TW201524094A - 放電電路 - Google Patents

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Abstract

一種放電電路，用於電磁干擾(EMI)濾波器。此放電電路包括切換電路、控制電路、以及偵測電路。切換電路耦接EMI濾波器的X電容器。控制電路耦接切換電路，且在預設期間內導通切換電路以提供放電路徑。偵測電路耦接放電路徑，且在預設期間中偵測在放電路徑上的放電電壓信號與參考電壓信號之間是否發生一交越點，以產生提供至控制電路的偵測信號。當偵測電路偵測到放電電壓信號與參考電壓信號之間沒有發生交越點時，控制電路根據偵測信號在預設期間過去後持續地導通切換電路。

Description

放電電路
本發明系有關於一種用於電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)濾波器的放電電路，特別是有關於一種放電電路，其提供放電路徑給EMI濾波器的X電容器。
切換模式電源供應器目前廣泛地使用，以提供經調整的電源給電腦、家庭電器、通訊設備等等。近年來，在切換模式電源供應器中功率節省的問題受到注意。基於環境污染的限制規定，電腦以及其他設備製造者致力於符合功率管理以及能量節約的要求。
第1圖係表示傳統濾除電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)並提供直流(direct-current)電壓的方式。配置在電壓源VAC與橋式整流器10之間的EMI濾波器包括抗流圈L1以及X電容器C1。X電容器C1係以跨越電壓源VAC的方式配置。抗流圈L1耦接於電壓源VAC與橋式整流器10之間。X電容器C2耦接於抗流圈L1與橋式整流器10的輸入之間。由橋式整流器10的輸出端耦接至接地的大型電容器CIN係用來穩定橋式整流器10輸出端上的直流電壓VBUS。為了滿足美國及歐洲的要求，旁漏電阻器RD將使儲存在X電容器C1與C2的能量放電，以避免使用者關閉電壓源VAC時的電衝擊。事實上，只要X電容器C1與C2具有儲存的電壓時，旁漏 電阻器RD就一直具有固定的功率損失。此外，對於較高的電壓源，當電壓源操作在無負載的情況下時，旁漏電阻器RD消耗更多的待機功率。因此，傳統方法的缺點導致在高負載以及無負載時較差的功率節省。由於X電容器的存在，使得上述問題變成為了待機功率的重要考慮之處。
因此，期望提供一種用於電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)濾波器的放電電路，其不具有旁漏電阻器，如此可節省功率消耗，且能符合功率管理以及能量節約的要求。
本發明提供一種放電電路，用於電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)濾波器。此放電電路包括切換電路、控制電路、以及偵測電路。切換電路耦接EMI濾波器的X電容器。控制電路耦接切換電路，且在預設期間內導通切換電路以提供放電路徑。偵測電路耦接放電路徑，且在預設期間中偵測在放電路徑上的放電電壓信號與參考電壓信號之間是否發生一交越點，以產生提供至控制電路的偵測信號。當偵測電路偵測到放電電壓信號與參考電壓信號之間沒有發生交越點時，控制電路根據偵測信號在預設期間過去後持續地導通切換電路。
在一實施例中，放電電路更包括第一電阻器以及第二電阻器。第一電阻器耦接X電容器與切換電路的第一節點之間。第二電阻器耦接於切換電路的第二節點與參考接地之間。放電電壓信號產生於第二節點，且偵測電路耦接於第二節點。
在另一實施例中，控制電路包括第一D型正反器、第二D型正反器、以及或閘。第一D型正反器具有接收供應電壓的輸 入端、接收偵測信號的時脈端、接收切換信號的重置端、輸出端、以及產生清除信號的反向輸出端。第二D型正反器具有接收供應電壓的輸入端、接收時脈信號的時脈端、接收清除信號的重置端、產生鎖定信號的輸出端、以及反向輸出端。或閘接收時脈信號以及鎖定信號，且根據時脈信號以及鎖定信號來產生切換信號以導通或關閉切換電路。
