TW201533010A - 在相鄰層中具有ｓｂｆ基質材料之多層結構 - Google Patents

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適用於形成一部分有機電子裝置之多層結構，該結構包括至少兩個相鄰的層L1和L2，其中層L1和L2二者都包括至少50wt%的螺雙茀衍生物或一開放式螺雙茀衍生物。

Description

在相鄰層中具有SBF基質材料之多層結構
本發明涉及適用於形成一部分有機電子裝置之多層結構，該多層結構具有至少一對相鄰的層，所述層的每一個都包括一有機化合物，該有機化合物衍生自取代的或未取代的螺雙茀、取代的或未取代的開放式螺雙茀、取代的或未取代的螺雙茀基、取代的或未取代的開放式螺雙茀基、取代的或未取代的螺雙伸茀基或者取代的或未取代的開放式螺雙伸茀基。
當今，對不同的有機電子裝置在進行積極研究和開發，特別是基於來自有機材料的電致發光(EL)之光電裝置。
與光致發光(即由於光吸收和激發態的輻射衰變引起的弛豫而來自一活性材料的光發射)相比，電致發光(EL)係由於將電場施加到基板上而帶來的光之無熱產生。在後者的情況下，激發係在外部電路存在下藉由注入到一有機半導體中之異號電荷載體(電子和電洞)之重組 來完成的。
一有機發光二極體(OLED)之簡單原型，即單層OLED，典型地由夾在兩個電極之間的活性有機材料的一薄膜構成，這兩個電極之一需要具有足夠的透明度以觀察來自有機層之光發射。
如果將外部電壓施加到這兩個電極上，則在陽極處之電荷載體(即電洞)以及在陰極處之電子被注入到有機層中而超過取決於所應用有機材料的一特定閾值電壓。在一電場存在下，電荷載體移動穿過活性層並且當它們到達帶相反電荷之電極時，被非輻射性地放電。然而，如果電洞和電子在漂移通過有機層時彼此相遇，則形成受激發之單線(反對稱的)和三線(對稱的)狀態(所謂激發子)。對於在一OLED中每三個由電激發形成的三線態激發子，產生一單線態的激發子。由此，根據一輻射重組過程由分子激發態(或激發子)之衰變而在該有機材料中產生光，稱為或者對於自旋對稱保持之螢光，或者當可以捕獲來自單重態和三重態激發子兩者的冷光時之磷光。
基於小分子之高效率OLED通常包括多個不同的層，向著實現整體裝置之最佳效率對每個層進行優化。
典型地，此類OLED包括一多層結構，該多層結構包含用於不同目的的多個層。通常被稱為p-i-n OLED的裝置典型地包括至少五個層：一p摻雜之電洞傳輸層(也被稱為電洞注入層或HIL)、一通常未摻雜之電子阻擋層(EBL)(也被稱為電洞傳輸層(HTL))、至少一 個發射層(EML)、一通常未摻雜之電洞阻擋層(HBL)(也被稱為電子傳輸層(ETL))以及一n摻雜之電子傳輸層(也被稱為電子注入層(EIL))。
為了實現一最佳效率，必須依據層功能對該堆疊體的每個單獨層之每種材料的物理性能(諸如像，載體傳輸性能、HOMO和LUMO能階、三線態能階)進行適當地選擇。
文獻中已經描述了藉由真空技術製造的OLED(來自氣相之沈積物)，所謂的同質結類型的OLED。此類裝置之特徵為以下事實，即，用於不同層之不同基質材料的數目低於層之數目，即，該等層的至少兩個具有相同基質材料。在一理想的同質結裝置中，所有的基質材料在分子性能和結構上是相同的或至少非常類似。
在文獻中已經描述了具有兩個相鄰層之有機電子裝置，該等相鄰層包括具有9,9'-螺雙茀單元之基質材料。
US 2010/0331506在表1中描述了具有一電洞傳輸層和一相鄰的發射層之有機電子裝置，其中這兩個層都包括一SBF化合物作為基質材料。在相鄰層的材料中的螺雙茀單元的數目不同，這具有某些缺點。
類似的裝置在US 2007/0051944和US 2009/0118453中進行了描述；在所有情況下在相鄰層的基質材料中的螺雙茀單元之數目不同，如以上提及的，這具有某些缺點。
