TW201425352A - 光聚合性液晶組成物、光學補償膜、光學補償積層膜、電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置 - Google Patents

光聚合性液晶組成物、光學補償膜、光學補償積層膜、電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置 Download PDF

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Abstract

本發明目的係提供可形成耐濺鍍性、耐熱性、及與負型C板之密接性良好的正型A板之光聚合性液晶組成物、使用其之光學補償膜、光學補償積層膜、電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置。一種光聚合性液晶組成物，係用以形成呈正型單軸異向性之光學補償膜者，包含：具有1個光聚合反應性基之單官能光聚合性液晶(A)；及具有2個光聚合反應性基之雙官能光聚合性液晶(B)。光學補償積層膜具備：呈負型單軸異向性之光學補償膜、及利用上述組成物所製造之呈正型單軸異向性之光學補償膜。

Description

光聚合性液晶組成物、光學補償膜、光學補償積層膜、電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置 發明領域
本發明係有關於光聚合性液晶組成物、以及使用該光聚合性液晶組成物之光學補償膜、光學補償積層膜、電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置。
發明背景
於液晶裝置，為了視角擴大等，使用具有雙折射性而可控制光相位之光學補償膜(亦稱相位差膜)。
習知上，上述光學補償膜及偏光膜一般來說相對於液晶晶胞係屬外掛，光學補償膜之厚度為50~150μm左右。
近年，則檢討藉著在液晶晶胞內部設置光學補償積層膜，來使液晶裝置及搭載該液晶裝置之電子機器薄型化。
光學補償積層膜之形態方面可列舉：於聚醯亞胺等定向膜上已積層有雙軸板之光學補償積層膜(i)、於聚醯亞胺等定向膜上依序積層有呈正型單軸異向性之光學補償膜(以下亦稱正型A板)與呈負型單軸異向性之光學補償膜(以下稱負型C板)之光學補償積層膜(ii)、於負型C板上隔著定向膜積層有正型A板之光學補償 積層膜(iii)、以及在作為定向膜機能之負型C板上直接積層有正型A板之光學補償積層膜(iv)等。
專利文獻1及2揭示了具備上述光學補償積層膜(iii)或(iv)之液晶裝置用基板。
專利文獻1之實施例1及2中，在基板上塗佈聚酯，並對製得之塗佈膜進行加熱乾燥及燒成之後，實施摩擦處理，而形成具有定向膜機能之負型C板。之後，於負型C板上塗佈聯苯系光聚合性液晶，加熱乾燥之後，實施光聚合，而形成正型A板(段落0025及0026)。
專利文獻1之實施例1及2都只使用1種光聚合性液晶來作為正型A板用材料之光聚合性液晶。
專利文獻2之實施例8中，係於基板上塗佈聚醯亞胺，並對製得之塗佈膜進行加熱乾燥及燒成，而形成負型C板。於該負型C板上形成定向膜，並實施摩擦處理後，塗佈雙官能光聚合性液晶並予以乾燥之後，實施光聚合而形成正型A板(段落0098~0100)。
專利文獻2之實施例1~12都只使用雙官能光聚合性液晶作為正型A板用材料之光聚合性液晶。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本特開2010-230823號公報
[專利文獻2]日本特開2009-223304號公報
[專利文獻3]日本特許4725516號公報
[專利文獻4]日本特許4998269號公報
[專利文獻5]日本特許5012020號公報
發明概要
在將光學補償積層膜設於液晶晶胞內部的情況下，在成膜後的製造過程中，係尋求光學補償積層膜不會劣化或其光學特性不致變化。例如，會有在光學補償積層膜正上方利用濺鍍法形成有ITO(銦錫氧化物)等電極的情況。在這種情況下，光學補償積層膜必須具有即使在正上層行濺鍍成膜也不會發生龜裂，且光學特性不致變化的耐濺鍍性。
又，在作為定向膜機能之負型C板上直接積層有正型A板的光學補償積層膜(iv)方面，膜彼此的密接性良好也是必要的。
本發明人進行檢討得知，如專利文獻1及2所記載般，只使用1種光聚合性液晶作為正型A板材料的情況下，並無法製得耐濺鍍性以及與負型C板之密接性良好的正型A板。
本發明目的係提供可形成耐濺鍍性、及與負型C板之密接性良好的正型A板之光聚合性液晶組成物、以及由該正型A板構成之光學補償膜。
進而，本發明目的係提供耐濺鍍性、及負型C板與正型A板之密接性良好的光學補償積層膜、光學特性良好而可薄 型化及低成本化之電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置。
本發明係提供具有以下[1]~[15]之構成的光聚合性液晶組成物、光學補償膜、光學補償積層膜、電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置。
[1]一種光聚合性液晶組成物，係用以形成呈正型單軸異向性之光學補償膜者，其包含：具有1個光聚合反應性基之單官能光聚合性液晶(A)；及具有2個光聚合反應性基之雙官能光聚合性液晶(B)。
[2]如[1]記載之光聚合性液晶組成物，其係以95/5~30/70之質量比含有前述單官能光聚合性液晶(A)與前述雙官能光聚合性液晶(B)。
[3]如[1]或[2]記載之光聚合性液晶組成物，其中單官能光聚合性液晶(A)係以下式(1-1)表示：CH2=CR11-COO-(E11)m1-Cy-Y1-Cy-E12-R12…(1-1)
(惟，R11：氫原子或甲基；R12：碳數1~8之烷基；Y1：-OCO-或-COO-；m1：0或1；E11及E12：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基；Cy：反式-1,4-環伸己基。惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
[4]如[1]或[2]記載之光聚合性液晶組成物，其中單官能光聚合性液晶(A)係以下式(1-2)表示：CH2=CR21-COO-(L2)k2-E21-E22-E23-E24-R22…(1-2)
