TW201528099A - 具有透明電極之基板、具有透明電極之基板的評估方法、具有透明電極之基板的製造方法、觸控面板及觸控面板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之具有透明電極之基板的評估方法，其係測定於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板(A)之分光反射率RA(λ)、及不存在上述具有透明電極之基板(A)之上述透明導電膜層之基板(B)之分光反射率RB(λ)，計算上述分光反射率RA(λ)與上述分光反射率RB(λ)之波長之差分之光譜之絕對值△R(λ)。在於一實施形態，將上述△R(λ)、及等色度函數之和與C1(λ)，以各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△V1之值、或將在於上述△R(λ)、及上述C1(λ)、及光源光譜L(λ)之各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△S1之值，用於作為透明電極被圖案化之非視認性之指標。

Description

具有透明電極之基板、具有透明電極之基板的評估方法、具有透明電極之基板的製造方法、觸控面板及觸控面板的製造方法
本發明係關於具有透明電極之基板、具有透明電極之基板的評估方法、具有透明電極之基板的製造方法、觸控面板及觸控面板的製造方法。
具有透明電極之觸控面板用基板，係於透明絕緣基板上形成透明電極者，使用於作為觸控面板的位置偵測器。於觸控面板有各式各樣的偵測示意，其中之1之電容式，係用於捕捉電容的變化偵測位置、需要電容偵測用的電極圖案。電極圖案、一般係以蝕刻形成、電極係由蝕刻去除的蝕刻部(透明電極非形成部)、及電極沒有被蝕刻而殘存之非蝕刻部(透明電極形成部)所構成。
觸控面板，由於通常係配置於顯示器上，故透明電極的圖案會被目視視認，而降低最終製品的品質。因此，在於透明電極被圖案化之具有透明電極之基板，要求不能看到圖案化之痕跡之所謂透明電極圖案(以下，亦單稱為圖案)之非視認性。
透明電極圖案被視認的主因係於蝕刻部與非蝕刻 部之間，而發生反射率或色彩值等的光學性差異。因此，大多觸控面板用之具有透明電極之基板係藉由設計透明介電質層的膜厚或折射率等地層積構造，提升非視認性。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-182528號公報
[專利文獻2]國際公開第2010/114056號
[專利文獻3]日本特開2013-84376號公報
[專利文獻4]日本特開2010-76232號公報
如此，即便透明電極圖案的非視認性係觸控面板用之具有透明電極之基板的重要特性，並沒有實現以目視之光學性指標之定量的數值管理。
例如，於專利文獻1，記載使用由反射光譜遵照JIS Z8701算出之色差△E作為非視認性之指標的技術。專利文獻2，記載使用蝕刻部與非蝕刻部之反射率光譜之差的積算值作為非視認性的指標的技術。專利文獻3，記載使用反射光譜的平均值之差的絕對值之技術。專利文獻4，記載使用反射光譜之差的絕對值與標準比視感度的相乘積分所得之值。
但是，在於上述專利文獻1之基於△E之評估，或在於上述專利文獻2~4之基於反射光譜之差之絕對值，或積算值之評估，係以人類的官能評估而未必一致，現狀係為品質管 理，需要以人的目視之評估。因此，根據評估者的熟練度、身體狀況等而有產生判定誤差的問題。
本發明者們銳意研究的結果，發現以下式1所示之△V1、式2所示之△S1、式3所示之△V2或式4所示之△S2，較先前習知之指標，精良地顯現人類的評估結果。
即，本發明係關於具有透明電極之基板的評估方法。本發明之評估方法，係測定於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板(A)之分光反射率RA(λ)、及不存在上述具有透明電極之基板(A)之上述透明導電膜層之基板(B)之分光反射率RB(λ)，計算上述分光反射率RA(λ)與上述分光反射率RB(λ)之波長之差分之光譜之絕對值△R(λ)。
在於一實施形態，以如下式1所示，將上述△R(λ)、及等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)之和與C1(λ)，以各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△V1之值、或以如下式2所示，將在於上述△R(λ)、及上述C1(λ)、及光源光譜L(λ)之各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△S1之值，用於作為透明電極被圖案化之具有透明電極之基板之透明電極形成部與透明電極之非形成部之反射光之視認性之差，即，透明電極圖案之非視認性之指標。
