TW201435307A - 多軸微機電系統（ｍｅｍｓ）速率感測器裝置 - Google Patents

多軸微機電系統（ｍｅｍｓ）速率感測器裝置 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種MEMS速率感測器裝置。在一實施例中，該感測器裝置包含經組態上覆於一CMOS基板之一MEMS速率感測器。該MEMS速率感測器可包含具有四個驅動元件之一驅動器組及具有六個感測元件之經組態用於三軸旋轉感測之一感測器組。此感測器架構容許驅動質量件中之低阻尼及感測質量件中之高阻尼，該感測器架構對一MEMS速率感測器設計係理想的。具有達到高振幅之低驅動電位，低驅動阻尼係有利於MEMS速率功率消耗及效能。

Description

多軸微機電系統(MEMS)速率感測器裝置 相關申請案之交叉參考
出於各種目的，本發明主張下列申請中專利申請案之優先權，且以引用方式併入下列申請中專利申請案：2013年1月25日申請之美國臨時申請案61/757,088號、2013年1月25日申請之美國臨時申請案61/757,085號及2014年1月24日申請之美國專利申請案14/163,789號。出於各種目的，本發明亦以引用方式併入下列申請中專利申請案：2013年3月7日申請之美國專利申請案13/788,503號。
整合式微電子之研究及開發已繼續在CMOS及MEMS中產生令人震驚之進步。CMOS技術已成為積體電路(IC)之主要製造技術。基於感測器之微機電系統(MEMS)可與IC技術一起結合以實現若干進化感測器應用。
本發明係關於一MEMS(微機電系統)之一裝置或系統架構。
在一實施例中，該感測器裝置包含經組態上覆於一CMOS基板之一MEMS速率感測器。該MEMS速率感測器可包含具有四個驅動器元件之一驅動器組及具有六個感測元件之經組態用於三軸旋轉感測之一感測器組。此感測器架構容許在驅動質量件中之低阻尼及在感測質量件中之高阻尼，該感測器架構對一MEMS速率感測器設計係理想的。具有達到高振幅之低驅動電位，低驅動阻尼係有利於MEMS速率電力 消耗及效能。
100‧‧‧裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧三軸陀螺儀/MEMS速率感測器/元件/質量件
121‧‧‧錨
122‧‧‧位移感測器
123‧‧‧位移驅動器
150‧‧‧電焊墊
X‧‧‧軸
XD1‧‧‧驅動器
XD2‧‧‧驅動器
Y‧‧‧軸
YD1‧‧‧驅動器
YD2‧‧‧驅動器
Z‧‧‧軸
圖1係圖解說明根據本發明之一實施例之一MEMS速率感測器裝置之一簡化示意圖；圖2A係圖解說明根據本發明之一實施例之一MEMS速率感測器裝置之一簡化圖；及圖2B係圖解說明根據本發明之一實施例之一MEMS速率感測器裝置之一簡化圖。
本發明係關於一MEMS(微機電系統)之一裝置或系統架構。本文描述之實施例將覆蓋特定應用之各種態樣，但將明白本發明具有一極大廣闊範圍之應用性。
圖1係圖解說明根據本發明之一實施例之一整合式MEMS速度感測器裝置之一簡化示意圖。如所示，裝置100可包含在一單一封裝腔中上覆於基板110之一三軸陀螺儀120。陀螺儀120定位在該晶片之一外側部分或經配置繞該晶片基板之一中心區域。亦可使用MEMS、感測器及類似物之其他組合。
在一實施例中，本發明提供一三軸速率感測器或可被歸類為一振動陀螺儀之陀螺儀。此裝置可取決於柯氏(Coriolis)效應以將驅動能量(驅動器)轉換為感測元件(感測器)，及以偵測旋轉速率信號。在一特定實施例中，MEMS速率感測器120可經組態上覆於一經完全處理之CMOS基板110。速率感測器120可經組態為CMOS表面區域之一外部部分。感測器將覆在可密閉式密封之一真空腔中。在一實施例中，感測器裝置可包含單晶、多晶、非晶或其他矽材料及其等之組合。
在一特定實施例中，陀螺儀結構之所有部分可自一單一遮罩層形成且經組態具有一空心中間部分。此單一層可合併感測陀螺儀運動 之各者。並不需要單獨形成該整合式陀螺儀之X、Y及Z軸感測器，其在製造中減少步驟之數量。
在一特定實施例中，陀螺儀120可包含耦合至半導體基板110之錨121。如在圖1中指示，元件120之各者可係針對一指定感測軸(X、Y及Z)之一慣性質量件。同樣地，該等元件120之各者可包含針對每一感測軸之對應位移感測器122。此外，陀螺儀元件120之各者可包含經組態以使該慣性質量件移位之一位移驅動器123。回應於藉由位移驅動器123使慣性質量件120移位，x軸、y軸及z軸位移感測器122提供資料。
在一特定實施例中，感測器裝置可具有四個驅動器：YD1、YD2、XD1及XD2(在圖1中展示)。靠近感測質量件120之各者展示驅動元件123。驅動元件123可被機械耦合，使得其等同時地在某些模型中移動。可使用一可撓樑來實現該機械耦合以將該等驅動器連接至彼此。
在一實施例中，焊墊可經組態於該晶粒、基板及封裝之隅角之一或多者中。在一特定實施例中，所有四個隅角具有電焊墊150之專用區域。不存在額外之頂部/底部或左側/右側區域待分配給焊墊。此架構可最大化該感測器區域，且因此獲得更佳效能。該等感測器在幾何中全部係對稱的，歸因於封裝效應，其係有利於感測器溫度效能。
