TW201515095A - 匹配兩電漿反應器之預測方法 - Google Patents

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Abstract

就RF源施加器相對工件的一連串硬體傾角，預測蝕刻速度分佈不均勻度，及就至少二電漿反應器的每一電漿反應器，將行為模型化成不均勻度函數。偵測在二電漿反應器的不均勻度函數間的傾角α的偏移量△α。接著在二者之一中使硬體傾斜的傾角等於偏移量△α，以匹配二反應器。

Description

匹配兩電漿反應器之預測方法 【交互參照之相關申請案】
本申請案主張Gaurav Saraf等人於西元2013年10月28日申請、名稱為「匹配兩電漿反應器之預測方(A PREDICTIVE METHOD OF MATCHING TWO PLASMA REACTORS)」的美國專利申請案第14/064,914號的優先權，申請案第14/064,914號主張Gaurav Saraf等人於西元2013年10月4日申請、名稱為「匹配兩電漿反應器之預測方(A PREDICTIVE METHOD OF MATCHING TWO PLASMA REACTORS)」的美國臨時專利申請案第61/886,831號的權益。
本發明係關於電漿蝕刻處理工件，例如半導體晶圓，其中電漿離子密度分佈受到控制。
通常，相同或類似設計的電漿反應器或腔室會產生類似的處理結果，儘管在電漿反應器中的處理結果可能有異。處理結果受遍及待處理工件或晶圓電漿離子密度分佈影 響。在進行電漿蝕刻製程的情況下，電漿離子密度分佈反映出晶片表面的深度或蝕刻速度分佈。在進行電漿沉積製程的情況下，電漿離子密度分佈反映出晶圓表面的厚度或沉積速度分佈。在大型製造設施中，一組相同設計的二或更多電漿反應器可用於進行蝕刻處理許多工件。在此情況下，該組電漿反應器的蝕刻速度分佈差異可能會引發問題。此差異歸因於機械公差或該組電漿反應器中的組件的其他因子。
匹配二電漿反應器的方法包含就二電漿反應器的每一電漿反應器：(a)觀察在工件平面與射頻(RF)功率施加器間繞著傾軸的傾角初始值下的電漿歪斜幅度和電漿歪斜方向，及定義第一向量，第一向量代表電漿歪斜方向和幅度，及(b)就一連串傾角，依據不均勻度值隨傾角的預測變化率，計算一連串不均勻度值，及就一連串傾角的每一傾角，定義第二向量，第二向量具有對應傾軸的方向和對應一連串不均勻度值之一的幅度。方法進一步包含就一連串傾角，由第一與第二向量的累次和產生不均勻度函數。
方法進一步包含測定二電漿反應器的不均勻度函數間的傾角偏移量，及改變二電漿反應器之一的傾角，傾角改變量對應傾角偏移量。
在一實施例中，一連串傾角始於初始傾角，且定義繞著預定傾軸的旋度。在此實施例中，改變傾角係藉由將一電漿反應器的傾角設定成超過初始傾角的角度而施行，且超過量等於傾角偏移量。
在一實施例中，初始傾角為零。在一相關實施例中， 就二電漿反應器而言，初始傾角參照二電漿反應器的共同座標系統係相同值。在另一相關實施例中，就二電漿反應器而言，預定傾軸相對共同座標系統的定向係一樣的。
在一相關實施例中，測定連續處理速度分佈的一連串不均勻度值包含計算各連續處理速度分佈的變量。
在一實施例中，各連續處理速度分佈係遍及工件的深度測量分佈。
在一實施例中，取得處理速度分佈包含：(a)進行電漿製程來處理測試工件，(b)測量測試工件上複數個位置的薄膜深度或薄膜厚度，及將複數個位置轉換成二電漿反應器的共同座標系統。在一相關實施例中，進行電漿製程係利用二電漿反應器的共同製程配方施行。
