CN104852558B - 放电电路 - Google Patents

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Abstract

一种放电电路，用于电磁干扰(EMI)滤波器。此放电电路包括切换电路、控制电路、以及检测电路。切换电路耦接EMI滤波器的X电容器。控制电路耦接切换电路，且在预设期间内导通切换电路以提供放电路径。检测电路耦接放电路径，且在预设期间中检测在放电路径上的放电电压信号与参考电压信号之间是否发生一交越点，以产生提供至控制电路的检测信号。当检测电路检测到放电电压信号与参考电压信号之间没有发生交越点时，控制电路根据检测信号在预设期间过去后持续地导通切换电路。

Description

放电电路
技术领域
本发明涉及一种用于电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)滤波器的放电电路，特别涉及一种放电电路，其提供放电路径给EMI滤波器的X电容器。
背景技术
切换模式电源供应器目前广泛地使用，以提供经调整的电源给计算机、家庭电器、通讯设备等等。近年来，在切换模式电源供应器中功率节省的问题受到注意。基于环境污染的限制规定，计算机以及其他设备制造者致力于符合功率管理以及能量节约的要求。
图1表示传统滤除电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)并提供直流(direct-current)电压的方式。配置在电压源VAC与桥式整流器10之间的EMI滤波器包括抗流圈L1以及X电容器C1。X电容器C1以跨越电压源VAC的方式配置。抗流圈L1耦接于电压源VAC与桥式整流器10之间。X电容器C2耦接于抗流圈L1与桥式整流器10的输入之间。由桥式整流器10的输出端耦接至接地的大型电容器CIN用来稳定桥式整流器10输出端上的直流电压VBUS。为了满足美国及欧洲的要求，旁漏电阻器RD将使存储在X电容器C1与C2的能量放电，以避免使用者关闭电压源VAC时的电冲击。事实上，只要X电容器C1与C2具有存储的电压时，旁漏电阻器RD就一直具有固定的功率损失。此外，对于较高的电压源，当电压源操作在无负载的情况下时，旁漏电阻器RD消耗更多的待机功率。因此，传统方法的缺点导致在高负载以及无负载时较差的功率节省。由于X电容器的存在，使得上述问题变成为了待机功率的重要考虑之处。
发明内容
因此，期望提供一种用于电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)滤波器的放电电路，其不具有旁漏电阻器，如此可节省功率消耗，且能符合功率管理以及能量节约的要求。
本发明提供一种放电电路，用于电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)滤波器。此放电电路包括切换电路、控制电路、以及检测电路。切换电路耦接EMI滤波器的X电容器。控制电路耦接切换电路，且在预设期间内导通切换电路以提供放电路径。检测电路耦接放电路径，且在预设期间中检测在放电路径上的放电电压信号与参考电压信号之间是否发生一交越点，以产生提供至控制电路的检测信号。当检测电路检测到放电电压信号与参考电压信号之间没有发生交越点时，控制电路根据检测信号在预设期间过去后持续地导通切换电路。
在一实施例中，放电电路还包括第一电阻器以及第二电阻器。第一电阻器耦接X电容器与切换电路的第一节点之间。第二电阻器耦接于切换电路的第二节点与参考接地之间。放电电压信号产生于第二节点，且检测电路耦接于第二节点。
在另一实施例中，控制电路包括第一D型触发器、第二D型触发器、以及或门。第一D型触发器具有接收供应电压的输入端、接收检测信号的时钟端、接收切换信号的重置端、输出端、以及产生清除信号的反相输出端。第二D型触发器具有接收供应电压的输入端、接收时钟信号的时钟端、接收清除信号的重置端、产生锁定信号的输出端、以及反相反相输出端。或门接收时钟信号以及锁定信号，且根据时钟信号以及锁定信号来产生切换信号以导通或关闭切换电路。
在又一实施例中，检测电路包括比较器，其比较放电电压信号与参考电压信号，以产生检测信号。参考电压信号在预设期间之前可能随着放电电压信号而改变。
在一实施例中，当检测电路检测到放电电压信号与参考电压信号之间发生交越点时，控制电路在预设期间过去后关闭切换电路。
本发明还提供一种放电电路，用于电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)滤波。放电电路包括切换电路、控制电路、以及检测电路。切换电路耦接EMI滤波器的X电容器。控制电路控制放电路径在预设期间中形成于EMI滤波器的X电容器至参考接地之间。检测电路检测在放电路径上的放电电压信号与参考电压信号之间是否发生交越点，以产生提供至控制电路的检测信号。当检测电路检测到放电电压信号与参考电压信号之间发生交越点时，控制电路根据检测信号在预设期间过去后截断放电路径。当检测电路检测到放电电压信号与参考电压信号之间没有发生交越点时，控制电路根据检测信号在预设期间过去后导通放电路径。
附图说明
图1表示传统滤除电磁干扰(EMI)并提供直流电压的方式。
图2表示根据本发明一实施例的电源供应电路。
图3表示根据本发明一实施例，图2中电源供应电路的主要信号。
图4表示根据本发明一实施例，图2中电源供应电路的控制电路。
图5表示根据本发明一实施例，在于预设期间中提供放电路径而在预设期间过去后截断放电路径的情况下，主要信号的波形图。
图6表示根据本发明一实施例，在于预设期间中并在预设期间过去后提供放电路径的情况下，主要信号的波形图。
图7表示根据本发明一实施例，图2中电源供应电路的检测电路。
图8表示根据本发明另一实施例，图2中电源供应电路的检测电路。
图9表示根据本发明另一实施例，在于预设期间中提供放电路径而在预设期间过去后截断放电路径的情况下，主要信号的波形图。
图10表示根据本发明另一实施例，在于预设期间中并在预设期间过去后提供放电路径的情况下，主要信号的波形图。
【符号说明】
图1：
10～桥式整流器； C1、C2～X电容器；
CIN～大型电容器； L1～抗流圈；
RD～旁漏电阻器； VAC～电压源；
VBUS～直流电压；
图2：
2～电源供应电路； 20～电磁干扰滤波器；
21～桥式整流器； 22～放电电路；
220～整流器； 221、222～电阻器；
223～切换电路； 224～控制电路；
225～检测电路； C1、C2～X电容器；
CIN～大型电容器； CLK～时钟信号；
D1、D2～二极管； L1～抗流圈；
M1～NMOS晶体管； N20、N21～节点；
REC～节点； SDIS～放电电压信号；
SDET～检测信号； SN20～电压信号；
SSW～切换信号； VAC～电压源；
VBUS～直流电压；
图3：
30、31～虚线方块； CLK～时钟信号；
PDIS～期间； PPLS～预设期间；
SN20～电压信号； SREC～电压信号；
图4：
40、41～触发器； 42～或门；
221、222～电阻器； 224～控制电路；
225～检测电路； CLK～时钟信号；
N20、N21～节点； REC～节点；
SCLN～清除信号； SDET～检测信号；
SDIS～放电电压信号； SLOCK～锁定信号；
SSW～切换信号； VDD～供应电压；
图5、6：
CLK～时钟信号； CP50～交越点；
H50…H54～高电平； L50…L54～低电平；
PDIS～期间； PPLS～预设期间；
SCLN～清除信号； SDET～检测信号；
SDIS～放电电压信号； SLOCK～锁定信号；
SREF1～参考电压信号； SSW～切换信号；
T50…T53～时间点； T60…T62～时间点；
图7：
70～比较器； 221、222～电阻器；
225～检测电路； M1～NMOS晶体管；
N20、N21～节点； REC～节点；
SDET～检测信号； SDIS～放电电压信号；
SREF1～参考电压信号； SSW～切换信号；
图8：
221、222～电阻器； 225～检测电路；
80～缓冲器； 81～重置电路
82～比较器； 800、801～运算放大器
802、803～NMOS晶体管； 804、805～电阻器；
806～电容器； 807～电流源
810～反相器； 811～MOS晶体管；
M1～NMOS晶体管； N20、N21～节点；
REC～节点； SDET～检测信号；
SDIS～放电电压信号； SREF2～参考电压信号；
SSW～切换信号； VDD～供应电压；
第9、10图：
CLK～时钟信号； CP50～交越点；
H50…H54～高电平； L50…L54～低电平；
PDIS～期间； PPLS～预设期间；
SCLN～清除信号； SDET～检测信号；
SDIS～放电电压信号； SLOCK～锁定信号；
SREF2～参考电压信号； SSW～切换信号；