此外，在於其他的實施形態，係以如下式3所示，使用上述△R(λ)、及等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)，以式「C2(λ)=l×x(λ)+m×y(λ)+n×z(λ)」表示之C2(λ)(其中，l=0~1.25、m=0~2、n=0.4~3、l+m+n=3)，在於各波長相乘，以可見光區域的下限波長λ1(nm)~上限波長λ2(nm)的波長範圍積分而得之△V2之值、或如下記式4所示，將上述△R(λ)、及上述C2(λ)(其中，l=0~1.6、m=0~1.6、n=0.4~3、l+m+n=3)、及光源光譜L(λ)，以各波長相乘，以λ1(nm)~λ2(nm)的波長範圍積分而得之△S2之值用於作為透明電極圖案之非視認性之指標。
本發明係關於於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板的製造方法。本發明之具有透明電極之基板的製造方法，其特徵係在於：進行上述具有透明電極之基板的評估，判定上述△V1、△S1、△V2及△S2之任一之值是否在於既定的範圍內。
本發明之一態樣係，關於以上述製造方法製造之 具有透明電極之基板。
本發明係關於包含於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板(A)、及不存在上述具有透明電極之基板(A)之上述透明導電膜層之基板(B)之具有透明電極之基板。本發明之具有透明電極之基板，上述式1所示之△V1之值為240%nm以下，或上述式2所示之△S1之值為7.0%nm以下。
本發明係關於一種觸控面板，其特徵在於：包括上述具有透明電極之基板。
本發明係關於一種觸控面板的製造方法，其特徵在於：進行上述具有透明電極之基板的評估方法，或上述具有透明電極之基板的製造方法。再者，本發明係關於一種觸控面板，其特徵在於：藉由上述製造方法製造。
根據本發明，在於透明電極被圖案化之具有透明電極之基板或觸控面板，可將透明電極圖案之非視認性，定量地正確判定良莠，不會因評估者的熟練度等而發生圖案非視認性之判定差之先前技術的問題。藉由將根據本發明之評估方法，使用於具有透明電極之基板之製造之指標，可提供透明電極圖案之非視認性良好的具有透明電極之基板。
1‧‧‧透明板
2‧‧‧透明介電質層
3‧‧‧透明導電膜層
第1圖係表示本發明之一實施形態之具有透明電極之基板(A)之層構成之剖面之示意圖。
第2圖係表示本發明之一實施形態之基板(B)之層構成之剖面之示意圖。
第3圖係表示C1(λ)之波長依存性之圖表。
第4圖係表示晝光色光源的強度的波長依存性之圖表。
第5圖係表示D65光源之強度之波長依存性之圖表。
第6圖係表示在於實施例1之△V1與目視評估之非視認性之相關性之圖表。
第7圖係表示在於實施例2之△S1與目視評估之非視認性之相關性之圖表。
第8圖係表示在於參考例1之△S1與目視評估之非視認性之相關性之圖表。
第9圖係表示在於比較例1之△E與目視評估之非視認性之相關性之圖表。
第10圖係表示在於比較例2之反射光譜之差之積算值與目視評估之非視認性之相關性之圖表。
第11圖係表示在於比較例3之反射光譜之平均差的絕對值與目視評估之非視認性之相關性之圖表。
第12圖係表示在於比較例4之視感反射率差之絕對值之積分值與目視評估之非視認性之相關性之圖表。
第13圖係表示在於△V2，等色度函數C2(λ)之各係數l、m及n之值與目視評估之關係之平面三角座標。
第14圖係表示在於△S2，等色度函數C2(λ)之各係數l、m及n之值與目視評估之關係之平面三角座標。
以下，說明本發明之較佳的實施形態。首先，說明使用於本發明之具有透明電極之基板的評估方法(以下，亦單稱為「本發明的評估方法」)之具有透明電極之基板。
第1圖係於透明基板1之上形成透明介電質層2，於其上形成透明導電膜層3之具有透明電極之基板(A)之剖面圖。第2圖係由具有透明電極之基板(A)去除透明導電膜層3之基板(B)之剖面圖。再者，關於在於第1圖及第2圖之厚度的尺寸關係，為圖面的明瞭化與簡化而有適宣變更，並未以實際尺寸關係表示。此外，在於各圖，相同的參照符號係表示相同的技術事項。
透明基板之基材，只要至少在可見光區域為無色透明，並無特別限定，可於其上形成透明電極者即可。可舉例如，玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二醇酯(PEN)等的聚酯樹脂或環烯烴系樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素系樹脂等。其中，可良好地使用聚酯樹脂或環烯烴系樹脂，可特別良好地使用聚對苯二甲酸乙二醇酯。基材的厚度，並無特別限定，以0.01~0.4mm的厚度為佳。只要在上述範圍內，則充分可提高透明基板的耐久性，由於具有適度的柔軟性，可以生產性佳的捲對捲模式製膜。
透明介電質層的材料，可使用例如，以丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、氧化矽．氧化鈦．氧化鈮．氧化鋯．氧化鋁等的氧化物為主成分之材料或氟化鈣．氟化鎂作為主成分之材料。構成透明介電質層之氧化物，以至少在可見光區域為無色 透明，而電阻率以10Ω．Cm以上者為佳。此外，透明介電質層之厚度，只要滿足上述電阻率，可為任意厚度。透明介電質層，可僅由1層構成，亦可由2層以上構成。
透明基板的單面或者兩面，亦可以提高觸控面板用透明電極的耐久性等的目的，預先層積亦係透明介電質層之硬塗層。硬塗層的材料，可使用丙烯酸樹脂、矽酮樹脂等。硬塗層的膜厚，由可具有適度的耐久性與柔軟性，以1~10μm為佳。
