TW201443402A - 標準光源及測定方法 - Google Patents

Abstract

提供更簡易構成的新標準光源及使用其標準光源的測量方法，適於具有不同於習知的標準光源之配光特性的光源的總光通量測量。標準光源(10)，包括發光部(14)、與發光部電性連接的供電部(18)、以及設置於發光部與供電部之間並控制從發光部放射的光往供電部側傳送之控制部(16)。控制部在來自發光部的光入射的表面，構成為擴散反射。

Description

標準光源及測定方法

本發明係關於用以測量光源的總光通量等的光學特性之標準光源及使用其標準光源的測量方法。

一直以來，評估總光通量(流明：lm)作為光源或照明器具的光學特性之一。一般的總光通量測量中，其總光通量的值使用已知的(即，預先校正的)標準光源。更具體而言，相同的測量系統(典型地，積分球)中，藉由比較在點亮標準光源的狀態下測量的總光通量(或照度)、點亮測量對象的光源的狀態下測量的總光通量(或照度)，算出關於測量對象的光源之總光通量的值。

近年來，LED(發光二極體)或有機EL(電致發光)等的新發光元件不斷普及。如此的發光元件，具有與習知的螢光燈或白熱電球等不同的配光特性。隨著如此的配光特性不同，提議適於LED或有機EL等的總光通量測量之新標準光源(例如，入江優池等人「2π配光總光通量標準光源的檢討」，平成23年度(第44回)照明學會全國大會預備稿集11-6，2011年9月，及神門賢二等人「高強度LED校正用標準LED的開發」，平成23年度(第44回)照明學會全國大會預備稿集11-9，2011 年9月)。

上述的文獻中提議的標準光源，根據LED的配光特性，以專用設計為前提。如此的標準光源，不同於習知的電球型的標準光源，其構造複雜化。又，上述文獻中揭示的標準光源，由於包含光源部與積分球，作為標準光源，非發光的構造物相對變大。

本發明係考慮如此的狀況而形成，其目的係提供更簡易構成的新標準光源及使用其標準光源的測量方法，適於具有不同於習知的標準光源之配光特性的光源的總光通量測量。

根據本發明具有的形態的標準光源，包括發光部、與發光部電性連接的供電部、以及設置於發光部與供電部之間並控制從發光部放射的光往供電部側傳送之控制部。控制部在來自發光部的光入射的表面，構成為擴散反射。

垂直於通過發光部及供電部的光軸之方向中，控制部的剖面積最好根據發光部的配光分佈而決定。

控制部，最好具有來自發光部的光入射的平坦表面。

或是，控制部，最好具有來自發光部的光入射的凹狀表面。

標準光源，最好更包含罩子，覆蓋包含控制部的表面及發光部的空間。

根據本發明其他形態的測量方法，包含準備校正的標準光源之步驟；測量裝置中安裝標準光源的同時，在點亮 狀態下測量標準光源的光學特性值之步驟；測量裝置中安裝測量對象的光源的同時，在點亮狀態下測量測量對象的光源的光學特性值之步驟；以及根據標準光源的測量光學特性值、測量對象的光源的測量光學特性值、以及以標準光源定值的光學特性值，決定測量對象的光源的光學特性值之步驟。標準光源，包括發光部、與發光部電性連接的供電部、以及設置於發光部與供電部之間並控制從發光部放射的光往供電部側傳送之控制部。控制部在來自發光部的光入射的表面，構成為擴散反射。

本發明的上述及其他目的、特徵、形態及優點，根據關聯附加的圖面而理解有關本發明的以下詳細的說明，應變得清楚。

1、2‧‧‧樣品光源

10‧‧‧標準光源

12‧‧‧本體部

14‧‧‧發光部

16‧‧‧配光控制板

16a‧‧‧表面

18‧‧‧供電部(電極部)