(惟，R21：氫原子或甲基；R22：碳數1~8之烷基或氟原 子；k2：0或1；L2：-(CH2)p2O-或-(CH2)q2-(惟，p2及q2各自獨立，為2~8之整數)；E21：1,4-伸苯基；E22、E23及E24：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基，且E22及E23至少一者為反式-1,4-環伸己基。惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
[5]如[1]或[2]記載之光聚合性液晶組成物，其中單官能光聚合性液晶(A)係以下式(1-3)表示：CH2=CR31-COO-(L3)k3-E31-E32-E33-R32…(1-3)
(惟，R31：氫原子或甲基；R32：碳數1~8之烷基；k3：0或1；L3：-(CH2)p3O-、-Cy-COO-(Cy為反式-1,4-環伸己基)、或-Cy-OCO-(惟，p3為2~8之整數)；E31、E32及E33：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基(惟，E31、E32、及E33至少一者為反式-1,4-環伸己基，且，當L3為-Cy-OCO-時則E31為反式-1,4-環伸己基，當L3為-(CH2)p3O-或k3為0時，則E31與E33各自為1,4-伸苯基且E32為反式-1,4-環伸己基)。惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
[6]如[1]至[5]中任一項記載之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2)表示：Q1-Z1-A1-Z3-M-Z4-A2-Z2-Q2…(2)
(惟，Q1及Q2：各自獨立，為光聚合反應性基；Z1、Z2、Z3及Z4：各自獨立，為單鍵或二價連結基；A1及A2：各自獨立，為碳原子數2~20之間隔基；M：液晶基)。
[7]如[6]記載之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2-1)表示：CH2=CR41-COO-(E41)m4-Cy-Y4-Cy-(E42)n4-OOC-CR42=CH2…(2-1)
(惟，R41及R42：各自獨立，為氫原子或甲基；Y4：-OCO-或-COO-；m4及n4：各自獨立，為0或1；E41及E42：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基；Cy：反式-1,4-環伸己基。惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
[8]如[6]記載之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2-2)表示：CH2=CR51-COO-(L5)k5-E51-E52-E53-E54-(M5)n5-OOC-CR52=CH2…(2-2)
(惟，R51及R52：各自獨立，為氫原子或甲基；k5及n5：各自獨立，為0或1；L5及M5：各自獨立，為-(CH2)p5O-或-(CH2)q5-(惟，p5及q5各自獨立，為2~8之整數)；E51：1,4-伸苯基；E52、E53及E54：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基；且E52及E53至少一者為反式-1,4-環伸己基。惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
[9]如[6]記載之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2-3)表示：CH2=CR61-COO-(L6)k6-E61-E62-E63-(M6)n6-COO-CR62=CH2…(2-3)
(惟，R61及R62：各自獨立，為氫原子或甲基；k6及n6：各自獨立，為0或1；L6及M6：各自獨立，為-(CH2)p6O-、-Cy-COO-(Cy為反式-1,4-環伸己基)、或-Cy-OCO-(惟，p6為2~8之整數)；E61、E62及E63：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基(惟，E61、E62及E63至少一者為反式-1,4-環伸己基，且，當L6為-Cy-OCO-時則E61為反式-1,4-環伸己基，當L6為-(CH2)p6O-、或k6為0時則E61與E63各自為1,4-伸苯基，E62為反式-1,4-環伸己基。惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
[10]一種呈正型單軸異向性之光學補償膜，係將[1]至[9]中任一項記載之光聚合性液晶組成物之塗佈膜光硬化而成者。
[11]一種光學補償積層膜，包含：呈負型單軸異向性之光學補償膜、與[10]記載之呈正型單軸異向性之光學補償膜。
[12]如[11]記載之光學補償積層膜，其中前述呈負型單軸異向性之光學補償膜含有：骨架中具有脂環的聚醯亞胺。
[13]一種電極基板，係於基板上具有如[12]記載之光學補償積層膜、與形成於該光學補償積層膜上之電極。
[14]一種液晶裝置用基板，具有：如[13]記載之電極基板、與形成於該電極基板上之定向膜。
[15]一種液晶裝置，具有：如[14]記載之液晶用基板；相對基板；及由該液晶用基板及相對基板所夾持之液晶層。
本發明之光聚合性液晶組成物，可形成耐濺鍍性、及與負型C板之密接性良好的正型A板、由該正型A板構成之光學補償膜。
又，由本發明之正型A板與負型C板積層所構成的光學補償積層膜，係耐濺鍍性、及負型C板與正型A板之密接性良好，具備該光學補償積層膜之電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置係光學特性及膜彼此之密接性良好，由於在液晶晶胞內具備光學補償積層膜，而可達到薄型化及低成本化。
1,2‧‧‧液晶裝置
1A,2A‧‧‧液晶晶胞
10,40‧‧‧濾色基板(電極基板、液晶裝置用基板)
11‧‧‧透光性基板
12‧‧‧光學補償積層膜
12A‧‧‧負型C板(呈負型單軸異向性之光學補償膜)
12B‧‧‧正型A板(呈正型單軸異向性之光學補償膜)
13‧‧‧共通電極
14‧‧‧定向膜
20‧‧‧TFT基板
21‧‧‧像素電極基板
22‧‧‧定向膜
30‧‧‧液晶層
51,52‧‧‧偏光件
BM‧‧‧黑矩陣層
BL‧‧‧背光
CF‧‧‧濾色層
圖1係本發明一實施形態之液晶裝置之分解示意截面圖。
圖2係顯示設計變更例之分解示意截面圖。
圖3係顯示光學補償積層膜之結構的示意截面圖。
用以實施發明之形態
本說明書中，以式(x)表示之基亦僅記載為基(x)。
本說明書中，以式(y)表示之化合物亦僅記載為化合物(y)。