在一實施例中，測定二電漿反應器的不均勻度函數間的傾角偏移量包含：(a)定義用於一連串不均勻度值的第一軸和用於一連串傾角的第二軸，(b)識別沿著第二軸的區域，其中二電漿反應器的不均勻度函數為線性，(c)其中傾角偏移量係在二電漿反應器的不均勻度函數沿著第一軸具有相等不均勻度值的位置之間沿著第二軸的距離。在一相關實施例中，二電漿反應器的不均勻度函數在線性區域中具有相同斜率。
一實施例進一步包括選擇第三電漿反應器，及匹配第三電漿反應器與該對電漿反應器的另一者。
一實施例係含有程式指令的電腦可讀取媒體，用以 匹配二電漿反應器的性能，電漿反應器由電腦系統控制，其中電腦系統執行程式指令時，將促使電腦系統施行下列操作：就二電漿反應器的每一電漿反應器：(a)觀察在工件平面與RF功率施加器間繞著傾軸的傾角初始值下的電漿歪斜幅度和電漿歪斜方向，及定義第一向量，第一向量代表電漿歪斜方向和幅度，及(b)就一連串傾角，依據不均勻度值隨傾角的預測變化率，計算一連串不均勻度值，及就一連串傾角的每一傾角，定義第二向量，第二向量具有對應傾軸的方向和對應一連串不均勻度值之一的幅度；就一連串傾角，由第一與第二向量的累次和產生不均勻度函數；測定二電漿反應器的不均勻度函數間的傾角偏移量，及改變二電漿反應器之一的傾角，傾角改變量對應傾角偏移量。
根據一實施例，匹配二電漿反應器的方法包含：就 二電漿反應器的每一電漿反應器：(a)建構第一向量，第一向量代表在工件平面與RF功率施加器間繞著傾軸的傾角初始值下觀察到的電漿歪斜幅度和電漿歪斜方向，及(b)就繞著傾軸的一連串傾角的每一傾角，定義幅度等於預測不均勻度值且方向對應傾軸的第二向量；及就一連串傾角，由第一與第二向量的累次和產生不均勻度函數。此實施例進一步包含測定二電漿反應器的不均勻度函數間的傾角偏移量，及改變二電漿反應器之一的傾角，且傾角改變量對應傾角偏移量。
在一相關實施例中，第二向量的方向對應傾軸係使 第二向量的方向垂直傾軸。
92、94‧‧‧反應器
96‧‧‧通信連結
100‧‧‧封閉區
102‧‧‧側壁
104‧‧‧工件支撐件
106‧‧‧工件/晶圓
108‧‧‧RF功率施加器支撐件
109‧‧‧RF功率施加器
110‧‧‧舉升致動器
120‧‧‧硬體傾軸
124‧‧‧控制器
126‧‧‧電腦
126-1‧‧‧記憶體
126-2‧‧‧使用者介面
128‧‧‧感測器
130‧‧‧感測器陣列
132‧‧‧電漿歪斜軸
134‧‧‧內部區域
136‧‧‧外部區域
510、520、530、540、550、602、604、606、608、610、612、614、616、618、620、622、624、626、628、630、632、634、 636、638、640、642‧‧‧步驟
710‧‧‧蝕刻速度分佈
720‧‧‧反褶積運算操作
730‧‧‧對稱分量
740‧‧‧歪斜分量
810、812、814、816、820、822、824、830、840、850、860、902、904、906、908、910、912、914、916、918、920、922、923、924、926、928、930、932‧‧‧步驟
為讓本發明的示例性實施例和上述概要特徵更清楚易懂，可配合參考實施例說明，部分實施例乃圖示在附圖。應理解在此不再贅述某些已知製程，以免讓本發明變得晦澀難懂。
第1A圖、第1B圖及第1C圖係簡化示意圖，其中第1A圖及第1B圖圖示包括在第1C圖所示系統內的二典型反應器之一。
