TW201446224A - 有塗層之人工晶體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種人工晶體,其具有由矽氧樹脂製成的疏水性晶體主體(1),在人工晶體表面處,設置由聚丙烯酸酯所製成之親水性層(2),其中層(2)係具有小於10°之水接觸角的PECVD/CVD層。一種親水化人工晶體表面之製程,用於親水化人工晶體表面之製程包含以PEVCD預塗覆經預處理過之晶體表面的步驟,及以CVD接續塗覆如此預塗覆過的晶體表面。

Description

有塗層之眼內鏡片及其製造方法
本發明係與有塗層之人工晶體(IOL)及其製造方法相關。
如此的人工晶體特別係應用在原有眼睛的水晶體退化後,在白內障手術期間,以植入方式取代原有之水晶體。已知的晶體主體係由疏水性材料所組成,特別係包含丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的共聚合物。為降低黏性,亦已知可對晶體材料添加氟化的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(WO 2007/062864)。對人工晶體而言,更已知會使用具有高折射率的晶體材料,以實現小的晶體厚度。可折疊與可捲曲之如此晶體可使用根據US 6 355 046 B2的注射器經由相對小的切口植入到眼中。
因晶體材料相對於圍繞著眼睛之介質(即:眼前房中的房水、及於晶體背面的玻璃體)的折射率差異,故於介面處將導致光的反射。當晶體材料之折射率相對於周圍介質之折射率的差異較高時,如此的情形係更為顯著。
本發明也與根據生物相容性材料之工件的表面處理相關,並特別係與以電漿增強化學氣相沉積(PECVD)及隨後的化學氣相沉積(CVD)所完成之此工件(特別係IOL)表面的永久親水性相關。
為避免發炎過程,欲在人類或動物器官中暫時或永久使用的工件(如:人工晶體)之生物相容性需求係相當高的。為確保高度的生物相容性,用於製造此工件之材料具有諸多特性,這些特性預先給予工件預期的用途以及與其相關的組織接觸。材料的生物相容性很大程度地係由它們的表面特性所決定。對於IOL而言,親水性表面為良好生物相容性之決定性因素。
聚合性生物材料表面的生物相容親水性可以如例如國際專利申請案WO 99/57177所描述之以電漿氧化作用方式調整聚合性表面而達成。然而,事實證明如此親水化的表面並非充分長時間穩定的。
一種聚合物生物材料表面之更永久的親水性係藉由在該表面上塗覆親水性的生物相容性材料而達成。為了在由聚甲基丙烯酸酯(PMMA)所製成之隱形眼鏡上製造出親水性表面,在專利文件US 5,080,924中,已提出例如電漿塗覆製程,該製程用於將聚丙烯酸接枝聚合至該表面。經接枝聚合的PAA-表面顯示出於35至50度範圍間的水接觸角,且對於充分濕潤材料表面而言,該水接觸角係過大的。為了進一步地減少塗層的角度,塗層需加以後處理,例如藉由塗佈不同於丙烯酸之額外的生物相容性材料,該額外的生物相容性材料會與聚丙烯酸交聯。涉及塗覆多層的如此製程需要更高的設備工作量,並也導致較長的塗覆時間,因而降低效率。
鑒於以上所述,吾人因此期望提供一種聚合生物材料(特別是IOL)之較不複雜的塗層,如此可達到長時間穩定表面親水性及15梯度(Grad)以下之水接觸角。
如此的人工晶體具有疏水性的晶體主體,並於該人工晶體之表面處設置一親水性層。在實施例中,該晶體主體係由如矽橡膠(silicone rubber)的疏水性、可折疊或可捲曲之聚合物材料所組成。親水性層係由具有良好組織及血液相容性之親水性的甲基丙烯酸酯(廣義而言,即包含該酸類、其鹽類、及其酯類)所組成。該塗層防止纖維蛋白以及細胞的附著,而藉此阻礙術後之皮膜的形成(後發性白內障,secondary cataract)。
