TW201416952A - 觸控感測結構及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供觸控感測結構，包含基板，其表面上具有複數個凹槽，複數條第一軸向電極分別設置於基板的這些凹槽內，複數條第二軸向電極設置於基板的表面上，且第二軸向電極與第一軸向電極交錯排列，以及絕緣層填充於這些凹槽內，並且設置於這些第一軸向電極與該些第二軸向電極之間的交錯處。此外，本發明還提供觸控感測結構的形成方法，藉由將絕緣層設置於基板的凹槽內而使感測電極不需要爬過絕緣層的突起高度，以解決傳統觸控面板中的導電架橋結構因為爬坡而發生斷裂等問題。

Description

觸控感測結構及其形成方法
本發明係有關於觸控技術，特別有關於觸控感測結構及其形成方法。
近年來，觸控面板逐漸成為最主要的輸入介面，被廣泛應用在各種電子產品中，例如手機、個人數位助理(PDA)或掌上型個人電腦等。觸控面板的觸控感測元件可包含複數條排列成行的感測電極，以及複數條排列成列的感測電極，在這些排列成行的感測電極與排列成列的感測電極之交錯處必須設置絕緣塊，以避免排列成行的感測電極與排列成列的感測電極之間發生短路。
在傳統的觸控面板中，排列成行的感測電極可由複數個互相連接的導電單元組成，而排列成列的感測電極則由複數個互相分開的導電單元組成，這些互相分開的導電單元需要藉由橫跨在絕緣塊上的導電架橋結構進行電性連接。
然而，由於傳統的導電架橋結構需要爬過絕緣塊進行導電單元之間的搭接，在導電架橋結構的爬坡處容易斷裂或產生裂痕，讓導電架橋結構的電性連接作用失效或不良，導致感測電極發生斷路(open)或阻值異常，並且讓感測電極的抗靜電能力 變差，進而造成觸控面板的觸控功能失效或不良。
有鑒於習知技術存在的上述問題，本發明的目的在於提供觸控感測結構及其形成方法，藉由設置絕緣層於基板的凹槽內而使感測電極不需要爬過絕緣層的突起高度，以解決傳統觸控面板中的導電架橋結構因為爬坡而發生的上述問題。
依據本發明之一實施例，提供一種觸控感測結構，包括：基板，具有複數個凹槽設置於基板的一表面上；複數條第一軸向電極分別設置於基板的這些凹槽內；複數條第二軸向電極設置於基板的該表面上，且與這些第一軸向電極交錯排列；以及絕緣層填充於這些凹槽內，並且設置於這些第一軸向電極與這些第二軸向電極之間的交錯處。
進一步的，每一第一軸向電極包括複數個第一導電單元和複數個電性連接相鄰兩個第一導電單元的第一連接線，且絕緣層設置於第一連接線上。
進一步的，每一第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個第二導電單元的跨接線，絕緣層設置於第一連接線與跨接線之間，且絕緣層的高度與第二導電單元的高度齊平。
進一步的，跨接線的材料包括金屬或透明導電材料。
進一步的，每一第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個第二導電單元的第二連接線，絕緣層位於第一連接線與第二連接線之間，且絕緣層的高度與基板的表面齊平。
進一步的，第一軸向電極和第二軸向電極的材料包括透明導電材料。
進一步的，凹槽的平面圖案與第一軸向電極及絕緣層的平面圖案相同且互相重疊。
進一步的，凹槽的剖面形狀包括矩形。
此外，依據本發明之一實施例，還提供觸控感測結構的形成方法，此方法包括：在基板的表面上形成複數個凹槽；形成複數條第一軸向電極，分別位於這些凹槽內；在基板的表面上形成複數條第二軸向電極，且第二軸向電極與第一軸向電極交錯排列；以及在這些凹槽內填充絕緣層，並且絕緣層位於這些第一軸向電極與這些第二軸向電極之間的交錯處。
進一步的，基板的材料包括玻璃基板，且凹槽採用微蝕刻或雷射雕刻製程形成。
進一步的，基板的材料包括塑膠基板，且凹槽採用壓印製程形成。
進一步的，每一第一軸向電極包括複數個第一導電單元和複數個電性連接相鄰兩個第一導電單元的第一連接線，每一第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個第二導電單元的跨接線，且第一軸向電極與第二導電單元同步形成。
進一步的，絕緣層形成於第一連接線與跨接線之間，並位於相鄰兩個第二導電單元之間，且絕緣層的高度填充至與第二導電單元的高度齊平。