於上述透明基板，亦可以提升透明基板與透明導電膜層之附著性的目的，施以表面處理。表面處理的手段，有例如，藉由使基板表面帶電性極性而提高附著力的法等，具體而言，可舉電暈放電、電漿法等。在於本發明之透明導電膜層與透明基板之間的透明介電質層，亦可使其具有提升密著性之效果，特別是只要是SiOx(x=1.8~2.0)，由不會損及光學特性之點亦佳。
透明導電膜層的材料，只要是可使透明性與導電性並存者，並無特別限定。如此的材料，可舉氧化銦、氧化鋅、氧化錫為主成分之材料等。其中，由低電阻的觀點，可良好地使用氧化銦為主成分的材料。
在於本說明書，以某物質「作為主成分」，係指該物質之含量為51重量%以上，以70重量%以上為佳，以90重量%以上更佳。只要不損及本發明的功能，於各層，亦可含有主成分以外的成分。
透明導電膜層之形成方法，並無特別限定，可以 濺鍍或離子鍍等的乾式製程、溶膠凝膠塗層等的濕式製程等，按照所要求的特性，適宜選擇。
在於電容式觸控面板等的觸控面板用之具有透明電極之基板，於透明導電膜層的面內的一部以蝕刻等圖案化使用。透明導電膜層的圖案(透明電極圖案)，係例如，將具有透明電極之基板的透明導電膜層的一部分藉由蝕刻去除的手法，或於透明導電膜層之製膜時，將透明導電膜層以一部分不製膜的手法形成。藉由蝕刻去除透明導電膜層的手法，已知有將感光性抗蝕劑塗布後，以微影蝕刻等形成抗蝕劑的圖案，將露出的透明導電膜層以蝕刻液去除的方法。即使是此外的手法，只要可去除用於形成既定圖案的透明導電膜層，可任意使用。將透明導電膜層，一部分不製膜的手法，可舉於基板形成掩模圖案之後，形成透明導電膜層，去除掩模部的手法等。
其次，說明本發明之具有透明電極之基板的評估方法。於本發明之具有透明電極之基板的評估方法，首先測定於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板(A)之分光反射率RA(λ)、及上述具有透明電極之基板(A)之沒有上述透明導電膜層之基板(B)之分光反射率RB(λ)，計算在於上述分光反射率RA(λ)與上述分光反射率RB(λ)之各波長之差分的光譜的絕對值△R(λ)。
[具有透明電極之基板(A)]
具有透明電極之基板(A)，可使用於介電質層上形成透明導電膜層之後，形成圖案之前者，或形成圖案之後的具有透明電極之基板的非蝕刻部。以觸控面板進行評估時，在進行透明 導電膜層的圖案化之後，有圖案過細而無法進行反射率測定之情形。如此之情形時，作為反射率測定用的抽樣樣品，以可進行測定地變更圖案形狀，或不進行圖案化或蝕刻，使用透明電極存在於全面的具有透明電極之基板(A)形成評估用基板。
於利用具有透明電極之基板的觸控面板，將透明導電膜層製膜後，有藉由退火進行透明導電膜層的結晶化。構成透明導電膜層之材料(ITO等)，由於折射率在結晶化前後會變化，故透明電極圖案的非視認性亦會在結晶化前後變化。因此，通常，係根據結晶化後的透明導電膜層的光學特性進行光學設計。此外，於結晶化前的透明導電膜層，ITO等本身容易將光吸收，故透明電極圖案容易被視認。由以上的理由，進行透明導電膜層的結晶化時，使用將透明導電膜層結晶化者作為具有透明電極之基板(A)，可作高精度的評估。
[基板(B)]
基板(B)，係上述具有透明電極之基板(A)的透明導電膜層不存在的狀態者。可將具有透明電極之基板(A)的透明導電膜層蝕刻之基板，或透明導電膜層之製膜前的階段的基板，用於作為基板(B)。亦可使用形成圖案後的具有透明電極之基板的蝕刻部作為基板(B)。在於圖案化製程，透明介電質層會被蝕刻，或會變質之情形，藉由利用經過蝕刻製程者作為測定反射率的基板(B)，可作接近實態的高精度評估。
蝕刻的方法，可按照觸控面板的製程，可適切地選擇濕式製程、或使用電漿的乾式製程等的方法。
以觸控面板進行評估時，與具有透明電極之基板 (A)之情形同樣地，有圖案過細而無法進行測定反射率之情形。如此之情形，反射率測定用的抽樣樣品，以可進行測定地變更圖案形狀，或不進行圖案化或蝕刻，使用透明電極存在於全面的具有透明電極之基板(B)形成評估用基板。
[反射光譜測定]
反射光譜的測定，可遵照JIS Z8722的規格的方法進行。反射光譜的測定方法，可舉使用線上分光反射率計於製膜步驟中，於線上測定的方法，於製膜結束之後，以離線分光光度計測定的方法，為檢查組入簡易觸控面板的測定方法、測定完成的觸控面板製品的方法等。再者，分光反射率RA(λ)與分光反射率RB(λ)，均如「於製膜結束後以離線分光光度計測定」等，以相同步驟測定為佳。此外，分光反射率的差分的絕對值△R(λ)，使用於製造步驟的指標時，於RB(λ)的測定考慮於製膜階段的作業很重要，則測定反射光譜的方法，於製膜步驟中或製膜結束後，使用分光反射率計或分光光度計測定為佳，特別是，在製膜結束後測定為佳。