合適的疏水性晶體材料係吸附小於5 Vol%之水者。
由矽橡膠製成之晶體主體可以成模製程製造。於此,模表面的粗糙會造成晶體表面的粗糙。藉由將親水性塗層塗覆到此表面上,粗糙處因而變得平坦,因而實質地避免了光的繞射。
適當地挑選親水性塗層的折射率,以接近晶體材料及眼中周圍介質(即:房水與玻璃體)之折射率,則。如此表示折射率在實施例中可選自n=1.336 (房水)或1.338(玻璃體)及n=1.56(根據WO2007/062864A2之聚合物材料的折射率)之間。在親水性丙烯酸酯層之折射率接近構成晶體主體的疏水性晶體材料之折射率以及接近眼中周圍介質(即:房水與玻璃體)之折射率的情形下,達成於房水、晶體主體、及玻璃體之間的足夠平滑的光學渡越,藉此降低或避免通過微粗糙部的光反射與光繞射。
親水性塗層也改善了以注入器植入之晶體的滑動特性。由例如US 6 355 046 B2可以得知此等注入器,且該注入器係用於固持或捲曲欲植入的晶體。當植入時,經摺疊與捲曲之晶體經由一管而植入眼中,而該管係經由眼中的一最小化的切口加以插入。
如有需要,人工晶體(IOL)可以儲存在一可棄式的注射器。因為人工晶體上之親水性塗層,以及注入管內壁上之選用性的親水性塗層所致,將獲得一提高的滑動特性,而因此實現人工晶體更容易的植入方式。
塗覆步驟包含一種用於親水化人工晶體表面之製程,該製程包含:步驟(a),以高頻電漿於預處理期間清洗和活化晶體表面,該高頻電漿係以惰性氣體為基礎而形成;步驟(b),使用高頻電漿以聚丙烯酸預塗覆經過預處理的晶體表面,該高頻電漿係以氣體混合物為基礎而產生,其中該氣體混合物係由一惰性氣體及第一氣體組成,且該第一氣體係由生物相容性、可聚合性、含羧基的單體所形成;及步驟(c),使用主要含有丙烯酸與丙烯酸酐單體之第二氣體,接續塗覆經過預塗覆之晶體表面。該接續塗覆步驟並無涉及到電漿。
塗覆步驟更包含提供IOL聚丙烯酸之親水化表面塗層,該聚丙烯酸之親水化表面塗層可根據包含上述特定步驟的製程而獲得,其中塗覆有聚丙烯酸之晶體表面上的水接觸角具有在2到小於10度範圍中之值,或在低於2(並大於0)度範圍中之值。
使用該特定製程塗覆之IOL具有帶有優越可濕性之長時間穩定的親水性表面,且與身體組織接觸之如此親水性表面會產生良好的生物相容性,藉此,使用如此塗覆的IOL較少發生眼睛發炎。
在該製程的實施例中,形成第一氣體之生物相容性、可聚合性、含羧基的單體係選自:甲基丙烯酸、與甲基丙烯酸酐,藉此在高頻電漿中,將產生很大比例的丙烯酸單體,丙烯酸單體係附接在形成共價鍵之製程步驟(a)中所活化的晶體表面。
在其他實施例中,用於在製程步驟(a)中產生高頻電漿之氣體包含該第一氣體,該第一氣體量對應小於該惰性氣體分壓十分之一的分壓,以確保晶體表面之有效清洗及活化。或者是,將此步驟實質上排除,且不具有起始電漿處理,該起始電漿處理不具有該第一氣體、或具有可聚合單體造成之低於10%的總氣體壓力。在一些實施例中,起始的電漿處理中,由單體所引起的分壓係總氣體壓力的八分之一、或六分之一以上。
為獲得丙烯酸單體對該晶體表面之穩定的附接,在實施例中,步驟(b)中,將使用一氣體混合物,其中該第一氣體的分壓至少係該惰性氣體分壓的四分之一,且最大為二倍。
為獲得稠密及穩定的聚丙烯酸塗層,步驟(c)所使用的第二氣體中之惰性氣體的分壓在實施例中係小於形成氣體的丙烯酸單體分壓的十分之一。
