TW201436302A - 發光二極體的製造方法 - Google Patents
發光二極體的製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201436302A TW201436302A TW102114716A TW102114716A TW201436302A TW 201436302 A TW201436302 A TW 201436302A TW 102114716 A TW102114716 A TW 102114716A TW 102114716 A TW102114716 A TW 102114716A TW 201436302 A TW201436302 A TW 201436302A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- frame
- light
- emitting diode
- electrode
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 6
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一種發光二極體的製造方法，包括：提供導線架，所述導線架包括收容框，電極結構位於所述收容框內並與所述收容框固定連接；在所述收容框內形成覆蓋所述電極結構上表面的封裝層，且使所述電極結構的下表面外露於封裝層；提供發光二極體晶粒，並將所述發光二極體晶粒設置在所述封裝層的凹杯中，且使所述發光二極體晶粒分別電性連接至所述電極結構；提供一檢測系統，並採用該檢測系統對每一發光二極體依次進行檢測；切割所述導線架及封裝層形成多個發光二極體。
Description
本發明涉及一種半導體的製造方法，特別設計一種發光二極體的製造方法。
發光二極體作為一種新興的光源，目前已廣泛應用於多種照明場合之中，並大有取代傳統光源的趨勢。
現有的發光二極體的製造方法通常包括提供一基板，在該基板上形成兩電極，然後在電極上形成與其電性連接的一發光晶片，再在該基板上形成一覆蓋該電極及發光晶片的封裝體，從而形成一發光二極體。而需要製造多個發光二極體的時候，就需要不斷重複上述過程，從而使得製造過程複雜，效率降低。
有鑒於此，有必要提供一種效率高的發光二極體的製造方法。
一種發光二極體的製造方法，包括如下步驟：
提供導線架，所述導線架包括收容框，電極結構位於所述收容框內並與所述收容框固定連接；
在所述收容框內形成覆蓋所述電極結構上表面的封裝層，且使所述電極結構的下表面外露於封裝層；
提供發光二極體晶粒，並將所述發光二極體晶粒設置在所述封裝層的凹杯中，且使所述發光二極體晶粒分別電性連接至所述電極結構；
提供一檢測系統，並採用該檢測系統對每一發光二極體依次進行檢測；
切割所述導線架及封裝層形成多個發光二極體。
本發明的發光二極體的製造方法中，藉由在導線架內設置收容框，多個電極結構位於所述收容框內並與所述收容框固定連接，從而可同時製造多個發光二極體，無需不斷重複操作單獨製造一個發光二極體的過程，有利於簡化工序，提高發光二極體的製造效率。
1．．．導線架
10．．．外框
11．．．第一邊框
13．．．第二邊框
20．．．固定架
21．．．第一固定架
22．．．第二固定架
23．．．收容框
30．．．電極結構
31．．．第一電極
33．．．第二電極
40．．．封裝層
41．．．凹杯
50．．．發光二極體晶粒
60．．．發光二極體
70．．．檢測系統
71．．．電源
73、75．．．探針
311．．．第一連接體
331．．．第二連接體
圖1為本發明的發光二極體製造方法的步驟流程示意圖。
圖2至圖9為本發明的發光二極體製造方法的製造步驟示意圖。
圖1示出了本發明提供的發光二極體60的製造步驟流程示意圖，其包括：
S1：提供導線架1，所述導線架1包括收容框23，電極結構30位於所述收容框23內並與所述收容框23固定連接；
S2：在所述收容框23內形成覆蓋所述電極結構30上表面的封裝層40，且使所述電極結構30的下表面外露於封裝層40；
S3：提供發光二極體晶粒50，並將所述發光二極體晶粒50設置在所述封裝層40的凹杯41中，且使所述發光二極體晶粒50電性連接至所述電極結構30；
S4：提供一檢測系統70，並藉由該檢測系統70對每一發光二極體60依次進行檢測；
S5：切割所述導線架1及封裝層40形成多個發光二極體60。
下麵結合其他圖示對該流程作詳細說明。
本發明的發光二極體60的製造方法包括如下步驟：
步驟一，提供一導線架1。
請參見圖2，圖2為所述導線架1的俯視圖。
所述導線架1包括一封閉的外框10、設置於外框10內的固定架20以及連接至固定架20及外框10上的複數電極結構30。
所述外框10由金屬材料製成，其為一封閉的框體。所述外框10包括複數第一邊框11及與第一邊框11首尾相連的複數第二邊框13。本實施例中，所述外框10呈矩形。