US 2007/0134510在第6頁的表1中揭露了使用SBF衍生物作為基質材料用於至少兩個相鄰層之多層裝置；在許多實例中，該等相鄰層中的化合物中的SBF單元之數目係相同的；然而該等基質材料在HOMO和LUMO能階上顯著地不同，這對於該裝置的整體性能是不利的。
US 2013/0207046(對應於DE 10 2010 045405)涉及用於電致發光裝置的材料。在該等材料之中，多種化合物被描述，該等化合物包括一如在下文中定義的具有式(1)之SBF單元。所有揭露的化合物包括一SBF單元，即沒有揭露具有多於一個SBF單元(藉由一連接體連接)之化合物。在開始於第93頁之工作實例E中，揭露了在不同層中使用在該文件中描述的SBF化合物製造OLED。在開始於該文件的第94頁的表1中示出了該等裝置之裝配，並且在該等製造的裝置之中存在一些實例，其中一具有一SBF單元之SBF化合物被包含在多於一個層中並且在一些情況下被包含在兩個相鄰層中。在表1中示出的一些裝置在該發射層和一相鄰層中包括一SBF化合物或者在該發射層中包括兩種SBF化合物並且在一相鄰層中包括一SBF化合物。在後者的情況下，這兩種化合物的HOMO和LUMO能階相差大於0.2eV。
在先前技術中描述的在至少兩個相鄰層中包括 SBF衍生物作為基質材料之裝置在效率和使用壽命方面不是完全令人滿意的，並且因此希望的是提供基於SBF化合物(當在有機電子裝置中用作基質材料時，它們具有某些優點)之改進裝置，這係本發明的一目的。
這個目的已經根據本發明使用如在申請專利範圍第1和2項中所定義之多層結構得以實現。
本發明之較佳的實施方式在從屬申請專利範圍以及以下的詳細說明中列出。
圖1示出了根據實例1和對比實例1的裝置之裝置結構。
圖2示出了根據實例2和對比實例2的裝置之裝置結構。
根據本發明的多層結構包括至少一對彼此相鄰的層L1和L2，其中a)該多層結構的該層L1包括基於L1總重量之至少50wt%的一化合物C1，該化合物C1選自由具有式SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物組成之群組，並且b)該多層結構的該層L2包括基於L2總重量之至少50wt%的一化合物C2，該化合物C2可以與C1是相同或 不同的，選自由具有式SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物組成之群組，其中在式SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'中的n係從1至9、較佳的是從1至6並且特別佳的是從1至4之整數，並且其中化合物C1和C2之HOMO和LUMO能階分別與該有機化合物C2的HOMO和LUMO能階係相同的，或者相差最多0.2eV。
在具有式SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物中的尤其佳的n係1。
根據本發明的一第二實施方式，根據本發明之多層結構包括至少一對彼此相鄰的層L1和L2，其中a)該多層結構的該層L1係一發射層並且包括基於L1總重量之至少50wt%的一化合物C1，該化合物C1選自由具有式SBF的化合物組成之群組，並且b)該多層結構的該層L2包括基於L2總重量之至少50wt%的一化合物C2，該化合物C2可以與C1係相同或不同的，選自由具有式SBF之化合物組成之群組，其中化合物C1和C2的HOMO和LUMO能階分別與該有機化合物C2的HOMO和LUMO能階係相同的，或者相差最多0.2eV。
SBF，在每次出現時可以是相同的或不同的，根據本發明代表一具有式(1)之取代的或未取代的螺雙茀或一具有式(2)之取代的或未取代的開放式螺雙茀，
SBF'，在每次出現時可以是相同的或不同的，根據本發明代表一具有式(1')之取代的或未取代的螺雙茀基或一具有式(2')之取代的或未取代的開放式螺雙茀基，
SBF"，在每次出現時可以是相同的或不同的，代表一具有式(1")之取代的或未取代的螺雙伸茀基或一具有式(2")之取代的或未取代的開放式螺雙伸茀基
