TW201426104A - 可調整光場結構之背光模組 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種可調整光場結構之背光模組，包含光源裝置、光學結構層、第一稜鏡片及第二稜鏡片。光源裝置具有出光面，且出光面具有法線方向。光學結構層設置於出光面上方並具有複數個凸向出光面之微結構，其中該些微結構將出光面產生之光線向偏離法線方向導引。第一稜鏡片設置於光學結構層背向光源裝置之側並具有複數沿第一方向延伸之第一稜鏡，其中該些第一稜鏡並將離開光學結構層之光線在垂直第一方向之斷面上朝法線方向收束。

Description

可調整光場結構之背光模組

本發明係關於一種可調整光場結構之背光模組；具體而言，本發明係關於一種能夠提高出光效率並調整光場結構之可調整光場結構之背光模組。

科技日趨發達，在日常生活中處處可見顯示器於各種領域之實際應用。在實際情況中，顯示器係透過背光模組產生光線，進而顯示畫面。舉例而言，背光模組包含側光式背光模組及直下式背光模組，且上述兩種背光模組皆為現行顯示器常用之發光模組。

具體而論，請參照圖1，圖1係為習知背光模組中光線進入稜鏡之示意圖。如圖1所示，習知背光模組使用光源3發射光線，且擴散片4調整光線方向。舉例而言，光線5係以平行於法線方向7(亦即正向)進入稜鏡6。然而，在實際情況中，光線5容易於稜鏡6之出光面6A產生全反射，使得光線5不容易穿透稜鏡6。換言之，以平行於法線方向7之入射光線的出光效率容易不佳。

此外，光線5A係以偏離法線方向7大約至少小於25度視角之方向進入稜鏡6，並於第一次接觸出光面6A時產生全反射，於第二次接觸出光面6A時產生折射。然而，在實際情況中，光線5A係以偏離法線方向7大約大於25度視角之方向於出光面6A射出，而造成大部分光線的損失，對於出光效率同樣具有不良的影響。

有鑑於上述先前技術的問題，本發明提出一種能夠改善發光效率並調整光場場型的背光模組。

於一方面，本發明提供一種使用光學結構層之可調整光場結構之背光模組，可改善出光效率。

於一方面，本發明提供一種可改變光線行進方向之可調整光場結構之背光模組，可調整光場場型。

本發明之一方面在於提供一種可調整光場結構之背光模組，包含光源裝置、光學結構層、第一稜鏡片及第二稜鏡片。光源裝置具有出光面，且出光面具有法線方向。光學結構層設置於出光面上方並具有複數個凸向出光面之微結構，其中該些微結構將出光面產生之光線向偏離法線方向導引。第一稜鏡片設置於第一光學結構層背向光源裝置之一側並具有複數沿第一方向延伸之第一稜鏡，其中該些第一稜鏡並將離開光學結構層之光線在垂直第一方向之斷面上朝法線方向收束。

本發明之另一方面在於提供一種可調整光場結構之背光模組，包含光源裝置、光學結構層、第一稜鏡片及第二稜鏡片。光源裝置具有出光面，其中出光面具有法線方向，光源裝置發射光線以形成第一光場，且第一光場產生光強度涵蓋範圍。光學結構層設置於該出光面上方，其中光學結構層改變第一光場以形成第二光場，且於第二光場中光強度涵蓋範圍呈輻射狀向外延伸並其光強度於中央逐漸減弱以形成光強度環帶。

此外，第一稜鏡片設置於第一光學結構層背向光源裝置 之一側，其中第一稜鏡片上具有複數沿第一方向延伸之第一稜鏡，第一稜鏡改變第二光場以形成第三光場，且於第三光場中光強度環帶於垂直第一方向之斷面上朝法線方向收束。在此實施例中，第二稜鏡片設置於該第一稜鏡片背向光源裝置之一側並改變第三光場以形成第四光場，且於第四光場中光強度環帶在平行第一方向之斷面上朝法線方向收束。

