TW201536259A - 高頻超音波換能器 - Google Patents

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Abstract

本文公開了被配置用於光聲系統的高頻超音波換能器。在一個實施例中，超音波換能器疊層包括換能器層和至少部分光學反射的透鏡層。該透鏡能夠包括摻雜多個光學反射微粒的透鏡材料。在另一個實施例中,該換能器疊層能夠進一步包括匹配層,其包括摻雜多個光學反射微粒的基質材料。在進一步的實施例中，換能器疊層能夠包括位於靠近聲透鏡的前表面的光學反射匹配層。

Description

高頻超音波換能器
所公開的技術通常涉及超音波換能器和醫學診斷成像的領域。更具體地，所公開的技術涉及被配置用於光聲成像中的高頻超音波換能器疊層。
超音波換能器提供用於將電能轉換為聲能，以及反之亦然的手段。當電能是射頻（RF）信號的形式時，正確設計的換能器能夠產生具有与驅動電RF信號相同頻率特性的超音波信號。診斷超音波在傳統上已被用於低於1MHz到約10MHz的中心頻率範圍。本領域的技術人員將理解的是該頻譜提供了以從若干毫米到大致高於300um的解析度範圍以及以從幾mm到十幾cm的深度對生物組織成像的手段。
高頻超音波（HFUS）換能器通常是具有高於15MHz的中心頻率並且範圍超過60MHz的超音波換能器。高頻超音波換能器提供更高的解析度，同時限制滲透的最大深度，因此，提供以具有20um到300um範圍中的解析度的從毫米級到超過3釐米的深度的對生物組織成像的手段。
當與以低於約10MHz的頻率进行操作的傳統臨床超音波換能器一同工作時，與製作高頻超音波換能器相關的許多挑戰不會出現。本領域技術人員將理解的是結構通常根據頻率的倒數縮減，從而50MHz的換能器將具有約10倍低於5MHz的換能器的結構。在一些情況下，材料或技術不能按比例縮小到所需的尺寸或形狀，或者這樣做的話他們會失去他們的功能，而新技術必須被開發或適於允許高頻超音波換能器被實現。在其他情況下，當處理與HFUS換能器相關的更高射頻電子與聲頻信號時，全新的要求出現了。
光聲成像是超音波成像的的修改形式，其基於吸收電磁能（例如，紅外光、可見光、紫外線、射頻波等）生成聲波的光聲效應。在光聲成像中，光脈衝被傳播進入生物組織，並且所傳播的光能量的一部分由对象的組織吸收並轉化為熱。產生的熱能夠引起瞬态熱彈性膨脹，這能夠產生超音波。所生成的超音波由超音波換能器探測，其將接收到的超音波轉換為用於形成圖像的電信號。
當前光聲系統的一個限制是在使用HFUS信號形成圖像中的雜訊或偽影。這些偽影中的一些由对象的皮膚背向HFUS換能器反射的傳播的鐳射光引起。反射的光能夠由HFUS換能器的一或多層吸收並引起二級光聲信號。二級光聲信號表现为光聲圖像中的偽影，并且在許多情況下能夠比由吸收進入对象的光生成的光聲信號更強。
一種減少二級光聲偽影的途徑是通過將換能器圍繞垂直于成像平面並位於成像平面中的線旋轉獲取圖像資料来形成若干斷層圖像。在關於垂直于成像平面的不同角度採集到的收集的資料的結果集合能夠通過斷層技術降低或消除角資料集合之間的非相關信號（例如，雜訊、偽影等）結合，從而形成具有很少或沒有二次偽影的圖像。然而，本領域的技術人員將理解的是斷層掃描途徑要求对象保持靜止幾秒鐘或更長時間，甚至然後可能需要更長的時間以獲得單個圖像。其結果是斷層掃描光聲系統在臨床或臨床前應用中並不實用，保持对象靜止是不可能或不期望的。此外，由於諸如斷層掃描的多視途徑的固有幀速限制，對一些解剖功能、藥物動力學，或其它動力學的觀察是不可能的。因此，存在對不易受光聲偽影影響的高頻超音波換能器的需求。
專利和專利申請通過引用併入
以下專利也通過引用的方式整體併入:
2003年12月15日提交的美國專利號7052460，標題為“SYSTEM FOR PRODUCING AN ULTRASOUND IMAGE USING LINE-BASED IMAGE RECONSTRUCTION”；
2003年10月10日提交的美國專利號7255648，標題為“HIGH FREQUENCY, HIGH FRAME-RATE ULTRASOUND IMAGING SYSTEM”；
2005年4月20日提交的美國專利號7230368，標題為“ARRAYED ULTRASOUND TRANSDUCER”；
2006年3月2日提交的美國專利號7808156，標題為“ULTRASONIC MATCHING LAYER AND TRANSDUCER”；