所述外框10包括縱向延伸且相對設置的第一邊框11以及分別連接所述第一邊框11的第二邊框13。所述第一邊框11及第二邊框13首尾垂直相連。所述二第一邊框11及二第二邊框13共同圍設所述固定架20以及電極結構30於其內。
所述固定架20設置於所述外框10內，其包括複數第一固定架21以及垂直於第一固定架21的複數第二固定架22。所述第一固定架21沿外框10的縱向延伸。所述第二固定架22沿外框10的橫向延伸，且與所述第一固定架21相交。本實施例中，所述第一固定架21的數目為2個，所述第二固定架22的數目為3個。
所述二第一固定架21平行間隔設置於所述外框10的相對兩側且分別靠近二第一邊框11。所述每一第一固定架21的相對兩端分別連接至相對二第二邊框13的內表面。
所述該等第二固定架22間隔平行設置。每一第二固定架22的相對兩端分別連接至所述外框10的縱向延伸的相對二第一邊框11的內表面。所述第一固定架21、第二固定架22以及第二邊框13共同圍成四個間隔的收容框23。每一收容框23呈矩形。當然，在其他實施例中，所述收容框23的。
所述該等電極結構30分別設置於所述收容框23內，且沿收容框23的橫向依次間隔排列。所述每一收容框23內的電極結構30的數目相等。本實施例中，所述每一收容框23內的電極結構30的數目為4個。所述位於收容框23內的電極結構排列成一條直線。所述二相鄰的收容框23內的電極結構30分別連接至所述第二固定架22，以使所述該等電極結構30在沿外框10縱向的方向上排列成4條直線。當然，在其他實施例中，所述每一收容框23內的電極結構30的數目不受限制。
所述每一電極結構30包括一第一電極31以及一與該第一電極31間隔相對的第二電極33。所述第一電極31遠離第二電極33的外端表面垂直向外延伸形成一第一連接體311，所述第二電極33遠離第一電極31的外端表面垂直向外延伸形成一第二連接體331。
所述第一電極31藉由所述第一連接體311固定於所述外框10的第二邊框13上或者所述第二固定架22上。所述第二電極33藉由所述第二連接體331固定於所述外框10的第二邊框13上或者所述第二固定架22上。所述第一連接體311一體形成於所述第一電極31，所述第二連接體331一體形成於所述第二電極33上。本實施例中，所述第一電極31及第二電極33沿外框10藉由所述第一連接體311及第二連接體331連接形成一條直線。
步驟二，在所述導線架1內形成封裝層40。
請參見圖3及圖4，圖3為形成封裝層40後的導線架1的俯視圖，圖4為圖3的仰視圖。
具體地，在所述導線架1的每一收容框23內依次間隔形成封裝層40。所述每一封裝層40覆蓋至沿收容框23縱向延伸的電極結構30上。所述每一封裝層40大致呈長方體結構。所述每一封裝層40的縱向延伸的相對兩端分別固定至所述二間隔的第一固定架21的相對的內表面。所述每一封裝層40的寬度小於所述二相鄰的第二固定架22之間的間距，因此，所述封裝層40覆蓋所述電極結構30的整個上表面及部分第一連接體311、部分第二連接體331。
與此同時，所述該等電極結構30的下表面及第一連接體311、第二連接體331的下表面均外露於所述封裝層40的下表面（如圖4），其用以與外部電路電性連接。
所述封裝層40可以採用模鑄或者注塑的方式形成。所述封裝層40可以由環氧樹脂或者矽樹脂材料製成。
複數凹杯41自封裝層40的上表面向下表面方向凹陷形成。所述每一凹杯41與所述每一電極結構30正對設置。所述每一凹杯41自封裝層40的上表面斜向下延伸至所述第一電極31及第二電極33的上表面，以使得部分第一電極31的上表面及部分第二電極33的上表面外露於凹杯41的底部。本實施例中，所述凹杯41的數目為4個。
步驟三，請參見圖5及圖6，將封裝層40與所述第二固定架22分離。具體地，將所述外露於封裝層40的第一連接體311及第二連接體331自所述外框10及第二固定架22去除。本實施例中，所述外露於封裝層40相對兩側的第一連接體311及第二連接體331採用切割的方式去除。
步驟四，請參見圖7，提供複數發光二極體晶粒50，並將所述發光二極體晶粒50設置在所述凹杯41的底部，且使所述發光二極體晶粒50電性連接至所述第一電極31及第二電極33外露的上表面，從而形成多個依次相連的發光二極體60。
步驟五、請參見圖8，提供一檢測系統70，並採用該檢測系統70對每一發光二極體60依次進行檢測。該檢測系統70包括一電源71以及連接至電源的二探針73、75。
具體地，將所述二探針73、75分別連接所述外露於封裝層40底面的第一連接體311及第二連接體331，而第一連接體311及第二連接體331分別與所述第一電極31及第二電極33相連，從而使得電流藉由發光二極體60。若發光二極體60正常發光，則依次對下一個發光二極體60進行檢測；若某一發光二極體60沒有正常發光，則對之進行標記。由於所述多個發光二極體60間隔整齊排列，且由所述封裝層40固定為一體，因此，可以對發光二極體60進行快速地電性檢測，從而提高檢測效率。
步驟六、請參見圖9，切割所述導線架1及封裝層40形成多個發光二極體60。