此處，式(x)及式(y)表示任意的式。
又，本說明書中，係令平行於光學補償積層膜之膜面的面為x-y平面，令膜厚方向為z方向，令x方向、y方向及z方向之折射率各自為nx、ny及nz。
於負型C板，nx=ny>nz。
於正型A板，nx>ny=nz。
以下，說明本發明之實施形態。
本說明書中未特別說明的情況下，「%」表示質量%。
[光聚合性液晶組成物]
本發明之光聚合性液晶組成物(以下亦稱組成物(Y))係呈正型單軸異向性之光學補償膜(正型A板)形成用材料。
組成物(Y)含有：含1種光聚合反應性基之單官能光聚合性液晶(A)、與含2種光聚合反應性基之雙官能光聚合性液晶(B)。
本發明之組成物(Y)可適宜使用於製備：在作為定向膜機能之呈負型單軸異向性之光學補償膜(負型C板)上，積層有呈正型單軸異向性之光學補償膜(正型A板)的光學補償積層膜。
僅使用單官能光聚合性液晶(A)來形成正型A板的情況下，一旦於其正上利用濺鍍法形成ITO等電極，恐會有正型A板發生裂縫或光學特性有所變化之虞。
僅使用雙官能光聚合性液晶(B)來形成正型A板的情況下，則作為定向膜機能之負型C板與正型A板之密接性差，在製造步驟中恐有膜剝離之虞。
相對於此，藉由併用單官能光聚合性液晶(A)與雙官能光聚合性液晶(B)，可製得耐濺鍍性、及與負型C板之密接性良好的正型A板。
單官能光聚合性液晶(A)方面，以下式(1-1)、(1-2) 或(1-3)表示之化合物為佳。該等化合物記載於「先前技術」項中所舉的專利文獻3~5，關於適當態樣及具體例等詳情，可參照該等專利文獻。
正型A板材料方面，藉著使用該等單官能光聚合性液晶(A)，則對於膜形成後的液晶裝置製程溫度具有耐熱性。例如，對於聚醯亞胺定向膜形成時230℃左右的加熱處理便具有耐熱性。
CH2=CR11-COO-(E11)m1-Cy-Y1-Cy-E12-R12…(1-1)
式(1-1)中，R11為氫原子或甲基，以氫原子為佳。R11為氫原子的情況下，組成物(Y)的光聚合反應快速進行故為理想。又，還有製得之光學補償膜不易受外部環境(溫度等)的影響、阻滯(retardation)之面內分布小的優點。
R12為碳數1~8之烷基。藉此可使組成物(Y)的熔點(Tm)(亦即結晶相-向列相之相轉移點)偏低。R12以碳數2~6之烷基為佳。而因化合物(1-1)呈液晶性之溫度範圍可擴大，故R12以直鏈結構為佳。
Y1為COO-或-OCO-。就使熔點(Tm)偏低這點以-OCO-為佳，就作為光學補償膜時可展現大Δn之點則以-COO-為佳。此處，Δn為各向異性折射率。
m1為0或1，Y1為-COO-時以0為佳，Y1為-OCO-時以1為佳。
E11及E12各自獨立，為1,4-伸苯基(以下以Ph表示)或反式-1,4-環伸己基(以下以Cy表示)。E11及E12為1,4-伸苯基(Ph)時，可使化合物(1-1)之Δn變大。因此，呈大Δn之 組成物(Y)的調製變得容易。E11及E12為反式-1,4-環伸己基(Cy)時，與其他化合物之相溶性良好。
化合物(1-1)以至少具有1個1,4-伸苯基(Ph)為佳。當m=0時，E11係以1,4-伸苯基(Ph)為佳，當m=1時，以E11及E12之至少一者為1,4-伸苯基(Ph)為佳。
化合物(1-1)中之1,4-伸苯基(Ph)及反式-1,4-環伸己基(Cy)可以是非取代之基，也可以是鍵結於該基中之碳原子的氫原子已被氟原子、氯原子或甲基取代之基，而以非取代之基為佳。
化合物(1-1)方面以R11為氫原子之下述化合物(1-1A)(惟，式中之記號與前述所示相同意義)為佳。
CH2=CH-COO-(E11)m1-Cy-Y1-Cy-E12-R12…(1-1A)
化合物(1-1)之具體例可列舉下述化合物。該等之中，以化合物(1-1Aa2)~(1-1Aa6)、(1-1Ab2)~(1-1Ab6)、(1-1Ac2)~化合物(1-1Ac6)為佳，化合物(1-1Aa2)~(1-1Aa6)、(1-1Ac2)~(1-1Ac6)尤佳。
惟，下式中之烷基若存在異構性基時，則包含其所有的基，而以直鏈烷基為佳。
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-CH3…(1-1Aa1)
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C2H5…(1-1Aa2)
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C3H7…(1-1Aa3)
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C4H9…(1-1Aa4)
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C5H11…(1-1Aa5)
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C6H13…(1-1Aa6)
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C7H15…(1-1Aa7)
CH2=CH-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C8H17…(1-1Aa8)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-CH3…(1-1Ab1)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-C2H5…(1-1Ab2)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-C3H7…(1-1Ab3)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-C4H9…(1-1Ab4)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-C5H11…(1-1Ab5)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-C6H13…(1-1Ab6)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-C7H15…(1-1Ab7)
CH2=CH-COO-Cy-COO-Cy-Ph-C8H17…(1-1Ab8)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-CH3…(1-1Ac1)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-C2H5…(1-1Ac2)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-C3H7…(1-1Ac3)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-C4H9…(1-1Ac4)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-C5H11…(1-1Ac5)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-C6H13…(1-1Ac6)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-C7H15…(1-1Ac7)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-OCO-Cy-Ph-C8H17…(1-1Ac8)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-CH3…(1-1Ad1)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-C2H5…(1-1Ad2)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-C3H7…(1-1Ad3)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-C4H9…(1-1Ad4)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-C5H11…(1-1Ad5)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-C6H13…(1-1Ad6)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-C7H15…(1-1Ad7)
CH2=CH-COO-Ph-Cy-COO-Cy-Ph-C8H17…(1-1Ad8)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-CH3…(1-1Ba1)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C2H5…(1-1Ba2)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C3H7…(1-1Ba3)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C4H9…(1-1Ba4)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C5H11…(1-1Ba5)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C6H13…(1-1Ba6)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C7H15…(1-1Ba7)
CH2=C(CH3)-COO-Cy-OCO-Cy-Ph-C8H17…(1-1Ba8)
CH2=CR21-COO-(L2)k2-E21-E22-E23-E24-R22…(1-2)
式(1-2)中，R21為氫原子或甲基，以氫原子為佳。這點在化合物(1-1)之R11的情況亦相同。
R22為碳數1~8之烷基或氟原子。藉此，可使組成物(Y)的熔點(Tm)(亦即結晶相-向列相之相轉移點)偏低。R22以碳數2~6之烷基或氟原子為佳。因化合物(1-2)呈液晶性之溫度範圍可擴大，因此R22以直鏈結構為佳。
k2為0或1，以1為佳。
L2以-(CH2)p2O-或-(CH2)q2-(惟，p2及q2各自獨立，為2~8之整數)、-(CH2)p2O-為佳。
一般而言，一旦使聚合性液晶聚合，則聚合前後Δn之值有降低的傾向，但在L2為-(CH2)p2O-及-(CH2)q2-等具有聚亞甲基之基的情況下，可抑制聚合前後之Δn值降低。
E21為1,4-伸苯基(Ph)，E22、E23及E24各自獨立， 為1,4-伸苯基(Ph)或反式-1,4-環伸己基(Cy)。
化合物(1-2)具有的環基數為4個，E22及E23之至少一者為Cy。E22、E23及E24之至少一者以Ph為佳。當含有多數個Ph時，因可使Δn之值變大故2個Ph以鄰接為佳。
「E21-E22-E23-E24」之結構方面有「Ph-Ph-Cy-Ph」、「Ph-Cy-Ph-Ph」、「Ph-Ph-Cy-Cy」、「Ph-Cy-Cy-Ph」、「Ph-Cy-Ph-Cy」及「Ph-Cy-Cy-Cy」。該等當中，就使化合物(1-2)之Δn變大這點來看，以「Ph-Cy-Ph-Ph」、「Ph-Ph-Cy-Cy」、「Ph-Ph-Cy-Ph」為佳。藉此，展現大Δn之組成物(Y)的調製變得容易。
化合物(1-2)方面以下述化合物(1-2A)~(1-2C)為佳。
CH2=CR21-COO-L2-Ph-Ph-Cy-Cy-R22；(1-2A)
CH2=CR21-COO-L2-Ph-Cy-Ph-Ph-R22；(1-2B)
CH2=CR21-COO-L2-Ph-Ph-Cy-Ph-R22；(1-2C)
上述化合物當中，以R21為氫原子，R22為碳數2~6之直鏈烷基或氟原子的化合物為佳，更以-L2-為-(CH2)p2O-(p2以4~6之整數為佳)的化合物尤佳。
E21~E24中之1,4-伸苯基(Ph)及反式-1,4-環伸己基(Cy)，該基中鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代。
1,4-伸苯基(Ph)係以非取代之基、由1個氟原子取代之基、或由1個甲基取代之基為佳。1,4-伸苯基(Ph)具有該等取代基時，具有降低化合物(1-2)熔點的效果、以及降 低黏度的效果。取代基的位置以2位或3位為佳。又，反式-1,4-環伸己基(Cy)以非取代之基為佳。
化合物(1-2)方面宜為以下所示之化合物，化合物(1-2A-1)、(1-2A-3)、(1-2A-5)、(1-2B-1)、(1-2B-3)~(1-2B-5)、(1-2C-1)、(1-2C-2)尤佳。
[化1]
CH2=CR31-COO-(L3)k3-E31-E32-E33-R32…(1-3)
式(1-3)中，R31為氫原子或甲基，以氫原子為佳。這點在化合物(1-1)之R11的情況亦相同。
R32為碳數1~8之烷基。這點在化合物(1-1)之R12的情況亦相同。
L3為-(CH2)p3O-、-Cy-COO-、或-Cy-OCO-(惟，p3為2~8之整數)。
k3為0或1，以1為佳。
E31、E32及E33各自獨立，為1,4-伸苯基(Ph)或反式-1,4-環伸己基(Cy)。惟，E31、E32及E33之至少一者為反式-1,4-環伸己基(Cy)。L3為-Cy-OCO-時之E31為反式-1,4-環伸己基(Cy)，L3為-(CH2)p3O-、或k為0時之E31與E33各自為1,4-伸苯基(Ph)，E32為反式-1,4-環伸己基(Cy)。
雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2-1)、(2-2)或(2-3)表示之化合物為佳。
該等化合物分別對應於單官能光聚合性液晶(A)之例的化合物(1-1)、(1-2)及(1-3)。
CH2=CR41-COO-(E41)m4-Cy-Y4-Cy-(E42)n4-OOC-CR42=CH2…(2-1)
式(2-1)中，R41及R42各自獨立，為氫原子或甲基，化合物(1-1)中之R11亦相同。
Y4為-OCO-或-COO-，化合物(1-1)中之Y1亦相同。m4及n4各自獨立，為0或1，化合物(1-1)中之m1亦相同。
E41及E42各自獨立，為1,4-伸苯基(Ph)或反式-1,4-環伸己基(Cy)，化合物(1-1)中之E11及E12亦相同。
前述1,4-伸苯基(Ph)及反式-1,4-環伸己基(Cy)，基中之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代。
CH2=CR51-COO-(L5)k5-E51-E52-E53-E54-(M5)n5-OOC-CR52=CH2…(2-2)
式(2-2)中，R51及R52各自獨立，為氫原子或甲基，化合物(1-2)中之R21亦相同。
k5及n5各自獨立，為0或1，化合物(1-2)中之k2亦相同。
L5及M5各自獨立，為-(CH2)p5O-或-(CH2)q5-(惟，p5及q5各自獨立，為2~8之整數)，化合物(1-2)中之L2亦相同。
E51為1,4-伸苯基(Ph)，化合物(1-2)中之E21亦相同。
E52、E53及E54各自獨立，為1,4-伸苯基(Ph)或反式-1,4-環伸己基(Cy)，且E52及E53之至少一者為反式-1,4-環伸己基(Cy)。該等在化合物(1-2)中之E22、E23及E24亦相同。
前述1,4-伸苯基(Ph)及反式-1,4-環伸己基(Cy)，該基中鍵結於碳原子之氫原子亦可由氟原子、氯原子或甲基取代。
CH2=CR61-COO-(L6)k6-E61-E62-E63-(M6)n6-COO-CR62=CH2…(2-3)
式(2-3)中，R61及R62各自獨立，為氫原子或甲基，化合物(1-3)中之R31亦相同。
k6及n6各自獨立，為0或1，化合物(1-3)中之k3亦相同。
L6及M6各自獨立，為-(CH2)p6O-、-Cy-COO-或-Cy-OCO-(惟，p6為2~8之整數)，化合物(1-3)中之L3亦相同。
E61、E62及E63各自獨立，為1,4-伸苯基(Ph)或反式-1,4-環伸己基(Cy)(惟，E61、E62及E63之至少一者為反式-1,4-環伸己基(Cy)，且L6為-Cy-OCO-時E61為反式-1,4-環伸己基(Cy)，L6為-(CH2)p6O-或k6為0時E61與E63各自為1,4-伸苯基 (Ph)，E62為反式-1,4-環伸己基(Cy))。該等在化合物(1-3)中之E31、E32及E33亦相同。
前述1,4-伸苯基(Ph)及反式-1,4-環伸己基(Cy)，該基中鍵結於碳原子之氫原子亦可由氟原子、氯原子或甲基取代。
組成物(Y)中之單官能光聚合性液晶(A)與雙官能光聚合性液晶(B)之質量比以95/5~30/70為佳，70/30~30/70尤佳。
組成物(Y)係除了單官能光聚合性液晶(A)與雙官能光聚合性液晶(B)以外，可含有週知之光聚合引發劑(C)、週知之界面活性劑(D)、週知之溶劑(E)或其他任意成分。
光聚合引發劑(C)方面可列舉肟酯類、苯乙酮類二苯基酮類、醯基膦氧化物(acylphosphine oxide)類、苯偶姻類、二苯乙二酮類、米其勒酮類、苯偶姻烷基醚類、二苯乙二酮二甲基縮酮類等，可從上述適當選擇1種或2種以上來使用。
肟酯類方面可列舉1,2-辛二酮,1-[4-(苯基硫)-,2-(鄰-苯甲醯基肟)]、乙氧,1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(鄰-乙醯肟)。
苯乙酮類方面可列舉2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-二苯乙二酮-2-二甲胺基-1-(4-啉并苯基)-丁酮-12-(二甲胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-啉基)苯 基]-1-丁酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-二苯乙二酮]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲基硫苯基)-2-啉并丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-二苯乙二酮]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等。
醯基膦氧化物類方面可列舉2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-二苯基-膦氧化物等。
界面活性劑(D)方面，可列舉：月桂硫酸鈉、月桂硫酸銨、月桂硫酸三乙醇胺、聚氧伸乙基烷基醚硫酸鹽、烷基醚磷酸酯(alkyl ether phosphate)、油基琥珀酸鈉(sodium oleyl succinate)、肉豆蔻酸鉀、椰子油脂肪酸鉀、月桂醯肌胺酸鈉(Sodium lauroyl sarcosinate)等陰離子性界面活性劑；聚乙二醇單月桂酯、硬脂酸山梨醇酐、肉豆蔻酸甘油酯、二油酸甘油酯、去水山梨醇硬脂酸酯、去水山梨醇油酸酯等非離子性界面活性劑；硬脂醯基三甲基銨氯化物、氯化二十二醯基三甲基銨、氯化硬脂醯基二甲基芐基銨、十六基甲基銨氯化物等陽離子性界面活性劑；月桂基甜菜鹼、烷基硫甜菜鹼、椰子醯胺丙基甜菜鹼、烷基二甲胺基乙酸甜菜鹼等烷基甜菜鹼、烷基咪唑琳、月桂醯基肌胺酸鈉、椰油醯基乙酸鈉(sodium cocoamphoacetate)等兩性界面活性劑；BYK-361、BYK-306、BYK-307(BYK公司製)、FLUORAD FC430(住友3M公司製)、MEGAFACE F171,R08(大日本印墨化學工業公司製)等之界面活性劑。
