TW201444626A - 真空離心鑄造方法及其裝置 - Google Patents

Abstract

一種真空離心鑄造方法，用以改善以往真空鑄造方法之鑄材與鑄件間轉換比例不佳的問題，本發明的真空離心鑄造方法包含：將一殼模定位放置於一旋轉平台，該旋轉平台連接於一可軸向旋轉的轉軸；將一金屬錠放置於該殼模的坩堝部，並於在真空環境下加熱熔融該金屬錠；驅動該轉軸，以連動該旋轉平台轉動，使金屬液流入該殼模的模穴部中；從該旋轉平台上取下該澆鑄完成的殼模；破壞該殼模以取得一鑄件。該真空離心鑄造方法所搭配使用之真空離心鑄造裝置也一併揭露。

Description

真空離心鑄造方法及其裝置

本發明是關於一種精密鑄造的方法及其裝置，特別是一種真空離心鑄造方法及其裝置。

一般而言，精密鑄造大多於大氣中進行，藉由高週波感應熔解爐(High Frequency Induction Furnace)快速地將金屬錠熔融，再搭配靜態重力澆鑄為之。然而，當金屬錠含有鋁、銅、銀等活性金屬(Reactive Metal)時，由於活性金屬對氧的活性大，易於熔煉過程中與氧產生劇烈的氧化反應，造成鑄件具有渣孔或反應氣孔等缺陷；另一方面，劇烈的氧化反應也會造成金屬液在殼模內的流動性下降，易因澆鑄不足導致鑄件的成型良率降低，或是產生冷隔(Cold Shut)的問題而在鑄件中形成縫隙。

為解決上述問題，當金屬錠含有活性金屬時，熔煉過程通常會選擇在真空環境中進行，目前業界較常使用的真空鑄造大致上包含真空電弧熔煉(Vacuum Arc Melting)與感應凝殼熔煉(Induction Skull Melting)二種；然而，無論是真空電弧熔煉或感應凝殼熔煉，其熔煉過程中都會使用水冷銅坩堝來作為金屬錠熔融的載具，但水冷銅坩堝會降低金屬的過熱度(Degree of Superheat)，使金屬液重新在水冷銅坩堝的內表面凝固，並生成一層具有厚度的殼體(即所謂「凝殼」)，以致金屬錠轉換成鑄件的比例降低，形成鑄材的浪費而難以降低鑄造成本，特別是當金屬錠含有例如鈦、鎳或鈷等較為昂貴的成分時，如何提高鑄材與鑄件之間的轉換比例， 遂成為一項亟需改善的課題。

本發明之目的係提供一種真空離心鑄造方法及其裝置，可避免金屬液產生劇烈的氧化反應，並可提高鑄材與鑄件之間的轉換比例，避免浪費鑄材，以有效提升鑄件良率及降低鑄造成本。

為達到前述目的，本發明所運用之技術內容包含有：一種真空離心鑄造方法，包含：將一殼模定位放置於一旋轉平台，該殼模包含相連通的一坩堝部及一模穴部，且該旋轉平台連接於一可軸向旋轉的轉軸；將一金屬錠放置於該殼模的坩堝部，並於真空環境下將該金屬錠加熱熔融成金屬液；驅動該轉軸以連動該旋轉平台轉動，使熔融的金屬液流入該殼模的模穴部中；緩速停止該轉軸，並取下該澆鑄完成的殼模；破壞該殼模以取得一鑄件。

其中，該金屬錠可以為活性金屬。

其中，該殼模的成型步驟包含：準備一蠟胚，該蠟胚包含一坩堝胚及一鑄件胚，該坩堝胚的環周面設有一第一連接部，該鑄件胚設有一第二連接部，該第一連接部與該第二連接部相對連接成一體；於該蠟胚的表面形成一包覆層；對該蠟胚及包覆層加熱，以將蠟熔出；將該脫蠟完成的包覆層以高溫燒結而形成該殼模，並使該殼模具有一體相連之坩堝部與模穴部。

其中，該殼模的面層材料可以為氧化釔、安定氧化鋯或氧化鋁等耐火材料。

其中，該殼模的背層材料可以為莫來石混合物，其三氧化二鋁的含量為45%~60%，二氧化矽的含量為55%~40%。或者，該殼模的背層材料可以為二氧化矽混合物，其二氧化矽的含量達95%以上。

