TW201442137A - 具有單一及成雙處理腔室之半導體裝置製造平台 - Google Patents

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Abstract

一種用於半導體裝置製造的移送室包含(1)複數個側邊、(2)一第一基材處理器、(3)一第二基材處理器與(4)一交接位置；該複數個側邊定義一區域，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊定義該移送室之一第一部分與一第二部分，並包含(a)一第一側邊，該第一側邊連接至兩個成雙的處理腔室，以及(b)一第二側邊，該第二側邊連接至一單一處理腔室；該第一基材處理器位於該移送室之該第一部分中；該第二基材處理器位於該移送室之該第二部分中；該交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器，允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞。也提供多數方法態樣。

Description

具有單一及成雙處理腔室之半導體裝置製造平台 【相關申請之相互參照】
本申請書主張於2013年3月12日申請之美國臨時發明專利申請序號61/778,206的優先權，其標題為「SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PLATFORM WITH SINGLE AND TWINNED PROCESSING CHAMBERS」(代理人案號17480/L)，並藉由引用形式而整體併入本文。
本發明係與半導體裝置製造有關，且更具體的係與一半導體裝置製造平台有關，該平台具備單一與成雙處理腔室。
半導體裝置的製造一般而言與針對一基材或「晶圓」執行一連串程序有關，像是針對矽基材、玻璃板等等。這些步驟可能包含研磨、沈積、蝕刻、微影、熱處理等等。通常許多不同的處理步驟可在一單一處理系統或「工具」之中執 行，該單一處理系統包含複數個腔室或「反應器」。為了降低半導體裝置製造成本，需要改善該等處理工具操作的效率及/或降低成本的方法與設備。
在某些具體實施例中，提供一種移送室，該移送室經配置以在半導體裝置製造期間使用。該移送室包括(1)複數個側邊、(2)一第一基材處理器、(3)一第二基材處理器與(4)一交接位置；該複數個側邊定義一區域，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊定義該移送室之一第一部分與一第二部分，並包含(a)一第一側邊，該第一側邊連接至兩個成雙的處理腔室，以及(b)一第二側邊，該第二側邊連接至一單一處理腔室；該第一基材處理器位於該移送室之該第一部分中；該第二基材處理器位於該移送室之該第二部分中；該交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器，允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞。
在某些具體實施例中，提供一種方法，該方法包含(a)提供一移送室，該移送室具有定義一區域之複數個側邊，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊定義該移送室之一第一部分與一第二部分，並包含連接至兩個成雙的處理腔室之一第一側邊以及連接至一單一處理腔室之一第二側邊；一第一基材處理器，該第一基材處理器位於該移送室之該第一部分中；一第二基材處理器，該第二基材處理器位於該移送室之該第 二部分中；以及一交接位置，該交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器，允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞；該方法也包含(b)使用該第一基材處理器，將一第一基材裝載至該移送室之中；(c)將該第一基材傳輸至該交接位置；(d)利用該第二基材處理器從該交接位置取得該第一基材；(e)使用該第一基材處理器，將一第二基材裝載至該移送室之中；以及(f)利用該第一與第二基材處理器，同時將該第一與第二基材裝載至該成雙處理腔室之中，該成雙處理腔室連接至該移送室之該第一側。