計算上述△R(λ)之後，在於一實施形態，如上述式1所示，上述△R(λ)，與等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)之和之C1(λ)，以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分，求△V1之值。或，如上述式2所示，將上述△R(λ)、上述C1(λ)、及光源光譜L(λ)，以各波長交合、380~780nm的波長範圍積分求△S1之值。在此，C1(λ)係使用等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)，以式「C1(λ)=x(λ)+y(λ)+z(λ)」表示的函數。如後所述，光源光譜L(λ)係，在於最終製品的使用環境等之光源光譜，使用於分光 反射率RA(λ)及分光反射率RB(λ)之測定之光源的光譜，並不一定需要與L(λ)相同。
此外，在於其他的實施形態，如上述式3所示，將上述△R(λ)、及C2(λ)，以各波長交合，以可見光區域的下限波長λ1(nm)~上限波長λ2(nm)的波長範圍積分求△V2之值。或，如上述式4所示，將上述△R(λ)、上述C2(λ)、及光源光譜L(λ)，以各波長交合，以λ1(nm)~λ2(nm)的波長範圍積分求△S2之值。在此，C2(λ)係使用等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)，以式「C2(λ)=l×x(λ)+m×y(λ)+n×z(λ)」表示之函數。
[等色度函數]
在於上述等色度函數，係表示人類的光感度的波長依存性，根據國際照明委員會(CIE)正規化。於CIE的規格之中，等色度函數係反映人類具有3維的色度座標，以x(λ)、y(λ)及z(λ)3個函數規定。上述C1(λ)係加總x(λ)、y(λ)及z(λ)的函數，表示人對何種波長光感覺較多。表示人對何種波長的光感覺較多的函數，於上述C1(λ)之外，亦存在明處視標準比視感度或暗處視標準比視感度。相對於明處視標準比視感度或暗處視標準比視感度，係將重點放置於明亮度的函數，C1(λ)係將重點放至於色彩的函數。因此，藉由使用C1(λ)，可正確地反映顏色的差異，結果，可提升非視認性的評估精度。
在於本發明，x(λ)、y(λ)及z(λ)之值，使用10度視野之值CIE(1964)10-deg color matching functions為佳。於第3圖表示由10度視野之等色度函數所求得之C1(λ)。再者，x(λ)、y(λ)及z(λ)之值，亦可反映最終製品的使用環境等，而使用2 度視野之值。
上述C2(λ)，係將C1(λ)擴張之函數，以式「C2(λ)=l×x(λ)+m×y(λ)+n×z(λ)」(其中，l+m+n=3)表示。在於本發明，使用C2(λ)，亦可提升非視認性的評估精度。
求△V2之值時，由可精度良好地顯示非視認性的評估結果的觀點，於上述式中，l=0~1.25、m=0~2、n=0.4~3，以l=0.05~1.2、m=0~2、n=0.6~3為佳，以l=0.5~1、m=0.6~1.6、n=0.7~1.9更佳。再者，l=m=n=1時，(即，C2(λ)=C1(λ)時)最佳(參照後述的實施例3~24及第13圖)。
求△S2之值時，由可精度良好地顯示非視認性的評估結果的觀點，上述式中，l=0~1.6、m=0~1.6、n=0.4~3，以l=0.05~1.6、m=0~1.4、n=0.6~3為佳，以l=0.2~1.6、m=0.2~1.25、n=0.6~2.6更佳，以l=0.6~1.3、m=0.6~1.1、n=0.8~1.9最佳。再者，l=m=n=1時(即、C2(λ)=C1(λ)時)最佳(參照後述實施例25~47及第14圖)。
[光源光譜]
使用於計算△S1或△S2之光源光譜，可按照最終製品的使用環境等設定。可舉例如，太陽光或D65光源、螢光燈等、各種光源。假定最終製品係於屋外使用時，使用太陽光光譜的實測值或參照D65光源之文獻值所得之光譜的方法為佳。此外，假定最終製品係於屋內使用時，使用照明的光譜，作為光源光譜使用之方法為佳，以晝光色螢光燈光源或D65光源的光譜為佳。第4圖係表示晝光色螢光燈光的光譜、於第5圖表示D65光源的光譜。
[△V1及△S1的計算]
△V1，係如上述式1所表示，將△R(λ)與C1(λ)以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分而得。△S1，係如上述式2所示，將△R(λ)與C1(λ)與L(λ)以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分而得。再者，亦可如後述的實施例，使用一定波長間隔(例如，每10nm)之值，以區分求積計算△V1及△S1。在於△V2及△S2的計算亦相同。
[△V2及△S2的計算]
△V2係如上述式3所示，將△R(λ)與C2(λ)以各波長交合，以可見光區域的下限波長λ1(nm)~上限波長λ2(nm)的波長範圍積分而得。△S2係如上述式4所示，將△R(λ)與C2(λ)與L(λ)以各波長交合，以λ1(nm)~λ2(nm)的波長範圍積分而得。可見光區域的下限波長λ1及上限波長λ2之值，並無特別限定，以λ1=380nm、λ2=780nm為佳。
使用於△S1或者△S2的計算的光源光譜L(λ)可任意設定，惟使用強度不同的光源，則計算結果會改變。因此，需要將光源光譜的強度正規化。在於本發明，將C1(λ)與L(λ)以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分時，及、C2(λ)與L(λ)以各波長交合，以λ1(nm)~λ2(nm)的波長範圍積分時的結果進行正規化為10。一般，光源強度的正規化，係亦有僅將光源光譜積分而進行，惟在於本發明，需要考慮人的感度的正規化，由於其橫跨380~780nm(或λ1(nm)~λ2(nm))，故採用上述積分值。此係，JIS Z8701所記載的k值，與以光源光譜×等色度函數的積分值正規化的理由相同。