在實施例中,氬作為惰性氣體使用。
為有效控制預塗覆製程,在實施例中,步驟(b)中所塗覆之塗層係以層厚度控制裝置監控,且當達到選自50到400 □範圍之層厚度值時,終止該製程。
在達到2到小於10度範圍中之接觸角的其他實施例中,將用於步驟(a)中之高頻電漿之該惰性氣體壓力設定成在約2 Pa到約8 Pa(約 15 mTorr 到約 60 mTorr)範圍中之值,及將用於步驟(b)中之高頻電漿之該第一氣體的壓力設定成在約4 Pa到約12 Pa範圍中之值(約30 mTorr 至約 90 mTorr)。
為將丙烯酸聚合物塗層固定於晶體表面上,實施例更包含一步驟(cb),步驟(cb)包含:在步驟(b)後,直接地降低或停止惰性氣體供應,而代之以供應一第二氣體。在實施例中,步驟(cb)中之該第二氣體的壓力約小於40 mPa(約0.3 mTorr )。
為促進丙烯酸單體與預塗覆晶體表面反應的附接及交聯作用,在實施例中,隨即於步驟(b)後,或於步驟(cb)後(如有執行),執行進一步的步驟(bc),該進一步的步驟係:關閉高頻電漿;中斷、降低、或減少該惰性氣體供給;及供給該第二氣體,其中,步驟(c)中之該第二氣體的壓力係約0.13 kPa 及約 0.8 kPa (約1.5到約6Torr)之間。
為提高生物相容性,在實施例中,步驟(c)後接著為進一步的步驟(d),步驟(d)係用於以如等滲鹽水溶液之親水性溶劑,或以除礦質水來清洗有塗層的IOL,因而將水溶性成分從親水化層移除,接著選擇性地以真空乾燥。
在更佳的實施例中,IOL(至少於其表面)包含一材料,該材料主要或實質上是由矽氧樹脂所形成,特別係聚(二甲基矽氧烷)、或矽水凝膠。
在實施例中,該等晶體為矽氧樹脂的IOL。由此製程所設置之該等晶體的親水化表面塗層係由約5μm 到約40μm平均厚度的PAA-層所構成。
圖1中的人工晶體實施例顯示疏水性矽氧樹脂的晶體主體1。在一些實施例中,晶體主體1的晶體材料為可折疊及可捲曲。該晶體主體1之表面具有因成模製程所致的微粗糙。將親水性的丙烯酸酯(廣義而言)之親水性層2塗覆於該晶體主體1之微粗糙表面。該塗層以以下所述之塗覆過程塗覆。於光學晶體主體之邊緣處,設置觸覺件8,其呈絲或支架形式形狀、或呈完全或部分圍繞該晶體主體1之支撐架形狀。
在活化該晶體主體1之表面後,將親水性層2塗覆到疏水性材料(如:矽氧樹脂)之該晶體主體1上。該表面之活化係藉由電漿活化作用(如:使用氮或氬的電漿)所完成。將親水性的丙烯酸酯單體塗覆在該活化表面上。接著,於約35°C下的真空中沖洗及乾燥該表面。觸覺件 8不須由矽氧樹脂製成,但可由如PMMA、PP或聚醯亞胺製成。
不期望侷限於任何理論,吾人相信在此製程中親水性丙烯酸酯分子(包含:丙烯酸或丙烯酸酐)會擴散到疏水性晶體材料之表面區域,且可部分地交聯。此製程似乎由以上所述之活化作用加以改善。
圖2中所顯示的架構說明設備100的重要元件,該設備用於以能使該工件90表面呈現親水性之材料來塗覆聚合工件90。該工件可為人工晶體(IOLs),且特別是由矽氧樹脂或矽水凝膠所製成者。
設備100包含一可抽真空的容器10,而一裝置係在容器10的內部15產生高頻電漿。用於產生高頻電漿之裝置以二個電極11和12來象徵性地表示在圖2架構中,但非表示僅限於使用電極。圖2中,為了清楚和簡明起見,僅描繪被視為理解發明所需之元件。需用於操作該設備但卻與理解發明不相關之元件(如:用於抽氣容器10的泵),儘管不顯示於圖式中,仍被視為存在。至少一真空或低壓壓力計13及一塗層塗覆測量裝置14(如:震盪石英)係與容器10之內部15相關。