該等界面活性劑可單獨使用任一種，亦可併用2種以上。
溶劑(E)方面可舉環己酮、乙基賽珞蘇乙酸酯、丁基賽珞蘇乙酸酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、二乙二醇二甲基醚、乙基苯、乙二醇二乙基醚、二甲苯、乙基賽珞蘇、甲基-正戊酮、丙二醇單甲基醚、甲苯、甲基乙基酮、醋酸乙酯、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、異丁酮等。該等溶劑可單獨使用任一種，亦可併用2種以上。
其他任意成分方面可列舉抗氧化劑、紫外線吸收劑、矽烷耦合劑、光穩定劑等。
組成物(Y)中以溶劑(E)以外之合計為100質量%時，組成物(Y)中之單官能光聚合性液晶(A)與雙官能光聚合性液晶(B)之合計量以80質量%以上且低於100質量%為佳，90質量%以上且低於100質量%尤佳。
[光學補償膜]
本發明之光學補償膜係將上述本發明之光聚合性液晶組成物之塗佈膜行光硬化而成、且呈正型單軸異向性之光學補償膜(正型A板)。
光學補償膜之製備步驟記載於以下光學補償積層膜之形成當中。
[光學補償積層膜]
本發明之光學補償積層膜可藉由積層呈負型單軸異向性之光學補償膜(負型C板)與上述本發明之呈正型單軸異 向性之光學補償膜(正型A板)而製得。
本發明之光學補償積層膜中，光學補償膜的積層順序並未限定。又，負型C板與正型A板之間亦可設置定向膜。亦即，本發明之光學補償膜可以上述(ii)~(iv)任一種形態來形成光學補償積層膜。當中，就光學補償積層膜之薄膜化的觀點來看以(iv)之形態為佳，即以在具有定向性之負型C板上直接積層正型A板之形態為佳。
具有定向性之負型C板形成用材料組成物(以下亦稱組成物(X))方面，以含有聚醯亞胺(PI)或其前驅物聚醯胺酸(polyamic acid；PAA)為佳。就熱醯亞胺化時展現厚度方向雙折射性這點來看，組成物(X)以含有聚醯胺酸(PAA)為佳。
此處，聚醯亞胺膜基本上全都具有定向性。因此，理想為在液晶裝置之定向膜形成用聚醯亞胺(PI)或聚醯胺酸(PAA)當中，選定構成負型C板即展現厚度方向雙折射性之材料。
聚醯亞胺可藉由酸酐與二胺之聚合反應製得。就使聚醯亞胺之透光性提升的觀點來看，以骨架中具有脂環為佳。這種情況下，只要選定骨架中具有脂環者作為酸酐或二胺即可。
以酸酐具有脂環的情況而言，酸酐方面可舉1,2,3,4-丁四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊四羧酸二酐、2,3,5-三羧環戊基乙酸二酐、1,2,4,5-環己四羧酸二酐、3,3',4,4'-環己四羧酸二酐等。
二胺方面可舉2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺、對伸苯基二胺等。
以二胺具有脂環的情況而言，酸酐方面可舉3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐等。
二胺方面可舉反式-1,4-二胺基環己烷、順式-1,4-二胺基環己烷、4,4'-二胺基-1、1'-雙環己烷等。
組成物(X)可含有1種或2種以上之週知溶劑、或是1種或2種以上之其他任意成分。
相對於組成物(X)整體，聚醯亞胺(PI)或聚醯胺酸(PAA)之含量以10~30質量%為佳，10~15質量%較佳。
具有定向性之負型C板之形成步驟例如以下所述。包含：於基板上，藉由旋塗法等塗佈理想為含聚醯胺酸(PAA)與溶劑之組成物(X)，形成第1塗佈膜的步驟(S1)；利用150℃左右的加熱乾燥(預焙)、減壓乾燥、或減壓加熱乾燥等，除去第1塗佈膜中之溶劑的步驟(S2)；將塗佈膜中之聚醯胺酸在230℃程度下燒成(後焙)，生成聚醯亞胺膜的步驟(S3)；對聚醯亞胺膜施行摩擦處理的步驟(S4)。
正型A板之形成步驟例如以下所述。包含：於上述負型C板上，塗佈含有單官能光聚合性液晶(A)與雙官能光聚合性液晶(B)之上述本發明光聚合性液晶組成物(Y)，而形成第2塗佈膜之步驟(S5)； 利用80℃程度的加熱乾燥(預焙)、減壓乾燥、或減壓加熱乾燥等，將第2塗佈膜中之溶劑除去的步驟(S6)；對第2塗佈膜照射紫外光(UV)等光，使光聚合性液晶(A)及(B)光聚合的步驟(S7)。
若僅藉由光照射，未反應之光聚合性液晶(A)及(B)可能會殘留。在這種情況下，亦可於步驟(S7)後，在230℃左右下實施燒成的步驟(S8)。
步驟(S5)中之塗佈方法方面，可列舉旋塗法、微凹版塗佈法(micro gravure coat)、模頭塗佈法等。
又，將溶劑除去之步驟(S6)方面以加熱乾燥、減壓乾燥、減壓下之加熱乾燥為佳。
進而，步驟(S7)中的光源可列舉低壓水銀燈、高壓水銀燈、UV-LED等，照射光的波長為180~450nm，以250~400nm為佳，照射量為500~30000mJ/cm2，以1000~10000mJ/cm2為佳。
本發明之光學補償積層膜適宜作為VA(Vertical Alignment)模式之液晶裝置用。
光學補償積層膜中，z方向之相位差指標即阻滯(Rth)以100~500nm為佳，200~300nm尤佳。
光學補償積層膜中，x-y平面之相位差指標即阻滯Rd以超過0nm且在100nm以下為佳，以40~60nm尤佳。
Rth=P×da。
此處，da為負型C板之厚度，P=((nx+ny)/2-nz)。
Rd=(nx-ny)×db。
此處，db為正型A板之厚度。
本發明中之光學補償積層膜由於不需要基材膜，因此可圖液晶裝置薄型化。
尤其，在由具有定向性之負型C板、直接積層於其上之正型A板所構成的光學補償積層膜中，因光學補償積層膜中不需要定向膜，而可圖進一步薄型化。又，若膜數少，則步驟數變少，可圖製造成本降低。
本發明中，可使負型C板及正型A板之厚度、da、及db皆小於10μm，甚至可在5μm以下。尤其以0.1~4.5μm為佳。因此，可使光學補償積層膜之厚度d小於20μm，甚至在10μm以下。
本發明之光學補償積層膜中，波長400~800nm之平均透過率以80%以上為佳，85%以上較佳，86~92%更佳。本說明書中，「平均透過率」係準據JISK 7361-1所測定之值。
[液晶裝置]
本發明相關之一實施形態之液晶裝置係VA模式彩色透過型TFT液晶裝置。