一種真空離心鑄造裝置，包含：一真空爐，內部具有一容室； 一轉軸，可軸向轉動地設於該容室中；一旋轉平台，設有相連接的一軸接部及一定位部，該旋轉平台由該軸接部連接該轉軸，以與該轉軸同步旋轉；一殼模，具有相連通的一坩堝部及一模穴部，該殼模定位放置於該旋轉平台的定位部，且該殼模的坩堝部較模穴部鄰近該旋轉平台的軸接部；及一加熱器，設於該容室中，用以對該殼模的坩堝部加熱。

其中，該轉軸可以分為一本體及一止轉部，該本體與止轉部的徑向截面形狀不同，以於二者交界處形成一抵靠部，該旋轉平台結合於該止轉部並抵接於該抵靠部。

其中，該旋轉平台的軸接部可以設有一穿孔，該穿孔的徑向截面形態與該轉軸的止轉部的徑向截面形態相匹配，該旋轉平台由該軸接部的穿孔套合連接該轉軸的止轉部。

其中，該旋轉平台的定位部可以包含一坩堝定位部及一模穴定位部，該坩堝定位部位於該軸接部與該模穴定位部之間，該軸接部、坩堝定位部及模穴定位部係依該轉軸的徑向延伸排列。

其中，該坩堝定位部可以設有一穿置孔，該殼模的坩堝部穿伸於該穿置孔中，該模穴定位部則可以設有一容槽，以容置該殼模的模穴部。

其中，該殼模的坩堝部內部具有一容置空間，該坩堝部的環周面設有一第一連接管，該第一連接管連通該容置空間；該殼模的模穴部內部具有一模穴，該模穴部設有一第二連接管，該第二連接管連通該模穴；該第一連接管與該第二連接管相對接以連通該容置空間與該模穴。

其中，該殼模的坩堝部與模穴部可以呈一體相連的形態。

其中，該殼模相互對接的第一連接管與第二連接管可以由一套環連接固定。

其中，該殼模的坩堝部可以在內側壁面凸設一環唇，該環唇 位於該坩堝部頂緣與第一連接管之間。

其中，該環唇可以沿著該坩堝部的徑向延伸。

其中，該第一連接管可以連接於該坩堝部的頂緣處，該環唇可以設於該坩堝部的頂緣。

其中，該加熱器可以為一高週波線圈，並可以由一升降控制器帶動該加熱器在該容室中移動，以控制該加熱器環繞於該殼模的坩堝部外周與否。

據此，本發明的真空離心鑄造方法及其裝置，可以在真空環境中熔煉金屬液，避免金屬液產生劇烈的氧化反應，以提升鑄件的良率；同時，還可利用離心力將熔融的金屬液確實地澆灌填充入殼模的模穴，以提高鑄材與鑄件之間的轉換比例，避免浪費鑄材而降低鑄造成本。

