TW201521086A - 電漿處理裝置 - Google Patents

電漿處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201521086A
TW201521086A TW103101759A TW103101759A TW201521086A TW 201521086 A TW201521086 A TW 201521086A TW 103101759 A TW103101759 A TW 103101759A TW 103101759 A TW103101759 A TW 103101759A TW 201521086 A TW201521086 A TW 201521086A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wall
passage
processing
plasma processing
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW103101759A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI547976B (zh
Inventor
Fuhua Ling
Yijun Liu
feng-li Wu
Wei Jiang
Yan Ge
Xu-Dong Zheng
Original Assignee
Piotech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Piotech Co Ltd filed Critical Piotech Co Ltd
Publication of TW201521086A publication Critical patent/TW201521086A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI547976B publication Critical patent/TWI547976B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32908—Utilities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明公開了一種電漿處理裝置，其包括：第一處理腔，具有第一壁及由第一壁包圍形成的第一處理空間；第二處理腔，具有第二壁及由第二壁包圍形成的第二處理空間；設置於第一處理腔與第二處理腔之間的連接件，第一、第二處理腔可拆卸地連接；氣體供應系統以及排氣系統，包括連通於所述第一處理空間的第一排氣通道及連通於所述第二處理空間的第二排氣通道，所述第一排氣通道與所述第二排氣通道相連通。本發明藉由將多個處理腔以可拆卸方式進行連接，在實現兩腔環境匹配的同時，降低設備的製造及維修成本。

Description

電漿處理裝置
本發明涉及半導體製造領域技術，尤其涉及一種電漿處理裝置。
電漿增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是半導體製造領域的重要工序之一。其借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離以產生電漿，藉由電漿與基板表面的反應，從而在基板上沉積出所期望的薄膜。以採取射頻方式產生電漿的電漿處理裝置為例，其包括處理腔體、抽真空系統、反應氣體供應系統、電極，以及連接於電極的射頻電源。其工作原理是利用低溫電漿作為能量源，待處理基板置於低壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電(或另加發熱體)使基板升溫到預定溫度，然後通入適量的反應氣體，氣體經過一系列化學反應和電漿反應，在基板表面形成固態薄膜。
電漿處理裝置分為單片處理方式和批量處理方式。其中，單片處理方式的電漿處理裝置包括若干獨立設置的單一處理腔，其在產品處理的均一性、熱效應以及單批加工速度方面具有優勢，但是其低產能及昂貴的生產成本顯然是難以克服的致命缺陷；批量處理方式的電漿處理裝置中，多個處理腔同時工作，其可有效提升製造產能，然而，其對於多個處理腔所處理的產品的均一性要求非常嚴格，影響均一性的因數包括處理腔之間的位置關係，兩腔壓力、溫度及其他設備因數，如加熱設備、氣體源、進排氣設備、電漿發生裝置等設備之間的位置或外形關係。
