TW201439708A - 低溫電壓補償機制 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種低溫電壓補償機制，其包含有一電壓源提供供電電壓，耦接形成串聯的一分壓電阻及一熱敏電阻，並在耦接處定義為一節點，且形成串聯態樣之分壓電阻及熱敏電阻與電壓源為形成並聯態樣。耦接形成串聯的一保護電阻及一控制單元，控制單元並耦接於節點上，且形成串聯態樣之保護電阻及控制單元與該電壓源為形成並聯態樣。當節點之電壓大於一預設電壓值時，控制單元將被觸發使保護電阻形成電路導通狀態，因保護電阻與分壓電阻及熱敏電阻為並聯型態，故可降低此區域的整體電阻值，進而對供電電壓作補償動作，以提供相對穩定的供電電壓準位。

Description

低溫電壓補償機制

本發明是有關於一種運用電源供應器之設計，且特別是有關於一種具備低溫電壓補償機制之電源供應器。

目前各種積體電路(IC)元件基本上都具有過溫保護功能以保護積體電路本身，然，在實際應用中，積體電路還必須與複數週邊電路配合工作，而在週邊電路設計中會應用到各種發熱量較高的電子元器件，如場效應電晶體等。而這些高發熱性的電子元器件的溫度經常會超過積體電路的溫度，導致在IC自身過溫保護功能發揮作用之前，該等高發熱性電子元器件已經燒毀，從而造成不必要的損失。

但，除高溫容易造成電子元器件的毀損外，低溫的狀況下亦容易造成由電容提供電壓之電路會有誤動作的情況發生，主要是因為由電容所提供的電壓在低溫狀況下容易上升，造成電壓不穩定。

有鑑於此，本發明之目的是提供一種具備低溫電壓補償機制的電源供應器，確保在低溫環境下對VCC電壓作補償，以提供相對穩定的VCC電壓準位，進而確保電源供應器正常動作。

為達上述或其他目的，本發明提出一種低溫電壓補償機制，其包含有一電壓源提供供電電壓，耦接形成串聯的一分壓電阻及一熱敏電阻，並在耦接處定義為一節點，且形成串聯態樣之分壓電阻及熱敏電阻與電壓源為形成並聯態樣。耦接形成串聯的一保護電阻及一控制單元，控制單元並耦接於節點上，且形成串聯態樣之保護電阻及控制單元與該電壓源為形成並聯態樣。

綜上所述，當節點之電壓大於一預設電壓值時，控制單元將被觸發使保護電阻形成電路導通狀態，因保護電阻與分壓電阻及熱敏電阻為並聯型態，故可降低此區域的整體電阻值，進而對供電電壓作補償動作，以提供相對穩定的供電電壓準位。

100‧‧‧電壓源

110‧‧‧分壓電阻

120‧‧‧熱敏電阻

122‧‧‧第一熱敏電阻

124‧‧‧第二熱敏電阻

130‧‧‧保護電阻

140‧‧‧控制單元

150‧‧‧節點

160‧‧‧週邊電路

圖1係為本發明之第一較佳實施例之示意圖；圖2係為本發明之第二較佳實施例之示意圖；以及圖3係為本發明之第三較佳實施例之示意圖。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參閱圖1所示，其係為本發明之第一較佳實施例之示意圖。本發明包含有一電壓源100、一分壓電阻110、一熱敏電阻120、一保護電阻130及一控制單元140。

電壓源100主要以提供直流的供電電壓Vcc，電壓源100其主要先藉由能量儲存於電容後再將能量釋放出來，以提供給與周邊 電路160之電力來源。

分壓電阻110與熱敏電阻120可耦接形成串聯之態樣，且在耦接處可定義有一節點150，其中形成串聯態樣之分壓電阻110及熱敏電阻120與電壓源100為形成並聯態樣。本實施例中的熱敏電阻120主要為負溫度係數熱敏電阻，而電壓源100之電流可依次先透過分壓電阻110後再至熱敏電阻120，最後再接地。

保護電阻130及控制單元140亦可耦接形成串聯之態樣，且形成串聯態樣之保護電阻130及控制單元140與電壓源100為形成並聯態樣，並有形成接地。其中，保護電阻130跟控制單元140之連結順序之先後在此均是具有相同功效，故不加以贅述。而控制單元140另外有耦接於節點150上，而控制單元140可為MOSFET或其它等效之元件。

當環境溫度未低於一預設溫度值時，節點150的電壓值則無法高於預設電壓值而無法使控制單元140形成觸發之狀態；反之當環境溫度降至預設溫度值後，相對可使節點150的電壓高於預設電壓值，藉此可使控制單140元形成觸發之狀態，緊接著保護電阻130則可形成電路導通之狀態。因保護電阻130與分壓電阻110及熱敏電阻120為並聯型態，故可降低此區域的整體電阻值，進而對供電電壓作補償動作，以提供相對穩定的供電電壓準位。

