TW201528315A - 用於改善場均勻性之非對稱靜電四極致偏器 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於檢驗一目標基板或其上之樣本之一電子束裝置，其包含一射束分離器，該射束分離器具有用於針對一單個偏轉方向改善場均勻性之一非對稱四極靜電致偏器。該非對稱四極靜電致偏器包含跨大約60度之兩個正交電極板及跨大約120度之兩個電極板，跨大約120度之該兩個電極板界定一單向偏轉場。該裝置產生一初級電子束且將該初級電子束沿一光軸聚焦至該目標基板中。在該目標基板上所偵測之次級電子被聚焦為一次級電子束。具有非對稱四極靜電致偏器之該射束分離器使該次級電子束往該偏轉方向偏離該初級電子束之該軸且至一偵測器陣列中。

Description

用於改善場均勻性之非對稱靜電四極致偏器 相關申請案之交叉參考
此申請案根據35 U.S.C.§ 119(e)主張2013年11月26日申請之美國臨時專利申請案序列第61/909,239號之優先權。特此將該申請案之全部內容以引用的方式併入本文。
本發明之實施例大體上係關於利用經聚焦之電子束的電子光學裝置且因此特定言之係關於靜電致偏器。
電子束(e束)裝置(諸如電子束缺陷再檢測(eDR)儀器)係用於檢驗或再檢測一目標基板或由該基板固持之一樣本。電子束裝置可包含具有一或多個靜電致偏器之一射束分離器，該一或多個靜電致偏器用於使一初級電子束偏離法向於基板之一光軸或用於重導引一經偏轉之射束至該光軸中。靜電致偏器施加一電壓至多個電極，藉此產生用於使射束偏轉之一電場。在此項技術中為人熟知用於靜電偏轉的係對稱四極，其中四個電極板分隔開90度，用於使射束往一X方向或一Y方向偏轉。例如，可分別施加電壓+Vx及-Vx至第一及第三電極(第一及第三極板在X軸上對置)。同樣地，可分別施加電壓+Vy及-Vy至第二及第四電極(第二及第四極板在Y軸上對置)。
然而，對稱四極組態之一靜電致偏器不可提供電場之最佳均勻 性。在eDR使用案例中，不良場均勻性可繼而導致影像劣化及效能損失。相較於一對稱四極，具有四個而非兩個對置電極對之一八極靜電致偏器可提供更好之場均勻性。然而，八極所增加之複雜性需要八個電壓通道，其中對稱四極僅需要四個，使得對於製造而言八極更昂貴。因此可能需提供一更均勻之偏轉場同時簡化電子束裝置之整體系統架構。
本發明之實施例有關一非對稱四極靜電致偏器，該非對稱四極靜電致偏器具有包含一第一極板及一第二極板之一第一對極板，第一極板及第二極板各者跨小於60度之一徑向角，該至少一靜電致偏器亦具有包含一第三極板及一第四極板之一第二對極板，第三極板及第四極板各者鄰近第一極板及第二極板且各者跨大於第一及第二極板所跨之該徑向角的一徑向角。
本發明之其他實施例有關透過使用一非對稱四極靜電致偏器改善電場均勻性之一電子束裝置(例如，缺陷再檢測裝置、電子光學系統)。在一闡釋性實施例中，用於檢驗一目標基板之一電子束設備包含用於產生一初級電子束之一電子源。在一實施例中，設備包含用於將初級電子束聚焦至一目標基板上之物鏡。在一闡釋性實施例中，設備包含用於將初級電子束自一次級電子束分離之一射束分離器。在一闡釋性實施例中，射束分離器包含具有一圓柱形絕緣體之一非對稱四極靜電致偏器。在一闡釋性實施例中，非對稱四極靜電致偏器具有包含一第一極板及一第二極板之一第一對極板，第一極板及第二極板各者跨小於60度之一徑向角，該至少一靜電致偏器亦具有包含一第三極板及一第四極板之一第二對極板，第三極板及第四極板各者鄰近第一極板及第二極板且各者跨大於第一及第二極板所跨之該徑向角的一徑向角。在一闡釋性實施例中，設備包含用於接收次級電子束之一偵測 器。
本發明之其他實施例有關用於經由一電子束裝置檢驗一目標基板之一方法。在一闡釋性實施例中，裝置產生一初級電子束。在一闡釋性實施例中，接著將該初級電子束聚焦至目標基板之一部分上。在一闡釋性實施例中，接著經由包含至少一非對稱四極靜電致偏器之至少一射束分離器使次級電子束偏離目標基板且偏離初級電子束(例如，光軸)，該至少一非對稱四極靜電致偏器具有包含一第一極板及一第二極板之一第一對極板，第一極板及第二極板各者跨小於60度之一徑向角，該至少一靜電致偏器亦具有包含一第三極板及一第四極板之一第二對極板，第三極板及第四極板各者鄰近第一極板及第二極板且各者跨大於第一極板及第二極板所跨之該徑向角的一徑向角，使次級電子束沿由第二對極板界定之一平面偏轉。例如，第二對極板之各者所跨之徑向角可係第一對極板之各者所跨之徑向角的兩倍。在一闡釋性實施例中，接著經由至少一偵測器偵測次級電子束。
應瞭解，上述一般描述及下列詳細描述兩者皆僅為例示性及說明性且不一定約束本發明。併入說明書且組成說明書之一部分的隨附圖式繪示本發明之實施例，且與一般描述一起用以說明本發明之原理。