其中該等實線代表與該連接體Lnk和Lnk'的鍵，並且Lnk和Lnk'可以附接到任何芳環的任何位置。
根據本發明，化合物C1和化合物C2包括相同總數的選自SBF、SBF'和SBF"單元的單元，並且化合物C1和C2的HOMO和LUMO能階分別與該有機化合物C2的HOMO和LUMO能階係相同的，或者相差最多0.2eV。
在本發明之方法中使用的有機分子的HOMO和LUMO能階如下從溶液中的循環伏安法測量確定：該等測量係在室溫下在惰性氣氛中使用常規的三電極配置進行的，該溶液在使用之前用氬氣流對其進行除氣持續5-10min。該三電極電池可以例如由一玻璃質碳盤作為工作電極，一Pt絲或Pt棒作為對電極並且一Pt絲或碳棒作為偽參比電極組成。二茂鐵用作一內標。還可以使用其他電池配置。
用於確定HOMO和LUMO能階的溶劑分別是無水二氯甲烷和無水四氫呋喃，支持電解質係0.1M六氟磷酸四 丁基銨，並且主體濃度係2-0.5毫莫耳。掃描速率固定為100mv/s。
在本發明之方法中使用的有機分子的HOMO能階(EHOMO)使用以下等式從測量的它們的第一氧化波形的半波電位(E1 ox 1/2)計算：EHOMO-(-4.8)=-[E1 ox 1/2-Eox 1/2(Fc/Fc+)]
其中二茂鐵的HOMO能階值選取為等於低於真空能階-4.8eV(根據Pommerehene等人，先進材料(Adv.Mater.)7(6)，551-554(1995))，並且其中Eox 1/2(Fc/Fc+)對應於所測定的該二茂鐵氧化波形的半波電位。對於不可逆系統，使用該第一氧化波形的Epa 1峰值電位值而不是該半波電位Elox 1/2。
在本發明之方法中使用的有機分子的LUMO能階(ELUMO)使用以下等式從測量的它們的第一還原波形的半波電位(Elox 1/2)計算：ELUMO-(-4.8)=-[E1 red 1/2-Eox 1/2(Fc/Fc+)]
其中二茂鐵的HOMO能階值選取為等於低於真空能階-4.8eV(根據Pommerehene等人，先進材料7(6)，551-554(1995))，並且其中Eox 1/2(Fc/Fc+)對應於所測定的該二茂鐵氧化波形之半波電位。對於不可逆系統，使用該第一還原波形的Epc 1峰值電位值而不是該半波電位E1 red ½。
在取代的式SBF、SBF'或SBF"中的取代基可以較佳的是選自鹵素、胺基或C1-C30烴基或C1-C30雜烴 基基團。C1-C30烴基或C1-C30雜烴基基團的實例係烷基、烷氧基、取代的胺基、氰基、烯基、炔基、芳烷基、芳基、以及雜芳基基團。較佳的是具有1至20個並且特別是具有1至8個碳原子的相應的基團。兩個取代基還可以與選自環烷基、芳基和雜芳基環的其他環形成一稠合的環系統。
較佳的芳基基團包含5至30個碳原子，更佳的是從6至14個碳原子。
示例性的雜芳基環較佳的是衍生自雜芳烴組，該組由以下各項組成：2H-吡咯、3H-吡咯、1H-咪唑、2H-咪唑、4H-咪唑、1H-1,2,3-三唑、2H-1,2,3-三唑、1H-1,2,4-三唑、1H-吡唑、1H-1,2,3,4-四唑、咪唑-2-亞基、唑、異唑、噻唑、異噻唑、1,2,3-二唑、1,2,5-二唑、1,2,3-噻二唑以及1,2,5-噻二唑環。
根據本發明的一第一較佳的實施方式，化合物C1和C2選自如以上定義的具有式SBF之化合物。如以上概述的，該等化合物可以是取代的或未取代的。
根據本發明的另一個較佳的實施方式，化合物C1和C2選自具有式SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'之化合物，其中SBF'和SBF"的至少一個具有至少一個不同於氫之取代基，如以上定義的。
Lnk和Lnk'，在每次出現時可以是相同的或不同的，較佳的是一單鍵、C1至C30伸烴基(hydrocarbylene)或C1至C30的雜伸烴基基團。
