TW201546010A - 具有按組成變化之Ｔｚｃ梯度的低膨脹矽石－鈦氧化物製品 - Google Patents

具有按組成變化之Ｔｚｃ梯度的低膨脹矽石－鈦氧化物製品 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種供超紫外光微影(Extreme Ultra-Violet Lithography；EUVL)中使用的玻璃製品。玻璃製品包括具有穿過玻璃製品之組成梯度的矽石-鈦氧化物玻璃，該組成梯度藉由以下函數界定：[TiO2]=(c+f(x,y,z))，及[SiO2]=(100-{c+f(x,y,z)}-δ(x,y,z))其中[TiO2]係以重量%為單位的鈦氧化物濃度，[SiO2]係以重量%為單位的矽石濃度，c係針對預定零交越溫度(Tzc)以重量%為單位的鈦氧化物濃度，f(x,y,z)係三維空間中的函數，該函數界定相對於c集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之平均組成中的差，且δ(x,y,z)係三維空間中的函數，該函數界定集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之所有其他組份的和。

Description

具有按組成變化之T zc 梯度的低膨脹矽石-鈦氧化物製品 【相關申請案】
本申請案根據專利法主張於2014年1月31日提出申請之美國臨時申請案第61/934,276號之優先權權益，本案依據該申請案之內容且該申請案之內容以引用之方式全部併入本文。
本發明係針對低熱膨脹矽石-鈦氧化物玻璃製品，且更特定言之係針對具有零交越溫度(Tzc)梯度的低熱膨脹矽石-鈦氧化物玻璃製品。
超紫外光微影(Extreme Ultra-Violet Lithography；EUVL)係一種用於13nm模式及以上的領先新興技術，該技術用於微處理單元及動態隨機存取記憶體(Micro Processing Unit；MPU/Dynamic Random Access Memory；DRAM)積體晶片的生產。目前，生產該等積體晶片(Integrated Chips；ICs)的EUVL掃描器正在被小規模生產以演示此新技術。包括反射光學元件的光學系統係該等掃描器的重要部分。隨著EUVL 不斷發展，對於光學系統部件的規格標準不斷變得更加嚴格。
在EUVL掃描器中，使光學元件暴露於強烈的超紫外光(extreme ultraviolet；EUV)輻射中。系統之光學元件上的反射塗層吸收EUVL系統中所使用之EUV輻射的一部分，從而導致入射輻射加熱光學元件之頂表面。此引發光學元件之表面比光學元件之塊體更熱且導致穿過光學元件的溫度梯度。另外，為了在半導體晶圓上成像圖案，並未均勻加熱光學元件之表面及穿過光學元件之厚度形成複雜的溫度梯度，以及沿光學元件表面接收輻射。該等溫度梯度導致光學元件之畸變，隨後導致形成於晶圓上的影像之模糊。在EUVL掃描器之投影系統中的光學元件中所使用之材料的低熱導率、光學元件之大尺寸及在真空中操作之要求抑制了高效的熱傳遞及熱移除。預期散熱困難度將因為滿足未來EUVL發展需求的光學元件尺寸增加及功率位準增加而加重。
根據本發明之一實施例，提供一種供超紫外光微影(EUVL)中使用的玻璃製品。玻璃製品包括具有穿過玻璃製品之組成梯度的矽石-鈦氧化物玻璃，藉由以下函數界定該組成梯度：[TiO2]=(c+f(x,y,z))，及[SiO2]=(100-{c+f(x,y,z)}-δ(x,y,z))其中[TiO2]係以重量%為單位的鈦氧化物濃度，[SiO2]係以重量%為單位的矽石濃度，c係針對預定零交越溫度(Tzc)以重量%為單位的鈦氧化物濃度，f(x,y,z)係三維空間中的函數，該 函數界定相對於c集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之平均組成中的差，且δ(x,y,z)係三維空間中的函數，該函數界定集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之所有其他組份的和。
根據本發明之另一實施例，提供一種用於形成具有組成梯度的矽石-鈦氧化物玻璃製品之方法。該方法包括混合矽石前驅物與鈦氧化物前驅物以形成足以形成至少兩個玻璃部分的至少兩種混合前驅物組成物，至少兩個玻璃部分之各者具有不同矽石及鈦氧化物濃度。該方法進一步包括用至少兩個燃燒器將至少兩種混合前驅物組成物轉換成至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵(soot)組成物，且在容器中沉積至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物。該方法進一步包括固結至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物以形成具有至少兩個玻璃部分的矽石-鈦氧化物玻璃製品，該等玻璃部分具有不同矽石及鈦氧化物濃度。