塗覆設備100更包含一惰性氣體貯器21,及一個以上的塗覆材料貯器22和23。該等貯器或儲存容器21、22、及23中之每一者,係以可將留存在貯器或儲存容器中之氣態或汽化物質導入容器10的內部15之方式,以管71、72、及73其中相關聯的一者與容器10連接。設置在管71、72、及73中的控制閥41、42、及43允許控制或調節進入容器10之個別氣體或蒸氣的流動。在所顯示的實施例中,該等控制閥可選擇性地用於排氣貯器21、22、及23。在其他實施例中,獨立的閥係用於此目的。
設備100更包含一控制器80,該控制器適用於以例如控制引線61、62、63、64、65及訊號引線66及67控制或調節塗覆製程。根據需求,該控制器可適用於完全自動化或半自動化的塗覆製程,或可適用於選擇性全面或半自動化的塗覆控制。可使用例如與內部15相關聯的感應裝置之輸出訊號實現設備100的調節(部分)控制。例如:可以使用真空或低壓壓力計13控制閥41、42、及43,使得在容器10的內部15中維持所期望不變的氣體或蒸氣壓力以及同樣所期望的分壓。此外,控制裝置80可透過塗層塗覆測量裝置14監控塗層的累積,且當達到所期望的塗層厚度時,該控制裝置則終止塗覆動作。此外,根據製程的需求,控制器80通常配置用於控制高頻裝置11及12。
圖3的流程圖說明藉由塗覆聚丙烯酸來親水化晶體表面之製程的必要步驟。較佳地,聚合生物材料係用於製造晶體90或其表面區域,其中「生物材料」係指的是用於及適合於與生物組織或其他體液接觸的全部材料。
在步驟S0中之製備工件90後,在步驟S1中,初始地製備用於後續塗覆步驟的該工件表面,步驟S1選擇性地包含在容器10中清洗及配置該工件,並接著抽氣該容器。
為此,載有一個以上工件之容器10先以泵(圖未顯示)抽空,且較佳抽空至壓力最大為10-4mbar (10 mPa)。在達到期望的真空壓後,將容器的內部15注滿惰性氣體(該惰性氣體較佳為氬),並同時持續地抽氣,其中將該惰性氣體之流動調整成一抽氣速度,使得在容器10之內部15中維持不變的氣體壓力。將惰性氣體31從惰性氣體源21供應到容器。在實施例中,氬的氣體壓力係約25 mTorr(約 3,33 Pa)。在於容器的內部15中達到穩定的惰性氣體壓力後,將例如高壓產生器的電漿產生器開啟,藉此製造出圍繞著工件90的惰性氣體電漿。電漿藉由移除吸附到晶體表面的物質清洗晶體表面,且藉由形成有利於隨後聚合製程的離子與自由基而進一步地造成晶體表面的活化。然而在一些情況下,無反應氣體成分之初始電漿施加步驟則係非必需的。
倘若施加電漿,則可能會經由如一般所知的氣體電漿頻率、導入電漿中的功率、電漿的活化時間、及用於電漿之惰性氣體的種類而影響第一步驟S1的清洗及活化效果。適用於每個個別應用例子之設定可由熟習此技藝者決定。在目前所述之製程中,因氬使工件表面活化,卻不會產生新的、非期望的成分,故氬作為惰性氣體係較佳。合理地,若達到類似的效果,可使用如氮的其他惰性氣體取代。在示例性實施例中,對氬電漿的曝露時間係約1分鐘以下。在此時間後,可將電漿產生器關閉,而該製程繼續進行首次實際的塗覆步驟S2。不同於以上,取代純氬,用於工件預處理步驟之電漿係基於使用在隨後預塗覆步驟中之惰性氣體及反應成分的混合物而產生。該氣體混合物中之反應成分的分壓於此例子中應小於該惰性氣體分壓的十分之一。