20‧‧‧配光特性

22‧‧‧配光特性

30‧‧‧標準光源

30A‧‧‧標準光源

32‧‧‧本體部

34‧‧‧發光部

36‧‧‧配光控制板

36a‧‧‧表面

38‧‧‧電極部

40‧‧‧配光特性

42‧‧‧配光特性

50‧‧‧保護圓頂

100‧‧‧積分球

102‧‧‧光源支持部

104‧‧‧隔板

106‧‧‧隔板支持部

108‧‧‧分光測量器

110‧‧‧標準光源

120‧‧‧樣品光源

200‧‧‧積分半球

202‧‧‧平面鏡子

204‧‧‧隔板

208‧‧‧分光測量器

230‧‧‧虛像

A1、A2‧‧‧LED電球

B1、B2‧‧‧LED電球

X1、X2‧‧‧軸

[第1A圖及1B圖]係顯示市售的LED電球的配光特性之測量例；[第2A圖及2C圖]係顯示總光通量的測量系統之模式圖；[第3A圖及3B圖]係顯示使用使用積分球的測量系統及使用積分半球的測量系統的總光通量的測量結果之一範例圖；[第4A圖及4B圖]係用以說明根據第一實施例的標準光源之模式圖；[第5A圖及5B圖]係用以說明根據第二實施例的標準光源之模式圖；[第6圖]係用以說明根據第三實施例的標準光源之模式圖；以及 [第7圖]係顯示對於使用本實施例的標準光源的樣品光源之總光通量測量的處理程序流程圖。

關於本發明的實施例，一邊參照圖面，一邊詳細說明。又，關於圖中相同或相當的部分，附以相同符號，不重複說明。

<A.背景技術>

首先，說明關聯於本實施例的背景技術。

例如，市售的LED電球的配光特性，主要根據其發光部的形狀等，區分為4π配光及2π配光。所謂「4π配光」，意指存在於遍及從光源放射的光通量以其光源為中心的4π空間(從光源看來4π的立體角的範圍)之配光特性，所謂「2π配光」，意指存在於從光源放射的光通量以其光源為中心的只有2π空間(從光源看來2π的立體角的範圍)之配光特性。即，沿著光源的放射軸(光軸)，只在前側放射光通量的光源的配光特性，成為2π配光，而除了前側加上後側也放射光通量的光源的配光特性，成為4π配光。

市售的LED電球中，關於具有4π配光及2π配光的配光特性之2個樣品光源1及2，實際測量的配光特性顯示於第1A及1B圖。第1A圖所示的樣品光源1(4π配光)，採用國際牌(Panasonic)LED電球(<全方向型>亮度電球40W型相當(485lm)/品號LDA7DG)，而第1B圖所示的樣品光源2(2π配光)，採用國際牌(Panasonic)LED電球(<下方向型>亮度電球60W型相當(825lm)/品號LDA9DH)。

第1A圖及1B圖中，合併顯示用於總光通量測量的標準光源配光特性的一範例。一般而言，標準光源，使用總光譜輻射通量具有已知的4π配光的配光特性之標準電球。此標準光源，係採用Gilway公司製造187(附透鏡的超小型氪電球)。

如第1A圖所示，4π配光的LED電球，具有類似標準光源的配光特性之配光特性，而如第1B圖所示，2π配光的LED電球，具有與標準光源的配光特性大不同之配光特性。

執行光源或照明器具(以下總稱為「樣品光源」)的總光通量測量時，一般而言，使用組合積分球與光譜測量器的球形光通量計。即，使用如此的球形光通量計及標準光源(典型地，如第1A圖所示的4π配光)，測量樣品光源的總光通量。使用如此的測量系統，測量具有大不同於標準光源配光特性之配光特性的2π配光的LED電球(例如，第1B圖所示的樣品光源2)的總光通量時，受到積分球大小的影響或積分球內部的構造物的影響，可能發生測量誤差。