現有技術中，批量處理方式的電漿處理裝置包括 形成於同一處理單元內的多個處理腔，所述處理腔之間設置有公共的壁體以實現相互之間的隔離，並藉由在兩處理腔之間的壁體內開設通道以連通兩個處理腔，從而實現兩處理腔之間壓力的匹配，進而確保兩處理腔內產品的均一性。然而，現有的批量處理系統中，若形成於同一處理單元內的某一處理腔出現故障，往往需要更換整個處理單元，以保證電漿處理裝置的運作，這勢必增加設備的維修成本。
鑒於此，有必要對現有的電漿處理裝置予以改進以解決上述問題。
本發明的目的在於提供一種電漿處理裝置，具有多個相互匹配的處理腔，且多個處理腔之間藉由可拆卸方式實現連接，在實現多腔體批量生產的同時，還可實現某一處理腔的單獨更換，從而降低製造及維修成本。
為實現上述目的，本發明的實施例提供的一種電漿處理裝置，該裝置包括若干處理單元，所述處理單元包括：第一處理腔，具有第一壁及由所述第一壁包圍形成的第一處理空間；第二處理腔，具有第二壁及由所述第二壁包圍形成的第二處理空間；設置於所述第一處理腔與所述第二處理腔之間的連接件，所述連接件將所述第一、第二處理腔可拆卸地連接；氣體供應系統，包括連通於所述第一處理空間的第一氣體分配單元及連通於所述第二處理空間的第二氣體分配單元；以及排氣系統，包括連通於所述第一處理空間的第一排氣通道及連通於所述第二處理空間的第二排氣通道，所述第一排氣通道與所述第二排氣通道相連通。
作為本發明的進一步改進，所述處理單元還包括連通於所述第一處理空間與所述第二處理空間之間的環境匹配通道。
作為本發明的進一步改進，所述環境匹配通道包 括連通於所述第一處理空間的第一匹配通道及連通於所述第二處理空間的第二匹配通道，所述第一、第二匹配通道共同連通於氮氣回填管道，所述氮氣回填管道上具有開關閥。
作為本發明的進一步改進，所述第一匹配通道包括形成於所述第一壁內且連通於第一處理空間的第一壁內通道，及連接於所述第一壁內通道與所述氮氣回填管道之間的第一壁外通道；所述第二匹配通道包括形成於所述第二壁內且連通於第二處理空間的第二壁內通道，及連接於所述第二壁內通道與所述氮氣回填管道之間的第二壁外通道。
作為本發明的進一步改進，所述第一處理腔、第二處理腔分別具有第一側壁及第二側壁，所述連接件包括一個或多個安裝於所述第一側壁及所述第二側壁之間的緊固件。
作為本發明的進一步改進，所述連接件還包括安裝於所述第一側壁及所述第二側壁之間的加強件。
作為本發明的進一步改進，所述第一側壁、第二側壁上分別形成有第一安置孔及第二安置孔，所述加強件包括插置於所述第一、第二安置孔內的定位銷。
作為本發明的進一步改進，所述加強件還包括位於所述第一、第二安置孔外的間隔件，所述間隔件處於所述第一側壁與所述第二側壁之間。
作為本發明的進一步改進，所述第一安置孔內安置有套接於所述定位銷上的第一鋼套，所述第二安置孔內安置有套接於所述定位銷上的第二鋼套。
作為本發明的進一步改進，所述第一排氣通道包括形成於所述第一壁內且連通於第一處理空間的第三壁內通道，及連接於第三壁內通道與抽氣泵之間的第三壁外通道；所述第二排氣通道包括形成於所述第二壁內且連通於第二處理空間的第四壁內通道，及連接於第四壁內通道與抽氣泵之間的第四壁外通道。
作為本發明的進一步改進，所述第三壁外通道與所述第四壁外通道共同連通於一排氣腔，所述排氣腔與所述抽氣泵之間連接有一主抽管路及一旁抽管路，所述主抽管路上設有主控制閥，所述旁抽管路上設有旁抽角閥。
作為本發明的進一步改進，所述排氣腔一側還設置有一檢漏單元。
作為本發明的進一步改進，所述第一氣體分配單元與所述第二氣體分配單元共同連通於同一個氣體源。
與現有技術相比，本發明的有益效果是：藉由可拆卸方式將各個處理單元中的多個處理腔進行連接，在某一處理腔出現故障時，只需單獨更換出現故障的處理腔，從而降低了設備的維護成本。
進一步地，藉由在各個處理腔之間設置一環境匹配通道以實現多處理腔的相互連通，從而實現各處理腔內環境的匹配，進而確保多處理腔內產品的均一性。
1‧‧‧第一處理腔
2‧‧‧第二處理腔
3‧‧‧連接件
10‧‧‧第一壁
11‧‧‧第一側壁
12‧‧‧上電極
13‧‧‧第一處理空間
14‧‧‧下電極
15‧‧‧第一氣體分配單元
16‧‧‧電漿
17‧‧‧壁內通道