當從該製程的步驟S1進行到步驟S2時,較佳維持進入容器內部的惰性氣體流,或選擇性地調整,使得其達到適用於執行步驟S2之值。為產生該氣體混合物,將由氣相之生物相容性、可聚合的含羧基單體所組成之塗覆材料氣體混合至容器10中的惰性氣體。含羧基單體可較佳係丙烯酸或丙烯酸前驅物,如:甲基丙烯酸酐。一些實施例中的第一塗覆材料氣體的分壓PeSG係至少該惰性氣體分壓pIG的四分之一,且最大為該惰性氣體分壓pIG的二倍。更佳的是,分壓比peSG:pIG係選自範圍1:1至 1:0.5。例如:一些實施例中之氬分壓在45 mTorr(約6 Pa)的氣體混合物之總壓下係30 mTorr(約4 Pa),如此造成氬分壓pAr對第一塗覆材料氣體分壓(反應成分分壓)PeSG之比為2:1。
較佳使用甲基丙烯酸酐作為用於產生該第一塗覆材料氣體的反應成分,,甲基丙烯酸酐在圖1中所示的貯器22或23其中一者中汽化,及經由管72或73導入容器10的內部15。塗覆材料氣體的分壓係經由其流入量調整,又經由閥42或43控制。合理地,可使用甲基丙烯酸取代甲基丙烯酸酐。分別將液態狀的甲基丙烯酸或甲基丙烯酸酐提供於貯器22或23中,如:150 mL的量。為分別避免丙烯酸或其前驅物材料的聚合作用,可對丙烯酸或其前驅物材料摻雜氯化銅(I)。此外,將在注滿後的反應成分貯器22及23中分別地脫氣,一直到氣泡不再出現於反應成分液體中為止。在22到25°C的普遍周圍溫度下的反應成分液體之蒸氣壓通常係足以形成該第一塗覆材料氣體。
在調整所期望的氣體混合物及氣體混合物的壓力之後,實際的預塗覆製程係經由啟動電漿產生器開始,藉此於電漿中所激發之丙烯酸單體會附接到潛在活化的工件表面,並在進一步過程中,形成一聚丙烯酸層。維持此電漿強化的預塗覆階段,直到達到所期望的塗層厚度為止。塗層的生長可以塗層塗覆測量裝置14監控。原則上,可塗覆帶有高達30 μm厚度的塗層,其中一旦塗層塗覆測量裝置14指示已達到於例如0.5到4□之特定公差範圍中之所期望塗層厚度時,則終止個別的塗覆製程。為親水化IOL,已證實帶有低至約0.5到4nm範圍中之厚度的預塗層係合適的。根據欲達成的塗層厚度,預塗覆階段可耗費小於10分鐘、小於3分鐘或小於1分鐘。氣體供應於電漿塗覆期間係較佳維持不變。預塗覆製程可藉由關閉電漿產生器終止。
在預塗覆步驟S2後,且在關閉電漿產生器後,於隨後塗覆步驟S3中一開始減少或中斷惰性氣體的供應,並將經預塗覆的工件表面較佳曝露至由無水丙烯酸所形成的反應成分之全蒸氣壓。反應成分之蒸氣壓不應小於5 Torr(約667 Pa)。輕微地冷卻(但並非將其凝固!)或謹慎地加熱貯器22或23中的反應成分之動作係適用於調整壓力。在全蒸氣壓下,將反應成分引入容器10中將提供大量的反應氣體,如此大量的反應氣體會與預塗覆表面存在的反應中心反應,並提供可能為結晶狀態的相對厚的聚丙烯酸層(PAA層)。
圖4中顯示一測量圖,可由該測量圖推知如上述製造的PAA-層具有約10μm厚度之情形。為執行此測量,親水性的PAA-層使用作為螢光染料的若丹明(Rhodamin)6G染色,並以共軛焦顯微鏡根據深淺度測量螢光性。如可由螢光訊號軌跡的右部所收集的,親水性層顯著地延伸至該工件的內部中。在測量位置處之圖4中所測得的(彎月形)晶體具有117.5 μm的厚度。測量的解析度係0.6 μm。可由獲得的數據得知,存在約10±0.6μm的表面塗層厚度,及約15到20±0.6μm每邊的滲透深度。以上所述之製程因此特別適合用於對矽氧樹脂IOL的塗覆,對矽氧樹脂的IOLS而言,表面的親水性、塗層的耐用性、及其光學特性係同等重要。
在步驟S4終止製程後,可從容器中移除有塗層的工件90,且該有塗層的工件90可選擇性地受到品質管制、清洗、及乾燥。