第2A~2C圖，係顯示總光通量的測量系統之模式圖。第2A圖及2B圖中，顯示使用積分球的構成例，而第2C圖中，顯示使用積分半球的構成例。

第2A圖及2B圖所示的測量系統之中，使用光源支持部102，在積分球100的內部配置光源(標準光源及樣品光源)的同時，點亮光源的狀態下，從積分球100的內壁面的一部分取出光，由光譜測量器108測量其部分的照度。此時，在兩者之間配置隔板104，以免從光源放射的光直接入射至光譜 測量器108。隔板104由隔板支持部106在既定的位置決定位置。

第2A圖中，顯示的範例係具有4π配光的配光特性(符號112的虛線所示的配光分佈)之標準光源110安裝至光源支持部102。此範例中，從標準光源110放射的光中，往標準光源110的後方(紙面上方向)放射的光(或，其光在積分球100的內壁面反射而產生的1次反射光)的一部分，入射至光源支持部102及/或隔板支持部106。例如，從標準光源110放射的一部分的光，在積分球100的內壁面反射(符號114)，更在光源支持部102反射(符號116)。即，具有4π配光的配光特性之標準光源110在積分球100內點亮時，容易受到積分球100內部的構造物產生的反射或吸收的影響。

第2B圖中，顯示的範例係具有2π配光的配光特性(符號122的虛線所示的配光分佈)之樣品光源120安裝至光源支持部102。樣品光源120中，因為向樣品光源120的後方(紙面上方向)放射的光不存在，難以產生如第2A圖所示的光源支持部102及/或隔板支持部106中的光反射或吸收。因此，2π配光的樣品光源120的總光通量測量中，積分球100內部的構造物產生的影響，可以說比4π配光的標準光源110的總光通量測量小。又，從2π配光的樣品光源120往水平方向(紙面左右方向)放射的光，比起4π配光的標準光源110為極小。因此，存在於品光源120的水平方向之隔板104產生的影響也變小。

如第2A及2B圖所示，測量4π配光的標準光源110之際發生在積分球100內部產生的損失比例，與測量2π 配光的樣品光源120之際發生在積分球100內部產生的損失比例不同。即，由於配光特性大不同，不能保持測量條件的相同性。

另一方面，第2C圖中，使用積分半球200的測量系統中，在平面鏡子202的中心部配置光源。點亮光源的狀態中，從積分半球200的內壁面的一部分取出光，其部分的照度以光譜測量器208測量。此時，兩者之間配置隔板204，以免從光源放射的光直接入射至光譜測量器208。又，詳細有關使用積分半球200的測量系統，參照日本平成6年第167388號專利公開公報或日本第2008-292497號專利公開公報。

如第2C圖所示，光學上以積分半球200圍起的積分空間(實像)的虛像230由平面鏡子202產生。根據積分半球200與虛像230，使用積分半球200的測量系統也實質地實現與第2A及2B圖所示的積分球100提供的積分空間相同的積分空間。此外，使用積分半球200的測量系統中，不使用光源支持部102，而可以配置光源於中心部。光學上來看，不同於第2A及2B圖所示的積分球100，不存在從內壁面突出的光源支持部102，可以降低光源支持部102產生的影響。

即，即使安裝2π配光的樣品光源120並點亮時，由於虛像230，也與安裝4π配光的標準光源110並點亮時相同，因為照明內壁面的全體，即使配光特性不同，被認為對測量結果的影響變得更小。

其次，分別利用使用積分球的測量系統及使用積分半球的測量系統，顯示樣品光源的總光通量的結果的一範 例。第3A及3B圖，係顯示利用使用積分球的測量系統及使用積分半球的測量系統之總光通量測量結果的一範例圖。第3A圖中，顯示關於4π配光的2種類的LED電球(LED電球A1及A2)之測量結果，而第3B圖中，顯示關於2π配光的2種類的LED電球(LED電球B1及B2)之測量結果。