相較於先前技術，根據本發明之可調整光場結構之背光模組係使用光學結構層改變光線之行進方向，避免光線沿法線方向(正視角)進入第一稜鏡片，進而防止產生全反射。此外，根據本發明之另一可調整光場結構之背光模組係使用光學結構層調整光場場型，變化光線於不同發射角度的分布情況，進而改善出光效率。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

根據本發明之一具體實施例，提供一種可調整光場結構之背光模組，用以改善出光效率。於此實施例中，可調整光場結構之背光模組可以是直下式背光模組。此外，背光模組係較佳用於液晶顯示器，但亦可用於其他具有背光源之顯示器。

請參照圖2A及圖2B；其中圖2A係為本發明之可調整光場結構之背光模組之實施例示意圖，且圖2B係為本發明之可調整光場結構之背光模組之實施例側視圖。如圖2A所示，可調整光場結構之背光模組1包含光源裝置30、光學 結構層40、第一稜鏡片10及第二稜鏡片20。

如圖2A所示，光源裝置30具有出光面300，且出光面300具有法線方向33。此外，光學結構層40設置於出光面300上方並具有複數個凸向出光面300之微結構400。換言之，該等微結構400係面對出光面300。值得注意的是，相鄰之微結構400係彼此緊接，使得該等微結構400密集分布於光學結構層40。

在實際情況中，光學結構層40係形成為獨立之光學膜片，並設置在第一稜鏡片10及光源裝置30之間。在其他實施例中，光學結構層40亦可形成在第一稜鏡片10之下表面，並不以此例為限。此外，可調整光場結構之背光模組1更具有擴散片(圖未示)，其中擴散片係設置光學結構層40與光源裝置30之間，但不以此為限。光源裝置30產生光線後，光線會先通過光學結構層40，接著進入第一稜鏡片10。在此實施例中，光學結構層40並非與第一稜鏡片10一體成型設置於可調整光場結構之背光模組1中，而係以獨立之光學膜片結構相鄰第一稜鏡片10設置於可調整光場結構之背光模組1中。具體而言，光學結構層40與第一稜鏡片10之間具有空隙15，故通過光學結構層40之光線會先於空隙15內之光路行進，然後才進入第一稜鏡片10。

需說明的是，微結構400之形狀可以是四角錐、圓突狀或其他幾何形狀。在此實施例中，微結構400係形成為四角錐狀，並以其頂角46凸向出光面300。此外，頂角46範圍為50度至150度之間。

如圖2A及圖2B所示，第一稜鏡片10設置於光學結構 層40背向光源裝置30之一側並具有複數沿第一方向11延伸之第一稜鏡100，其中第一稜鏡100之頂角16範圍為50度至130度之間。換言之，光學結構層40係形成於第一稜鏡片10相對於該些第一稜鏡100之背面上。此外，各微結構400之角錐面係相對第一稜鏡100之稜鏡面轉向45度。值得注意的是，微結構400之頂角46大小係與第一稜鏡100之頂角16具有相對關係。在此實施例中，微結構400之頂角46角度與第一稜鏡100之頂角16角度間之比值介於0.79至1.24之間。

在此實施例中，該些微結構400將出光面300產生之光線向偏離法線方向33導引。如圖2B所示，光源裝置30產生光線500，且光線500係沿法線方向33射至光學結構層40之微結構400。需說明的是，光線500以正視角進入光學結構層40，光線500於微結構面410產生折射，且微結構400將光源3產生之光線500向偏離法線方向33導引。具體而言，光學結構層40係改變光線500之行進方向並使其偏離法線方向33，使得自光學結構層40的光學面420離開之光線500係與法線方向33夾有較大角度，使得光線500以非正向(正視角)入射至第一稜鏡片10。

值得注意的是，當光線500以非正向(正視角)入射至第一稜鏡片10，第一稜鏡片10上的第一稜鏡100使得經光學結構層40發散之光線500在垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束。如圖2B所示，行進於空隙15中之光線500係偏離法線方向33，而第一稜鏡片10將光線500朝法線方向33收束。