2006年11月2日提交的美國專利號7901358，標題為“HIGH FREQUENCY ARRAY ULTRASOUND SYSTEM”；
以及2009年9月18日提交的美國專利號8316518，標題為“METHODS FOR MANUFACTURING ULTRASOUND TRANSDUCERS AND OTHER COMPONENTS”。
為了解決上述問題，本文公開的技術涉及高頻超音波換能器。如將在下文進一步詳細討論的，在一個方面中，高頻超音波換能器包括聲學可穿透的光學反射透鏡。透鏡能夠被配置為具有非常低的聲損耗和足夠的聲透鏡能力，而在需要的光波長區域（例如，680-970納米）表現出高反射率，同時在相同區域具有低的光學吸收。在這個方面的一個實施例中，透镜的光學反射率可為朗伯（即，擴散反射）。在一些實施例中，漫反射不僅可發生在透鏡的表面上，也可以梯度延伸到透鏡的表面上，因而表現出介於完全不透明或具有低於100％的不透明度之間的特性。基於梯度的漫反射能夠減少或消除作為反射光的結果的二次光聲偽影。另外，除了不透明度（即，光傳播的減少），還期望控制防止光傳播，使得光被反射而不是在透鏡內被吸收的機制。吸收的光通常會引起可導致偽影的光聲效應。因為尋找100％反射，而沒有大吸音係數的材料是有挑戰性的，所以可採用其它策略減輕透鏡中不需要的吸收。因此，在一個實施例中，摻雜反射微粒（例如二氧化鈦微粒）的透鏡材料（例如，聚甲基戊烯）可呈現具有非常低的吸收的漫反射率，同時維持在高聲音頻率的優良聲學傳播特性。在另一個實施例中，光學反射膜（例如，噴鍍鋁）能夠被應用在聲透鏡（例如，熱固性交聯聚苯乙烯透鏡）的表面（例如，下表面），從而防止在透鏡後的換能器疊層上的光學吸收。在一些實施例中，透鏡包括90％-95％之間的基質材料和5-10％之間的光反射材料。
在本公開的另一方面，超音波換能器疊層可包括位於聲學透鏡後（例如，下）的光學反射聲匹配層。在一個實施例中，聲匹配層被配置為至少部分不透明於用在光聲陣列中所使用的波長。適合用於製造HFUS聲匹配層，且也在光波長範圍中具有高反射率的材料非常少。聲匹配層包括，例如，裝有二氧化鈦粉末的基質可適合用於在HFUS陣列中使用，其中低到中等的聲阻抗（大約3到4MR）是期望的。在一個實施例中，匹配層可包括環氧樹脂或膠水，其摻雜二氧化鈦，以1:0.35的比率配重（例如，1克環氧樹脂，0.35克TiO2 ）。在其他實施例中，例如，二氧化鉿和二氧化鈦粉末混合物可適合在HFUS陣列中使用，其中中間的聲阻抗（例如，約4MR到約6MR之間）是期望的。匹配層能夠在相對薄的匹配層的厚度（例如，25微米或更低）被製成為不透明的。即使透鏡在光學上透明或僅部分不透明，不透明的聲匹配層能夠減少和/或減輕聲學疊層內所產生的二次光聲效應。
在本公開的又一方面中，外部光反射層可位於透光或高半透明聲透鏡前（例如，頂部）。如上文所討論的，很少有聲透鏡材料在與HFUS（例如，15MHz或更高）相關的頻率是光反射和透聲的。然而，如果在超音波疊層前的光學反射層是聲匹配層，那麼聲損失可以忽略不計，從而允許更廣的材料選擇。此外，本領域的普通技術人員將理解的是聲透鏡材料可被選擇以提供與成像介質（例如，組織或水）盡可能接近的聲阻抗匹配。接近的聲阻抗匹配可以，例如，避免陣列的場中聲透鏡和聲物件之間不需要的多路徑混響。
在這個方面的一個實施例中，具有高於典型聲阻抗（例如，約3MR到約5MR之間）的聲透鏡被選擇用於與換能器疊層一同使用，以便於對外部光反射層的選擇。外部光反射匹配層能夠被定位在透鏡前，並被選擇為具有即，例如，大約為透鏡和組織的幾何平均數（例如，低於3MR之間，並在約2MR到約3MR等）的聲阻抗。外部匹配層能夠被配置和/或選擇為具有優異的光反射率（例如，高於或等於50％，高於或等於90％等），以及在於與HFUS相關的頻率近似於超音波波長的几分之一数量级的厚度（例如，¼的波長厚度，¾的波長厚度等）。因此，在這個實施例中，外部匹配層能夠基於光學屬性與對聲損耗的較少關注或考慮而被選擇。相應地，聲透鏡能夠基於聲學透鏡和衰減特性與對聲透鏡的光學特性的較少關注而被配置和/或選擇。
聚苯並咪唑（以下稱為“PBI”）是可以用於製造具有連接到透鏡的彎曲的前部的光學反射聲匹配層的優異的聲透鏡的可能材料。外部匹配層可以包括，例如摻雜有较輕的但高光反射微粒（例如，二氧化鈦）的低聲阻抗的聚合物（例如，光學透明的環氧樹脂）。因此這個實施例並不需要特別考慮到透鏡後的聲層的光學特性，因為所有光學能量從鏡片前反射。此外，聲透鏡能夠被選擇為具有相對高的聲音速度使聲透鏡具有相對淺的曲率，從而減輕常規HFUS換能器表面發現的不需要的凹槽。無論外部匹配層是否光學反射，這個屬性對放置在較高聲音速度的聲透鏡材料（例如，PBI）前的匹配層通常是有用的。