第3A及3B圖中，為了評估測量系統的不同所產生對精確度的影響，在相同的標準光源(4π配光)的條件下，以對比可能顯示使用第2C圖所示的積分半球200的測量系統(1種類)以及使用第2A及2B圖所示的積分球100的測量系統(4種類)共5個測量系統中之分別的測量結果。使用積分球100的測量系統，使用其直徑為2.0m(公尺)、1.6m、1.0m的不同的3種類積分球的同時，藉由以2mm(毫米)直徑的供電線懸掛，配置樣品光源於積分球的中心。但是，關於直徑2.0m的積分球，也進行測量關於使用直徑40mm的光源支持部102配置樣品光源於積分球的中心之情況。

第3A及3B圖中，關於樣品光源與測量系統的各個組合，進行複數次的測量，顯示據此得到的測量結果統計處理的結果。第3A及3B圖的縱軸，顯示測量得到的總光通量除以對應的光譜(總光通量)得到的比例(相對總光通量)。意味此比例愈小，測量系統中的損失愈大。

第3A及3B圖中，顯示擴張不確定(包含係數k=2)的範圍為誤差線。

首先，如第3A圖所示，關於具有與標準電球同樣的4π配光的配光特性之LED電球A1及A2，明白在任一的測 量系統中，在誤差±%以內一致。即，標準電球及樣品光源的配光特性都是4π配光的話，不受積分球的大小或構造影響，可以說可適當測量總光通量。

相對於此，關於具有與標準電球不同的2π配光的配光特性之LED電球B1及B2，如第3B圖所示，明白依存於積分球的大小或構造，總光通量的測量值受到影響。即，如參照第2A及2B圖說明的，例如光源支持部產生的反射或吸收，以及積分空間的小型化產生的損失比例相對增加等為原因。即，關於LED電球B1及B2的總光通量的測量值中，產生依存於積分球大小的傾向的理由，被認為是標準電球與樣品光源之間的配光特性不同。

因此，與標準電球配光特性不同的LED電球或照明器具等的樣品光源的總光通量，使用積分球與光譜測量器組合的球形光通量計測量時，具有產生相對大的測量誤差的課題。

<B.概要>

根據本實施例，提供具有與習知的標準光源不同的配光特性之LED電球等的光源的總光通量測量所適合的標準光源。本實施例中的標準光源，如後述，可以以更簡易的構成實施。

更具體而言，根據本實施例的標準光源，包括發光部、與發光部電性連接的供電部、以及設置於發光部與供電部之間並控制從發光部放射的光往供電部側傳送之控制部。此控制部在來自發光部的光入射的表面，構成為擴散反射。

根據如此的構成，基本上，即使採用具有4π配光 的配光特性的發光部的情況下，由於以控制部控制往後方傳送光，可以實現接近2π配光的配光特性。即，維持類似習知的白熱電球或鹵素電球等形成的標準光源之構成的同時，可以實現適於LED電球等的總光通量測量的標準光源。

以下，說明關於第一~三實施例，作為具體實現例。又，有時也總稱第一~三實施例為「本實施例」。

<C.第一實施例>

第4A及4B圖，係用以說明根據第一實施例的標準光源10之模式圖。第4A圖，係顯示標準光源10的剖面模式圖，而第4B圖，係顯示標準光源10的配光特性。

參照第4A圖，標準光源10，包括本體部12、發光部14、配光控制板16以及電極部18。

本體部12，與配光控制板16以及電極部18一體形成的同時，具有能夠安裝發光部14的構成。本體部12，與電極部18及發光部14電性連接。

發光部14，係放射光的部位，基本上，具有4π配光的配光特性。發光部14，可以採用如白熱電球或如鹵素電球的白熱絲之光源。或者，使用氙(Xe)燈或放電燈等也可以。又，根據用途，可以採用產生紅外線的發熱器。

電極部18，安裝在未圖示的插座，從其插座供給的電力提供給發光部14。即，電極部18，相當於與發光部14電性連接的供電部。典型地，電極部18，採用具有根據既定規格(例如，E型)的形狀之金屬蓋。

配光控制板16，設置在發光部14與電極部18(供 電部)之間，作用為控制從發光部14放射的光往電極部18側傳送之控制部。配光控制板16，接近電極部18，設置於本體部12。配光控制板16，控制發光部14的後方側(紙面下側)的配光分佈。