具體而論，可調整光場結構之背光模組1係使用光學結 構層40調整光線500之行進方向，使得離開光學結構層40之光線500係以偏離法線方向33之方向入射至第一稜鏡片100。此外，由於光線500並非正向入射至第一稜鏡片10，故光線500不會於第一稜鏡片10產生全反射。進一步而論，光學結構層40使用微結構400改變光線500之行進方向，避免光線500於第一稜鏡片10產生全反射，進而提高可調整光場結構之背光模組1之出光效率並有效改善發光品質。

此外，第二稜鏡片20設置於第一稜鏡片10背向光源裝置30之一側；其中，第二稜鏡片20上具有複數沿不同於第一方向11之第二方向22延伸之第二稜鏡200，該些第二稜鏡200並將離開第一稜鏡片10之光線500在垂直第二方向22之斷面上朝法線方向33收束。

在此實施例中，第一方向11係垂直於第二方向22，但不以此為限。值得注意的是，光線500通過第一稜鏡100及第二稜鏡200以分別於垂直第一方向11之斷面及垂直第二方向22之斷面上收束，進而調整可調整光場結構之背光模組1之出光光場場型。

舉例而言，請參照圖3A、圖3B及及圖3C，係為本發明可調整光場結構之背光模組1所量測之光場場型半高寬、微結構頂角與正視角相對強度之相對關係圖。需說明的是，光場場型半高寬(Full Width at Half Maximum；FWHM)係為測量光場最高亮度至一半亮度所涵蓋之範圍，換句話說，為光場函數峰值最高處至一半處相距的寬度；正視角相對強度係指沿法線方向33正視可調整光場結構之背光模組1與正視習知背光模組之相對發光強度。在實際情況中，光場場型半高寬小於60度時，正視可調整光場結構之背光模 組1與正視習知背光模組之相對發光強度可達到0.7以上，達到可同時改善大視角之光線損失與兼顧發光強度之效果。本發明針對上述條件整理第一稜鏡100之頂角及微結構400之頂角如表1：

請參照表1及圖3A，在此實施例中，第一稜鏡100之頂角16及第二稜鏡200之頂角皆為60度。值得注意的是，圖3A所示之光學結構層40中微結構400之頂角46的範圍分布於30度至100度之間。對應較佳發光效率的微結構頂角範圍係為51度至66度。換言之，當第一稜鏡100之頂角16實質上為60度時，微結構400之頂角46係較佳介於51度至66度之間。

此外，請參照表1及圖3B，在此實施例中，第一稜鏡100之頂角16及第二稜鏡200之頂角皆為90度。值得注意的是，圖3B所示之微結構400頂角46範圍分布於35度至145度之間。在實際情況中，對應較佳發光效率的微結構頂 角範圍係為77度至112度。換言之，當第一稜鏡100之頂角16實質上為90度時，微結構400之頂角46係較佳介於77度至112度之間。

此外，請參照表1及圖3C，在此實施例中，第一稜鏡100之頂角16及第二稜鏡200之頂角皆為120度。值得注意的是，圖3C所示之微結構400頂角46範圍分布於48度至150度之間。在實際情況中，對應較佳發光效率的微結構頂角範圍係為95度至148度。換言之，當第一稜鏡100之頂角16實質上為120度時，微結構400之頂角46係較佳介於95度至148度之間。

更進一步，以第一稜鏡100之頂角16及第二稜鏡200之頂角皆為90度為例，將可調整光場結構之背光模組1進行三維遠場光場形量測，其結果如圖4A、圖4B、圖4C及圖4D所示。請參照圖4A、圖4B、圖4C及圖4D，其中圖4A係為本發明之一實施例的第一光場之光場形分布圖；圖4B係為本發明之一實施例的第二光場之光場形分布圖；圖4C係為本發明之一實施例的第三光場之光場形分布圖；圖4D係為本發明之一實施例的第四光場之光場形分布圖。

