TW201427107A - 發光二極體封裝結構 - Google Patents

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Abstract

一種發光二極體封裝結構，包括間隔設置的第一電極和第二電極、分別與第一電極和第二電極電連接的發光二極體晶片以及圍繞發光二極體晶片設置的反射杯，反射杯具有一容納發光二極體晶片的容置槽，第一電極、第二電極均包括一縱長的本體部以及自本體部一端垂直向下延伸的接引電極，第一電極的本體部和第二電極的本體部位於接引電極的一端均自本體部的同側朝向本體部凹陷形成凹槽，第一電極的本體部、第二電極的本體部嵌置於反射杯內，第一電極的接引電極和第二電極的接引電極暴露於反射杯之外。

Description

發光二極體封裝結構
本發明涉及一種半導體發光元件，特別涉及一種發光二極體封裝結構。
發光二極體（light emitting diode，LED）作為一種高效的發光源，具有環保、省電、壽命長等諸多特點已經被廣泛的運用於各種領域。
在應用到具體領域中之前，發光二極體還需要進行封裝，以保護發光二極體晶片，從而獲得較高的發光效率及較長的使用壽命。
一般的發光二極體封裝結構通常單獨成型反射杯，在反射杯成型後再將電極彎折貼設於反射杯的底面或側面上。然而，這種發光二極體封裝結構中電極與反射杯結合不緊密，發光二極體封裝結構的密合度不佳，電極在使用過程中容易鬆動或脫落。
有鑑於此，有必要提供一種密合度較佳的發光二極體封裝結構。
一種發光二極體封裝結構，包括間隔設置的第一電極和第二電極、分別與第一電極和第二電極電連接的發光二極體晶片以及圍繞發光二極體晶片設置的反射杯，所述反射杯具有一容納發光二極體晶片的容置槽，所述第一電極和第二電極均包括一縱長的本體部以及自本體部一端向下延伸的接引電極，所述第一電極的本體部位於接引電極的一端自本體部的同側朝向本體部凹陷形成凹槽，第二電極的本體部位於接引電極的一端自本體部的同側朝向本體部凹陷形成凹槽，所述第一電極的本體部、第二電極的本體部嵌置於所述反射杯內，所述第一電極的接引電極、第二電極的接引電極暴露於反射杯之外。
與習知技藝相比，本發明的發光二極體封裝結構中第一電極、第二電極的本體部均嵌置於反射杯內，第一電極、第二電極的接引電極暴露於反射杯之外，有效地提升了發光二極體封裝結構的密合度。
請參考圖1至圖3，本發明一實施例的發光二極體封裝結構100，包括間隔設置的第一電極10和第二電極20、分別與第一電極10和第二電極20電連接的發光二極體晶片50以及圍繞發光二極體晶片50設置的反射杯40，所述反射杯40具有一容納發光二極體晶片50的容置槽41。
請同時參考圖4至圖6，該第一電極10包括一縱長的第一本體部101以及自第一本體部101的端部102垂直向下延伸的第一接引電極104。該第二電極20包括一縱長的第二本體部201以及自第二本體部201端部202垂直向下延伸的第二接引電極204。
該第一本體部101的端部102、第二本體部201的端部202分別自第一本體部101、第二本體部201的同側朝向第一本體部101、第二本體部201凹陷形成一第一凹槽103、第二凹槽203。該第一本體部101、第二本體部201對應於第一凹槽103、第二凹槽203位置處的寬度（該寬度係指與第一電極10、第二電極20的延伸方向垂直的縱向寬度）小於對應第一本體部101、第二本體部201的剩餘部分的寬度。該第一凹槽103、第二凹槽203分別由第一本體部101、第二本體部201的同側先朝向第一本體部101、第二本體部201凹陷再水平向外一體延伸形成。
在本實施例中，第一本體部101的端部102、第二本體部201的端部202分別自第一本體部101、第二本體部201的兩側同時朝向第一本體部101、第二本體部201凹陷形成一對第一凹槽103、一對第二凹槽203。該對第一凹槽103對稱設置於第一本體部101的端部102的相對兩側。該對第二凹槽203對稱設置於第二本體部201的端部202的相對兩側。該第一本體部101的端部102的寬度沿遠離第二電極20的方向先逐漸變窄，延伸一段距離之後該寬度不再變化。該第二本體部201的端部202的寬度沿遠離第一電極10的方向先逐漸變窄，延伸一段距離之後該寬度也不再變化。
該第一本體部101包括相對設置的上表面1011和下表面1012。該第一本體部101上開設有至少一貫穿第一本體部101上表面1011和下表面1012的導孔106。該第二本體部201包括相對設置的上表面2011和下表面2012。該第二本體部201上開設有至少一貫穿第二本體部201上表面2011和下表面2012的導孔206。
該第一電極10靠近第二電極20的一端朝向遠離第一電極10的第一本體部101的下表面1012的方向向下凸出延伸形成一第一增厚部105，該第二電極20靠近第一電極10的一端朝向遠離第二電極20的第二本體部201的下表面2012的方向向下凸出延伸形成一第二增厚部205。該第一增厚部105、第二增厚部205分別自第一本體部101的下表面1012、第二本體部201的下表面2012向下垂直延伸而出。該第一增厚部105、第二增厚部205的寬度（該寬度係指與第一電極10、第二電極20的延伸方向垂直的縱向寬度）分別小於第一本體部101、第二本體部201的寬度。
該第一增厚部105的遠離第一本體部101的底面1051、該第二增厚部205的遠離第二本體部201的底面2051分別與第一接引電極104遠離第一本體部101的底面、第二接引電極204遠離第二本體部201的底面（未標示）平齊。
相鄰的第一電極10和第二電極20之間形成一溝槽30用以絕緣性阻斷該第一電極10和第二電極20。該第一本體部101與第一接引電極104共同圍設形成一通槽107，該第二本體部201與第二接引電極204共同圍設形成一通槽207。該通槽107、207的頂端分別與導孔106、206連通。該溝槽30分別與通槽107、207橫向（沿第一電極10、第二電極20的延伸方向）連通。
請再次參考圖1至圖3，該第一本體部101、第二本體部201嵌置於反射杯40內。該第一本體部101的端部102、第二本體部201的端部202分別從反射杯40相對的兩側（沿第一電極10、第二電極20的延伸方向）凸伸而出。該第一接引電極104、第二接引電極204暴露於反射杯40之外。該第一增厚部105的底面1051、第二增厚部205的底面2051均外露於反射杯40外。
該反射杯40的材質係環氧樹脂、矽樹脂、PPA（聚鄰苯二醯胺樹脂）中的任一種。該反射杯40藉由注塑的方式一體成型。
該容置槽41形成於該第一本體部101的上表面1011和第二本體部201的上表面2011上並向上貫穿該反射杯40。第一本體部101的上表面1011和第二本體部201的上表面2011部分外露於容置槽41的底部。
該發光二極體晶片50位於該容置槽41內並藉由導線（未標示）分別連接至第一電極10和第二電極20。在本實施例中該發光二極體晶片50設置於第一電極10的第一本體部101的上表面1011上並藉由導線分別與第一電極10和第二電極20電連接。可以理解地，在其他實施例中，該發光二極體晶片50還可以藉由覆晶（Flip-Chip）的方式直接與第一電極10、第二電極20電連接。
該封裝層60的材質係矽膠、環氧樹脂或其他高分子化合物中的一種。較佳地，該封裝層60還包含有螢光粉或光學擴散粉，以用於轉換或漫射該發光二極體晶片50發出的光線。
可以理解地，該第一本體部101、第二本體部201對應於第一凹槽103、第二凹槽203位置處的寬度小於第一本體部101和第二本體部201剩餘部分寬度，當發光二極體封裝結構100安裝於電路板（圖未示）上時，該第一凹槽103、第二凹槽203與電路板之間形成收容焊錫的空間以將該發光二極體封裝結構100牢固焊接於電路板上。另，該第一凹槽103、第二凹槽203的設置還能增加該反射杯40與第一電極10、第二電極20的接觸面積，從而增加反射杯40與第一電極10、第二電極20的結合強度。
在本發明中，該反射杯40圍繞第一電極10的該第一本體部101、第二本體部201嵌置於該反射杯40之內，第一接引電極104、第二接引電極204外露於反射杯40之外，這能有效提升發光二極體封裝結構100的密合度。
其次，該第一增厚部105、第二增厚部205能增加該反射杯40與第一電極10、第二電極20的結合強度；同時在成型反射杯40時該導孔106、206內卡榫有成型反射杯40的高分子化合物，亦能增加該反射杯40與第一電極10、第二電極20的結合強度。
另，在本發明中，該第一增厚部105的遠離該第一本體部101的底面1051和該第二增厚部205的遠離第二本體部201的底面2051分別外露於反射杯40的底部，這能增加第一電極10、第二電極20的散熱面積，發光二極體晶片50工作時產生的熱量能藉由第一增厚部105的底面1051和第二增厚部205的底面2051散發到空氣之中，從而有效提升該發光二極體封裝結構100的散熱效率。
可以理解地，本發明第二實施例所述的發光二極體封裝結構100還可以作為頂部發光型發光二極體封裝結構使用，具體使用時發光二極體封裝結構100藉由第一增厚部105的底面1051和第二增厚部205的底面2051與外部電源電連接。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
100．．．發光二極體封裝結構
10．．．第一電極
101．．．第一本體部
102、202．．．端部
1011、2011．．．上表面
1012、2012．．．下表面
103．．．第一凹槽
104．．．第一接引電極
105．．．第一增厚部
1051、2051．．．底面
106、206．．．導孔
107、207．．．通槽
20．．．第二電極
201．．．第二本體部
203．．．第二凹槽
204．．．第二接引電極
205．．．第二增厚部
30．．．溝槽
40．．．反射杯
41．．．容置槽
50．．．發光二極體晶片
60．．．封裝層
圖1係本發明實施例中發光二極體封裝結構的俯視示意圖。
圖2係圖1所示發光二極體封裝結構沿II-II線的剖面示意圖。
圖3係圖1所示發光二極體封裝結構的仰視示意圖。
圖4係圖1所示發光二極體封裝結構中電極的俯視示意圖。
圖5係圖4所示電極沿V-V線的剖面示意圖。
圖6係圖4所示電極的仰視示意圖。
100．．．發光二極體封裝結構
10．．．第一電極
20．．．第二電極
40．．．反射杯
41．．．容置槽
50．．．發光二極體晶片
60．．．封裝層