對於Lnk和Lnk'特別佳的實例選自聯苯基或三苯基的二價殘基或具有以下式(3)至(10)之二價殘基：
其中Z選自C、N、O或S，Y係N-R4、O、S或SiR5R6，其中R1選自C1-C20烴基或C1-C20雜烴基，R2和R3獨立地選自氫或C1-C20烷基，並且R4、R5和R6獨立地選自C1-C20烴基或C1-C20雜烴基，較佳的是選自C1-C20烷基或C1-C20芳基。
根據本發明之還另一個較佳的實施方式，該多層結構包括相同的化合物C1和C2。
根據本發明之又另一個較佳的實施方式，SBF選自具有以下式之化合物：
其中X1至X8獨立地選自不同於氫的取代基，並且m、o、p、q、r、s、t以及u彼此獨立地代表從0至4之整數。
較佳的取代基X1至X8係如以上定義的C1-C30烴基或C1-C30雜烴基基團。
其中化合物C1和C2選自以下式之多層結構係特別佳的：
在還另一個較佳的實施方式中，化合物C1和C2獨立地選自
本發明之另一個較佳的實施方式涉及多層結構，該等多層結構包括至少一個層L1、L2和L3之三聯體，其中層L1和L2如以上限定的，其中層L2和L3彼此相鄰，並且其中該層L3包括基於L3總重量之至少50wt%的一化合物C3，該化合物C3可以與C1和C2係相同或不同的，選自由具有式SBF、SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物組成之群組，其中n係從1至9之整數。
對於化合物C3，較佳的實例選自如以上所描述的對於C1和C2較佳的實例。
尤其佳的是，C1、C2和C3中的至少兩個，甚至更佳的是，C1、C2和C3在這個實施方式中是相同的。
本發明之另一個較佳的實施方式涉及一如之前描述的多層結構，所述結構包括至少一個層L1、L2、L3和L4之四聯體，其中層L3和L4彼此相鄰，並且其中該層L4包括基於L4總重量之至少50wt%的一化合物C4，該化合物C4可以與C1、C2或C3係相同或不同的，選自 由具有式SBF、SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'之化合物組成之群組，其中n係從1至9之整數。
對於化合物C4，較佳的實例選自如以上所描述的對於C1、C2和C3較佳的實例。
尤其佳的是，C1、C2、C3和C4在這個實施方式中是相同的。
本發明的還另一個較佳的實施方式涉及一如以上描述之多層結構，所述結構包括至少一個層L1、L2、L3、L4和L5之五聯體，其中層L4和L5彼此相鄰，並且其中該層L5包括基於L5總重量之至少50wt%的一化合物C5，該化合物C5可以與C1、C2、C3或C4係相同或不同的，選自由具有式SBF、SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'之化合物組成之群組，其中n係從1至9之整數。
對於化合物C5，較佳的實例選自如以上所描述的對於C1、C2、C3和C4較佳之實例。
尤其佳的是，C1、C2、C3、C4和C5中的兩個在這個實施方式中是相同的，甚至更佳的是，C1、C2、C3、C4和C5中的三個，還更佳的是C1、C2、C3、C4和C5中的四個並且最佳的是C1、C2、C3、C4和C5全部在這個實施方式中是相同的。
在上文描述的實施方式中，其中多於兩個相鄰層包括一螺雙茀化合物，即，其中化合物C1、C2和C3或者化合物C1、C2、C3和C4或者化合物C1、C2、C3、 C4和C5存在，所有的該等化合物較佳的是具有相同的HOMO或LUMO能階或者該等化合物的HOMO和LUMO能階相差最多0.2eV，如藉由溶液中的循環伏安法測定的。
此外，根據本發明的一較佳的實施方式，化合物C1和C2以及，如果存在，化合物C3、C4和C5構成它們存在於其中的相應層的全部重量之至少60wt%、更佳的是至少70wt%、甚至更佳的是至少80wt%並且最佳的是至少90wt%。