需說明的是，圖4A為光源裝置30發射光線以形成第一光場之光場形分布圖，換言之，第一光場係為光源裝置30與光學結構層40之間的光場。在實際情況中，當發射角為0度時，發射角係朝向法線方向33且為正視角；且當發射角為90度時，發射角係朝向垂直法線方向33之角度展開。於第一光場中，光強度涵蓋範圍係於發射角為0度至30度產生光強度峰值，且光強度涵蓋範圍於方位角為0度至360度呈輻射狀分布並均勻自發射角為0度逐漸緩降至 90度。

在實際情況中，光學結構層40改變第一光場以形成第二光場。請參照圖4B，於第二光場中，光強度涵蓋範圍於方位角為35度至55度、125度至145度、215度至235度及305度至325度呈紡錘狀向外延伸並其光強度於中央逐漸減弱以形成光強度環帶。值得注意的是，光強度環帶於發射角40度至80度產生光強度峰值，且光強度峰值之半高寬為20度。在此實施例中，光強度環帶分別於方位角為45度、135度、225度及315度維持光強度峰值。除此之外，光強度峰值係產生於發射角為47度。換言之，該些微結構400調整光場場型避免集中於發射角為0度的地方，並使光強度峰值分布於發射角為40度至80度之間，進而改善光場場型。

此外，第一稜鏡片10改變第二光場以形成第三光場。請參照圖4C，於第三光場中，光強度環帶於垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束，其中第一方向11係為方位角為90度與270度之連接線。在實際情況中，第一稜鏡100係沿著第一方向11延伸，故能夠將光強度環帶於垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束。值得注意的是，於第三光場中，收束後之光強度環帶之長邊平行於第一方向11，且光強度峰值產生於發射角為0度至50度之間。

在此實施例中，方位角為35度至55度與方位角為125度至145度之光強度峰值產生凝聚，且方位角為215度至235度與方位角為305度至325度之光強度峰值凝聚，使得收束後之光強度環帶之光強度峰值係沿第一方向11排列。需說明的是，於第三光場中，光強度峰值並未分布於發射角為0度至20度之間，進而避免光線過於集中於正視角。此 外，在此實施例中，光強度峰值係分布於發射角為20度至50度之間，且光強度峰值之半高寬為15度，但不以此為限。

具體而論，第二稜鏡片20改變第三光場以形成第四光場。如圖4D所示，於第四光場中，該些第二稜鏡200調整光強度環帶在平行第一方向11之斷面上朝法線方向33收束。相對於第三光場於垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束，第四光場係於平行第一方向11之斷面上朝法線方向33收束，使得光強度峰值分布於發射角為0度至20度之間。此外，光強度涵蓋範圍係收束於發射角為0度至40度之間，且於方位角為90度及270度與發射角為60度至90度交會處爬升，進而避免光場僅集中於正視角並提供均勻的出光效率。

此外，本發明更藉由具其他形狀之微結構以說明不同的實施例。

請參照圖5，圖5係為本發明之可調整光場結構之背光模組之另一實施例示意圖。需說明的是，在此實施例中，光學結構層40A之微結構400A係形成為圓突狀。在此實施例中，該些微結構400A將光源3產生之光線500向偏離法線方向33導引，使得光線500並非正向入射至第一稜鏡片10。值得注意的是，第一稜鏡片10上的第一稜鏡100使得經光學結構層40A發散之光線500在垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束。如圖5所示，行進於空隙15中之光線500係偏離法線方向33，而第一稜鏡片10將光線500朝法線方向33收束。進一步而論，光學結構層40A使用微結構400A改變光線500之行進方向，避免光線500於第一稜鏡片10產生全反射，進而提高可調整光場結構之背光模組1A 之出光效率並有效改善發光品質。