進一步的，每一第一軸向電極包括複數個第一導電 單元和複數個電性連接相鄰兩個第一導電單元的第一連接線，每一第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個第二導電單元的第二連接線，且第一導電單元與第一連接線同步形成，第二導電單元與第二連接線同步形成。
進一步的，絕緣層形成於第一連接線與第二連接線之間，且絕緣層的高度填充至與基板的表面齊平。
依據本發明之實施例，排列成行(或排列成列)的感測電極設置於基板的凹槽內，並且在基板的凹槽內填充絕緣層，絕緣層填充的高度係使得排列成列(或排列成行)的感測電極之相鄰兩個導電單元之間的電性連接結構可以平坦地設置在絕緣層上，讓此電性連接結構不需爬過絕緣層的高度就可以搭接相鄰的兩個導電單元，因此可避免如習知的導電架橋結構因爬坡而發生的斷裂或裂痕問題。
100‧‧‧基板
100A‧‧‧基板的第一表面
100B‧‧‧基板的第二表面
100X‧‧‧第二軸向電極
100Y‧‧‧第一軸向電極
102‧‧‧凹槽
112‧‧‧第一導電單元
112C‧‧‧第一連接線
114‧‧‧第二導電單元
114C‧‧‧第二連接線
118‧‧‧絕緣層
120‧‧‧跨接線
D‧‧‧凹槽的深度
為了讓本發明之上述目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式，作詳細說明如下：第1圖顯示依據本發明之一實施例的觸控感測結構的局部平面示意圖。
第2圖顯示依據本發明之一實施例，沿著第1圖的剖面線1-1’之觸控感測結構的剖面示意圖。
第3A至3C圖係依據本發明之一實施例，形成第2圖的觸控感測結構之各中間階段的剖面示意圖。
第4圖顯示依據本發明之另一實施例的觸控感測結構的局部平面示意圖。
第5圖顯示依據本發明之一實施例，沿著第4圖的剖面線4-4’之觸控感測結構的剖面示意圖。
第6A至6C圖係依據本發明之一實施例，形成第5圖的觸控感測結構之各中間階段的剖面示意圖。
第1圖顯示依據本發明之一實施例的觸控感測結構的局部平面示意圖。第2圖顯示依據本發明之一實施例，沿著第1圖的剖面線1-1’之觸控感測結構的剖面示意圖。參閱第1圖及第2圖，觸控感測結構包括一基板100、複數條第一軸向電極100Y、複數條第二軸向電極100X以及一絕緣層118。基板100的第一表面100A上具有複數個凹槽102。第一軸向電極100Y設置於基板100的凹槽102內。第二軸向電極100X設置於基板100的第一表面100A上，且與第一軸向電極100Y交錯排列。絕緣層118填充於凹槽102內，並且設置於第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X之間的交錯處。
請再參閱第1圖，以上視角度觀之，複數條第一軸向電極100Y沿著第一軸向例如Y軸排列，每一條第一軸向電極100Y包含複數個第一導電單元112和複數個電性連接相鄰的兩個第一導電單元112的第一連接線112C。複數條第二軸向電極100X沿著第二軸向例如X軸排列，每一條第二軸向電極100X包含複數個第二導電單元114和複數個電性連接相鄰兩個第二導電單元114的跨 接線120。第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X交錯排列，較佳為相互垂直，但並不以此為限。
另外，絕緣層118設置於第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X之間，具體的，絕緣層118設置於第一連接線112C上，特別是設置於第一軸向電極100Y的第一連接線112C與第二軸向電極100X的跨接線120之間，以避免第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X的交錯處發生短路。
再參閱第2圖，基板100具有相對設置的一第一表面100A及一第二表面100B，基板100的第二表面100B可作為觸控面板的觸碰面。基板100可以是玻璃基板或塑膠基板，基板100係作為觸控面板的保護蓋板(cover lens)。在另一實施例中，基板100可作為第一軸向電極100Y及第二軸向電極100X的承載板，在第一軸向電極100Y及第二軸向電極100X上還覆蓋有一保護蓋板，保護蓋板作為觸控面板的觸碰面。在基板100的第一表面100A上具有複數個凹槽102，為了讓本發明之實施例在圖式中清楚地顯示，在第2圖中僅繪製出一個凹槽102，然而，由於凹槽102係對應於第1圖中所示之複數條第一軸向電極100Y和絕緣層118的位置而設置，因此在基板100的第一表面100A上應具有複數個凹槽102。