第2A圖及第2B圖圖示座標系統，用以定義第1A圖反應器的旋度。
第3A圖圖示電漿歪斜軸，此代表蝕刻速度分佈不均勻度的方位角歪斜分量，歪斜軸相對高和低處理速度區疊加在晶圓上。
第3B圖係蝕刻速度分佈不均勻度的徑向對稱分量的概念示意圖。
第4圖係在第一實施例中，根據經驗方法，取得四個不同電漿反應器的蝕刻速度分佈不均勻度或變量(垂直軸)隨硬體傾角變化的曲線圖。
第5圖係概要提供根據第一實施例的經驗方法的簡化流程圖。
第6A圖及第6B圖構成第一實施例的詳細流程圖。
第7圖係圖示自蝕刻速度分佈移除徑向對稱分量的製程流程圖。
第8圖圖示電漿歪斜軸與硬體傾軸的相對定向實例。
第9A圖及第9B圖圖示電漿歪斜向量與硬體傾斜向量(第9A圖)和二者相加(第9B圖)。
第10圖係概要提供根據第二實施例的預測方法的簡化流程圖。
第11A圖及第11B圖構成第二實施例的詳細流程圖。
為助於理解，盡可能以相同的元件符號代表各圖中共同的相仿元件。應理解某一實施例的元件和特徵結構當可有利地併入其他實施例，在此不再贅述。然應注意所附圖式僅說明本發明示例性實施例，故不宜視為限定本發明範圍，因為本發明可接納其他等效實施例。
相同設計的二電漿反應器可能會在工件(例如半導體晶圓)的表面產生不同的蝕刻速度分佈。不同的蝕刻速度分佈代表二電漿反應器有不同的電漿離子密度分佈。故期能匹配二電漿反應器，及自二電漿反應器取得相同或類似的蝕刻速度分佈。
參照第1A圖，二(或更多)待匹配電漿反應器或腔室各具真空封閉區100，封閉區具有側壁102，且進一步包括晶圓支撐件104，用以支托具工件表面的工件或晶圓106，及位於RF功率施加器109底下的高架RF功率施加器支撐件108。RF功率施加器支撐件108可相對晶圓支撐件104或工件表面，繞著任一定向朝徑向方向的傾軸傾斜。在所述實施例中，晶圓支撐件104固定相對側壁102。在另一實施例中， 晶圓支撐件104為傾斜，RF功率施加器支撐件108則為固定。 在第1A圖的實施例中，如第1B圖所示，RF功率施加器支撐件108利用三個位於RF功率施加器支撐件108周圍不同位置的舉升致動器110而傾斜。每一舉升致動器110可耦在接側壁102與RF功率施加器支撐件108之間。參照第2A圖，RF功率施加器支撐件108乃傾斜成繞著沿傾軸參考定向角θ伸展的硬體傾軸120旋轉傾角α。參考定向角θ定義硬體傾軸120繞著垂直(Z)軸的旋轉位置，傾角α定義繞著硬體傾軸120的旋度(第2B圖)。
參照第1A圖及第1B圖，控制器124依據定義預定 θ與α值的指令，控制各舉升致動器110。電腦126產生θ與α的指令值。電腦126可裝配記憶體126-1和選擇性使用者介面126-2。感測器128可為光學深度感測器陣列130，且可在真空封閉區100完成蝕刻製程後，暫時置於晶圓106上方，接著在開始進一步處理前移開。或者，感測器128可設在外部位置，晶圓106可傳送到此來測量蝕刻速度分佈。當薄膜深度測量樣品位於分散晶圓106表面各處的位置時，感測器128測量薄膜深度。薄膜深度測量樣品與樣品位置收集稱作蝕刻速度分佈圖像。感測器128將蝕刻速度分佈圖像傳送到電腦126。電腦126可計算各薄膜深度樣品在三維座標系統中的位置，以產生蝕刻速度分佈。