100‧‧‧電子束裝置
102‧‧‧電子源
104‧‧‧初級電子束
106‧‧‧聚光透鏡/準直器
108‧‧‧射束電流選擇孔
110‧‧‧傳遞透鏡
114‧‧‧物鏡
116‧‧‧目標基板
118‧‧‧次級電子
118a‧‧‧次級電子束
120‧‧‧射束分離器
122‧‧‧偵測器陣列
124‧‧‧非對稱四極靜電致偏器
126‧‧‧圓柱形絕緣體
128a‧‧‧正交極板
128b‧‧‧偏轉極板
128c‧‧‧正交極板
128d‧‧‧偏轉極板
130a‧‧‧勵磁線圈
130b‧‧‧勵磁線圈
132‧‧‧間隙
134‧‧‧偏轉方向
136‧‧‧電壓源
200‧‧‧方法
210‧‧‧步驟
220‧‧‧步驟
230‧‧‧步驟
藉由參考隨附圖式，熟習此項技術者可更好瞭解本發明之優勢，其中：圖1A係根據本發明之一電子束裝置之一實施例的一示意圖；圖1B係根據本發明之一靜電致偏器之一實施例的一示意圖；圖2A及圖2B係根據本發明之一靜電致偏器之一實施例的示意圖；及圖3係根據本發明之實施例，用於檢驗一目標基板之一方法的一 程序流程圖。
參考隨附圖式，下列描述舉例說明本發明在其各項實施例中之特徵，此進一步詳細描述本發明。此等圖式僅描繪本發明之所選的實施例，且不應以任何方式被視為限制本發明之範疇。
圖1A至圖3繪示用於經由一電子束裝置100檢驗一目標基板116之一系統及一方法，該電子束裝置100包含具有非對稱四極組態之一靜電致偏器124之一射束分離器120。在一實施例中，相較於一對稱四極，非對稱四極靜電致偏器124提供更好之場均勻性(及對於整體系統效能之一相應改善)。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124提供更好之場均勻性，無一八極靜電致偏器所增加之系統複雜性及所增加之成本。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124在由對置電極板128b及128d界定之僅一單個方向上產生一偏轉場。
圖1描繪根據本發明之實施例之一電子束裝置(例如，電子光學系統)100。在一實施例中，電子束裝置100之射束分離器120利用非對稱四極組態之一靜電致偏器124。在一實施例中，相對於由一對稱四極(即，以90度的間隔分隔開之四個大小均勻的電極板)所產生之雙向偏轉場，靜電致偏器124之非對稱四極組態產生一單向偏轉場。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124使一次級電子束118a偏轉，藉由射束分離器120而使該次級電子束118a自電子束裝置100之光軸(即，初級電子束104)分離。在一實施例中，射束分離器120之非對稱四極靜電致偏器124使經分離之次級電子束118a偏轉至一偵測器陣列122中。
在一實施例中，電子束裝置100包含一電極源102。在一實施例中，該電極源102產生一初級電子束104。例如，電子源102可包含但不限於一電子槍、一電子發射體、或一光電陰極。在一實施例中，電 極源102產生一單個初級電子束104。然而設想，本發明可延伸至一多射束組態。在另一實施例中，電子源102可發射自由電子，自由電子藉由一或多個聚光透鏡或準直器106準直至初級電子束104中。在一實施例中，初級電子束104經導引沿電子束裝置100之光軸(例如，中心軸)穿過射束電流選擇孔108、傳遞透鏡110、及預掃描器112。
參考圖1B，在一實施例中，射束分離器120包含固定至一圓柱形絕緣體126之一非對稱四極靜電致偏器124。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124包含正交極板128a、128c及偏轉極板128b、128d。在一實施例中，正交極板128a及128c接地(不用於偏轉)且分別與勵磁線圈130a及130b相關聯。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124可經由施加電壓至偏轉極板128b、128d而產生一電偏轉場。在另一實施例中，射束分離器120可經組態為一維恩(Wien)濾光器。
在一實施例中，物鏡106將初級電子束104聚焦在目標基板116之一部分上。在一實施例中，初級電子束104在法向於目標基板116之一角度上射擊目標基板116，生產次級(例如，散射)電子118。在一實施例中，物鏡114過濾次級電子118之一部分成為一次級電子束118a中。在一實施例中，次級電子束118a接著通過射束分離器120。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124接著使次級電子束118a偏離由初級電子束104界定的裝置100之光軸。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124使次級電子束118a偏轉至次級電子偵測器陣列(例如，偵測器系統)122中。