此外，微結構400A具有寬度41及高度42，且寬度41與高度42之比值為寬高比。需說明的是，相鄰之微結構400A具有切線44，且切線44係平行於法線方向33。

在實際情況中，本發明選定第一稜鏡100之頂角及微結構400寬高比如表2：

如表2所示，微結構400A之寬高比與第一稜鏡100之頂角16之半角正切(tan)值間之比值介於0.87至1.73之間。需說明的是，由於部分第一稜鏡頂角大於90度，便於計算，使用頂角一半的角度值(頂角半角)進行計算。在實際應用中，當第一稜鏡100之頂角16實質上為60度時，微結構400A之寬高比係介於0.5至0.8之間。此外，當第一稜鏡 100之頂角16實質上為90度時，微結構400A之寬高比係介於0.8至1.6之間；當第一稜鏡100之頂角16實質上為120度時，微結構400A之寬高比係介於1.6至3之間。換句話說，微結構400A之形狀係與第一稜鏡100之頂角16具有對應關係。

更進一步，以第一稜鏡100之頂角16及第二稜鏡200之頂角皆為90度為例，將可調整光場結構之背光模組1A進行三維遠場光場形量測，其結果如圖6A、圖6B、圖6C及圖6D所示。請參照圖6A、圖6B、圖6C及圖6D，其中圖6A係為本發明之另一實施例的第一光場之光場形分布圖；圖6B係為本發明之另一實施例的第二光場之光場形分布圖；圖6C係為本發明之另一實施例的第三光場之光場形分布圖；圖6D係為本發明之另一實施例的第四光場之光場形分布圖。

需說明的是，圖6A為光源裝置30發射光線以形成第一光場之光場形分布圖，且第一光場產生光強度涵蓋範圍。換言之，第一光場係為光源裝置30與光學結構層40之間的光場。在實際情況中，當發射角為0度時，發射角係朝向法線方向33且為正視角；且當發射角為90度時，發射角係朝向垂直法線方向33之角度展開。於第一光場中，光強度涵蓋範圍係於發射角為0度至30度產生光強度峰值，且光強度涵蓋範圍於方位角為0度至360度呈輻射狀分布並均勻自發射角為0度逐漸緩降至90度。

在實際情況中，光學結構層40改變第一光場以形成第二光場。請參照圖4R，於第二光場中，光強度涵蓋範圍呈紡錘狀向外延伸並其光強度於中央逐漸減弱以形成光強度 環帶。值得注意的是，光強度環帶於發射角40度至80度產生光強度峰值，且光強度峰值之半高寬為20度。此外，光強度峰值係產生於發射角為47度。換言之，該些微結構400調整光場場型避免集中於發射角為0度的地方，並使光強度峰值分布於發射角為40度至80度之間，進而改善光場場型。

此外，第一稜鏡片10改變第二光場以形成第三光場。請參照圖4C，於第三光場中，光強度環帶於垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束，其中第一方向11係為方位角為90度與270度之連接線。在實際情況中，第一稜鏡100係沿著第一方向11延伸，故能夠將光強度環帶於垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束。值得注意的是，於第三光場中，收束後之光強度環帶之長邊平行於第一方向11，且光強度峰值產生於發射角為0度至50度之間。

具體而論，第二稜鏡片20改變第三光場以形成第四光場。如圖4D所示，於第四光場中，該些第二稜鏡200調整光強度環帶在平行第一方向11之斷面上朝法線方向33收束。相對於第三光場於垂直第一方向11之斷面上朝法線方向33收束，第四光場係於平行第一方向11之斷面上朝法線方向33收束，使得光強度峰值分布於發射角為0度至20度之間。此外，光強度涵蓋範圍係收束於發射角為0度至40度之間，且於方位角為90度及270度與發射角為60度至90度交會處爬升，進而避免光場僅集中於正視角並提供均勻的出光效率。

相較於先前技術，根據本發明之可調整光場結構之背光模組係使用光學結構層改變光線之行進方向，避免光線沿法線方向(正視角)進入第一稜鏡片，進而避免產生全反射。此 外，根據本發明之另一可調整光場結構之背光模組係使用光學結構層調整光場場型，變化光線於不同發射角度的分布情況，進而改善出光效率。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。