本實施形態也可適用於單色液晶裝置。
本實施形態也可適用於反射型或半透過反射型之液晶裝置。
本實施形態也可適用於TFD液晶裝置等其他主動矩陣型、或被動矩陣型。
如圖1所示，本實施形態之液晶裝置1具備：液晶 晶胞1A及安裝於其外側之偏光件51、52、背光BL。
液晶晶胞1具備：濾色基板10、屬相對基板之TFT基板20、及由該一對基板所夾持之液晶層30。
濾色基板(電極基板及液晶裝置用基板)10具備：透光性基板11、於其液晶層30側依序積層之黑矩陣層BM、濾色層CF、光學補償積層膜12、共通電極13及定向膜14。
TFT基板20係於透光性基板之液晶層30側，具備：像素電極基板21及形成於其液晶層30側之定向膜22，該像素電極基板21有多數像素電極、像素電極之交換元件即多數TFT(薄膜電晶體)形成為矩陣狀。
使用於濾色基板10及TFT基板20之透光性基板以玻璃基板為佳。
在透過型液晶裝置1中，共通電極13及像素電極之材料可使用ITO(銦錫氧化物)等透光性導電材料。
黑矩陣層BM係將彼此鄰接之點間予以遮光之遮光層。
濾色層CF包含例如紅(R)、綠(G)及藍(B)之著色層。在這種情況下，於1像素形成有3個像素電極與3色著色層(1像素=3點)。
光學補償積層膜12係上述本發明之光學補償積層膜，如圖3所示，為負型C板12A與正型A板12B的積層膜。
本實施形態中，於光學補償積層膜12正上形成有共通電極13，於其上則形成有定向膜14。
濾色基板10之積層構成可適當設計變更。
例如，如圖2所示之設計變更之濾色基板40、液晶晶胞2A及液晶裝置2所示，亦可作成在透光性基板11上依序設置光學補償積層膜12、黑矩陣層BM、濾色層CF、共通電極13及定向膜14的構成。
本實施形態之濾色基板(電極基板、液晶裝置用基板)10及液晶裝置1，係光學特性及膜彼此密接性良好。本實施形態之濾色基板10及液晶裝置1因液晶晶胞1A內具備光學補償積層膜12，因此可達成薄型化及低成本化。
[實施例]
以下，依據實施例針對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等。例11為實施例，例21為比較例。
(正型A板用塗佈液(Y1)之調製)
單官能光聚合性液晶方面使用下述化合物(A1)計20.9質量%、下述化合物(A2)計47.7質量%、雙官能光聚合性液晶方面使用下述化合物(B1)計29.4質量%、光聚合引發劑(C1)(Irgacure907、BASF社製)計1.3質量%及界面活性劑(D1)(SURFLON S382、AGC SEIMI CHEMICAL公司製)計0.7質量%，各自稱量並混合。之後，添加溶劑(E1)(環戊酮)混合，作出相對於塗佈液整體(100質量%)，成分(A1)、(A2)、(B1)、(C1)、及(D1)的合計濃度為15質量%的溶液。將之以開口徑0.5μm之過濾器過濾而製得塗佈液(Y1)。
[化2]
(正型A板用塗佈液(Z1)之調製)
雙官能光聚合性液晶方面使用下述化合物(B2)計97.1質量%、上述光聚合引發劑(C1)計1.9質量%及上述界面活性劑(D1)計1.0質量%，各自稱量並混合。之後，添加溶劑(E1)並混合，作出相對於塗佈液整體(100質量%)，成分(B2)、(C1)、及(D1)之濃度為15質量%的溶液。將之以開口徑0.5μm之過濾器過濾而製得塗佈液(Z1)。
(負型C板(NCP1)之製備)
將反式-1,4-二胺基環己烷1.14g溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮17.44g，加入3,3',4,4'-聯苯基四羧酸二酐2.83g與N-甲基-2-吡咯啶酮4.00g，在60℃下攪拌3小時。進而，加入酞酸酐0.12g之後在60℃下攪拌3小時，製得聚醯胺酸(PAA1)溶 液。將之以開口徑0.5μm之過濾器過濾，製得塗佈液(X1)。將該塗佈液以旋塗法塗佈(3000rpm、30sec)至玻璃基板上，於熱板上在90℃下乾燥2分鐘。進而在230℃下進行30分鐘之加熱後進行摩擦處理，製備具有定向膜機能的負型C板(NCP1)。膜厚為3.1μm，厚度方向在589nm下的雙折射率P為0.090，Rth=279nm。
(光學補償積層膜之製備)
<例11>
於上述負型C板(NCP1)上，以旋塗法塗佈上述塗佈液(Y1)，在80℃下乾燥2分鐘完成定向。之後，從垂直方向對基板面照射紫外線30秒使塗佈膜硬化。用於光硬化之高壓水銀燈的照度為波長365nm且40mW/cm2。進一步在溫度230℃下以30分的條件烘焙，藉此製得光學補償積層膜。
<例21>
除了使用上述塗佈液(Z1)來取代塗佈液(Y1)以外，與例1同樣施行，製得光學補償積層膜。
(光學補償積層膜之評價)
<膠帶剝離測試>
於上述各例中，實施於製得之光學補償積層膜表面貼附黏著強度0.25N/mm之黏著膠帶之後，緩緩撕除之膠帶剝離測試。依據下述基準實施評價。○：黏著膠帶上無附著物；×：黏著膠帶上有A板成分附著。
(光學補償積層膜之評價結果)
上述各例中的主要製造條件與評價結果顯示於表1。表 1中，%為質量%。
併用單官能光聚合性液晶(A)與雙官能光聚合性液晶(B)作為正型A板之光聚合性液晶的例11中，於膠帶剝離測試中黏著膠帶沒有附著物，負型C板與正型A板之密接性良好。
僅使用雙官能光聚合性液晶(B)作為正型A板之光聚合性液晶的例21中，於膠帶剝離測試中，黏著膠帶上發現附著物，負型C板與正型A板之密接性不良。
產業上可利用性
由本發明之光聚合性液晶組成物製得之光學補償膜、光學補償積層膜，係耐濺鍍性、耐熱性及密接性良好，可利用作為低成本且光學特性優異之薄型電極基板、液晶裝置用基板及液晶裝置。
又，在此爰用2012年11月7日申請之日本專利申請案 2012-245073號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部內容，納入作為本發明說明書之揭示。
1‧‧‧液晶裝置
1A‧‧‧液晶晶胞
10‧‧‧濾色基板(電極基板、液晶裝置用基板)
11‧‧‧透光性基板
12‧‧‧光學補償積層膜
13‧‧‧共通電極
14‧‧‧定向膜
20‧‧‧TFT基板
21‧‧‧像素電極基板
22‧‧‧定向膜
30‧‧‧液晶層
52‧‧‧偏光件
BM‧‧‧黑矩陣層
BL‧‧‧背光
CF‧‧‧濾色層

Claims (15)

  1. 一種光聚合性液晶組成物，係用以形成呈正型單軸異向性之光學補償膜者，其特徵在於包含：具有1個光聚合反應性基之單官能光聚合性液晶(A)；及具有2個光聚合反應性基之雙官能光聚合性液晶(B)。