配光控制板16，在來自發光部14的光入射的平坦表面16a，構成為擴散反射。即，在表面16a上形成擴散反射層，因此，可以降低在表面16a反射的來自發光部14的光再入射至發光部14之現象(再掃性反射)的發生比例。根據如此的構成，可以降低發光部14(光源)產生的本身吸收比例。此擴散反射層，最好使用擴散反射率高，且耐熱性優異的樹脂擴散材料(典型為Spectralon(商標)等)。這是因為，由於點亮發光部14，考慮配光控制板16的表面也變得比較高溫(例如，300℃)。代替的構成，由硫酸鋇(barium sulfate)為主體的塗佈劑，形成擴散反射層也可以。又，考慮到作為標準光源的配光特性時，配光控制板16的表面16a，最好使用鏡面反射層。

因為配光控制板16係用以控制發光部14放射的光往後方傳送，其表面16a的大小係根據發光部14的配光特性來決定。即，垂直於通過發光部14及電極部18(供電部)的軸X1之方向(軸X2)中的配光控制板16(控制部)的剖面積(表面積)，根據發光部14的配光分佈來決定。更具體而言，配光控制板16的半徑，根據表面16a的面內方向中與發光部14的配光特性的交點決定。當然，配光控制板16的表面積夠大的話，可以完全阻礙發光部14發射的光往後方傳送，另一方面，標準光源10內包含的非發光構造物的比例變大，測量精確度或 操作等方面可能產生不利。於是，根據發光部14的配光特性，配光控制板16的剖面積(表面積)最好是合理的大小。

藉由採用如第4A圖所示構成，可以如第4B圖所示地改善作為標準光源10的配光特性。即，第4B圖中，顯示不設置配光控制板16時產生的配光特性22(虛線)、以及設置配光控制板16時產生的配光特性20(實線)。比較配光特性20與配光特性22，由於設置配光控制板16，明白往標準光源10的後方(紙面下方向)放射的光的比例降低，且全體性地，往標準光源10的前方(紙面上方向)放射更多的光。即，配光控制板16，由於控制發光部14放射的光的分佈，可以實現更接近2π配光的配光特性。

如第4A圖所示的標準光源10，根據眾所周知的配光測量法，進行總光通量或總光譜輻射通量的定值(校正)。於是，對各標準光源10具有定值的總光通量總光譜輻射通量的值之標準電球，使用於總光通量測量中。

使用具有如此的接近2π配光的配光特性之標準光源10，進行總光通量測量，藉此可以更高精確度測量具有2π配光的樣品光源的總光通量。

<D.第二實施例>

其次，往前方放射更多的光，例示有關可以實現完全的2π配光的構成。第5A及5B圖，係用以說明根據第二實施例的標準光源30之模式圖。第5A圖，係顯示標準光源30的剖面模式圖，而第5B圖係顯示標準光源30的配光特性。

參照第5A圖，標準光源30，包括本體部32、發 光部34、配光控制板36以及電極部38。

關於本體部32、發光部34、電極部38，由於與上述第一實施例的標準光源10的本體部12、發光部14、電極部18相同，不重複詳細的說明。

配光控制板36，具有來自發光部34的光入射的凹狀表面36a。表面36a，構成為擴散反射，更具體而言，在表面36a上形成擴散反射層。

配光控制板36，具有附在發光部34並彎曲的構造，此彎曲的曲率，為了實現目標配光特性，設定為必要值。即，配光控制板36，控制發光部34放射的光往後方傳送的同時，藉由往前方反射入射至表面36a的光，實現更完全的2π配光的配光特性。第5A圖所示的範例中，定義配光控制板36的周邊部(端部)的平面(包含軸X2的平面)與發光部34的中心部交叉構成。藉由採用如此的凹狀構造，從發光部34往垂直於軸X1的方向(軸X2方向)朝後方放射的光，可以在表面36a反射，並朝前方再放射。