適當的系統
圖1是根據所公開的技術中的實施例配置的光聲成像系統100的示意圖。該系統100包括掃描頭108，其被配置用於放置在至少靠近目標102（例如，患者、動物、小動物、耗子、鼠等）的表面104（例如，皮膚線）。掃描頭108包括多根光纖109和換能器110，其被定位在掃描頭108的前部。光纖109的部分能夠沿掃描頭108的一個或多個表面被定位。在一些實施例中，光纖109可替代地被集成在換能器110中。鑽入換能器110的部分的孔（例如，匹配層、聲透鏡等）能夠允許光纖109和/或光從其傳播的光不受阻礙地穿過換能器110。
鐳射系統112被連接到光纖109並被配置用於產生電磁（EM）能（例如，非電離電磁輻射、紅外光、可見光、紫外光等）。超音波系統114被連接（經過由例如，線、無線鏈路等）到換能器110並且被配置用於生成高頻超音波（例如，具有15MHz或更高的中心頻率的超音波能量）。超音波系統114還被配置從换能器110接收超音波回波。电脑116可以从超音波系统114接收超音波信号（例如，掃描變換後的超音波信號）並形成能夠經由顯示118對操作者呈現的一個或多個超音波圖像。系統100的一個或多個實施例能夠包括在申請人的共同未決的美國專利申請號13/695275中描述的實施例，其全部內容通過引用方式被合併於此。
在操作中，光纖109能夠傳播並引導雷射光脈衝（例如，具有大約680nm到970nm之間的波長的光脈衝）從鐳射系統112朝向目標102中或上的一個或多個組織結構（例如，心臟、一個或多個血管、腎臟、子宮、前列腺等）。本領域的技術人員將理解的是鐳射光的至少一部分能夠由一個或多個組織結構吸收，並轉換成熱。轉換後的熱能夠引起組織中的熱彈性膨脹和聲能（例如，超音波能量）的相應的散發。換能器110從目標102接收產生的超音波回波並將它們轉換成超音波信號。電腦116能夠包括記憶體和/或配置用於處理超音波信號和形成一個或多個超音波圖像的一個或多個處理器。
適當的超音波換能器
圖2是根據所公開的技術中的實施例配置的超音波換能器210的側面示意圖。在圖示的實施例中，換能器210包括多個層，其包括透鏡層220、第三匹配層230、第二匹配層240、第一匹配層250、換能器層260，以及背襯層270，每一個都具有第一表面（例如，下表面）和第二表面（例如，上表面）。然而，在一些實施例中，單一的匹配層（例如，第一匹配層250）可以在換能器210（例如，透鏡層220和換能器260之間）中實現。在其他實施例中，例如，多於三個匹配層可以在換能器210中實現。在進一步的實施例中，換能器210可以不包括任何匹配層並且可以代替包括例如，與換能器層260直接結合的透鏡層（例如，透鏡層220）。此外，通常與超音波換能器（例如，電互連、導線、電路、印刷電路板、有源冷卻設備、熱傳導結構、切口分離各個換能器元件等）有關的元件為清楚起見被隱藏在圖2中。
換能器層260可以包括能夠傳播和/或接收高頻超音波的任何適當的換能器材料[例如，壓電換能器（例如，鈮酸鋰換能器），電容性微機械加工的超音波換能器（cMUT的），壓電微機械加工的超音波換能器（PMUTs）等]。換能器層260能夠包括一个換能器（例如，單個元件換能器）或多個換能器（例如，換能器元件的一維陣列和/或換能器元件的多維陣列）。在一些實施例中，換能器層260能夠包括一個或多個附加換能器層（未示出）。換能器層260被配置用於在高於15MHz的頻率傳播和接收超音波能量。在一個實施例中，換能器層260可以包括例如，美國專利號7230368和美國專利申請號11/109986中描述的換能器，其全部內容通過引用方式被合併於此。
背襯層270位於換能器層260之下，並且能夠被配置用於吸收由換能器210產生的後部傳播的聲能和/或熱能。適當的背襯層在美國專利號7750536和美國專利申請號11/366953中描述，其全部內容通過引用方式被合併於此。在一些實施例中（未示出），一個或多個層（例如，解匹配層）能夠被設置在換能器層260和背襯層270之間。