在IOL塗覆之前,將疏水性的晶體主體塑造成帶有二個彼此相反的凸的晶體表面,該等晶體表面分別與玻璃體或房水接觸,提供所需的屈光度數(refractive power)。使用經結合的PECVD(預塗覆步驟)和CVD(隨後的塗覆步驟)將塗層塗覆到從模塑工具取出後之完成的晶體表面,其中PEVCD指的是「電漿增強CVD」,及CVD指的是「化學汽相沉積」(即:並無或基本上無電漿的作用)。
以上所述之製程實現了由矽氧樹脂(或其他工件)製成之人工晶體之表面的耐久親水化作用,耐久親水化作用又允許極佳的利用水的濕潤作用,而因此允許高度的生物相容性。
熟習此技藝者能理解,在不背離隨附申請專利範圍的範疇的情況下,以上所述範例之諸多的調整以及改變係可能的。
1...晶體主體
2...親水性層
8...觸覺件
10...容器
11...電極(裝置)
12...電極(裝置)
13...壓力計
14...塗層塗覆測量裝置
15...內部
21...貯器/儲存容器/惰性氣體源
22...貯器/儲存容器
23...貯器/儲存容器
31...惰性氣體
41...閥
42...閥
43...閥
61...控制引線
62...控制引線
63...控制引線
64...控制引線
65...控制引線
66...訊號引線
67...訊號引線
71...管
72...管
73...管
80...控制器(裝置)
90...工件(晶體)
100...設備
本發明之進一步的特徵可從以下實施例說明結合申請專利範圍及圖式而更顯明白。本發明非僅限於如此所述的實施例,而係以隨附的申請專利範圍定義。具體來說,本發明實施例之個別特徵可以不同於以下範例中的數目或組合方式實現。在實施例的下列說明中,參照隨附圖式,其顯示:                                                                                                                                          圖1示意性地描述根據發明實施例之人工晶體的橫剖面圖;                                     圖2係說明用於聚合生物材料之生物相容性塗層之系統的示意圖;                                        圖3係說明以聚丙烯酸塗覆聚合生物材料的重要步驟之流程圖; 圖4係說明以根據圖3製程所達成之層厚度的螢光圖。
1...晶體主體
2...親水性層
8...觸覺件

Claims (19)

  1. 一種人工晶體,該人工晶體帶有由矽氧樹脂所製成之疏水性的一晶體主體(1),於該晶體主體之表面上塗覆一聚丙烯酸PAA的親水性層(2),其中於經塗覆之晶體表面處的水接觸角係小於10度。
  2. 如申請專利範圍第1項之人工晶體,其中該親水性層(2)係一PECVD/CVD雙重層。
  3. 如申請專利範圍第2項之人工晶體,其中較低的該PECVD層具有在50 及 400 □之間的厚度。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之人工晶體,其中該經塗覆之晶體表面的水接觸角具有在2到小於10度範圍中的角度值。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之人工晶體,其中該經塗覆之晶體表面的水接觸角具有低於2度的角度值。
  6. 如申請專利範圍第1到5項中之一者的人工晶體,其中該PAA層具有5-40μm的平均厚度。
  7. 如申請專利範圍第1到6項中之一者的人工晶體,其中該親水性層分子係存在於疏水性的該晶體主體(1)之表面區域中。