1‧‧‧真空爐

11‧‧‧容室

12‧‧‧導氣管

13‧‧‧開口

14‧‧‧蓋體

2‧‧‧轉軸

21‧‧‧本體

22‧‧‧止轉部

23‧‧‧抵靠部

3‧‧‧旋轉平台

31‧‧‧軸接部

311‧‧‧穿孔

32‧‧‧定位部

32a‧‧‧坩堝定位部

32b‧‧‧模穴定位部

321‧‧‧穿置孔

322‧‧‧容槽

4、4’、4”‧‧‧殼模

41、41’、41”‧‧‧坩堝部

411、411’、411”‧‧‧容置空間

412、412’、412”‧‧‧第一連接管

413‧‧‧環唇

42、42’、42”‧‧‧模穴部

421、421’、421”‧‧‧模穴

422、422’、422”‧‧‧第二連接管

5‧‧‧加熱器

6‧‧‧蠟胚

61‧‧‧坩堝胚

611‧‧‧第一連接部

62‧‧‧鑄件胚

621‧‧‧第二連接部

7‧‧‧包覆層

8‧‧‧套環

M‧‧‧馬達

B‧‧‧軸承

L‧‧‧升降控制器

P‧‧‧金屬錠

N‧‧‧金屬液

第1圖：本發明真空離心鑄造裝置的結構示意圖。

第2圖：本發明真空離心鑄造裝置的局部立體分解圖。

第3圖：本發明真空離心鑄造方法的實施示意圖(一)。

第4圖：本發明真空離心鑄造裝置的殼模成型流程示意圖。

第5圖：本發明真空離心鑄造方法的實施示意圖(二)。

第6圖：本發明真空離心鑄造方法的實施示意圖(三)。

第7圖：本發明真空離心鑄造裝置另一實施例的側剖結構示意圖。

第8圖：本發明真空離心鑄造裝置再一實施例的側剖結構示意圖。

為讓本發明之上述及其他目的、特徵及優點能更明顯易懂， 下文特舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：請參照第1圖，其係本發明之真空離心鑄造方法及其裝置的第一較佳實施例。其中，該真空離心鑄造裝置包含一真空爐1、一轉軸2、一旋轉平台3、一殼模4及一加熱器5；該轉軸2、旋轉平台3、殼模4及加熱器5均設於該真空爐1中，該旋轉平台3連接該轉軸2以與該轉軸2同步旋轉，該殼模4定位放置於該旋轉平台3，該加熱器5則用以對該殼模4加熱。

請參照第1圖，上述真空爐1的內部具有一容室11，該真空爐1可設有一導氣管12，該導氣管12與該容室11相連通，一真空控制器(圖未繪示)可依據設定值，透過該導氣管12而向該容室11抽氣，以控制該容室11的真空度。另，該真空爐1還可設有一開口13，以供使用者向該容室11置入或取出物品，及設有一蓋體14以啟閉該開口13。

請參照第1、2圖，上述轉軸2係可軸向轉動地設於該真空爐1的容室11中；在本實施例中，該轉軸2可與一馬達M的輸出端相連，以由該馬達M驅動旋轉。又，該馬達M可以選擇設於該真空爐1的外部，該轉軸2的一端穿伸出該真空爐1以連接該馬達M；該轉軸2可穿置於一軸承B中，該軸承B可連接定位於該真空爐1，以輔助提升該轉軸2的旋轉穩定性，防止該轉軸2轉動時產生偏擺的情況。

此外，該轉軸2位於該容室11中的部分可分為一本體21及一止轉部22，該本體21與止轉部22的徑向截面形狀不同，以於二者交界處形成一抵靠部23，以供該旋轉平台3結合於該止轉部22並抵接於該抵靠部23，使該旋轉平台3能隨該轉軸2產生同步旋轉；在本實施例中，該本體21的徑向截面可以呈圓形態樣，該止轉部22可以設於該轉軸2的端部，該止轉部22的徑向截面則呈非圓形態樣，以供該旋轉平台3套接結合於該止轉部22並抵接於該抵靠部23。

請參照第2、3圖，上述旋轉平台3係用以供上述殼模4定位放置的載具，該旋轉平台3設有相連接的一軸接部31及一定位部32；在本實施例中，該軸接部31可設有一穿孔311，該穿孔311的徑向截面形態較佳與該轉軸2的止轉部22的徑向截面形態相匹配，以供該旋轉平台3透過該軸接部31的穿孔311套合連接該轉軸2的止轉部22。該旋轉平台3的定位部32可以概分為一坩堝定位部32a及一模穴定位部32b，該坩堝定位部32a位於該軸接部31與該模穴定位部32b之間，且該軸接部31、坩堝定位部32a及模穴定位部32b係依該轉軸2的徑向延伸排列；又，該坩堝定位部32a可設有一穿置孔321，以供該殼模4的一部分穿伸於其中，該模穴定位部32b則可設有一容槽322，以容置該殼模4的另外一部分。

請參照第2、3圖，上述殼模4具有相連通的一坩堝部41及一模穴部42，該坩堝部41係供容置欲加熱熔融的金屬錠，該模穴部42則是用以成型鑄件的部位；該殼模4的坩堝部41可定位放置於該旋轉平台3的坩堝定位部32a，該殼模4的模穴部42則可定位放置於該旋轉平台3的模穴定位部32b，使該殼模4的坩堝部41較模穴部42更鄰近於該旋轉平台3的軸接部31。

更詳言之，該坩堝部41可概呈杯狀而於內部形成一容置空間411，該坩堝部41的環周面另設有一第一連接管412，該第一連接管412連通該容置空間411；該模穴部42的外型不特別限制，該模穴部42的內部具有一模穴421，該模穴421的形態與所欲鑄造成型的鑄件相匹配，該鑄件可例如為一高爾夫球桿頭或一渦輪葉片，該模穴部42另設有一第二連接管422，該第二連接管422連通該模穴421，且該坩堝部41與模穴部42由該第一連接管412及第二連接管422相對接，使該容置空間411得以與該模穴421相連通；在本實施例中，該殼模4的坩堝部41與模穴部42可以呈一體相連的形態(其製造方法容後詳述)。