在如圖2所示的實施例中，透鏡層220包括覆蓋在第三匹配層230的上表面的下表面。透鏡層220能夠被配置，例如，作為薄膜（例如，具有低於50微米的厚度），並且能夠包括在高頻透聲的材料（例如，聚甲基戊烯、熱固性交聯聚苯乙烯、塑膠、聚合物和/或它們的組合）。透鏡層220也能夠被配置用於提供與水或其他介質緊密匹配的聲阻抗。透鏡層220能夠具有例如，範圍從約1兆瑞利（Megarayl，MR）到約4MR，範圍從約1.5MR到約3MR，或大約1.8MR的聲阻抗。在所示實施例中，透鏡層220被示為具有平坦上表面（例如，外部和/或外表面）。然而，在其他實施方案中，透鏡層220可以包括彎曲的上表面。
在所公開的技術的一個方面（下面參考圖3被更詳細地說明），透鏡層220能夠包括複合材料，其包括摻雜一種或多種材料的微粒的基質材料（例如，聚甲基戊烯）。在一些實施例中，例如，透鏡層220能夠摻雜光學反射材料（例如，TiO2 和/或其他能夠反射具有約680nm到970nm之間的波長的光能的適當材料）的微粒。將光反射微粒摻雜入透鏡層220能夠提供將光能反射遠離換能器210的至少一個的優點。本領域普通技術人員將理解的是如果光學吸收匹配層位於透鏡層220之下，那麼光能可以由匹配層吸收，從而在匹配層本身引起二次光聲效應。二次光聲效應造成并引起超音波能量的發射，它能夠引起顯著的噪音或以其他方式干擾在換能器層260从对象接收的超音波回波。
如圖2所示，第一匹配層230、第二匹配層240和第三匹配層250（下文統稱為“匹配層230-250”），其被設置在透鏡層220與換能器層260之間。匹配層230-250能夠由可在高頻（例如，15MHz或更高）透聲的多種材料製成，例如環氧樹脂、聚合物等。在一個實施例中，例如，第一匹配層230能夠包括能夠將透鏡層220（例如，由聚甲基戊烯製成的透鏡層）與第二匹配層240（例如，低粘度環氧樹脂匹配層）結合的材料（例如，氰基丙烯酸酯）。在一些實施例中，匹配層230-250能夠包括在例如美國專利號7750536和美國專利申請號11/366953中描述的一個或多個匹配層，其全部內容通過引用方式被合併於此。
匹配層230-250能夠被配置為提供和/或改善透鏡層220和換能器層260之間的阻抗匹配。本領域的普通技術人員將理解的是換能器層260能夠具有，例如相對高的聲阻抗（例如，高於10MR）而透鏡層220可以具有相對類似于成像的对象（例如，圖1的目標102）的聲阻抗（例如，1.5-2.5MR）。因此，匹配層230-250能夠被配置用於提供換能器層260到透鏡層220之間的阻抗過渡或梯度。各個匹配層230-250能夠具有，例如，逐漸降低的聲阻抗。例如，第三匹配層250能夠具有約7.0MR到約14.0MR之間的的聲阻抗為。第二匹配層240能夠具有約3.0MR到約7.0MR之間的聲阻抗。第三匹配層230能夠具有約2.5MR到約2.8MR之間的聲阻抗。而且，在一些實施例中，各個匹配層230-250能夠具有1/4波長的匹配層。然而，在其它實施例中，各個匹配層230-250能夠具有相應於任何分級超音波長（例如，1/2、1/4、1/8、1/16等）的厚度。在進一步的實施例中，匹配層230-250能夠具有任何適當的厚度。
在本技術的一個方面，一個或多個匹配層230-250能夠包括複合材料，其包括基質材料（例如，聚合物）和多個第一和第二微粒。在一些實施例中，例如，第一微粒可以包括具有第一密度的第一材料，並且第二微粒可以包括具有低於第一密度的第二密度的第二材料。通過將第一量的第一微粒添加到基質材料，直到獲得所需的密度和/或複合材料的聲阻抗，可以形成複合材料。基於，例如，第二微粒的第二密度與複合材料的所需密度基本相似和/或相同，第二微粒可以被選中。因此，第二微粒可以以第二量被添加到複合材料，直到獲得複合材料的所需的稠度、均勻性、粘度、和/或觸變指數。因為第二密度基本類似於複合材料的所需的密度，所以第二微粒能夠被添加而無需顯著地改變密度，並因此改變複合材料的聲阻抗。在本技術的另一個方面，如例如，美國專利號7750536中描述的，第一微粒能夠包括微米尺寸微粒，第二微粒能夠包括納米尺寸的微粒。在本技術的又一方面，參考圖4詳細描述的，第一微粒和第二微粒可以包括基本上光學反射的材料。
圖3是根據所公開的技術的實施例配置的聲學透鏡230的示意圖。在所示的實施例中，透鏡層320（例如，圖2的透鏡層220）包括複合材料322，其包括摻雜多個第一微粒326的基質材料324。基質材料324可以包括，例如在高頻（例如，15MHz或更高）可基本透聲的耐用的透鏡材料，同時還具有適當的聲阻抗（例如，約1.0MR到4.0MR之間）。在一些實施例中，例如，基質材料324可以包括聚甲基戊烯和/或熱固性交聯聚苯乙烯。