18‧‧‧壁內通道
20‧‧‧第二壁
21‧‧‧第一側壁
22‧‧‧上電極
23‧‧‧第二處理空間
24‧‧‧下電極
25‧‧‧第二氣體分配單元
26‧‧‧電漿
27‧‧‧壁內通道
28‧‧‧壁內通道
30‧‧‧腔
31‧‧‧緊固件
32‧‧‧加強件
50‧‧‧壁外通道
51‧‧‧第一壁外通道
52‧‧‧第二壁外通道
54‧‧‧氮氣回填管道
56‧‧‧閥門
58‧‧‧真空檢測裝置
60‧‧‧抽氣泵
61‧‧‧壁外通道
62‧‧‧壁外通道
63‧‧‧排氣腔
64‧‧‧旁抽管路
65‧‧‧主抽管路
68‧‧‧密封機構
100‧‧‧電漿處理單元
101‧‧‧電漿處理單元
102‧‧‧轉移單元
200‧‧‧電漿處理單元
300‧‧‧電漿處理單元
320‧‧‧安置孔
321‧‧‧間隔件
323a‧‧‧鋼套
323b‧‧‧鋼套
325‧‧‧定位銷
400‧‧‧電漿處理單元
500‧‧‧電漿處理單元
640‧‧‧旁抽角閥
650‧‧‧主控制閥
W‧‧‧矽晶圓
第一圖為本發明電漿處理裝置的結構示意圖；第二圖為本發明第一實施例的電漿處理裝置中處理單元的結構示意圖；第三圖為本發明實施例中安裝於兩處理腔之間的連接件的結構示意圖；第四A圖、第四B圖為本發明具體實施例中兩處理腔間加強件的組裝示意圖；第五圖為本發明第二實施例的電漿處理裝置中處理單元的結構示意圖；第六圖為本發明第三實施例的電漿處理裝置中處理單元 的結構示意圖；第七圖為本發明第四實施例的電漿處理裝置中處理單元的結構示意圖；第八圖為本發明第五實施例的電漿處理裝置中處理單元的結構示意圖。
以下將結合圖式所示的具體實施例對本發明進行詳細描述。本文以射頻電離方式形成電漿為例對本發明的技術方案進行描述。
參照第一圖所示，電漿處理裝置包括若干批量處理方式的電漿處理單元101，處理單元101之間設置一個用於轉移待處理的矽晶圓的轉移單元102，處理單元101包括多個電漿處理腔。
第二圖為本發明的電漿處理單元的第一實施例的結構示意圖。本實施例中，電漿處理單元100包括第一處理腔1及第二處理腔2，第一處理腔1包括第一壁10及由第一壁10包圍形成的第一處理空間13，第二處理腔2包括第二壁20及由第二壁20包圍形成的第二處理空間23。其中，第一處理腔1、第二處理腔2之間藉由連接件3以可拆卸方式實現互連，關於連接件的具體結構將在下文予以詳細描述。
本實施例中，第一處理空間13內安置上電極(氣體噴嘴)12、下電極14，第二處理空間23內安置上電極(氣體噴嘴)22、下電極24，上、下電極之間分別連接有射頻電源以在兩電極之間一定區域形成電漿16、26。具體地，上電極加高頻(HF)用來離子化反應氣體，下電極加低頻(LF)提供偏置電壓控制膜應力。當然，在其他實施例中，射頻電源的連接方式可根據不同的技術配置進行變換。
繼續參照第二圖所示，電漿處理單元100還包括 氣體供應系統及排氣系統。其中，氣體供應系統包括連通於第一處理空間13的第一氣體分配單元15及連通於第二處理空間23的第二氣體分配單元25，為了確保兩處理單元的均一性，第一氣體分配單元15與第二氣體分配單元25共同連接於同一個氣體源(未圖示)。
排氣系統用於對兩個處理腔進行抽氣以達到一定的低壓或真空條件，包括連通於第一處理空間13的第一排氣通道及連通於第二處理空間23的第二排氣通道，所述第一排氣通道與所述第二排氣通道相連通，並共同連接於同一個排氣泵60。本實施例中，第一排氣通道包括形成於所述第一壁10內且連通於第一處理空間13的壁內通道17，及連接於壁內通道17與抽氣泵60之間的壁外通道61；相應地，第二排氣通道包括形成於第二壁20內且連通於第二處理空間23的壁內通道27，及連接於壁內通道27與抽氣泵60之間的壁外通道62。其中，壁內通道17上與第一處理空間13相連的一端位於第一壁10的側部，而其與壁外通道61相連的一端則位於第一壁10的底部；同樣地，壁內通道27上與第二處理空間23相連的一端位於第二壁20的側部，其與所述壁外通道62相連的一端則位於第二壁20的底部。由於兩個排氣通道互相連通，從而實現了兩個處理腔內的環境匹配，並且，另一方面，如此設計的排氣通道由於其延伸長度較長，可避免兩處理腔內帶電粒子的相互干擾。