參考圖2A及圖2B，在一實施例中，相較於一標準對稱四極，非對稱四極靜電致偏器124提供一更均勻之偏轉場。在一實施例中，非對稱四極靜電致偏器124使一次級電子束118a往一單個方向134偏轉，而非如一標準對稱四極般將使其往一X方向或一Y方向偏轉。在一實施例中，非對稱四極致偏器124包含經定向處於偏轉方向134上之一對 正交極板128a、128c及一對極板128b、128d。在一實施例中，極板128a、128b、128c及128d固定至一圓柱形絕緣體126。在一實施例中，當施加電壓+Vx至極板128d且施加電壓+Vx至極板128b時，所得之場使次級電子束118a沿由偏轉方向134界定之一平面偏轉。
參考圖2B，在一實施例中，正交極板128a及128c各者跨小於60度之一徑向角α，同時偏轉極板128b及128d各者跨大於徑向角α之一徑向角β。在一實施例中，徑向角β係徑向角α之兩倍。例如，徑向角α可跨58度至60度且徑向角β可跨116度至120度。在一實施例中，正交極板128a、128c各者跨小於60度之一徑向角，以允許介於非對稱四極靜電致偏器124之鄰近極板128之間的間隙132。在一實施例中，鄰近極板128a-128b、128b-128c、128c-128d、及128d-128a由四個均勻間隙132分隔開。在一實施例中，間隙132之精確寬度根據正交極板128a、128c及偏轉極板1268、128d之寬度改變。例如，如在圖2B中所展示，各間隙132可跨多達3度之一徑向角γ；不論間隙132之精確寬度(徑向角γ)，偏轉極板128b及128d可跨係正交極板128a及128c所跨之徑向角α兩倍的一徑向角β。
圖3繪示根據本發明之一實施例，用於檢驗一目標基板或其上之樣本的一方法200之一程序流程圖。注意在本文中，可利用前述之實施例的任一者實施方法200。然而進一步注意，方法200不限於前述之組件或組態，因為多個組件及/或組態可適於執行方法200。
在步驟210中，方法200產生一初級電子束104。例如，如圖1A中所展示，電子源102可產生一初級電子束102。在一實施例中，一或多個聚光透鏡或準直器106將自由電子聚集至一初級電子束104中。在步驟220中，方法200將初級電子束104聚焦至目標基板116之一部分上。例如，如在圖1A中所展示，物鏡114可將初級電子束104聚焦至目標116之一部分上。在步驟230中，方法200使一次級電子束118a偏離目 標基板116且偏離初級電子束104。例如，如圖1A及圖1B中所展示，至少一射束分離器120可經由一非對稱四極靜電致偏器124使一次級電子束118a偏離目標基板116且偏離初級電子束104。如圖1B中所展示，非對稱四極靜電致偏器124之正交極板128a、128c可接地且可分別與線圈130a及130b相關聯。如圖2A中所展示，一電壓源136可施加一第一電壓+Vx至非對稱四極靜電致偏器124之一偏轉極板128d。如圖2A中所展示，電壓源136可施加一第二電壓-Vx至非對稱四極靜電致偏器124之對置的偏轉極板128b。如圖2A中所展示，可使次級電子束118a沿由非對稱四極靜電致偏器124之一對偏轉極板128d、128b界定之一平面往方向134偏轉。在一實施例中，方法200另外經由至少一偵測器偵測次級電子束。例如，如圖1A中所展示，偵測器122可偵測由射束分離器120所偏轉之一次級電子束118a。在一實施例中，方法200另外經由一額外偵測器自目標基板116偵測背向散射電子。在一實施例中，方法200經由一額外偵測器自目標基板116偵測透射電子。
本文所描述之標的有時繪示包含在不同其他組件內或與不同其他組件連接之不同組件。應瞭解，此等經描繪之架構僅係例示性，且實際上可實施達成相同功能性之許多其他架構。從一概念意義而言，達成相同功能性之組件的任一配置有效「相關聯」使得達成所要的功能性。因此本文所組合以達成一特定功能性之任何兩個組件可被視為彼此「相關聯」使得達成所要的功能性，不論架構或中間組件。同樣地，如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要的功能性，且能夠如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「可耦合」以達成所要的功能性。可耦合之特定實例包含但不限於可實體地組裝及/或實體地相互作用之組件及/或可無線地相互作用及/或無線地相互作用之組件及/或邏輯地相互作用及/或可邏輯地相互作用之組件。