請參照第1、3圖，上述加熱器5設於該真空爐1的容室11中，用以對該殼模4的坩堝部41加熱。在本實施例中，該加熱器5可選擇為一高週波線圈，並由一升降控制器L帶動該加熱器5在該容室11中移動；須加熱該殼模4的坩堝部41時，該加熱器5可被帶動上升至一預設位置，以環繞於該坩堝部41的外周，並啟動該加熱器5，使該坩堝部41被加熱升溫；加熱完畢後，該加熱器5則可以被該升降控制器L帶動下降，使該加熱器5不再環繞於該坩堝部41的外周，以免干擾該殼模4隨該旋轉平台3及該轉軸2之旋轉動作。

據由前述結構，本發明可實施一種真空離心鑄造方法，該方法大致上包含以下步驟：請參照第1至3圖，將一殼模4定位放置於一旋轉平台3，且該旋轉平台3連接於一可軸向旋轉的轉軸2。更詳言之，該旋轉平台3可設於一真空爐1中，以便控制該殼模4所處空間的真空度；另，該殼模4包含相連通的一坩堝部41及一模穴部42，該殼模4可由該坩堝部41穿伸於該旋轉平台3的穿置孔321中，並由該坩堝部41的第一連接管412抵接於該旋轉平台3，該殼模4的模穴部42則可置放於該旋轉平台3的容槽322，使該殼模4能穩固定位於該旋轉平台3上的預設位置。以及，將一金屬錠P放置於該殼模4的坩堝部41中，該金屬錠P可以為活性金屬，例如鈦合金、鈦鋁合金、鎳基合金、鈷基合金、鋁合金、鋯合金或鐵基合金等。

其中，本較佳實施例中的殼模4，其坩堝部41與模穴部42係呈一體相連的形態；請參照第4圖，該殼模4的成型步驟為：準備一蠟胚6，該蠟胚6包含一坩堝胚61及一鑄件胚62，該坩堝胚61的環周面設有一第一連接部611，該鑄件胚62則設有一第二連接部621，該坩堝胚61與鑄件胚62由該第一連接部611及第二連接部621相對連接成一體。對該蠟胚6進行沾漿、淋砂或黏砂等流程，於該蠟胚6的表面形成一包覆層7。 對該蠟胚6及包覆層7加熱，以將蠟熔出；舉例而言，可將該蠟胚6與包覆層7一併置入一蒸氣釜內加熱，使該蠟胚6熔化以便從該包覆層7中排出。將該脫蠟完成的包覆層7以高溫燒結而形成所述殼模4，並使該殼模4具有一體相連之坩堝部41與模穴部42。其中，該殼模4的面層材料可選用氧化釔、安定氧化鋯或氧化鋁等耐火材料，該殼模4的背層材料則可選用莫來石(3Al₂O₃-2SiO₂)或二氧化矽作為耐火材料；又，當背層材料選用莫來石混合物時，其三氧化二鋁的含量較佳為45%~60%，二氧化矽的含量較佳為55%~40%；當背層材料選用二氧化矽混合物時，其二氧化矽的含量較佳可達95%以上。本較佳實施例可藉由使坩堝部41與模穴部42一體相連之殼模4，不必再專為坩堝及鑄件開設分別製造其對應殼模的生產線，也可以省去對接該二殼模時所需使用到的套管，從而有效降低製造成本；再且，還可直接將燒結完成的殼模4不需要預熱即直接進行後續的澆鑄動作，以降低發生因線圈對金屬感應產生熱震(Thermal Shock)致使殼模破裂的機會。

請參照第1、5圖，於真空環境下將該金屬錠P加熱熔融成金屬液N。更詳言之，在該殼模4安置定位後，該加熱器5可被帶動上升至一預設位置，以環繞於該坩堝部41的外周；同時，該真空爐1的導氣管12可向該容室11抽氣，以控制該容室11的真空度。待真空度達到預設值(例如真空度小於0.3mbar)後，可啟動該加熱器5，使該殼模4的坩堝部41被加熱升溫，令該坩堝部41中的金屬錠P能熔融成金屬液N；其中，該加熱器5作動時，其電源供應器的頻率可例如為4kHz~30kHz，功率為5kW~100kW。在金屬錠P都熔融成金屬液N後，該加熱器5則停止作動，並快速地被帶動下降，使該加熱器5不再環繞於該坩堝部41的外周。