在隨後的詳細描述中將闡述額外特徵及優勢，且部分特徵及優勢將自彼描述對熟習此項技術者而言顯而易見或藉由實踐本文所描述之實施例認識，該等實施例包括隨後的詳細描述、申請專利範圍以及隨附圖式。
應將理解，以上一般描述及以下詳細描述兩者皆僅為示例性，且意欲提供概述或構架用於理解申請專利範圍之本質及特徵。將隨附圖式包括在內以提供進一步理解，且將該等圖式併入此說明書且組成此說明書的一部分。該等圖式圖示一或更多個實施例，且與描述一起用來解釋各種實施例之原理與操作。
10‧‧‧玻璃製品
11‧‧‧煙塵顆粒
12‧‧‧收集杯
14‧‧‧矽石前驅物
16‧‧‧爐室
18‧‧‧玻璃體
20‧‧‧載氣
22‧‧‧惰性氣體流
24‧‧‧分配系統
26‧‧‧鈦氧化物前驅物
28‧‧‧混合歧管
34‧‧‧管道
36‧‧‧燃燒器
37‧‧‧火焰
46‧‧‧矽石前驅物源
48‧‧‧矽石前驅物
50‧‧‧載氣
52‧‧‧旁路載氣流
54‧‧‧分配系統
56‧‧‧混合歧管
58‧‧‧鈦氧化物前驅物源
60‧‧‧鈦氧化物前驅物
62‧‧‧惰性氣體流
64‧‧‧惰性載氣
66‧‧‧分配系統
68‧‧‧加熱輸氣管線
70‧‧‧燃燒器
72‧‧‧爐冠
74‧‧‧沉積空腔
76‧‧‧爐室
78‧‧‧靜止壁
80‧‧‧安全殼
82‧‧‧基座
84‧‧‧振盪台
86‧‧‧氣流壁
88‧‧‧移動調節密封件
93‧‧‧燃料
94‧‧‧送風埠
95‧‧‧氧氣
97‧‧‧預混合腔室
99‧‧‧輸氣管線
100‧‧‧平面表面
102‧‧‧煙塵沉積
104‧‧‧襯墊
106‧‧‧玻璃屑
110‧‧‧玻璃區段
112‧‧‧玻璃區段
114‧‧‧玻璃區段
116‧‧‧玻璃區段
118‧‧‧玻璃區段
120‧‧‧玻璃區段
130‧‧‧燃燒器
132‧‧‧燃燒器
134‧‧‧燃燒器
136‧‧‧燃燒器
138‧‧‧燃燒器
140‧‧‧燃燒器
150‧‧‧玻璃製品
152‧‧‧噴射圖案
154‧‧‧容器
200‧‧‧轉換位點
202‧‧‧水平軸
C‧‧‧中心
E‧‧‧邊緣
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
L1-Lz‧‧‧玻璃層
自以下描述及自隨附圖式將更加清楚地理解本發明，該等描述及圖式僅提供為非限制性實例，在該等圖式中：第1圖圖示根據本發明之一實施例的矽石-鈦氧化物玻璃製品；第2圖圖示根據本發明之一實施例具有一系列玻璃層L1至Lz的矽石-鈦氧化物玻璃製品；第3A圖係根據本發明之一實施例的矽石-鈦氧化物玻璃製品之側視圖；第3B圖係第3A圖之矽石-鈦氧化物玻璃製品之俯視圖；第4圖圖示根據本發明之一實施例用於製造矽石-鈦氧化物玻璃製品之設備；第5圖係根據本發明之一實施例用於製造矽石-鈦氧化物玻璃製品之設備之簡單示意圖；以及第6圖圖示根據本發明之一實施例用於製造矽石-鈦氧化物玻璃製品之設備。
現將詳細參考所呈現實施例，在隨附圖式中圖示該等實施例之實例。將儘可能貫穿諸圖使用相同元件符號指代相同或相似部件。
除非上下文另有清楚指示，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」包括複數個指示物。敍述相同特徵的所有範圍之端點係獨立可結合的，並且包括所敍述端點。所 有參考以引用之方式併入本文。
本發明之實施例係關於供EUVL中使用之矽石-鈦氧化物玻璃製品及製備此類矽石-鈦氧化物玻璃製品之方法。參看本文所描述之矽石-鈦氧化物玻璃、製造矽石-鈦氧化物玻璃之方法及該等矽石-鈦氧化物玻璃在EUVL應用中的使用，所使用之術語「製品」係指且包括供EUVL系統中使用之任何尺寸玻璃、由此類玻璃製成的玻璃基板或部件(無論已修整或未修整)及已修整光學元件。亦如本文所使用，術語「零交越溫度(Tzc)」係指實質均勻組成物之材料體積之熱膨脹係數等於零處的溫度。當指示非均勻體積時，Tzc指示彼體積的平均Tzc。
EUVL系統為反射系統，在該等系統中EUV光自一個反射元件彈射至另一反射元件。示例性EUVL系統可含有一對聚光鏡、物件(諸如遮罩)及複數個投影鏡。所有前述光學元件通常具有多層塗層(例如，Mo/Si塗層)，該塗層經沉積在製品上以反射入射光。光學元件中的至少一些可由具有低熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion；CTE)的玻璃製成，該玻璃諸如可從市場上購自美國紐約州康寧市康寧公司之Ultra Low Expansion(ULE®)玻璃。
第1圖圖示具有第一表面S1及第二表面S2的矽石-鈦氧化物玻璃製品10，該第一表面與第二表面位於由厚度T分離的獨立平行平面內。玻璃製品10亦具有中心(由垂直線C表示)及垂直於第一表面S1及第二表面S2的邊緣E。