儘管已展示且描述本文所描述之本標的之特定態樣，然在不背離本文所描述之標的及其更廣之態樣的情況下，可基於本文之教示進行改變及修改且因此，全部此等改變及修改包含在隨附申請專利範圍的範疇內如同其等處在本文所描述之標的之真實精神及範疇內，此對於熟習此項技術者將係明顯的。
120‧‧‧射束分離器
124‧‧‧非對稱四極靜電致偏器
128a‧‧‧正交極板
128b‧‧‧偏轉極板
128c‧‧‧正交極板
128d‧‧‧偏轉極板
130a‧‧‧勵磁線圈
130b‧‧‧勵磁線圈

Claims (22)

  1. 一種非對稱四極靜電致偏器，其包括：一第一對極板，其包含一第一極板及一第二極板，該第一極板及該第二極板各者跨一第一徑向角；及一第二對極板，其包含一第三極板及一第四極板，該第三極板及該第四極板各者鄰近該第一極板及該第二極板且各者跨大於該第一徑向角之一第二徑向角。
  2. 如請求項1之致偏器，其中該第二徑向角係該第一徑向角之兩倍。
  3. 如請求項1之致偏器，其進一步包括：複數個間隙，其等至少包含將該第一極板自該第三極板分隔開之一第一間隙、將該第三極板自該第二極板分隔開之一第二間隙、將該第二極板自該第四極板分隔開之一第三間隙，及將該第四極板自該第一極板分隔開之一第四間隙，該複數個間隙之各間隙跨一第三徑向角。
  4. 如請求項3之致偏器，其中該第一徑向角介於58度與60度之間，該第二徑向角介於116度與120度之間，且該第三徑向角介於零度與3度之間。
  5. 如請求項1之致偏器，其中該第一對極板之至少一者接地。
  6. 如請求項1之致偏器，其中該第一對極板及該第二對極板之至少一極板係一電極板。
  7. 如請求項1之致偏器，其進一步包括：至少一圓柱形絕緣體，其連接至該第一對極板且至該第二對極板。
  8. 一種用於檢驗一目標基板之方法，其包括： 產生一初級電子束；將該初級電子束聚焦至該目標基板之一部分上；及經由至少一射束分離器使一次級電子束偏離該目標基板且偏離該初級電子束，該至少一射束分離器包含至少一非對稱四極靜電致偏器，該至少一非對稱四極靜電致偏器具有包含一第一極板及一第二極板之一第一對極板，該第一極板及該第二極板各者跨一第一徑向角，該至少一非對稱四極致偏器亦具有包含一第三極板及一第四極板之一第二對極板，該第三極板及該第四極板各者鄰近該第一極板及該第二極板且各者跨大於該第一徑向角之一第二徑向角，使該次級電子束沿由該第二對極板界定之一平面偏轉。
  9. 如請求項8之方法，其中該經由包含至少一非對稱四極靜電致偏器之至少一射束分離器使一次級電子束偏離該目標基板且偏離該初級電子束包含：施加一第一電壓+Vx至該至少一靜電致偏器之該第四極板；施加一第二電壓-Vx至該至少一靜電致偏器之該第三極板；及使該次級電子束沿由該至少一靜電致偏器之該第二對極板界定之一平面偏轉。
  10. 如請求項8之方法，其中該至少一射束分離器經組態為一維恩濾光器。
  11. 如請求項8之方法，其進一步包括：經由至少一第一偵測器偵測該次級電子束。
  12. 如請求項8之方法，其進一步包括：經由至少一第二偵測器偵測一或多個背向散射電子。
  13. 如請求項8之方法，其進一步包括：經由至少一第三偵測器偵測一或多個透射電子。
  14. 一種用於檢驗一目標基板之電子束設備，其包括：一電子源，其經組態以產生一初級電子束；至少一物鏡，其經組態以將該初級電子束聚焦至該目標基板上；及至少一射束分離器，其經組態以將該初級電子束自一次級電子束分離，該至少一射束分離器包含至少一靜電致偏器，該至少一靜電致偏器具有包含一第一極板及一第二極板之一第一對極板，該第一極板及該第二極板各者跨一第一徑向角，該至少一靜電致偏器亦具有包含一第三極板及一第四極板之一第二對極板，該第三極板及該第四極板各者鄰近該第一極板及該第二極板且各者跨大於該第一徑向角之一第二徑向角；至少一電壓源，其經組態以施加一第一電壓+Vx至該至少一第四極板且施加一第二電壓-Vx至該至少一第三極板；及至少一偵測器，其經組態以接收該次級電子束。
  15. 如請求項14之設備，其中該第二徑向角係該第一徑向角之兩倍。
  16. 如請求項14之設備，其中該至少一靜電致偏器包含：複數個間隙，其等至少包含將該第一極板自該第三極板分隔開之一第一間隙、將該第三極板自該第二極板分隔開之一第二間隙、將該第二極板自該第四極板分隔開之一第三間隙，及將該第四極板自該第一極板分隔開之一第四間隙，該複數個間隙之各間隙跨一第三徑向角。
  17. 如請求項16之設備，其中該第一徑向角介於58度與60度之間，該第二徑向角介於116度與120度之間，且該第三徑向角介於零度與3度之間。
