KR20160112668A - 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임; 상기 리드프레임의 적어도 한 면 이상에 코팅된 제1 코팅층; 상기 리드프레임의 일부가 노출되게 상기 제1 코팅층이 코팅된 리드프레임을 패키징하여 지지하는 패키지본체; 상기 패키지본체에 의해 노출된 상기 리드프레임 상에 코팅된 제2 코팅층; 및 상기 리드프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 발광 다이오드 패키지의 패키징 공정 이후에 제2 코팅층을 형성함으로써, 패키징 공정에 의해 제1 코팅층이 손상되더라도 제2 코팅층으로 인해 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛의 반사효율을 높일 수 있어 발광 다이오드 패키지의 발광 효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 리드프레임 및 패키지본체가 구비되어 발광 다이오드 칩에서 발광되는 광의 효율을 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED: light emitting diode)는 발광 효율이 높고, 수명이 기 장점이 있으면서도 소비전력이 낮아 친환경적인 제품이다. 또한, 사용목적이나 형태에 따라 발광 다이오드 칩이 탑재된 패키지 구조로 제작할 수 있어 그 사용범위가 넓은 장점도 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
종래의 발광 다이오드 패키지(1)는 발광 다이오드 칩(10), 발광 다이오드 칩(10)에 전류를 인가하는 리드프레임(22, 24), 리드프레임(22, 24)을 지지하는 하우징 형태의 패키지본체(30) 및 발광 다이오드 칩(10)을 보호하기 위한 몰딩부재나 렌즈를 포함한다.
리드프레임(22, 24)은 두 개의 리드부재(22, 24)를 포함하고 두 개의 리드부재(22, 24)가 각각 서로 이격된 상태로 배치되며, 각 리드부재(22, 24)는 코팅층(52)으로 코팅된다. 코팅층(52)은 리드프레임(22, 24)의 전체 면에 코팅될 수 있고, 필요에 따라 리드프레임(22, 24)의 하면을 제외한 전체 면에 코팅될 수 있다. 이때, 코팅층(52)은 은(Ag)을 이용하여 코팅이 이루어질 수 있고, 코팅층(52)의 두께는 약 4㎛ 내지 5㎛로 코팅될 수 있다.
이렇게 코팅층(52)이 코팅된 리드프레임(22, 24)은 패키지본체(30)에 의해 패키징되고, 패키지본체(30)에 형성된 캐비티에 발광 다이오드 칩(10)이 실장된다. 이때, 발광 다이오드 칩(10)은 코팅층(52) 상면에 실장될 수 있다.
이렇게 종래와 같이, 발광 다이오드 패키지(1)를 제조하는 과정에서 코팅층(52)이 코팅된 리드프레임(22, 24)을 패키지본체(30)에 패키징할 때, 사출 성형에 의해 패키징이 이루어진다. 이때, 패키징 공정이 이루어지는 동안 코팅층(52)이 코팅된 리드프레임(22, 24)의 상면에 패키지본체(30)가 형성되면서 발생된 이물질이 코팅층(52) 상부에 달라붙을 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(10)에서 발광된 빛을 반사하기 위해 코팅된 코팅층(52)의 일부가 이물질에 의해 가려질 수 있기 때문에 이물질을 제거하기 위한 공정이 이루어진다.
통상적으로 이물질을 제거하는 공정은 가압된 물을 이용할 수 있는데, 가압된 물에 의해 리드프레임(22, 24)에 코팅된 코팅층(52)이 손상될 수 있다.
더욱이, 패키징 공정을 위해 리드프레임(22, 24)을 금형에 넣어 패키지본체(30)를 사출 성형이 이루어지는 동안 금형의 높은 온도에 의해 코팅층(52)이 손상될 수 있다.
상기와 같이, 코팅층(52)이 손상되면, 코팅층(52)이 반사층으로써의 효율이 떨어져 발광 다이오드 패키지(1)의 발광 효율이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 다이오드 패키지를 제조하면서 리드프레임에 코팅된 코팅층의 손상을 최소화하여 발광 다이오드 패키지의 발광 효율을 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임; 상기 리드프레임의 적어도 한 면 이상에 코팅된 제1 코팅층; 상기 리드프레임의 일부가 노출되게 상기 제1 코팅층이 코팅된 리드프레임을 패키징하여 지지하는 패키지본체; 상기 패키지본체에 의해 노출된 상기 리드프레임 상에 코팅된 제2 코팅층; 및 상기 리드프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 코팅층은 상기 패키지본체에 패키징되어 노출되지 않은 상기 리드프레임의 면에 코팅될 수 있다. 그리고 상기 제1 코팅층은 상기 제2 코팅층의 두께보다 얇게 코팅될 수 있다.