藉由採用如第5A圖所示的構成，可以如第5B圖所示地改善作為標準光源30的配光特性。即，第5B圖中顯示，不設置配光控制板36的情況下產生的配光特性42(虛線)、與設置配光控制板36的情況下產生的配光特性40(實線)。配光特性40與配光特性42相較，藉由設置配光控制板36，明白往標準光源10的後方(紙面下方向)放射的光可以全部轉換為往前方(紙面上方向)放射的成分。即，配光控制板36，由於控制發光部34放射的光的分佈，可以實現2π配光的配光特性。

如第5A圖所示的標準光源30，根據眾所周知的配光測量法，進行總光通量或總光譜輻射通量的定值(校正)。於是，對各標準光源30具有定值的總光通量總光譜輻射通量的值之標準電球，使用於總光通量測量中。

使用具有如此的2π配光的配光特性之標準光源30，進行總光通量測量，藉此可以更高精確度地測量具有2π配光的樣品光源的總光通量。

<E.第三實施例>

上述第一及二實施例中，在配光控制板的表面上形成的擴散反射層污損時，必須再度校正。因此，說明用以防止如此的配光控制板的表面污損的構成，作為第三實施例。

第6圖係用以說明根據第三實施例的標準光源30A之模式圖。第6圖中顯示標準光源30A的剖面模式圖。參照第6圖，標準光源30A，相較於第5A圖所示的標準光源30，相當於再追加保護圓頂50的構成。

保護圓頂50，係以透過發光部34放射的光之透光性材質構成。但是，因為事後進行總光通量或總光譜輻射通量的定值(校正)，構成保護圓頂50的材質的光透過度未必要提高。保護圓頂50以此方式保護發光部34及配光控制板36。即，保護圓頂50，相當於覆蓋包含配光控制板36的表面36a及發光部34的空間之罩子。

藉由設置如此的保護圓頂50，可以防止配光控制板36的表面36a及發光部34的污損，而可以防止因污損產生的精確度下降。

又，第6圖中，顯示類似於根據第二實施例的標準光源30的構成，但根據第三實施例的技術思想，也可以適用於第4A圖所示的第一實施例之標準光源10。

<F.其他實施例>

本實施例的標準光源，根據配光控制板的有無，因為可以在4π配光與2π配光之間轉換，在標準光源的製造商等之中，一律製造共用本體部、發光部、電極部的標準電球的同時，根據要求的配光特性，追加再添加配光控制板的步驟也可以。藉由採用如此的製造方法，可以降低標準光源的製造成本。

又，如此製造的光源，在預先認定的試驗所或校正機關中，進行總光通量或總光譜輻射通量的定值(校正)後，作為標準光源出貨。

<G.測量程序>

其次，說明關於對於使用本實施例的標準光源的樣品光源之總光通量測量的處理程序的一範例。

第7圖係顯示對於使用本實施例的標準光源的樣品光源之總光通量測量的處理程序之流程圖。本處理程序，包含對標準光源的校正、以及對使用校正的標準光源的樣品光源的測量之兩階段的程序。

更具體而言，參照第7圖，首先，在校正用的測量裝置中安裝更上層的標準器(準光源)，在點亮狀態下測量光學特性值(總光通量或總光譜輻射通量)(步驟S2)。接著，在相同的校正用的測量裝置中安裝根據本實施例的標準光源，在點亮狀態下測量光學特性值(總光通量或總光譜輻射通量)(步驟 S4)。於是，根據步驟S2中測量的光學特性值與步驟S4中測量的光學特性值之間的相對關係，以及以更上層的標準器(標準光源)定值的光學特性值，決定標準光源的光學特性值(總光通量或總光譜輻射通量)(步驟S6)。又，複數次重複步驟S4的處理也可以。又，不特別限制步驟S2及步驟S4間的實行順序。因此，結束對標準光源的校正處理。這些步驟S2~S6，相當於準備校正的標準光源之步驟。於是，使用此校正後的標準光源，進行樣品光源的測量。