Claims (10)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括間隔設置的第一電極和第二電極、分別與第一電極和第二電極電連接的發光二極體晶片以及圍繞發光二極體晶片設置的反射杯，該反射杯具有一容納發光二極體晶片的容置槽，其改良在於：該第一電極和第二電極均包括一縱長的本體部以及自本體部一端向下延伸的接引電極，該第一電極的本體部位於接引電極的一端自本體部的同側朝向本體部凹陷形成凹槽，第二電極的本體部位於接引電極的一端自本體部的同側朝向本體部凹陷形成凹槽，該第一電極的本體部、第二電極的本體部嵌置於該反射杯內，該第一電極的接引電極、第二電極的接引電極暴露於反射杯之外。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一電極的本體部對應凹槽處的寬度於第一電極的本體部剩餘部分的寬度，第二電極的本體部對應凹槽處的寬度小於第二電極的本體部的剩餘部分的寬度。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一電極上的凹槽由第一電極的本體部的一側向朝向本體部凹陷再水平向外一體延伸形成，第二電極上的凹槽由第二電極的本體部的一側向朝向本體部凹陷再水平向外一體延伸形成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一電極的本體部和第二電極的本體部位於接引電極的一端分別自本體部的兩側同時朝向本體部凹陷形成一對凹槽。
  5. 如申請專利範圍第1-4項中任意一項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一電極本體部和第二電極本體部分別從反射杯的相對兩側凸伸而出。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一電極和第二電極均包括相對設置的頂面和底面，該第一電極靠近第二電極的一端朝向遠離第一電極底面的方向向下凸出延伸形成一第一增厚部，該第二電極靠近第一電極的一端朝向遠離第二電極底面的方向向下凸出延伸形成一第二增厚部。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一電極本體部上開設貫穿第一電極本體部上下表面的導孔，第二電極的本體部上開設貫穿第二電極本體部上下表面的導孔。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一增厚部遠離第一電極的外表面和第二增厚部的遠離第二電極的外表面分別外露於反射杯之外。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體封裝結構，其中該第一電極的上表面部分暴露於該反射杯的容置槽內，該第二電極的上表面部分暴露於該反射杯的容置槽內。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構，其中還包括填充於容置槽內並覆蓋發光二極體晶片的封裝層，該封裝層內包含用於轉換發光二極體晶片的光線波長的螢光粉。
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