  2. 如請求項1之光聚合性液晶組成物，其係以95/5~30/70之質量比含有前述單官能光聚合性液晶(A)與前述雙官能光聚合性液晶(B)。
  3. 如請求項1或2之光聚合性液晶組成物，其中單官能光聚合性液晶(A)係以下式(1-1)表示：CH2=CR11-COO-(E11)m1-Cy-Y1-Cy-E12-R12…(1-1)(惟，R11：氫原子或甲基；R12：碳數1~8之烷基；Y1：-OCO-或-COO-；m1：0或1；E11及E12：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基；Cy：反式-1,4-環伸己基；惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
  4. 如請求項1或2之光聚合性液晶組成物，其中單官能光聚合性液晶(A)係以下式(1-2)表示：CH2=CR21-COO-(L2)k2-E21-E22-E23-E24-R22…(1-2)(惟，R21：氫原子或甲基；R22：碳數1~8之烷基或 氟原子；k2：0或1；L2：-(CH2)p2O-或-(CH2)q2-(惟，p2及q2各自獨立，為2~8之整數)；E21：1,4-伸苯基；E22、E23及E24：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基，且E22及E23至少一者為反式-1,4-環伸己基；惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
  5. 如請求項1或2之光聚合性液晶組成物，其中單官能光聚合性液晶(A)係以下式(1-3)表示：CH2=CR31-COO-(L3)k3-E31-E32-E33-R32…(1-3)(惟，R31：氫原子或甲基；R32：碳數1~8之烷基；k3：0或1；L3：-(CH2)p3O-、-Cy-COO-(Cy為反式-1,4-環伸己基)、或-Cy-OCO-(惟，p3為2~8之整數)；E31、E32及E33：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基(惟，E31、E32、及E33至少一者為反式-1,4-環伸己基，且，當L3為-Cy-OCO-時則E31為反式-1,4-環伸己基，當L3為-(CH2)p3O-或k3為0時，則E31與E33各自為1,4-伸苯基且E32為反式-1,4-環伸己基)；惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
  6. 如請求項1至5中任一項之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2)表示：Q1-Z1-A1-Z3-M-Z4-A2-Z2-Q2…(2) (惟，Q1及Q2：各自獨立，為光聚合反應性基；Z1、Z2、Z3及Z4：各自獨立，為單鍵或二價連結基；A1及A2：各自獨立，為碳原子數2~20之間隔基；M：液晶基)。
  7. 如請求項6之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2-1)表示：CH2=CR41-COO-(E41)m4-Cy-Y4-Cy-(E42)n4-OOC-CR42=CH2…(2-1)(惟，R41及R42：各自獨立，為氫原子或甲基；Y4：-OCO-或-COO-；m4及n4：各自獨立，為0或1；E41及E42：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基；Cy：反式-1,4-環伸己基；惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
  8. 如請求項6之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2-2)表示：CH2=CR51-COO-(L5)k5-E51-E52-E53-E54-(M5)n5-OOC-CR52=CH2…(2-2)(惟，R51及R52：各自獨立，為氫原子或甲基；k5及n5：各自獨立，為0或1；L5及M5：各自獨立，為-(CH2)p5O-或-(CH2)q5-(惟，p5及q5各自獨立，為2~8之整數)；E51：1,4-伸苯基；E52、E53及E54：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基；且E52及E53至少一者為反式-1,4-環伸己基；惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團 中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
  9. 如請求項6之光聚合性液晶組成物，其中雙官能光聚合性液晶(B)係以下式(2-3)表示：CH2=CR61-COO-(L6)k6-E61-E62-E63-(M6)n6-COO-CR62=CH2…(2-3)(惟，R61及R62：各自獨立，為氫原子或甲基；k6及n6：各自獨立，為0或1；L6及M6：各自獨立，為-(CH2)p6O-、-Cy-COO-(Cy為反式-1,4-環伸己基)、或-Cy-OCO-(惟，p6為2~8之整數)；E61、E62及E63：各自獨立，為1,4-伸苯基或反式-1,4-環伸己基(惟，E61、E62及E63至少一者為反式-1,4-環伸己基，且，當L6為-Cy-OCO-時則E61為反式-1,4-環伸己基，當L6為-(CH2)p6O-、或k6為0時則E61與E63各自為1,4-伸苯基，E62為反式-1,4-環伸己基；惟，前述1,4-伸苯基及反式-1,4-環伸己基之基團中，鍵結於碳原子之氫原子可由氟原子、氯原子或甲基取代)。
  10. 一種呈正型單軸異向性之光學補償膜，係將請求項1至9中任一項之光聚合性液晶組成物之塗佈膜光硬化而成者。
  11. 一種光學補償積層膜，包含：呈負型單軸異向性之光學補償膜、與請求項10之呈正型單軸異向性之光學補償膜。
  12. 如請求項11之光學補償積層膜，其中前述呈負型單軸異 向性之光學補償膜含有：骨架中具有脂環的聚醯亞胺。
  13. 一種電極基板，係於基板上具有如請求項12之光學補償積層膜、與形成於該光學補償積層膜上之電極。
  14. 一種液晶裝置用基板，具有：如請求項13之電極基板、與形成於該電極基板上之定向膜。
  15. 一種液晶裝置，具有：如請求項14之液晶用基板；相對基板；及由該液晶用基板及相對基板所夾持之液晶層。
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