更具體而言，校正後的標準光源安裝在測量裝置中，在點亮狀態下測量光學特性值(總光通量或總光譜輻射通量)(步驟S12)。即，在測量裝置中安裝標準光源的同時，在點亮狀態下實行測量上述標準光源的光學特性之步驟。接著，在相同的測量裝置中安裝測量對象的樣品光源，在點亮狀態下測量光學特性值(總光通量或總光譜輻射通量)(步驟S14)。即，在測量裝置中安裝測量對象的樣品光源的同時，在點亮狀態下實行測量上述樣品光源的光學特性值的步驟。

於是，根據步驟S12中測量的光學特性值與步驟S14中測量的光學特性值之間的相對關係，以及更以標準光源定值的光學特性值，決定樣品光源的光學特性值(總光通量或總光譜輻射通量)(步驟S16)。即，根據標準光源的測量光學特性值、樣品光源的測量光學特性值、以及以標準光源定值的光學特性值，實行決定樣品光源的光學特性值之步驟。又，複數次重複步驟S14的處理也可以。又，不特別限制步驟S12及步驟S14間的實行順序。因此，結束對樣品光源的測量處理。

一般而言，第7圖所示的步驟S2~S6，在預先認定的試驗所或校正機關中實行，而步驟S12~S16，在測量樣品光源的各使用者中實行。典型地，應用於光源或照明裝置的製造線中的製品或半製品的抽樣調查等。

<H.作用效果>

根據本實施例的標準光源，維持比較簡易的構成的同時，可以實現適於具有LED電球等的2π配光的配光特性的樣品光源之配光特性。因此，可以以更高精確度進行LED電球等的總光通量測量。

根據上述說明，有關本實施例的標準光源及使用其標準光源的測量方法之外的優點，應變得清楚。

雖然詳細說明指示起本實施例，但這只是為了例示，並非限定，根據附加的申請範圍解釋發明範圍，應清楚理解。

10‧‧‧標準光源

12‧‧‧本體部

14‧‧‧發光部

16‧‧‧配光控制板

16a‧‧‧表面

18‧‧‧供電部(電極部)

X1、X2‧‧‧軸

Claims (6)

1. 一種標準光源，包括：發光部；供電部，與上述發光部電性連接；以及控制部，設置於上述發光部與上述供電部之間，並控制從上述發光部放射的光往上述供電部側傳送；其中，上述控制部在來自上述發光部的光入射的表面，構成為擴散反射。
2. 如申請專利範圍第1項所述的標準光源，垂直於通過上述發光部及上述供電部的光軸之方向中上述控制部的剖面積，根據上述發光部的配光分佈決定。
3. 如申請專利範圍第1項所述的標準光源，其中，上述控制部，具有來自上述發光部的光入射的平坦表面。
4. 申請專利範圍第1項所述的標準光源，其中，上述控制部，具有來自上述發光部的光入射的凹狀表面。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的標準光源，更包含：罩子，覆蓋包含上述控制部的表面及上述發光部的空間。
6. 一種測量方法，包括下列步驟：準備步驟，準備校正的標準光源；標準光源的光學特性值測量步驟，測量裝置中安裝上述標準光源的同時，在點亮狀態下測量上述標準光源的光學特性值；測量對象的光源的光學特性值測量步驟，上述測量裝置中 安裝測量對象的光源的同時，在點亮狀態下測量上述測量對象的光源的光學特性值；以及決定步驟，根據上述標準光源的測量光學特性值、測量對象的光源的測量光學特性值、以及以上述標準光源定值的光學特性值，決定上述測量對象的光源的光學特性值；其中，上述標準光源，包括：發光部；供電部，與上述發光部電性連接；以及控制部，設置於上述發光部與上述供電部之間，並控制從上述發光部放射的光往上述供電部側傳送；其中，上述控制部在來自上述發光部的光入射的表面，構成為擴散反射。