請參照第1、6圖，驅動該轉軸2以連動該旋轉平台3轉動，使熔融的金屬液N流入該殼模4的模穴部42中。更詳言之，該轉軸2可 由該馬達M驅動以產生軸向旋轉，其轉速約為200rpm~700rpm，該轉速可依據鑄件的厚度(即該模穴421的空間大小)進行調整；當該旋轉平台3受連動而以該轉軸2為軸心轉動時，在旋轉過程中，金屬液N可受離心力作用而沿著該殼模4的坩堝部41的內側壁面，通過該殼模4一體相連的第一連接管412及第二連接管422，流入該模穴部42中以進行澆鑄的動作，進而填充該模穴421。澆鑄完成後，可緩速停止該轉軸2，並將該殼模4從該旋轉平台3上取下，續將該殼模4破壞以取得所述鑄件。

是以，本發明之真空離心鑄造方法，可在熔融的金屬液N再度凝固前，利用離心力將金屬液N確實地澆灌填充入殼模4的模穴421，以避免發生部分金屬液N在坩堝部41中凝固形成凝殼的狀況，故能有效提高鑄材(即該金屬錠P)與鑄件之間的轉換比例，避免浪費鑄材以降低鑄造成本。

另，本發明之真空離心鑄造裝置還可有其他變化以增進或提供不同功效，茲以下列第二、第三較佳實施例舉例說明之；其中，本發明真空離心鑄造裝置的第二、第三較佳實施例，同樣可用以實施前述的真空離心鑄造方法，故以下不再詳述。

請參照第7圖，其係本發明之真空離心鑄造裝置的第二較佳實施例，該第二較佳實施例大致上同於前述第一較佳實施例，其主要差異在於：在第二較佳實施例中，殼模4’的坩堝部41’及模穴部42’可分別製作，並以一可耐熱的套環8(例如：石墨套環)將相互對接的第一連接管412’與第二連接管422’連接固定。此裝置的優點在於：完成澆注後，該殼模4’的坩堝部41’與模穴部42’可再度分離，僅需破壞該模穴部42’即可取得鑄件，亦即，該坩堝部41’可重複使用，能降低製造成本。

請參照第8圖，其係本發明之真空離心鑄造裝置的第三較佳實施例，該第三較佳實施例大致上同於前述第一較佳實施例，其主要差異 在於：在第三較佳實施例中，殼模4”的坩堝部41”可以在內側壁面凸設一環唇413，該環唇413較佳沿著該坩堝部41”的徑向延伸，且該環唇413位於該坩堝部41”頂緣與第一連接管412”之間，以確保該環唇413不會影響熔融的金屬液N(請配合參照第5圖)流向該模穴部42”的順暢度，同時還能提供擋止的效果，避免金屬液N受離心力作用而流至該坩堝部41”的內側壁面時，發生金屬液N向外潑濺的情況；其中，本實施例可選擇使該第一連接管412”連接於該坩堝部41”的頂緣處，並將該環唇413設於該坩堝部41”的頂緣，以縮減該坩堝部41”的體積與重量，避免浪費不必要的材料成本。此外，也可以選擇在該坩堝部41”的頂部直接加設一蓋體(圖未繪示)，以同樣達到防止金屬液N向外潑濺的效果。

綜上所述，本發明真空離心鑄造方法及其裝置，可在真空環境中熔煉金屬液，避免金屬液產生劇烈的氧化反應，以提升鑄件的良率；同時，還可利用離心力將熔融的金屬液確實地澆灌填充入殼模的模穴，避免發生部分金屬液在坩堝部中凝固形成凝殼的狀況，故能有效提高鑄材與鑄件之間的轉換比例，避免浪費鑄材以降低鑄造成本。

雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

2‧‧‧轉軸

21‧‧‧本體

22‧‧‧止轉部

23‧‧‧抵靠部

3‧‧‧旋轉平台

31‧‧‧軸接部

311‧‧‧穿孔

32‧‧‧定位部

32a‧‧‧坩堝定位部

32b‧‧‧模穴定位部

321‧‧‧穿置孔

322‧‧‧容槽

4‧‧‧殼模

41‧‧‧坩堝部

411‧‧‧容置空間

412‧‧‧第一連接管

42‧‧‧模穴部

422‧‧‧第二連接管

5‧‧‧加熱器

Claims (18)