在又一實施例中，偵測電路包括比較器，其比較放電電壓信號與參考電壓信號，以產生偵測信號。參考電壓信號在預設期間之前可能隨著放電電壓信號而改變。
在一實施例中，當偵測電路偵測到放電電壓信號與參考電壓信號之間發生交越點時，控制電路在預設期間過去後關閉切換電路。
本發明另提供一種放電電路，用於電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)濾波。放電電路包括切換電路、控制電路、以及偵測電路。切換電路耦接EMI濾波器的X電容器。控制電路控制放電路徑在預設期間中形成於EMI濾波器的X電容器至參考接地之間。偵測電路偵測在放電路徑上的放電電壓信號與參考電壓信號之間是否發生交越點，以產生提供至控制電路的偵測信號。當偵測電路偵測到放電電壓信號與參考電壓信號之間發生交越點時，控制電路根據偵測信號在預設期間過去後截斷放電路徑。當偵測電路偵測到放電電壓信號與參考電壓信號之間沒有發生交越點時，控制電路根據偵測信號在預設期間過去後導通放電路徑。
第1圖：
10‧‧‧橋式整流器
C1、C2‧‧‧X電容器
CIN‧‧‧大型電容器
L1‧‧‧抗流圈
RD‧‧‧旁漏電阻器
VAC‧‧‧電壓源
VBUS‧‧‧直流電壓
第2圖：
2‧‧‧電源供應電路
20‧‧‧電磁干擾濾波器
21‧‧‧橋式整流器
22‧‧‧放電電路
220‧‧‧整流器
221、222‧‧‧電阻器
223‧‧‧切換電路
224‧‧‧控制電路
225‧‧‧偵測電路
C1、C2‧‧‧X電容器
CIN‧‧‧大型電容器
CLK‧‧‧時脈信號
D1、D2‧‧‧二極體
L1‧‧‧抗流圈
M1‧‧‧NMOS電晶體
N20、N21‧‧‧節點
REC‧‧‧節點
SDIS‧‧‧放電電壓信號
SDET‧‧‧偵測信號
SN20‧‧‧電壓信號
SSW‧‧‧切換信號
VAC‧‧‧電壓源
VBUS‧‧‧直流電壓
第3圖：
30、31‧‧‧虛線方塊
CLK‧‧‧時脈信號
PDIS‧‧‧期間
PPLS‧‧‧預設期間
SN20‧‧‧電壓信號
SREC‧‧‧電壓信號
第4圖：
40、41‧‧‧正反器
42‧‧‧或閘
221、222‧‧‧電阻器
224‧‧‧控制電路
225‧‧‧偵測電路
CLK‧‧‧時脈信號
N20、N21‧‧‧節點
REC‧‧‧節點
SCLN‧‧‧清除信號
SDET‧‧‧偵測信號
SDIS‧‧‧放電電壓信號
SLOCK‧‧‧鎖定信號
SSW‧‧‧切換信號
VDD‧‧‧供應電壓
第5、6圖：
CLK‧‧‧時脈信號
CP50‧‧‧交越點
H50…H54‧‧‧高位準
L50…L54‧‧‧低位準
PDIS‧‧‧期間
PPLS‧‧‧預設期間
SCLN‧‧‧清除信號
SDET‧‧‧偵測信號
SDIS‧‧‧放電電壓信號
SLOCK‧‧‧鎖定信號
SREF1‧‧‧參考電壓信號
SSW‧‧‧切換信號
T50…T53‧‧‧時間點
T60…T62‧‧‧時間點
第7圖：
70‧‧‧比較器
221、222‧‧‧電阻器
225‧‧‧偵測電路
M1‧‧‧NMOS電晶體
N20、N21‧‧‧節點
REC‧‧‧節點
SDET‧‧‧偵測信號
SDIS‧‧‧放電電壓信號
SREF1‧‧‧參考電壓信號
SSW‧‧‧切換信號
第8圖：
221、222‧‧‧電阻器
225‧‧‧偵測電路
80‧‧‧緩衝器
81‧‧‧重置電路
82‧‧‧比較器
800、801‧‧‧運算放大器
802、803‧‧‧NMOS電晶體
804、805‧‧‧電阻器
806‧‧‧電容器
807‧‧‧電流源
810‧‧‧反向器
811‧‧‧MOS電晶體
M1‧‧‧NMOS電晶體
N20、N21‧‧‧節點
REC‧‧‧節點
SDET‧‧‧偵測信號
SDIS‧‧‧放電電壓信號
SREF2‧‧‧參考電壓信號
SSW‧‧‧切換信號
VDD‧‧‧供應電壓
第9、10圖：
CLK‧‧‧時脈信號
CP50‧‧‧交越點
H50…H54‧‧‧高位準
L50…L54‧‧‧低位準
PDIS‧‧‧期間
PPLS‧‧‧預設期間
SCLN‧‧‧清除信號
SDET‧‧‧偵測信號
SDIS‧‧‧放電電壓信號
SLOCK‧‧‧鎖定信號
SREF2‧‧‧參考電壓信號
SSW‧‧‧切換信號
T50…T53‧‧‧時間點
T60…T62‧‧‧時間點
第1圖表示傳統濾除電磁干擾(EMI)並提供直流電壓的方式。
