給管道
22‧‧‧基板
32a‧‧‧開口部的外周緣部
A‧‧‧靶材的外周緣部
B‧‧‧靶材表面的侵蝕區域的外周緣部
H‧‧‧磁場空間
〔圖1〕本發明一實施形態之靶材屏蔽示意平面圖。
〔圖2〕使用習知具備具有和靶材的侵蝕區域的外周緣部一致之外周緣部的開口部的靶材屏蔽之鏡控式濺鍍裝置，連續成膜時的放電電壓等測定結果示意圖。
〔圖3〕本發明一實施形態之，使用具備具有相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言位於外周側1mm以上的長度之外周緣部的開口部的靶材屏蔽之鏡控式濺鍍裝置，連續成膜時的放電電壓等測定結果示意圖。
〔圖4〕本發明另一實施形態之，使用具備具有相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言位於外周側11mm以下的長度之外周緣部的開口部的靶材屏蔽之鏡控式濺鍍裝置，連續成膜時的放電電壓等測定結果示意圖。
〔圖5〕比較例之，使用具備具有相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言位於外周側超出11mm的長度之外周緣部的開口部的靶材屏蔽之鏡控式濺鍍裝置，連續成膜時的放電電壓等測定結果示意圖。
〔圖6〕使用靶材屏蔽的開口部的尺寸彼此相異之複數種類的鏡控式濺鍍裝置來連續成膜時，於各個情形下目 視磁場空間H內的電漿時看見之狀態示意圖。
〔圖7〕使用靶材屏蔽的開口部的尺寸彼此相異之複數種類的鏡控式濺鍍裝置來連續成膜時，於各個情形下濺鍍粒子附著於靶材的侵蝕區域的周邊部之狀態示意圖。
〔圖8〕使用靶材屏蔽的開口部的尺寸彼此相異之複數種類的鏡控式濺鍍裝置來連續成膜時，針對各者的初期放電電壓、放電電壓的穩定性、放電電壓的上昇度、電漿目視的狀態、異常放電、及膜剝落等之各測定結果示意圖。
〔圖9〕習知之鏡控式濺鍍裝置示意概略圖。
圖1為本發明實施形態之靶材屏蔽示意平面圖。圖1中，31為例如由不鏽鋼製平板所構成之框狀的靶材屏蔽，32為形成於前述靶材屏蔽31的內側之開口部，32a為前述開口部32的外周緣部(構成前述靶材屏蔽31之框狀體的內周緣部)。
此外圖1中，A表示和前述靶材屏蔽31相向之靶材(參照圖9的9)的外周緣部，B表示前述靶材的表面(被電漿濺鍍的面)當中的侵蝕區域的外周緣部(侵蝕區域與非侵蝕區域之交界部分)。
習知之鏡控式濺鍍裝置中的靶材屏蔽(參照圖9的16)，如前述般，其開口部(參照圖9的16a)的外周緣部，係構成為和前述侵蝕區域的外周緣部B(參照 圖1)一致。相對於此，本實施形態之鏡控式濺鍍裝置的靶材屏蔽31，如圖1所示，其開口部32係被構成成為，具有和前述靶材的侵蝕區域的外周緣部B呈略相似形之略橢圓形狀的外周緣部，且相較於和前述侵蝕區域的外周緣部B相向及一致之位置而言，於長軸方向往外周側擴寬了約1~11mm，例如約3~5mm(相較於前述侵蝕區域的外周緣部B而言，於長軸方向大了前述約1~11mm，更理想是約3~5mm之尺寸所構成)之外周緣部32a。
按照本發明者的各種實驗(後述)，當設計成使用具備前述這樣的靶材屏蔽31之本實施形態進行濺鍍時，能夠使成膜時初期的放電電壓低電壓化，而能防止成膜中放電電壓上昇之現象、成膜中發生異常放電之現象、成膜中存在於磁場空間內之電漿於目視下移動之現象、及成膜中濺鍍粒子附著於靶材的侵蝕區域的外周側之現象，故能夠防止高能量粒子入射至基板而對製程中的薄膜造成損壞，同時持續穩定的濺鍍。
接著，說明本發明者關於本發明實施形態進行之複數個實驗及測定結果。首先，說明本發明者進行之第1實驗。本發明者，使用將開口部的外周緣部形成為和靶材的侵蝕區域的外周緣部一致之靶材屏蔽(習知之靶材屏蔽)，對基板進行Al2O3膜(平均膜厚1800Å)的連續成膜，並測定其成膜中的放電電壓、有無異常放電發生、目視下的電漿狀態、濺鍍粒子對於靶材外周部的附著程度等。在此情形下，如圖7(a)所示，並未觀察到濺鍍粒 子附著、堆積於靶材的侵蝕區域的外周側之現象。但，在此情形下，如圖2及圖8所示，初期放電電壓為很高的520V，觀察到放電電壓於成膜中有經時上昇的傾向，亦發生了異常放電。此外，在此情形下，如圖6(a)所示，觀察到前述磁場空間H內的電漿於目視下移動且顯現紅白色發色之現象(表示電漿不穩定之現象)。故，依上述圖2所示實驗，當使用將開口部的外周緣部形成為和靶材的侵蝕區域的外周緣部一致之靶材屏蔽(習知之靶材屏蔽)來連續成膜時，能夠觀測到成膜時初期的放電電壓為高電壓、成膜中放電電壓顯現上昇傾向、成膜中發生了異常放電、以及成膜中磁場空間H內的電漿於目視下移動等。
接著，說明本發明者進行之第2實驗。本發明者，使用將開口部的外周緣部形成為相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言於長軸方向往外周側約1mm以上-本實驗中為恰好1mm-之靶材屏蔽，對基板進行Al2O3膜(平均膜厚1800Å)的連續成膜，並測定其成膜中的放電電壓、有無異常放電發生、目視下的電漿狀態、濺鍍粒子對於靶材外周部的附著程度等。本實驗中，如圖3及圖8所示，初期放電電壓為430V，相較於習知例為較低電壓，放電電壓於成膜中沒有經時上昇之現象，亦沒有發生異常放電。此外，本實驗中，如圖6(b)所示，在前述磁場空間H內的電漿示意圖像之觀察中，沒有電漿於目視下移動之現象(表示電漿不穩定之現象)，沒有紅白色的發色，而僅觀察到Ar電漿的發色。又，本實驗中，如圖 7(a)所示，亦未觀察到濺鍍粒子附著、堆積於靶材的侵蝕區域的外周側之現象。故，依本實驗，當使用將開口部的外周緣部形成為相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言於長軸方向往外周側約1mm以上之靶材屏蔽來連續成膜時，能夠觀測到成膜時初期的放電電壓低電壓化、成膜中放電電壓沒有上昇、成膜中沒有發生異常放電、成膜中磁場空間H內的電漿沒有發生於目視下移動之現象、以及成膜中濺鍍粒子沒有附著於靶材的侵蝕區域的外周側等。