一種用於製造根據本發明的多層結構的較佳的方法包括以下步驟：a.從一包含溶劑系統S1的液體組合物LC1中將該多層結構的第一層L1沈積在一基板上，該溶劑系統S1包含至少一種有機化合物C1，其中該基板係該多層結構的一預先澱積之層L0或係一適用於形成該有機電子裝置的陰極或陽極之元件，b.此後，化學改性該第一層L1以將其在一溶劑系統S2(與溶劑系統S1相同或不同)中之溶解度(如在室溫(23℃)和大氣壓(101.325kPa)下測量的)降低至少50%，基於在改性之前的該第一層L1在該溶劑系統S2中之溶解度，並且c.此後，從一包含該溶劑系統S2之液體組合物LC2中將該多層結構的第二層L2沈積在該第一層L1上，該溶劑系統包含至少一種有機化合物C2， 其中該有機化合物C1的HOMO和LUMO能階分別與該有機化合物C2之HOMO和LUMO能階係相同的，或相差最多0.2eV。
該等有機化合物C1和C2在該等溶劑系統S1和S2(可以是相同或不同的)中的濃度不是特別關鍵的。在許多情況下，化合物C1和C2將以基於溶劑系統和有機化合物的組合重量之從0.05wt%至20wt%、較佳的是從0.1wt%至10wt%並且甚至更佳的是從0.2wt%至5wt%的範圍內之濃度存在。該有機化合物在該溶劑系統中的最大濃度常常由該有機化合物在該溶劑系統中溶解度限定；通常較佳的是以不超過在相應溶劑系統中的溶解度之濃度使用該等有機化合物C1和C2以避免該有機化合物的一部分作為固體顆粒存在於該溶劑系統中，因為該等固體顆粒可能藉由基於溶劑的加工技術不利地影響加工性能。
該等溶劑組合物包括一種或多種所選擇的實現該等有機化合物C1和C2在相應溶劑系統中的足夠溶解度之溶劑，因為這對於形成一同質的薄層係有利的。
因此，將取決於對於特定項目所選擇的有機化合物C1和C2的化學結構和性能選擇該溶劑組合物中的一種或多種溶劑。
通常，有機溶劑將用於該溶劑組合物中。儘管鹵化的溶劑(像氟化烴類)原則上在本發明之方法中是適合的，但是由於安全和環境的原因較佳的是使用基本上沒 有或完全沒有鹵素原子的溶劑。僅僅藉由舉例，可以提及液體的烷烴、環烷烴、醛、酮、酯、醚或芳香族的溶劑。在某些沈積法中，可能較佳的是使用溶劑混合物以調節該溶劑系統的性能以在沈積過程中實現一同質薄層。在此方面，已經在某些情況下示出是有利的是使用包括具有不同沸騰溫度的溶劑的溶劑混合物，這一方面提供了平滑的層並且另一方面具有蒸發行為避免了在沈積過程中的該溶劑組合物之過早乾燥，該過早乾燥對於該多層結構的效率可能是不利的。僅僅藉由舉例，在此可以提及的是使用溶劑組合，該等溶劑組合包括一具有的沸點在室溫下為最多130℃之溶劑與一具有的沸點在那個極限值以上並且較佳的是具有的沸點為至少150℃、特別佳的是至少180℃之溶劑。所有的沸點指的是在大氣壓下的沸點。
該等溶劑組合物，除了一種或多種溶劑和該等有機分子之外，還可以進一步包括常用於基於溶液的過程中的此類組合物中之添加劑和加工助劑。該等係可商購的並且在文獻中進行了描述並且因此在這裡不需要進一步詳細說明。
根據本發明之多層結構還可以藉由後續層的氣相沈積法獲得。
技術人員還知道用於合成化合物C1、C2以及C3的合適方法，並且將基於他的工作經驗和單獨的目標化合物選擇一適當方法。在某種程度上，該等化合物也是可商購的。因此，關於此方面的詳細資訊在此是不需要 的。
根據本發明之多層結構適合用於形成一部分有機電子裝置，特別是適合用於形成部分有機發光二極體(OLED)。
一OLED總體上包括：一基板，例如(但不限於)玻璃、塑膠、金屬；一陽極，總體上為一透明陽極；一電洞注入層(HIL)；一電洞傳輸層(HTL)；一發射層(EML)；一電子傳輸層(ETL)；一電子注入層(EIL)以及一陰極，總體上為一金屬陰極。
一有機發光二級管的主要的結構元件已經描述於文獻中並且技術人員已知，技術人員將基於具體情況下的個體需要利用工作經驗選擇適當的製造方法。
較佳的有機電子裝置包括一電子注入層和一電子傳輸層，其中根據本發明之多層結構的層L1係該電子注入層並且層L2係該電子傳輸層。