蝕刻速度分佈可不均勻，且不均勻度可包括徑向對 稱不均勻度分量和方位角歪斜不均勻度分量。在方位角歪斜不均勻度分量中，蝕刻速度分佈相對晶圓的對稱軸為非對 稱。例如，第3A圖圖示方位角歪斜不均勻度分量的影響，其中電漿歪斜軸132把晶圓劃分成較大薄膜開口深度的「高」蝕刻速度區和較小薄膜開口深度的「低」蝕刻速度區。電漿歪斜軸132可由相對座標系統軸的旋度定義。第3B圖圖示蝕刻速度分佈的徑向對稱不均勻度分量的教導實例，其中晶圓的徑向內部區域134遭受高蝕刻速度，晶圓的徑向外部區域136遭受低蝕刻速度。第三分量(未圖示)係蝕刻速度分佈不均勻度的雜訊分量。
如第1A圖所示類似設計的二電漿反應器可匹配以 產生至少幾乎相同的蝕刻速度分佈。參照第1C圖，使用相同製程配方時，類似第1A圖電漿反應器的兩個反應器(腔室)92、94經匹配以產生相同的蝕刻速度分佈。第1C圖的反應器92、94各具自己的第1A圖所示電腦126。各反應器92、94的電腦126經程式化以推演蝕刻速度分佈不均勻度(例如變量σ)隨硬體傾角α變化的行為。反應器92、94的電腦126可視為電腦系統。或者，電腦系統可實施成二反應器92、94共享的單一電腦。在各反應器92、94中，以一連串硬體傾角擷取蝕刻速度分佈和計算而得的不均勻度，並將行為模型化成不均勻度函數。如第1C圖所示，第一反應器92的電腦126產生反應器92的不均勻度函數f(92)，並經由通信連結96接收另一反應器94的不均勻度函數f(94)。
第一反應器92的電腦126偵測二反應器的不均勻度 函數間傾角α的偏移量△α。接著在二者之一中使硬體傾斜的傾角等於偏移量△α，以匹配二反應器。各反應器92、94的電 腦126經程式化以進行以下第6A圖起等及/或第12A圖起等所述操作序列而施行上文。可使用第三電漿反應器來反覆進行此程序，其中二或三或更多電漿反應器可匹配到選定電漿反應器。
以下將描述兩個進行匹配的實施例，即經驗方法和預測方法。
匹配反應器的經驗方法
此匹配係依據經驗方法，先選擇二反應器的傾軸定向角θ而進行。就各反應器(腔室)而言，硬體傾角α從零按連續增量增加。每次增量時，擷取蝕刻速度分佈。計算蝕刻速度分佈變量σ，及偕同對應α值儲存成對(σ,α)。經預定次連續增量後，將所得對(σ,α)結合成第4圖曲線所示函數σ(α)。第4圖曲線圖圖示四個不同反應器的不同函數σ(α)，並標為A、B、C、D。在第4圖中，各函數的σ繪於垂直軸，α繪於水平軸。在第4圖曲線圖中，傾角α係沿著垂直或Z軸的高度差。如第4圖所示，在α=0至α=.15的較低範圍中，不同反應器的函數σ(α)不同且為非線性。在大於α=.15的較高範圍中，不同反應器的函數σ(α)為線性且具相同斜率，差別只在於彼此沿水平軸偏移恆定的α偏移量。此偏移量稱作α差，且可表示成△α。例如，反應器B、C的函數間的偏移量△α為約0.05。在某一反應器中使硬體相對初始定向(例如未傾斜)傾斜△α，藉以匹配該反應器與另一反應器。此傾斜係在硬體傾軸120定向朝選定定向角θ時繞著硬體傾軸120旋轉。
在第4圖曲線圖中，各函數σ(α)的較低範圍(小於 α=.15)呈非線性乃歸因於結合(a)繞一個軸的電漿方位角歪斜不均勻度和(b)歸因於硬體繞另一個軸(例如硬體傾軸)傾斜的不均勻度。在第4圖曲線圖中，各函數σ(α)的較高範圍(大於α=.15)呈高度線性乃歸因於在較高範圍中，因硬體傾斜引起的不均勻度比電漿方位角歪斜不均勻度大很多倍，其中可觀察到因硬體傾斜引起的不均勻度，電漿方位角歪斜所致效應則遭掩蓋或淹沒。