接著，說明本發明者進行之第3實驗。本發明者，使用將開口部的外周緣部形成為相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言於長軸方向往外周側約11mm以下-本實驗中為恰好11mm-之靶材屏蔽，對基板進行Al2O3膜(平均膜厚1800Å)的連續成膜，並測定其成膜中的放電電壓、有無異常放電發生、目視下的電漿狀態、濺鍍粒子對於靶材外周部的附著程度等。本實驗中，如圖4及圖8所示，初期放電電壓為427V，相較於習知例為較低電壓，放電電壓於成膜中沒有經時上昇之現象，亦沒有發生異常放電。此外，本實驗中，如圖6(b)所示，在前述磁場空間H內的電漿示意圖像之觀察中，沒有電漿於目視下移動之現象(表示電漿不穩定之現象)，沒有紅白色的發色，而僅觀察到Ar電漿的發色。又，本實驗中，如圖7(a)所示，亦未觀察到濺鍍粒子附著、堆積於靶材的侵蝕區域的外周側之現象。故，依本實驗，當使用將開口部的外周緣部形成為相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言 於長軸方向往外周側約11mm以下的長度之靶材屏蔽來連續成膜時，能夠觀測到成膜時初期的放電電壓低電壓化、成膜中放電電壓沒有上昇、成膜中沒有發生異常放電、成膜中磁場空間H內的電漿沒有發生於目視下移動之現象、以及成膜中濺鍍粒子沒有附著於靶材的侵蝕區域的外周側等。
接著，說明本發明者進行之第4實驗。本發明者，使用將開口部的外周緣部形成為相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言於長軸方向往外周側超出了約11mm的長度-本實驗中例如為恰好15mm-之靶材屏蔽，對基板進行Al2O3膜(平均膜厚1800Å)的連續成膜，並測定其成膜中的放電電壓、有無異常放電發生、目視下的電漿狀態、濺鍍粒子對於靶材外周部的附著程度等。本實驗中，如圖5及圖8所示，初期放電電壓為348V，相較於習知例為大幅的低電壓，放電電壓於成膜中沒有經時上昇之現象，亦沒有發生異常放電。此外，本實驗中，如圖6(b)所示，在前述磁場空間H內的電漿示意圖像之觀察中，沒有電漿於目視下移動之現象(表示電漿不穩定之現象)，沒有紅白色的發色，而僅觀察到Ar電漿的發色。但，本實驗中，如圖7(b)所示，濺鍍粒子大量附著於靶材的侵蝕區域的外周側，由於該附著而形成的膜發生剝落之現象，無法連續成膜。故，依本實驗，當使用將開口部的外周緣部形成為相較於靶材的侵蝕區域的外周緣部而言於長軸方向往外周側超出約11mm的長度之靶材屏蔽來 連續成膜時，成膜時初期的放電電壓低電壓化、成膜中放電電壓沒有上昇、成膜中沒有發生異常放電、且成膜中磁場空間H內的電漿亦沒有發生於目視下移動之現象，但另一方面，能夠觀測到成膜中濺鍍粒子大量附著於靶材的侵蝕區域的外周側而因該附著形成的膜發生剝落之現象，無法連續成膜。
圖8為統整以上有關圖2~5說明之各實驗及測定結果，以便能容易相互比較。依圖8，為了使成膜時初期的放電電壓低電壓化、使成膜中放電電壓不上昇、使成膜中不發生異常放電、使成膜中磁場空間H內的電漿不發生於目視下移動之現象、且使成膜中不讓濺鍍粒子大量附著於靶材的侵蝕區域的外周側而因該附著形成的膜發生剝落之現象，理想是將靶材屏蔽的開口部形成為相較於靶材的侵蝕區域而言往外周側擴寬恰好約1~11mm。
31‧‧‧靶材屏蔽
32‧‧‧開口部
32a‧‧‧開口部的外周緣部
A‧‧‧靶材的外周緣部
B‧‧‧靶材表面的侵蝕區域的外周緣部

Claims (2)

  1. 一種鏡控式濺鍍裝置，具備：真空容器，供作為被處理對象之基板配置於內部；及一對靶材，在前述真空容器內隔著規定間隔相向配置；及一對磁鐵，在前述各靶材的外周緣部或其鄰近位置且為前述各靶材的互相相向之面的背面側或側方的位置，分別配置成使得相異的磁極互相相向；及一對靶材屏蔽，由框狀體所構成，在前述各靶材的前述磁場空間側的位置分別配置成和前述靶材相向，具有和前述各靶材的侵蝕區域相向之開口部；其特徵為：前述各靶材屏蔽的開口部，係分別形成為，具有和前述各靶材表面當中的略圓形或略橢圓形狀之侵蝕區域的外周緣部具略相似形狀之外周緣部，且為相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向往外周側位於恰好約1~11mm之外周緣部。
  2. 一種鏡控式濺鍍裝置，具備：真空容器，供作為被處理對象之基板配置於內部；及一對靶材，在前述真空容器內隔著規定間隔相向配置；及一對磁鐵，在前述各靶材的外周緣部或其鄰近位置且為前述各靶材的互相相向之面的背面側或側方的位置，分別配置成使得相異的磁極互相相向；及一對靶材屏蔽，由框狀體所構成，在前述各靶材的前述磁場空間側的位置分別配置成和前述靶材相向，具有和前述各靶材的侵蝕區域相向之開口部；其特徵為：前述各靶材屏蔽的開口部，係分別形成為，具有和前述各靶材表面當中的略圓形或略橢圓形狀之侵蝕區域的外 周緣部具略相似形狀之外周緣部，且為相較於前述侵蝕區域的外周緣部而言於半徑方向或長軸方向往外周側位於恰好約3~5mm之外周緣部。
TW104112222A 2014-04-25 2015-04-16 鏡控式濺鍍裝置 TW201604299A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/061699 WO2015162778A1 (ja) 2014-04-25 2014-04-25 ミラートロンスパッタ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201604299A true TW201604299A (zh) 2016-02-01

Family

ID=54331965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104112222A TW201604299A (zh) 2014-04-25 2015-04-16 鏡控式濺鍍裝置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6196732B2 (zh)
TW (1) TW201604299A (zh)
WO (1) WO2015162778A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0527047U (ja) * 1991-09-11 1993-04-06 株式会社大阪真空機器製作所 対向ターゲツト式スパツタ装置のシールドカバー
JP3505459B2 (ja) * 2000-02-10 2004-03-08 豊明 平田 ミラートロンスパッタ装置
JP2002004041A (ja) * 2000-06-20 2002-01-09 Canon Inc 対向ターゲット式スパッタ装置
WO2006097994A1 (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Thin-Film Process Inc. スパッタリング装置
JP2011074480A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Seiko Epson Corp スパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015162778A1 (ja) 2017-04-13
WO2015162778A1 (ja) 2015-10-29
JP6196732B2 (ja) 2017-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0165860B1 (ko) 마그네트론스퍼터링장치
JP5921048B2 (ja) スパッタリング方法
JP4945566B2 (ja) 容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置
KR20130035256A (ko) 스퍼터 성막 장치
JP5527894B2 (ja) スパッタ装置
JP5701050B2 (ja) プラズマ処理装置
KR20140133513A (ko) 스퍼터 장치
US9633824B2 (en) Target for PVD sputtering system
JP4473852B2 (ja) スパッタ装置及びスパッタ方法
US9368331B2 (en) Sputtering apparatus
TW201604299A (zh) 鏡控式濺鍍裝置
JP4673478B2 (ja) バイアススパッタリング装置及びバイアススパッタリング方法
CN111417741B (zh) 溅射成膜装置
KR101827472B1 (ko) 절연물 타겟
JP2010106370A (ja) バイアススパッタリング装置
JP2008127582A (ja) 複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法
JP2002294441A (ja) バイアススパッタリング装置
CN210826335U (zh) 一种具有便于装卸结构的靶材
JP2007291477A (ja) スパッタリング装置
JP2006169610A (ja) スパッタリング装置
JP4614220B2 (ja) スパッタリング装置およびスパッタリング方法
JP2010245296A (ja) 成膜方法
Bellido-Gonzalez et al. HIPIMS in full face erosion circular cathode for semiconductor applications
JP2018135575A (ja) スパッタリング装置
JPH07268618A (ja) マグネトロンスパッタターゲットのクリーニング機構