配合參照第三圖、第四A圖及第四B圖所示，其為本發明實現兩處理腔可拆卸連接的一具體實施例。其中，兩個處理腔分別包括用於實現兩腔固定安裝的第一側壁11及第二側壁21，本實施例中，連接件包括起固定作用的緊固件31以及起抗彎抗剪作用的加強件32，其中，緊固件31可包括一個或者多個，其可為相互配合的螺栓及螺帽、公母端插銷等，在所述側壁11、21上設有用於安置螺帽的腔30，從而便於進行兩處理腔之間的安裝或拆卸。由於單獨採用螺 栓式緊固件將兩處理腔進行連接，難以確保兩處理腔保持穩定的位置關係，一旦螺栓彎曲，便會影響兩處理腔內產品的均一性。故本實施例中，藉由加設兩根加強件32來穩固兩處理腔的位置。
如第四A圖及第四B圖所示，本實施例中，在所述側壁11、21上分別形成有用於安置所述加強件32的安置孔320，所述加強件包括定位銷325、間隔件321以及鋼套323a、323b，其中，鋼套323a、323b的長度與安置孔320的深度大致相等，鋼套323a、323b的外環直徑與安置孔320的直徑大致相等，鋼套323a、323b的內環直徑與定位銷325的直徑大致相等。進行安裝時，首先，將兩個鋼套323a、323b安置於兩個安置孔320內，再將間隔件321套到定位銷325上，分別將定位銷325的兩端插置於兩個鋼套323a、323b的內部，最後栓緊各個螺栓31，組裝完成。本實施例中，間隔件321處於兩側壁11、21之間以確保兩處理腔之間留有一定間隙，當然，在其他實施例中，兩處理腔之間也可不留有間隙，而是兩壁相互貼合，此外，間隔件也可一定成型於所述定位銷的中間部位，間隔件的數目不受限制。
第五圖為本發明的電漿處理單元的第二實施例的結構示意圖。相比於第一實施例，本實施例的電漿處理單元200還增設了連通於第一、第二處理空間的環境匹配通道，環境匹配通道由形成於第一壁10內且連通於第一處理空間的壁內通道18、壁外通道50、以及形成於第二壁20內且連通於第二處理空間的壁內通道28共同構成。由於此環境匹配通道的存在，確保多處理腔內的壓力、溫度、氣體濃度等條件的均衡，從而提升了兩處理腔內產品的均一性。
第六圖為本發明的電漿處理單元的第三實施例的結構示意圖。由於在矽晶圓進行化學氣相沉積的過程中，各處理腔內為低壓環境，故由於腔外大氣壓的存在，無法開啟處理腔體，故需要藉由向各處理腔中排放一定量個氮氣來 減小腔內外壓力的差距。本實施例，電漿處理單元300包括一連通於所述第一處理空間的第一匹配通道及一連通於所述第二處理空間的第二匹配通道，所述第一、第二匹配通道共同連通於一氮氣回填管道54，所述氮氣回填管道54上設置一控制開啟和關閉的閥門56。其中，在正常處理的過程中，閥門56處於關閉狀態，待處理完成，需要開啟處理腔的門時，閥門56被開啟以通入氮氣。
其中，所述第一匹配通道包括形成於所述第一壁10內且連通於第一處理空間的第一壁內通道18，及連接於所述第一壁內通道18與所述氮氣回填管道54之間的第一壁外通道51；所述第二匹配通道包括形成於所述第二壁20內且連通於第二處理空間的第二壁內通道28，及連接於所述第二壁內通道28與所述氮氣回填管道54之間的第二壁外通道52。所述第一壁內通道18上與所述第一處理空間相連的一端位於所述第一壁10的側部，與所述第一壁外通道51相連的一端位於所述第一壁10的底部；所述第二壁內通道28上與所述第二處理空間相連的一端位於所述第二壁20的側部，與所述第二壁外通道52相連的一端位於所述第二壁20的底部。由於氮氣回填管路的存在，其不僅能確保矽晶圓處理完成後處理腔門的安全打開，還可進一步確保兩處理腔內環境的匹配。此外，氮氣通道的直徑較排氣通道更小，可避免兩腔內反應粒子的干擾。值得一提的是，在本發明其他實施例中，兩個處理腔可分別單獨設置用於回填氮氣的管路。
第七圖為本發明的電漿處理單元的第四實施例的結構示意圖。本實施例與上述實施例的區別之處在於電漿處理單元400的排氣系統。其中，第一、第二排氣通道的壁內通道17與其對應的壁外通道對接部採用密封機構68來確保密封性，同樣地，上述氮氣回填管路中的壁內、外通道也藉由相應的密封機構實現密封連接。排氣系統的兩壁外通道61、62共同連通於一排氣腔63，所述排氣腔63與所述抽氣泵 60之間連接有一主抽管路65及一旁抽管路64，所述主抽管路65上設有主控制閥650，所述旁抽管路64上設有旁抽角閥640，所述排氣腔63一側還設置有一檢漏單元67，其中，旁抽管路64的管路直徑遠小於所述主抽管路65的管路直徑。在排氣系統進行抽氣時，為避免大流量的氣體流對排氣系統的使用壽命的影響，首先打開旁抽管路64進行抽氣，一段時間後再開啟主抽管路65進行抽氣，避免氣體流量過大對排氣系統造成損耗。
第八圖為本發明的電漿處理單元的第五實施例的結構示意圖。本實施例中，該電漿處理單元500還包括一用於檢測第一、第二反應腔內的壓力值的真空檢測裝置58，真空檢測裝置58設置於匹配通道51、52的交匯處，從而其所檢測到壓力值接近於第一、第二反應腔體內的壓力真實值，確保控壓準確，進而有利於兩腔的壓力平衡。
綜上所述，本發明的電漿處理裝置藉由設置具有多個相互獨立、且壓力匹配的處理腔，確保多處理腔內產品的均一性；由於多個處理腔之間藉由可拆卸方式實現連接，從而在某一處理腔出現故障時，只需單獨更換出現故障的處理腔，進而降低了設備製造及維修成本。此外，藉由共同的氮氣回填管路保證兩腔可開啟的同時，還可進一步確保兩處理腔的壓力、氣體濃度、溫度等條件的均衡。本發明的處理單元、處理腔的數目不受限制，且處理腔之間的連接或安裝方式也不限於上述具體實施例。
應當理解，雖然本說明書按照實施例加以描述，但並非每個實施例僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本發明技術領域具有通常知識者可以理解的其他實施例。
上文所列出的一系列的詳細說明僅僅是針對本 發明的可行性實施例的具體說明，它們並非用以限制本發明的保護範圍，凡未脫離本發明技藝精神所作的等效實施例或變更均應包含在本發明的保護範圍之內。
1‧‧‧第一處理腔
2‧‧‧第二處理腔
3‧‧‧連接件
10‧‧‧第一壁
12‧‧‧上電極
13‧‧‧第一處理空間
14‧‧‧下電極
15‧‧‧第一氣體分配單元
16‧‧‧電漿
17‧‧‧壁內通道
20‧‧‧第二壁
22‧‧‧上電極
23‧‧‧第二處理空間
24‧‧‧下電極
25‧‧‧第二氣體分配單元
26‧‧‧電漿
27‧‧‧壁內通道
60‧‧‧抽氣泵
61‧‧‧壁外通道
62‧‧‧壁外通道
100‧‧‧電漿處理單元
W‧‧‧矽晶圓

Claims (13)

  1. 一種電漿處理裝置，包括若干處理單元，其特徵在於，所述處理單元包括：第一處理腔，具有第一壁及由所述第一壁包圍形成的第一處理空間；第二處理腔，具有第二壁及由所述第二壁包圍形成的第二處理空間；設置於所述第一處理腔與所述第二處理腔之間的連接件，所述連接件將所述第一、第二處理腔可拆卸地連接；氣體供應系統，包括連通於所述第一處理空間的一第一氣體分配單元及連通於所述第二處理空間的一第二氣體分配單元；以及排氣系統，包括連通於所述第一處理空間的第一排氣通道及連通於所述第二處理空間的第二排氣通道，所述第一排氣通道與所述第二排氣通道相連通。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述處理單元還包括連通於所述第一處理空間與所述第二處理空間之間的一環境匹配通道。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述環境匹配通道包括連通於所述第一處理空間的第一匹配通道及連通於所述第二處理空間的第二匹配通道，所述第一、第二匹配通道共同連通於氮氣回填管道，所述氮氣回填管道上具有開關閥。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述第一匹配通道包括形成於所述第一壁內且連通於所述第一處理空間的第一壁內通道，及連接於所述第一壁內通道與所述氮氣回填管道之間的第一壁外通道；所述第二匹配通道包括形成於所述第二壁內且連通於所述第二處理空間的第二壁內通道，及連接於所述第二壁內通道與所述氮氣回填管道之間的第二壁外通道。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述第一處理腔、第二處理腔分別具有第一側壁及第二側壁，所述連接件包括一個或多個安裝於所述第一側壁及所述第二側壁之間的緊固件。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述連接件還包括安裝於所述第一側壁及所述第二側壁之間的加強件。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述第一側壁、第二側壁上分別形成有第一安置孔及第二安置孔，所述加強件包括插置於所述第一、第二安置孔內的定位銷。