그리고 상기 제1 코팅층의 두께는 0.4㎛ 내지 0.6㎛일 수 있고, 상기 제2 코팅층의 두께는 2.0㎛ 내지 3.5㎛일 수 있다.
또한, 상기 제1 코팅층은 상기 리드프레임 전체 면에 코팅되고, 상기 제2 코팅층은 상기 제1 코팅층이 코팅된 상기 리드프레임 상에 코팅될 수 있다.
그리고 상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고, 상기 제2 코팅층은 상기 캐비티에 의해 일부가 노출된 상기 리드프레임 상에 코팅될 수 있다.
여기서, 상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층은 동일한 소재일 수 있으며, 해당 소재는 은(Ag)을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임; 상기 리드프레임의 적어도 한 면 이상에 코팅된 코팅층; 상기 리드프레임의 일부가 노출되게 상기 코팅층이 코팅된 리드프레임을 패키징하여 지지하는 패키지본체를 포함하고, 상기 코팅층은 상기 패키지본체에 의해 상기 리드프레임이 노출된 면에 코팅된 두께가 상기 패키지본체에 의해 상기 리드프레임이 노출되지 않은 면에 코팅된 두께보다 두껍게 코팅될 수 있다.
이때, 상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고, 상기 패키지본체에 의해 상기 리드프레임이 노출된 면은 상기 캐비티에 의해 상기 리드프레임이 노출된 면일 수 있다.
그리고 상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고, 상기 코팅층은 상기 리드프레임 전체 면에 코팅되며, 상기 코팅층은 상기 캐비티에 의해 노출된 상기 리드프레임의 노출된 면에 코팅된 두께가 상기 리드프레임의 나머지 면에 코팅된 두께보다 두껍게 코팅될 수 있다.
또 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법은, 적어도 두 개의 리드부재를 포함하는 리드프레임의 적어도 한 면 이상에 제1 코팅층을 코팅하는 단계; 상기 제1 코팅층이 코팅된 리드프레임을 패키지본체에 패키징하는 단계; 상기 패키지본체에 의해 노출된 상기 리드프레임 상에 제2 코팅층을 코팅하는 단계; 및 상기 제2 코팅층이 코팅된 상기 리드프레임 상에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계를 포함할 수 있다.
이때, 상기 제1 코팅층은 상기 패키지본체에 패키징되어 노출되지 않은 상기 리드프레임의 면에 코팅될 수 있다. 그리고 상기 제1 코팅층은 상기 제2 코팅층의 두께보다 얇게 코팅될 수 있다.
그리고 상기 제1 코팅층은 0.4㎛ 내지 0.6㎛의 두께로 상기 리드프레임에 코팅될 수 있고, 상기 제2 코팅층은 2.0㎛ 내지 3.5㎛의 두께로 상기 리드프레임에 코팅될 수 있다.
또한, 상기 제1 코팅층은 상기 리드프레임 전체 면에 코팅되고, 상기 제2 코팅층은 상기 제1 코팅층이 코팅된 상기 리드프레임상에 코팅될 수 있다.
그리고 상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하도록 상기 리드프레임을 패키징하고, 상기 제2 코팅층은 상기 캐비티에 의해 일부가 노출된 상기 리드프레임 상에 코팅될 수 있다.
여기서, 상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층은 동일한 소재일수 있으며, 해당소재는 은(Ag)을 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드 패키지의 패키징 공정 이후에 제2 코팅층을 형성함으로써, 패키징 공정에 의해 제1 코팅층이 손상되더라도 제2 코팅층으로 인해 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛의 반사효율을 높일 수 있어 발광 다이오드 패키지의 발광 효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 제1 코팅층의 코팅 두께를 종래보다 얇게 박막으로 형성하고, 제2 코팅층을 패키지본체에 의해 노출된 리드프레임에만 코팅함으로써, 발광 다이오드 패키지에 이용되는 코팅층을 종래보다 적게 사용할 수 있어 발광 다이오드 패키지 제조에 필요한 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 발광 다이오드 칩(110), 리드프레임(122, 124), 패키지본체(130), 제1 코팅층(152) 및 제2 코팅층(154)을 포함한다.
발광 다이오드 칩(110)은 외부에서 공급된 전원에 의해 소정의 파장의 광을 방출하는 반도체 소자의 일종이다. 본 발명의 일 실시예에서 패키지본체(130) 내에 하나의 발광 다이오드 칩(110)이 구비된 것에 대해 설명하지만, 이에 한정되지 않고, 필요에 따라 다수의 발광 다이오드 칩(110)이 구비될 수 있다. 이때, 다수의 발광 다이오드 칩(110)은 서로 다른 파장의 발광 다이오드 칩(110)으로 조합될 수 있다.
리드프레임(122, 124)은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)를 포함하고, 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)는 서로 이격된 상태로 패키지본체(130)에 결합된다. 본 발명의 일 실시예에서 발광 다이오드 칩(110)은 면적이 넓은 제1 리드부재(122)에 실장된 것에 대해 설명하고, 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)와 발광 다이오드 칩(110)은 각각 와이어 본딩에 의해 전기적으로 연결된다.
패키지본체(130)는 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고, 리드프레임(122, 124)과 결합되어 리드프레임(122, 124)을 지지한다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)를 감싸도록 패키징한다. 본 발명의 일 실시예에서 패키지본체(130)의 외형 형상은 사각형상으로 형성된 것에 대해 설명하지만, 이는 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
그리고 패키지본체(130)의 내측 형상은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)가 외부로 드러날 수 있도록 벽 내측에 형성된 캐비티 저면이 개방된 상태로 형성된다. 또한, 벽의 내부 면은 수평면에 대해 수직해서 형성되지 않고, 일정 각도로 기울어진 형상으로 형성된다. 그에 따라 벽 내부 면은 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 빛을 반사하는 반사면으로 형성될 수 있다. 이때, 반사면의 기울기는 수평면과 약 80도 각도로 형성될 수 있고, 이는 필요에 따라 달라질 수 있다.
또한, 패키지본체(130)의 캐비티 저면은 전체가 개방된 것이 아니라 저면 중간에 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124) 사이의 이격된 공간을 채우는 전극분리가 형성된다. 전극분리부(132)는 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)가 서로 전기적으로 절연시키는 역할을 한다. 이때, 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124)의 이격 거리는 상면에서 약 200㎛ 이상일 수 있고, 하면에서 약 400㎛ 이상일 수 있다. 그에 따라 전극분리부(132)의 하면이 상면보다 더 크게 형성될 수 있다. 전극분리부(132)의 형상은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 증가할 수 있고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상부와 하부에 단차가 형성될 수도 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 외부에서 발생된 정전기에 의해 발광 다이오드 칩(110)이 손상되는 것을 방지하기 위해 제너 다이오드가 추가로 구비될 수 있다. 발광 다이오드 칩(110)이 제1 리드부재(122)에 실장되면, 제너 다이오드는 제2 리드부재(124)에 실장될 수 있다.
그리고 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124) 각각에 제1 코팅층(152)이 형성될 수 있다. 제1 코팅층(152)은 제1 리드부재(122)와 제2 리드부재(124) 각각의 상면 및 측면에 코팅될 수 있다. 이때, 제1 코팅층(152)은 은(Ag)을 주성분으로 하며, 박막으로 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)에 각각 코팅될 수 있다. 박막의 제1 코팅층(152)의 두께는 약 0.4㎛ 내지 0.6㎛가 되도록 코팅될 수 있다.
제1 코팅층(152)을 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124) 각각에 코팅하기 위한 방법은 공지된 다양한 방법으로 코팅이 이루어질 수 있으며, 제1 코팅층(152)이 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 상면과 측면에만 코팅될 수 있도록 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 하면을 마스킹 등을 할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 코팅층(152)은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 상면 및 측면 전체에 코팅될 수 있다. 즉, 제1 코팅층(152)은 패키지본체(130)에 의해 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)가 패키징되기 전에 코팅되며, 그에 따라 패키지본체(130)에 의해 노출되지 않은 면에도 제1 코팅층(152)이 형성된다.
제2 코팅층(154)은 패키지본체(130)에 의해 리드프레임(122, 124)이 패키징되어 캐비티에 의해 노출된 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 상면에 형성된다. 그에 따라 제2 코팅층(154)은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)에 먼저 코팅된 제1 코팅층(152)의 상면에 코팅 형성된다. 그리고 제2 코팅층(154)은 도 3에 도시된 바와 같이, 노출된 제1 코팅층(152)과 패키지본체(130)의 벽의 내부 벽 일부를 덮도록 코팅된다.
그에 따라 리드프레임(122, 124)을 패키지본체(130)에 패키징하는 공정이나 패키징된 이후에 제1 코팅층(152) 상부면에 형성된 이물질을 제거하는 공정에서 제1 코팅층(152)이 손상되더라도 제2 코팅층(154)에 의해 손상된 제1 코팅층(152)을 덮기 때문에 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 빛의 발광 효율을 높일 수 있다.
더욱이, 제2 코팅층(154)이 코팅 형성할 때, 제1 코팅층(152)이 시드(seed) 역할을 할 수 있어 제2 코팅층(154)의 코팅이 보다 쉽게 될 수 있다. 또한, 제2 코팅층(154)이 패키지본체(130)의 내부 벽에 완전히 밀착되지 않더라도 제1 코팅층(152)으로 인해 리드프레임(122, 124)의 면이 외부로 노출되지 않을 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시예에서 리드프레임(122, 124)은 구리(Cu)가 이용되고, 제1 코팅층(152) 및 제2 코팅층(154)은 동일하게 은(Ag)이 이용된다.
상기와 같이, 제1 코팅층(152)과 제2 코팅층(154)이 리드프레임(122, 124)에 코팅됨에 따라 발광 다이오드 칩(110)이 실장되는 면인 패키지본체(130)의 캐비티에 의해 리드프레임(122, 124)이 노출된 면에는 제1 코팅층(152)과 제2 코팅층(154)이 모두 코팅되고, 패키지본체(130)에 의해 리드프레임(122, 124)이 노출되지 않은 면은 제1 코팅층(152)만 코팅된다. 그에 따라 캐비티에 의해 리드프레임(122, 124)이 노출된 면의 코팅 두께가 리드프레임(122, 124)이 노출되지 않은 면의 코팅 두께보다 두껍게 형성된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 4의 (a)를 참조하면, 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)가 서로 이격되도록 마련한다. 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)는 각각 도시된 바와 같이, 상부의 면적이 하부의 면적보다 크게 형성될 수 있고, 상부와 하부 사이에 단차가 형성될 수 있다.
도 4의 (b)를 참조하면, 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 각각 상면 및 측면에 제1 코팅층(152)을 코팅한다. 이때, 제1 코팅층(152)은 은(Ag)을 이용하여 코팅할 수 있으며, 제1 코팅층(152)의 두께가 0.4㎛ 내지 0.6㎛가 되도록 코팅할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 코팅층(152)은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 상면과 측면에만 형성되지만, 후술하겠지만, 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 전체에 코팅될 수도 있다.
도 4의 (c)를 참조하면, 제1 코팅층(152)이 리드프레임(122, 124)에 코팅된 상태에서 패키지본체(130)가 사출 성형된다. 제1 코팅층(152)이 각각 코팅된 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)가 서로 이격된 상태로 금형 내에 위치한 상태에서 액상이 금형 내로 유입되어 고열로 패키지본체(130)를 사출 성형한다. 이 과정에서 고열의 금형에 의해 제1 코팅층(152)에 데임 등의 손상이 발생할 수 있다.
도시하지 않았지만, 패키지본체(130)가 사출 성형된 다음, 제1 코팅층(152)의 상부 면에 사출성형에 의한 이물질이 형성될 수 있다. 이를 고압의 물 등을 이용하여 이물질을 제거하는 공정이 추가될 수 있으며, 이로 인해 제1 코팅층(152)이 패이는 등의 손상이 발생될 수 있다.
도 4의 (d)를 참조하면, 상기와 같이, 패키지본체(130)가 사출 성형되어 리드프레임(122, 124)이 패키지본체(130)에 패키징된 상태에서 패키지본체(130)의 캐비티에 의해 노출된 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124) 상부에 제2 코팅층(154)을 코팅 형성한다. 제2 코팅층(154)은 도팅 등의 방법이나 기타 공지된 방법에 의해 코팅이 이루어질 수 있다. 이때, 제2 코팅층(154)은 제1 코팅층(152)과 동일한 은(Ag)으로 이루어질 수 있고, 제2 코팅층(154)의 두께는 약 2.0㎛ 내지 3.5㎛일 수 있다.
그에 따라 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 노출된 상면에는 제1 코팅층(152) 및 제2 코팅층(154)에 의해 은(Ag)이 약 2.4㎛ 내지 4.1㎛의 두께로 코팅될 수 있다. 그리고 패키지본체(130) 내부에 위치한 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)의 상면 및 측면은 제1 코팅층(152)에 의해 은(Ag)이 약 0.4㎛ 내지 0.6㎛의 두께로 코팅될 수 있다. 종래에는 리드프레임(122, 124)에 코팅층을 한 번 형성하기 때문에 코팅층의 두께를 약 5㎛로 형성하여야 하지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 노출된 리드프레임(122, 124)의 상면에만 약 2.4㎛ 내지 4.1㎛의 두께로 형성되기 때문에 코팅에 필요한 은(Ag)의 양을 줄일 수 있어 제조비용을 절약할 수 있다.
한편, 패키지본체(130)에 리드프레임(122, 124)이 패키징된 상태에서 제2 코팅층(154)을 코팅하더라도 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 전극분리부(132)의 상면에는 제2 코팅층(154)이 코팅되지 않는다. 이는 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)가 서로 전기적으로 절연된 상태를 유지하여야 하기 때문이다. 또한, 전극분리부(132)는 패키지본체(130)와 동일한 수지로 형성되기 때문에 은(Ag)으로 이루어진 제2 코팅층(154)이 수지에 코팅이 잘 이루어지지 않을 수 있다.
도 4의 (e)를 참조하면, 제2 코팅층(154)이 코팅 형성된 상태에서 제2 코팅층(154)의 상부 면에 발광 다이오드 칩(110)을 실장한다. 이때, 발광 다이오드 칩(110)은 넓은 면적을 갖는 제1 리드부재(122) 상부에 실장될 수 있다. 그리고 발광 다이오드 칩(110)은 제1 리드부재(122) 및 제2 리드부재(124)에 각각 와이어 본딩으로 전기적으로 연결한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(200)는 발광 다이오드 칩(210), 리드프레임(222, 224), 패키지본체(230), 제1 코팅층(252) 및 제2 코팅층(254)을 포함한다. 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명하면서, 일 실시예에서와 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 생략한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(200)에서 제1 코팅층(252)은 제1 리드부재(222) 및 제2 리드부재(224)의 전체 면에 코팅 형성된다. 그에 따라 도시된 바와 같이, 제1 코팅층(252)은 제1 리드부재(222) 및 제2 리드부재(224)의 하부 면에도 코팅된다.
본 발명의 다른 실시예에서 제1 코팅층(252)을 형성하기 위해 제1 리드부재(222) 및 제2 리드부재(224)는 제1 코팅층(252)을 형성하는 물질인 액상의 은(Ag)에 담가 코팅하는 담금법 등이나 기타 공지된 방법이 이용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서와 같이, 제1 코팅층(252) 및 제2 코팅층(254)이 리드프레임(222, 224)에 코팅됨에 따라 발광 다이오드 칩(210)이 실장되는 면인 패키지본체(230)의 캐비티에 의해 리드프레임(222, 224)이 노출된 면에는 제1 코팅층(252)과 제2 코팅층(254)이 모두 코팅된다. 그리고 패키지본체(230)에 의해 리드프레임(222, 224)이 노출되지 않은 면과 리드프레임(222, 224)의 하부면는 제1 코팅층(252)만 코팅된다. 그에 따라 캐비티에 의해 리드프레임(222, 224)이 노출된 면의 코팅 두께가 리드프레임(222, 224)의 나머지 면의 코팅두께보다 두껍게 형성된다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 발광 다이오드 패키지
110: 발광 다이오드 칩 122: 제1 리드부재
124: 제2 리드부재 130: 패키지본체
132: 전극분리부 152: 제1 코팅층
154: 제2 코팅층
110: 발광 다이오드 칩 122: 제1 리드부재
124: 제2 리드부재 130: 패키지본체
132: 전극분리부 152: 제1 코팅층
154: 제2 코팅층
Claims (21)
- 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임;
상기 리드프레임의 적어도 한 면 이상에 코팅된 제1 코팅층;
상기 리드프레임의 일부가 노출되게 상기 제1 코팅층이 코팅된 리드프레임을 패키징하여 지지하는 패키지본체;
상기 패키지본체에 의해 노출된 상기 리드프레임 상에 코팅된 제2 코팅층; 및
상기 리드프레임 상에 실장된 발광 다이오드 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 코팅층은 상기 패키지본체에 패키징되어 노출되지 않은 상기 리드프레임의 면에 코팅된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 코팅층은 상기 제2 코팅층의 두께보다 얇게 코팅된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 코팅층의 두께는 0.4㎛ 내지 0.6㎛인 발광 다이오드 패키지. - 청구항 4에 있어서,
상기 제2 코팅층의 두께는 2.0㎛ 내지 3.5㎛인 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 코팅층은 상기 리드프레임 전체 면에 코팅되고,
상기 제2 코팅층은 상기 제1 코팅층이 코팅된 상기 리드프레임 상에 코팅된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고,
상기 제2 코팅층은 상기 캐비티에 의해 일부가 노출된 상기 리드프레임 상에 코팅된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층은 동일한 소재인 발광 다이오드 패키지. - 청구항 8에 있어서,
상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층은 은(Ag)을 포함하는 발광 다이오드 패키지. - 서로 이격된 제1 및 제2 리드부재를 포함하는 리드프레임;
상기 리드프레임의 적어도 한 면 이상에 코팅된 코팅층;
상기 리드프레임의 일부가 노출되게 상기 코팅층이 코팅된 리드프레임을 패키징하여 지지하는 패키지본체를 포함하고,
상기 코팅층은 상기 패키지본체에 의해 상기 리드프레임이 노출된 면에 코팅된 두께가 상기 패키지본체에 의해 상기 리드프레임이 노출되지 않은 면에 코팅된 두께보다 두껍게 코팅된 발광 다이오드 패키지. - 청구항 10에 있어서,
상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고,
상기 패키지본체에 의해 상기 리드프레임이 노출된 면은 상기 캐비티에 의해 상기 리드프레임이 노출된 면인 발광 다이오드 패키지. - 청구항 10에 있어서,
상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하고,
상기 코팅층은 상기 리드프레임 전체 면에 코팅되며,
상기 코팅층은 상기 캐비티에 의해 노출된 상기 리드프레임의 노출된 면에 코팅된 두께가 상기 리드프레임의 나머지 면에 코팅된 두께보다 두껍게 코팅된 발광 다이오드 패키지. - 적어도 두 개의 리드부재를 포함하는 리드프레임의 적어도 한 면 이상에 제1 코팅층을 코팅하는 단계;
상기 제1 코팅층이 코팅된 리드프레임을 패키지본체에 패키징하는 단계;
상기 패키지본체에 의해 노출된 상기 리드프레임 상에 제2 코팅층을 코팅하는 단계; 및
상기 제2 코팅층이 코팅된 상기 리드프레임 상에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 제1 코팅층은 상기 패키지본체에 패키징되어 노출되지 않은 상기 리드프레임의 면에 코팅된 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 제1 코팅층은 상기 제2 코팅층의 두께보다 얇게 코팅되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 제1 코팅층은 0.4㎛ 내지 0.6㎛의 두께로 상기 리드프레임에 코팅되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 14에 있어서,
상기 제2 코팅층은 2.0㎛ 내지 3.5㎛의 두께로 상기 리드프레임에 코팅되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 제1 코팅층은 상기 리드프레임 전체 면에 코팅되고,
상기 제2 코팅층은 상기 제1 코팅층이 코팅된 상기 리드프레임 상에 코팅되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 패키지본체는 내부에 캐비티를 정의하는 벽을 포함하도록 상기 리드프레임을 패키징하고,
상기 제2 코팅층은 상기 캐비티에 의해 일부가 노출된 상기 리드프레임 상에 코팅되는 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층은 동일한 소재인 발광 다이오드 패키지 제조 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층은 은(Ag)을 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.
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| KR1020150038810A KR20160112668A (ko) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
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| CN117393550A (zh) * | 2023-11-15 | 2024-01-12 | 深圳市富斯迈电子有限公司 | 一种led发光管芯片跃层式封装结构及其制备工艺 |
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| CN117393550B (zh) * | 2023-11-15 | 2024-05-28 | 深圳市富斯迈电子有限公司 | 一种led发光管芯片跃层式封装结构及其制备工艺 |
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