另一組較佳的有機電子裝置包括一電子傳輸層和一發射層，其中層L1係該發射層並且層L2係該電子傳輸層。
還另一組較佳的有機電子裝置，具體地有機發光二級管包括如以上定義之層之三聯體，其中層L1係一 電子注入層、層L2係一電子傳輸層並且層L3係一發射層。
另外較佳的一組有機電子裝置，具體地有機發光二級管，包括一個層之四聯體，該四聯體包括一電子注入層、一電子傳輸層、一發射層和一電洞傳輸層，其中層L1係該電子注入層、層L2係該電子傳輸層、層L3係該發射層並且層L4係該電洞傳輸層。
還另外較佳的一組有機電子裝置，具體地有機發光二級管，包括一個層之五聯體，該五聯體包括一電子注入層、一電子傳輸層、一發射層、一個電洞傳輸層以及一電洞注入層，其中層L1係該電子注入層、層L2係該電子傳輸層、層L3係該發射層、層L4係該電洞傳輸層並且層L5係該電洞注入層。
實例
所有裝置實例係藉由高真空熱蒸發製造的，除了該電洞注入層(藉由旋塗技術沈積的)以及實例2之電洞傳輸層(也是藉由旋塗技術沈積的)之外。該陽極電極係120nm的銦錫氧化物(ITO)。所有的裝置在製造之後立即在一氮氣手套箱(H2O和O2<1ppm)中使用一用環氧樹脂密封的玻璃蓋封裝，並且將一吸潮劑包含進該封裝件的內部。用來自濱松光子公司(HAMAMATSU Photonics)的一C9920-12外部量子效率測量系統(External Quantum Efficiency Measurement System)對該等 裝置進行光學和電學表徵。EQE指的是以%表示的外部量子效率，而操作穩定性測試在室溫下在恆定電流下藉由運轉該等裝置進行。當該裝置在一恆定電流下運轉時，LT50係一壽命之度量並且對應於光輸出減少到初值的50%的時間。
實例1
該OLED堆疊體從該ITO表面開始順序地由以下項組成：藉由旋塗沈積並且在一熱板上在惰性氣氛下在180℃下乾燥20min的30nm的Plexcore® OC AQ(一自摻雜聚合物，聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)，由普萊克斯托尼克斯有限公司(Plextronics Inc.)提供的)。在該HIL的頂部，藉由真空熱蒸發沈積30nm的NPB，作為電洞傳輸層(HTL)。
然後，藉由真空熱蒸發沈積30nm的一層mCBP(對比實例)或者摻雜有15%的化合物B之化合物A，作為發射層(EML)。然後，藉由真空熱蒸發沈積5nm的一層mCBP(對比實例)或者化合物A，作為電洞阻擋層(HBL)，也稱為電子傳輸層(ETL)。然後，mCBP(對比實例)或者化合物A與Cs2CO3藉由真空熱蒸發共沈積40nm的層，作為電子注入層(EIL)。陰極由100nm的鋁組成。
NPB、mCBP、化合物A和化合物B具有以下結構：
該裝置結構總結在圖1中，而表1示出了對於所製作的裝置在1000cd/m2下測量的結果。
如可以從實例1的裝置中看出，與對比實例1之mCBP相比，具有化合物A之裝置具有可比較的外部量子效率(EQE)和CIE顏色座標X和Y，而工作電壓(V)實質性地減少並且功率效率從12.9lm/W增加至16.1lm/W。
實例2
如圖2中示出的，該OLED堆疊體從該ITO表面開始順序地由以下項組成：藉由旋塗沈積並且在一熱板上在180℃下乾燥20min的20nm之Plexcore® OC AQ(一自摻雜的聚合物，聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)，由普萊克斯托尼克斯有限公司提供的)。在這個HIL的頂部，藉由旋塗沈積並且在一熱板上在惰性氣氛下在180℃下烘焙30min的15nm的Plexcore ® OC HT作為電洞傳輸層(HTL)。