1. 一種真空離心鑄造方法，包含：將一殼模定位放置於一旋轉平台，該殼模包含相連通的一坩堝部及一模穴部，且該旋轉平台連接於一可軸向旋轉的轉軸；將一金屬錠放置於該殼模的坩堝部，並於真空環境下將該金屬錠加熱熔融成金屬液；驅動該轉軸以連動該旋轉平台轉動，使熔融的金屬液流入該殼模的模穴部中；緩速停止該轉軸，並取下該澆鑄完成的殼模；破壞該殼模以取得一鑄件。
2. 如申請專利範圍第1項所述之真空離心鑄造方法，其中，該金屬錠為活性金屬。
3. 如申請專利範圍第1項所述之真空離心鑄造方法，其中，該殼模的成型步驟包含：準備一蠟胚，該蠟胚包含一坩堝胚及一鑄件胚，該坩堝胚的環周面設有一第一連接部，該鑄件胚設有一第二連接部，該第一連接部與該第二連接部相對連接成一體；於該蠟胚的表面形成一包覆層；對該蠟胚及包覆層加熱，以將蠟熔出；將該脫蠟完成的包覆層以高溫燒結而形成該殼模，並使該殼模具有一體相連之坩堝部與模穴部。
4. 如申請專利範圍第1項所述之真空離心鑄造方法，其中，該殼模的面層材料為氧化釔、安定氧化鋯或氧化鋁等耐火材料。
5. 如申請專利範圍第1項所述之真空離心鑄造方法，其中，該殼模的背層材料為莫來石混合物，其三氧化二鋁的含量為45%~60%，二氧化矽的含量為55%~40%。
6. 如申請專利範圍第1項所述之真空離心鑄造方法，其中，該殼模的背層材料為二氧化矽混合物，其二氧化矽的含量達95%以上。
7. 一種真空離心鑄造裝置，包含：一真空爐，內部具有一容室；一轉軸，可軸向轉動地設於該容室中；一旋轉平台，設有相連接的一軸接部及一定位部，該旋轉平台由該軸接部連接該轉軸，以與該轉軸同步旋轉；一殼模，具有相連通的一坩堝部及一模穴部，該殼模定位放置於該旋轉平台的定位部，且該殼模的坩堝部較模穴部鄰近該旋轉平台的軸接部；及一加熱器，設於該容室中，用以對該殼模的坩堝部加熱。
8. 如申請專利範圍第7項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該轉軸分為一本體及一止轉部，該本體與止轉部的徑向截面形狀不同，以於二者交界處形成一抵靠部，該旋轉平台結合於該止轉部並抵接於該抵靠部。
9. 如申請專利範圍第8項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該旋轉平台的軸接部設有一穿孔，該穿孔的徑向截面形態與該轉軸的止轉部的徑向截面形態相匹配，該旋轉平台由該軸接部的穿孔套合連接該轉軸的止轉部。
10. 如申請專利範圍第7項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該旋轉平台的定位部包含一坩堝定位部及一模穴定位部，該坩堝定位部位於該軸接部與該模穴定位部之間，該軸接部、坩堝定位部及模穴定位部係依該轉軸的徑向延伸排列。
11. 如申請專利範圍第10項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該坩堝定位部設有一穿置孔，該殼模的坩堝部穿伸於該穿置孔中，該模穴定位部則設有一容槽，以容置該殼模的模穴部。
12. 如申請專利範圍第7項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該殼模的 坩堝部內部具有一容置空間，該坩堝部的環周面設有一第一連接管，該第一連接管連通該容置空間；該殼模的模穴部內部具有一模穴，該模穴部設有一第二連接管，該第二連接管連通該模穴；該第一連接管與該第二連接管相對接以連通該容置空間與該模穴。
13. 如申請專利範圍第12項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該殼模的坩堝部與模穴部係呈一體相連的形態。
14. 如申請專利範圍第12項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該殼模相互對接的第一連接管與第二連接管由一套環連接固定。
15. 如申請專利範圍第12、13或14項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該殼模的坩堝部在內側壁面凸設一環唇，該環唇位於該坩堝部頂緣與第一連接管之間。
16. 如申請專利範圍第15項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該環唇係沿著該坩堝部的徑向延伸。
17. 如申請專利範圍第15項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該第一連接管連接於該坩堝部的頂緣處，該環唇設於該坩堝部的頂緣。
18. 如申請專利範圍第7至14項之任一項所述之真空離心鑄造裝置，其中，該加熱器為一高週波線圈，並由一升降控制器帶動該加熱器在該容室中移動，以控制該加熱器環繞於該殼模的坩堝部外周與否。