此外，以上視角度觀之，凹槽102只要可以容納第一軸向電極100Y和絕緣層118即可，因此，在一實施例中，凹槽102的平面圖案可以與第一軸向電極100Y及絕緣層118的平面圖案相同且互相重疊，並且凹槽102的面積可以等於或大於第一軸向電極100Y及絕緣層118的面積。另外，在一實施例中，凹槽102的剖面形狀可以是矩形，並且凹槽102在基板100內的深度D可約為1μ m，但凹槽102的平面圖案與剖面形狀不以此為限。
在此實施例中，第一軸向電極100Y的多個第一導電單元112和多個第一連接線112C設置於凹槽102內，第二軸向電極100X的多個第二導電單元114則設置於基板100的第一表面100A上，絕緣層118填充於凹槽102內並位於第一連接線112C上，絕緣層118的高度填充至與第二軸向電極100X的第二導電單元114的高度齊平，即可與第二導電單元114相對於基板100的另一側表面齊平。
跨接線120設置於絕緣層118上並延伸至部分的第二導電單元114上以電性連接相鄰的兩個第二導電單元114。依據本發明之實施例，跨接線120不需要如傳統技術般需爬過絕緣層118的突起高度就可以進行相鄰兩個第二導電單元114的搭接，全部的跨接線120都位於同一水平面上，因此跨接線120不會有因爬坡而出現的斷裂及裂痕問題，可以提高觸控面板的觸控感測結構在阻值均勻性、抗靜電能力以及信賴性等方面的能力。
上述第2圖的觸控感測結構之形成方法主要包括以下步驟：在基板的一表面上形成複數個凹槽；形成複數條第一軸向電極，分別位於基板的凹槽內；在基板的該表面上形成複數條第二軸向電極，第二軸向電極與第一軸向電極交錯排列；以及在基板的凹槽內填充絕緣層，絕緣層位於第一軸向電極與第二軸向電極之間的交錯處。下面配合圖示詳細描述本發明實施例的形成方法。
第3A至3C圖顯示依據本發明之一實施例，形成第2圖的觸控感測結構之各中間階段的剖面示意圖。參閱第3A圖，首 先在基板100的第一表面100A上形成複數個凹槽102，為簡化製圖，在第3A圖中僅繪出一個凹槽102做為代表。在一實施例中，基板100的材料可以是玻璃基板，可使用微蝕刻(micro etch)或雷射雕刻(laser engraving)製程形成凹槽102。在另一實施例中，基板100的材料可以是塑膠基板，可使用壓印(imprinting)製程形成凹槽102。
參閱第3B圖，在基板100的凹槽102內形成第一軸向電極100Y的多個第一導電單元112和多個電性連接相鄰兩個第一導電單元112的第一連接線112C，第一導電單元112與第一連接線112C可以是一體成型的。每一第二軸向電極100X包括多個第二導電單元114，在基板100的第一表面100A上可同步或非同步形成第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X的多個第二導電單元114。在此實施例中，第一軸向電極100Y和第二導電單元114在相同的製程步驟中同步形成，可使用沈積、微影以及蝕刻製程形成第一軸向電極100Y和第二導電單元114。第一軸向電極100Y和第二導電單元114的材料為透明導電材料，例如氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide；AZO)或其他適合的透明導電材料
參閱第3C圖，在基板100的凹槽102內填充絕緣層118，將絕緣層118的高度填充至與第二軸向電極100X的第二導電單元114的高度齊平，即可與第二導電單元114相對於基板100的另一側表面齊平，並且絕緣層118形成於第一軸向電極100Y的多個第一連接線112C上。在一實施例中，絕緣層118的材料例如為感光的聚亞醯胺(polyimide；PI)，可使用塗佈與微影製程或印刷製程形成 絕緣層118。
接著，在絕緣層118上形成第二軸向電極100X的跨接線120以電性連接相鄰的兩個第二導電單元114，即每一跨接線120可延伸至兩個相鄰的第二導電單元114上，完成第2圖的觸控感測結構。
在此實施例中，跨接線120的材料可以是金屬或透明導電材料例如氧化銦錫(ITO)，可使用沈積、微影以及蝕刻製程形成跨接線120。
藉此，前述的絕緣層118可形成於第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X之間的交錯處，具體的，絕緣層118形成於第一連接線112C與跨接線120之間，並位於相鄰兩個第二導電單元114之間。
第4圖顯示依據本發明之另一實施例的觸控感測結構的局部平面示意圖。第5圖顯示依據本發明之一實施例，沿著第4圖的剖面線4-4’之觸控感測結構的剖面示意圖。參閱第4圖及第5圖，觸控感測結構包括一基板100、複數條第一軸向電極100Y、複數條第二軸向電極100X以及一絕緣層118。基板100的第一表面100A上具有複數個凹槽102。第一軸向電極100Y設置於基板100的凹槽102內。第二軸向電極100X設置於基板100的第一表面100A上，且與第一軸向電極100Y交錯排列。絕緣層118填充於凹槽102內，並且設置於第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X之間的交錯處。
請再參閱第4圖，以上視角度觀之，複數條第一軸向電極100Y沿著第一軸向例如Y軸排列，每一條第一軸向電極100Y 包含複數個第一導電單元112和複數個連接相鄰兩個第一導電單元112的第一連接線112C。複數條第二軸向電極100X沿著第二軸向例如X軸排列，每一條第二軸向電極100X包含複數個第二導電單元114和複數個連接相鄰兩個第二導電單元114的第二連接線114C。第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X交錯排列，較佳為相互垂直，但並不以此為限。
另外，絕緣層118設置於第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X之間，具體的，絕緣層118設置於第一連接線112C上，特別是設置於第一軸向電極100Y的第一連接線112C與第二軸向電極100X的第二連接線114C之間，以避免第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X的交錯處發生短路。
再參閱第5圖，基板100具有相對設置的一第一表面100A及一第二表面100B，基板100的第二表面100B可為觸控面板的外側面以作為觸控面板的觸碰面。基板100可以是玻璃基板或塑膠基板，其係作為觸控面板的保護蓋板。在另一實施例中，基板100可作為第一軸向電極100Y及第二軸向電極100X的承載板，在第一軸向電極100Y及第二軸向電極100X上還覆蓋有一保護蓋板，保護蓋板作為觸控面板的觸碰面。
在基板100的第一表面100A上具有複數個凹槽102，同時參閱第4圖，在一實施例中，每一個凹槽102係對應於每一條第一軸向電極100Y和其上的絕緣層118而設置，以上視角度觀之，凹槽102只要可以容納第一軸向電極100Y和絕緣層118即可，因此，在一實施例中，凹槽102的平面圖案可以與第一軸向電極100Y及絕緣層118的平面圖案相同且互相重疊，並且凹槽102的面積可以等 於或大於第一軸向電極100Y及絕緣層118的面積。另外，在一實施例中，凹槽102的剖面形狀可以是矩形，並且凹槽102在基板100內的深度D可約為1μm，但凹槽102的平面圖案與剖面形狀不以此為限。
在此實施例中，第一軸向電極100Y的多個第一導電單元112和多個第一連接線112C設置於凹槽102內，絕緣層118填充於凹槽102內並位於第一連接線112C上。絕緣層118的高度填充至與基板100的第一表面100A齊平。第二軸向電極100X的多個第二導電單元114設置於基板100的第一表面100A上，並且第二軸向電極100X的多個第二連接線114C設置於絕緣層118上。
在此實施例中，連接相鄰的兩個第二導電單元114的第二連接線114C係平坦地設置於絕緣層118上，並且全部的第二連接線114C與第二導電單元114都位於同一水平面上，使得第二連接線114C不需要如傳統技術般需爬過絕緣層118的突起高度就可以進行相鄰兩個第二導電單元114的搭接，因此第二連接線114C不會有因爬坡而出現的斷裂及裂痕問題，藉此可提高觸控面板的觸控感測結構在阻值均勻性、抗靜電能力以及信賴性等方面的能力。
第6A至6C圖顯示依據本發明之另一實施例，形成第5圖的觸控感測結構之各中間階段的剖面示意圖。參閱第6A圖，首先在基板100的第一表面100A上形成複數個凹槽102，為簡化製圖，在第6A圖中僅繪出一個凹槽102做為代表，凹槽102係對應於第一軸向電極100Y及絕緣層118的位置而形成，基板100的材料以及凹槽102的形成方法與第3A圖所述內容相同。
參閱第6B圖，在基板100的凹槽102內形成第一軸向電 極100Y的多個第一導電單元112和多個電性連接相鄰兩個第一導電單元112的第一連接線112C，第一導電單元112與第一連接線112C可以是一體成型的。第一軸向電極100Y的材料為透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或其他適合的透明導電材料，可使用沈積、微影以及蝕刻製程形成第一軸向電極100Y的多個第一導電單元112和第一連接線112C。
接著，參閱第6C圖，在基板100的凹槽102內填充絕緣層118，將絕緣層118的高度填充至與基板100的第一表面100A齊平，並且讓絕緣層118形成於第一軸向電極100Y的多個第一連接線112C上，絕緣層118的材料以及其形成方法與第3C圖所述內容相同。
之後，形成第二軸向電極100X的多個第二導電單元114和多個電性連接相鄰兩個第二導電單元114的第二連接線114C，第二導電單元114與第二連接線114C可以是一體成型的。第二軸向電極100X與第一軸向電極100Y相互交錯排列。第二導電單元114位於基板100的第一表面100A上，並且第二連接線114C位於絕緣層118上，完成第5圖的觸控感測結構。藉此，前述的絕緣層118可形成於第一軸向電極100Y與第二軸向電極100X之間的交錯處，具體的，絕緣層118形成於第一連接線112C與第二連接線114C之間，並位於相鄰兩個第二導電單元114之間。第二軸向電極100X的多個第二導電單元114和多個第二連接線114C的材料為透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或其他適合的透明導電材料，可使用沈積、微影以及蝕刻製程形成第二軸向電極100X的多個第二導電單元114和第二連接線114C。 在第5圖的實施例中，第一軸向電極100Y和第二軸向電極100X的第二導電單元114是在不同的製程步驟中分別形成。
雖然在上述實施例中是以第一軸向電極100Y設置於基板100的凹槽102內之實施方式進行說明，然而，其並非用以限定本發明，在其他實施例中，也可以將第二軸向電極100X設置於基板100的凹槽102內，並且將第一軸向電極100Y設置於基板100的第一表面100A上。
依據本發明之實施例的觸控感測結構，將絕緣層設置於基板的凹槽內而使電性連接某一軸向(例如Y軸或X軸)電極之相鄰兩個導電單元的跨接線或連接線可平坦地設置在絕緣層上，此跨接線或連接線不需要爬過絕緣層的突起高度就可以進行相鄰兩個導電單元的搭接，因此觸控感測結構中的跨接線或連接線不會有因爬坡而出現的斷裂及裂痕問題，藉此可提高觸控面板的觸控感測結構在阻值均勻性、抗靜電能力以及信賴性等方面的能力。
雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，在此技術領域中具有通常知識者當可瞭解，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
100‧‧‧基板
100A‧‧‧基板的第一表面
100B‧‧‧基板的第二表面
102‧‧‧基板的凹槽
112C‧‧‧第一連接線
114‧‧‧第二導電單元
118‧‧‧絕緣層
120‧‧‧跨接線
D‧‧‧凹槽的深度

Claims (15)

  1. 一種觸控感測結構，包括：一基板，具有複數個凹槽設置於該基板的一表面上；複數條第一軸向電極，分別設置於該基板的該些凹槽內；複數條第二軸向電極，設置於該基板的該表面上，且與該些第一軸向電極交錯排列；以及一絕緣層，填充於該些凹槽內，並且設置於該些第一軸向電極與該些第二軸向電極之間的交錯處。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測結構，其中每一該些第一軸向電極包括複數個第一導電單元和複數個電性連接相鄰兩個該些第一導電單元的第一連接線，且該絕緣層設置於該些第一連接線上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測結構，其中每一該些第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個該些第二導電單元的跨接線，該絕緣層設置於該些第一連接線與該些跨接線之間，且該絕緣層的高度與該些第二導電單元的高度齊平。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之觸控感測結構，其中該跨接線的材料包括金屬或透明導電材料。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之觸控感測結構，其中每一該些第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個該些第二導電單元的第二連接線，該絕緣層位於 該些第一連接線與該些第二連接線之間，且該絕緣層的高度與該基板的該表面齊平。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測結構，其中該些第一軸向電極和該些第二軸向電極的材料包括透明導電材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測結構，其中該些凹槽的平面圖案與該些第一軸向電極及該絕緣層的平面圖案相同且互相重疊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測結構，其中該些凹槽的剖面形狀包括矩形。
  9. 一種觸控感測結構的形成方法，包括：在一基板的一表面上形成複數個凹槽；形成複數條第一軸向電極，分別位於該些凹槽內；在該基板的該表面上形成複數條第二軸向電極，且該些第二軸向電極與該些第一軸向電極交錯排列；以及在該些凹槽內填充一絕緣層，並且該絕緣層位於該些第一軸向電極與該些第二軸向電極之間的交錯處。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該基板的材料包括玻璃基板，且該些凹槽採用微蝕刻或雷射雕刻製程形成。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該基板的材料包括塑膠基板，且該些凹槽採用壓印 製程形成。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之觸控感測結構的形成方法，其中每一該些第一軸向電極包括複數個第一導電單元和複數個電性連接相鄰兩個該些第一導電單元的第一連接線，每一該些第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個該些第二導電單元的跨接線，且該些第一軸向電極與該些第二導電單元同步形成。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該絕緣層形成於該些第一連接線與該些跨接線之間，並位於相鄰兩個該些第二導電單元之間，且該絕緣層的高度填充至與該些第二導電單元的高度齊平。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之觸控感測結構的形成方法，其中每一該些第一軸向電極包括複數個第一導電單元和複數個電性連接相鄰兩個該些第一導電單元的第一連接線，每一該些第二軸向電極包括複數個第二導電單元和複數個電性連接相鄰兩個該些第二導電單元的第二連接線，且該些第一導電單元與該些第一連接線同步形成，該些第二導電單元與該些第二連接線同步形成。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之觸控感測結構的形成方法，其中該絕緣層形成於該些第一連接線與該些第二連接線之間，且該絕緣層的高度填充至與該基板的該表面齊平。
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