具體地，沿著圖9中所示的A-A’線及B-B’線進行切割，從而得到多個分離的發光二極體60。由於不能正常發光的發光二極體60已經在檢測的過程中被標記，因此，只需要去除帶有標記的不能正常發光的發光二極體60即可，從而提高了發光二極體60的生產效率。
本發明的發光二極體60的製造方法中，藉由在導線架1內設置收容框23，多個電極結構30位於所述收容框23內並與所述收容框23固定連接，從而可同時製造多個發光二極體60，無需不斷重複操作單獨製造一個發光二極體60的過程，有利於簡化工序，提高發光二極體60的製造效率。另外，由於固定架20的設置，使得所述多個發光二極體60藉由封裝層40連接為一體，並在切割成多個發光二極體60前，即在多個發光二極體60與封裝層40還為一個整體時，就對發光二極體60依次進行檢測，防止單個發光二極體60因為過小而不易操作，同時也提高了檢測效率。
Claims (9)
- 一種發光二極體的製造方法，包括如下步驟：
提供導線架，所述導線架包括收容框，電極結構位於所述收容框內並與所述收容框固定連接；
在所述收容框內形成覆蓋所述電極結構上表面的封裝層，且使所述電極結構的下表面外露於封裝層；
提供發光二極體晶粒，並將所述發光二極體晶粒設置在所述封裝層的凹杯中，且使所述發光二極體晶粒分別電性連接至所述電極結構；
提供一檢測系統，並採用該檢測系統對每一發光二極體依次進行檢測；
切割所述導線架及封裝層形成多個發光二極體。 - 如請求項第1項所述的發光二極體的製造方法，其中：所述收容框包括固定架及與固定架連接的外框，所述電極結構跟固定架與/或外框固定連接。
- 如請求項第2項所述的發光二極體的製造方法，其中：所述固定架包括第一固定架及第二固定架，所述外框包括首尾相連的第一邊框及第二邊框，所述第一固定架平行間隔設置於所述第一邊框的相對兩側且分別靠近第一邊框，所述第一固定架的相對兩端分別連接至所述第二邊框，所述第二固定架間隔平行設置，且每一第二固定架的相對兩端分別連接至所述第一邊框的內表面，所述第一固定架、第二固定架以及第二邊框共同圍成間隔的收容框。
- 如請求項第3項所述的發光二極體的製造方法，其中：所述第一固定架及第二固定架的數目為2個，且所述外框呈矩形。
- 如請求項第4項所述的發光二極體的製造方法，其中：所述電極結構包括一第一電極以及與第一電極相對的第二電極，一第一連接體自所述第一電極一端表面一體向外延伸，一第二連接體自所述第二電極一端表面一體向外延伸，且所述第一電極及第二電極分別藉由所述第一連接體及第二連接體連接固定於收容框內。
- 如請求項第5項所述的發光二極體的製造方法，其中：所述封裝層的相對兩端分別固定至所述第一邊框，所述凹杯開設於封裝層正對所述電極結構上表面的位置上，所述封裝層的寬度小於所述收容框的寬度，以使部分第一連接體及第二連接體外露。
- 如請求項第6項所述的發光二極體的製造方法，其中：還包括將所述外露的第一連接體及第二連接體切割去除。
- 如請求項第1項所述的發光二極體的製造方法，其中：所述檢測系統包括二探針，藉由二探針對所述發光二極體進行電性檢測。
- 如請求項第8項所述的發光二極體的製造方法，其中：將所述二探針分別連接至所述發光二極體外露於封裝層下表面的電極結構，使電流藉由發光二極體。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210589129.1A CN103904194A (zh) | 2012-12-29 | 2012-12-29 | 发光二极管的制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201436302A true TW201436302A (zh) | 2014-09-16 |
Family
ID=50995429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102114716A TW201436302A (zh) | 2012-12-29 | 2013-04-24 | 發光二極體的製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103904194A (zh) |
| TW (1) | TW201436302A (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI658608B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光體封裝結構 |
| CN109755372B (zh) * | 2017-11-03 | 2021-05-11 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led基板、led芯片及其制作方法、led灯源和显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340378A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| CN201041809Y (zh) * | 2007-03-26 | 2008-03-26 | 吴泽彬 | 二极管支架 |