在一實施例中，本發明可包含一MEMS速率感測器裝置。該裝置可包含耦合一感測器組之一驅動器組。該驅動器組可包含複數個驅動元件，及該感測器組可包含複數個感測元件及複數個感測質量件。此等組可形成上覆於可係一單晶矽基板之一基板部件。
在一特定實施例中，複數個驅動元件可包含一第一、第二、第三及第四驅動元件。該第一及第二驅動元件可分別係一第一及第二x驅動元件。該第三及第四驅動元件可分別係一第一及第二y驅動元 件。同樣地，可為z軸提供一或多個驅動元件(諸如經組態為一第一及第二z驅動元件之一第五及第六驅動元件)。
在一特定實施例中，複數個感測元件可包含對應之第一至第六感測元件及第一至第六感測質量件。該第一及第二感測元件可耦合至該第一及第二感測質量件，其分別對應於一第一及第二x感測元件。類似地，該第三及第四感測元件及質量件可對應於一第一及第二y感測元件，而該第五及第六感測元件及質量件可對應於一第一及第二z感測元件。同樣地，x及y軸之該第一及第二感測元件各可耦合至一單一感測質量件而非兩個單獨之質量件。
在一實施例中，本發明可包括一矽晶體(其可係單晶矽)材料層之一MEMS裝置。此矽晶體材料層可包含一組x軸元件、一組y軸元件及一組z軸元件。此等組之各者可包含一旋轉實體資料部分、一旋轉慣性質量件部分及一驅動部分。該z軸旋轉慣性質量件部分可包含該x及y軸慣性質量件部分之兩者。
一基板可耦合至該矽晶體材料層，其可包含每一軸部分之一旋轉電回饋部分。此等回饋部分之各者可經組態以將來自該旋轉實體資料部分之實體資料轉換為旋轉電資料。在一特定實施例中，每一軸之該旋轉實體資料部分可包含一第一電容器板。經轉換之該實體資料可涉及相對於此電容器板對中該第二電容器板之該第一電容器板之移動。
在一特定實施例中，每一軸之該慣性質量件部分之各者可包含一第一慣性質量件部分及一第二慣性質量件部分。該驅動部分亦可包含每一軸部分之一第一及第二驅動器。一軸之該第一驅動器可驅動該軸之第一慣性質量件，而該第二驅動器驅動該第二慣性質量件。該等驅動器對可具有選自同相、180度非同相或類似物之一相位關係。在圖2A及2B中展示關於該等驅動相之進一步細節。如前所述，可組合 該等驅動器對至單一驅動器中。
圖2A及2B係圖解說明根據本發明之一實施例之一MEMS速率感測器裝置之簡化圖。可在圖2中圖解說明驅動器運動之型樣。在圖2A中，所有四個驅動元件在平面(XY平面)中同時移入及移出，而在圖2B中，隨著頂部及底部元件移入，左側及右側元件移出。
根據一特定實施例，當具有所有三個軸中之組件之該感測器正經歷一旋轉信號時，該等感測元件將以一定型樣移動。該感測元件運動信號具有與該驅動元件運動相同頻率之一載波信號。藉由解調變該感測元件運動信號，可解碼該感測器旋轉信號。
X感測元件移出平面(沿Z軸)，其中該頂部及底部質量件以一反相位型樣移動(當該頂部質量件在+Z中移動時，該底部質量件在-Z中移動)。Y感測元件以一相似型樣移動至X感測元件。Z感測元件在平面中沿Y軸移動，即，當該左側元件在+y中移動時，該右側元件在-y中移動。根據本發明之各種實施例，該速率感測器裝置可包含一些或所有下列特徵： 該感測器可係由單晶矽製成。相較於一多晶矽速率感測器，此裝置具有具更大質量件之可能性，且因此此裝置比習知模型係更穩定及更少雜訊。相較於由多晶矽製成之感測器，此感測器亦可具有一更高之品質因數，且因此使用更小之電信號來驅動。
在一實施例中，該感測器使用針對所有三個軸旋轉信號之一個驅動器組。此設計最小化在多個驅動信號之間之該感測輸出中之信號耦合及節省CMOS晶片區域。所有四個驅動器經機械耦合，其提供一更堅固及穩定之驅動器振盪。可藉由將兩個塊(而非四個)指定為驅動指示區域(例如，YDP及YDN或XDP及XDN)來進一步簡化設計，其將使該設計在機械元件設計及電信號路由中更有效。
感測質量件經機械耦合，在X感測元件之間：XSP(頂部)及XSN (底部)，在Y感測元件之間：YSP(左側)及YSN(右側)，在Z感測元件之間：ZS1(左側)及ZS3(右側)。此設計提供更佳之共模拒斥及更佳之外部干擾拒斥。藉由使用在每一感測元件中靠近彼此之ZSP及ZSN，Z感測元件具有額外之共模拒斥。
該感測器架構容許驅動質量件中之低阻尼及感測質量件中之高阻尼，對於一陀螺儀速率感測器設計，該感測器架構係理想的。由相較於擠壓膜阻尼通常係低之Couette流阻尼支配所有在平面中移動之驅動器及阻尼。具有達到高振幅之低驅動電位，低驅動器阻尼係有利於陀螺儀功率消耗及效能。藉由擠壓膜阻尼支配感測元件，其中X及Y感測元件移出平面，及Z感測元件移入平面，但使用平行板類型之感測，因此由擠壓膜阻尼支配該阻尼。
亦應瞭解，本文描述之實例及實施例僅係為圖解說明之目的及根據其等之各種修改或改變將為熟習此項技術者提議及係在本發明之精神及範圍及隨附申請專利範圍之範圍中包括。
100‧‧‧裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧三軸陀螺儀/MEMS速率感測器/元件/質量件
121‧‧‧錨
122‧‧‧位移感測器
123‧‧‧位移驅動器
150‧‧‧電焊墊

Claims (20)

  1. 一種MEMS速率感測器裝置，該裝置包括：一驅動器組，該驅動器組包含複數個元件及經組態用於三軸旋轉感測，及一感測器組，該感測器組包含複數個元件及複數個感測質量件，其中該感測器組電耦合至該驅動器組。
  2. 如請求項1之裝置，進一步包括一單晶矽基板，其中該驅動器組及該感測器組經形成上覆於該基板。