T50…T53～时间点； T60…T62～时间点。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特性和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图2表示根据本发明一实施例的电源供应电路。如图2所示，电源供应电路2包括电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)滤波器20、桥式整流器21、大型电容器CIN、以及放电电路22。EMI滤波器20包括抗流圈L1以及X电容器C1与C2。X电容器C1以跨越电压源VAC的方式配置。抗流圈L1耦接于电压源VAC与桥式整流器21之间。X电容器C2耦接于抗流圈L1与桥式整流器21的输入之间。由桥式整流器21的输出端耦接至参考接地的大型电容器CIN用来稳定桥式整流器10输出端上的直流电压VBUS，其作为电源供应电路2的输出电压。在此实施例中，不具有跨越EMI滤波器20的X电器C1或C2的旁漏电阻器。
参阅图2，放电电路22耦接EMI滤波器20的X电容器C1。放电电路22包括整流器220、电阻器221与222、切换电路223、控制电路224、以及检测电路225。在此实施例中，切换电路223以N型金属氧化物半导体(N-type metal oxide semiconductor，NMOS)晶体管M1来实施，其具有栅极、漏极、以及源极。整流器220以全波整流器来实施，以对电压源VAC进行整流。整流器220包括二极管D1以及D2。二极管D1以及D2的阳极耦接电压源VAC。二极管D1以及D2的阴极耦接电阻器221的一端于节点REC。电阻器221的另一端耦接NMOS晶体管M1的漏极于节点N20(节点N20可视为电阻器221的一节点)。NMOS晶体管M1的源极耦接电阻器22的一端于节点N21(节点N21可视为电阻器221的另一节点)。电阻器222的另一端耦接参考接地。NMOS晶体管M1的栅极接收控制电路224所产生的切换信号SSW。检测电路225耦接节点N21，用以产生检测信号SDET，其中，放电电压信号SDIS产生于节点N21。控制电路224则接收检测信号SDET以及时钟信号CLK，以产生切换信号SSW。
图3表示根据本发明实施例，电源供应电路2的主要信号。时钟信号CLK为一周期性信号，且时钟信号CLK的脉冲宽度维持所在的期间PPLS定义为一预设期间。SREC表示通过整流器220对电压源VAC进行整流所获得的电压信号。SN20表示产生于电阻器221与NMOS晶体管M1之间的节点N20上的电压信号。在此实施例中，预设期间PPLS长于电压信号SREC一半波形的期间，换句话说，预设期间PPLS长于电压源VAC一半周期的期间。当正提供电压源VAC时，在每一预设期间中，控制电路224根据检测信号SDET以及时钟信号CLK来产生切换信号SSW，以导通NMOS晶体管M1。在此时，提供了由X电容器C1开始经由电阻器221、导通的NMOS晶体管M1、以及电阻器222最后到参考接地的放电路径。在电压源VAC正被提供的情况下，一旦由于导通的NMOS晶体管M1而提供放电路径(即在预设期间PPLS中)，电压信号SN20的大小反应于电阻器222的电阻值而减小，然而，电压信号SN20会随着电压信号SREC的波形而改变。此外，由NMOS晶体管M1在预设期间PPLS导通，使得电压信号SN20传送至节点N21，以作为在放电路径上的放电电压信号SDIS。在预设期间PPLS，检测电路225检测在放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF1之间是否发生一交越点，以产生检测信号SDET。当电压源VAC正被提供时，检测电路225检测到在放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF1之间发生了交越点，且控制电路224根据检测信号SDET来产生切换信号SSW，以在预设期间PPLS之后关闭NMOS晶体管M1，即是，在接续预设期间PPLS之后的期间PDIS中，控制电路224根据检测信号SDET来截断放电路径。当电压源VAC被停止提供时(例如当电源供应电路2的电源插头被拔出插座时)，检测电路225检测到在预设期间PPLS中放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF1之间没有发生交越点，且控制电路224根据检测信号SDET来产生切换信号SSW，以在预设期间PPLS过了之后持续地导通NMOS晶体管M1。也就是，在接续于预设期间PPLS的期间PDIS中，控制电路224根据检测信号SDET来导通放电路径。