第一微粒326能夠包括光學反射材料（例如，TiO2、白色顏料等），其在一定濃度範圍內（例如，約1%至約20%），在高頻也基本可透聲。第一微粒326能夠具有非常小的直徑以允許，例如，沿透鏡層326 z方向的多個顆粒高度。在一些實施例中，例如，直徑可以低於5微米或平均在約2到3微米之間。然而，在其它實施例中，第一微粒326可以具有任何適當的直徑。此外，第一微粒326可以包括具有基本類似於基質材料324的密度的材料，使得複合材料322具有基本類似於基質材料324的密度（以及因此的聲阻抗）。
第一微粒326可以以第一量（例如，體積比為5%、10%、20%、30%、40%等）摻雜或以其他方式被載入到基質材料324中以獲得複合材料322的需要的反射率（例如，在透鏡的厚度內，高於90%，約680nm到970nm之間的EM波長），同时在高頻保持基本透聲。另外，在圖3所示的實施例中，第一微粒326以在基質材料324內基本均勻的微粒分佈被示出。然而，在一些實施例中，第一微粒326可以被佈置用於提供梯度的光學反射率，使反射率在透鏡層320內沿z方向增大或減小。在其他實施例中，例如，第一微粒326能夠在基質材料324內以任何適當的方式被佈置。
本領域的普通技術人員將理解的是配置用於低頻超音（例如，10MHz或更低）的換能器能夠包括具有足夠不透明性以抵抗上述二次光聲效應的相對厚的聲透鏡（例如，250微米或更高）。相反，配置用於高頻超音（例如15MHz或更高）的換能器可以要求具有相對低的厚度（例如，100微米或更低）和衰減的聲透鏡。適用於高頻超音的聲透鏡通常形成為光學透明膜，其允許幾乎所有入射光從中穿過。如上所述，光進入換能器（例如，圖2的換能器210）能夠引起如二次光聲效應的结果的超音波圖像中的顯著噪音和偽影，其當鐳射光（例如，來自圖1的鐳射系統112的鐳射）被反射朝向聲透鏡（例如，通過圖1的表面104）時，發生。基本聲學透明，並且光學反射的透鏡層（例如，透鏡層320）能夠提供防止、減少和/或減輕在高頻超音波換能器中的這些二次光聲效應的至少一個優點。
圖4A是根據所公開的技術的實施例配置的換能器匹配層的示意圖。匹配層440能夠具有相應於適當的超音波長（例如，相應於超音訊率為15MHz或更高）的一部分（例如，1/2、1/4、1/8、1/16等）的厚度。在所示的實施例中，匹配層440（例如，圖2的第二匹配層240）包括複合材料422，其包括基質材料444、第一微粒446和第二微粒448。第一基質材料444能夠包括，例如聚合物（如環氧樹脂、EPO-TEK®301或302、CotronicsDuralco®4461等）或熱塑塑膠，諸如例如聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、丙烯酸、PLEXIGLAS®、LUCITE®和/或聚碳酸酯（PC）。其他適當地基質材料可以在，例如，美國專利號67750536中找出。
第一微粒446能夠包括例如被選擇為具有遠高於複合材料442的密度的较高密度的第一光學反射粉末（例如，氧化鉿），其具有約4.0MR到約7MR之間的聲阻抗）。第二微粒448能夠包括具有基本類似於複合材料的需要的密度的密度的第二光學反射粉末（例如，TiO2 、白色粉末、白色顏料和/或任何適當的光學反射材料）。因此，第二微粒448能夠相對自由地添加而不顯著改變複合材料的密度，允許設計者在某種程度上獨立於聲阻抗（它是一種密度和聲音速度的乘積）改變粘度和反射率。在一些實施例中，第一微粒446和第二微粒448可以包括相同的材料。在一個實施例中，例如，第一微粒446能夠具有範圍在約2.0微米到約6微米的第一直徑，第二微粒448能夠具有在約0.5微米到約0.9微米的第二直徑。然而，在一些實施例中，第一微粒446或第二微粒448可以具有基本低於1.0微米（例如，納米級微粒）的直徑。此外，在圖4所示的實施例中，第一微粒446和第二微粒448被示出。然而，在其它實施例中，匹配層440可以僅包括第一微粒446。在進一步的實施例中，匹配層440可以包括三種或更多種材料的微粒。在更進一步的實施方案中，匹配層440可以僅包括基質材料444而不在其中載入微粒。