於本發明之具有透明電極之基板的評估方法，將如上述所得之△V1、△S1、△V2及△S2之值，分別可用於透明電極圖案的非視認性的指標。為作成透明電極圖案的非視認性高的具有透明電極之基板，△V1、△S1、△V2及△S2之值係低方為佳。具體而言，△V1之值，以240%nm以下為佳，220%nm以下更佳，進一步以200%nm以下為佳。△S1之值，以7.0%nm以下為佳，6.3%nm以下更佳，5.6%nm以下進一步以為佳。△V2之值，係280%nm以下為佳，260%nm以下更佳，進一步以190%nm以下為佳。△S2之值，以9.0%nm以下為佳，7.5%nm以下更佳，進一步以5.7%nm以下為佳。
本發明的具有透明電極之基板的評估方法，可組入具有透明電極之基板之製造過程。例如將上述評估，在設定具有透明電極之基板之製造條件時進行，基於評估結果調整製造條件(透明介電質層或透明導電膜層之製膜條件等)，決定各種製造條件。此外，藉由在生產線實施上述評估，亦可進行具有透明電極之基板的品質管理。
如此，包含本發明的評估方法之具有透明電極之基板的製造方法，亦係本發明之一。本發明之具有透明電極之基板的製造方法，在組入上述的評估方法以外，與先前的具有透明電極之基板的製造方法相同。
於本發明之具有透明電極之基板的製造方法，判定上述△V1、△S1、△V2及△S2之任一之值是否在既定的範圍內。例如，對透明導電膜層被製膜之後的具有透明電極之基板，進行本發明的評估方法，只要△V1等之值超過既定之值，即表示 透明電極圖案的非視認性不在許容範圍內的意思。
將上述△V1或△V2之值的判定結果反饋，藉由調整製造條件使該值在既定的範圍內，可提升透明電極被圖案化後的具有透明電極之基板的圖案的非視認性。只要將上述△S1或△S2之值得判定結果反饋於製造條件，則可提高最終製品在使用環境之非視認性。即，藉由將使用於△S1或△S2的計算時之光源光譜L(λ)，使用最終製品的使用環境等之光源光譜，或者接近使用環境的光源光譜，可正確地評估最終製品在使用環境之圖案的非視認性。例如，在屋外的使用較多的行動機器，由於在屋外的太陽光下，圖案有較容易被視認的趨勢，使用太陽光光譜的實測值，或模擬太陽光光譜作為L(λ)，求△S1或△S2為佳。
調整之製造條件，可舉例如，透明介電質層的製膜條件(材質、厚度、氣體流量等)、透明導電膜層的製膜條件(材質、厚度、氣體流量等)等。再者，亦可將2個以上的製造條件同時調整。例如，△V1、△S1等之值較目標值高時，藉由使透明介電質層及透明導電膜層之至少一方的厚度變小，或增加透明介電質層及透明導電膜層之至少一方的製膜時之氧量等，可使該等之值變低。
此外，藉由將上述判定結果附加於具有透明電極之基板，可進行具有透明電極之基板的品質管理。例如，在於觸控面板的製造步驟，△V1、△S1等之值在目標值以下，藉由選擇使用具有透明電極之基板，可提高最終製品的良率。將判定結果附加於具有透明電極之基板的方法，可將印刷判定結果 的標籤或記錄判定結果的IC晶片等的媒體添附於具有透明電極之基板或者與具有透明電極之基板一起包裝的方法，將判定結果直接列印或印刷於具有透明電極之基板的方法等。判定結果，可以文字、數字、記號、條碼、二維條碼等表示，亦可以該等地組合表示。
反射光譜的測定方法，可舉上述方法。其中，於製膜步驟中以線上測定反射光譜的方法為佳，以於透明介電質層之製膜之後而在透明導電膜層之製膜之前的基板的分光反射率，作為分光反射率RB(λ)，以於透明導電膜層之製膜之後的具有透明電極之基板的分光反射率作為分光反射率RA(λ)，分別在線上測定的方法更佳。
關於△V1，以240%nm以下為佳，以220%nm以下更佳，進一步以200%nm以下為佳，關於△S1，以7.0%nm以下為佳，以6.3%nm以下更佳，進一步以5.6%nm以下為佳，關於△V2，以280%nm以下為佳，以260%nm以下更佳，進一步以190%nm以下為佳，關於△S2，以9.0%nm以下為佳，以7.5%nm以下更佳，進一步以5.7%nm以下為佳，分別可作成透明電極圖案的非視認性高的具有透明電極之基板。藉由管理製造條件使之成如此之數值範圍，可製造非視認性良好的具有透明電極之基板。
再者，根據本發明，不會受到評估者的熟練度等的透明電極圖案視認性的判定差的影響，而可將判定結果反體於透明導電膜層的製膜步驟，故可早期發現不良，可貢獻在提升生產性。
[具有透明電極之基板的用途]
本發明的具有透明電極之基板，可使用於作為顯示器或發光元件、光電轉換元件等地透明電極，可良好地使用於作為觸控面板用的透明電極。其中，由於透明導電膜層的電阻低，可良好地使用於電容式觸控面板。