第2圖表示根據本發明一實施例的電源供應電路。
第3圖表示根據本發明一實施例，第2圖中電源供應電路的主要信號。
第4圖表示根據本發明一實施例，第2圖中電源供應電路的控制電路。
第5圖表示根據本發明一實施例，在於預設期間中提供放電路徑而在預設期間過去後截斷放電路徑的情況下，主要信號的波形圖。
第6圖表示根據本發明一實施例，在於預設期間中並在預設期間過去後提供放電路徑的情況下，主要信號的波形圖。
第7圖表示根據本發明一實施例，第2圖中電源供應電路的偵測電路。
第8圖表示根據本發明另一實施例，第2圖中電源供應電路的偵測電路。
第9圖表示根據本發明另一實施例，在於預設期間中提供放電路徑而在預設期間過去後截斷放電路徑的情況下，主要信號的波形圖。
第10圖表示根據本發明另一實施例，在於預設期間中並在預設期間過去後提供放電路徑的情況下，主要信號的波形圖。
為使本發明之上述目的、特性和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
第2圖係表示根據本發明一實施例的電源供應電路。如第2圖所示，電源供應電路2包括電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)濾波器20、橋式整流器21、大型電容器CIN、以及放電電路22。EMI濾波器20包括抗流圈L1以及X電容器C1與C2。X電容器C1係以跨越電壓源VAC的方式配置。抗流圈L1耦接於電壓源VAC與橋式整流器21之間。X電容器C2耦接於抗流圈L1與橋式整流器21的輸入之間。由橋式整流器21的輸出端耦接至參考接地的大型電容器CIN係用來穩定橋式整流器10輸出端上的直流電壓VBUS，其作為電源供應電路2的輸出電壓。在此實施例中，不具有跨越EMI濾波器20的X電器C1或C2的旁漏電阻器。
參閱第2圖，放電電路22耦接EMI濾波器20的X電容器C1。放電電路22包括整流器220、電阻器221與222、切換電路223、控制電路224、以及偵測電路225。在此實施例中，切換電路223係以N型金氧半(N-type metal oxide semiconductor，NMOS)電晶體M1來實施，其具有閘極、汲極、以及源極。整流器220係以全波整流器來實施，以對電壓源VAC進行整流。整流器220包括二極體D1以及D2。二極體D1以及D2的陽極耦接電壓源VAC。二極體D1以及D2的陰極耦接電阻器221的一端於節點REC。電阻器221的另一端耦接NMOS電晶體M1的汲極於節點N20(節點N20可視為電阻器221的一節點)。NMOS電晶體M1的源極耦接電阻器22的一端於節點N21(節點N21可視為電阻器221的另一節點)。電阻器222的另一端耦接參考接地。NMOS電晶體M1的閘極接收控制電路224所產生的切 換信號SSW。偵測電路225耦接節點N21，用以產生偵測信號SDET，其中，放電電壓信號SDIS產生於節點N21。控制電路224則接收偵測信號SDET以及時脈信號CLK，以產生切換信號SSW。
第3圖係表示根據本發明實施例，電源供應電路2的主要信號。時脈信號CLK為一周期性信號，且時脈信號CLK的脈波寬度維持所在的期間PPLS定義為一預設期間。SREC表示透過整流器220對電壓源VAC進行整流所獲得的電壓信號。SN20表示產生於電阻器221與NMOS電晶體M1之間的節點N20上的電壓信號。在此實施例中，預設期間PPLS長於電壓信號SREC一半波形的期間，換句話說，預設期間PPLS長於電壓源VAC一半周期的期間。當正提供電壓源VAC時，在每一預設期間中，控制電路224根據偵測信號SDET以及時脈信號CLK來產生切換信號SSW，以導通NMOS電晶體M1。在此時，提供了由X電容器C1開始經由電阻器221、導通的NMOS電晶體M1、以及電阻器222最後到參考接地的放電路徑。在電壓源VAC正被提供的情況下，一旦由於導通的NMOS電晶體M1而提供放電路徑(即在預設期間PPLS中)，電壓信號SN20的大小反應於電阻器222的電阻值而減小，然而，電壓信號SN20會隨著電壓信號SREC的波形而改變。