請參閱圖2所示，其係為本發明之第二較佳實施例之示意圖。本實施例僅描述與前一實施例之不同處，其餘相同之處不再加以贅述。本實施例的熱敏電阻120主要為正溫度係數熱敏電 阻，而電壓源100之電流可依次先透過熱敏電阻120後再至分壓電阻110，最後再接地。當環境溫度降至預設溫度值後，亦相對可使節點150的電壓高於預設電壓值，藉此可使控制單140元形成觸發之狀態，緊接著保護電阻130則可形成電路導通之狀態。因保護電阻130與分壓電阻110及熱敏電阻120為並聯型態，故可降低此區域的整體電阻值，進而對供電電壓作補償動作，以提供相對穩定的供電電壓準位。

請參閱圖3所示，其係為本發明之第三較佳實施例之示意圖。本實施例僅描述與前兩實施例之不同處，其餘相同之處不再加以贅述。本實施例以第一熱敏電阻122及第二熱敏電阻124取代前兩實施例之分壓電阻110及熱敏電阻120。本實施例的第一熱敏電阻122主要為正溫度係數熱敏電阻，第二熱敏電阻124則主要為負溫度係數熱敏電阻，而電壓源100之電流可依次先透過第一熱敏電阻122後再至第二熱敏電阻124，最後再接地。當環境溫度降至預設溫度值後，亦相對可使節點150的電壓高於預設電壓值，藉此可使控制單140元形成觸發之狀態，緊接著保護電阻130則可形成電路導通之狀態。因保護電阻130與第一熱敏電阻122及第二熱敏電阻124為並聯型態，故可降低此區域的整體電阻值，進而對供電電壓作補償動作，以提供相對穩定的供電電壓準位。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當是後附之申請 專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧電壓源

110‧‧‧分壓電阻

120‧‧‧熱敏電阻

130‧‧‧保護電阻

140‧‧‧控制單元

150‧‧‧節點

160‧‧‧週邊電路

Claims (9)

1. 一種低溫電壓補償機制，其包括：一電壓源，係提供一供電電壓；一分壓電阻；一熱敏電阻，其係與該分壓電阻耦接形成串聯態樣，並在耦接處定義為一節點，且形成串聯態樣之該分壓電阻及該熱敏電阻與該電壓源為形成並聯態樣；一保護電阻；以及一控制單元，其係與該保護電阻耦接形成串聯態樣，並耦接於該節點，且形成串聯態樣之該保護電阻及該控制單元與該電壓源為形成並聯態樣。
2. 如申請專利範圍第1項所述之低溫電壓補償機制，其中該熱敏電阻為負溫度係數熱敏電阻，該電壓源依次透過該分壓電阻及該熱敏電阻接地。
3. 如申請專利範圍第1項所述之低溫電壓補償機制，其中該熱敏電阻為正溫度係數熱敏電阻，該電壓源依次透過該熱敏電阻及該分壓電阻接地。
4. 如申請專利範圍第2或3項所述之低溫電壓補償機制，其中該節點之電壓大於一預設電壓值時，該控制單元將被觸發使該保護電阻形成電路導通狀態。
5. 如申請專利範圍第4項所述之低溫電壓補償機制，其中該控制單元係為MOSFET。
6. 一種低溫電壓補償機制，其包括：一電壓源，係提供一供電電壓；一第一熱敏電阻；一第二熱敏電阻，其係與該第一熱敏電阻耦接形成串聯態樣，並在耦接處定義為一節點，且形成串聯態樣之該第一熱敏電阻及該第二熱敏電阻與該電壓源為形成並聯態樣；一保護電阻；以及一控制單元，其係與該保護電阻耦接形成串聯態樣，並耦接於該節點，且形成串聯態樣之該保護電阻及該控制單元與該電壓源為形成並聯態樣。
7. 如申請專利範圍第6項所述之低溫電壓補償機制，其中該第一熱敏電阻為正溫度係數熱敏電阻，而該第二熱敏電阻為負溫度係數熱敏電阻，該電壓源依次透過該第一熱敏電阻及該第二熱敏電阻接地。
8. 如申請專利範圍第7項所述之低溫電壓補償機制，其中該節點之電壓大於一預設電壓值時，該控制單元將被觸發使該保護電阻形成電路導通狀態。
9. 如申請專利範圍第8項所述之低溫電壓補償機制，其中該控制單元係為MOSFET。