第5圖簡述上述匹配反應器的經驗方法。第5圖的 方法進行如下：利用感測器128，以一連串硬體傾角α測量各反應器的蝕刻速度分佈(第5圖的方塊510)。如後所述，此時自蝕刻速度分佈移除不均勻度的徑向對稱分量。電腦126就各反應器計算在一連串硬體傾角α中的一個傾角所測量到的各蝕刻速度分佈變量(第5圖的方塊520)。將所得數值對(σ,α)儲存於記憶體126-1(第5圖的方塊530)。電腦126就各反應器由數值對(σ,α)建構函數σ(α)(第5圖的方塊540)。 不同反應器的數個函數σ(α)實例繪於第4圖曲線。電腦126(或使用者)進行比較以決定二反應器的函數σ(α)間的偏移量△α。接著在二反應器之一中使硬體傾斜△α，以匹配二反應器(第5圖的方塊550)。
第6A圖及第6B圖構成第5圖簡述的經驗方法的詳 細流程圖。第6A圖及第6B圖的方法始於定義可應用到各反應器的共同座標系統(第6圖的方塊602)。定義相同的硬體傾軸參考定向角θ用於各反應器(方塊604)。將各反應器的硬體傾角α初始化為零(方塊606)。
選擇當前反應器(方塊610)，把測試晶圓引入反應器內(方塊612)，及依據預定製程配方，進行蝕刻製程(方塊614)。感測器128用於感測在測試晶圓上的樣品位置陣列中的每一個的樣品蝕刻速度(例如深度)(方塊616)。電腦126由θ與α計算樣品位置中的每一個在共同座標系統中的位置(方塊618)。電腦126由此資訊建構在共同座標系統的蝕刻速度分佈，其中每一樣品與其計算位置配對(方塊620)。電腦126用於模型化蝕刻速度分佈，及從模型反褶積運算徑向對稱分量，而在反褶積運算模型中留下方位角歪斜分量(方塊622)。第7圖圖示反褶積運算過程的簡化概念圖，其中由徑向對稱分量與方位角歪斜分量兩者所組成的蝕刻速度分佈710經模型化成如6次多項式。在第7圖中，電腦126進行反褶積運算操作720，其中徑向對稱分量730自蝕刻速度分佈移除而留下方位角歪斜分量740。此反褶積運算操作係在第6圖的方塊622中進行。雜訊分量(未圖示)亦可保留，且相較於其他分量應可忽略不計。(視情況而定，可由數學技術移除此雜訊。)
電腦126計算蝕刻速度分佈的反褶積運算模型變量σ。電腦126將反褶積運算模型變量σ與當前傾角α值配對成變量函數數值對(σ,α)，並儲存於記憶體126-1(第6A圖的方塊624)。接著決定是否達傾角α的範圍端值(方塊626)。若否(方塊626的「否」分支)，則電腦126命令控制器124使傾角α增加一小預定量(方塊628)。製程接著反覆進行方塊612至626的序列。在方塊626中，若達傾角α的範圍端值(方 塊626的「是」分支)，則電腦126由所得第i個反應器的數值對(σ,α)合成用於當前(第i個)反應器的函數σ(α)i(方塊630)。接著將此函數儲存於記憶體126-1。
接著決定是否選擇最後一個反應器(方塊632)。 若否(方塊632的「否」分支)，則選擇下一個反應器(方塊634)，製程反覆進行方塊612-632的序列。若先前已選擇最後一個反應器(方塊632的「是」分支)，則選擇兩個待匹配反應器(例如反應器i與反應器i+1)，電腦126從記憶體126-1提取函數σ(α)i和函數σ(α)i+1(第6B圖的方塊636)。
電腦126(或使用者)識別在α較高範圍的線性區， 其中二反應器的函數σ(α)i和函數σ(α)i+1均為線性(方塊638)。在一特例中，線性區對應第4圖曲線中大於α=.15的區域。電腦決定或計算線性區中σ(α)i與σ(α)i+1間的傾角α的偏移值△α(方塊640)。相對初始(例如零)傾角，使反應器i+1的硬體繞著硬體傾軸傾斜硬體傾角△α，以匹配二反應器(反應器i和反應器i+1)(方塊642)。
匹配反應器的預測方法
在匹配二反應器的預測方法中，定義各反應器的第一向量(向量1)，向量1的幅度等於以初始(例如零)傾角測量的蝕刻速度分佈變量。此第一向量進一步定應為具有在蝕刻速度分佈觀察到垂直電漿歪斜軸(例如第8圖的電漿歪斜軸132)的方向。如第8圖所示，測得蝕刻速度分佈中的電漿歪斜軸132通常具有不同於硬體傾軸120的方向。
就各反應器，以預定硬體傾角範圍內的一連串硬體 傾角計算一連串第二向量。第二向量(向量2)和第一向量(向量1)一例繪於第9A圖。向量2的方向垂直硬體傾軸。第二向量幅度為從當前硬體傾角α計算而得的變量σ。此算式為σ=Mα，其中M係第4圖曲線的斜率。
就一連串第二向量中的每一個，計算向量1+向量2 的向量和(第9B圖)，將向量和幅度σ和偕同對應傾角α儲存成數值對(σ和，α)。一連串數值對(σ和，α)定義函數σ和(α)。如第4圖實例所示，二不同反應器的函數σ和(α)i與函數σ和(α)i+1間的偏移量△α係以第4圖所述方式決定。接著使硬體傾斜的傾角等於偏移量，以匹配反應器。
第10圖簡述匹配反應器的預測方法。第10圖的方 法進行如下：第一操作係尋找第一向量，第一向量代表反應器中的電漿方位角歪斜不均勻度(第10圖的方塊810)。此第一操作如下：就各反應器，以零硬體傾角α測量蝕刻速度分佈(第10圖的方塊812)。就各反應器，決定蝕刻速度分佈的電漿歪斜軸方向，及決定蝕刻速度分佈變量σi(方塊814)。就各反應器，將第一向量定義為具有σi的幅度和垂直電漿歪斜軸的方向(方塊816)。
第二操作係尋找一連串硬體傾角各自的第二向量(方塊820)。此第二操作如下：就各反應器，計算(預測)一連串硬體傾角α繞著定向成θ的硬體傾軸的變量σ(方塊822)。此預測係基於第4圖曲線的線性區的斜率M，並利用σ=Mα。斜率M可平均一些已取得對應第4圖曲線資料的類似反應器而得。就各個連串的硬體傾角，定義第二向量，第二 向量具有對應(例如垂直)硬體傾軸方向的方向和等於對應σ值的幅度(方塊824)。
定義第一和第二向量後，預測方法繼續進行如下： 就各個連串硬體傾角α，計算第一與第二向量的向量和，及決定向量和幅度，並將σ和偕同對應的硬體傾角α值儲存成數值對(σ和，α)(第10圖的方塊830)。就各反應器，電腦由複數個數值對(σ和，α)合成函數σ和(α)(第10圖的方塊840)。
電腦126(或使用者)決定二反應器的函數σ和(α)間 的偏移量△α(方塊850)。相對初始硬體傾角使二反應器之一的硬體傾斜△α，以匹配二反應器(方塊860)。
第11A圖至第11B圖構成第10圖簡述的預測方法 的詳細流程圖。第11A圖至第11B圖的方法始於定義可應用到各反應器的共同座標系統(第11A圖的方塊900)、定義相同的硬體傾軸方向用於各反應器(方塊902)，及將各反應器的硬體傾角α初始化為零(方塊904)。
由下列操作獲得蝕刻速度分佈變量σ隨傾角α的變 化率：(a)就各反應器，以一連串α值進行連續蝕刻處理測試晶圓，及測量斜率M或σ隨α的變化率(方塊906)，及(b)由一組反應器各自的斜率M計算平均斜率 M ，並將斜率 M 儲存於記憶體(方塊908)。
從以下獲得描繪反應器的電漿方位角歪斜分量特徵 的第一向量：(a)就各反應器(第i個反應器)，設定α=0，取得蝕刻速度分佈，並由蝕刻速度分佈決定反應器中電漿的電漿歪斜軸方向，及決定對應歪斜幅度或變量σi(方塊910)； 及(b)就各反應器，將向量1定義為具有σi的幅度和在共同座標系統中垂直電漿歪斜軸方向的方向(方塊912)。