在某些具體實施例中，提供一種移送室，該移送室經配置以在半導體裝置製造期間使用。該移送室包括(1)複數個側邊，該複數個側邊定義一區域，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊包含(a)一第一延長側邊，該第一延長側邊連接至兩個成雙的處理腔室；(b)一第二側邊，該第二側邊連接至一單一處理腔室；以及(c)一第三側邊，該第三側邊連接至一載入鎖定腔室。該該移送室也包括(2)一延伸範圍基材處理器以及(3)一交接位置，該延伸範圍基材處理器位於該移送室中，並經配置以在該載入鎖定腔室、成雙處理腔室與單一處理腔室之間運送多數基材；而該交換位置經配置以提供一運送位置、基材儲存、卡盤蓋儲存、冷卻、基材加熱、預處理與後處理之一或多項。也提供許多其他具體實施例。
100‧‧‧處理工具
102‧‧‧移送室
104a‧‧‧側邊
104b‧‧‧側邊
104c‧‧‧側邊
104d‧‧‧側邊
104e‧‧‧側邊
104f‧‧‧側邊
104g‧‧‧側邊
104h‧‧‧側邊
106a‧‧‧成雙處理腔室
106b‧‧‧成雙處理腔室
108a‧‧‧成雙處理腔室
108b‧‧‧成雙處理腔室
110‧‧‧資源
112‧‧‧資源
114‧‧‧單一處理腔室
116‧‧‧單一處理腔室
118a‧‧‧載入鎖定腔室
118b‧‧‧載入鎖定腔室
120a‧‧‧載入鎖定腔室
120b‧‧‧載入鎖定腔室
122‧‧‧工作介面
124a‧‧‧基材處理器
124b‧‧‧基材處理器
126a‧‧‧第一部分
126b‧‧‧第二部分
128a‧‧‧交接位置
128b‧‧‧交接位置
130‧‧‧控制器
200a‧‧‧支座
200b‧‧‧支座
202a‧‧‧處理區域
202b‧‧‧處理區域
204a‧‧‧加熱器
204b‧‧‧加熱器
206a‧‧‧升舉銷
206b‧‧‧升舉銷
208a‧‧‧馬達
208b‧‧‧馬達
210a‧‧‧屏蔽件
210b‧‧‧屏蔽件
212a‧‧‧馬達
212b‧‧‧馬達
214a‧‧‧控制件
214b‧‧‧控制件
300‧‧‧處理工具
302‧‧‧基材處理器
304‧‧‧延伸桿
306a‧‧‧葉片
306b‧‧‧葉片
400‧‧‧方法
401‧‧‧區塊
402‧‧‧區塊
403‧‧‧區塊
404‧‧‧區塊
405‧‧‧區塊
第1圖描述根據本發明多數具體實施例所提供一示 例處理工具的上視示意圖。
第2圖描述根據本發明多數具體實施例，沿第1圖線段2-2所取第1圖該等交接位置的部分橫斷面圖。
第3圖描述根據本發明多數具體實施例所提供另一示例處理工具的上視示意圖。
第4圖描述根據本發明多數具體實施例操作第1圖該處理工具之一示例方法的流程圖。
根據本發明多數具體實施例，提供一半導體裝置製造平台，像是一工具及/或主機，其可以允許使用多數單一處理腔室及多數雙重或「成雙」處理腔室。成雙處理腔室可以藉由共享資源的方式提供降低的操作成本，像是化學及/或氣體輸送、製程控制、與其他類似資源的共享。在某些具體實施例中，該製造平台可以支援最多六個處理腔室，其二或四個處理腔室則為成雙。可以使用多種其他配置。
在一或多個具體實施例中，於該工具中提供多數交接位置，允許多數基材從該工具一位置傳遞至該工具另一位置。在某些具體實施例中，這些交接位置可以提供主動式預處理及/後處理。本發明的這些與其他的具體實施例則於以下參考第1圖至第6圖敘述。
第1圖為根據本發明多數具體實施例所提供一示例處理工具100的上視示意圖。參考第1圖，該工具100包含一移送室102，該移送室102具有複數個側邊104a-104h(形成一八邊形移送室)。可以使用其他形狀及/或其他側邊數量 (例如，形成一封閉多邊形)。
在第1圖之具體實施例中，側邊104a與104d係經延長以允許沿著該側邊104a連接成雙處理腔室106a、106b及沿著該側邊104d連接成雙處理腔室108a、108b。可以使用多種其他配置，像是沿著該側邊104a及/或104d連接非成雙或「單一」處理腔室。在某些具體實施例中，連接至多數成雙處理腔室之該移送室102的該等延長側邊104a、104d長度可大約為1100毫米至大約2500毫米。該等延長側邊104a及/或104d可以使用其他長度。
該成雙處理腔室106a、106b可以共享像是化學及/或氣體輸送、製程控制、與其他類似的資源(概以參考數字110所指示)。例如，在某些具體實施例中，所述處理腔室可以同時在兩基材上執行相同的處理方法。同樣的，該成雙處理腔室108a、108b可以共享像是化學及/或氣體輸送、製程控制、與其他類似的資源(概以參考數字112所指示)。