图4表示根据本发明实施例的控制电路224。如图4所示，控制电路224包括D型触发器40与41以及或门42。D型触发器40具有接收供应电压VDD的输入端D、接收来自检测电路225的检测信号SDET的时钟端CK、接收切换信号SSW的重置端RN、输出端Q、以及产生清除信号SCLN的反相输出端QB，其中，清除信号SCLN与产生于输出端Q上的信号彼此反相。D型触发器41接收供应电压VDD的输入端D、接收时钟信号CLK的时钟端CK、接收清除信号SCLN的其重置端RN、产生锁定信号SLOCK的输出端Q、以及反相输出端QB。或门42接收时钟信号CLK以及锁定信号SLOCK，且根据时钟信号CLK以及锁定信号SLOCK来产生切换信号SSW。切换信号SSW用来导通或关闭NMOS晶体管M1。在此实施例中，D型触发器40与41由各自时钟端CK上的信号的上升沿来触发，且由在各自重置端RN上具有低电平的信号所重置。
在图3中，虚线方块30说明放电路径在预设期间PPLS中被提供，而在预设期间PPLS之后被截断的实施例。虚线方块30例子中主要信号的波形将显示于图5中，在时间点T50之前，检测信号SDET初始地处于高电平H54，清除信号SCLN初始处于高对准H51，且锁定信号SLOCK初始位于低电平L52。在时间点T50(即预设期间PPLS的开始)，时钟信号CLK由低电平L50切换为高为准H50。切换信号SSW通过或门42反应于时钟信号CK的切换，由低电平L53切换为高电平HL53。在由时间点T50至时间点T51的期间中，放电电压信号SDIS大于参考电压信号SREF1，且检测电路225将产生具有高电平H54的检测信号SDET。由于D型触发器40没有被触发，使得清除信号SCLN维持在电平H51。此外，在时间点T50，锁定信号SLOCK反应于时钟信号CLK的上升沿而由低电平L52切换为高电平H52。因此，在由时间点T50至时间点T51的期间，切换信号SSW根据具有高电平H50的时钟信号CLK以及具有高电平H52的锁定信号SLOCK之间的OR逻辑而维持在高电平H53。
接着，在由时间点T51至时间点T52的期间中，放电电压信号SDIS小于参考电压信号SREF1，且检测电路225产生具有低电平L54的检测信号SDET。D型触发器40成没有被触发，且清除信号SCLN维持在高电平H51直到时间点T52为止。此外，D型触发器41也没有被触发，且锁定信号SLOCK维持在高电平H52，直到时间点T52为止。因此，开关信号SSW根据具有高电平H50的时钟信号CLK以及具有高电平H52的锁定信号SLOCK之间的OR逻辑而仍旧维持在高电平H53。
在由时间点T52至时间点T53的期间中，放电电压信号SDIS再次大于参考电压信号SREF1，且检测电路225产生高电平H54的检测信号SDET。因此，在上升的方向上在放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF1之间发生了交越点CP50，且因此检测信号SDET在时间点T52上具有上升沿。检测信号SDET的上升沿触发D型触发器40以在时间点T52产生具有低电平L51的清除信号SCLN，且清除信号SCLN维持在低电平L51直到时间点T53为止。D型触发器41接着被低电平L51的清除信号SCLN所重置，以产生低电平L52的锁定信号SLOCK。因此，在由时间点T52至时间点T53的期间中，开关信号SSW根据具有高电平H50的时钟信号CLK以及具有低电平L52的锁定信号SLOCK之间的OR逻辑而仍旧维持在高电平H53。
在时间点T53，时钟信号CLK由高电平H50切换至低电平L50。因此，锁定信号SLOCK仍维持在低电平L52。切换信号SSW根据具有低电平L50的时钟信号CLK以及具有低电平L52的锁定信号SLOCK之间的OR逻辑而由高电平H53切换至低电平L53。D型触发器40被低电平L53的切换信号SSW所重置，以产生高电平H51的清除信号SCLN。
根据上述操作时序，在预设期间PPLS中，高电平的切换信号SSW导通NMOS晶体管M1，且提供了放电路径给X电容器C1。当电压源VAC正被持续地提供时(可藉由检测到在预设期间PPLS中发生交越点CP50来得知)时，在预设期间PPLS过去后(即在时间点T53之后)，切换信号SSW关闭NMOS晶体管M1，且放电路径被截断。