第2圖圖示具有一系列玻璃層L1至Lz(其中z為 表示層L數量的整數)的玻璃製品10之實施例，每一玻璃層具有不同組成物及位於第一表面S1與第二表面S2之間，其中第一表面S1及第二表面S2分別為層L1及Lz之外表面。出於本發明之目的，如第2圖所示之該系列層L1至Lz將被稱為穿過玻璃製品10之厚度的垂直組成梯度。玻璃製品10亦具有由組成梯度引起的Tzc梯度。根據本發明之一實施例，Tzc可自層L1至層Lz遞減。或者，Tzc可自層L1至層Lz遞增。
第2圖圖示位於層L1與層Lz之間的一系列平行玻璃平面L2至L(z-1)。個別層L1至Lz之厚度可相同，或該等層可取決於製品預期應用而不同。舉例而言，個別層L1至Lz之厚度可等於製品厚度除以z。層數亦可取決於被EUV輻射照射時製品中所產生之溫度或製品中的溫度分佈而不同。舉例而言，EUVL光學元件可具有比另一光學元件更厚的厚度及可具有更多層數以防止被EUV輻射照射時光學元件中的應力。另外，儘管本文所示製品具有圓形表面，但該等製品可為例如而不限於正方形、矩形、橢圓形，或可具有某些應用可需要的複雜形狀。可藉由各種手段形成該等形狀，該等手段例如而不限於藉由使用鋸或水噴射器來形成形狀。
出於說明之目的，第2圖圖示作為平面-平面製品的玻璃製品10；亦即，具有兩個平坦且平行表面的製品。然而，對於EUVL應用中所使用之已修整玻璃製品常見的是具有經機加工成反射表面的曲率。大體而言，當機加工玻璃製品時，自玻璃製品中心附近移除的材料比自玻璃製品邊緣部分附近 移除的材料更多。若將曲率機加工成具有垂直組成梯度的平面-平面製品，則為產生曲率移除材料將導致梯度不均勻。為了抵抗此材料移除影響，玻璃製品可「經重組」或「經滑移」以形成形狀，該形狀可具有經機加工成反射表面而未改變垂直組成梯度之均勻性的曲率。亦可調節具有反射表面的層中之鈦氧化物之徑向濃度，使得層之鈦氧化物濃度在玻璃製品中心附近比在玻璃製品邊緣附近更大。因此，當將曲率機加工成具有反射表面的層時，遍及層的整個表面之鈦氧化物濃度保持均勻。
基於光學元件上的熱負荷，可藉由使用矽石-鈦氧化物玻璃之熱導率、熱移除裝置之置放與效能及對周圍環境之認識決定將在光學元件之塊體中產生的溫度梯度。舉例而言，康寧編號7972 ULE®玻璃在室溫下具有1.31W/(m‧℃)之公佈的熱導率，且該熱導率隨溫度增加適度增長。使用所計算溫度梯度，可獲得將最小化由溫度梯度所引起之玻璃畸變的Tzc輪廓。
表I展示，當習知玻璃製品在EUVL系統中用作光學元件時，該習知玻璃製品之溫度特征值之實例。如表中所示，玻璃製品具有簡單直線輪廓，其中接收EUV輻射的表面具有約40℃之表面溫度，與輻射接收表面距離最遠的表面具有約35℃之溫度，且輻射接收表面和與輻射接收表面距離最遠的表面之間的玻璃製品之部分具有中間溫度。表II展示穿過玻璃製品厚度的Tzc輪廓，該Tzc輪廓將最小化因入射輻射所形成之溫度特征值而造成的玻璃製品畸變。表III展示穿過 玻璃製品厚度的鈦氧化物輪廓，該鈦氧化物輪廓將提供如表II所示之Tzc輪廓。
在表III中，「y」係以重量%為單位的鈦氧化物濃度。根據表中所示之示例性玻璃製品，y係具有40℃之Tzc的玻璃以重量%為單位的鈦氧化物濃度。符號「ε」係以質量%為單位的鈦氧化物濃度，該鈦氧化物濃度使Tzc變化1.0℃。ε值取決於熱膨脹係數(CTE)斜率，經由退火或經由用至少一種摻雜物摻雜在材料中產生該斜率。舉例而言，對於具有20℃下1.6ppb/°K2之CTE斜率的材料，使零交越溫度自35℃至40℃變化的鈦氧化物濃度的增加將為約0.08重量%。對於具有較低CTE斜率(例如，20℃下0.6ppb/°K2之斜率)的材料，使Tzc自35℃至40℃變化的鈦氧化物濃度的增加將為約0.01重量%。因此，對於Tzc中的5.0℃變化，諸如表II至表III中所示，ε值等於變化所需鈦氧化物量的五分之一。儘管在ε下的Tzc偏移為非線性，但線性近似對於相對較小Tzc偏移可足夠精確。在本發明之範疇內，可在層間調節ε以考慮到此 非線性。作為此線性近似之實例，對於具有20℃下1ppb/°K2之CTE斜率的矽石-鈦氧化物玻璃，將使Tzc變化1.0℃的「ε」值在37℃之Tzc下為約0.007重量%。
第3A圖係側視圖及第3B圖係俯視圖，兩個圖圖示具有一系列玻璃區段110至120(在第3A圖中由虛線指示)的玻璃製品10之實施例，每一玻璃區段具有不同組成物及位於玻璃製品10之中心C與邊緣E之間。出於本發明之目的，如第3A圖及第3B圖中所示之該系列玻璃區段110至120將被稱為跨玻璃製品10之水平軸202的水平組成梯度，其中水平組成梯度自中心C延伸至邊緣E。第3A圖及第3B圖中所示之玻璃製品10亦具有由組成梯度引起的Tzc梯度。根據本發明之一實施例，Tzc可自區段110至區段120遞減。或者，Tzc可自區段110至區段120遞增。
在Tzc跨水平軸202自玻璃製品10之中心C至邊緣E遞減的實施例中，鈦氧化物濃度自區段110處的y至區段120處的y-5ε遞減，如第3A圖及第3B圖中所示。表IV將表III之鈦氧化物輪廓之線性近似與第3A圖及第3B圖中的玻璃區段關聯。
在另一實施例中，玻璃製品10具有水平組成梯度及垂直組成梯度兩者。由於在沉積製程期間水平梯度與垂直梯度兩者皆不同，該組成梯度及Tzc梯度比具有單向組成梯度的實施例中的情況更加複雜。表V使用來自表III的數據，且表V為示例性實施例，其中鈦氧化物在自區段110至區段120的水平方向及自層L1至層Lz的垂直方向兩者上遞減。表V中所示玻璃製品10具有層L1，層L1具有接收EUV輻射的表面S1，其中層L1中自玻璃區段110至玻璃區段120的溫度相對於層L2至L6中的相同玻璃區段將為最高。
為了簡化實例，鈦氧化物沿45°對角線自L1-110至L5-120的遞減速率比鈦氧化物垂直或水平遞減的速率更高。平行於L1-110至Lz-120對角線及位於L1-110至Lz-120對角線上方與下方的對角線展示出類似變化速率。如表V中所示，鈦氧化物含量之變化速率係垂直軸變化及水平軸變化的和。舉例而言，表V之方格L6-120具有y-10ε之鈦氧化物變化及△=-10℃。
根據本發明之實施例，層L1或經配置接收入射EUV輻射的任何層可具有約0℃至約100℃範圍內的Tzc。或者，層L1或經配置接收入射EUV輻射的任何層可具有約10℃至約80℃範圍內或約10℃至約60℃範圍內的Tzc。
根據本發明之實施例，玻璃製品可具有約3.0重量%至約12重量%之鈦氧化物濃度，其餘者為矽石。鈦氧化物濃度可處於約4.0重量%至約10重量%範圍內，或甚至處於約5.0重量%至約9.0重量%範圍內。
根據本發明之實施例，玻璃製品可具有小於或等於約1200ppm之[OH]含量。[OH]含量可小於或等於約1000ppm，或甚至小於或等於約900ppm。
根據本發明之實施例，玻璃製品可具有小於或等於約1100℃之虛構溫度。虛構溫度可小於或等於約1000℃或小於或等於約900℃。
根據本發明之實施例，玻璃製品可具有小於或等於 約5.0重量ppm之Ti+3含量。玻璃製品之Ti+3含量可小於或等於約3.0重量ppm。
根據本發明之實施例，玻璃製品可具有小於約25nm/cm之雙折射率。雙折射率可小於約20nm/cm，或甚至小於約10nm/cm。
根據本發明之實施例，玻璃製品可具有約0.50μm至約2.1μm之波長範圍上的至少約80%/cm之內部透射率。
根據本發明之實施例，玻璃製品之至少一個層L1至Lz可包括至少一種摻雜物。該摻雜物可為但不限於氟，OH，鋁、硼、鈉、鉀、鎂、鈣、鋰及鈮之氧化物及上述之組合。
第4圖圖示用於在容器中製造、沉積及固結矽石-鈦氧化物煙塵的設備。使用此設備，煙塵可為以下之任一者：(a)在一個步驟中收集及固結的煙塵(直接法)；或(b)在第一步驟中收集及在第二步驟中固結的煙塵(間接法或煙塵收至玻璃法)。在美國專利案第8,541,325號、第RE41220號及第7,589,040號中已描述直接製程，且在美國專利案第6,487,879號中已描述間接製程，該等專利案之說明書以引用之方式全部併入本文。亦可使用美國專利案第RE40,586號及美國專利申請案第2011-0207593號中描述之設備，該等專利案及申請案之說明書以引用之方式全部併入本文。
第4圖中所示之設備可用於形成具有處於約0.20公尺至約2.0公尺範圍內或更大之直徑及處於約10cm至約30cm範圍內之厚度的矽石-鈦氧化物玻璃製品。正形成之設備及 製品之尺寸將影響所使用燃燒器的數量。使用第4圖及直接法作為實例，提供矽石前驅物48之源46及鈦氧化物前驅物60之源58。矽石前驅物及鈦氧化物前驅物60可為矽氧烷、醇鹽及四氯化物。舉例而言，矽石前驅物可為八甲基化環四矽氧烷(octamethylcyclotetrasiloxane；OMCTS)且鈦氧化物前驅物可為異丙氧基鈦(Ti(OPri)4)。源46、58可為蒸發器、蒸發槽或適合於將前驅物48、60轉換成蒸氣形式的其他設備。在源46之基座處或附近引入載氣50(諸如氮氣)。載氣50挾帶矽石前驅物48之蒸氣，並傳遞穿過分配系統54至混合歧管56。在52處引入旁路載氣流以防止氣狀矽石前驅物流飽和。可使惰性氣體流62(例如，氮氣)與氣狀鈦氧化物前驅物接觸以防止蒸氣飽和。惰性載氣64(例如，氮氣)挾帶鈦氧化物前驅物60蒸氣及載運蒸氣穿過分配系統66至混合歧管56，在該混合歧管中該等蒸氣與矽石前驅物48蒸氣混合。或者，可將鈦氧化物前驅物60及矽石前驅物48以液體形式輸送至混合歧管56。混合歧管56中的混合物傳遞穿過加熱輸氣管線68至安裝於爐冠72上的燃燒器70。在此圖式中，圖示兩個燃燒器70。然而，可使用兩個以上燃燒器以允許更佳的加熱控制及跨沉積空腔74的材料分配。爐室76可具有旋轉及振盪能力且可包括靜止壁78，該靜止壁支撐爐冠72。在靜止壁78內安置安全殼80。安全殼80包括基座82，該基座被支撐用於旋轉且亦經由附接於振盪台84振盪。藉由氣流壁86圍繞安全殼80，該氣流壁安裝於振盪台84上。在靜止壁78與安全殼80之間形成移動調節密封件88。藉由靜止壁78 之頂部上所形成的複數個送風埠94使沉積空腔74通風。藉由管道將送風埠94連接至適宜排氣系統(未圖示)，從而在沉積空腔74中產生相對於環境壓力的負壓。在預混合腔室97內預混合燃料93及氧氣95及隨後經由輸氣管線99移送至燃燒器70。燃燒器70點燃燃料/氧氣混合物產生火焰，該火焰加熱沉積空腔74。注入到燃燒器70中的氣狀反應物退出燃燒器70，在該反應器中使該等反應物反應並形成摻雜鈦氧化物的矽石顆粒。向下導向煙塵且使煙塵沉積在平面表面100上，如102處所示。藉由用清潔玻璃屑106填充安全殼80之襯墊104來提供平面表面100，但是亦可使用提供平面表面(諸如玻璃平板)的其他手段。在沉積煙塵時，經由基座82旋轉及振盪安全殼80且因此旋轉及振盪平面表面100以改良摻雜矽石玻璃之均勻性。在煙塵沉積期間，用環境空氣為爐室76送風。監測沉積空腔74之溫度及藉由調節安全殼80之垂直位置將溫度保持在所欲處理溫度。在直接製程中，將溫度維持在固結溫度，使得矽石-鈦氧化物顆粒成形並同時固結成玻璃。此時間可小於約3.0秒及通常小於約2.0秒。在固結玻璃後，可根據本文所描述之退火週期在相同爐室中退火，或可從爐室中移除玻璃及稍後退火。
如上文所描述，可經由退火或經由用摻雜物摻雜在玻璃製品中產生CTE斜率的減小，其中摻雜物可為但不限於鋁、硼、鈉、鉀、鎂、鈣、鋰及鈮之氟化物、氫氧化物、氧化物及上述之組合。一旦形成玻璃製品，使該玻璃製品退火，且退火排程的調整可用於微調玻璃製品之Tzc及使玻璃製品 中的組成梯度及Tzc梯度穩定。
第6圖圖示用於形成如本文所描述之矽石-鈦氧化物玻璃製品的另一設備。如圖所示，該設備包括矽石前驅物14之源及鈦氧化物前驅物26之源。在矽石前驅物14之源及鈦氧化物前驅物26之源之基座處或附近引入載氣20(諸如氮氣)，以挾帶矽石前驅物14及鈦氧化物前驅物26之蒸氣及載運蒸氣穿過分配系統24及到達混合歧管28。亦可使惰性氣體流22(例如，氮氣)與氣狀矽石及鈦氧化物前驅物接觸以防止蒸氣飽和。混合歧管28中的混合物傳遞穿過管道34至安裝於爐室16上部中的燃燒器36。燃燒器產生燃燒器火焰37及將混合物輸送至轉換位點200，在該轉換位點中該混合物經轉換成煙塵顆粒11。使煙塵顆粒11沉積在旋轉收集杯12中，並沉積在爐室16內部的矽石-鈦氧化物玻璃主體18之上表面上，在此處煙塵顆粒固結成矽石-鈦氧化物玻璃製品。如圖所示，杯12可具有約0.20公尺與約2.0公尺之間的圓形直徑形狀，使得玻璃主體18為具有約0.20與約2.0公尺之間直徑D及約10cm與約30cm之間高度H的圓柱形主體。儘管該等尺寸為常見尺寸，但是並不意欲為限制，且應瞭解，本文所描述之玻璃製品可具有任何尺寸，並且可修改形成玻璃製品的設備以形成具有任何尺寸的玻璃製品。
根據本發明之實施例，用於形成本文所描述之矽石-鈦氧化物玻璃製品的方法包括控制個別原材料之流型。該方法可進一步包括藉由調節供應至個別燃燒器的燃氣/氧氣比來控制火焰溫度以及爐室溫度。在形成玻璃製品時，個別燃燒 器的原材料流型及氣體/氧氣比隨時間而不同，且監測及小心控制此變化。
根據本發明之一實施例，形成具有如表III所描述及如第2圖所示之垂直組成梯度的矽石-鈦氧化物玻璃製品包括調節鈦氧化物前驅物之流動以形成不同鈦氧化物濃度的層。舉例而言，當玻璃中一層之鈦氧化物含量正在增加時，可增加載氣速率及/或源58中的鈦氧化物前驅物之溫度以供應額外鈦氧化物至燃燒器。矽石前驅物可保持恆定或者亦可調節，使得在正形成之層中獲得矽石與鈦氧化物之預定比率。或者，注入到混合歧管中的矽石前驅物量保持不變，而僅增加注入到燃燒器中的鈦氧化物前驅物量。
作為形成如上文所描述之玻璃製品且具有20℃下約1.6ppb/°K2之CTE斜率的實例，對於35℃之Tzc的鈦氧化物濃度為約7.72%，且對於40℃之Tzc的鈦氧化物濃度高出約0.08重量%。結果是，使用線性近似，可決定ε=0.016，且在表VI中展示對於具有35℃與40℃之間Tzc的層的鈦氧化物濃度。儘管該等值與具有20℃下約1.6ppb/°K2之CTE斜率的玻璃製品相關，但是退火週期及/或添加摻雜物至玻璃製品可產生除20℃下1.6ppb/°K2以外的CTE斜率，該CTE斜率將指示對於具有35℃與40℃之間Tzc的層的不同鈦氧化物濃度。
儘管前述實例論述了先沉積具有最低鈦氧化物濃度的層及最後沉積具有最高鈦氧化物濃度的層，但是可以相反方式實施煙塵沉積。舉例而言，方法可從沉積具有最高鈦氧化物濃度的層開始，並以沉積具有最低鈦氧化物濃度的層結束。當使用此沉積方法時，載氣速率及/或源58中的鈦氧化物前驅物之溫度減小，使得在沉積時層之鈦氧化物濃度減小。
第5圖係簡單示意圖，該圖圖示複數個燃燒器130至140之一個配置，該等燃燒器可用於生產具有水平組成梯度的玻璃製品150。第5圖中所示之燃燒器配置包括玻璃製品150之中心處的單個燃燒器130及五對燃燒器132-140。儘管第5圖中所示之配置可用於形成例如具有六個玻璃區段110至120且每一玻璃區段具有不同組成物的玻璃製品10，但是除位於玻璃製品中心處的單個燃燒器外，燃燒器配置可包括任何數量之成對燃燒器。玻璃製品中心處的單個燃燒器與成對燃燒器數量之組合等於具有不同組成物的玻璃製品中的玻璃區段之預定數量。舉例而言，為了形成具有八個玻璃區段的玻璃製品，可使用具有玻璃製品中心處的單個燃燒器及七對燃燒器的燃燒器配置。
如圖所示，可將矽石-鈦氧化物煙塵沉積至容器154中。第5圖進一步圖示自燃燒器130至140的煙塵之噴射圖案152。此噴射圖案152提供煙塵沉積重疊，從而實現跨水平 軸的平滑梯度。為了形成具有水平組成梯度的玻璃製品150，將不同矽石及鈦氧化物前驅物混合物供應至每一燃燒器。舉例而言，可將具有最高鈦氧化物濃度的混合物供應至燃燒器130，且可將具有最低鈦氧化物濃度的混合物供應至燃燒器140，以及將具有中間鈦氧化物濃度的混合物供應至燃燒器132至138。或者，可將具有最高鈦氧化物濃度的混合物供應至燃燒器140，且可將具有最低鈦氧化物濃度的混合物供應至燃燒器130，以及將具有中間鈦氧化物濃度的混合物供應至燃燒器132至138。在第5圖所示之系統中，同時沉積玻璃區段110-120。
應注意，儘管本文將層L1至Lz及玻璃區段110至120描述為具有有限厚度及有限Tzc差的分立實體，但是層L1至Lz及玻璃區段110至120可具有無限小的厚度，從而有效產生Tzc連續變化且無法在實體上辨識獨立層的玻璃製品。可藉由對燃燒器連續變化鈦氧化物或矽石前驅物濃度形成此玻璃製品，並且此教示適用於本文所描述之實施例中之各者。
根據本發明之實施例，提供一種供EUVL中使用的玻璃製品。玻璃製品包括具有穿過玻璃製品之組成梯度的矽石-鈦氧化物玻璃，藉由以下函數界定該組成梯度：[TiO2]=(c+f(x,y,z))，及[SiO2]=(100-{c+f(x,y,z)}-δ(x,y,z))其中[TiO2]係以重量%為單位的鈦氧化物濃度，[SiO2]係以重量%為單位的矽石濃度，c係針對預定零交越溫度(Tzc)以重量%為單位的鈦氧化物濃度，f(x,y,z)係三維空間中的函數，該 函數界定相對於c集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之平均組成中的差，且δ(x,y,z)係三維空間中的函數，該函數界定集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之所有其他組份的和。
在具有垂直組成梯度的實施例中，f(x,y,z)與x及y無關，以使得玻璃製品具有沿z軸的單向梯度。或者，f(x,y,z)可與z及y無關，以使得玻璃製品具有沿水平x軸的單向梯度。在具有垂直組成梯度的實施例中，f(x,y,z)與x及z無關，以使得玻璃製品具有沿y軸的單向梯度。可沿三個維度內的任何任意軸產生其他單向梯度，在此情況中f(x,y,z)將在垂直於彼軸的平面內恆定。
根據本發明之實施例，f(x,y,z)可為沿至少一個軸的階梯函數，以使得玻璃製品具有分層結構，其中組成物在相鄰層之間具有離散變化。階梯函數中的階梯可具有恆定幅度。在進一步實施例中，階梯函數可為單調函數。在進一步實施例中，玻璃製品可包括連續曲線，以使得f(x,y,z)=c，其中c係常數，可在(x,y)平面內界定，從而產生一玻璃製品，該玻璃製品具有呈恆定組成物之大致圓柱表面形狀的層。在進一步實施例中，常數c可具有離散值。
根據本發明之一實施例，提供一種用於EUVL的玻璃製品。製品具有穿過玻璃的鈦氧化物組成梯度，該組成梯度由按次序L1至Lz的複數個矽石-鈦氧化物層形成，該等層具有不同矽石-鈦氧化物組成物，其中L1具有最高鈦氧化物濃度，Lz具有最低鈦氧化物濃度及L1與Lz之間的層具有中間鈦氧化物組成物。層Ln之組成物為： [TiO2]=(y-nε)[SiO2]=100-(y-nε)-δ其中[TiO2]係以重量%為單位的鈦氧化物濃度，[SiO2]係以重量%為單位的矽石濃度，y係針對預定Tzc以重量%為單位的鈦氧化物濃度，n係在1與z之間變化的整數，z係大於2的整數，ε係將使Tzc值變化1℃的鈦氧化物量，且δ係所有其他組份的和，在此實施例中視為在玻璃製品內恆定。玻璃製品具有由組成梯度所引起的Tzc梯度，其中Tzc梯度自L1至Lz遞減。
根據本發明之實施例，L1與Lz可為彼此距離最遠的層及玻璃製品中的層次序可為L1至Lz。在此類實施例中，組成梯度係自層L1之外表面S1至遠離S1的層Lz之外表面S2穿過玻璃厚度的垂直組成梯度。在此類實施例中，可配置外表面S1接收入射EUV輻射。