多數單一處理腔室114及/或116可以連接至該移送室102之該等側邊104b及/或104c。在某些具體實施例中，連結該等單一處理腔室之該移送室102的該等側邊104b、104c長度可大約為550毫米至大約2500毫米。該等側邊104b及/或104c可以使用其他長度。單一處理腔室一般而言使用其本身的資源，像是化學及/或氣體輸送、製程控制等等(未圖示)。可以連接較少或較多的處理腔室至該移送室102。
在某些具體實施例中，多數載入鎖定腔室118a、118b可以分別連接至該移送室102的該等側邊104f、104g。該等 載入鎖定腔室118a、118b允許從多數基材載體120a、120b透過一工作介面122供應多數基材至該移送室102。該等載入鎖定腔室118a、118b例如可為批次載入鎖定、堆疊單一基材載入鎖定或其他適宜的載入鎖定。
在第1圖的具體實施例中，該移送室102包含兩個基材處理器124a、124b，用以在與該等載入鎖定腔室118a、118b之間運送多數基材，並用以在與該等處理腔室106a、106b、108a、108b、114及/或116之一或多處之間運送多數基材。例如，該第一基材處理器124a可以在與該等載入鎖定腔室118a、118b與該等處理腔室106a、108a之一或多處之間(該移送室102之一第一部分126a之中)運送多數基材；而該第二基材處理器124b可以在與該等處理腔室106b、108b、114與116之一或多處之間(該移送室102之一第二部分126b之中)運送多數基材。該等基材處理器124a、124b可為單一或雙重葉片機器手臂，例如，用以攜載一或多個基材。
可透過使用一或多個交接位置128a、128b的方式，在該移送室102之該第一與第二部分126a、126b之間傳遞多數基材。雖然在第1圖中圖示為兩個交接位置，但可瞭解可以使用較少或較多的交接位置(例如，1、3、4、5，等等)。為了從該移送室102該第一部分126a運送一基材至該移送室102該第二部分126b，該第一基材處理器124a可以將該基材放置於該交接位置128a或128b上，而該第二基材處理器124b可以從該交接位置128a或128b取得該基材。可以執行反向程序，以從該移送室102該第二部分126b運送多數基材至該 第一部分126a。
可以使用一控制器130以控制該處理工具100的操作。例如，該控制器130可以控制與該處理工具100之間的基材運送及/或該處理工具100之中的基材運送、該等處理腔室106a、106b、108a、108b、114、116之一或多者的操作、該等載入鎖定腔室118a、118b的操作等等。該控制器130可為一適宜的編程微處理器或微控制器、硬體電路、其組合等等。該控制器130可以包含電腦程式碼，以執行在此敘述之該等任何方法。
第2圖為沿第1圖線段2-2所取第1圖該等交接位置128a、128b的部分橫斷面圖。該等交接位置128a、128b可以包含底座或支座200a、200b，用以支撐在該等基材處理器124a及124b之間運送的基材。在所示具體實施例中，該等支座200a、200b係經定位於靠近該移送室102的底部。然而，該等支座200a、200b，可經定位於任何其他位置處，像是該移送室102的中央或頂部及/或定位於不同位置處。可以使用其他數量的交接位置及/或支座(例如，1、3、4、5等等)。
該等支座200a、200b可以玻璃、鋁、陶瓷或其他適宜材料形成。如果需要，可以使用(未圖示)升舉銷以相對於該等支座200a、200b的支撐表面舉升及/或降低多數基材。
在某些具體實施例中，該等交接位置128a、128b可以包含多數處理區域202a及202b，該等處理區域202a及202b經配置以在該等交接位置128a、128b中對多數基材執行一或多種處理。示例處理包含預處理及/或後處理，像是除氣、退 火、冷卻、電漿處理，與其他類似處理。可以使用多種其他處理及/或其他的處理區域202a及202b數量。
在第2圖的具體實施例中，該等處理區域202a、202b係經定位於該等支座200a、200b以上的高度處。在其他具體實施例中，該等處理區域202a、202b可位於該等支座200a、200b以下，或位於相對於該等支座200a、200b另一適宜的高度處。
在某些具體實施例中，該等處理區域202a、202b可以包含多數加熱器204a、204b，以加熱載入至該等處理區域202a、202b之中的多數基材。可以使用多數升舉銷206a、206b，以分別將多數基材降低至該等加熱器204a、204b上及/或從該等加熱器204a、204b舉升(例如，利用線性或其他形式的馬達208a、208b)。