此外，由NMOS電晶體M1在預設期間PPLS導通，使得電壓信號SN20傳送至節點N21，以作為在放電路徑上的放電電壓信號SDIS。在預設期間PPLS，偵測電路225偵測在放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF1之間是否發生一交越點，以產生偵測信號SDET。當電壓源VAC正被提供時，偵測電路225偵測到在放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF1之間發生了交越點，且控制電路224根據偵測信號SDET來產生切換信號SSW，以在預設期間PPLS之後關閉NMOS電 晶體M1，即是，在接續預設期間PPLS之後的期間PDIS中，控制電路224根據偵測信號SDET來截斷放電路徑。當電壓源VAC被停止提供時(例如當電源供應電路2的電源插頭被拔出插座時)，偵測電路225偵測到在預設期間PPLS中放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF1之間沒有發生交越點，且控制電路224根據偵測信號SDET來產生切換信號SSW，以在預設期間PPLS過了之後持續地導通NMOS電晶體M1。也就是，在接續於預設期間PPLS的期間PDIS中，控制電路224根據偵測信號SDET來導通放電路徑。
第4圖係表示根據本發明實施例的控制電路224。如第4圖所示，控制電路224包括D型正反器40與41以及或閘42。D型正反器40具有接收供應電壓VDD的輸入端D、接收來自偵測電路225的偵測信號SDET的時脈端CK、接收切換信號SSW的重置端RN、輸出端Q、以及產生清除信號SCLN的反向輸出端QB，其中，清除信號SCLN與產生於輸出端Q上的信號彼此反向。D型正反器41接收供應電壓VDD的輸入端D、接收時脈信號CLK的時脈端CK、接收清除信號SCLN的其重置端RN、產生鎖定信號SLOCK的輸出端Q、以及反向輸出端QB。或閘42接收時脈信號CLK以及鎖定信號SLOCK，且根據時脈信號CLK以及鎖定信號SLOCK來產生切換信號SSW。切換信號SSW係用來導通或關閉NMOS電晶體M1。在此實施例中，D型正反器40與41係由各自時脈端CK上的信號的上升緣來觸發，且由在各自重置端RN上具有低位準的信號所重置。
在第3圖中，虛線方塊30係說明放電路徑在預設期間PPLS中被提供，而在預設期間PPLS之後被截斷的實施例。虛線方塊30例子中主要信號的波形將顯示於第5圖中，在時間點T50之前， 偵測信號SDET初始地處於高位準H54，清除信號SCLN初始處於高對準H51，且鎖定信號SLOCK初始位於低位準L52。在時間點T50(即預設期間PPLS的開始)，時脈信號CLK由低位準L50切換為高為準H50。切換信號SSW透過或閘42反應於時脈信號CK的切換，由低位準L53切換為高位準HL53。在由時間點T50至時間點T51的期間中，放電電壓信號SDIS大於參考電壓信號SREF1，且偵測電路225將產生具有高位準H54的偵測信號SDET。由於D型正反器40沒有被觸發，使得清除信號SCLN維持在位準H50。此外，在時間點T50，鎖定信號SLOCK反應於時脈信號CLK的上升緣而由低位準L52切換為高位準H52。因此，在由時間點T50至時間點T51的期間，切換信號SSW根據具有高位準H50的時脈信號CLK以及具有高位準H52的鎖定信號SLOCK之間的OR邏輯而維持在高位準H53。
接著，在由時間點T51至時間點T52的期間中，放電電壓信號SDIS小於參考電壓信號SREF1，且偵測電路225產生具有低位準L54的偵測信號SDET。D型正反器40成沒有被觸發，且清除信號SCLN維持在高位準H51直到時間點T52為止。此外，D型正反器41也沒有被觸發，且鎖定信號SLOCK維持在高位準H51，直到時間點T52為止。因此，開關信號SSW根據具有高位準H50的時脈信號CLK以及具有高位準H52的鎖定信號SLOCK之間的OR邏輯而仍舊維持在高位準H53。