然後，藉由真空熱蒸發沈積30nm的一層摻雜有化合物C和D的化合物A，作為發射層(EML)。然後，藉由真空熱蒸發沈積10nm的一層DCzT(對比實例)或者化合物A，作為電洞阻擋層(HBL)，也稱為電子傳輸層(ETL)。然後，DCzT(對比實例)或者化合物A與Cs2CO3藉由真空熱蒸發共沈積40nm之層，作為電子注入層(EIL)。陰極由50nm的鋁組成。
化合物A具有在實例1中給出的結構並且DCzT具有以下結構：
DCzT：2,8-二(9H-哢唑-9-基)二苯並[b,d]噻吩
化合物C和D分別是藍色和紅色的Ir-基磷光發射體，它們可以選自，但不限於，在表2中示出的實例。此外，選自，但不限於，在表2中示出的實例的紅色、綠色和藍色的磷光發射體的任何組合，或者它們中的一種自身，也可以用作合適的EML摻雜劑。
性能數據在表3中給出並且示出了根據本發明的裝置的性能優於對比裝置。外部量子效率(EQE)從11%增加到12.1%並且功率效率從23.8lm/W增加到25.9lm/W。
從1000cd/m2測量的在半初始亮度下的相對壽命(LT50rel)從54h增加至100h，即，幾乎加倍。
在表3中，J和V係在1000cd/m2亮度下的電流密度和電壓。LT 50rel提供了在半初始亮度下的相對壽命，根據本發明之裝置之壽命被設置為100。

Claims (18)

  1. 一種適用於形成部分有機電子裝置之多層結構，該結構包括至少一對彼此相鄰的層L1和層L2，其中a.該多層結構的該層L1係一發射層並且包括基於L1總重量之至少50wt%的一化合物C1，該化合物C1選自由具有式SBF的化合物組成之群組，b.該多層結構的該層L2包括基於L2總重量之至少50wt%的一化合物C2，該化合物C2可以與C1係相同或不同的，選自由具有式SBF的化合物組成之群組，其中每個SBF代表一具有式(1)之取代的或未取代的螺雙茀或一具有式(2)之取代的或未取代的開放式螺雙茀， 並且其中，如藉由溶液中之循環伏安法所測定的，該化合物C1的HOMO和LUMO能階分別與該有機化合物C2的HOMO和LUMO能階係相同的，或相差最多0.2eV。
  2. 一種適用於形成部分有機電子裝置之多層結構，該結構包括至少一對彼此相鄰的層L1和層L2，其中 a.該多層結構的該層L1包括基於L1總重量之至少50wt%的一化合物C1，該化合物C1選自由具有式SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物組成之群組，b.該多層結構的該層L2包括基於L2的總重量至少50wt%的一化合物C2，該化合物C2可以與C1係相同或不同的，選自由具有式SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物組成之群組，其中n係從1至9之整數，每個SBF'，在每次出現時可以是相同的或不同的，代表一具有式(1')之取代的或未取代的螺雙茀基或一具有式(2')之取代的或未取代的開放式螺雙茀基，其中實線代表與連接體Lnk之鍵，並且該連接體Lnk可以附接到任何芳環之任何位置上 每個SBF"，在每次出現時可以是相同的或不同的，代表一具有式(1")之取代的或未取代的螺雙伸茀基或一具 有式(2")之取代的或未取代的開放式螺雙伸茀基 其中該實線代表分別與該連接體Lnk和Lnk'的鍵，並且Lnk和Lnk'可以附接到任何芳環之任何位置，化合物C1和化合物C2包括相同總數的選自SBF'和SBF"單元之單元並且其中，如藉由溶液中的循環伏安法所測定的，該化合物C1的HOMO和LUMO能階分別與該有機化合物C2的HOMO和LUMO能階係相同的，或相差最多0.2eV。
  3. 如申請專利範圍第2項之多層結構，其中在化合物C1和C2中之SBF'和SBF"單元的至少一個具有至少一個不同於氫之取代基。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之多層結構，其中化合物C1和C2係相同的。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之多層結構，其中Lnk和Lnk'，在每次出現時可以是相同的或不同的，是一單鍵、C1-C30伸烴基或C1-C30雜伸烴基。