在一或多個具體實施例中，可以使用多數屏蔽件210a、210b以將該等處理區域202a、202b之中的環境與該移送室102多數其他部分隔離。例如，該等屏蔽件210a、210b可以利用像是鋁、不鏽鋼的金屬或任何其他適宜材料形成。如果需要，該等屏蔽件210a及210b可以在該等加熱器204a、204b與該移送室102的其他部分之間形成一真空密封，及/或形成一可分別控制的環境。該等屏蔽件210a、210b可經舉升及/或下降，以允許將多數基材放置於多數處理區域202a、202b之中，及/或從多數處理區域202a、202b移除，例如，像是利用馬達212a、212b。
每一處理區域202a、202b都可以包含多數分離的控 制件214a、214b，用以控制該等加熱器204a、204b、該等馬達208a、208b、212a、212b的操作及/或傳送任何處理氣體或其他資源/有用物至該等處理區域202a、202b。在某些具體實施例中，該等控制件214a、214b的全部或一部份可利用該處理工具100之該控制器130實作。
一般而言，可使用該等交接位置128a、128b進行基材交接操作、基材儲存、卡盤蓋儲存、冷卻、基材加熱、主動式預處理或後處理等等。
操作上，可以在該工作介面122處透過該等基材載體120a、120b傳送多數基材至該處理工具。該工作介面122之一(未圖示)機器手臂或其他基材處理器可以從該等基材載體120a、120b之一取得一基材，並傳送該基材至該載入鎖定腔室118a或118b。接著，該基材處理器124a可以取得該基材並運送該基材之一需要的位置。例如，該基材可經運送至一交接位置128a、128b以進行預處理，及/或運送至該等處理腔室106a或108a。如果該基材被放置於該等交接位置128a、128b中，可以使該基材回到該第一基材處理器124a或運送至該第二基材處理器124b以在該等處理腔室106b、108b、114及/或116之一或多者之中進行處理。
該控制器130可經編程以控制基材操作及/或由該等基材處理器124a、124b所進行的基材運送，以及(如果使用時)控制在該等交接位置128a、128b之中的預處理及後處理。在某些具體實施例中，由該等基材處理器124a、124b所進行的基材運送可經同步，以同時載入及/或從該等成雙處理腔室 106a、106b及/或108a、108b卸載。
如同所述，該等成雙處理腔室106a、106b及108a、108b可以共享資源，並因此操作上較不昂貴。在某些具體實施例中，這些成雙處理腔室可以運用較低的產出處理，像是磊晶生長、蝕刻、化學氣相沈積(CVD)或其他類似處理。該等單一處理腔室114、116可以運用較高的產出處理，及/或可為較大尺寸的處理腔室，或可為不適宜進行成雙操作的處理腔室。可在該等單一處理腔室114、116中運用的處理實例包含物理氣相沈積(PVD)、快速熱處理(RTP)、磊晶生長或其他類似處理。
在某些具體實施例中，可利用一額外的處理腔室置換該等載入鎖定腔室118a、118b之一。接著多數基材可以透過一單一載入鎖定腔室進入並離開該處理工具100。
第3圖描述根據本發明多數具體實施例所提供一示例處理工具300的上視示意圖。該處理工具300與第1圖的處理工具100相同，但如第3圖所示，該處理工具100之該等基材處理器124a、124b係以一單一基材處理器302所取代。在某些具體實施例中，該單一基材處理器302可為一延伸範圍機器手臂，其具有足夠在所有該等載入鎖定腔室118a、118b與處理腔室106a、106b、108a、108b、114及116之間運送多數基材的範圍。例如，該基材處理器302可為一離軸基材處理器、具備一延伸桿304的基材處理器(如第3圖所示)，或其他類似基材處理器。在第3圖的具體實施例中，該基材處理器302為一雙重葉片機器手臂，其具有多數 葉片306a、306b，而可以同時運輸兩基材。可以使用較少或較多的葉片。
該處理工具300可以如第1圖該處理工具100的方式相同操作。例如，可以在該等成雙處理腔室106a、106b及/或108a、108b中同時處理多數基材，及/或在該等交接位置128a、128b中進行預處理或後處理。例如在某些具體實施例中，可以依序裝載多數基材於等成雙處理腔室106a、106b及108a、108b中。如同所述，可以使用該等交接位置128a、128b進行基材交接操作、基材儲存、卡盤蓋儲存、冷卻、基材加熱、預處理或後處理等等。