在图3中，虚线方块31说明在预设期间PPLS中以及在预设期间PPLS过去后提供放电路径。虚线方块31例子中主要信号的波形将显示于图6中，在时间点T60之前，检测信号SDET初始地处于高电平H54，清除信号SCLN初始处于高对准H51，且锁定信号SLOCK初始位于低电平L52。在时间点T60之前(即在预设期间PPLS开始时)，时钟信号CLK由低电平L50切换为高电平H50。根据时钟信号CLK的切换并通过或门42的操作，切换信号SSW由低电平L53切换为高电平H53。在由时间点T60至时间点T61的期间，放电电压信号SDIS大于参考电压信号SREF1，且检测电路225仍产生高电平H54的检测信号SDET。由于D型触发器40没有被触发，清除信号SCLN维持在高电平H51。此外，在时间点T60，锁定信号SLOCK随着时钟信号CLK的上升沿而由低电平L52切换至高为准H52。因此，切换信号SSW根据具有高电平H50的时钟信号CLK以及具有高电平H52的锁定信号SLOCK之间的OR逻辑而维持在高电平H53。
接着，在时间点T61，电压源VAC被停止提供，即是，电源供应电路2的插头自插座拔除。在此时，放电信号SDIS维持在近乎直流的电平，且该近乎直流的电平高于参考电压信号SREF1的电平。因此，放电电压信号SDIS大于参考电压信号SREF1，且检测电路225产生高电平H54的检测信号SDET。清除信号SCLN仍维持在高电平H51，且锁定信号SLOCK维持在高电平H52。因此，在由时间点T61至时间点T62的期间，切换信号SSW根据具有高电平H50的时钟信号CLK以及具有高电平H52的锁定信号SLOCK之间的OR逻辑而维持在高电平H53。
在时间点T62，时钟信号CLK由高电平H50切换至低电平L50。由于在预设期间PPLS中放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF1之间没有发生交越点，检测信号SDET没有任何的上升沿。D型触发器40因此仍产生高电平H51的清除信号SCLN。D型触发器D41没有被清除信号SCLN重置。因此，锁定信号SLOCK仍未持在高电平H52。切换信号SSW仍根据具有高电平H50的时钟信号CLK以及具有高电平H52的锁定信号SLOCK之间的OR逻辑而维持在高电平H53。
根据上述操作时序，在预设期间中PPLS，高电平H53的切换信号SSW导通NMOS晶体管M1，且提供放电路径给X电容器C1。当电压源VAC被停止提供时(即电源供应电路1的插头自插座拔除时)，在预设期间PPLS之后(即在时间点T53之后)，切换信号仍维持在高电平H53，以导通NMOS晶体管M1，且持续地提供放电路径。
在图5与图6的实施例中，参考电压信号SREF1预设为具有近似直流电平。图7表示根据本发明一实施例的检测电路225。为了能明确说明，图7也表示电阻器221与222以及NMOS晶体管M1。如图7所示，检测电路225包括比较器70。比较器70的正输入端耦接节点N21，以接收放电电压信号SDIS。比较器70的负输入端接收具有近似直流电平的参考电压信号SREF1。藉由比较放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF1，检测信号SDET产生于比较器70的输出端。通过比较器70的比较结果，可检测到在放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF1之间是否发生交越点。
在另一实施例中，参考电压信号是由发生在预设期间PPLS之前的放电电压信号SDIS的大小所决定，尤其是发生在当前预设期间PPLS之前的期间PDIS(显示于图3)中的放电电压信号SDIS的大小所决定。图8表示根据本发明另一实施例的检测电路225。为了能明确说明，图8也表示电阻器221与222以及NMOS晶体管M1。如图8所示，检测电路225包括缓冲器80、重置电路81、以及比较器82。缓冲器80包括运算放大器800与801、NMOS晶体管802与803、电阻器804与805、电容器806、以及电流源807。通过缓冲器80的操作，由发生在前一期间PDIS的放电电压信号SDIS大小所决定的电压存储在电容器806。存储在电容器806的电压则做为在当前预设期间PPLS的参考电压信号SREF2。由于电容器806与电流源807，参考电压信号SREF2的电平逐渐地上升且接着维持在近似直流电平。因此，在此实施例中，参考电压信号SREF2随着发生在先前期间PDIS的放电电压信号SDIS的改变。重置电路81耦接电容器806，且包括反相器810以及NMOS晶体管811。反相器810接收切换信号SSW，且对切换信号SSW进行反相以控制NMOS晶体管811。