1、1A‧‧‧可調整光場結構之背光模組

3‧‧‧光源

4‧‧‧擴散片

5、5A‧‧‧光線

6‧‧‧稜鏡

6A‧‧‧出光面

7‧‧‧法線方向

10‧‧‧第一稜鏡片

11‧‧‧第一方向

15‧‧‧空隙

16‧‧‧頂角

20‧‧‧第二稜鏡片

22‧‧‧第二方向

30‧‧‧光源裝置

33‧‧‧法線方向

40、40A‧‧‧光學結構層

41‧‧‧寬度

42‧‧‧高度

44‧‧‧切線

46‧‧‧頂角

100‧‧‧第一稜鏡

200‧‧‧第二稜鏡

300‧‧‧出光面

400、400A‧‧‧微結構

410‧‧‧微結構面

420‧‧‧光學面

500‧‧‧光線

圖1係為習知背光模組中光線進入稜鏡之示意圖；圖2A係繪示本發明之可調整光場結構之背光模組之實施例示意圖；圖2B係為本發明之可調整光場結構之背光模組之實施例側視圖；圖3A係為本發明可調整光場結構之背光模組所量測之光場場型半高寬、微結構頂角與正視角相對強度之相對關係圖；圖3B係為本發明可調整光場結構之背光模組所量測之光場場型半高寬、微結構頂角與正視角相對強度之另一相對關係圖；圖3C係為本發明可調整光場結構之背光模組所量測之光場場型半高寬、微結構頂角與正視角相對強度之另一相對關係圖；圖4A係為本發明之一實施例的第一光場之光場形分布圖；圖4B係為本發明之一實施例的第二光場之光場形分布圖；圖4C係為本發明之一實施例的第三光場之光場形分布圖；圖4D係為本發明之一實施例的第四光場之光場形分布圖；圖5係為本發明之可調整光場結構之背光模組之另一實施例示意圖；圖6A係為本發明之另一實施例的第一光場之光場形分布圖； 圖6B係為本發明之另一實施例的第二光場之光場形分布圖；圖6C係為本發明之另一實施例的第三光場之光場形分布圖；以及圖6D係為本發明之另一實施例的第四光場之光場形分布圖。

1‧‧‧可調整光場結構之背光模組

10‧‧‧第一稜鏡片

20‧‧‧第二稜鏡片

30‧‧‧光源裝置

33‧‧‧法線方向

40‧‧‧光學結構層

100‧‧‧第一稜鏡

200‧‧‧第二稜鏡

300‧‧‧出光面

400‧‧‧微結構

Claims (24)