| CN102832295A (zh) * | 2011-06-14 | 2012-12-19 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
-
2012
- 2012-12-29 CN CN201210589129.1A patent/CN103904194A/zh active Pending
-
2013
- 2013-04-24 TW TW102114716A patent/TW201436302A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103904194A (zh) | 2014-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8546160B2 (en) | Method for packaging light emitting diodes | |
| US20080179604A1 (en) | Led chip package structure with a plurality of thick guiding pins and a method for manufacturing the same | |
| US8530252B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode | |
| TWI505519B (zh) | 發光二極體燈條及其製造方法 | |
| US20130292812A1 (en) | Lead frame for semiconductor device and semiconductor device package using the lead frame | |
| US8455274B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode | |
| US8853733B2 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| JP2015520515A (ja) | 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法、リードフレーム複合体およびオプトエレクトロニクス半導体素子 | |
| TW201427087A (zh) | 發光二極體及其封裝結構 | |
| TW201436301A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| KR101467959B1 (ko) | 광 디바이스 기판 | |
| TW201244178A (en) | LED package and method for manufacturing the same | |
| TW201436302A (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
| US8791493B2 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| US9041022B2 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| TWI686909B (zh) | 導線架及製造晶片封裝體的方法以及製造光電組件的方法 | |
| US9613940B2 (en) | Carrier array and light emitting diode package | |
| US20140061697A1 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| TW201432944A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| US9065030B2 (en) | Diode package having improved lead wire and manufacturing method thereof | |
| TW201448286A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| TW201403893A (zh) | 發光二極體及其製造方法 | |
| TW201442298A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| CN104112811A (zh) | 一种led的封装方法 | |
| KR20160112668A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |