TW201419947A - 基板的電漿處理 - Google Patents

基板的電漿處理 Download PDF

Info

Publication number
TW201419947A
TW201419947A TW102116174A TW102116174A TW201419947A TW 201419947 A TW201419947 A TW 201419947A TW 102116174 A TW102116174 A TW 102116174A TW 102116174 A TW102116174 A TW 102116174A TW 201419947 A TW201419947 A TW 201419947A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
channel
dielectric housing
process gas
plasma
electrode
Prior art date
Application number
TW102116174A
Other languages
English (en)
Inventor
Francoise Massines
Thomas Gaudy
Pierre Descamps
Patrick Leempoel
Vincent Kaiser
Syed Salman Adad
Original Assignee
Dow Corning France
Centre Nat Rech Scient
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning France, Centre Nat Rech Scient filed Critical Dow Corning France
Publication of TW201419947A publication Critical patent/TW201419947A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2418—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the electrodes being embedded in the dielectric
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/32—Plasma torches using an arc
    • H05H1/42—Plasma torches using an arc with provisions for introducing materials into the plasma, e.g. powder, liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/48—Generating plasma using an arc
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2245/00—Applications of plasma devices
    • H05H2245/40—Surface treatments

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

一種用於電漿處理一基材之裝置，包括連接到至少一針狀電極(11)且頻率為3kHz至30kHz之高電壓源，該針狀電極(11)位於一介電殼體(14)內的通道(16)中，該介電殼體(14)具有一製程氣體入口及一出口。該通道(16)具有一形成該製程氣體入口之進入口(16a)及一進入該介電殼體之排出口(16e)，其係設置以使製程氣體從該入口流經該通道(16)通過該電極(11)至該介電殼體之出口。該裝置包含用以於該介電殼體內採用一霧化表面處理劑之手段及鄰接該介電殼體之出口的基材(25)用支撐手段(27,28)。該針狀電極(11)從該通道進入口(16a)延伸至一靠近該通道之排出口(16e)的尖端(11t)且從該通道(16)向外突出，以使該針狀電極之尖端(11t)位於該介電殼體內靠近該通道之排出口(16e)在該通道外相距至少0.5mm至多5倍於該通道的水力直徑。該通道(16)具有一大於10：1的長度對水力直徑之比例。

Description

基板的電漿處理
本發明係關於利用一電漿系統處理一基材。本發明尤指由併入一霧化表面處理劑之非局部平衡大氣壓電漿以薄膜沉積至一基材上。
當提供能量給物質時，物質通常由固態轉變至液態且之後轉變至氣態。持續供應能量會使系統經歷進一步的狀態變化，其中氣體的中性原子或分子會因能量碰撞而被破壞以產生帶負電的電子、帶正電或負電的離子及其他激發成分。此種展現集體行為的帶電及其他激發粒子之混合物被稱為「電漿」，其為物質的第四態。由於具有自由電荷(於場施加下可對應自由移動)，電漿係受到外部電磁場的高度影響，而外部電磁場可使電漿易於控制。此外，其高能量內容/成分使其得以達到其他物質狀態難以或無法達成(像是利用液體或氣體處理)的製程。
術語「電漿」包含大範圍的系統，其密度及溫度相差許多數量級。某些電漿非常熱，例如由電漿炬所形成的火焰系電漿，且其全部微觀成分(離子、電子等等)大致處於熱平衡，輸入系統內的能量經由原子/分子層次的碰撞被廣泛分散。然而，其他電漿的組成成分係處於相差很大的溫度下，且被稱為處於「非局部熱平衡」。於此種非局部熱平衡電漿中， 自由電子非常熱，溫度為數千克耳文(K)，而中性及離子成分則維持冷卻(溫度數量級低於電子)。由於自由電子的質量幾乎可忽略，故總系統熱含量很低且電漿可於接近室溫下操作，因此可處理溫度敏感性材料(像是塑膠或聚合物)而不會對樣品造成熱破壞的負擔。然而，熱電子經由高能量碰撞產生自由基及激發成分的豐富來源，其具有高化學勢能而具有很高的化學及物理反應性。正是因為結合了低溫操作及高反應性，使非熱電漿技術上非常重要且是製造及材料處理上很強大的工具，可達到的製程是完全不使用電漿時需要使用很高溫度及毒性和有害化學物質才能達到者。
就電漿技術的工業應用而言，將電磁功率耦接至製程氣體體 積內是一種便利的方法。製程氣體可為單一氣體或混合氣體及施加電磁功率可被激發至電漿態的蒸氣。將工件/樣品以浸沒而產生的電漿進行處理，或將其通過電漿本身或因為製程氣體被離子化及激發而由電漿衍生之帶電及/或激發成分，產生包括化學自由基及離子與UV輻射的成分，其可與工件/樣品進行反應或交互反應。藉由正確選擇製程氣體組成、驅動功率頻率、功率耦接模式、壓力及其他控制參數，可將電漿調整至製造商所需的特定應用。
由於電漿的巨大化學及熱範圍，其可適用於許多技術應用。非熱平衡電漿對於表面活化、表面清潔、材料蝕刻及表面塗覆特別有效。
從1960年代開始，微電子產業便已將低壓輝光放電電漿發展為用於半導體、金屬及放電處理之超高技術及高資金成本的工程工具。相同的低壓輝光放電型電漿也從1980年起逐漸進入其他產業，提供聚合物表面活化用於黏著/結合強度提升、高品質脫脂/清潔及沉積高效能塗層。輝 光放電可於真空及大氣壓力下達成。於大氣壓力輝光放電的情形中，電源產生的電磁能係耦接至氣體(如氦、氬、氮或空氣)內以於大氣壓力下產生均勻輝光或絲狀放電，這取決於放電時發生的不同離子化機制。
已發展出各種「電漿噴射」系統來作為大氣壓力電漿處理的手段。電漿噴射系統通常由傳送於兩電極間的氣流所組成。當功率施加於電極間時，會形成電漿且會產生離子、自由基及活性成分的混合物，其可用於處理各種基材。電漿噴射系統所產生的電漿以類似火焰的現象被從電極間的空間(電漿區域)導入且可用以處理遠端物體。
美國專利第5,198,724及5,369,336號描述「冷」或非熱平衡大氣壓力電漿噴射(文後稱為APPJ)，其係由一作為陰極的RF驅動金屬針所組成，該金屬針被外部柱狀陽極所環繞。美國專利第6,429,400號描述一種用於產生吹氣大氣壓力輝光放電(APGD)之系統。此包括一中央電極，其藉由一電絕緣管與一外部電極分離。發明人聲稱該設計不會產生類似先前技術的高溫。Kang等人(Surf Coat.Technol.,2002,171,141-148)也曾描述一種13.56MHz的RF電漿源，其係利用供應氦或氬氣通過兩個同軸電極而操作。為了防止電弧放電，係將介電材料設置於中央電極外。WO94/14303描述一種裝置，其中一電極柱於排出口具有一尖端部以促進電漿噴射的形成。
美國專利第5,837,958號描述一種基於同軸金屬電極的APPJ，其中係利用一供電的中央電極及一介電質塗覆的接地電極。接地電極的一部分被暴露，以於靠近氣體排出口處形成一裸環電極。氣流(空氣或氬氣)經由上方進入且被引導以形成渦流，而將限制並聚焦電弧以形成電漿噴射。欲涵蓋大面積，可將數噴嘴結合以增加覆蓋範圍。
美國專利第6,465,964號描述另一種產生APPJ的系統，其中 將一對電極設置於一圓柱管附近。製程氣體經由管上方進入且由下方離開。當AC電場被供應於兩電極間時，將製程氣體於管內通過其間即產生電漿，且這會在排出口形成APPJ。電極的位置確保電場形成於軸向內。為了拓展此技術以涵蓋大範圍的基材，可調整設計，而使中央管及電極被重新設計而具有長方形管狀。這可形成大面積的電漿，其可用於處理大型基材，例如捲軸式塑膠膜。
美國專利第5,798,146號描述電漿形成方法，其係利用設置 於管內的單一尖銳針狀電極及施加高電壓至電極而產生電子滲漏，其進一步與環繞電極的氣體反應，以產生離子及自由基流。由於並不存在第二電極，故其並不會形成電弧。取而代之的是形成低溫電漿，且低溫電漿被氣流帶離放電空間。目前已發展出各種噴嘴頭以聚焦或展開電漿。此系統可用於活化、清潔或蝕刻各種基材。Stoffels等人(Plasma Sources Sci.Technol.,2002,11,383-388)曾發展出類似的系統用在生物醫學之用途。
WO 02/028548描述一種於基材上形成塗層的方法，其係藉 由將霧化液體及/或固體塗層材料導入大氣壓力電漿放電或由此形成的離子化氣流。WO 02/098962描述低表面能基材的塗覆方法，其係將基材暴露至液體或氣體形式的矽化合物，之後使用電漿或電暈處理進行氧化或還原的後處理，特別是使用脈衝式大氣壓力輝光放電或介電阻障放電。
WO 03/097245及WO 03/101621描述將霧化塗覆材料施用至基材上以形成塗層。霧化塗覆材料於離開霧化器(例如超音波噴嘴或噴霧 器)後立刻經過激發介質(電漿)到達基材。基材係位於激發介質遠端。電漿係以脈衝方式產生。
WO2006/048649描述產生一併入霧化表面處理劑之非平衡大氣壓力電漿，其係利用將一射頻高電壓施加至具有一入口及一出口之介電殼體內的至少一電極，同時使製程氣體由該入口流過該電極至該出口。此電極係與殼體內的表面處理劑霧化器結合。此非平衡大氣壓力電漿由電極延伸至少至殼體的出口，以使鄰接出口的基材與電漿接觸，且通常延伸超過出口。WO2006/048650教示可將類似火焰的非平衡電漿放電(有時稱為電漿噴射)限制於管材的較長長度而將其穩定一大段距離。這可防止空氣混合並使類似火焰的非平衡電漿放電之淬火降至最低。此類似火焰的非平衡電漿放電延伸至少至出口，且通常超過管材的出口。
WO03/085693描述電漿產生組合體，其具有一反應劑採用手段、一製程氣體採用手段及一或多個複數平行電極排列用以產生電漿。採用此組合體可使只有用於導入組合體內的製程氣體及霧化液體或固體反應劑之排出口手段會通過電極間的電漿區域。採用此組合體來相對移動實質上鄰接該電極最外側尖端之基材。電漿生成組合體內可產生紊流以確保霧化噴霧的均勻分布。
由Wenxia Pan等人發表於「Plasma Chemistry and Plasma Processing」,Vol.21,No.1,2001的論文「Generation of long laminar plasma jets at atmospheric pressure and effects of flow turbulence」顯示具有極低初始紊流動能的層流電漿將可產生具有低軸向溫度梯度的長噴射，且建議此種長層流電漿噴射相較於短紊流電弧噴射而言可大幅改善材料處理的可控制性。
由R.P.Cardoso等人發表於「Journal of Applied Physics」Vol. 107,024909(2010)的論文「Analysis of mass transport in an atmospheric pressure remote plasma enhanced chemical vapor deposition process」顯示於大氣壓力下操作的遠端微波電漿輔助化學氣相沉積製程中，高沉積率係與經處理表面上前驅物的局部化有關係，且較重前驅物之對流可有利地確保質量輸送，較輕者由紊流擴散朝向該表面驅動。
WO2009/034012描述塗覆表面的方法，其中霧化表面處理劑 被併入非平衡大氣壓力電漿內，其係產生於稀有製程氣體或由其形成的激發及/或離子化氣流內，且定位待處理表面以接收已併入其內的霧化表面處理劑，其特徵在於形成於表面上的塗層之粒子含量因為在製程氣體內併入小部分的氮氣而減少。然而，添加氮氣對於可用於前驅物解離之能量是不利的。
將大氣電漿技術用於薄膜沉積相對於另一種低壓電漿沉積而言在資金成本(不需要真空室或真空泵)或維護方面提供許多好處。這對於噴射類的技術更是如此，例如記載於WO2006/048649及WO2006/048650中者，其可於基材上進行精確沉積。大氣電漿沉積技術及特別是大氣電漿噴射的一個主要問題是在沉積製程期間消耗大量的製程氣體。若是將氦氣用於獲得穩定、無絲狀放電，則氣體消耗將導致難以接受的高製程成本。因此有必要尋找在薄膜沉積期間減少製程氣體消耗的作法。
一種根據本發明用於電漿處理一基材之裝置包括一頻率為3kHz至300kHz之高電壓源連接至至少一針狀電極，該針狀電極位於一介電殼體內的通道中，該介電殼體具有一製程氣體入口及一出口，該通道具 有一形成該製程氣體入口之進入口及一進入該介電殼體之排出口，其係設置以使製程氣體從該入口流經該通道通過該電極至該介電殼體之出口；用以於該介電殼體內採用一霧化表面處理劑之手段；以及鄰接該介電殼體之出口的基材用支撐手段。其特徵在於該針狀電極從該通道進入口延伸至一靠近該通道之排出口的尖端且從該通道向外突出，以使該針狀電極之尖端位於該介電殼體內靠近該通道之排出口在該通道外相距至少0.5mm至多5倍於該通道的水力直徑，且該通道具有一大於10：1的長度對水力直徑之比例。所謂高電壓是指至少1kV的均方根電位。高電壓源可於0及15MHz間的任何頻率下操作。
可利用游標卡尺量測電極長度及通道長度。計算其差異以獲得針狀電極之尖端於通道外的距離，即針尖端及通道排出口之間的距離。通道通常是但不必然具有圓形剖面，且通常環繞電極，以使製程氣體通過環繞電極的環狀剖面通道。
於根據本發明之基材電漿處理方法中，藉由施加一高電壓至至少一針狀電極，該針狀電極位於一介電殼體內的通道中，該介電殼體具有一入口及一出口，該通道具有一形成製程氣體之該入口之進入口及一進入該介電殼體之排出口；同時使一製程氣體從該入口流經該通道通過該電極至該介電殼體之出口，藉此產生一非局部熱平衡大氣壓電漿；將一霧化或氣態表面處理劑併入該非局部熱平衡大氣壓電漿；以及定位鄰接該介電殼體之出口的該基材，以使該基材之表面接觸該電漿及相對該介電殼體之出口移動，該針狀電極從該通道進入口延伸至一靠近該通道之排出口的尖端且從該通道向外突出，以使該針狀電極之尖端位於該介電殼體內靠近該 通道之排出口在該通道外相距至少0.5mm至多5倍於該通道的水力直徑，且該通道具有一大於10：1的長度對水力直徑之比例。
水力直徑DH是處理非圓形管及通道內流體時常用的術語。 其係由方程式DH=4 A/P定義，其中A為管或通道的截面積而P為截面的濕周。濕周為接觸流體(製程氣體)之周長。於圓管的情形中，濕周為管子的內周長。於環狀的情形中，有兩個周長與流體接觸：環狀內部及外部的周長。於此情形中，濕周=π(Do+Di)，其中Do及Di代表外部及內部直徑。對於電極位於中心的通道而言，環狀的外徑Do為通道的內徑，而環狀的內徑Di為電極的直徑。可利用游標卡尺量測這些直徑。對於直徑D的圓管而言，A=π D2/4且P=π D，故DH=D。對於介於內徑Do之外管及直徑Di之實心核心間的環狀而言，A=π(Do2-Di2)/4且P=π(Do+Di)，故DH=Do-Di。因此對於電極位於中心的通道而言，管子的水力直徑等於通道內徑減去電極直徑。
根據本發明，我們發現氣流離開通道的方向性很重要。隨著 通道長度增加以穩定通道內的流體，氣體的方向流被導向針尖端，強迫製程氣體通過高電場區域。通道長度造成的流體穩定化現象係於層流及紊流中觀察到。於層流的情形中，若通道長度小於其水力直徑的10倍，則噴射流會脫離層流行為且分布更快速。噴射流分布之特徵在於噴射流剖面的突增及噴射軸方向上速率的突減。脫離層流行為的現象可於通道長度小於8倍水力直徑時展現，而完全穩定化流動的現象則可於通道長度等於20倍水力直徑時觀察到。對於紊流而言，若是通道長度大於10倍的水力直徑，則噴射流在約5倍的通道水力直徑距離下展現層流行為，且之後轉變為紊流 行為。若通道長度小於10倍的水力直徑，則介於通道排出口及轉變成紊流行為之區域間的距離會減少，而可能形成噴射流於管排出口便開始分布。通道長度對於流體穩定化的影響並非閾值效應，而是隨著通道長度增加的連續轉變。當通道長度為水力直徑之10倍時，流體穩定化(流體方向性)的好處對於紊流及層流均開始變得明顯。此外，我們發現針尖端相對於通道排出口的位置對於放電強度有所影響。經發現，使針尖端位於通道內會導致較弱的放電。相反的，當使針尖端稍微位於通道外時，我們觀察到較明亮的放電及較大的沉積率。針尖端與通道排出口相距一距離，而流體於該處維持方向性。對紊流而言，此距離為至多約5倍的通道水力直徑。
電漿一般可為任一種的非平衡大氣壓力電漿或電暈放電。非平衡大氣壓力電漿放電的實例包括介電阻障放電及擴散介電阻障放電，例如輝光放電電漿。較佳為擴散介電阻障放電，例如輝光放電電漿。較佳的製程為「低溫」電漿，其中術語「低溫」意指低於200℃且較佳低於100℃。
以下參照隨附圖式說明本發明，其中圖1為根據本發明用於產生併入霧化表面處理劑之非平衡大氣壓力電漿之裝置的剖面圖；及圖2為圖1裝置之電極及通道之放大剖面圖。
圖1之裝置包括兩個電極(11,12)位於一電漿管(13)，電漿管(13)係由介電殼體(14)所定義且具有一出口(15)。電極(11,12)為針狀電極，二者具有相同極性且連接至一適當的電源。雖然連接至一或 多個電極的電源可於任何介於0至14MHz(0MHz代表直接電流放電)間的頻率下操作，其較佳為已知用於產生電漿之低至射頻頻率電源，即3kHz至300kHz範圍內。所提供功率的均方根電位通常在1kV至100kV的範圍內，較佳介於4kV及30kV之間。電極(11,12)各自位於一窄通道(分別為16及17)內，其半徑例如為0.1至5mm、較佳0.2至2mm大於電極之半徑，且與電漿管(13)連通。各針狀電極(11及12)之尖端係位於靠近相關通道(分別為16及17)之排出口。
於圖2更清楚可見之裝置中，電極(11)直徑為1mm且位 於通道(16)中央，其長度由進入口(16a)至排出口(16e)為30mm，而內徑為2mm。通道(16)的水力直徑為1mm。該通道具有一長度對水力直徑之比例為30：1。環繞電極之各通道的長度對水力直徑之比例為至少10：1，較佳為至少20：1、最佳至少30：1。因為通道越長則氣流越穩定，故並無最大通道長度限制。若通道長度太小，則流體並不會被穩定化且在通道排出口立刻成為紊流，使氣體分散於電漿管(13)內而不會迫使其通過高電場區域。激發成分可能損失至介電殼體(14)壁。
圖2更清楚可見，電極(11)的尖端(11t)位於通道(16) 之排出口(16e)外0.5mm處。一般而言，針狀電極的尖端(11t)係位於通道(16)外0.5mm處(即通道排出口(16e)下游0.5mm處)及該通道外相距5倍的該通道之水力直徑之間，其等同於圖1及2之裝置中至通道排出口(16e)下游5mm處。我們發現，使針尖端(11t)位於通道(16)內會導致較弱的放電。相反的，使針尖端(11t)位於通道排出口(16e)稍 微外側，我們觀察到較明亮的放電及較大的表面處理劑沉積於基材上的沉積率。
將製程氣體進料至一腔室(19)，其出口為環繞電極的通道(16,17)。腔室(19)係由耐熱及電性絕緣之材料製成，其係固定於一金屬盒基座內的開孔中。金屬盒係接地，但金屬盒接地並非必要的。腔室(19)也可由導電材料製成，前提為所有電性連接均與地絕緣，且與電漿電位接觸的任何部件均由介電質所覆蓋。通道(16,17)的進入口因此形成介電殼體(14)之製程氣體入口。
具有一表面處理劑入口(22)的霧化器(21)係鄰接電極通道(16,17)且具有霧化手段(圖未示)及一出口(23)將霧化表面處理劑給料至電漿管(13)。腔室(19)將霧化器(21)及針狀電極(11,12)維持固定。介電殼體(14)可由任一種介電材料製成。下述實驗係利用石英介電殼體(14)進行，但也可使用其他介電質，例如玻璃、陶瓷或塑膠材料，像是聚醯胺、聚丙烯或聚四氟乙烯(如以商品名Teflon銷售者)。介電殼體(14)可由複合材料組成，例如可耐高溫的纖維強化塑膠。
待處理基材(25)係位於電漿管出口(15)。將基材(25)置於支撐件(27,28)上。將基材(25)設置為可相對電漿管出口(15)移動。支撐件(27,28)可為例如覆蓋金屬支撐板(28)的介電層(27)。介電層(27)並非必要元件。如圖所示，金屬板(28)係接地，但金屬板接地並非必要的。若金屬板(28)未接地，則可減少電弧至導電基材上，例如矽晶圓。介於介電殼體(14)之出口端及基材(25)間的間隙(30)是給料至電漿管(13)之製程氣體的唯一出口。介於該介電殼體之出口及基材間的 間隙(30)的表面積較佳係小於35倍的一或多個製程氣體入口之面積。若介電殼體具有不只一個製程氣體入口，如圖1裝置具有入口通道(16)及(17)，則介於該介電殼體之出口及基材間的間隙之表面積較佳係小於35倍的製程氣體入口面積總和。
於施加電位至電極(11,12)時，電極尖端附近會產生電場，以加速氣體內的帶電粒子形成電漿。電極尖端的尖銳端點輔助此程序，因為電場密度反比於電極曲度的半徑。針狀電極(如11,12)會因為針尖的銳利端之增強電場而具有利用低電壓源造成氣體分解之優點。
電漿產生裝置無需特別提供相對電極仍可操作。或者接地的相對電極可位於沿著電漿管軸向的任何位置。
提供至一或多個電極的電源為已知的電漿產生用低頻率電源，即3kHz至300kHz。我們的最佳範圍為極低頻率(VLF)3kHz-30kHz頻帶，即使低頻率(LF)30kHz-300kHz範圍也可成功使用。一種適合的電源為Haiden Laboratories Inc.PHF-2K單元，其為雙極脈衝波、高頻率及高電壓產生器。相較於傳統正弦波高頻率電源，其具有較快的升降時間(<3μs)。因此，其提供較佳的離子產生及較好的製程效率。此單元的頻率也可改變(1-100kHz)以符合電漿系統。另一種適合的電源為電子臭氧變壓器，例如由Plasma Technics Inc.公司販售的編號ETI110101產品。其於固定頻率下運作且於20kHz的工作頻率下提供最大功率100瓦。
給料至霧化器(21)的表面處理劑可為例如可聚合前驅物。當可聚合前驅物被導入電漿時，會發生經控制的電漿聚合反應，而使聚合物沉積至任何鄰接電漿出口放置之基材。可將前驅物聚合至化學惰性材 料；例如可將有機矽前驅物聚合至純無機表面塗層。或是可將一範圍內的功能性塗層沉積至各種基材上。這些塗層被移植至基材且可保持前驅物分子的功能化學性。
霧化器(21)較佳係使用氣體來霧化表面處理劑。舉例而言， 將用於產生電漿的製程氣體作為霧化氣體以霧化表面處理劑。霧化器(21)可為例如氣動噴霧器，特別是平行路徑噴霧器，例如由Burgener Research Inc.of Mississauga,Ontario,Canada所販售者，其商標為Ari Mist HP，或是美國專利6634572中所記載者。霧化器也可為超音波霧化器，其中利用一泵來將液體表面處理劑傳送至超音波噴嘴內，且之後形成液體膜於一霧化表面上。 超音波使駐波形成於液體膜內，其導致液滴形成。霧化器較佳產生液滴尺寸為1至100μm，更佳為1至50μm。適用於本發明的霧化器包括超音波噴嘴，其係得自Sono-Tek Corporation,Milton,New York,USA，其他霧化器可包括例如電灑技術，其為利用靜電帶電方式產生極細微液體氣膠之方法。最常見的電灑裝置使用尖端中空金屬管，其液體被抽送通過管體。一高電壓電源係連接至管體出口。當電源開啟且調整至適當電壓時，被抽送通過管體的液體轉變成液滴的細微連續霧。也可利用噴墨技術來產生液滴而不需使用載體氣體，利用熱、壓電、靜電及聲學方法。
儘管霧化器(21)較佳係安裝於殼體(14)內，但也可使用 外接式霧化器。這可用於例如進料至具有出口的入口管，其位置類似於噴霧器(21)的出口(23)。或者是，表面處理劑(例如處於氣態者)可併入製程氣流中，製程氣流係由通道(17)或經由位於噴霧器位置的管體進入腔室(19)。又於另一種方式中，可將電極與霧化器結合，而將霧化器作為 電極。舉例而言，若平行路徑霧化器是由導電材料製成，則整個霧化器裝置可作為一電極。或是可將一導電組件(例如針)併入非導電性霧化器中以形成複合電極-霧化器系統。
由入口通過電極的製程氣流較佳係包括氦氣，儘管也可使用 其他惰性氣體，例如氬或氮氣。製程氣體通常包括至少50體積%的氦氣，且較佳包括至少90體積%、更佳至少95%的氦氣，其視需要具有至多5或10%的其他氣體，例如氬、氮或氧氣。若需要與表面處理劑反應，可使用較高比例的活性氣體，例如氧氣。
我們發現，當使用氦氣作為製程氣體，一電漿噴射流可維持 於層流狀態中，除非採取改變氣流狀態的步驟。若使用動黏度小於氦氣(動黏度ν為氣體動態黏度及密度間的比例)的較重氣體(例如氬氣)作為製程氣體，則雷諾數Re=VD/ν係較大(V為流體速率而D為通道的水力直徑)。在氬氣的情形中，氣流於電漿管(13)內超過一、兩公分處通常會變成紊流。儘管通過通道(16,17)至電極(11,12)尖端的層流有利於迫使製程氣體通過高電場區域，但層流狀態於施用表面處理劑至基材時具有缺點。方向性噴射流可能會導致沉積圖案化及/或形成閃流。紊流狀態提供更為擴散及更均勻的似輝光電漿，且可採取作法來促進電漿管(13)內的紊流超過電極(11,12)之尖端。
促進電漿管(13)內紊流的一種方法是控制介電殼體之出口 及基材之間的間隙(30)。介電殼體之出口及基材之間的間隙(30)之表面積較佳係小於35倍的一或多個製程氣體入口面積。若介電殼體具有不只一個製程氣體入口，如圖1裝置具有入口通道(16)及(17)，則介於該介電 殼體之出口及基材間的間隙之表面積較佳係小於35倍的製程氣體入口面積總和。於圖1裝置中，間隙(30)表面積較佳係小於25或更佳小於20倍的通道(16及17)面積總和。更佳為間隙(30)表面積小於10倍的一或多個製程氣體入口面積，例如2至10倍的一或多個製程氣體入口面積。間隙(30)較佳係小於1.5mm、更佳低於1mm且最佳低於0.75mm，例如0.25至0.75mm。可根據本發明利用較大的間隙(例如至多3mm)使用較高的氦氣流速(例如14公升/分鐘)達到紊流狀態，但較小的間隙在較低的氦氣流速下也可達成紊流狀態，而且是經濟上較可行的條件。
於電漿管(13)中促進紊流的另一種方法是將製程氣體流過 該電極通過通道(16,17)的速率控制在小於100m/s且以大於100m/s的速率將製程氣體注入介電殼體。氦氣製程氣體流過該電極(11,12)的速率較佳為至少3.5m/s、更佳為至少5m/s且可為例如至少10m/s。此氦氣製程氣體流過該一或多個電極的速率可為例如至多70m/s、較佳至多50m/s，特別是至多30或35m/s。以大於100m/s的速率注入之製程氣流與以小於100m/s流過該電極之製程氣體的比例較佳為1：20至5：1。若霧化器(21)使用氦氣製程氣體作為霧化氣體以霧化表面處理劑，則霧化器可形成以大於100m/s的速率注入之製程氣體的入口。或者是該裝置可具有另外的注入管供以大於100m/s的速率注入氦氣製程氣體。此注入管的出口係朝向電極(11,12)，以使來自注入管之高速製程氣體的流動方向相反於通過環繞電極之通道(16,17)之製程氣體的流動方向。以大於100m/s的速率注入介電殼體之氦氣製程氣體的速率可為例如至多1000或1500m/s且較佳為至少150m/s，特別是至少200m/s，至多800m/s。
流經通道(16,17)通過電極(11,12)的氦氣製程氣體之流 速較佳為至少0.5l/m且較佳為10l/m或更小，更佳係低於3l/m且最佳為2l/m或更小。速率大於100m/s的氦氣製程氣體(例如作為氣動噴霧器內霧化氣體的氦氣)之流速較佳為至少0.5公升/分鐘且可為至多2或2.5l/m。
用於本發明之表面處理劑為前驅物材料，其於非平衡大氣壓 力電漿內具有反應性或作為一部分的電漿輔助化學氣相沉積(PE-CVD)製程，且可用於製造任何適合的塗層，包括例如可用於生長一薄膜或化學修飾存在表面的材料。本發明可用以形成許多不同類型的塗層。形成在基材上的塗層類型係由所使用的塗層形成材料所決定，且本發明之方法可用於將塗層形成單體材料(共)聚合至基材表面。
塗層形成材料可為有機或無機、固態、液態或氣態或其混合 物。適合的無機塗層形成材料包括金屬及金屬氧化物，包括膠態金屬。有機金屬化合物也是合適的塗層形成材料，包括金屬烷氧化物，例如鈦酸鹽、烷氧化錫、鋯酸鹽、鍺及鉺的烷氧化物、鋁的烷氧化物、鋅的烷氧化物或銦及/或錫的烷氧化物。用於沉積無機塗層(例如聚合SiOC薄膜)的特別較佳含矽前驅物為正矽酸四乙酯Si(OC2H5)4及四甲基環四矽氧烷(CH3(H)SiO)4。鋁的有機化合物可用於將氧化鋁塗層沉積於基材上，且銦及錫烷氧化物的混合物可用於沉積透明導電銦錫氧化物塗膜。
若是氧氣存在製程氣體中，則正矽酸四乙酯也可適於沉積 SiO2層。SiO2層的沉積可利用添加O2至製程氣體而輕易達成，例如添加0.05至20體積%的O2，特別是0.5至10%的O2。由於氧氣會逆擴散至電漿管中，SiO2層的沉積也可不需添加氧氣至製程氣體而達成。
利用包括含矽材料的塗層形成組成物，本發明也可用以提供 具有矽氧烷基(siloxane-based)塗層的基材。適用於本發明之方法的含矽材料包括矽烷(例如矽烷、烷基矽烷、烷鹵矽烷、烷氧矽烷)、矽氮烷、聚矽氮烷及線狀(例如聚二甲基矽氧烷或聚氫甲基矽氧烷)及環狀矽氧烷(例如八甲基環四矽氧烷或四甲基環四矽氧烷)，包括有機官能性線狀及環狀矽氧烷(例如含Si-H、鹵基官能性及鹵烷基官能性線狀及環狀矽氧烷，例如四甲基環四矽氧烷及三(九氟丁基)三甲基環三矽氧烷)。也可使用不同含矽材料之混合物，例如用以調整基材塗層的物性以符合特定需要(例如熱性質、光學性質(例如折射率)及黏彈性質)。
適合的有機塗層形成材料包括羧酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯 酸酯、苯乙烯、甲基丙烯腈、烯及二烯，例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯及其他甲基丙烯酸烷酯及相對應的丙烯酸酯，包括有機官能性甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯，包括聚(乙二醇)丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯、縮水甘油甲基丙烯酸酯、三甲氧基矽基甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥丙酯、甲基丙烯酸二烷基胺基烷酯及(甲基)丙烯酸氟烷酯，例如下式的丙烯酸十七氟癸酯(HDFDA) 甲基丙烯酸、丙烯酸、延胡索酸及酯、伊康酸(及酯)、順丁烯二酐、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、鹵化烯，例如乙烯鹵化物，像是氯乙烯及氟乙烯，及氟化烯，例如全氟烯，丙烯腈、甲基丙烯腈、乙烯、丙烯、丙烯胺、二鹵 亞乙烯、丁二烯、丙烯醯胺，例如N-異丙基丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺，環氧化合物，例如縮水甘油丙基三甲氧基矽烷、縮水甘油、氧化苯乙烯、丁二烯單氧化物、乙二醇二縮水甘油醚、縮水甘油甲基丙烯酸酯、雙酚A二縮水甘油醚(及其寡聚物)、乙烯基環氧環己烷、導電聚合物，例如吡咯及噻吩及其衍生物，以及含磷化合物，例如二甲基烯丙基膦酸酯。塗層形成材料也可包括丙烯酸官能性有機矽氧烷及/或矽烷。
本發明之方法特別適用於塗覆電子設備，包括含織物及織品 之電子印刷電路板，顯示器(包括可撓式顯示器)及電子元件，例如半導體晶圓、電阻器、二極體、電容器、電晶體、發光二極體(LED)、有機LED、雷射二極體、積體電路(IC)、IC晶粒、IC晶片、記憶體裝置、邏輯裝置、連接器、鍵盤、半導體基材、太陽能電池、燃料電池。也可類似地處理光學元件，像是鏡片、隱形眼鏡及其他光學基材。其他應用包括軍事、航太或運輸設備，例如墊片、密封件、輪廓、軟管、電子及診斷元件、家用物品，包括廚房、臥室及烹飪用具、辦公室傢俱及實驗室用具。
利用以下實例說明本發明。
參照實例1
使用圖1的裝置來將SiOC薄膜沉積於導電矽晶圓基材上。定義電漿管(13)的介電殼體(14)之直徑為18mm。此殼體(14)係由石英製成。電極(11,12)直徑各為1mm，且連接至Plasma Technics ETI110101單元，其係以20kHz運轉且最大功率為100瓦。使氦氣製程氣體以1.5l/m流經腔室(19)及由此通過通道(16,17)，其係對應至約5.2m/s的速率。通道(16,17)直徑各為2mm，電極(11,12)係位於各通道中央。通道長 度為14mm。各通道具有14：1的長度對水力直徑之比例。各針狀電極(11,12)的尖端位於通道(分別為16,17)內，於通道排出口上游2mm處。
霧化器(21)為Ari Mist HP氣動噴霧器，由Burgener Inc.提 供。將四甲基四環矽氧烷前驅物以12μl/m供應至霧化器(21)。氦氣以1.2l/m作為霧化氣體給料至霧化器(21)。介於石英殼體(14)及矽晶圓基材間的間隙(30)為0.75mm。
為了實驗目的，以靜態模式進行沉積。所謂靜態模式，是指 基材並不相對電漿管出口移動。將12.5×12.5cm2的矽晶圓作為基材，且電漿管位於晶圓中央的固定處。將沉積時間控制為60秒，並將沉積薄膜的重量以Sartorius精密秤進行量測。以靜態模式進行沉積的原因在於改善量測材料沉積數量的準確性，儘管以靜態模式進行沉積會在晶圓中央形成比外部更厚的塗層。平滑且低孔隙度的SiOC薄膜被沉積在矽晶圓基材上，其具有0.00148克的總重量。
實例1
重複參照實例1的程序，但將各針狀電極(11,12)的尖端設於介電殼體內靠近通道排出口(分別為16,17)，於通道排出口外相距0.5mm。將平滑的SiOC薄膜沉積於矽晶圓基材上。薄膜重量為0.00195克。藉由使通道長度對水力直徑之比例為14：1，我們發現，當各針(11,12)的尖端位於通道(16,17)外而非通道內時，沉積率會有所改善。即便在此通道長度對水力直徑之比例下，流體並未被最大程度的穩定化，當各針之尖端由通道內移動至通道外時，仍可觀察到流體穩定化的好處，且其足以顯現電漿效能的改善。
參照實例2
重複參照實例1，使用長度各30mm的通道(16,17)，且尖端位於通道內2mm處。各通道之長度對水力直徑之比例為30：1。平滑且低孔隙度的SiOC薄膜被沉積在矽晶圓基材上，其重量為0.00168克。
實例2
重複參照實例2，使各針狀電極(11,12)尖端位於介電殼體內，且於通道排出口(分別為16,17)外距離0.5mm，而非位於通道內。將平滑的SiOC薄膜沉積於矽晶圓基材上。沉積薄膜之重量為0.00277克。我們觀察到，當針(11,12)尖端位於通道(16,17)外一小段距離時，若將通道長度與水力直徑之比例由14：1增加到30：1，則沉積之SiOC薄膜的重量會顯著增加，從0.00195克增加到0.00277克。使用通道長度與水力直徑之比例為30：1可完成流體穩定化，且使針(11,12)尖端位於通道(16,17)外一小段距離將可由穩定化流體中獲得電漿產生的最大好處。
參照實例3
使用圖1的裝置將SiOC薄膜沉積於導電矽晶圓基材上。定義電漿管(13)的介電殼體(14)之直徑為18mm。此殼體(14)係由石英製成。電極(11,12)直徑各為1mm，且連接至Plasma Technics ETI110101單元，其係以20kHz運轉且最大功率為100瓦。使氦氣製程氣體以1l/m流經腔室(19)及由此通過通道(16,17)，其係對應至約3.5m/s的速率。通道(16,17)直徑各為2mm，電極(11,12)係位於各通道中央。通道長度為14mm。各通道具有14：1的長度對水力直徑之比例。各針狀電極(11,12)的尖端位於通道(分別為16,17)內，於通道排出口上游2mm處。
霧化器(21)為Ari Mist HP氣動噴霧器，由Burgener Inc.提供。將四甲基四環矽氧烷前驅物以12μl/m供應至霧化器(21)。氦氣以1.2l/m作為霧化氣體給料至霧化器(21)。介於石英殼體(14)及矽晶圓基材(25)間的間隙(30)為0.75mm。
以動態模式進行沉積。所謂動態模式，是指電漿管(13)被相對於基材(25)移動，以使基材的不同區域暴露至電漿一段大約相同的時間，而使塗層薄膜達成實質上均勻的厚度，也就是商業上一般所需要的。將沉積時間控制為180秒。將平滑的SiOC薄膜沉積於矽晶圓基材上。所沉積薄膜的厚度為1700埃單位。
實例3
重複參照實例3，使用長度各30mm的通道(16,17)，且使各針狀電極之尖端位於相對應通道末端下游0.5mm處。各通道之長度對水力直徑之比例為30：1。平滑且低孔隙度的SiOC薄膜被沉積在矽晶圓基材上，但薄膜厚度為4100埃單位。
當使用較高的氦氣製程氣流(2及3l/m)以重複實例3及參照實例3，則實例及參照實例間的差異會較少。使針狀電極之尖端位於靠近通道排出口且在通道外相距至少0.5mm至多5倍於通道之水力直徑的好處，以及具有高比例之長度對有效直徑之通道的好處，可在特別是低氦氣流量下觀察到，而這也是經濟上更可行的條件。
11‧‧‧電極
12‧‧‧電極
13‧‧‧電漿管
14‧‧‧介電殼體
15‧‧‧出口
16‧‧‧通道
17‧‧‧通道
19‧‧‧腔室
21‧‧‧霧化器
22‧‧‧入口
23‧‧‧出口
25‧‧‧基材
27‧‧‧介電層
28‧‧‧金屬板
30‧‧‧間隙

Claims (11)

  1. 一種用於電漿處理基材之裝置，包括高電壓源連接到至少一針狀電極(11)，該針狀電極(11)位於介電殼體(14)內的通道(16)中，該介電殼體(14)具有製程氣體入口及出口，該通道具有形成該製程氣體入口之進入口(16a)及進入該介電殼體之排出口(16e)，其經設置以使製程氣體從該入口流經該通道(16)通過該電極(11)至該介電殼體之出口；用於將霧化表面處理劑引入該介電殼體內一之構件；以及鄰接該介電殼體之出口的基材(25)用之支撐構件(27,28)，其特徵在於該針狀電極(11)從該通道進入口(16a)延伸至靠近該通道之排出口(16e)的尖端(11t)且從該通道(16)向外突出，以使該針狀電極之尖端(11t)位於該介電殼體內在該通道外相距至少0.5mm至多達5倍於該通道的水力直徑，且該通道(16)具有大於10：1的長度對水力直徑之比例。
  2. 如請求項1之裝置，其特徵在於該通道(16)具有大於20：1的長度對水力直徑之比例。
  3. 如請求項2之裝置，其特徵在於該通道(16)具有大於30：1的長度對水力直徑之比例。
  4. 如請求項1至3中任一項之裝置，其特徵在於該高電壓源具有3kHz至300kHz之頻率。
  5. 如請求項1至4中任一項之裝置，其特徵在於用於將表面處理劑引入之該構件包括霧化器(21)，其中係使用氣體來霧化該表面處理劑，該霧化器係位於該介電殼體(14)內。
  6. 如請求項5之裝置，其特徵在於該高電壓源係連接至至少兩個針狀電極(11,12)，其係位於環繞該霧化器(21)的介電殼體(14)內且具有相同極性，各電極(11,12)如請求項1所定義為一針狀電極且被一通道(16,17)環繞，各針狀電極之尖端係設置為靠近相關通道的排出口。
  7. 一種電漿處理基材之方法，其係藉由施加一高電壓至至少一針狀電極(11)，該針狀電極(11)位於一介電殼體(14)內的通道(16)中，該介電殼體(14)具有一製程氣體入口及一出口，該通道具有一形成該製程氣體入口之進入口(16a)及一進入該介電殼體之排出口(16e)；同時使一製程氣體從該入口流經該通道(16)通過該電極(11)至該介電殼體之出口，藉此產生一非局部熱平衡大氣壓電漿；將一霧化或氣態表面處理劑併入該非局部熱平衡大氣壓電漿；以及定位鄰接該介電殼體之出口的該基材(25)，以使該基材之表面接觸該電漿及相對該介電殼體之出口移動，其特徵在於該針狀電極(11)從該通道進入口(16a)延伸至一靠近該通道之排出口(16e)的尖端(11t)且從該通道(16)向外突出，以使該針狀電極之尖端(11t)位於該介電殼體內靠近該通道之排出口(16e)在該通道外相距至少0.5mm至多達5倍於該通道的水力直徑，且該通道(16)具有一大於10：1的長度對水力直徑之比例。
  8. 如請求項7之方法，其中該製程氣體為氦氣。
  9. 如請求項7或8之方法，其特徵在於流經該通道(16)通過該針狀電極(11)之製程氣體的速率小於100公尺/秒。
  10. 如請求項9之方法，其特徵在於製程氣體也被以大於100m/s的速率注 入該介電殼體，以大於100m/s的速率注入之製程氣體與以小於100m/s流過該電極(11)之製程氣體的體積比為1：20至5：1。
  11. 如請求項7至10中任一項之方法，其特徵在於介於該介電殼體(14)之出口(15)及該基材(25)間之間隙(30)的表面積小於35倍的製程氣體入口之面積總和。
TW102116174A 2011-11-09 2013-05-07 基板的電漿處理 TW201419947A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11306460 2011-11-09
PCT/EP2012/004579 WO2013068085A1 (en) 2011-11-09 2012-11-02 Plasma treatment of substrates

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201419947A true TW201419947A (zh) 2014-05-16

Family

ID=47137667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102116174A TW201419947A (zh) 2011-11-09 2013-05-07 基板的電漿處理

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140248444A1 (zh)
EP (1) EP2777367A1 (zh)
CN (1) CN104025719A (zh)
TW (1) TW201419947A (zh)
WO (1) WO2013068085A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI697953B (zh) * 2018-06-28 2020-07-01 雷立強光電科技股份有限公司 清潔方法
TWI791020B (zh) * 2017-05-22 2023-02-01 美商蘭姆研究公司 用以消除在晶圓背側邊緣及凹口處之沉積的晶圓邊緣接觸硬體及方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101526507B1 (ko) * 2013-11-15 2015-06-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
WO2015131981A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-11 Dow Corning France Plasma treatment of substrates
PL230798B1 (pl) * 2015-04-22 2018-12-31 Zachodniopomorski Univ Technologiczny W Szczecinie Reaktor plazmy nietermicznej do sterylizacji produktów pochodzenia organicznego
US11357093B2 (en) * 2016-12-23 2022-06-07 Plasmatreat Gmbh Nozzle assembly, device for generating an atmospheric plasma jet, use thereof, method for plasma treatment of a material, in particular of a fabric or film, plasma treated nonwoven fabric and use thereof
CN109023760A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 浙江工业大学之江学院 一种防羊毛衣起毛球设备和方法
CN113966064B (zh) * 2021-09-18 2024-07-16 河北大学 一种产生片状等离子体羽的装置及方法
CN114126182B (zh) * 2021-11-12 2023-05-30 中国人民解放军空军工程大学 基于蒸汽压力增强的高效能等离子体合成射流激励器
CN113993263B (zh) * 2021-11-15 2024-03-22 安徽工业大学 大气压等离子体发生器、制备方法及等离子体产生装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2657850B2 (ja) 1990-10-23 1997-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法
JPH0817171B2 (ja) 1990-12-31 1996-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法
WO1994014303A1 (en) 1992-12-09 1994-06-23 Satiko Okazaki Method and apparatus for atmospheric pressure glow discharge plasma treatment
DE19532412C2 (de) 1995-09-01 1999-09-30 Agrodyn Hochspannungstechnik G Vorrichtung zur Oberflächen-Vorbehandlung von Werkstücken
US5798146A (en) 1995-09-14 1998-08-25 Tri-Star Technologies Surface charging to improve wettability
US6429400B1 (en) 1997-12-03 2002-08-06 Matsushita Electric Works Ltd. Plasma processing apparatus and method
JP4221847B2 (ja) 1999-10-25 2009-02-12 パナソニック電工株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
DK1326718T3 (da) 2000-10-04 2004-04-13 Dow Corning Ireland Ltd Fremgangsmåde og apparat til dannelse af en belægning
GB0113751D0 (en) 2001-06-06 2001-07-25 Dow Corning Surface treatment
TW200308187A (en) 2002-04-10 2003-12-16 Dow Corning Ireland Ltd An atmospheric pressure plasma assembly
GB0211354D0 (en) 2002-05-17 2002-06-26 Surface Innovations Ltd Atomisation of a precursor into an excitation medium for coating a remote substrate
US6634572B1 (en) 2002-05-31 2003-10-21 John A. Burgener Enhanced parallel path nebulizer with a large range of flow rates
GB0212848D0 (en) 2002-06-01 2002-07-17 Surface Innovations Ltd Introduction of liquid/solid slurry into an exciting medium
JP5002960B2 (ja) * 2003-11-17 2012-08-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 ナノ構造炭素材料の製造方法、前記製造方法により形成されたナノ構造炭素材料および前記ナノ構造炭素材料を有する基板
WO2006048650A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Dow Corning Ireland Limited Plasma system
GB0424532D0 (en) * 2004-11-05 2004-12-08 Dow Corning Ireland Ltd Plasma system
GB0717430D0 (en) * 2007-09-10 2007-10-24 Dow Corning Ireland Ltd Atmospheric pressure plasma
DK2599506T3 (en) * 2007-11-06 2018-10-08 Creo Medical Ltd Microwave Plasma Masterization Applicator
CN101426327B (zh) * 2008-12-02 2012-01-25 华中科技大学 等离子体射流装置
US20130108804A1 (en) * 2010-07-21 2013-05-02 Francoise Massines Plasma treatment of substrates
KR20140037097A (ko) * 2011-04-27 2014-03-26 다우 코닝 프랑스 기판의 플라즈마 처리

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI791020B (zh) * 2017-05-22 2023-02-01 美商蘭姆研究公司 用以消除在晶圓背側邊緣及凹口處之沉積的晶圓邊緣接觸硬體及方法
TWI697953B (zh) * 2018-06-28 2020-07-01 雷立強光電科技股份有限公司 清潔方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140248444A1 (en) 2014-09-04
WO2013068085A8 (en) 2014-04-24
WO2013068085A1 (en) 2013-05-16
CN104025719A (zh) 2014-09-03
EP2777367A1 (en) 2014-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3182293U (ja) 非平衡状態大気圧プラズマを発生する装置
TW201419947A (zh) 基板的電漿處理
US20140042130A1 (en) Plasma Treatment of Substrates
US20130108804A1 (en) Plasma treatment of substrates
US20090068375A1 (en) Atmospheric Pressure Plasma
US7678429B2 (en) Protective coating composition
JP2005522824A (ja) 大気圧プラズマ発生アセンブリ
CN101049054A (zh) 等离子体系统
JP7075666B2 (ja) 線状の基材用の放電後プラズマ被覆装置
WO2015131981A1 (en) Plasma treatment of substrates