在於觸控面板的形成，於具有透明電極之基板上，塗佈導電性墨水或糊料，藉由熱處理，形成作為引導電路用配線之集電極。加熱處理的方法，並無特別限定，可舉以烘箱或IR加熱器等之加熱方法。加熱處理的溫度．時間，係考慮導電性糊料附著於透明電極之溫度．時間適宜設定。可舉例如，以烘箱之加熱，則以120~150℃，30~60分鐘，以IR加熱器之加熱，則以150℃，5分鐘等之例。再者，引導電路用配線的形成方法，並分限定於上述，亦可以乾式塗層法形成。此外，藉由微影，形成引導電路用配線，可作配線的細線化。
[實施例]
以下，舉實施例更具體說明本發明，惟本發明並非限定於該等實施例。
[基板的作製]
[基板1]
作為具有透明電極之基板(A)1，於基材(透明基板)上，依序層積透明介電質層(高折射率層、低折射率層)、透明導電膜層。使用Nb2O5作為高折射率層，以SiO2作為低折射率層、以對氧化銦摻雜氧化錫之ITO作為透明導電膜層。
基材，使用於PET膜(厚度125μm)的兩面形成硬 塗層(尿烷樹脂)之膜，於其上藉由濺鍍，依序將Nb2O5、SiO2、ITO製膜。硬塗層的厚度為5μm、Nb2O5的厚度為8nm、SiO2的厚度為50nm、ITO的厚度為28nm。
濺鍍後的ITO為非晶質，故以150℃的烘箱進行30分鐘的退火，進行ITO的結晶化。將如此地所得之具有透明電極之基板作為基板(A)1。
基板(B)1，係將具有透明電極之基板(A)1之透明導電膜層，使用蝕刻液(關東化學製ITO-02)濕式蝕刻而製作。
[以目視之非視認性評估]
將上述具有透明電極之基板(A)1藉由微影圖案化，製作圖案化樣品1。使用該圖案化樣品1，於晝光色的螢光燈下，將透明電極圖案的非視認性以等級1至等級5的5階段評估。數字越大表示非視認性越佳。圖案化樣品1以目視之非視認性等級為1。
[基板2]
使SiO2的厚度為40nm、ITO的厚度為25nm以外，係以與實施例1同樣地，製作具有透明電極之基板(A)2，藉由將透明導電膜層濕式蝕刻，製作基板(B)2及圖案化樣品2。圖案化樣品2，以目視之非視認性等級為2。
[基板3]
使Nb2O5的厚度為7nm、ITO的厚度為26nm以外，以與實施例1同樣地，製作具有透明電極之基板(A)3，藉由將透明導電膜層濕式蝕刻，製作基板(B)3及圖案化樣品3。圖案化樣品3，以目視之非視認性等級為3。
[基板4]
使ITO的厚度為26nm以外，以與實施例1同樣地，製作具有透明電極之基板(A)4，藉由將透明導電膜層濕式蝕刻，製作基板(B)4及圖案化樣品4。圖案化樣品4，以目視之非視認性等級為4。
[基板5]
使Nb2O5的厚度為6nm、SiO2的厚度為34nm、ITO的厚度為10nm以外，以與實施例1同樣地，製作透明電極之基板(A)5，藉由將透明導電膜層濕式蝕刻，製作基板(B)5及圖案化樣品5。圖案化樣品5，以目視之非視認性等級為5。
[基板6]
使Nb2O5的厚度為6nm、SiO2的厚度為30nm、ITO的厚度為10nm以外，以與實施例1同樣地，製作透明電極之基板(A)6，藉由將透明導電膜層濕式蝕刻，製作基板(B)6及圖案化樣品6。圖案化樣品5，以目視之非視認性等級為5。
[實施例1]
測定在於上述所作製的具有透明電極之基板(A)1~(A)5及基板(B)1~(B)5的反射光譜，根據式1計算△V1。
[反射光譜測定]
反射光譜，係以包括積分球之分光光度計，PERKIN ELMER公司製LAMBDA750，將380nm~780nm的波長範圍，以每間隔10nm的波長測定。測定係以氣溫25℃、濕度40%的室溫環境進行。於反射光譜的測定，將樣品設置成分光的單色光入射製膜面，將穿透的全光線以積分球測定。測定反射光譜 測定時，不進行背面塗黑等的特別的處理，將包含背面反射測定反射率。樣品的固定係藉由按壓接於積分球開口部的部分的外側，以背面接於空氣的狀態測定。
[△V1的計算]
△V1，係式1所示，將△R(λ)與C1(λ)以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分所求得。△R(λ)係藉由上述反射光譜測定而得，具有透明電極之基板(A)與基板(B)的反射光譜之差的絕對值。等色度函數係反射光譜，配合測定波長，將380nm~780nm的波長範圍，使用每間隔10nm的波長。在於△S1、△V1及△S2的計算一相同。
將該計算而得之結果示於第6圖。△V1與以目視之非視認性的評估結果顯示良好的相關性，可知△V1係優良的非視認性的評估方法。
[實施例2]
在於實施例1，取代評估函數△V1使用△S1，進行非視認性的評估。於△S1的計算，使用與使用於目視評估之相同光源之晝光色螢光燈光源光譜。
[△S1之計算]
△S1，係式2所示，將△R(λ)、C1(λ)與光源光譜L(λ)，以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分所求得。在於本實施例，將C1(λ)與L(λ)，以各波長交合380~780nm的波長範圍積分時的結果進行正規化為10。
將該計算而得之結果示於第7圖。△S1與以目視之非視認性的評估結果顯示良好的相關性，可知△S1係優良的非 視認性的評估方法。
[參考例1]
在於實施例2，取代晝光色螢光燈光源光譜，使用D65光源光譜作為光源光譜L(λ)，計算△S1。
將以該計算而得之結果示於第8圖。於第8圖，為作參考，與於晝光色的螢光燈下所評估的非視認性等級比對。去認即使變更光源時，亦可計算△S1。
[比較例1]