  3. 如請求項1之裝置，其中該複數個驅動元件機械耦合至彼此。
  4. 如請求項3之裝置，其中該複數個驅動元件包含一第一x驅動元件、一第二x驅動元件、一第一y驅動元件及一第二y驅動元件。
  5. 如請求項3之裝置，其中該複數個驅動元件包含一第一x驅動元件及一第二y驅動元件。
  6. 如請求項1之裝置，其中該複數個感測質量件包括一第一x感測質量件、一第二x感測質量件、一第一y感測質量件及一第二y感測質量件。
  7. 如請求項6之裝置，其中該第一及第二x感測質量件機械耦合至彼此，及該第一及第二y感測質量件機械耦合至彼此。
  8. 如請求項6之裝置，進一步包括一第一z感測質量件及一第二z感測質量件，該等z感測質量件之各者耦合至一第一z感測元件及一第二z感測元件。
  9. 一種MEMS速率感測器裝置，該裝置包括：一基板部件，其具有一表面區域；一CMOS IC層，其上覆於該表面區域，該CMOS IC層具有一CMOS表面區域，及 一MEMS速率感測器，其上覆於該CMOS表面區域，該MEMS速率感測器包含：一驅動器組，該驅動器組包含：一第一驅動元件，一第二驅動元件，一第三驅動元件，及一第四驅動元件，其中所有該等驅動元件機械耦合至彼此，該驅動器組經組態用於三軸旋轉感測，及一感測器組，該感測器組包含：一第一感測元件，一第二感測元件，一第一感測質量件，其機械耦合至該第一及第二感測元件，一第三感測元件，一第四感測元件，一第二感測質量件，其機械耦合至該第三及第四感測元件，一第五感測元件，一第六感測元件，及一第三感測質量件，其機械耦合至該第五及第六感測元件，其中該感測器組電耦合至該驅動器組。
  10. 如請求項9之裝置，其中該基板部件包括一單晶矽材料。
  11. 一種MEMS裝置，其包括：一矽晶體材料層，其包括： 一x軸旋轉慣性質量件部分；一x軸驅動部分；一x軸旋轉實體資料部分；一y軸旋轉慣性質量件部分；一y軸驅動部分；一y軸旋轉實體資料部分；一z軸旋轉慣性質量件部分，其中該z軸旋轉慣性質量件部分包含該x軸旋轉慣性質量件部分及該y軸旋轉慣性質量件部分；及一z軸旋轉實體資料部分。
  12. 如請求項11之裝置，進一步包括：耦合至該矽晶體材料層之一基板，其包括：一x軸旋轉電回饋部分，其經組態以將來自該x軸旋轉實體資料部分之實體資料轉換為x軸旋轉電資料；一y軸旋轉電回饋部分，其經組態以將來自該y軸旋轉實體資料部分之實體資料轉換為y軸旋轉電資料；及一z軸旋轉電回饋部分，其經組態以將來自該z軸旋轉實體資料部分之實體資料轉換為z軸旋轉電資料。
  13. 如請求項12之裝置，其中該x軸旋轉電資料包括一x軸旋轉電容值。
  14. 如請求項12之裝置，其中該x軸旋轉實體資料部分包括一第一電容板。
  15. 如請求項14之裝置，其中該x軸旋轉電資料部分包括一第二電容板；及其中該實體資料包括該第一電容板相對於該第二電容板之移動。
  16. 如請求項11之裝置，其中該x軸旋轉慣性質量件部分包括一第一慣性質量件及一第二慣性質量件；其中該x軸驅動部分包括一第一驅動器及一第二驅動器；及其中該第一驅動器驅動該第一慣性質量件；其中該第二驅動器驅動該第二慣性質量件；及其中該第一驅動器及第二驅動器具有選自由同相、180度非同相組成之一群組之一相位關係。
  17. 如請求項11之裝置，其中該y軸旋轉慣性質量件部分包括一第一慣性質量件及一第二慣性質量件；其中該y軸驅動部分包括一第一驅動器及一第二驅動器；及其中該第一驅動器驅動該第一慣性質量件；其中該第二驅動器驅動該第二慣性質量件；及其中該第一驅動器及第二驅動器具有選自由同相、180度非同相組成之一群組之一相位關係。
  18. 如請求項11之裝置，其中該x軸旋轉慣性質量件部分包括一第一慣性質量件及一第二慣性質量件；其中該x軸驅動部分包括一驅動器；及其中該驅動器驅動該第一及第二慣性質量件；其中驅動器經組態以選自由同相、180度非同相組成之一群組之一相位關係來驅動該第一及第二慣性質量件。
  19. 如請求項11之裝置，其中該y軸旋轉慣性質量件部分包括一第一慣性質量件及一第二慣性質量件；其中該y軸驅動部分包括一驅動器；及其中該驅動器驅動該第一及第二慣性質量件；其中驅動器經組態以選自由同相、180度非同相組成之一群組之一相位關係來驅動該第一及第二慣性質量件。
  20. 如請求項11之裝置，其中該矽晶體材料之單一層包括單晶矽。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9950921B2 (en) 2013-03-07 2018-04-24 MCube Inc. MEMS structure with improved shielding and method
US10036635B2 (en) 2013-01-25 2018-07-31 MCube Inc. Multi-axis MEMS rate sensor device
TWI711803B (zh) * 2015-08-28 2020-12-01 德商羅伯特博斯奇股份有限公司 用於自動化應用的雙軸超堅固轉速感應器

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10132630B2 (en) 2013-01-25 2018-11-20 MCube Inc. Multi-axis integrated MEMS inertial sensing device on single packaged chip
WO2015042700A1 (en) 2013-09-24 2015-04-02 Motion Engine Inc. Mems components and method of wafer-level manufacturing thereof
JP6339669B2 (ja) 2013-07-08 2018-06-06 モーション・エンジン・インコーポレーテッド Ｍｅｍｓデバイスおよび製造する方法
WO2015013828A1 (en) 2013-08-02 2015-02-05 Motion Engine Inc. Mems motion sensor and method of manufacturing
WO2015103688A1 (en) 2014-01-09 2015-07-16 Motion Engine Inc. Integrated mems system
US20170030788A1 (en) 2014-04-10 2017-02-02 Motion Engine Inc. Mems pressure sensor
US11674803B2 (en) 2014-06-02 2023-06-13 Motion Engine, Inc. Multi-mass MEMS motion sensor
CA3004760A1 (en) 2014-12-09 2016-06-16 Motion Engine Inc. 3d mems magnetometer and associated methods
CA3006938C (en) 2014-12-10 2023-08-15 Paul D. Okulov Micro electro-mechanical strain displacement sensor and usage monitoring system
CA3220839A1 (en) 2015-01-15 2016-07-21 Motion Engine Inc. 3d mems device with hermetic cavity
US11891297B2 (en) * 2019-07-05 2024-02-06 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. Motion control structure and actuator

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5825385A (en) 1995-04-12 1998-10-20 Eastman Kodak Company Constructions and manufacturing processes for thermally activated print heads
US5736732A (en) 1996-12-23 1998-04-07 General Electric Company Induced charge prevention in semiconductor imaging devices
JP4075022B2 (ja) 1998-06-24 2008-04-16 アイシン精機株式会社 角速度センサ
KR100436367B1 (ko) * 2001-12-14 2004-06-19 삼성전자주식회사 수직 진동 질량체를 갖는 멤스 자이로스코프
US6859751B2 (en) 2001-12-17 2005-02-22 Milli Sensor Systems & Actuators, Inc. Planar inertial measurement units based on gyros and accelerometers with a common structure
US6725719B2 (en) 2002-04-17 2004-04-27 Milli Sensor Systems And Actuators, Inc. MEMS-integrated inertial measurement units on a common substrate
US7122395B2 (en) 2002-12-23 2006-10-17 Motorola, Inc. Method of forming semiconductor devices through epitaxy
CN101069099A (zh) 2003-02-24 2007-11-07 佛罗里达大学 微机械加工的集成单片三轴加速度计
US7368312B1 (en) * 2004-10-15 2008-05-06 Morgan Research Corporation MEMS sensor suite on a chip
US7562573B2 (en) 2005-07-21 2009-07-21 Evigia Systems, Inc. Integrated sensor and circuitry and process therefor
US7621183B2 (en) 2005-11-18 2009-11-24 Invensense Inc. X-Y axis dual-mass tuning fork gyroscope with vertically integrated electronics and wafer-scale hermetic packaging
US20070164378A1 (en) 2006-01-13 2007-07-19 Honeywell International Inc. Integrated mems package
US7578189B1 (en) 2006-05-10 2009-08-25 Qualtre, Inc. Three-axis accelerometers
US7900512B2 (en) * 2006-07-25 2011-03-08 Denso Corporation Angular rate sensor
US8047075B2 (en) 2007-06-21 2011-11-01 Invensense, Inc. Vertically integrated 3-axis MEMS accelerometer with electronics
US20100071467A1 (en) * 2008-09-24 2010-03-25 Invensense Integrated multiaxis motion sensor
US7595209B1 (en) 2007-03-09 2009-09-29 Silicon Clocks, Inc. Low stress thin film microshells
US7923790B1 (en) 2007-03-09 2011-04-12 Silicon Laboratories Inc. Planar microshells for vacuum encapsulated devices and damascene method of manufacture
US8061201B2 (en) * 2007-07-13 2011-11-22 Georgia Tech Research Corporation Readout method and electronic bandwidth control for a silicon in-plane tuning fork gyroscope
JP4508230B2 (ja) 2007-11-21 2010-07-21 ソニー株式会社 慣性センサ及びその検出装置
US8156806B1 (en) 2007-12-10 2012-04-17 Milli Sensor Systems & Actuators Inertial measurement unit for spin-stabilized aerial vehicles, and method of providing guidance information using same
US7800190B2 (en) 2008-06-16 2010-09-21 Honeywell International Inc. Getter on die in an upper sense plate designed system
US8939029B2 (en) 2008-09-05 2015-01-27 Analog Devices, Inc. MEMS sensor with movable Z-axis sensing element
TW201020548A (en) 2008-11-18 2010-06-01 Ind Tech Res Inst Multi-axis capacitive accelerometer
US8205498B2 (en) 2008-11-18 2012-06-26 Industrial Technology Research Institute Multi-axis capacitive accelerometer
GB2467776A (en) 2009-02-13 2010-08-18 Wolfson Microelectronics Plc Integrated MEMS transducer and circuitry
WO2010107016A1 (ja) 2009-03-16 2010-09-23 パナソニック電工株式会社 Ｍｅｍｓデバイス
IT1394007B1 (it) * 2009-05-11 2012-05-17 St Microelectronics Rousset Struttura microelettromeccanica con reiezione migliorata di disturbi di accelerazione
TWI521670B (zh) 2009-05-14 2016-02-11 高通公司 系統級封裝
FR2945621B1 (fr) 2009-05-15 2011-08-26 Commissariat Energie Atomique Structure de couplage pour gyrometre resonnant