  18. 如請求項14之設備，其中該第一對極板中之至少一極板經接 地。
  19. 如請求項14之設備，其中該至少一射束分離器經組態為一維恩濾光器。
  20. 如請求項14之設備，其進一步包含：至少一第一線圈對，其與該第一對極板相關聯，該至少一線圈對經組態以產生一磁場。
  21. 如請求項14之設備，其中該第一對極板及該第二對極板之至少一極板係一電極板。
  22. 如請求項14之設備，其中該至少一靜電致偏器包含：至少一圓柱形絕緣體，其連接至該第一對極板且至該第二對極板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI729386B (zh) * 2018-06-07 2021-06-01 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束偏向器及多射束圖像取得裝置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9171694B2 (en) * 2013-11-26 2015-10-27 Kla-Tencor Corporation Asymmetric electrostatic quadrupole deflector for improved field uniformity
WO2017006408A1 (ja) * 2015-07-06 2017-01-12 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US10340114B1 (en) 2018-01-19 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation Method of eliminating thermally induced beam drift in an electron beam separator
CN114152989B (zh) * 2021-12-01 2022-08-12 中南大学 一种二维非对称四极电法的拟断面图坐标计算方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10302691A (ja) 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 投影レンズ系
EP1120810B1 (en) 2000-01-24 2010-12-29 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Column for a charged particle beam device
US6749121B2 (en) * 2001-10-19 2004-06-15 Symbol Technologies, Inc. Antenna assembly
US7315029B2 (en) * 2005-09-30 2008-01-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic deflection system with low aberrations and vertical beam incidence
US8536538B2 (en) * 2011-02-16 2013-09-17 Kla-Tencor Corporation Multiple-pole electrostatic deflector for improving throughput of focused electron beam instruments
US8436317B1 (en) * 2011-11-09 2013-05-07 Hermes-Microvision, Inc. Wien filter
US9171694B2 (en) * 2013-11-26 2015-10-27 Kla-Tencor Corporation Asymmetric electrostatic quadrupole deflector for improved field uniformity

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI729386B (zh) * 2018-06-07 2021-06-01 日商紐富來科技股份有限公司 多電子束偏向器及多射束圖像取得裝置

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