根據本發明之另一實施例，玻璃製品具有第一表面S1、遠離第一表面S1且平行於第一表面S1的第二表面S2及表面S1與表面S2之間的厚度T。玻璃製品亦具有中心C及製品周圍的邊緣E，中心C與邊緣E兩者皆自第一表面S1延伸至第二表面S2。玻璃製品具有一組成梯度，該組成梯度係自中心C延伸至邊緣E的水平組成梯度，其中最靠近中心C的製品部分具有最高鈦氧化物濃度，最靠近邊緣E的製品部分具有最低鈦氧化物濃度，且中心C與邊緣E之間的製品部分具有中間鈦氧化物組成物。玻璃製品具有由組成梯度所引起的Tzc梯度，其中Tzc梯度自中心C至邊緣E遞減。
根據本發明之另一實施例，玻璃製品具有第一表面S1、遠離第一表面S1且平行於第一表面S1的第二表面S2、及表面S1與表面S2之間的厚度T，其中層L1至Lz沿厚度T自表面S1延伸至表面S2。玻璃製品亦具有中心C及製品周圍的邊緣E，中心C與邊緣E兩者皆自第一表面S1延伸至第二表面S2。玻璃製品具有垂直組成梯度、水平組成梯度及複數個對角線組成梯度。垂直組成梯度自層L1延伸至層Lz。水平組成梯度自中心C延伸至邊緣E。複數個對角線組成梯度自中心C處的第一表面S1穿過製品對角延伸至邊緣E處的第二表面S2。
根據本發明之一實施例，提供一種用於形成具有組成梯度的矽石-鈦氧化物玻璃製品之方法。該方法包括混合矽石前驅物與鈦氧化物前驅物以形成足以形成至少兩個玻璃部分的至少兩種混合前驅物組成物，至少兩個玻璃部分之各者具有不同矽石及鈦氧化物濃度。該方法進一步包括用至少兩個燃燒器將至少兩種混合前驅物組成物轉換成至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物，且在容器中沉積至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物。該方法進一步包括固結至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物以形成具有至少兩個玻璃部分的矽石-鈦氧化物玻璃製品，該等玻璃部分具有不同矽石及鈦氧化物濃度。
該方法可包括在容器中按順序沉積至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之各者。該方法亦可包括將至少兩種混合前驅物組成物按順序供應至至少兩個燃燒器。此類連續供應至燃燒器及/或此類連續沉積至少兩種煙塵組成物之各者可 用於形成例如按次序L1至Lz的複數個層及如上文所描述之相應垂直組成梯度。
根據本發明之實施例，該方法可包括在容器中同時沉積至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之各者。該方法亦可包括將至少兩種混合前驅物組成物之各者供應至至少兩個燃燒器之一。此類同時供應至燃燒器及/或此類同時沉積至少兩種煙塵組成物之各者的步驟可用於形成例如複數個玻璃區段110至120及相應水平組成梯度，如上文所描述。
根據本發明之實施例，該方法可包括在容器中同時沉積至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之第一群組，以形成包含具有不同鈦氧化物濃度之部分的第一層，且在容器中同時沉積至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之第二群組，以形成包含具有不同鈦氧化物濃度之部分的第二層。該方法可進一步包括將第一群組之至少兩種混合前驅物組成物之各者同時供應至至少兩個燃燒器之一者，且將第二群組之至少兩種混合前驅物組成物之各者同時供應至至少兩個燃燒器之一者。此類同時沉積可用於形成例如玻璃製品(諸如表V所示)及相應水平、垂直及對角線組成梯度，如上文所描述。
根據本發明之實施例，該方法可包括混合矽石前驅物與鈦氧化物前驅物以形成足以形成玻璃部分的至少兩種混合前驅物組成物，該等玻璃部分具有以下預定鈦氧化物濃度及預定矽石濃度：[TiO2]=(c+f(x,y,z))，及[SiO2]=(100-{c+f(x,y,z)}-δ(x,y,z)) 其中[TiO2]係以重量%為單位的鈦氧化物濃度，[SiO2]係以重量%為單位的矽石濃度，c係針對預定零交越溫度(Tzc)以重量%為單位的鈦氧化物濃度，f(x,y,z)係三維空間中的函數，該函數界定相對於c集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之平均組成中的差，且δ(x,y,z)係三維空間中的函數，該函數界定集中在坐標(x,y,z)處的體積元素之所有其他組份的和。
根據本發明之實施例，在正形成玻璃製品時，可以選定速率旋轉容器及以選定速率在向下方向上平移。在正形成玻璃製品時，可以選定速率旋轉容器，以選定速率向下平移及以選定速率振盪。