在由時間點T52至時間點T53的期間中，放電電壓信號SDIS再次大於參考電壓信號SREF1，且偵測電路225產生高位準H54的偵測信號SDET。因此，在上升的方向上於放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF1之間發生了交越點CP50，且因此偵測電號SDET在時 間點T52上具有上升緣。偵測信號SDET的上升緣觸發D型正反器40以在時間點T52產生具有低位準L51的清除信號SCLN，且清除信號SCLN維持在低位準L51直到時間點T53為止。D型正反器41接著被低位準L51的清除信號SCLN所重置，以產生低位準L52的鎖定信號SLOCK。因此，在由時間點T52至時間點T53的期間中，開關信號SSW根據具有高位準H50的時脈信號CLK以及具有低位準L52的鎖定信號SLOCK之間的OR邏輯而仍舊維持在高位準H53。
在時間點T53，時脈信號CLK由高位準H50切換至低位準L50。因此，鎖定信號SLOCK仍維持在低位準L52。切換信號SSW根據具有低位準L50的時脈信號CLK以及具有低位準L52的鎖定信號SLOCK之間的OR邏輯而由高位準H53切換至低位準L53。D型正反器40被低位準L53的切換信號SSW所重置，以產生高位準H51的清除信號SCLN。
根據上述操作時序，在預設期間PPLS中，高位準的切換信號SSW導通NMOS電晶體M1，且提供了放電路徑給X電容器C1。當電壓源VAC正被持續地提供時(可藉由偵測到在預設期間PPLS中發生交越點CP50來得知)時，在預設期間PPLS過去後(即在時間點T53之後)，切換信號SSW關閉NMOS電晶體M1，且放電路徑被截斷。
在第3圖中，虛線方塊31係說明在預設期間PPLS中以及在預設期間PPLS過去後提供放電路徑。虛線方塊31例子中主要信號的波形將顯示於第6圖中，在時間點T60之前，偵測信號SDET初始地處於高位準H54，清除信號SCLN初始處於高對準H51，且鎖定信號SLOCK初始位於低位準L52。在時間點T60之前(即在預設期間 PPLS開始時)，時脈信號CLK由低位準L50切換為高位準H50。根據時脈信號CLK的切換並透過或閘42的操作，切換信號SSW由低位準L53切換為高位準H53。在由時間點T60至時間點T61的期間，放電電壓信號SDIS大於參考電壓信號SREF1，且偵測電路225仍產生高位準H54的偵測信號SDET。由於D型正反器40沒有被觸發，清除信號SCLN維持在高位準H51。此外，在時間點T60，鎖定信號SLOCK隨著時脈信號CLK的上升緣而由低位準L52切換至高為準H52。因此，切換信號SSW根據具有高位準H50的時脈信號CLK以及具有高位準H52的鎖定信號SLOCK之間的OR邏輯而維持在高位準H53。
接著，在時間點T61，電壓源VAC被停止提供，即是，電源供應電路2的插頭自插座拔除。在此時，放電信號SDIS維持在近乎直流的位準，且該近乎直流的位準高於參考電壓信號SREF1的位準。因此，放電電壓信號SDIS搭於參考電壓信號SREF1，且偵測電路225產生高位準H54的偵測信號SDET。清除信號SCLN仍維持在高位準H51，且鎖定信號SLOCK維持在高位準H52。因此，在由時間點T61至時間點T62的期間，切換信號SSW根據具有高位準H50的時脈信號CLK以及具有高位準H52的鎖定信號SLOCK之間的OR邏輯而維持在高位準H53。
在時間點T62，時脈信號CLK由高位準H50切換至低位準L50。由於在預設期間PPLS中放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF1之間沒有發生交越點，偵測信號SDET沒有任何的上升緣。D型正反器40因此仍產生高位準H51的清除信號SCLN。D型正反器D41沒有被清除信號SCLN重置。因此，鎖定信號SLOCK仍未持在高位準H52。切換信號SSW仍根據具有高位準H50的時脈信號CLK以及具有 高位準H52的鎖定信號SLOCK之間的OR邏輯而維持在高位準H53。
根據上述操作時序，在預設期間中PPLS，高位準H53的切換信號SSW導通NMOS電晶體M1，且提供放電路徑給X電容器C1。當電壓源VAC被停止提供時(即電源供應電路1的插頭自插座拔除時)，在預設期間PPLS之後(即在時間點T53之後)，切換信號仍維持在高位準H53，以導通NMOS電晶體M1，且持續地提供放電路徑。