就一連串傾角計算(預測)第二向量如下，第二向 量描繪因硬體旋轉造成不均勻度的方位角歪斜分量特徵：(a)就各反應器，將α初始化為0(方塊914)，及(b)就當前硬體傾角α值，將向量2定義為具有垂直硬體傾軸的方向和 M ．α的幅度(方塊916)。
製程現繼續進行向量加法：向量1+向量2=和向量 (方塊918)，及計算和向量的幅度，並將此幅度σ和偕同當前α值儲存成數值對(σ和，α)(方塊920)。
決定是否達α的範圍端值(方塊922)。若否(方塊 922的「否」分支)，則使α值增加一小預定量(方塊923)，及反覆進行方塊916-922的序列。若達α的範圍端值(方塊922的「是」分支)，則電腦126就各反應器i提取所有函數數值對(σ和，α)，及由此合成函數σ和(α)i(方塊924)。
選擇兩個待匹配反應器(例如反應器i與反應器 i+1)，電腦126提取反應器的函數σ(α)i和函數σ(α)i+1(方塊926)。定義在α較高範圍的線性區，其中二反應器的函數σ(α)i和函數σ(α)i+1均為線性(方塊928)。比較函數σ(α)i與函數σ(α)i+1，以尋找線性區中σ(α)i與σ(α)i+1間的傾角α的偏移值△α(方塊930)。使反應器i+1的硬體繞著硬體傾軸傾斜硬體傾角△α，以完成反應器i與反應器i+1的匹配(方塊932)。
雖然以上係針對本發明實施例說明，但在不脫離本 發明基本範圍的情況下，當可策劃本發明的其他和進一步實 施例，因此本發明範圍視後附申請專利範圍所界定者為準。
810、812、814、816、820、822、824、830、840、850、860‧‧‧步驟

Claims (20)

  1. 一種操作二個電漿反應器的方法，包含下列步驟：就該二個電漿反應器的每一個電漿反應器：(a)建構一第一向量，該第一向量代表在一工件平面與一RF功率施加器間繞著一傾軸的一傾角的一初始值下觀察到的一電漿歪斜幅度和一電漿歪斜方向；(b)就繞著該傾軸的一連串傾角的每一個傾角，預測一不均勻度值，及定義一幅度等於該不均勻度值且一方向對應該傾軸的一第二向量；(c)由該第一向量與該第二向量的累次和產生一不均勻度函數；測定該二個電漿反應器的該等不均勻度函數間的一傾角偏移量；及改變該二個電漿反應器之一的該傾角，該傾角改變的量對應該傾角偏移量。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該第二向量的該方向對應該傾軸係使該第二向量的該方向垂直該傾軸。
  3. 如請求項1所述之方法，其中：該連串傾角始於一初始傾角，且定義繞著一預定傾軸的旋度。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該初始傾角為零。
  5. 如請求項1所述之方法，其中預測一不均勻度值的步驟包含依據不均勻度值隨傾角的一預測變化率，計算該不均勻度值。
  6. 一種操作二個電漿反應器的方法，包含下列步驟：就該二個電漿反應器的每一個電漿反應器：(a)觀察在一工件平面與一RF功率施加器間繞著一傾軸的一傾角的一初始值下的一電漿歪斜幅度和一電漿歪斜方向，及定義一第一向量，該第一向量代表該電漿歪斜方向和幅度；(b)就一連串傾角，依據不均勻度值隨傾角的一預測變化率，計算一連串不均勻度值，及就該連串傾角的每一個傾角，定義一第二向量，該第二向量具有對應該傾軸的一方向和對應該連串不均勻度值之一個值的一幅度；就該連串傾角，由該第一向量與該第二向量的累次和產生一不均勻度函數；測定該二個電漿反應器的該等不均勻度函數間的一傾角偏移量；及改變該二個電漿反應器之一個的該傾角，該傾角改變的量對應該傾角偏移量。