通过反相器810以及NMOS晶体管811的操作，在预设期间PPLS之后(即在当前即间PDIS)，参考电压信号SREF2的电平藉由对电容器806放电而被重置为参考接地的电平。接着，参考电压信号SREF2的为准将重新决定给下一个预设期间PPLS。比较器82的正输入端耦接节点N21以接收放电电压信号SREF2，且其负输入端则接收具有近似直流电平的参考电压信号SREF2。藉由比较放电电压信号SDIS与参考电压信号VREF2，在比较器82的输出端上产生检测信号SDET。通过比较器82的比较操作，可测到在放电电压信号SDIS与参考电压信号SREF2之间是否发生交越点。图8中检测电电路225所使用的参考电压信号SREF2显示于第9与10图中，分别对应图5与图6的例子。
本发明虽以优选实施例公开如上，然其并非用以限定本发明的范围，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附权利要求书界定范围为准。

Claims (11)

1.一种放电电路，用于电磁干扰EMI滤波器，包括：
切换电路，耦接该EMI滤波器的X电容器；
控制电路，耦接该切换电路，在预设期间内导通该切换电路以提供放电路径；
检测电路，耦接该放电路径，在该预设期间中检测在该放电路径上的放电电压信号与参考电压信号之间是否发生交越点，以产生提供至该控制电路的检测信号；
其中，当该检测电路检测到该放电电压信号与该参考电压信号之间没有发生该交越点时，该控制电路根据该检测信号在该预设期间过去后持续地导通该切换电路。
2.如权利要求1所述的放电电路，还包括：
第一电阻器，耦接该X电容器与该切换电路的第一节点之间；以及
第二电阻器，耦接于该切换电路的第二节点与参考接地之间；
其中，该放电电压信号产生于该第二节点，且该检测电路耦接于该第二节点。
3.如权利要求1所述的放电电路，其中，该控制电路包括：
第一D型触发器，具有接收供应电压的输入端、接收该检测信号的时钟端、接收切换信号的重置端、输出端、以及产生清除信号的反相输出端；
第二D型触发器，具有接收该供应电压的输入端、接收时钟信号的时钟端、接收该清除信号的重置端、产生锁定信号的输出端、以及反相输出端；以及
或门，接收该时钟信号以及该锁定信号，且根据该时钟信号以及该锁定信号来产生该切换信号以导通或关闭该切换电路。
4.如权利要求1所述的放电电路，其中，该检测电路包括：
比较器，比较该放电电压信号与该参考电压信号，以产生该检测信号。
5.如权利要求4所述的放电电路，其中，该参考电压信号在该预设期间之前随着该放电电压信号而改变。
6.如权利要求1所述的放电电路，其中，当该检测电路检测到该放电电压信号与该参考电压信号之间发生该交越点时，该控制电路在该预设期间过去后关闭该切换电路。
7.一种放电电路，用于电磁干扰EMI滤波器，包括：
切换电路，耦接该EMI滤波器的X电容器；
控制电路，控制放电路径在预设期间中形成于该EMI滤波器的X电容器至参考接地之间；
检测电路，检测在该放电路径上的放电电压信号与参考电压信号之间是否发生交越点，以产生提供至该控制电路的检测信号；
其中，当该检测电路检测到该放电电压信号与该参考电压信号之间发生该交越点时，该控制电路根据该检测信号在该预设期间过去后截断该放电路径；以及
其中，当该检测电路检测到该放电电压信号与该参考电压信号之间没有发生该交越点时，该控制电路根据该检测信号在该预设期间过去后导通该放电路径。
8.如权利要求7所述的放电电路，还包括：
第一电阻器，耦接该X电容器与第一节点之间；以及
第二电阻器，耦接于该第一节点与该参考接地之间；
其中，该放电电压信号产生于该第一节点。
9.如权利要求7所述的放电电路，其中，该控制电路包括：
第一D型触发器，具有接收供应电压的输入端、接收该检测信号的时钟端、接收切换信号的重置端、输出端、以及产生清除信号的反相输出端；
第二D型触发器，具有接收该供应电压的输入端、接收时钟信号的时钟端、接收该清除信号的重置端、产生锁定信号的输出端、以及反相输出端；以及
或门，接收该时钟信号以及该锁定信号，且根据该时钟信号以及该锁定信号来产生该切换信号以导通或截断该放电路径。
10.如权利要求7所述的放电电路，其中，该检测电路包括：
比较器，比较该放电电压信号与该参考电压信号，以产生该检测信号。
11.如权利要求10所述的放电电路，其中，该参考电压信号在该预设期间之前随着该放电电压信号而改变。
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