由實施例1所得之反射光譜，使用CIE(1964)10-deg color matching functions作為等色度函數，D65光源光譜作為光源光譜，計算在於JIS Z8701所記載的L*a*b*表色系之色差△E。將所得結果示於第9圖。△E與以目視之非視認性的評估結果相關性差，以△E無法以充分的精度表示非視認性。
[比較例2]
藉由實施例1所得之反射光譜，計算下記式5，計算國際公開第2010/114056號(上述專利文獻2)所記載的反射光譜之差的積算值。將所得結果示於第10圖。反射光譜之差之積算值與以目視之非視認性的評估結果相關性差，以反射光譜之差的積算值無法以充分的精度表示非視認性。
[比較例3]
由實施例1所得之反射光譜，計算日本特開2013-84376 號公報(上述專利文獻3)所記載的反射光譜的平均差的絕對值。將所得結果示於第11圖。反射光譜的平均差的絕對值與以目視之非視認性的評估結果相關性差，以反射光譜的平均差的絕對值無法以充分的精度表示非視認性。
[比較例4]
由實施例1所得之反射光譜，計算日本特開2010-76232號公報(上述專利文獻4)所記載的視感反射率之差的絕對值之積分值。將所得結果示於第12圖。視感反射率之差的絕對值之積分值與以目視之非視認性的評估結果相關性差，以視感反射率之差的絕對值之積分值無法以充分的精度表示非視認性。
將各實施例、參考例及比較例的結果示於第1表。於第1表，亦表示圖案化樣品6(具有透明電極之基板(A)6及基板(B)6)的結果。由第1表可知，相對於△V1及△S1(實施例1及2)與目視評估的順序完全對應，先前的指標(比較例1~4)與目視評估的判定順序有所出入。如此，以先前的指標無法以充分的精度將非視認性數值化。
再者，由圖案化樣品5及6的結果，可知藉由使 用△V1及△S1，可將無法以目視評估區別的非視認性的差異數值化。由該結果，可期待藉由使用△V1及△S1，即使是非視認性極佳的具有透明電極之基板，可定量評估透明電極圖案的非視認性。
[實施例3~24]
在於實施例1，取代評估函數△V1使用△V2，進行非視認性的評估。於實施例3~24，測定具有透明電極之基板(A)1~(A)4及基板(B)1~(B)4的反射光譜。
[△V2的計算]
△V2，係如式3所示，將△R(λ)與C2(λ)，以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分所求得。於第2表，表示l、m及n之值。再者，於實施例1，l=m=n=1，即C2(λ)=C1(λ)。
將該計算而得的結果示於第2表。與△V1同樣地，關於△V2亦可知與目視評估的順序對應。
[實施例25~47]
在於實施例2，取代評估函數△S1使用△S2，進行非視認性的評估。於△S2的計算，使用與使用於目視評估之相同光源之晝光色螢光燈光源光譜。於實施例25~47，測定具有透明電極之基板(A)1~(A)4及基板(B)1~(B)4的反射光譜。
[△S2的計算]
△S2，係如式4所示，將△R(λ)、C2(λ)與光源光譜L(λ)， 以各波長交合，以380~780nm的波長範圍積分所求得。在於本實施例，將C2(λ)與L(λ)，以各波長交合380~780nm的波長範圍積分時之結果正規化為10。於第3表，表示l、m及n之值。再者，於實施例2，l=m=n=1，即C2(λ)=C1(λ)。
將該計算而得結果示於第3表。與△S1同樣地，關於△S2亦可知與目視評估的順序對應。
於第2表，表示△V2(實施例3~24)與目視結果(等 級1~4)的相關係數，於第3表，表示△S2(實施例25~47)與目視結果(等級1~4)的相關係數。相關係數，係表示2個變數間的相關的統計學的指標，2個變數(第2表係△V2-等級、第3表係△S2-等級)的共分散，以各個標準偏差商除求得。相關係數越接近-1，表示△V2或△S2與目視評估越吻合的意思。
第13圖係表示△V2(實施例3~24)之等色度函數C2(λ)之各係數l、m及n之值與目視評估的關係之平面三角座標。第14圖係表示△S2(實施例25~47)之等色度函數C2(λ)之各係數l、m及n之值與目視評估之關係之平面三角座標。第13圖及第14圖，係表示以頂點l為3之0≦1≦3，以頂點m為3之0≦m≦3、頂點n為3之0≦n≦3之三角座標，該座標內的任意點，滿足l+m+n=3的關係。
第13圖及第14圖係表示△V2或△S2與目視結果(等級1~4)的相關係數，相關係數在-1以上-0.99以下者以「○」、較-0.99大-0.97以下者以「◇」、較-0.97大-0.95以下者以「△」、較-0.95大者以「□」表示。
由第13圖及第14圖，確認到△V2及△S2之任一情形，l、m及n之值接近1時(x(λ)、y(λ)及z(λ)的比例大致相同時)與目視評估的相關佳，x(λ)、y(λ)及z(λ)的比例率至少偏向一方，則與目視評估的相關有變差的傾向。
此外，確認到相較於△S2，於△V2，l之值較大時(x(λ)的比例高時)與目視評估的相關變差，m及n之值較大時(y(λ)及z(λ)的比例高時)與目視評估的相關有變佳的傾向。
1‧‧‧透明板
2‧‧‧透明介電質層
3‧‧‧透明導電膜層

Claims (12)