  7. 如請求項6所述之方法，其中：該連串傾角始於一初始傾角；及 改變該傾角的該步驟包含將該一個電漿反應器的該傾角設定成超過該初始傾角的一角度，且超過的量等於該傾角偏移量。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該初始傾角為零。
  9. 如請求項7所述之方法，其中就該二個電漿反應器兩者而言，參照該二個電漿反應器的一共同座標系統的該初始傾角係相同值。
  10. 如請求項9所述之方法，其中就該二個電漿反應器而言，該傾軸相對該共同座標系統的一定向係相同。
  11. 如請求項6所述之方法，其中該等不均勻度值為變量。
  12. 如請求項6所述之方法，其中觀察該電漿歪斜幅度和該電漿歪斜方向的該步驟包含下列步驟：進行一電漿製程來處理一測試工件；測量該測試工件上複數個位置的一薄膜深度或一薄膜厚度；及將該複數個位置轉換成該二個電漿反應器的一共同座標系統。
  13. 如請求項12所述之方法，其中進行一電漿製程來處理該 測試工件的步驟係利用該二個電漿反應器的一共同製程配方施行。
  14. 如請求項6所述之方法，其中測定該二個電漿反應器的該等不均勻度函數間的一傾角偏移量的步驟包含下列步驟：定義用於該第一向量與該第二向量的累次和的一第一軸和用於該連串傾角的一第二軸；識別沿著該第二軸的一第一區域，其中該二個電漿反應器的該等不均勻度函數為線性；及其中該傾角偏移量係在該二個電漿反應器的該等不均勻度函數沿著該第一軸具有一相等不均勻度幅度的多個位置之間沿著該第二軸的一距離。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該二個電漿反應器的該等不均勻度函數在該第一區域中具有相等的斜率。
  16. 如請求項6所述之方法，進一步包含下列步驟：選擇一第三電漿反應器，及匹配該第三電漿反應器與該二個電漿反應器的另一者。
  17. 一種電腦可讀取媒體，含有多個程式指令，用以操作二個電漿反應器，該二個電漿反應器由一電腦系統控制，其中該電腦系統執行該等程式指令時，將促使該電腦系統施行下列操作： 就該二個電漿反應器的每一個電漿反應器：(a)建構一第一向量，該第一向量代表在一工件平面與一RF功率施加器間繞著一傾軸的一傾角的一初始值下觀察到的一電漿歪斜幅度和一電漿歪斜方向；(b)就繞著該傾軸的一連串傾角的每一個傾角，預測一不均勻度值，及定義一幅度等於該不均勻度值且一方向對應該傾軸的一第二向量；(c)由該第一向量與該第二向量的累次和產生一不均勻度函數；測定該二個電漿反應器的該等不均勻度函數間的一傾角偏移量；及改變該二個電漿反應器之一個電漿反應器的該傾角，該傾角改變的量對應該傾角偏移量。
  18. 如請求項17所述之電腦可讀取媒體，其中：該連串傾角始於一初始傾角；及改變該傾角的步驟包含下列步驟：將該一個電漿反應器的該傾角設定成超過該初始傾角的一角度，且該超過的量等於該傾角偏移量。
  19. 如請求項18所述之電腦可讀取媒體，其中該初始傾角為零。
  20. 如請求項17所述之電腦可讀取媒體，其中預測一不均勻 度值的步驟包含下列步驟：依據不均勻度值隨傾角的一預測變化率計算該不均勻度值。
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