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述加強件還包括位於所述第一、第二安置孔外的間隔件，所述間隔件處於所述第一側壁與所述第二側壁之間。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述第一安置孔內安置有套接於所述定位銷上的第一 鋼套，所述第二安置孔內安置有套接於所述定位銷上的第二鋼套。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述第一排氣通道包括形成於所述第一壁內且連通於所述第一處理空間的第三壁內通道，及連接於所述第三壁內通道與抽氣泵之間的第三壁外通道；所述第二排氣通道包括形成於所述第二壁內且連通於所述第二處理空間的第四壁內通道，及連接於所述第四壁內通道與所述抽氣泵之間的第四壁外通道。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述第三壁外通道與所述第四壁外通道共同連通於一排氣腔，所述排氣腔與所述抽氣泵之間連接有一主抽管路及一旁抽管路，所述主抽管路上設有一主控制閥，所述旁抽管路上設有一旁抽角閥。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述排氣腔一側還設置有一檢漏單元。
  13. 根據申請專利範圍第1項所述的電漿處理裝置，其特徵在於，所述第一氣體分配單元與所述第二氣體分配單元共同連通於同一個氣體源。
TW103101759A 2013-11-22 2014-01-17 Plasma processing device TWI547976B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310602849.1A CN103632998B (zh) 2013-11-22 2013-11-22 等离子体处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201521086A true TW201521086A (zh) 2015-06-01
TWI547976B TWI547976B (zh) 2016-09-01

Family

ID=50213885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103101759A TWI547976B (zh) 2013-11-22 2014-01-17 Plasma processing device

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103632998B (zh)
TW (1) TWI547976B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI628694B (zh) * 2017-05-19 2018-07-01 台灣積體電路製造股份有限公司 排氣裝置、半導體製造系統與半導體製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105261545B (zh) * 2014-07-18 2017-08-22 中微半导体设备(上海)有限公司 多处理区域等离子体处理装置及等离子体工艺监测方法
US10770272B2 (en) * 2016-04-11 2020-09-08 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing
CN106987826B (zh) * 2017-05-22 2019-03-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种双腔式等离子体沉积镀膜方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6962644B2 (en) * 2002-03-18 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Tandem etch chamber plasma processing system
KR100845903B1 (ko) * 2006-12-11 2008-07-16 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