  1. 一種具有透明電極之基板的評估方法，其特徵在於：測定於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板(A)之分光反射率RA(λ)、及不存在上述具有透明電極之基板(A)之上述透明導電膜層之基板(B)之分光反射率RB(λ)，計算上述分光反射率RA(λ)與上述分光反射率RB(λ)之波長之差分之光譜之絕對值△R(λ)，以如下式1所示，將上述△R(λ)、及等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)之和與C1(λ)，以各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△V1之值、或以如下式2所示，將在於上述△R(λ)、及上述C1(λ)、及光源光譜L(λ)之各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△S1之值，用於作為透明電極被圖案化之具有透明電極之基板之透明電極形成部與透明電極之非形成部之反射光之視認性之差之評估指標：
  2. 一種具有透明電極之基板的評估方法，其特徵在於：測定於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板(A)之分光反射率RA(λ)、及不存在上述具有透明電極之基板(A)之上述透明導電膜層之基板(B)之 分光反射率RB(λ)，計算上述分光反射率RA(λ)與上述分光反射率RB(λ)之波長之差分之光譜之絕對值△R(λ)，以如下式3所示，使用上述△R(λ)、及等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)，以式「C2(λ)=l×x(λ)+m×y(λ)+n×z(λ)」表示之C2(λ)(其中，l=0~1.25、m=0~2、n=0.4~3、l+m+n=3)，在於各波長相乘，以可見光區域的下限波長λ1(nm)~上限波長λ2(nm)的波長範圍積分而得之△V2之值、或如下記式4所示，將上述△R(λ)、及上述C2(λ)(其中，l=0~1.6、m=0~1.6、n=0.4~3、l+m+n=3)、及光源光譜L(λ)，以各波長相乘，以λ1(nm)~λ2(nm)的波長範圍積分而得之△S2之值，用於作為透明電極被圖案化之具有透明電極之基板之透明電極形成部與透明電極之非形成部之反射光之視認性之差之評估指標：
  3. 一種具有透明電極之基板的製造方法，於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極，其特徵係在於：以申請專利範圍第1或2項之方法進行上述具有透明電極之基板的評估，判定上述△V1、△S1、△V2及△S2之任一之 值是否在於既定的範圍內。
  4. 根據申請專利範圍第3項之具有透明電極之基板的製造方法，其中將上述△V1、△S1、△V2及△S2之任一之值反饋，調整上述透明介電質層及/或透明導電膜層的製膜條件使該值在既定範圍內。
  5. 根據申請專利範圍第3或4項之具有透明電極之基板的製造方法，其中進一步具有：在上述評估後，將上述△V1、△S1、△V2及△S2之任一之值之判定結果，附加於上述具有透明電極之基板的步驟。
  6. 根據申請專利範圍第3或4項之具有透明電極之基板的製造方法，其中以於上述透明介電質層之製膜之後且在上述透明導電膜層之製膜之前的基板的分光反射率，作為分光反射率RB(λ)，以於透明導電膜層之製膜之後的具有透明電極之基板的分光反射率作為分光反射率RA(λ)，分別在線上測定。
  7. 根據申請專利範圍第3或4項之具有透明電極之基板的製造方法，其中上述判定，係根據△V1之值為240%nm以下，或上述所示之△S1之值為7.0%nm以下而進行。
  8. 一種具有透明電極之基板，其特徵在於：以申請專利範圍第3至7項中任一項之具有透明電極之基板的製造方法所製造。
  9. 一種具有透明電極之基板，包含於透明基板上依序層積透明介電質層及透明導電膜層之具有透明電極之基板(A)、及不存在上述具有透明電極之基板(A)之上述透明導電膜層之 基板(B)，其特徵在於：測定上述具有透明電極之基板(A)之分光反射率RA(λ)、及上述基板(B)之分光反射率RB(λ)，計算在於上述分光反射率RA(λ)與上述分光反射率RB(λ)之各波長之差分之光譜之絕對值△R(λ)，以如下式1所示，將上述△R(λ)、及等色度函數x(λ)、y(λ)及z(λ)之和與C1(λ)，以各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△V1之值為240%nm以下、或以如下式2所示，將在於上述△R(λ)、及上述C1(λ)、及光源光譜L(λ)之各波長相乘，以380~780nm的波長範圍積分而得之△S1之值為7.0%nm以下：
  10. 一種觸控面板，其特徵在於：包括申請專利範圍第8或9項之具有透明電極之基板。
  11. 一種觸控面板的製造方法，其特徵在於：進行申請專利範圍第1或2項之具有透明電極之基板的評估方法，或申請專利範圍第3至7項中任一項之具有透明電極之基板的製造方法。
  12. 一種觸控面板，其特徵在於：藉由申請專利範圍第11項之製造方法製造。
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