1. 一種可調整光場結構之背光模組，包含：一光源裝置，具有一出光面；其中該出光面具有一法線方向；一光學結構層，設置於該出光面上方；其中，該光學結構層具有複數個凸向該出光面之微結構，該些微結構將該出光面產生之光線向偏離該法線方向導引；一第一稜鏡片，設置於該光學結構層背向該光源裝置之一側；其中，該第一稜鏡片上具有複數沿一第一方向延伸之第一稜鏡，該些第一稜鏡並將離開該光學結構層之光線在垂直該第一方向之斷面上朝該法線方向收束；以及一第二稜鏡片，設置於該第一稜鏡片背向該光源裝置之一側；其中，該第二稜鏡片上具有複數沿不同於該第一方向之一第二方向延伸之第二稜鏡，該些第二稜鏡並將離開該第一稜鏡片之光線在垂直該第二方向之斷面上朝該法線方向收束。
2. 如請求項1所述之可調整光場結構之背光模組，其中該光學結構層係形成為獨立之光學膜片，並設置在該第一稜鏡片及該光源裝置之間。
3. 如請求項1所述之可調整光場結構之背光模組，其中該光學結構層係形成於該第一稜鏡片相對於該些第一稜鏡之背面上。
4. 如請求項1所述之可調整光場結構之背光模組，其中該微結構係形成為四角錐狀，並以其頂角凸向該出光面。
5. 如請求項4所述之可調整光場結構之背光模組，其中相鄰之該 微結構係彼此緊接。
6. 如請求項4所述之可調整光場結構之背光模組，其中該微結構之頂角角度與該第一稜鏡之頂角角度間之比值介於0.79至1.24之間。
7. 如請求項6所述之可調整光場結構之背光模組，其中當該第一稜鏡之頂角實質上為60度時，該微結構之頂角係介於51度至66度之間。
8. 如請求項6所述之可調整光場結構之背光模組，其中當該第一稜鏡之頂角實質上為90度時，該微結構之頂角係介於77度至112度之間。
9. 如請求項6所述之可調整光場結構之背光模組，其中當該第一稜鏡之頂角實質上為120度時，該微結構之頂角係介於95度至148度之間。
10. 如請求項1所述之可調整光場結構之背光模組，其中該微結構係形成為圓突狀。
11. 如請求項10所述之可調整光場結構之背光模組，其中該微結構之寬高比與該第一稜鏡之頂角之半角正切(tan)值間之比值介於0.8至1.73之間。
12. 如請求項10所述之可調整光場結構之背光模組，其中當該第一稜鏡之頂角實質上為60度時，該微結構之寬高比係介於0.5至0.8之間。
13. 如請求項10所述之可調整光場結構之背光模組，其中當該第 一稜鏡之頂角實質上為90度時，該微結構之寬高比係介於0.8至1.6之間。
14. 如請求項10所述之可調整光場結構之背光模組，其中當該第一稜鏡之頂角實質上為120度時，該微結構之寬高比係介於1.6至3之間。
15. 如請求項1所述之可調整光場結構之背光模組，其中該第一方向係垂直於該第二方向。
16. 一種可調整光場結構之背光模組，包含：一光源裝置，具有一出光面，其中該出光面具有一法線方向，該光源裝置發射光線以形成一第一光場，且該第一光場產生一光強度涵蓋範圍；一光學結構層，設置於該出光面上方，其中該光學結構層改變該第一光場以形成一第二光場，且於該第二光場中該光強度涵蓋範圍呈輻射狀向外延伸並其光強度於中央逐漸減弱以形成一光強度環帶；一第一稜鏡片，設置於該光學結構層背向該光源裝置之一側，其中該第一稜鏡片改變該第二光場以形成一第三光場，且於該第三光場中該光強度環帶於垂直一第一方向之斷面上朝該法線方向收束；以及一第二稜鏡片，設置於該第一稜鏡片背向該光源裝置之一側，該第二稜鏡片改變該第三光場以形成一第四光場，且於該第四光場中該光強度環帶在平行該第一方向之斷面上朝該法線方向收束。
17. 如請求項16所述之可調整光場結構之背光模組，其中該第一 稜鏡片上具有複數沿該第一方向延伸之第一稜鏡。
18. 如請求項16所述之可調整光場結構之背光模組，其中於該第一光場中，該光強度涵蓋範圍係於發射角為0度至30度產生一光強度峰值。
19. 如請求項16所述之可調整光場結構之背光模組，其中於該第二光場中，該光強度環帶於一發射角40度至80度產生一光強度峰值，且該光強度峰值之半高寬為20度。
20. 如請求項16所述之可調整光場結構之背光模組，其中於該第三光場中，收束後之該光強度環帶之長邊平行於該第一方向，且該光強度峰值產生於發射角為0度至50度之間。
21. 如請求項19所述之可調整光場結構之背光模組，其中於該第二光場中，該光強度環帶分別於方位角為35度至55度、125度至145度、215度至235度及305度至325度呈紡錘狀向外延伸並其光強度於中央逐漸減弱以形成該光強度環帶。
22. 如請求項21所述之可調整光場結構之背光模組，其中於該第三光場中，方位角為35度至55度與方位角為125度至145度之該光強度峰值產生凝聚，且方位角為215度至235度與方位角為305度至325度之該光強度峰值凝聚，使得收束後之該光強度環帶之該光強度峰值係沿該第一方向排列。
23. 如請求項21所述之可調整光場結構之背光模組，其中該光強度峰值之半高寬為15度。
24. 如請求項16所述之可調整光場結構之背光模組，其中於該第 四光場中，該光強度峰值分布於發射角為0度至20度之間。