在第5與6圖的實施例中，參考電壓信號SREF1預設為具有近似直流位準。第7圖係表示根據本發明一實施例的偵測電路225。為了能明確說明，第7圖也表示電阻器221與222以及NMOS電晶體M1。如第7圖所示，偵測電路225包括比較器70。比較器70的正輸入端耦接節點N21，以接收放電電壓信號SDIS。比較器70的負輸入端接收具有近似直流位準的參考電壓信號SREF1。藉由比較放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF1，偵測信號SDET產生於比較器70的輸出端。透過比較器70的比較結果，可偵測到在放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF1之間是否發生交越點。
在另一實施例中，參考電壓信號是由發生在預設期間PPLS之前的放電電壓信號SDIS的大小所決定，尤其是發生在當前預設期間PPLS之前的期間PDIS(顯示於第3圖)中的放電電壓信號SDIS的大小所決定。第8圖係表示根據本發明另一實施例的偵測電路225。為了能明確說明，第8圖也表示電阻器221與222以及NMOS電晶體M1。如第8圖所示，偵測電路225包括緩衝器80、重置電路81、以及比較器82。緩衝器80包括運算放大器800與801、NMOS電晶體802與803、電阻器804與805、電容器806、以及電流源807。 透過緩衝器80的操作，由發生在前一期間PDIS的放電電壓信號SDIS大小所決定的電壓儲存在電容器806。儲存在電容器806的電壓則做為在當前預設期間PPLS的參考電壓信號SREF2。由於電容器806與電流源807，參考電壓信號SREF2的位準逐漸地上升且接著維持在近似直流位準。因此，在此時失利中，參考電壓信號SREF2隨著發生在先前期間PDIS的放電電壓信號SDIS的改變。重置電路81耦接電容器806，且包括反向器810以及NMOS電晶體811。反向器810接收切換信號SSW，且對切換信號SSW進行反向以控制NMOS電晶體811。透過反向器810以及NMOS電晶體811的操作，在預設期間PPLS之後(即在當前即間PDIS)，參考電壓信號SREF2的位準藉由對電容器806放電而被重置為參考接地的位準。接著，參考電壓信號SREF2的為準將重新決定給下一個預設期間PPLS。比較器82的正輸入端耦接節點N21以接收放電電壓信號SREF2，且其負輸入端則接收具有近似直流位準的參考電壓信號SREF2。藉由比較放電電壓信號SDIS與參考電壓信號VREF2，在比較器82的輸出端上產生偵測信號SDET。透過比較器82的比較操作，可測到在放電電壓信號SDIS與參考電壓信號SREF2之間是否發生交越點。第8圖中偵測電電路225所使用的參考電壓信號SREF2顯示於第9與10圖中，分別對應第5與6圖的例子。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2‧‧‧電源供應電路
20‧‧‧電磁干擾濾波器
21‧‧‧橋式整流器
22‧‧‧放電電路
220‧‧‧整流器
221、222‧‧‧電阻器
223‧‧‧切換電路
224‧‧‧控制電路
225‧‧‧偵測電路
C1、C2‧‧‧X電容器
CIN‧‧‧大型電容器
CLK‧‧‧時脈信號
D1、D2‧‧‧二極體
L1‧‧‧抗流圈
M1‧‧‧NMOS電晶體
N20、N21‧‧‧節點
REC‧‧‧節點
SDIS‧‧‧放電電壓信號
SDET‧‧‧偵測信號
SN20‧‧‧電壓信號
SSW‧‧‧切換信號
VAC‧‧‧電壓源
VBUS‧‧‧直流電壓

Claims (11)