  6. 如申請專利範圍第5項之多層結構，其中Lnk和Lnk'，在每次出現時可以是相同的或不同的，選自聯苯基或三苯基的二價殘基或具有以下式(3)至(10)之二價殘基 其中Z選自C、N、O或S，Y係N-R4、O、S或SiR5R6，其中R1選自C1-C20烴基或C1-C20雜烴基，R2和R3獨立地選自氫或C1-C20烷基，並且R4、R5和R6獨立地選自C1-C20烴基或C1-C20雜烴基，較佳的是選自C1-C20烷基或C1-C20芳基。
  7. 如申請專利範圍第2項之多層結構，其中化合物C1和C2獨立地選自
  8. 如申請專利範圍第1項之多層結構，其中該SBF或開放式SBF選自具有下式之化合物 其中X1至X8獨立地選自不同於氫的取代基，並且m、o、p、q、r、s、t以及u彼此獨立地代表從0至4之整數。
  9. 如申請專利範圍第1項之多層結構，其中C1和C2獨立地選自
  10. 如申請專利範圍第1或2項之多層結構，該結構包括至少一個層L1、L2和L3之三聯體，其中層L1和L2為如前述申請專利範圍中任一項所限定的，其中層L2和L3彼此相鄰，並且其中該層L3包括基於L3總重量之至少50wt%的一化合物C3，該化合物C3可以與C1和C2係相同或不同的，選自由具有式SBF、SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'之化合物組成之群組，其中n係從1至9之整數。
  11. 如申請專利範圍第10項之多層結構，該結構包括至少一個層L1、L2、L3和L4之四聯體，其中層L3和L4彼此相鄰，並且其中該層L4包括基於L4總重量之至 少50wt%的一化合物C4，該化合物C4可以與C1、C2或C3係相同或不同的，選自由具有式SBF、SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物組成之群組，其中n係從1至9之整數。
  12. 如申請專利範圍第11項之多層結構，該結構包括至少一個層L1、L2、L3、L4和L5之五聯體，其中層L4和L5彼此相鄰，並且其中該層L5包括基於L5總重量之至少50wt%的一化合物C5，該化合物C5可以與C1、C2、C3或C4係相同或不同的，選自由具有式SBF、SBF'-Lnk-SBF'或SBF'-Lnk-(-SBF"-Lnk'-)n-SBF'的化合物組成之群組，其中n係從1至9之整數。
  13. 一種有機電子裝置，其包括如申請專利範圍第1至12項中任一項之多層結構。
  14. 如申請專利範圍第13項之有機電子裝置，該有機電子裝置係一有機發光二極體。
  15. 如申請專利範圍第13項之有機電子裝置，其包括一電子傳輸層和一發射層，其中層L1係該發射層並且層L2係該電子傳輸層。
  16. 一種為有機發光二極體的包括如申請專利範圍第10項之多層結構之有機電子裝置，該有機發光二極體包括一電子注入層、一電子傳輸層和一發射層，其中層L1係該電子注入層、層L2係該電子傳輸層並且層L3係該發射層。
  17. 一種為有機發光二極體的包括如申請專利範圍第 11項之多層結構之有機電子裝置，該有機發光二極體包括一電子注入層、一電子傳輸層、一發射層和一電洞傳輸層，其中層L1係該電子注入層、層L2係該電子傳輸層、層L3係該發射層並且層L4係該電洞傳輸層。
  18. 一種為有機發光二極體的包括如申請專利範圍第12項之多層結構之有機電子裝置，該有機發光二極體包括一電子注入層、一電子傳輸層、一發射層、一電洞傳輸層和一電洞注入層，其中層L1係該電子注入層、層L2係該電子傳輸層、層L3係該發射層、層L4係該電洞傳輸層並且層L5係該電洞注入層。
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