第一微粒446能夠以第一量（例如，60%的重量）被載入到基質材料442，和第二微粒448能夠以第二量（例如，10%的重量）被載入到基質材料442以實現需要的反射率（例如，在透鏡的厚度內，高於90%，約680nm到970nm之間的EM波長）和/或複合材料的需要的聲阻抗442。例如，因為第一微粒446（例如鉿氧化物）可以具有能夠增大或減小複合材料442的聲阻抗的需要的密度，並且當被載入到基質材料444時，可以至少部分光學反射，所以這兩組微粒可以被實現。然而，僅具有第一基質材料444和第一微粒446的所得到的複合材料不足以獲得所需的反射率（例如，高於90%）。將第二微粒448添加到具有第一微粒446的基質材料444能夠引起複合材料442具有需要的反射率而不顯著地影響匹配層440的聲音性能。參考如上討論的圖3的透鏡層320，具有足夠高反射率的複合層442能夠提供防止、減少和/或減輕在高頻超音換能器中的二次光聲效應的至少一個優點。
在一些實施例中，如圖4B所示，如果例如複合材料442的密度不需要很大的調整，那麼匹配層441可以包括第二微粒448（例如，TiO2 微粒和/或任何適當的高反射微粒）而不具有第一微粒446。因此，匹配層441的反射率和不透明度能夠通過例如，基質材料的濕度限制和/或未固化複合材料442的粘度限制來決定。
圖5是根據所公開的技術的實施例配置的超音波換能器510的示意圖。在所示的實施例中，換能器510（例如，圖2的換能器210）包括多個層，每一個都具有第一表面（例如，上表面）和第二表面（例如，下表面）。換能器510包括光學反射聲透鏡520（例如，圖3的透鏡320）、第一匹配層530（例如，1/4波長的氰基丙烯酸匹配層）、光學反射匹配層540（例如，圖4的匹配層440）、第三匹配層550（例如，光學吸收的匹配層）、換能器層560（例如，圖2的換能器層260），以及背襯層570（例如，圖2的背襯層570）。此外，光學反射透鏡520可以載入有光學反射微粒（例如，圖3的第一微粒326）以提供對聲透性和光學反射率的最佳兼顧，使得一些光學能量被允許穿過透鏡，以在隨後由高光反射匹配層540反射，同時最小化透鏡的聲損失以及相關的加熱。
圖6是根據所公開的技術的另一實施例配置的超音波換能器610的示意圖。在所示的實施例中，換能器610（例如，圖2的換能器210）包括多個層，每一個都具有第一表面（例如，上表面）和第二表面（例如，下表面）。轉換器610包括聲透鏡620（例如，聚甲基戊烯透鏡）、第一匹配層530、光反射匹配層640（例如，圖4的匹配層440）、第三匹配層550、換能器層560，以及背襯層570。
圖7是根據所公開的技術的進一步實施例配置的超音波換能器710的示意圖。在所示的實施例中，換能器710包括多個層，每一個都具有第一表面（例如，上表面）和第二表面（例如，下表面）。換能器710包括聲透鏡720（例如，熱固性交聯聚苯乙烯透鏡）、第一匹配層530、光反射匹配層740（例如，圖4的匹配層440）、第三匹配層550、第四匹配層755、換能器層560，以及背襯層570。
圖8是根據所公開的技術的另一實施例配置的超音波換能器810的示意圖。在所示的實施例中，換能器810包括多個層，每一個都具有第一表面（例如，上表面）和第二表面（例如，下表面）。換能器810包括定位靠近（例如，前面或頂部）聲透鏡820（例如，透鏡包括PBI、金屬、熱塑塑膠、聚合物、聚甲基戊烯、熱固性交聯聚苯乙烯等）的光學反射層840（例如，圖7的光學反射匹配層740），其可以基本光學透明或不透明，但是基本對HFUS透聲。一個或多個匹配層830定位於聲透鏡820與換能器層560之間。在一些實施例中，匹配層830可以包括第二匹配層（例如，圖5的第一匹配層530）。在某些實施例中，匹配層830可以包括附加的匹配層（例如，圖5的第三匹配層550和/或圖7的第四匹配層755）。
從以上說明可以理解本發明的具體實施例已經為了說明的目在此被描述，但可以作出各種修改而不偏離本發明的範圍。因此，本發明僅受限於所附權利要求。
100‧‧‧光聲成像系統
102‧‧‧目標
104‧‧‧表面
108‧‧‧掃描頭
109‧‧‧光纖
110‧‧‧換能器
112‧‧‧鐳射系統
114‧‧‧超音波系統
116‧‧‧電腦
118‧‧‧顯示
210‧‧‧超音波換能器
220‧‧‧透鏡
230‧‧‧第一匹配層
240‧‧‧第二匹配層
250‧‧‧第三匹配層
260‧‧‧換能器層
270‧‧‧背襯層
320‧‧‧透鏡層
322‧‧‧複合材料
324‧‧‧基質材料
326‧‧‧第一微粒
422‧‧‧複合材料
440‧‧‧匹配層
441‧‧‧匹配層
444‧‧‧基質材料
446‧‧‧第一微粒
448‧‧‧第二微粒
510‧‧‧超音波換能器
520‧‧‧光學反射透鏡層
530‧‧‧第一匹配層
540‧‧‧第二匹配層
550‧‧‧第三匹配層
560‧‧‧換能器層
570‧‧‧背襯層