第4圖為操作第1圖該處理工具100之一示例方法400的流程圖。參考第4圖，在區塊401中，利用該第一基材處理器124a將一第一基材載入該移送室102之中。在區塊402中，將該第一基材運送至該等交接位置128a或128b之一。在某些具體實施例中，該第一基材可同時在該等交接位置128a或128b進行預處理，像是對該基材執行除氣或其他處理。
在區塊403中，該第二基材處理器124b可以從該等交接位置128a或128b取得該第一基材。在區塊403之前、期間或之後，該第一基材處理器124a可以載入一第二基材至該移送室102之中(區塊404)。在某些具體實施例中，該第二基材可在交接位置128a或128b處進行預處理，像是對該基材執行除氣或其他處理。
在區塊405中，利用該等基材處理器124a與124b將該第一與第二基材載入該成雙處理腔室106a、106b之中。 在某些具體實施例中，此運送動作可以同時執行。例如，該控制器130可以指示該等基材處理器124a與124b同時將該等基材載入至該成雙處理腔室106a、106b之中，以(同時)進行處理。在多數其他具體實施例中，可(在開始時)將該等基材運送至該成雙處理腔室108a、108b。
在該成雙處理腔室106a、106b之中的處理之後，該第一及/或第二基材可在該等交接位置128a或128b之一處儲存、後處理或進行其他類似處理，及/或運送至其他處理腔室進行進一步處理。第3圖的處理工具300在關於該等交接位置128a或128b的使用方面可以使用相同方式操作。
本發明已經連結其多數示例具體實施例揭示。應該瞭解多種其他具體實施例也可能落於本發明之精神與範圍之中，如由以下申請專利範圍所定義。
100‧‧‧處理工具
102‧‧‧移送室
104a‧‧‧側邊
104b‧‧‧側邊
104c‧‧‧側邊
104d‧‧‧側邊
104e‧‧‧側邊
104f‧‧‧側邊
104g‧‧‧側邊
104h‧‧‧側邊
106a‧‧‧成雙處理腔室
106b‧‧‧成雙處理腔室
108a‧‧‧成雙處理腔室
108b‧‧‧成雙處理腔室
110‧‧‧資源
112‧‧‧資源
114‧‧‧單一處理腔室
116‧‧‧單一處理腔室
118a‧‧‧載入鎖定腔室
118b‧‧‧載入鎖定腔室
120a‧‧‧載入鎖定腔室
120b‧‧‧載入鎖定腔室
122‧‧‧工作介面
124a‧‧‧基材處理器
124b‧‧‧基材處理器
126a‧‧‧第一部分
126b‧‧‧第二部分
128a‧‧‧交接位置
128b‧‧‧交接位置
130‧‧‧控制器

Claims (20)

  1. 一種移送室，該移送室經配置以在半導體裝置製造期間使用，該移送室包括：複數個側邊，該複數個側邊定義一區域，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊定義該移送室之一第一部分與一第二部分，並包含：一第一側邊，該第一側邊連接至兩個成雙的處理腔室，以及一第二側邊，該第二側邊連接至一單一處理腔室；以及一第一基材處理器，該第一基材處理器位於該移送室之該第一部分中；一第二基材處理器，該第二基材處理器位於該移送室之該第二部分中；以及一交接位置，該交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器，允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞。
  2. 如請求項1所述之移送室，其中該複數個側邊形成一封閉多邊形。
  3. 如請求項1所述之移送室，進一步包括一第三側邊，該第三側邊相對於該第一側邊，該第三側邊連接至兩個成雙處 理腔室。
  4. 如請求項1所述之移送室，其中該交接位置進一步包括一處理區域，該處理區域經配置以在該處理區域之中對一基材執行處理。
  5. 如請求項4所述之移送室，其中該交接位置係經配置以允許多數基材在一第一高度處於該移送室該第一與第二位置之間傳遞，且其中該交接位置之處理區域係位於一第二高度處，該第二高度與該第一高度不同。
  6. 如請求項5所述之移送室，其中該第二高度係於該第一高度上方。
  7. 如請求項4所述之移送室，其中該交接位置之處理區域係經配置以執行以下至少之一，對於連接至該移送室之一或多個處理腔室的預處理，以及對於連接至該移送室之一或多個處理腔室的後處理。
  8. 如請求項1所述之移送室，進一步包括複數個交接位置，該等交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器，允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞。