  1. 一種放電電路，用於電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)濾波器，包括：一切換電路，耦接該EMI濾波器的一X電容器；一控制電路，耦接該切換電路，在一預設期間內導通該切換電路以提供一放電路徑；一偵測電路，耦接該放電路徑，在該預設期間中偵測在該放電路徑上的一放電電壓信號與一參考電壓信號之間是否發生一交越點，以產生提供至該控制電路的一偵測信號；其中，當該偵測電路偵測到該放電電壓信號與該參考電壓信號之間沒有發生該交越點時，該控制電路根據該偵測信號在該預設期間過去後持續地導通該切換電路。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之放電電路，更包括：一第一電阻器，耦接該X電容器與該切換電路的一第一節點之間；以及一第二電阻器，耦接於該切換電路的一第二節點與一參考接地之間；其中，該放電電壓信號產生於該第二節點，且該偵測電路耦接於該第二節點。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之放電電路，其中，該控制電路包括： 一第一D型正反器，具有接收一供應電壓的輸入端、接收該偵測信號的時脈端、接收一切換信號的重置端、一輸出端、以及產生一清除信號的反向輸出端；一第二D型正反器，具有接收該供應電壓的輸入端、接收一時脈信號的時脈端、接收該清除信號的重置端、產生一鎖定信號的輸出端、以及反向輸出端；以及一或閘，接收該時脈信號以及該鎖定信號，且根據該時脈信號以及該鎖定信號來產生該切換信號以導通或關閉該切換電路。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之放電電路，其中，該偵測電路包括：一比較器，比較該放電電壓信號與該參考電壓信號，以產生該偵測信號。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之放電電路，其中，該參考電壓信號在該預設期間之前隨著該放電電壓信號而改變。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之放電電路，其中，當該偵測電路偵測到該放電電壓信號與該參考電壓信號之間發生該交越點時，該控制電路在該預設期間過去後關閉該切換電路。
  7. 一種放電電路，用於電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)濾波器，包括：一切換電路，耦接該EMI濾波器的一X電容器； 一控制電路，控制一放電路徑在一預設期間中形成於該EMI濾波器的一X電容器至一參考接地之間；一偵測電路，偵測在該放電路徑上的一放電電壓信號與一參考電壓信號之間是否發生一交越點，以產生提供至該控制電路的一偵測信號；其中，當該偵測電路偵測到該放電電壓信號與該參考電壓信號之間發生該交越點時，該控制電路根據該偵測信號在該預設期間過去後截斷該放電路徑；以及其中，當該偵測電路偵測到該放電電壓信號與該參考電壓信號之間沒有發生該交越點時，該控制電路根據該偵測信號在該預設期間過去後導通該放電路徑。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之放電電路，更包括：一第一電阻器，耦接該X電容器與一第一節點之間；以及一第二電阻器，耦接於該第一節點與該參考接地之間；其中，該放電電壓信號產生於該第一節點。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之放電電路，其中，該控制電路包括：一第一D型正反器，具有接收一供應電壓的輸入端、接收該偵測信號的時脈端、接收一切換信號的重置端、一輸出端、以及產生一清除信號的反向輸出端； 一第二D型正反器，具有接收該供應電壓的輸入端、接收一時脈信號的時脈端、接收該清除信號的重置端、產生一鎖定信號的輸出端、以及反向輸出端；以及一或閘，接收該時脈信號以及該鎖定信號，且根據該時脈信號以及該鎖定信號來產生該切換信號以導通或截斷該放電路徑。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之放電電路，其中，該偵測電路包括：一比較器，比較該放電電壓信號與該參考電壓信號，以產生該偵測信號。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之放電電路，其中，該參考電壓信號在該預設期間之前隨著該放電電壓信號而改變。
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