US8823007B2 (en) 2009-10-28 2014-09-02 MCube Inc. Integrated system on chip using multiple MEMS and CMOS devices
US8739626B2 (en) 2009-08-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined inertial sensor devices
ITTO20091042A1 (it) * 2009-12-24 2011-06-25 St Microelectronics Srl Giroscopio integrato microelettromeccanico con migliorata struttura di azionamento
US9021880B2 (en) 2010-04-30 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric three-axis gyroscope and stacked lateral overlap transducer (slot) based three-axis accelerometer
US8487398B2 (en) 2010-07-14 2013-07-16 Freescale Semiconductor, Inc. Capacitor device using an isolated well and method therefor
WO2012037539A1 (en) 2010-09-18 2012-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass
US9276080B2 (en) 2012-03-09 2016-03-01 Mcube, Inc. Methods and structures of integrated MEMS-CMOS devices
US20130247662A1 (en) 2010-12-08 2013-09-26 Microfine Materials Technologies Pte Ltd High-performance bending accelerometer
US8878312B2 (en) 2011-03-01 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrical bypass structure for MEMS device
US8754529B2 (en) 2011-03-28 2014-06-17 Miradia, Inc. MEMS device with simplified electrical conducting paths
US9540230B2 (en) 2011-06-27 2017-01-10 Invensense, Inc. Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures
US20130042686A1 (en) 2011-08-17 2013-02-21 Sitronix Technology Corp. Inertia sensing apparatus
US8836055B2 (en) 2011-09-30 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS structures and methods for forming the same
US9249012B2 (en) 2013-01-25 2016-02-02 Mcube, Inc. Method and device of MEMS process control monitoring and packaged MEMS with different cavity pressures
US10036635B2 (en) 2013-01-25 2018-07-31 MCube Inc. Multi-axis MEMS rate sensor device
US10132630B2 (en) 2013-01-25 2018-11-20 MCube Inc. Multi-axis integrated MEMS inertial sensing device on single packaged chip

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10036635B2 (en) 2013-01-25 2018-07-31 MCube Inc. Multi-axis MEMS rate sensor device
US9950921B2 (en) 2013-03-07 2018-04-24 MCube Inc. MEMS structure with improved shielding and method
TWI711803B (zh) * 2015-08-28 2020-12-01 德商羅伯特博斯奇股份有限公司 用於自動化應用的雙軸超堅固轉速感應器

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