610‧‧‧超音波換能器
620‧‧‧透鏡層
640‧‧‧光學反射匹配層
710‧‧‧超音波換能器
720‧‧‧透鏡層
740‧‧‧光學反射透鏡層
755‧‧‧第四匹配層
810‧‧‧超音波換能器
820‧‧‧透鏡層
830‧‧‧匹配層
840‧‧‧光學反射層
在考慮包含在說明書中並構成本說明書的一部分的圖示，並與說明書一起，用於描述所公開的技術，可以更全面地理解本發明。 圖1是根據所公開的技術中的一個或多個實施例配置的光聲成像系統的示意圖。 圖2是根據所公開的技術中的一個或多個實施例配置的超音波換能器的側面示意圖。 圖3是根據所公開的技術的實施例配置的聲學透鏡的示意圖。 圖4A是根據所公開的技術的實施例配置的換能器匹配層的示意圖。 圖4B是根據所公開的技術的另一實施例配置的換能器匹配層的示意圖。 圖5是根據所公開的技術的實施例配置的超音波換能器的示意圖。 圖6是根據所公開的技術的另一實施例配置的超音波換能器的示意圖。 圖7是根據所公開的技術的進一步實施例配置的超音波換能器的示意圖。 圖8是根據所公開的技術的另一實施例配置的超音波換能器的示意圖。
無

Claims (38)

  1. 一種超音波換能器，包括： 聲學可穿透透鏡層，其具有下表面，其中所述透鏡層至少部分光學反射；以及  換能器層，其位於所述透鏡層的所述下表面之下，其中所述轉導器層被配置用於從对象接收超音波能量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的超音波換能器，其中所述透鏡層包括複合材料，其包括摻雜光學反射材料的微粒的基質材料。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的超音波換能器，其中所述基質材料包括聚甲基戊烯，並且其中所述光學反射材料包括二氧化鈦。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的超音波換能器，其中所述複合材料包括90-95％之間的所述基質材料和5-10％之間的所述光學反射材料。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的超音波換能器，其中所述光學反射材料的所述微粒具有低於5微米的直徑。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的超音波換能器，其中所述光學反射材料的所述微粒具有約2到3微米之間的直徑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的超音波換能器，其中所述換能器層被配置用於接收約15MHz或更高頻率的超音波能量。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的超音波換能器，其中所述透鏡層被配置用於至少部分地反射具有680納米和970納米之間的波長的電磁能。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的超音波換能器，其中所述透鏡層具有約90％或更高的反射率。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的超音波換能器，進一步包括第一匹配層和第二匹配層，每一個具有與下表面相對的上表面，其中所述第一匹配層的所述上表面位於所述透鏡的所述下表面之下，其中所述第二匹配層的所述上表面位於所述第一匹配層的所述下表面之下，並且其中所述換能器層的所述上表面位於所述第二匹配層的所述下表面之下。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的超音波換能器，其中所述第一匹配層包括氰基丙烯酸酯。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的超音波換能器，其中所述第二匹配層包括第二複合材料，其包括第二基質材料、第一粉末和第二粉末。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的超音波換能器，其中所述第一粉末包括二氧化鉿，以及所述第二粉末包括二氧化鈦。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的超音波換能器，其中所述第一粉末和所述第二粉末至少部分光反射。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的超音波換能器，其中所述第一粉末的第一量與所述第二基質材料相結合，使得所述第二複合材料具有所需要的聲阻抗。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的超音波換能器，其中所述第二粉末的第二量與第二基質材料和所述第一粉末相結合以保持所述得到的第二複合材料的所述一致性、粘度和觸變指數。