CN201311339Y (zh) * 2008-09-26 2009-09-16 江苏熔盛重工有限公司 一种真空检漏器
KR101160618B1 (ko) * 2009-09-23 2012-06-28 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 기판처리챔버
US8551413B2 (en) * 2011-01-30 2013-10-08 MCD Technologies S.A R. L. System and method for producing carbon nanotubes
JP5848982B2 (ja) * 2012-02-17 2016-01-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマのモニタリング方法
CN203284452U (zh) * 2013-05-17 2013-11-13 沈阳拓荆科技有限公司 一种带有传片腔的单反应腔薄膜沉积设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI628694B (zh) * 2017-05-19 2018-07-01 台灣積體電路製造股份有限公司 排氣裝置、半導體製造系統與半導體製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103632998B (zh) 2016-05-04
TWI547976B (zh) 2016-09-01
CN103632998A (zh) 2014-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI547976B (zh) Plasma processing device
KR102626480B1 (ko) 재차 들어간 플로우 경로를 통한 밸브 매니폴드 데드레그 제거
US8444926B2 (en) Processing chamber with heated chamber liner
TWI550123B (zh) 在直線型大面積的電漿反應器均勻處理的氣體輸送和分配系統及其處理腔室
TWI693296B (zh) 原子層成長裝置
US11584993B2 (en) Thermally uniform deposition station
US11732358B2 (en) High temperature chemical vapor deposition lid
CN101226875A (zh) 基底处理装置和方法
KR101535103B1 (ko) 기판처리장치
KR100583812B1 (ko) 반도체 및 ｌｃｄ 생산공정에서 사용되는 핫 질소공급장치
KR102643212B1 (ko) 공정 챔버 및 반도체 공정 디바이스
WO2023231754A1 (zh) 半导体工艺设备
US10648080B2 (en) Full-area counter-flow heat exchange substrate support
KR102156879B1 (ko) 원격플라즈마 챔버 전력분기시스템 및 이를 이용한 전력분기방법
KR20070111899A (ko) 진공처리장치
US20210310123A1 (en) Flush fixture for showerhead
US20230215709A1 (en) Remote plasma unit and substrate processing apparatus including remote plasma
KR20040104040A (ko) 화학기상증착 장치의 배기시스템
KR20240025780A (ko) 기판 처리 장치의 가스 매니폴드
KR20110000608U (ko) 기판 처리 장치
KR101936078B1 (ko) 화학 기상 증착 장치
KR20080006980A (ko) 챔버와 배기라인의 온도구배를 개선한 기판처리장치
KR20130121265A (ko) 배치식 장치
KR20160086477A (ko) 기판 처리 장치