  8. 如申請專利範圍第1到7項中之一者的人工晶體,其中該親水性層(2)具有一折射率,該折射率與玻璃體折射率1.338相差不超過10%,及/或與該晶體主體(1)折射率相差不超過5% 。
  9. 如申請專利範圍第1到8項中之一者的人工晶體,其中該晶體主體(1)係可折疊或可捲曲的。
  10. 一種製程,用以親水化一人工晶體的多個表面,該製程包含下列步驟: (a)預處理該等晶體表面:以一高頻電漿清洗和活化該等晶體表面,該高頻電漿係以一惰性氣體為基礎而形成;及                                                                                           (b)預塗覆經該預處理的晶體表面:使用由一氣體混合物產生的一高頻電漿,以聚丙烯酸預塗覆經該預處理的晶體表面,其中該氣體混合物係由一惰性氣體及一第一氣體所組成,該第一氣體係由生物相容性、可聚合、含羧基之多個單體所組成;及                                                                                                    (c)隨後塗覆經該預塗覆的晶體表面;                                                                      其中根據步驟(b)的該預塗覆步驟係耗費小於10分鐘,及其中 根據步驟(c)之該隨後塗覆步驟係使用一第二氣體進行,該第二氣體實質上包含丙烯酸或丙烯酸酐單體。
  11. 如申請專利範圍第10項之製程,其中用於在步驟(a)產生高頻電漿的氣體包含一氣體量之該第一氣體,該氣體量對應小於該惰性氣體分壓十分之一之分壓。
  12. 一種製程,用以親水化一人工晶體的多個表面,該製程包含下列步驟: 預塗覆多個晶體表面:使用由一氣體混合物產生的一高頻電漿,以聚丙烯酸預塗覆該等晶體表面,其中該氣體混合物係由一惰性氣體及一第一氣體所組成,該第一氣體係由生物相容性、可聚合、含羧基之複數個單體所組成;及 隨後塗覆經該預塗覆的晶體表面; 其中根據步驟(b)的預塗覆步驟係耗費少於10分鐘,及其中 根據步驟(c)之隨後塗覆步驟係使用一第二氣體進行,該第二氣體實質上包含丙烯酸或丙烯酸酐單體。
  13. 如申請專利範圍第12項之製程,其中不具有在先的起始電漿活化步驟,該起始電漿活化步驟不具有該第一氣體、或具有低於10%之由該等單體形成的氣體。
  14. 如申請專利範圍第10到13項中之一者的製程,其中組成該第一氣體之該等單體係選自丙烯酸及丙烯酸酐。
  15. 如申請專利範圍第10到14項中之一者的製程,其中在步驟(b)所使用的該氣體混合物中,該第一氣體的分壓係至少該惰性氣體分壓的四分之一,且最大為該惰性氣體分壓的二倍。
  16. 如申請專利範圍第10到15項中之一者的製程,其中步驟(c)中使用的該第二氣體中之該惰性氣體的分壓係小於由丙烯酸或丙烯酸酐單體所形成之氣體分壓的十分之一。
  17. 如申請專利範圍第10到16項中之一者的製程,其中該人工晶體至少於其表面區域係由矽氧樹脂或矽水凝膠所形成。
  18. 如申請專利範圍第17項之製程,其中該人工晶體至少於其表面區域係由聚(二甲基矽氧烷)所形成。
  19. 如申請專利範圍第17項或18項之製程,更包含在塗覆該人工晶體前,形成帶有二個彼此相反的凸的晶體表面之該人工晶體的步驟,用於提供眼睛所需的屈光度數。
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