本文描述玻璃製品，且形成此類玻璃製品之方法形成具有所欲Tzc梯度的適用於EUVL應用之玻璃製品。本文所描述之玻璃製品可具有各種尺寸，包括重約10公斤(約22磅)的小製品及重約1130-2260公斤(約2500-5000磅)的大製品。進一步地，玻璃製品可具有均勻組成梯度，該等組成梯度提供均勻Tzc梯度，從而可容易調節該Tzc梯度以形成具有足夠用於特定應用的Tzc梯度及特定溫度梯度之玻璃製品。
儘管已相對於有限數量之實施例描述本發明，但是享有此揭示案之益處的熟習此項技術者應將瞭解可設計出不脫離本文所描述本發明之範疇的其他實施例。因此，應僅藉由隨附申請專利範圍限制本發明之範疇。
10‧‧‧玻璃製品
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
L1-Lz‧‧‧玻璃層

Claims (10)

  1. 一種供超紫外光微影(EUVL)中使用的玻璃製品，該玻璃製品包含具有穿過該玻璃製品之一組成梯度的一矽石-鈦氧化物玻璃，藉由以下函數界定該組成梯度：[TiO2]=(c+f(x,y,z))，及[SiO2]=(100-{c+f(x,y,z)}-δ(x,y,z))其中[TiO2]係以重量%為單位的鈦氧化物濃度，[SiO2]係以重量%為單位的矽石濃度，c係針對一預定零交越溫度(Tzc)以重量%為單位的鈦氧化物濃度，f(x,y,z)係三維空間中的一函數，該函數界定相對於c集中在坐標(x,y,z)處的一體積元素之平均組成中的差，且δ(x,y,z)係三維空間中的一函數，該函數界定集中在坐標(x,y,z)處的一體積元素之所有其他組份的和。
  2. 如請求項1所述之玻璃製品，其中f(x,y,z)與x及y無關，且該玻璃製品包含沿該z軸的一單向變化。
  3. 如請求項1所述之玻璃製品，其中f(x,y,z)與z無關，且該玻璃製品包含在該x,y平面內的多方向變化。
  4. 如請求項3所述之玻璃製品，其中f(x,y,z)=c，其中c係一常數，且該玻璃製品包含呈恆定組成物之大致圓柱表面形狀的層。
  5. 如上述請求項中任一項所述之玻璃製品，進一步包含至少一種摻雜物，該摻雜物選自由以下組成之群組：鋁、硼、鈉、鉀、鎂、鈣、鋰及鈮之氟化物、氫氧化物、氧化物及上述之組合。
  6. 一種用於形成具有一組成梯度的一矽石-鈦氧化物玻璃製品之方法，該方法包含以下步驟：混合矽石前驅物與鈦氧化物前驅物以形成足以形成至少兩個玻璃部分的至少兩種混合前驅物組成物，該至少兩個玻璃部分之各者具有不同矽石及鈦氧化物濃度；用至少兩個燃燒器將該至少兩種混合前驅物組成物轉換成至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物；在一容器中沉積該至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物；以及固結該至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物以形成具有該至少兩個玻璃部分的一矽石-鈦氧化物玻璃製品，該等玻璃部分具有不同鈦氧化物濃度。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該沉積步驟包含以下步驟：在該容器中按順序沉積該至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之各者。
  8. 如請求項6所述之方法，其中該沉積步驟包含以下步驟：在該容器中同時沉積該至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之各者。
  9. 如請求項6所述之方法，其中該沉積步驟包含以下步驟：在該容器中同時沉積該至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之一第一群組，以形成包含具有不同鈦氧化物濃度之部分的一第一層；以及在該容器中同時沉積該至少兩種矽石-鈦氧化物煙塵組成物之一第二群組，以形成包含具有不同鈦氧化物濃度之部分的一第二層。
  10. 如請求項6至9中任一項所述之方法，其中該混合步驟包含以下步驟：混合矽石前驅物與鈦氧化物前驅物以形成足以形成玻璃部分的該至少兩種混合前驅物組成物，該等玻璃部分具有以下預定鈦氧化物濃度及預定矽石濃度：[TiO2]=(c+f(x,y,z))，及[SiO2]=(100-{c+f(x,y,z)}-δ(x,y,z))其中[TiO2]係以重量%為單位的鈦氧化物濃度，[SiO2]係以重量%為單位的矽石濃度，c係針對一預定零交越溫度(Tzc)以重量%為單位的鈦氧化物濃度，f(x,y,z)係三維空間中的一函數，該函數界定相對於c集中在坐標(x,y,z)處的一體積元素之平均組成中的差，且δ(x,y,z)係三維空間中的一函數，該函 數界定集中在坐標(x,y,z)處的一體積元素之所有其他組份的和。
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