  17. 如申請專利範圍第12項所述的超音波換能器，其中所述第二粉末具有大致類似於所述複合材料的所需要的聲阻抗的聲阻抗。
  18. 如申請專利範圍第12項所述的超音波換能器，其中所述第一粉末包括多個第一微粒，其中所述第二粉末包括多個第二微粒，並且其中各個第一微粒比各個第二微粒重。
  19. 如申請專利範圍第12項所述的超音波換能器，其中所述第一粉末包括多個第一微粒，其中所述第二粉末包括多個第二微粒，並且其中所述各個第一微粒具有高於所述各個第二微粒的第二直徑的第一直徑。
  20. 如申請專利範圍第10項所述的超音波換能器，其中所述第一和所述第二匹配層是1/4-波長的匹配層。
  21. 一種光聲系統，包括： 鐳射系統，其被配置用於生成雷射脈衝； 一個或多個光纖，其配置用於引導所述雷射脈衝朝向目標；以及     超音波換能器，其包括         包括複合材料的第一匹配層，其包括基質材料和粉末，其中所述粉末至少部分光學反射，並且其中所述複合材料在高於15MHz的頻率基本透聲。         位於所述第一匹配層之下的換能器層，其中所述換能器層被配置用於從对象接收15MHz或更高頻率的超音波能量。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的光聲系統，進一步包括透鏡層，其覆蓋所述第一匹配層，並且包括摻雜光學反射材料的微粒的基質材料。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的光聲系統，其中所述基質材料包括聚甲基戊烯，並且其中所述光學反射材料包括二氧化鈦。
  24. 如申請專利範圍第21項所述的光聲系統，其中所述第一匹配層被配置用於至少部分反射具有680納米到970納米之間的波長的電磁能量。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的超音波換能器，其中所述第一匹配層具有90％或更高的反射率。
  26. 如申請專利範圍第22項所述的光聲系統，進一步包括設置在所述第一匹配層和所述透鏡層之間的第二匹配層，其中所述第二匹配層包括氰基丙烯酸酯。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的光聲系統，其中所述第一和第二匹配層是1/4-波長的匹配層。
  28. 如申請專利範圍第21項所述的光聲系統，其中所述粉末包括第一粉末，並且進一步包括第二粉末。
  29. 如申請專利範圍第28項所述的光聲系統，其中所述第一粉末包括二氧化鈦而所述第二粉末包括二氧化鉿。
  30. 如申請專利範圍第21項所述的光聲系統，進一步包括定位在所述第一匹配層和所述換能器層之間的聲透鏡層。
  31. 一種超音波換能器，包括： 聲學可穿透透鏡層，其具有上表面；以及 匹配層，其位於靠近所述透鏡層的所述上表面，其中所述匹配層基本光學反射。
  32. 如申請專利範圍第31項所述的超音波換能器，其中所述透鏡層基本透光。
  33. 如申請專利範圍第31項所述的超音波換能器，其中所述透鏡層包括聚苯並咪唑
  34. 如申請專利範圍第31項所述的超音波換能器，其中所述匹配層具有約90％或更高的光學反射率。
  35. 如申請專利範圍第31項所述的超音波換能器，其中所述匹配層包括複合材料，其包括基質材料和粉末，並且其中所述複合材料在高於15MHz的頻率基本透聲。
  36. 如申請專利範圍第35項所述的超音波換能器，其中所述基質材料包括環氧樹脂，並且其中所述粉末包括二氧化鈦。
  37. 如申請專利範圍第31項所述的超音波換能器，其中所述透鏡層具有高於3MR的聲阻抗，並且其中所述匹配層具有低於所述透鏡層的聲阻抗。
  38. 如申請專利範圍第31項所述的超音波換能器，進一步包括位於所述透鏡層之下的換能器層，其中所述換能器層被配置用於從对象接收約15MHz和更高頻率的超音波能量。
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