  9. 如請求項8所述之移送室，其中每一交接位置都包含一 處理區域，該處理區域經配置以在該處理區域之中對一基材執行處理。
  10. 如請求項1所述之移送室，進一步包括：一第一組成雙處理腔室，該第一組成雙處理腔室連接至該移送室之該第一側；一第一單一處理腔室，該第一單一處理腔室連接至該移送室之該第二側；一第二組成雙處理腔室，該第二組成雙處理腔室連接至該移送室之一第三側；以及一第二單一處理腔室，該第二單一處理腔室連接至該移送室之一第四側。
  11. 如請求項10所述之移送室，進一步包括：一第一載入鎖定腔室，該第一載入鎖定腔室連接至該移送室之一第五側；以及一第二載入鎖定腔室，該第一載入鎖定腔室連接至該移送室之一第六側。
  12. 如請求項10所述之移送室，進一步包括一控制器，該控制器控制由該移送室所執行之多數操作的至少一部分。
  13. 一種方法，包括以下步驟：(a)提供一移送室，該移送室具有定義一區域之複數個 側邊，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊定義該移送室之一第一部分與一第二部分，並包含：一第一側邊，該第一側邊連接至兩個成雙的處理腔室，以及一第二側邊，該第二側邊連接至一單一處理腔室；以及一第一基材處理器，該第一基材處理器位於該移送室之該第一部分中；一第二基材處理器，該第二基材處理器位於該移送室之該第二部分中；以及一交接位置，該交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器，允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞；(b)使用該第一基材處理器，將一第一基材裝載至該移送室之中；(c)將該第一基材傳輸至該交接位置；(d)利用該第二基材處理器從該交接位置取得該第一基材；(e)使用該第一基材處理器，將一第二基材裝載至該移送室之中；以及(f)利用該第一與第二基材處理器，同時將該第一與第二基材裝載至該成雙處理腔室之中，該成雙處理腔室連接至該移送室之該第一側。
  14. 如請求項13所述之方法，其中(d)與(e)的至少一部分係同時進行。
  15. 如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟：在利用該第二基材處理器從該交接位置取得該第一基材之前，於該交接位置中進行該第一基材的預處理。
  16. 如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟：於該交接位置中進行該第二基材的預處理。
  17. 如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟：在將該第一基材運送至一單一處理腔室之前，於該交接位置中進行該第一基材的後處理。
  18. 如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟：於該交接位置中進行該第二基材的後處理。
  19. 一種移送室，該移送室經配置以在半導體裝置製造期間使用，該移送室包括：複數個側邊，該複數個側邊定義一區域，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊包含：一第一延長側邊，該第一延長側邊連接至兩個成雙的 處理腔室；一第二側邊，該第二側邊連接至一單一處理腔室；以及一第三側邊，該第三側邊連接至一載入鎖定腔室；以及一延伸範圍基材處理器，該延伸範圍基材處理器位於該移送室中，並經配置以在該載入鎖定腔室、成雙處理腔室與單一處理腔室之間運送多數基材；以及一交接位置，該交換位置經配置以提供一運送位置、基材儲存、卡盤蓋儲存、冷卻、基材加熱、預處理與後處理之一或多項。
  20. 如請求項19所述之移送室，進一步包括：一第一組成雙處理腔室，該第一組成雙處理腔室連接至該移送室之該第一側；一第一單一處理腔室，該第一單一處理腔室連接至該移送室之該第二側；一載入鎖定腔室，該載入鎖定腔室連接至該移送室之該第三側；一第二組成雙處理腔室，該第二組成雙處理腔室連接至該移送室之一第四側；以及一第二單一處理腔室，該第二單一處理腔室連接至該移送室之一第五側。
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